CN107817636A - 一种阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置,阵列基板的栅极层包括多个栅极组,沿薄膜晶体管排列的行方向,每个栅极组包括交替间隔排列的第一和第二栅极组;有源层包括多个第一和第二沟道组;源漏极层包括多个第一和多个第二源极结构,第一源极结构和第二源极结构对应同一时间段内数据信号的变化值的极性相反;遮光层包括多个第一和第二遮光结构,第一沟道组、第一源极结构和第一遮光结构分别与第一栅极组一一对应设置,第二沟道组、第二源极结构和第二遮光结构分别与第二栅极组一一对应设置;沿薄膜晶体管排列的行方向,相邻的第一遮光结构和第二遮光结构电连接。通过本发明的技术方案,改善了数据信号的变化对测试画面的串扰。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
显示面板中一般包括矩阵排列的多个薄膜晶体管,薄膜晶体管与显示面板中的像素单元的一一对应电连接,每个薄膜晶体管均包括有源层、栅极、源极和漏极,其中有源层对应栅极的部分为薄膜晶体管的沟道结构,光线照射至薄膜晶体管的沟道会使薄膜晶体管产生光生载流子而影响薄膜晶体管的开关特性,因此可以在显示面板中设置多个遮光结构,使遮光结构与薄膜晶体管的沟道结构对应设置,有效防止光线照射至薄膜晶体管的沟道结构使薄膜晶体管产生光生载流子影响薄膜晶体管的开关特性。
另外,显示面板制成后一般需要对显示面板的性能进行测试,测试时会通过与薄膜晶体管电连接的数据信号线向对应的像素单元中的像素电极传输数据信号,供给显示面板进行测试。但是,当数据信号线上的数据信号发生变化时,遮光结构上的电位会因为与对应的数据信号线之间的耦合作用发生变化,像素电极上的电位也会因为与对应的遮光结构之间的耦合作用发生变化,即数据信号的变化会对显示面板的测试画面造成串扰,严重影响显示面板测试画面的显示质量。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种阵列基板、显示面板及显示装置,通过设置沿薄膜晶体管排列的行方向,阵列基板包括交替间隔设置的第一栅极组和第二栅极组,且设置第一沟道组、第一源极结构和第一遮光结构均与第一栅极组一一对应设置,第二沟道组、第二源极结构和第二遮光结构均与第二栅极组一一对应设置,第一源极结构和第二源极结构对应同一时间段被数据信号的变化值的极性相反,沿薄膜晶体管排列的行方向,相邻的第一遮光结构和第二遮光结构电连接,即与电连接的第一遮光结构和第二遮光结构分别对应的源极结构对应同一时间段被数据信号的变化值的极性相反,使得源极结构上数据信号的变化对电连接的第一遮光结构和第二遮光结构的耦合作用具有相互抵消的作用,改善了数据信号的变化对测试画面的串扰,提高了测试画面的显示质量。
第一方面,本发明实施例提供了一种阵列基板,包括:
基板;
位于所述基板上矩阵排列的多个薄膜晶体管构成的薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层包括有源层、栅极层和源漏极层;
沿所述薄膜晶体管排列的列方向,所述栅极层包括多个栅极组,沿所述薄膜晶体管排列的行方向,每个所述栅极组包括交替间隔排列的第一栅极组和第二栅极组;
所述有源层包括多个第一沟道组和多个第二沟道组,所述第一沟道组与所述第一栅极组一一对应设置,所述第二沟道组与所述第二栅极组一一对应设置;
所述源漏极层包括多个第一源极结构和多个第二源极结构,所述第一源极结构与所述第一栅极组一一对应设置,所述第二源极结构与所述第二栅极组一一对应设置,所述第一源极结构和所述第二源极结构对应同一时间段内数据信号的变化值的极性相反;
位于所述基板与所述有源层之间的遮光层,所述遮光层包括多个第一遮光结构和多个第二遮光结构,所述第一遮光结构与所述第一沟道组一一对应设置,所述第二遮光结构与所述第二沟道组一一对应设置,所述第一遮光结构在所述基板上的垂直投影覆盖对应的所述第一沟道组在所述基板上的垂直投影,所述第二遮光结构在所述基板上的垂直投影覆盖对应的所述第二沟道组在所述基板上的垂直投影;
沿所述薄膜晶体管排列的行方向,相邻的所述第一遮光结构和所述第二遮光结构电连接。
第二方面,本发明实施例还提供了一种显示面板,包括第一方面所述的阵列基板。
第三方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括第二方面所述的显示面板。
本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置,通过设置沿薄膜晶体管排列的行方向,阵列基板包括交替间隔设置的第一栅极组和第二栅极组,且设置第一沟道组、第一源极结构和第一遮光结构均与第一栅极组一一对应设置,第二沟道组、第二源极结构和第二遮光结构均与第二栅极组一一对应设置,第一源极结构和第二源极结构对应同一时间段内数据信号的变化值的极性相反,沿薄膜晶体管排列的行方向,相邻的第一遮光结构和第二遮光结构电连接,即与电连接的第一遮光结构和第二遮光结构分别对应的源极结构对应同一时间段内数据信号的变化值的极性相反,使得源极结构上数据信号的变化对电连接的第一遮光结构和第二遮光结构的耦合作用具有相互抵消的作用,也就减小了遮光结构上的电位由于与对应的数据信号线之间的耦合作用产生的变化值,减小了像素电极上的电位由于与对应的遮光结构之间的耦合作用产生的变化值,改善了数据信号的变化对显示面板的测试画面的串扰,提高了测试画面的显示质量。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图;
图2为沿图1中AA’方向的剖面结构示意图;
图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的电容等效图;
图4为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图;
图5为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图;
图6为本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图;
图7为沿图6中BB’方向的剖面结构示意图;
图8为本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图;
图9为沿图8中CC’方向的剖面结构示意图;
图10为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图11为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。贯穿本说明书中,相同或相似的附图标号代表相同或相似的结构、元件或流程。需要说明的是,在不冲突的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
本发明实施例提供了一种阵列基板,阵列基板包括基板、位于基板上矩阵排列的多个薄膜晶体管构成的薄膜晶体管层和遮光层,薄膜晶体管层包括有源层、栅极层和源漏极层,遮光层位于基板和有源层之间。沿薄膜晶体管排列的列方向,栅极层包括多个栅极组,沿薄膜晶体管排列的行方向,每个栅极组包括交替间隔排列的第一栅极组和第二栅极组,有源层包括多个第一沟道组和多个第二沟道组,第一沟道组与第一栅极组一一对应设置,第二沟道组与第二栅极组一一对应设置。源漏极层包括多个第一源极结构和多个第二源极结构,第一源极结构与第一栅极组一一对应设置,第二源极结构与第二栅极组一一对应设置,第一源极结构和第二源极结构对应同一时间段内数据信号的变化值的极性相反。遮光层包括多个第一遮光结构和多个第二遮光结构,第一遮光结构与第一沟道组一一对应设置,第二遮光结构与第二沟道组一一对应设置,第一遮光结构在基板上的垂直投影覆盖对应的第一沟道组在基板上的垂直投影,第二遮光结构在基板上的垂直投影覆盖对应的第二沟道组在基板上的垂直投影。沿薄膜晶体管排列的行方向,相邻的第一遮光结构和第二遮光结构电连接。
显示面板中一般包括矩阵排列的多个薄膜晶体管,光线照射至薄膜晶体管的沟道会使薄膜晶体管产生光生载流子而影响薄膜晶体管的开关特性,因此可以在显示面板中设置多个遮光结构,使遮光结构与薄膜晶体管的沟道结构对应设置,有效防止光线照射至薄膜晶体管的沟道结构使薄膜晶体管产生光生载流子影响薄膜晶体管的开关特性。
另外,显示面板制成后一般需要对显示面板的性能进行测试,测试时会通过与薄膜晶体管电连接的数据信号线向对应的像素单元中的像素电极传输数据信号,供给显示面板进行测试。但是,当数据信号线上的数据信号发生变化时,遮光结构上的电位会因为与对应的数据信号线之间的耦合作用发生变化,像素电极上的电位也会因为与对应的遮光结构之间的耦合作用发生变化,即数据信号的变化会对显示面板的测试画面造成串扰,严重影响显示面板测试画面的显示质量。
本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置,通过设置沿薄膜晶体管排列的行方向,阵列基板包括交替间隔设置的第一栅极组和第二栅极组,且设置第一沟道组、第一源极结构和第一遮光结构均与第一栅极组一一对应设置,第二沟道组、第二源极结构和第二遮光结构均与第二栅极组一一对应设置,第一源极结构和第二源极结构对应同一时间段内数据信号的变化值的极性相反,沿薄膜晶体管排列的行方向,相邻的第一遮光结构和第二遮光结构电连接,即与电连接的第一遮光结构和第二遮光结构分别对应的源极结构对应同一时间段内数据信号的变化值的极性相反,使得源极结构上数据信号的变化对电连接的第一遮光结构和第二遮光结构的耦合作用具有相互抵消的作用,也就减小了遮光结构上的电位由于与对应的数据信号线之间的耦合作用产生的变化值,减小了像素电极上的电位由于与对应的遮光结构之间的耦合作用产生的变化值,改善了数据信号的变化对显示面板的测试画面的串扰,提高了测试画面的显示质量。
以上是本发明的核心思想,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下,所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图,图2为沿图1中AA’方向的剖面结构示意图。结合图1和图2,阵列基板包括基板1、位于基板1上矩阵排列的多个薄膜晶体管T构成的薄膜晶体管层2和遮光层3,图1中仅示例性地示出了两行四列薄膜晶体管T,薄膜晶体管层2包括有源层4、栅极层5和源漏极层6,遮光层3位于基板1和有源层4之间。
沿薄膜晶体管T排列的列方向(图1中Y方向),栅极层5包括多个栅极组50,沿薄膜晶体管T排列的行方向(图1中X方向),每个栅极组50包括交替间隔排列的第一栅极组51和第二栅极组52,有源层4包括多个第一沟道组41和多个第二沟道组42,第一沟道组41与第一栅极组51一一对应设置,第二沟道组42与第二栅极组52一一对应设置。源漏极层6包括多个第一源极结构61和多个第二源极结构62,第一源极结构61与第一栅极组51一一对应设置,第二源极结构62与第二栅极组52一一对应设置。
遮光层3包括多个第一遮光结构31和多个第二遮光结构32,第一遮光结构31与第一沟道组41一一对应设置,第二遮光结构32与第二沟道组42一一对应设置,第一遮光结构31在基板1上的垂直投影覆盖对应的第一沟道组41在基板1上的垂直投影,第二遮光结构32在基板1上的垂直投影覆盖对应的第二沟道组42在基板1上的垂直投影。示例性的,可以设置构成第一遮光结构31和第二遮光结构32的材料均为金属材料,由于第一遮光结构31在基板1上的垂直投影覆盖对应的第一沟道组41在基板1上的垂直投影,第二遮光结构32在基板1上的垂直投影覆盖对应的第二沟道组42在基板1上的垂直投影,使得第一遮光结构31和第二遮光结构32能够有效避免光线照射至薄膜晶体管T的沟道使薄膜晶体管T产生光生载流子影响薄膜晶体管T的开关特性。
需要说明的是,图1和图2只是示例性的设置沿远离基板1的方向,薄膜晶体管T依次包括有源层4、栅极层5和源漏极层6,即示例性地设置薄膜晶体管T为顶栅结构,也可以设置薄膜晶体管T为底栅结构,本发明实施例对此不作限定。
沿薄膜晶体管T排列的行方向,相邻的第一遮光结构31和第二遮光结构32电连接。图3为本发明实施例提供的一种阵列基板的电容等效图,图3仅示例性地示出了一组电连接的第一遮光结构31和第二遮光结构32与阵列基板其它结构之间的电容。图4为本发明实施例提供的另一种阵列基板的剖面结构示意图,图4中仅示例性地示出了与第一遮光结构31对应设置的薄膜晶体管T的剖面结构,且示例性地设置薄膜晶体管T为底栅结构。结合图3和图4,当第一遮光结构31和第二遮光结构32单独设置,即第一遮光结构31与第二遮光结构32未电连接时,以第一遮光结构31为例,第一遮光结构31与对应的第一源极结构61构成第一耦合电容C1,第一遮光结构31与对应的第一栅极组51构成第二耦合电容C2,第一遮光结构31与对应的公共电极72构成第三耦合电容C3,第一遮光结构31与对应的像素电极71构成第四耦合电容C4,与第一遮光结构31对应的像素电极71与公共电极2构成第五耦合电容C5,可以设置第一源极结构61对应的数据信号的变化值为ΔVdata,当第一遮光结构31与第二遮光结构32未电连接时,对应的第一遮光结构31的电位由于与对应的第一源极结构61之间的耦合作用产生的变化值ΔVLS满足如下公式:
