CN107799412B - 一种低温多晶硅器件制作方法及多晶硅层平坦化方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了本发明的一种低温多晶硅器件多晶硅层平坦化方法，包括：步骤S1、将低温多晶硅器件晶化；步骤S2、在晶化后的低温多晶硅器件不平坦的多晶硅层表面通过涂布工艺形成一层平坦涂布层；步骤S3、对所述平坦涂布层进行固化；步骤S4、将固化后的平坦涂布层及多晶硅突起通过去除工艺进行去除，形成表面平坦的多晶硅层。通过上述方法，可以较好的将粗糙不平坦的多晶硅层表面平坦化，进而降低由于多晶硅层粗糙而引起的破膜、蚀刻不干净、尖端放电的问题，进而提高了低温多晶硅器件生产良率。
Description
技术领域
本发明涉及低温多晶硅器件制作技术领域，特别涉及一种低温多晶硅器件制作方法及多晶硅层平坦化方法。
背景技术
现有的低温多晶硅器件为结构和电性极其精密的器件，对每层膜的质量要求很高。现有的制程中先用气象沉积方法在SiO2层上沉积一层多晶硅层，然后对器件多晶硅层进行晶化。然而在对多晶硅层晶化过程中，相邻的两个晶粒在长大过程中相互挤压形成突起，晶粒越大或晶界相交在一起的个数越多突起越高，表面粗糙度越大，从而造成后续制程中的破膜，蚀刻不干净，尖端放电的问题，进而造成低温多晶硅器件产品生产良率下降的问题。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决上述技术问题之一或至少提供一种有用的商业选择。为此，本发明的一个目的在于提出一种低温多晶硅器件多晶硅层平坦化方法，旨在降低由于多晶硅层粗糙而引起的破膜、蚀刻不干净、尖端放电的问题。
本发明的一种低温多晶硅器件多晶硅层平坦化方法，包括：
步骤S1、将低温多晶硅器件晶化；
步骤S2、在晶化后的低温多晶硅器件不平坦的多晶硅层表面通过涂布工艺形成一层平坦涂布层；
步骤S3、对所述平坦涂布层进行固化；
步骤S4、将固化后的平坦涂布层及多晶硅突起通过去除工艺进行去除，形成表面平坦的多晶硅层。
优选的，所述步骤S2中，涂布工艺为PI涂布工艺。
优选的，所述步骤S2中，所述PI涂布后的有机层为溶胶状态。
优选的，所述去除工艺干蚀刻法。
优选的，所述干蚀刻法使用的气体为O2和CF4的混合气体，所述CF4的含量占整个混合气体80％-95％。
优选的，所述去除工艺为湿蚀刻工艺。
优选的，所述去除工艺为湿法剥离去除工艺。
通过上述方法，可以较好的将粗糙不平坦的多晶硅层表面平坦化，进而降低由于多晶硅层粗糙而引起的破膜、蚀刻不干净、尖端放电的问题，进而提高了低温多晶硅器件生产良率。
本发明的另一目的在于提供了一种低温多晶硅器件制作方法，所述低温多晶硅器件的多晶硅层通过上述所述的低温多晶硅层平坦化方法进行平坦化。通过上述方法制作低温多晶硅器件良率较高。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1是本发明的一个实施例的提供的低温多晶硅器件多晶硅层平坦化方法。
图2是本发明的一个实施例提供的一种低温多晶硅器件多晶硅层平坦化前的结构示意图。
图3是本发明的一个实施例提供的一种低温多晶硅器件多晶硅层涂布后的结构示意图。
图4是本发明的一个实施例提供的一种低温多晶硅器件多晶硅层平坦化后的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
本发明的实施例提供了一种有机电致发光器件的封装方法，在本实施例中，其能较好的解决现有技术中由于需要使用掩模板实现封装方法所带来的材料成本较高、保养较难以及清洗不及时会造成膜层质量的问题。
