CN107807327A - 回转率检测电路 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种回转率检测电路，其包含电阻、电流源，以及串联耦接于电源端与接地端之间的第一金属氧化物场效应晶体管。电阻的第一端耦接至电源端，电阻的第二端耦接至电流源的第一端，电流源的第二端耦接至第一MOSFET的漏极端，以及第一MOSFET的源极端耦接至接地端。电路亦包含电容，其具有耦接至输入信号的第一端，以及耦接至第一MOSFET的栅极端与漏极端的第二端。在输入信号变换的期间内流经MOSFET的电流用以呈现输入信号的回转率。本发明可提供更简单的电路设计，其相比传统电路更具有成本效益。

Description

回转率检测电路
技术领域
本发明关于一种半导体电路技术的领域。更明确地说，本发明的实施例特别关于低功率回转率检测电路。在实施例中，回转率检测电路用于D类输出功率级的边缘率控制。惟本发明的电路可被用于任何需要精确的回转率检测的应用中。
背景技术
在D类音频放大器中，输出信号为脉冲宽度调变(PWM)的波形，其驱动外部扬声器。此类的PWM波形看起来非常相似于方形波，因此，其具有可扰乱、干扰其他使用高于PWM频率的射频的电路的显著高频率内容。于下文中的图1及图2中展示一种一阶D类级与其输入、输出波形的代表性组态。
D类放大器有时被称为开关放大器，且为一种其中多个晶体管用作二元开关的电子放大器。亦即，上述的一对开关不是全开启、就是全关闭。D类放大器利用轨对轨输出转换，理想地情况下，其输出晶体管实质上总是承载零电流或零电压。因此，其能源浪费为最小，且在大范围的功率程度下呈现高效率。高效率的优势使其被使用于各种音频应用中，从手机到平板电视与家庭剧院接收器。D类音频功率放大器比AB类音频功率放大器更有效率。因其的较佳效率，D类放大器仅需要较小的电源供应器且不需散热器，因而能大幅地减少整体系统成本、尺寸以及重量。
D类音频功率放大器将音频信号转换为根据音频输入信号而开关输出的高频率脉冲。一些D类放大器使用PWM来产生一系列的调节脉冲，其依照音频信号的振幅而于宽度上作改变。这些宽度变化的脉冲在固定频率的情况下开关功率输出的晶体管。D类放大器可使用其他类型的脉冲调变器。下文中的探讨将主要关于脉冲宽度调变器，惟本发明本领域技术人员将认知D类放大器可与其他种类的调变器一同配置。
图1为根据本发明实施例而描绘耦接至回转率电路的D类音频放大器的示意图。
图1显示描绘传统D类放大器100的简化示意图。差分输入音频信号INP与INM输入至比较器101与102，其中输入信号INP与INM与由振荡器103产生的三角波VREF相比较而产生PWM信号106与107。PWM信号106与107分别地耦接至晶体管M1、M2、M3及M4的栅极。D类放大器的差分输出端标记为OUTM与OUTP。如图1显示，输出端OUTM与OUTP连接至扬声器负载110，其由电感L1与电阻R1所表示。
传统D类放大器具有差分输出信号(OUTP_s与OUTM_s)，其中每一个输出信号为互补的且具有从接地Vss至Vdd的摆荡范围。D类放大器的缺点在于由开关操作所产生的高频率开关噪声。此高频率噪声通常会导致EMI(电磁干扰)。
图2为描绘图1的D类放大器中的信号调变的波形图。如图2显示，差分输入信号，如音频信号INM与INP，通过与图1连结描述的两个比较器而与三角基准波形VREF作比较。比较器的输出信号为固定频率的脉冲信号，其脉冲宽度与输入信号成比例。在两个输出端OUTP与OUTM上的PWM信号在图2中标示为OUTP_s与OUTM_s。信号OUTP_s与OUTM_s上的快速边缘会引起电磁干扰(EMI)。
图3为根据本发明实施例而描绘D类音频放大器的电磁干扰测量的范例图。信号OUTP_s与OUTM_s上的快速边缘会引起具有30MHz至1GHz的频率范围的干扰。图3显示具有扬声器负载的D类放大器的典型EMI测试的结果。此测试在试验室中进行，当中EMI信号由以特定距离远离试验下方的装置而放置的天线作接收。在图3中可察知，介于100MHz与600MHz之间的高频率音调超出符合规格的标准线310。因此，有必要去控制输出信号的边缘，致使高频率信号成分减少。为了达到上述希望的控制，例如，可通过减慢图1中的M1、M2、M3及M4的栅极控制。惟输出信号的实际回转率最终仍将取决于输出端OUTM与OUTP上的PCB电容量、D类放大器电路的工艺以及温度变化。因此，需要更精准的即时边缘率检测，用以调整输出端OUTM与OUTP上的PCB电容量、D类放大器电路的工艺以及温度变化。
传统方法已被提出而用以测定回转率的信号，惟其并不令人满意。例如，在一个方法中，测量于两个参考位准的输入电压的时机。而后回转率可由时间差而推导出。此方法需要精准的时基电路以及高速计时器。在另一个方法中，切换式电容电路用以测定回转率。此电路需要开关与于输入端输入参考电压，其不适于与高电压输入信号一同使用，且开关会于输入信号上产生突波干扰。在另一个方法中，通过使用互导放大器而检测回转率，以及目标应用为用于PWM供应控制。由于使用互导放大器，其电路变为更加复杂，且此增加的复杂性与延迟使其变得缓慢，因而不适于用以快速边缘控制。
因此，目前迫切需要一个改良的回转率检测电路。
发明内容
本发明关于半导体电路技术的领域。更明确地说，本发明的实施例直接地关于低功率回转率检测电路。在实施例中，回转率检测电路可用于D类输出功率级的边缘率控制。输入电压可通过D类升压电路而成为更高的电压，如10V或更高。回转率检测电路可以低电压运作，如3V，且不需使用高电压晶体管。除此之外，回转率检测电路不需要高、低参考电压或切换式电容电路。本发明实施例可提供更简单的电路设计，其相比传统电路更具有成本效益。
根据本发明的实施例，用以测定输入信号的回转率的电路包含电阻、电流源以及串联耦接于电源端与接地端之间的第一MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。第一MOSFET具有漏极端、栅极端以及源极端。电阻的第一端耦接至电源端，电阻的第二端耦接至电流源的第一端，电流源的第二端耦接至第一MOSFET的漏极端，以及第一MOSFET的源极端耦接至接地端。此电路亦包含具有第一端与第二端的电容，其中，第一端耦接至输入信号且第二端耦接至第一MOSFET的栅极端与漏极端。在输入信号变换的期间内流经第一MOSFET的电流呈现输入信号的回转率。
在上述电路的实施例中，第一电流源包含耦接于第一MOSFET的电阻与漏极端之间的第二MOSFET，且第二MOSFET耦接至偏压电路以提供偏压电流。
在实施例中，偏压电路包含串联耦接于电源端与接地端之间的第三MOSFET、第四MOSFET以及第五MOSFET。第三MOSFET耦接至电源端且配置以接收偏压电压。第四MOSFET与第五MOSFET以二极管形式连接。第四MOSFET的栅极耦接至第二MOSFET的栅极。
在实施例中，电路亦包含取样记录电路，其包含耦接至电阻的开关，以及耦接至开关的电容。
在实施例中，此开关耦接至时序电路，其耦接至输入信号。
在实施例中，电路亦包含耦接至取样记录电路的ADC(模拟/数字转换器)，其用以提供代表回转率的数字值。
根据本发明的另一个实施例，回转率检测电路包含连接于输入信号与以二极管形式连接的第一MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)之间的电容。第一MOSFET配置以在输入信号改变的期间内传送电流，且该电流与输入信号的回转率成比例。
