CN107827098A - 石墨烯的制备方法 - Google Patents

石墨烯的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107827098A
CN107827098A CN201711173977.3A CN201711173977A CN107827098A CN 107827098 A CN107827098 A CN 107827098A CN 201711173977 A CN201711173977 A CN 201711173977A CN 107827098 A CN107827098 A CN 107827098A
Authority
CN
China
Prior art keywords
graphene
electric field
preparation
methane
purity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201711173977.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107827098B (zh
Inventor
张芬红
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hefei Kaier Nanometer Energy & Technology Co Ltd
Original Assignee
Hefei Kaier Nanometer Energy & Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hefei Kaier Nanometer Energy & Technology Co Ltd filed Critical Hefei Kaier Nanometer Energy & Technology Co Ltd
Priority to CN201711173977.3A priority Critical patent/CN107827098B/zh
Publication of CN107827098A publication Critical patent/CN107827098A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107827098B publication Critical patent/CN107827098B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2204/00Structure or properties of graphene
    • C01B2204/04Specific amount of layers or specific thickness
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2204/00Structure or properties of graphene
    • C01B2204/20Graphene characterized by its properties
    • C01B2204/30Purity
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2204/00Structure or properties of graphene
    • C01B2204/20Graphene characterized by its properties
    • C01B2204/32Size or surface area

Landscapes

  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

本发明属于材料化学技术领域,具体涉及一种石墨烯的制备方法;即将纯度≥99.0%的甲烷通入电场中,经电离,重新成核、气固分离和冷却,得到石墨烯;所述电场是在电极距离为0.02‑3mm,工作电压为300‑8000V下产生的电场;本发明提供的制备方法简单,获得的石墨烯的品质高。

Description

石墨烯的制备方法
技术领域
本发明属于材料化学技术领域,具体涉及一种石墨烯的制备方法。
背景技术
石墨烯是一种由单层碳原子构成的二维材料,具有高强度和高导电导热性能,在显示屏、太阳能电池板、发光板等领域有着广泛的应用。目前,石墨烯的主要制备方法有:机械剥离法、溶剂剥离法、化学气相沉积法、晶体外延生长法和氧化还原法等。其中,采用机械剥离法和溶剂剥离法的生产效率较低;化学气相沉积法和晶体外延生长法成本高、操作复杂且无法生产大面积石墨烯;此外,氧化还原法虽然成本较低、工艺简单,但制备出的石墨烯存在结构缺陷且纯度较低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种高品质的石墨烯的制备方法。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:
一种石墨烯的制备方法,将纯度≥99.0%的甲烷通入电场中,经电离,重新成核、气固分离和冷却,得到石墨烯;所述电场是在电极距离为0.02-3mm,工作电压为300-8000V下产生的电场。
事实上,对于纯度不够的甲烷,可预先进行除杂操作,使之纯度达到99.0%,然后再通入电场中,即可获得高纯度的石墨烯。
具体的,所述电场是以铜为正极,以钨钼合金或钨合金为负极产生的电场。
优选的,所述甲烷的送料速度为8-10m3/h。
上述技术方案产生的有益效果在于:以高纯度的甲烷为原料,保证了产品的高纯度。且甲烷原料易得,生产成本低。从原料到产品,中间只涉及电离、成核和气固分离等过程,方法简单,可实现连续产业化生产。获得的石墨烯层数少,一般为2-10层,结构完整规则,纯度高,表面无官能团,使用性能优异。
附图说明
图1为实施例1制得的石墨烯的拉曼光谱图;
图2为实施例1制得的石墨烯的透射电镜图;
图3为实施例2制得的石墨烯的拉曼光谱图;
图4为实施例2制得的石墨烯的透射电镜图;
图5为实施例3制得的石墨烯的拉曼光谱图;
图6为实施例3制得的石墨烯的透射电镜图;
图7-8为实施例1制得的石墨烯的元素检测报告。
具体实施方式
以下结合实施例1-3对本发明公开的技术方案作进一步的说明。
实施例1:石墨烯的制备
(1)对甲烷进行除杂,至其纯度≥99.0%;
(2)反应室内以铜为正极,以钨钼合金为负极,接通电源,设置工作电压为1000V,电极距离为1mm,产生电场;
(3)以纯度≥99.0%的天然气为原料,以8m3/h的进料速度将原料通入电场中,天然气在电场作用下被电离,碳原子和氢原子重新排列;
(4)60分钟后停止通入天然气,反应室继续反应30分钟以确保反应完全,关闭电源,并将反应炉冷却至室温;待产物完全冷却后,即得石墨烯粉体。
本实施例所得到的石墨烯为黑色粉末,经拉曼光谱分析,得到结果如图1所示;经透射电镜检测,如图2所示,比表面积为195.6m2/g;经元素检测,如图7-8所示,制得的石墨烯中元素含量很少,石墨烯的纯度高。
实施例2:石墨烯的制备
(1)对甲烷进行除杂,至其纯度≥99.0%;
(2)反应室内以铜为正极,以钨合金为负极,接通电源,设置工作电压为5000V,电极距离为0.02mm,产生电场;
(3)以纯度≥99.0%的甲烷为原料,以9m3/h的进料速度将原料通入电场中,甲烷在电场作用下被电离,碳原子和氢原子重新排列;
(4)90分钟后停止通入甲烷,反应室继续反应30分钟以确保反应完全,关闭电源,并将反应炉冷却至室温;待产物完全冷却后,即得石墨烯粉体。
本实施例所得到的石墨烯为黑色粉末,经拉曼光谱分析,得到结果如图3所示;经透射电镜检测,如图4所示,比表面积为320.1m2/g。
实施例3:石墨烯的制备
(1)对甲烷进行除杂,至其纯度≥99.0%;
(2)反应室内以铜为正极,以钨钼合金为负极,接通电源,设置工作电压为8000V,电极距离为3mm,产生电场;
(3)以纯度≥99.0%的甲烷为原料,以10m3/h的进料速度将原料通入电场中,甲烷在电场作用下被电离,碳原子和氢原子重新排列;
(4)60分钟后停止通入甲烷,反应室继续反应30分钟以确保反应完全,关闭电源,并将反应炉冷却至室温;待产物完全冷却后,即得石墨烯粉体。
本实施例所得到的石墨烯为黑色粉末,经拉曼光谱分析,得到结果如图5所示;经透射电镜检测,如图6所示,比表面积为247.5m2/g。