对应的像素电极71的电位由于与对应的第一遮光结构31之间的耦合作用产生的变化值ΔVpixel满足如下公式:
第二遮光结构32与阵列基板中其它结构的电容以及第二遮光结构32上电位的变化与第一遮光结构31类似,这里不再赘述。另外,显示面板可以是如图4所示的液晶显示面板,液晶显示面板中可以包括多个薄膜晶体管T,每个薄膜晶体管T与对应的像素电极71电连接,液晶分子(图4中未示出)在像素电极71与公共电极72形成的电场的作用下发生偏转,实现液晶显示面板的显示功能。显示面板也可以是如图5所示的有机发光显示面板,有机发光显示面板可以包括多个有机发光结构8以及与有机发光结构8一一对应电连接的薄膜晶体管T。结合图4和图5,则上述实施例对等效电容的说明部分中的像素电极71可以等效为有机发光结构8中的阳极81,公共电极72可以等效为有机发光结构8中的阴极82,有机发光显示面板中阵列基板的电容等效结构与液晶显示面板类似,这里不再赘述,本发明实施例对显示面板的类型不作限定,为方便表示,以下实施例以液晶显示面板为例进行了描述。
由上述公式可知,当第一遮光结构31与第二遮光结构32单独设置时,源极结构上数据信号的变化会引起对应的遮光结构上电位的变化,进而引起对应的像素电极上电位的变化,像素电极上除了显示需要的数据信号对应的电位,还包括耦合作用引起的变化电位,即数据信号的变化造成对显示面板的测试画面的串扰。
结合图1、图2和图3,设置第一遮光结构31与第二遮光结构32电连接,且第一源极结构61和第二源极结构62对应同一时间段内数据信号的变化值的极性相反。若第一遮光结构31和第二遮光结构32未电连接,且第一源极结构61和第二源极结构62对应同一时间段内数据信号的变化值的极性相同,例如可以设置同一时间段内第一源极结构61对应的数据信号增加3V,第二源极结构62上对应的数据信号增加2V,即第一源极结构61和第二源极结构62对应的数据信号的变化值的极性相同,根据上述公式,则对应的第一遮光结构31的电位由于与对应的第一源极结构61之间的耦合作用产生的变化值为对应的第二遮光结构32的电位由于与对应的第二源极结构62之间的耦合作用产生的变化值为
而本发明实施例设置第一源极结构61和第二源极结构62对应同一时间段内数据信号的变化值的极性相反,例如可以设置同一时间段内第一源极结构61对应的数据信号增加3V,第二源极结构62上对应的数据信号减小2V,即第一源极结构61和第二源极结构62对应的数据信号的变化值的极性相反,若第一遮光结构31和第二遮光结构32未电连接,则根据上述公式,则对应的第一遮光结构31的电位由于与对应的第一源极结构61之间的耦合作用产生的变化值应为对应的第二遮光结构32的电位由于与对应的第二源极结构62之间的耦合作用产生的变化值应为而本发明实施例设置相邻的第一遮光结构31与第二遮光结构电连接,则电连接的第一遮光结构31和第二遮光结构31的电位由于与对应的第一源极结构61和第二源极结构62之间的耦合作用产生的变化值会有一定的抵消作用,即电连接的第一遮光结构31和第二遮光结构31的电位由于与对应的第一源极结构61和第二源极结构62之间的耦合作用产生的变化值均为相对于第一源极结构61和第二源极结构62对应同一时间段内数据信号的变化值的极性相同,或者第一遮光结构31与第二遮光结构32未电连接的情况,均减小了遮光结构上的电位由于与对应的数据信号线之间的耦合作用产生的变化值,减小了像素电极上的电位由于与对应的遮光结构之间的耦合作用产生的变化值,改善了数据信号的变化对显示面板的测试画面的串扰,提高了测试画面的显示质量。
可选的,可以设置第一源极结构和第二源极结构对应同一时刻的数据信号的大小相等且极性相反。示例性的,可以设置在第一时刻,第一源极结构61上的数据信号为5V,第二源极结构62上的数据信号为-5V,在第二时刻,第一源极结构61上的数据信号为2.5V,第二源极结构62上的数据信号为-2.5V,则第一时刻与第二时刻之间的时间段内,第一源极结构61对应该时间段内数据信号减小了2.5V,则对应的第一遮光结构31的电位由于与对应的第一源极结构61之间的耦合作用产生的变化值应为第二源极结构62对应该时间段内数据信号增加了2.5V,则对应的第二遮光结构32的电位由于与对应的第二源极结构62之间的耦合作用产生的变化值应为由于第一遮光结构31与第二遮光结构32电连接,因此电连接的第一遮光结构31和第二遮光结构31的电位由于与对应的第一源极结构61和第二源极结构62之间的耦合作用产生的变化值均为0,即通过设置第一源极结构61和第二源极结构62对应同一时刻的数据信号的大小相等且极性相反,使得源极结构上数据信号的变化对电连接的第一遮光结构31和第二遮光结构32的耦合作用相互抵消,即数据信号的变化不会引起遮光结构上电位的变化,像素电极上也不会因为与遮光结构的耦合作用产生电位的变化,避免了数据信号的变化对测试画面的串扰,提高了测试画面的显示质量。另外,针对液晶显示面板,通过设置第一源极结构61和第二源极结构62对应同一时刻的数据信号的极性相反实现了显示面板中像素单元的列反转,而列反转的设置方式能够有效避免液晶材料产生极化现象,造成显示面板存在残影。
可选的,结合图1和图2,可以设置第一栅极组51和第二栅极组52均包括一个栅极结构,薄膜晶体管T包括一个栅极结构,即薄膜晶体管T为单栅极结构。具体的,有源层4包括多个有源层结构43,有源层结构43在基板1上的垂直投影与对应的栅极组在基板1上的垂直投影存在交叠部分,该交叠部分对应第一栅极组51的部分即形成一栅极结构,交叠部分的数量即为栅极结构的数量,则图1和图2所示结构的阵列基板中的薄膜晶体管T仅包括一个栅极结构。
图6为本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图,图7为沿图6中BB’方向的剖面结构示意图。与图1和图2所示结构的阵列基板不同的是,图6和图7所示结构的阵列基板中的第一栅极组51包括两个第一栅极结构511,第二栅极组52包括两个第二栅极结构521,薄膜晶体管T包括一第一栅极结构511和第二栅极结构521,即薄膜晶体管T为双栅极结构。同样的,沿薄膜晶体管T排列的行方向,相邻的第一遮光结构31和第二遮光结构32电连接,第一源极结构61和第二源极结构62对应同一时间段内的数据信号的变化值的极性相反,改善了数据信号的变化对测试画面的串扰,提高了测试画面的显示质量。示例性的,同样可以设置第一源极结构61和第二源极结构62对应的同一时刻的数据信号的大小相等且极性相反,以消除数据信号的变化对测试画面的串扰,且针对液晶显示面板可以实现列反转,避免液晶材料产生极化现象,造成显示面板存在残影。
图8为本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图,图9为沿图8中CC’方向的剖面结构示意图。与图1和图2所示结构的阵列基板不同的是,图8和图9结构的阵列基板中的第一栅极组51包括两个第一栅极结构511,第二栅极组52包括两个第二栅极结构521,薄膜晶体管T包括两个第一栅极结构511或两个第二栅极结构521,即薄膜晶体管T为双栅极结构。同样的,沿薄膜晶体管T排列的行方向,相邻的第一遮光结构31和第二遮光结构32电连接,第一源极结构61和第二源极结构62对应同一时间段内的数据信号的变化值的极性相反,改善了数据信号的变化对测试画面的串扰,提高了测试画面的显示质量。示例性的,同样可以设置第一源极结构61和第二源极结构62对应的同一时刻的数据信号的大小相等且极性相反,以消除数据信号的变化对测试画面的串扰,且针对液晶显示面板可以实现列反转,避免液晶材料产生极化现象,造成显示面板存在残影。
对应每个沟道均设置有一金属结构,即针对每个栅极结构均设置有一金属结构,用于阻挡光线照射至薄膜晶体管T的沟道使薄膜晶体管T产生光生载流子影响薄膜晶体管T的开关特性,但是对于分辨率较高的显示面板,沿薄膜晶体管T排列的行方向(图6或图8中X方向),相邻的金属结构之间无法完全间隔,使得相邻的金属结构之间相连。对于薄膜晶体管T为双栅极结构的阵列基板,示例性的,可以将第一遮光结构31和第二遮光结构32均包括两个相连的金属结构311,以满足显示面板对分辨率的要求。可以如图6和7所示,设置第一遮光结构31包括两相邻薄膜晶体管T的金属结构311,第二遮光结构32同样包括两相邻薄膜晶体管T对应的金属结构311,也可以如图8和9所示,设置第一遮光结构31包括同一薄膜晶体管T对应的两个金属结构311。