在实施例中，电路亦可包含电阻以及与第一MOSFET串联耦接于电源端与接地端之间的第二MOSFET。第一MOSFET具有漏极端、栅极端以及源极端。电阻的第一端耦接至电源端，电阻的第二端耦接至第二MOSFET的第一端，第二MOSFET的第二端耦接至第一MOSFET的漏极端，第一MOSFET的源极端耦接至接地端，以及第二MOSFET耦接至偏压电路以提供偏压电流。电容具有第一端与第二端，其中，第一端耦接至输入信号且第二端耦接至第一MOSFET的栅极端与漏极端。输入信号的回转率因应输入信号的改变而与流经电阻的电流相关。
在实施例中，偏压电路包含串联耦接于电源端与接地端之间的第三、第四及第五MOSFET。第三MOSFET耦接至电源端且配置以接收偏压电压。第四MOSFET与第五MOSFET以二极管形式连接。第四MOSFET的栅极耦接至第二MOSFET的栅极。
在实施例中，电路亦包含取样记录电路，其包含耦接至电阻的开关，以及耦接至开关的电容。
在实施例中，开关耦接至时序电路，其耦接至输入信号。
在实施例中，电路亦包含耦接至取样记录电路的ADC(模拟/数字转换器)，其用以提供代表回转率的数字值。
在实施例中，电路亦具有耦接至第一MOSFET的漏极端的第二MOSFET，其耦接至偏压电路以提供偏压电流。
在实施例中，偏压电路包含串联耦接于电源端与接地端之间的第三、第四及第五MOSFET。第三MOSFET耦接至电源端且配置以接收偏压电压，第四MOSFET与第五MOSFET以二极管形式连接，第四MOSFET的栅极耦接至第二MOSFET的栅极。
在实施例中，比较器包含与第二MOSFET串联耦接的第六MOSFET，第六MOSFET的栅极耦接至偏压电压。比较器亦包含串联耦接于电源端与接地端之间的第七、第八及第九MOSFET。第七MOSFET的栅极耦接至偏压电压，第八MOSFET的栅极耦接至第二与第四MOSFET的栅极，以及第九MOSFET的栅极耦接至第一与第五MOSFET的栅极。
根据本发明的实施例，回转率检测电路包含连接于输入信号与以二极管形式连接的第一MOSFET之间的电容。第一MOSFET配置以在输入信号改变的期间内传送电流，且该电流与输入信号的回转率成比例。回转率检测电路亦包含用以提供流经第一MOSFET的偏压电流的偏压电路，以及比较器，其配置以提供基于流经第一MOSFET且呈现回转率的电流的多个差分输出。
在实施例中，电路亦包含耦接至第一MOSFET的漏极端的第二MOSFET，第二MOSFET耦接至偏压电路以提供偏压电流。
在实施例中，偏压电路包含串联耦接于电源端与接地端之间的第三、第四及第五MOSFET。第三MOSFET耦接至电源端且配置以接收偏压电压，第四MOSFET与第五MOSFET以二极管形式连接，第四MOSFET的栅极耦接至第二MOSFET的栅极。
在实施例中，比较器包含与第二MOSFET串联耦接的第六MOSFET，第六MOSFET的栅极耦接至偏压电压。比较器亦包含串联耦接于电源端与接地端之间的第七MOSFET、第八MOSFET及第九MOSFET。第七MOSFET的栅极耦接至偏压电压，第八MOSFET的栅极耦接至第二MOSFET与第四MOSFET的栅极，以及第九MOSFET的栅极耦接至第一MOSFET与第五MOSFET的栅极。
在实施例中，电路亦包含用以提供回转率控制的耦接至位于第二MOSFET与第六MOSFET之间的第一节点的第一锁存器，以及耦接至位于第七MOSFET与第八MOSFET之间的第二节点的第二锁存器。
本发明可提供更简单的电路设计，其相比传统电路更具有成本效益。
对本发明的性质与优点的进一步理解可通过参考下文中的说明书内容以及图式而得知。
附图说明
图1为根据本发明实施例而描绘耦接至回转率电路的D类音频放大器的示意图；
图2为根据本发明实施例而描绘D类音频放大器中的波形范例的波形图；
图3为根据本发明实施例而描绘D类音频放大器的EMI测量的范例图；
图4为根据本发明实施例而描绘用以测定回转率的电路的示意图；
图5为根据本发明实施例而描绘于图4的回转率检测电路中的不同节点上的信号的模拟波形的波形图；以及
图6为根据本发明另一个实施例而描绘用以控制回转率范围的电路的示意图。
附图标号
ADC、440：模拟/数字转换器
Cs、C0：电容
Dout：回转率
GND、Vss：接地端
Ib0：偏压电流
INM、INP：差分输入音频信号
L1：电感
M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9：晶体管
N1、N2：节点
OUTM、OUTP：差分输出端
OUTM_s、OUTP_s：信号
R0、R1：电阻
VREF：三角波
VIN：输入电压
VSAMPLE、VSLEW：电压
Vbias：偏压电压
Vdd：电源端
Vgs：栅极-源极电压
100：传统D类放大器
101、102：比较器
103：振荡器
106、107：PWM信号
110：扬声器负载
310：符合规格标准线
400：回转率检测电路
410：虚线区块
420：偏压电路
430：取样记录电路
432：开关
434：取样记录时序电路
511：第一脉冲
512：第二脉冲
520：第二波形
530：第三波形
600：回转率控制电路
具体实施方式
图4为根据本发明实施例而描绘回转率检测电路的电路图。如图4所示，回转率检测电路400包含连接于输入信号VIN与以二极管形式连接的第一MOSFET M1之间的电容C0。如图4所记，电容C0与MOSFET M1由虚线区块410所围起。第一MOSFET M1配置以于输入信号改变的期间内传送电流，且该电流与输入信号VIN的回转率成比例。
在此实施例中，回转率检测电路400亦包含电阻R0及与第一MOSFET串联耦接于电源端Vdd与接地端GND之间的电流源晶体管(M2)。第一MOSFET具有漏极端、栅极端及源极端，其中电阻的第一端耦接至电源端Vdd，电阻R0的第二端于节点N1耦接至电流源晶体管M2的第一端，电流源晶体管M2的第二端耦接至第一MOSFET的漏极端，以及第一MOSFET M1的源极端耦接至接地端。电容C0具有第一端与第二端，第一端耦接至输入信号VIN，且第二端耦接至第一MOSFET的栅极端与漏极端。如下文的解释，输入信号的回转率因应输入信号的改变而与流经电阻的电流相关。
在图4中，电流源晶体管M2为耦接于第一MOSFET M1的电阻与漏极端之间的第二MOSFET，且第二MOSFET M2耦接至偏压电路420以提供偏压电流。偏压电路420包含串联耦接于电源端Vdd与接地端GND之间的MOSFETM3、M4及M5。第三MOSFETM3耦接至电源端且配置以接收偏压电压Vbias。第四与第五MOSFETM4与M5以二极管形式连接。M4的栅极耦接至M2的栅极，如果其晶体管的尺寸相同，将使得M2提供的电流相同于M4中的电流。
在一些实施例中，回转率检测电路400亦包含取样记录电路430，其包含耦接至电阻R0的开关432与耦接至该开关的电容Cs。取样记录电路430亦包含取样记录时序电路434。在一些实施例中，取样记录时序电路434可耦接至输入信号VIN。在一些实施例中，ADC(模拟/数字转换器)440耦接至取样记录电路430而用以提供代表回转率的数字值Dout[N:0]，其中N为整数。
如上文所描述，回转率检测电路400包含偏压电流晶体管M3，其提供偏压电流至以二极管形式连接的晶体管M4与M5中。晶体管M2与M4的栅极连在一起，而后造成M2与以二极管形式连接的晶体管M1的固定比例偏压电流Ib0。此电流被强迫流入电阻R0，造成于节点N1上的电压VR0＝Ib0x R0，其可被ADC所取样。在一些实施例中，晶体管M1、M2、M4及M5可具有相同尺寸。晶体管M1为以二极管形式连接，且具有流向电阻R0的偏压电流。
当输入信号VIN转变时，电流将流经电容C0。例如，根据关系式I＝C*dv/dt(其中dv/dt代表回转率)，当VIN升高，其将强迫电流经过C0而进入M1。此电流加入经过R0的电流Ib0。在本发明实施例中，配置此电路以使ΔVgs<<ΔVIN，其中ΔVgs为晶体管M1的栅极与源极间的压降。因本发明尝试测量输入信号的回转率，Vgs的改变可产生一误差，其大约为Error＝100x(1-(dVin-dVgs)/dVin)％。dVgs的最大值可依靠误差需求(tolerancerequirement)而计算出。如范例所示，当误差为1％时，dVgs需要小于100mV用以配合dVin为10V。Vgs<<ΔVIN的状况可被满足，如果VIN的振幅为较大且与M3的(1/gm)平行的M1的小型信号阻抗(1/gm)为较小。在此状况下，经过C0的电流将为：
IC0＝C0×(dVIN/dt)＝C0×SlewRate。
而后，当VIN由低转为高时，穿过R0的电压变为：
VR0lh＝Ib0×R0-R0×C0×SlewRatelh。
当VIN由高转为低时，穿过R0的电压变为：
VR0hl＝Ib0×R0+R0×C0×SlewRatehl。
此电路的一个优点为，当输入信号VIN为超过供应轨道的较大信号时，其可通过使用低电压、低功率技术而执行。如范例所示，使I0＝40uA、R0＝40kOhm、C0＝100fF，VIN在25nsec内高低振幅于0V与10V间。
VR0lh＝40u×40k-40k×100f×(10/25n)＝1.6-1.6＝0。
VR0hl＝40u×40k+40k×100f×(10/25n)＝1.6+1.6＝3.2V。
因此，当VIN于0V与10V间改变，VR0lh于0V与3.2V间改变。
图5为描绘于图4的回转率检测电路中的不同节点上的信号的模拟波形的波形图。在图5中，水平轴显示从0nsec至180nsec的测量时间，以及垂直轴显示单位为volts或millivolts的信号强度。在图5中具有四种波形。第一波形，对应垂直轴标示为VIN，为图4中的输入电压VIN。可发现VIN包含两个脉冲；第一脉冲511具有较快速的回转率，以及第二脉冲512具有较缓慢的回转率。如本发明中的使用，信号的回转率与通过改变的持续时间而划分的信号电压的改变有关。第一脉冲511于大约25nsec内由0V上升至10V，从大约0nsec至大约25nsec。第一脉冲随后于大约25nsec内由10V降低至0V。第二脉冲512于大约40nsec内由0V上升至10V，从大约80nsec至大约120nsec。第二脉冲512随后于大约40nsec内由10V下降至0V。第四波形，对应标示Vgs，描绘图4中晶体管M1的栅极-源极电压Vgs。可发现Vgs于大约870mV至970mV之间改变。因此，当VIN以大约10V的范围改变时，Vgs的改变范围约为100mV。此满足上述的运作状况，ΔVgs<<ΔVIN。
在图5中，第二波形520，对应标示VSLEW，描绘正好于取样转换前的图4中于节点N1的电阻R0上的电压。最初，偏压电流Ib0流经R0、M3及M1，且VSLEW大约为3.40V。在t＝0nsec的状况下，当VIN开始爬升，上升电流从VIN流经电容C0至晶体管M1。因Ib0通过电流反射镜而固定，更多的电流从Vdd经由R0而供应。因此，穿过R0、VSLEW的电压升高。在t＝25ns的情况下，VIN停止爬升，多余的电流不被需要，在R0中的电流朝偏压电流Ib0回降，且VSLEW亦下降。在t＝35ns的情况下，VIN开始以固定斜率下降，以及电容C0经由M1放电，并随着电流从偏压电流源M3流出。因此，VSLEW下降。
随着输入电压VIN上升与下降，VSLEW的改变反映流经包含电阻R0与晶体管M1的路径的电流的改变，且反映输入电压的回转率。在图4的实施例中，VSLEW通过取样记录电路而被取样。在图5中，第三波形530，对应标示VSAMPLE，为图4中的取样记录电路的取样电容Cs上的电压。当取样开关为关闭时，此电容可维持电压。从取样记录电路输出的电压代表输入信号的回转率，且可在不同的应用中作用与使用。例如，在图4中，模拟/数字转换器(ADC)440耦接至取样记录电路以提供回转率Dout[N:0]的数字表述，其中N为整数。
在一个无ADC的替代性实施例中，回转率检测电路亦可配合用于回转率范围指示的比较器与锁存器而执行。上述的内容可被使用，如果于应用中，回转率需要在特定范围内或需要成为用于回转率控制回圈的上升/下降控制的一部分。如上述电路的实施例将于下文说明。
图6为根据本发明另一个实施例而描绘用以控制回转率范围的电路的示意图。如图6所示，回转率控制电路600包含如上述连结于图4中的回转率检测电路。此回转率检测电路包含偏压电流晶体管M3，其提供流入以二极管形式连结的晶体管M4与M5的偏压电流。晶体管M2与M4的栅极连在一起，而后造成M2与以二极管形式连接的晶体管M1的固定比例偏压电流Ib0。在图4中，电阻R0耦接至节点N1用以取样电流而测量回转率。在图6中，额外的晶体管M6、M7、M8与M9被使用以形成比较器而于节点N1与N2提供差分输出，其代表输入信号VIN的回转率。锁存器660与锁存时序电路670用以提供回转率Dout[N:0]的数字表述，其中N为整数。
应注意的是，于图4与图6的实施例中使用NMOS晶体管，但是，应理解相似的实施例可通过使用PMOS晶体管以及已知的电路技术而达成。例如，需调整元件的极性，以及调换供电端与接地端等。
上述内容仅为本发明的特定实施例，其不应被视为限缩本发明的范围。应理解的是，于本文中描述的范例与实施例仅为示范的目的，而不同的调整与改变可通过本发明的启发而达成。

Claims (20)

1.一种用于测定一输入信号的回转率检测电路，其特征在于，包含：
一电阻；
一电流源；
一第一金属氧化物半导体场效应晶体管，串联耦接于一电源端与一接地端，该第一金属氧化物半导体场效应晶体管具有一漏极端、一栅极端，以及一源极端，其中该电阻的一第一端耦接至该电源端，该电阻的一第二端耦接至该电流源的一第一端，该电流源的一第二端耦接至该第一金属氧化物半导体场效应晶体管的该漏极端，以及该第一金属氧化物半导体场效应晶体管的该源极端耦接至该接地端；以及
一电容，具有一第一端以及一第二端，该第一端耦接至该输入信号，且该第二端耦接至该第一金属氧化物半导体场效应晶体管的该栅极端与该漏极端；
其中，在该输入信号变换的期间内流经该第一金属氧化物半导体场效应晶体管的一电流呈现该输入信号的该回转率。
2.如权利要求1所述的回转率检测电路，其特征在于，该电流源更包含耦接于该第一金属氧化物半导体场效应晶体管的该电阻与该漏极端之间的一第二金属氧化物半导体场效应晶体管，且该第二金属氧化物半导体场效应晶体管耦接至一偏压电路以提供一偏压电流。
3.如权利要求2所述的回转率检测电路，其特征在于，该偏压电路更包含串联耦接于该电源端与该接地端之间的一第三金属氧化物半导体场效应晶体管、一第四金属氧化物半导体场效应晶体管及一第五金属氧化物半导体场效应晶体管，其中，
该第三金属氧化物半导体场效应晶体管耦接至该电源端且配置以接收一偏压电压；