Claims (3)

1.一种石墨烯的制备方法,其特征在于:将纯度≥99.0%的甲烷通入电场中,经电离,重新成核、气固分离和冷却,得到石墨烯;所述电场是在电极距离为0.02-3mm,工作电压为300-8000V下产生的电场。
2.根据权利要求1所述的石墨烯的制备方法,其特征在于:所述电场是以铜为正极,以钨钼合金或钨合金为负极产生的电场。
3.根据权利要求1所述的石墨烯的制备方法,其特征在于:所述甲烷的送料速度为8-10m3/h。
CN201711173977.3A 2017-11-22 2017-11-22 石墨烯的制备方法 Active CN107827098B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711173977.3A CN107827098B (zh) 2017-11-22 2017-11-22 石墨烯的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201711173977.3A CN107827098B (zh) 2017-11-22 2017-11-22 石墨烯的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107827098A true CN107827098A (zh) 2018-03-23
CN107827098B CN107827098B (zh) 2020-06-16

Family

ID=61653197

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711173977.3A Active CN107827098B (zh) 2017-11-22 2017-11-22 石墨烯的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107827098B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102626591A (zh) * 2012-04-10 2012-08-08 上海交通大学 一种氧化石墨烯/石墨烯溶液的纯化方法及装置
CN102936010A (zh) * 2012-10-12 2013-02-20 南昌绿扬光电科技有限公司 一种在基材上气相沉积生长直立式石墨烯的方法
CN103626166A (zh) * 2012-08-28 2014-03-12 海洋王照明科技股份有限公司 石墨烯的制备方法
CN103708444A (zh) * 2013-12-20 2014-04-09 上海中电振华晶体技术有限公司 石墨烯薄膜的制备方法及设备
CN104961127A (zh) * 2015-07-23 2015-10-07 合肥开尔纳米能源科技股份有限公司 一种等离子化学气相合成法制备纳米石墨烯粉体的方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102626591A (zh) * 2012-04-10 2012-08-08 上海交通大学 一种氧化石墨烯/石墨烯溶液的纯化方法及装置
CN103626166A (zh) * 2012-08-28 2014-03-12 海洋王照明科技股份有限公司 石墨烯的制备方法
CN102936010A (zh) * 2012-10-12 2013-02-20 南昌绿扬光电科技有限公司 一种在基材上气相沉积生长直立式石墨烯的方法
CN103708444A (zh) * 2013-12-20 2014-04-09 上海中电振华晶体技术有限公司 石墨烯薄膜的制备方法及设备
CN104961127A (zh) * 2015-07-23 2015-10-07 合肥开尔纳米能源科技股份有限公司 一种等离子化学气相合成法制备纳米石墨烯粉体的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107827098B (zh) 2020-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8920614B2 (en) Device designed for continuous production of graphene flakes by electrochemical method
Zhai et al. Direct growth of nitrogen-doped graphene films on glass by plasma-assisted hot filament CVD for enhanced electricity generation
WO2017012281A1 (zh) 一种等离子化学气相合成法制备纳米石墨烯粉体的方法
CN102745678B (zh) 一种利用等离子溅射制作掺氮石墨烯的方法
KR101667841B1 (ko) 플라즈마 화학기상증착 프로세스의 전계제어기법을 이용한 그래핀 나노월 성장 방법
CN105112998A (zh) 一种氧化物衬底辅助的快速制备大尺寸单晶石墨烯的方法
CN102616780A (zh) 一种用直流电弧法制备碳化钛纳米粒子及其复合材料的方法
CN102225771B (zh) 采用机械合金化制备纳米LaB6粉体的方法
CN102557023A (zh) 一种石墨烯的制备方法
CN103794298A (zh) 一种石墨烯导线的制备方法
CN106006619A (zh) 一种特定尺寸的石墨烯的制备方法
CN104773725A (zh) 一种利用低温等离子体制备石墨烯的方法
CN103266306A (zh) 一种用pvd技术制备石墨烯或超薄碳膜的方法
CN103484889B (zh) 一种大量制备高质量少层石墨烯粉末的方法
CN103738939B (zh) 一种石墨烯快速剥离的方法
CN102074708A (zh) 基于掺硼金刚石薄膜改性的pemfc双极板及其制备方法
CN104630894A (zh) 二维碳氮单晶合金及其制备方法
CN107827098A (zh) 石墨烯的制备方法
CN102751387A (zh) 一种薄膜太阳能电池吸收层Cu(In,Ga)Se2薄膜的制备方法
Goli et al. Growth of flower-like copper oxide nanostructures by glow discharge in water
CN215798522U (zh) 一种碳粉通电制备石墨烯的高温真空反应器
CN105692604A (zh) 一种气相等离子制备粉状石墨烯的方法
CN211939059U (zh) 一种多组分金属物质的物理分离装置
CN108751200A (zh) 一种碳化硼纳米薄膜的制备方法
So et al. Hydrothermal synthesis of tellurium nanorods by using recovered tellurium from waste electronic devices

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant