CN107735835A - 磁记录介质 - Google Patents
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Abstract
本发明的目的在于提供垂直磁记录介质，所述垂直磁记录介质使用了具有(002)取向的hcp结构的Ru种晶层，并具有包含适于垂直磁记录的(001)取向的L10型有序合金的磁记录层。本发明的磁记录介质依次包含基板、含Ru的第1种晶层、含ZnO的第2种晶层、含MgO的第3种晶层、含有序合金的磁记录层，第1种晶层具有(002)取向的六方最密堆积结构。
Description
技术领域
本发明涉及磁记录介质。具体而言，涉及用于硬盘磁记录装置(HDD)的磁记录介质。
背景技术
作为实现磁记录的高密度化的技术，采用了垂直磁记录方式。垂直磁记录介质至少包含非磁性基板和由硬质磁性材料形成的磁记录层。垂直磁记录介质还可包含由任选的软磁性材料形成并起到将磁头产生的磁通量集中至磁记录层的作用的软磁性衬底层、用于使磁记录层的硬质磁性材料朝向目标方向取向的取向控制层和/或种晶层(日文：シード層)、用于保护磁记录层的表面的保护层等。
以获得良好的磁特性为目的，提出了使用颗粒磁性材料来形成垂直磁记录介质的磁记录层。颗粒磁性材料包含磁性晶粒和以围住磁性晶粒的周围的方式偏析的非磁体。颗粒磁性材料中的各磁性晶粒通过非磁体而磁分离。
近年来，以进一步提高垂直磁记录介质的记录密度为目的，迫切需要将颗粒磁性材料中的磁性晶粒的粒径缩小。另一方面，磁性晶粒的粒径的缩小会降低所记录的磁化(信号)的热稳定性。因此，为了补偿由磁性晶粒的粒径的缩小导致的热稳定性的降低，要求使用具有更高的磁晶各向异性(日文：結晶磁気異方性)的材料来形成颗粒磁性材料中的磁性晶粒。作为所要求的具有高磁晶各向异性的材料，提出了L10型有序合金。作为代表性的L10型有序合金，包括FePt、CoPt、FePd、CoPd等。
在现有技术的具有包含CoCrPt类磁性合金的磁记录层的垂直磁记录介质中，为了使磁记录层中的CoCrPt类磁性合金的易磁化轴垂直取向，使用由Ru或Ru合金构成的种晶层，该种晶层具有(002)取向的六方最密堆积(hcp)结构。例如，日本专利特开2012-195027号公报(专利文献1)和日本专利特开2013-054819号公报(专利文献2)中，提出了具有含Ru的种晶层和含CoCrPt类磁性合金的磁记录层的离散型磁记录介质和图案化磁记录介质。在该方案中，种晶层是Ru层和Ru合金层的层叠体。该方案中，作为比较对照例，公开了种晶层，该种晶层是Ru层单层的种晶层Ru层与具有包含Ru和氧化物的颗粒结构的含Ru层的层叠体。另外，日本专利特开2015-135713号公报(专利文献3)中，提出了金属氧化物柱(日文：ポスト)划分为多个部分且具有主要含Ru的粒径控制层和含CoCrPt类磁性合金的磁记录层的离散型磁记录介质和图案化磁记录介质。该方案中，作为比较对照例，公开了由Ru和Al2O3构成的取向控制层。
但是，认为在形成含L10型有序合金的磁记录层的情况下，难以使用具有(002)取向的hcp结构的Ru所构成的种晶层。认为原因在于，在六旋转对称(日文：6回対称)的hcp结构的(002)面上，四旋转对称的正方形的L10型有序合金的(001)面不进行外延生长(日文：エピタキシャル成長)。
针对该问题，日本专利特开2012-014750号公报(专利文献4)提出了在由具有(110)取向的hcp结构的Ru或Ru合金构成的种晶层上形成有由(001)取向的L10型有序合金构成的磁记录层的磁记录介质。另外，日本专利特开2006-019000号公报(专利文献5)提出了在预期能够提高磁记录密度的倾斜磁记录介质的制造时，在包含具有(100)取向的hcp结构的Ru、Re或Os的种晶层上形成有由(111)取向的L10型有序合金构成的磁记录层的磁记录介质。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2012-195027号公报