图1是本发明的一个实施例的封装方法流程步骤图。
图2、图3以及图4分别是为本发明的一个实施例的低温多晶硅器件平坦化过程的结构示意图。
本发明的实施例所提到的低温多晶硅器件一般用于显示器领域，目前采用低温多晶硅器件的显示器具有更薄、更小，功耗更低的特点，并且结构简单稳定性更高。
结合附图1至4所示，本发明的实施例所述的一种低温多晶硅器件包括玻璃层1、设置于玻璃层1上的有机层2、设置于有机层2上的缓冲层3以及设置于所述缓冲层3上的多晶硅层4，平坦化前，所述多晶硅层4上有一些多晶硅突起41，为此，本发明的一种低温多晶硅器件多晶硅层4平坦化方法目的就是将多晶硅突起41去除，所述方法包括：
步骤S1、将低温多晶硅器件晶化；
步骤S2、在晶化后的低温多晶硅器件不平坦的多晶硅层4表面通过涂布工艺形成一层平坦涂布层5；
步骤S3、对所述平坦涂布层5进行固化；
步骤S4、将固化后的平坦涂布层5及多晶硅层突起41通过去除工艺进行去除，形成表面平坦的多晶硅层4。
通过上述方法，可以较好的将粗糙不平坦的多晶硅层4表面平坦化，进而降低由于多晶硅层4粗糙而引起的破膜、蚀刻不干净、尖端放电的问题，进而提高了低温多晶硅器件生产良率。
优选的，所述步骤S2中，涂布工艺为PI涂布工艺。并所述PI涂布后的涂布层为溶胶状态。通过PI涂布可以使得形成的涂布层5更加均匀，并且PI涂布后的涂布层5为溶胶状态，使得所述涂布层5可以与所述多晶硅层4表面充分接触，并且通过涂布工艺使得所述低温多晶硅表面平坦。优选的，所述去除工艺干蚀刻法。所述干蚀刻法使用的气体为O2和CF4的混合气体，所述CF4的含量占整个混合气体80％-95％。由于O2的去除速率为400nm/min，且O2是用于去除涂布层，而CF4的去除速率为80nm/min，且CF4是用于去除多晶硅突起41，所以采用上述比例的混合气体刚好能够达到涂布层5和多晶硅层突起41的去除速率是一致的，从而达到较好的去除工作，实现多晶硅层4表面的平坦化。
作为另一种实施例，所述去除工艺为湿蚀刻工艺。
作为另一种实施例，所述去除工艺为湿法剥离去除工艺。
本发明的另一目的在于提供了一种低温多晶硅器件制作方法，所述低温多晶硅器件的多晶硅层4通过上述所述的低温多晶硅层平坦化方法进行平坦化。通过上述方法制作低温多晶硅器件良率较高，提高了生产经营效益。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (4)
1.一种低温多晶硅器件多晶硅层平坦化方法，其特征在于，包括：
步骤S1、将低温多晶硅器件晶化；
步骤S2、在晶化后的低温多晶硅器件不平坦的多晶硅层表面通过涂布工艺形成一层平坦涂布层；
步骤S3、对所述平坦涂布层进行固化；
步骤S4、将固化后的平坦涂布层及凸起的多晶硅通过干蚀刻法进行一次性去除，形成表面平坦的多晶硅层，其中，所述干蚀刻法使用的气体为O2和CF4的混合气体，所述CF4的含量占整个混合气体80％-95％。
2.根据权利要求1所述的一种低温多晶硅器件多晶硅层平坦化方法，其特征在于，所述步骤S2中，涂布工艺为PI涂布工艺。
3.根据权利要求2所述的一种低温多晶硅器件多晶硅层平坦化方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述PI涂布后的有机层为溶胶状态。
4.一种低温多晶硅器件的制作方法，其特征在于，所述低温多晶硅器件的多晶硅层通过权利要求1至3任一项所述的方法进行平坦化。
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