该第四金属氧化物半导体场效应晶体管与该第五金属氧化物半导体场效应晶体管以二极管形式连接；以及
该第四金属氧化物半导体场效应晶体管的一栅极耦接至该第二金属氧化物半导体场效应晶体管的一栅极。
4.如权利要求2所述的回转率检测电路，其特征在于，更包含一取样记录电路，其包含耦接至该电阻的一开关，以及耦接至该开关的一电容。
5.如权利要求4所述的回转率检测电路，其特征在于，该开关耦接至一计时电路，该计时电路耦接至该输入信号。
6.如权利要求4所述的回转率检测电路，其特征在于，更包含耦接至该取样记录电路的一模拟/数字转换器，提供代表该回转率的一数字值。
7.一种回转率检测电路，其特征在于，包含：
一电容，连接于一输入信号与以二极管形式连接的一第一金属氧化物半导体场效应晶体管之间；
其中，该第一金属氧化物半导体场效应晶体管配置以在该输入信号改变的期间内传送一电流，且该电流与该输入信号的一回转率成比例。
8.如权利要求7所述的回转率检测电路，其特征在于，更包含：
一电阻；
一第二金属氧化物半导体场效应晶体管，串联耦接一第一金属氧化物半导体场效应晶体管于一电源端与一接地端之间，该第一金属氧化物半导体场效应晶体管具有一漏极端、一栅极端以及一源极端，其中，该电阻的一第一端耦接至该电源端，该电阻的一第二端耦接至该第二金属氧化物半导体场效应晶体管的一第一端，该第二金属氧化物半导体场效应晶体管的一第二端耦接至该第一金属氧化物半导体场效应晶体管的该漏极端，该第一金属氧化物半导体场效应晶体管的该源极端耦接至该接地端，以及该第二金属氧化物半导体场效应晶体管耦接至一偏压电路以提供一偏压电流；以及
该电容，具有一第一端与一第二端，该第一端耦接至该输入信号以及该第二端耦接至该第一金属氧化物半导体场效应晶体管的该栅极端与该漏极端；
其中，该输入信号的该回转率因应该输入信号的改变而与流经该电阻的一电流相关。
9.如权利要求8所述的回转率检测电路，其特征在于，该偏压电路包含串联耦接于该电源端与该接地端之间的一第三金属氧化物半导体场效应晶体管、一第四金属氧化物半导体场效应晶体管以及一第五金属氧化物半导体场效应晶体管，其中，
该第三金属氧化物半导体场效应晶体管耦接至该电源端且配置以接收一偏压电压；
该第四金属氧化物半导体场效应晶体管与该第五金属氧化物半导体场效应晶体管以二极管形式连接；以及
该第四金属氧化物半导体场效应晶体管的一栅极耦接至该第二金属氧化物半导体场效应晶体管的一栅极。
10.如权利要求8所述的回转率检测电路，其特征在于，更包含一取样记录电路，其包含耦接至该电阻的一开关，以及耦接至该开关的一电容。
11.如权利要求10所述的回转率检测电路，其特征在于，该开关耦接至一计时电路，该计时电路耦接至该输入信号。
12.如权利要求10所述的回转率检测电路，其特征在于，更包含耦接至该取样记录电路的一模拟/数字转换器，其用以提供代表该回转率的一数字值。
13.如权利要求7所述的回转率检测电路，其特征在于，更包含耦接至该第一金属氧化物半导体场效应晶体管的一漏极端的一第二金属氧化物半导体场效应晶体管，且该第二金属氧化物半导体场效应晶体管耦接至一偏压电路以提供一偏压电流。
14.如权利要求13所述的回转率检测电路，其特征在于，该偏压电路包含串联耦接于一电源端与一接地端之间的一第三金属氧化物半导体场效应晶体管、一第四金属氧化物半导体场效应晶体管及一第五金属氧化物半导体场效应晶体管，其中，
该第三金属氧化物半导体场效应晶体管耦接至该电源端且配置以接收一偏压电压；该第四金属氧化物半导体场效应晶体管与该第五金属氧化物半导体场效应晶体管以二极管形式连接；以及
该第四金属氧化物半导体场效应晶体管的一栅极耦接至该第二金属氧化物半导体场效应晶体管的一栅极。
15.如权利要求14所述的回转率检测电路，其特征在于，更包含一比较器，包含：