专利文献2：日本专利特开2013-054819号公报
专利文献3：日本专利特开2015-135713号公报
专利文献4：日本专利特开2012-014750号公报
专利文献5：日本专利特开2006-019000号公报
专利文献6：日本专利特开2009-134797号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
本发明的目的在于提供现有技术的使用CoCrPt类磁性合金的磁记录介质中使用的垂直磁记录介质，所述垂直磁记录介质使用了具有(002)取向的hcp结构的Ru种晶层，并具有包含适于垂直磁记录的(001)取向的L10型有序合金的磁记录层。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明的磁记录介质的1种构成例依次包含基板、含Ru的第1种晶层、含ZnO的第2种晶层、含MgO的第3种晶层、含有序合金的磁记录层，第1种晶层具有(002)取向的六方最密堆积结构。此处，基板和第1种晶层之间还可包含取向控制层。任选地，第1种晶层和第2种晶层之间还可包含由Pt构成的非磁性中间层。另外，有序合金可以是包含选自Fe和Co中的至少1种元素以及选自Pt、Pd、Au、Ir和Rh中的至少1种元素的L10型有序合金。此处，有序合金还可包含选自Ni、Mn、Cu、Ru、Ag、Au和Cr中的至少1种元素。优选有序合金是选自FePt、CoPt、FePd和CoPd的L10型有序合金。进一步，磁记录层具有包含磁性晶粒和包围所述磁性晶粒的非磁性晶界的颗粒结构，所述磁性晶粒可包含所述有序合金。此处，非磁性晶界可包含选自碳、硼、氧化物和氮化物的非磁性材料。
发明效果
通过采用上述结构，即便使用过去认为难以使用的含Ru的种晶层，也能够形成由适于垂直磁记录的(001)取向的L10型有序合金构成的磁记录介质。
附图的简要说明
图1是示出本发明的磁记录介质的1个构成例的剖视图。
图2是示出实施例和比较例的磁记录介质的XRD图谱的图。
具体实施方式
本发明的一个构成例的磁记录介质的特征为，依次包含基板、含Ru的第1种晶层、含ZnO的第2种晶层、含MgO的第3种晶层、含有序合金的磁记录层。本构成例的磁记录介质在基板和第1种晶层之间还可包含取向控制层。任选地，本构成例的磁记录介质在第1种晶层和第2种晶层之间还可包含由Pt构成的非磁性中间层。另外，本构成例的磁记录介质在基板和第1种晶层之间、或者在基板和取向控制层之间还可包含诸如密合层、软磁性衬底层、和/或散热层(日文：ヒートシンク層)的该技术中已知的层。另外，本构成例的磁记录介质在磁记录层上还可包含诸如保护层和/或液体润滑剂层的该技术中已知的层。图1示出包含基板10、取向控制层20、第1种晶层31、第2种晶层32、第3种晶层33和磁记录层40的磁记录介质的一个构成例。
基板10也可以是表面平滑的各种板状构件。例如，可使用磁记录介质中常用的材料来形成基板10。可使用的材料包括实施了NiP镀覆的Al合金、MgO单结晶、MgAl2O4、SrTiO3、强化玻璃、结晶化玻璃等。
可任选设置的密合层(未图示)用于提高在密合层上形成的层与在密合层下形成的层之间的密合性。在密合层下形成的层包含基板10。用于形成密合层的材料包括Ni、W、Ta、Cr、Ru等金属、含所述金属的合金。密合层可以是单一的层，也可具有多层的层叠结构。本构成例中优选的密合层由CrTi构成。
可任选设置的软磁性衬底层(未图示)控制来自磁头的磁通量，提高磁记录介质的记录·读取特性。用于形成软磁性衬底层的材料包括NiFe合金、铁硅铝(FeSiAl)合金、CoFe合金等结晶质材料，FeTaC、CoFeNi、CoNiP等微结晶质材料，含CoZrNb、CoTaZr等Co合金的非晶质材料。软磁性衬底层的膜厚的最佳值取决于用于磁记录的磁头的结构和特性。与其他层通过连续成膜来形成软磁性衬底层的情况下，从兼具生产性的角度考虑，优选软磁性衬底层具有10nm～500nm的范围内(包括两端值)的膜厚。
本发明的磁记录介质用于热辅助磁记录方式的情况下，也可设置散热层。散射层是用于有效吸收热辅助磁记录时产生的磁记录层40的过量的热的层。可使用热传导率和比热容高的材料来形成散热层。这种材料包括Cu单质、Ag单质、Au单质或以它们为主体的合金材料。此处，“以…为主体”是指该材料的含量在50质量％以上。另外，从强度等角度考虑，可使用Al-Si合金、Cu-B合金等来形成散热层。进一步，可使用铁硅铝(FeSiAl)合金、软磁性的CoFe合金等来形成散热层。通过使用软磁性材料，能够赋予散热层将磁头产生的垂直方向磁场集中至磁记录层40的功能，从而完善软磁性衬底层的功能。散热层的厚度的最佳值根据热辅助磁记录时的热量及热分布、以及磁记录介质的层结构和各结构层的厚度而变化。通过与其他结构层的连续成膜来形成等情况下，从兼具生产性的角度考虑，优选散热层的膜厚在10nm以上100nm以下。散热层可使用溅射法、真空蒸镀法等该技术中已知的任意方法来形成。通常情况下，散热层由溅射法形成。考虑磁记录介质所要求的特性，散热层可设置在基板10与密合层之间、密合层与取向控制层20之间等。
取向控制层20是用于使上方形成的含Ru的第1种晶层31形成为(002)取向的hcp结构的层。取向控制层20可以是单一的层，也可具有多层的层叠结构。可使用现有技术的具有含CoCrPt类磁性合金的磁记录层的磁记录介质中用于在含Ru的层的下方形成的层的材料来形成取向控制层20。该事项例如在日本专利特开2009-134797号公报(专利文献6)中有记载。可用于形成取向控制层20的材料较好是具有与磁记录层相同结晶结构的hcp结构或面心立方(fcc)结构的材料，但不限于此。例如，可用于形成取向控制层20的材料包括Co-Ni类合金、Ni合金、Pt合金、Pd合金、Ta合金、Cr合金、Si合金和Cu合金。为了提高与第1种晶层31的晶格尺寸的整合性，该材料还可含有选自Ru、W、Mo、Ta、Nb和Ti的1种或多种元素。或者，为了缩小第1种晶层31的粒子尺寸，该材料还可含有选自B、Mn、Al、Si氧化物和Ti氧化物中的1种或多种材料。优选的取向控制层20由含有50原子％以上的Ru的RuCr合金形成。此处，RuCr合金也能够以低于10原子％的量含有诸如Fe、Ni或Co的磁性金属。本构成例中优选的取向控制层20具有NiTaAl合金层与RuCrFe合金层的层叠结构。取向控制层20可使用溅射法等该技术中已知的任意方法来形成。
第1种晶层31含有Ru或Ru合金。优选第1种晶层31由Ru形成。构成第1种晶层31的Ru和Ru合金也可含有不可避免的杂质。第1种晶层31具有(002)取向的hcp结构。第1种晶层31可使用溅射法等该技术中已知的任意方法来形成。
可在第1种晶层31和第2种晶层32之间任选地设置的非磁性中间层(未图示)是用于促进在第2种晶层32和第2种晶层32之后形成的层的外延生长的层。本构成例中，非磁性中间层可使用Pt形成。另外，非磁性中间层可使用溅射法等该技术中已知的任意方法来形成。