需要说明的是,图1至图9均示例性地设置沿薄膜晶体管T排列的行方向,相邻的第一遮光结构31和第二遮光结构32两两电连接,本发明实施例对电连接的第一遮光结构31和第二遮光结构32的个数不作限定,只要保证电连接的第一遮光结构31和第二遮光结构32的数目总和为偶数即可,例如设置连续交替设置的两个第一遮光结构31和两个第二遮光结构32电连接,即电连接的第一遮光结构31和第二遮光结构32的数目的总和为四,就可以保证源极结构上数据信号的变化对电连接的第一遮光结构31和第二遮光结构32的耦合作用具有相互抵消的作用,改善了数据信号的变化对测试画面的串扰,提高了测试画面的显示质量。
可选的,阵列基板还包括多条数据信号线,同一列薄膜晶体管与一数据信号线电连接,沿薄膜晶体管排列的行方向,相邻的数据信号线对应同一时间段内的数据信号的变化值的极性相反。具体的,参照图1、图6和图8,同一列薄膜晶体管T均与同一数据信号线83电连接,由于第一源极结构61和第二源极结构62对应同一时间段内的数据信号的变化值的极性相反,因此沿薄膜晶体管T排列的行方向,相邻的数据信号线83对应同一时间段内数据信号的变化值的极性相反同样能够改善数据信号的变化对测试画面的串扰,提高测试画面的显示质量。同样的,也可以设置沿薄膜晶体管T排列的行方向,相邻的数据信号线83对应同一时刻的数据信号的大小相等且极性相反,消除数据信号的变化对测试画面的串扰,且针对液晶显示面板可以实现列反转,避免液晶材料产生极化现象,造成显示面板存在残影。
可选的,结合图1和图2,电连接的第一遮光结构31和第二遮光结构32相互接触,即可以通过直接接触的方式实现第一遮光结构31与对应的第二遮光结构32的电连接。可选的,如图6、图7、图8和图9所示,阵列基板还可以包括多个连接部9,电连接的第一遮光结构31和第二遮光结构32之间设置有一连接部9,连接部9的一端与第一遮光结构31电连接,该连接部9的另一端与对应的第二遮光结构32电连接,即第一遮光结构31与对应的第二遮光结构32之间通过连接部9实现电连接。
可选的,如图7和图9所示,可以设置连接部9与第一遮光结构31采用同种材料同层制作,即设置连接部9与第一遮光结构31和第二遮光结构32均采用同种材料同层制作,可以设置构成连接部9、第一遮光结构31和第二遮光结构32的材料均为金属材料,利用金属材料的连接部9实现第一遮光结构31与对应的第二遮光结构32的电连接,且避免了单独设置膜层用于连接部9的走线,简化了显示面板的制作工艺。
需要说明的是,本发明实施例示附图只是示例性的表示各元件的大小,并不代表显示面板中各元件的实际尺寸。
本发明实施例通过设置沿薄膜晶体管排列的行方向,阵列基板包括交替间隔设置的第一栅极组和第二栅极组,且设置第一沟道组、第一源极结构和第一遮光结构均与第一栅极组一一对应设置,第二沟道组、第二源极结构和第二遮光结构均与第二栅极组一一对应设置,第一源极结构和第二源极结构对应同一时间段内数据信号的变化值的极性相反,沿薄膜晶体管排列的行方向,相邻的第一遮光结构和第二遮光结构电连接,即与电连接的第一遮光结构和第二遮光结构分别对应的源极结构对应同一时间段内数据信号的变化值的极性相反,使得源极结构上数据信号的变化对电连接的第一遮光结构和第二遮光结构的耦合作用具有相互抵消的作用,也就减小了遮光结构上的电位由于与对应的数据信号线之间的耦合作用产生的变化值,减小了像素电极上的电位由于与对应的遮光结构之间的耦合作用产生的变化值,改善了数据信号的变化对显示面板的测试画面的串扰,提高了测试画面的显示质量。
本发明实施例还提供了一种显示面板,图10为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。如图10所示,显示面板100包括上述实施例中的阵列基板101,因此本发明实施例提供的显示面板100也具备上述实施例所描述的有益效果,此处不再赘述。示例性的,显示面板可以是液晶显示面板,也可以是有机发光显示面板。