一第六金属氧化物半导体场效应晶体管，串联耦接该第二金属氧化物半导体场效应晶体管，该第六金属氧化物半导体场效应晶体管的一栅极耦接至该偏压电压；以及
一第七金属氧化物半导体场效应晶体管、一第八金属氧化物半导体场效应晶体管以及一第九金属氧化物半导体场效应晶体管，串联耦接于该电源端与该接地端之间；
其中，该第七金属氧化物半导体场效应晶体管的一栅极耦接至该偏压电压，该第八金属氧化物半导体场效应晶体管的一栅极耦接至该第二金属氧化物半导体场效应晶体管与该第四金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极，以及该第九金属氧化物半导体场效应晶体管的一栅极耦接至该第一金属氧化物半导体场效应晶体管与该第五金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极。
16.一种回转率检测电路，其特征在于，包含：
一电容，连接于一输入信号与以二极管形式连接的一第一金属氧化物半导体场效应晶体管之间，其中，该第一金属氧化物半导体场效应晶体管配置以在该输入信号改变的期间内传送一电流，且该电流与该输入信号的一回转率成比例；
一偏压电路，提供流经该第一金属氧化物半导体场效应晶体管的一偏压电流；以及
一比较器，配置以提供基于流经该第一金属氧化物半导体场效应晶体管且呈现该回转率的该电流的多个差分输出。
17.如权利要求16所述的回转率检测电路，其特征在于，更包含耦接至该第一金属氧化物半导体场效应晶体管的一漏极端的一第二金属氧化物半导体场效应晶体管，且该第二金属氧化物半导体场效应晶体管耦接至该偏压电路以提供该偏压电流。
18.如权利要求17所述的回转率检测电路，其特征在于，该偏压电路更包含串联耦接于一电源端与一接地端之间的一第三金属氧化物半导体场效应晶体管、一第四金属氧化物半导体场效应晶体管以及一第五金属氧化物半导体场效应晶体管，其中，
该第三金属氧化物半导体场效应晶体管耦接至该电源端且配置以接收一偏压电压；
该第四金属氧化物半导体场效应晶体管与该第五金属氧化物半导体场效应晶体管以二极管形式连接；以及
该第四金属氧化物半导体场效应晶体管的一栅极耦接至该第二金属氧化物半导体场效应晶体管的一栅极。
19.如权利要求16所述的回转率检测电路，其特征在于，该比较器更包含：
一第六金属氧化物半导体场效应晶体管，串联耦接一第二金属氧化物半导体场效应晶体管，该第六金属氧化物半导体场效应晶体管的一栅极耦接至该偏压电压；以及
一第七金属氧化物半导体场效应晶体管、一第八金属氧化物半导体场效应晶体管以及一第九金属氧化物半导体场效应晶体管，串联耦接于一电源端与一接地端之间；
其中，该第七金属氧化物半导体场效应晶体管的一栅极耦接至一偏压电压，该第八金属氧化物半导体场效应晶体管的一栅极耦接至一第二金属氧化物半导体场效应晶体管与一第四金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极，以及该第九金属氧化物半导体场效应晶体管的一栅极耦接至该第一金属氧化物半导体场效应晶体管与一第五金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极。
20.如权利要求19所述的回转率检测电路，其特征在于，更包含耦接至位于该第二金属氧化物半导体场效应晶体管与该第六金属氧化物半导体场效应晶体管之间的一第一节点的一第一锁存器，以及耦接至位于该第七金属氧化物半导体场效应晶体管与该第八金属氧化物半导体场效应晶体管之间的一第二节点的一第二锁存器，以实现回转率控制。
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