本发明实施例还提供了一种显示装置,图11为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。如图11所示,显示装置28包括上述实施例中的显示面板27,即显示装置28包括上述实施例中的阵列基板,因此本发明实施例提供的显示装置28也具备上述实施例所描述的有益效果,此处不再赘述。示例性的,显示装置28可以是手机、电脑或电视等电子显示设备。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (11)
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基板;
位于所述基板上矩阵排列的多个薄膜晶体管构成的薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层包括有源层、栅极层和源漏极层;
沿所述薄膜晶体管排列的列方向,所述栅极层包括多个栅极组,沿所述薄膜晶体管排列的行方向,每个所述栅极组包括交替间隔排列的第一栅极组和第二栅极组;
所述有源层包括多个第一沟道组和多个第二沟道组,所述第一沟道组与所述第一栅极组一一对应设置,所述第二沟道组与所述第二栅极组一一对应设置;
所述源漏极层包括多个第一源极结构和多个第二源极结构,所述第一源极结构与所述第一栅极组一一对应设置,所述第二源极结构与所述第二栅极组一一对应设置,所述第一源极结构和所述第二源极结构对应同一时间段内数据信号的变化值的极性相反;
位于所述基板与所述有源层之间的遮光层,所述遮光层包括多个第一遮光结构和多个第二遮光结构,所述第一遮光结构与所述第一沟道组一一对应设置,所述第二遮光结构与所述第二沟道组一一对应设置,所述第一遮光结构在所述基板上的垂直投影覆盖对应的所述第一沟道组在所述基板上的垂直投影,所述第二遮光结构在所述基板上的垂直投影覆盖对应的所述第二沟道组在所述基板上的垂直投影;
沿所述薄膜晶体管排列的行方向,相邻的所述第一遮光结构和所述第二遮光结构电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一栅极组和所述第二栅极组均包括一个栅极结构,所述薄膜晶体管包括一个栅极结构。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一栅极组包括两个第一栅极结构,所述第二栅极组包括两个第二栅极结构,所述薄膜晶体管包括一述第一栅极结构和一所述第二栅极结构。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一栅极组包括两个第一栅极结构,所述第二栅极组包括两个第二栅极结构,所述薄膜晶体管包括两个所述第一栅极结构或者两个所述第二栅极结构。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一源极结构和所述第二源极结构对应同一时刻的数据信号的大小相等且极性相反。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
多条数据信号线,同一列所述薄膜晶体管与一所述数据信号线电连接,沿所述薄膜晶体管排列的行方向,相邻的所述数据信号线对应同一时间段内的数据信号的变化值的极性相反。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,电连接的所述第一遮光结构和所述第二遮光结构相互接触。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括:
多个连接部,电连接的所述第一遮光结构和所述第二遮光结构之间设置有一所述连接部,所述连接部的一端与所述第一遮光结构电连接,该所述连接部的另一端与对应的所述第二遮光结构电连接。
9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述连接部与所述第一遮光结构采用同种材料同层制作。
10.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-9任一项所述的阵列基板。
11.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求10所述的显示面板。
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