第2种晶层32含有ZnO。ZnO可以是化学计量学组成，也可以是非化学计量学组成。本构成例中，第2种晶层32中的ZnO具有(002)取向的六方最密堆积结构，更具体而言具有(002)取向的纤锌矿型结晶结构。本构成例中的ZnO的使用X射线衍射的表面垂直方向的θ-2θ测定而得的XRD图谱包含在ZnO结晶的代表性峰2θ＝33.4°～35.4°的范围内具有峰的化合物群。认为第2种晶层32诱导含MgO的第3种晶层33的(002)取向，其结果是，具有诱导磁记录层40的(001)取向的效果。进一步，认为含ZnO的第2种晶层32具有较低的表面粗糙度，因此具有减少第3种晶层33的结晶取向分散的效果。为了达成所述的效果，第2种晶层32优选具有1nm-20nm范围内的膜厚。另外，为了达成所述的效果，以第2种晶层32的总质量为基准，优选第2种晶层32含有70质量％以上的ZnO。
第3种晶层33含有MgO。MgO可以是化学计量学组成，也可以是非化学计量学组成。本构成例中，第3种晶层33中的MgO具有(002)取向的氯化钠型结晶结构。本构成例中的MgO的使用X射线衍射的表面垂直方向的θ-2θ测定而得的XRD图谱包含在MgO结晶的代表性峰2θ＝42.0°～44.0°的范围内具有峰的化合物群。第3种晶层33诱导其上形成的磁记录层40的(001)取向，其结果是，减少磁记录层40的结晶取向分散。另外，认为第3种晶层33促进磁记录层40中的磁性晶粒的分离。为了达成所述的效果，第3种晶层33优选具有1nm-20nm范围内的膜厚。另外，为了达成所述的效果，以第3种晶层33的总质量为基准，优选第3种晶层33含有70质量％以上的MgO。
第2种晶层32和第3种晶层33可使用溅射法等该技术中已知的任意方法来形成。此处，通过基板的加热能够减少含MgO的第3种晶层33的表面粗糙度。形成第3种晶层33时，优选将基板温度设定在300℃-500℃的范围内。另一方面，含ZnO的第2种晶层32在形成时不需要加热基板。未加热基板而形成的第2种晶层32能够实现与经过加热基板而形成的第3种晶层33同等或更低的表面粗糙度。
通过使用含有所述第1种晶层31、第2种晶层32和第3种晶层的层叠结构的种晶层30，能够使磁记录层40中的有序合金、特别是L10型有序合金的结晶取向形成适合于垂直磁记录介质的(001)取向。
磁记录层40含有有序合金。所述有序合金包含选自Fe和Co中的至少1种第1元素以及选自Pt、Pd、Au、Ir和Rh中的至少1种第2元素。优选有序合金是选自FePt、CoPt、FePd和CoPd的L10型有序合金。为了调节特性，有序合金还可包含选自Ni、Mn、Cu、Ru、Ag、Au和Cr中的至少1种元素。期望的特性调节包括有序合金的有序化所需的温度的降低、居里温度的降低使得利用热辅助磁记录的记录时加热温度的降低。
本发明中使用的有序合金中，以原子数为基准，第1元素与第2元素之比在0.7～1.3的范围内，更优选在0.8～1.1的范围内。通过使用该范围内的组成比，能够得到具有较大的磁各向异性常数Ku的L10型有序结构。
或者，磁记录层40也可具有由磁性晶粒和包围磁性晶粒的非磁性晶界所构成的颗粒结构。磁性晶粒也可含有所述有序合金。非磁性晶界也可包含SiO2、TiO2、ZnO等氧化物，SiN、TiN等氮化物，碳(C)、硼(B)等非磁性材料。
另外，磁记录层40也可由多个磁性层构成。多个磁性层可分别为非颗粒结构，也可具有颗粒结构。进一步，也可具有由磁性层夹住Ru等的结合层而得的层叠ECC(Exchange-coupled Composite,交换耦合复合物)结构。另外，也可在具有颗粒结构的磁性层的上部设置第2磁性层，作为不含颗粒结构的连续层(CAP层)。
磁记录层40可通过溅射法堆叠规定的材料来形成。形成含有序合金的磁记录层40的情况下，可使用含有形成有序合金的材料的标靶(日文：ターゲット)。更详细而言，可使用以规定的比例含有构成所述有序合金的元素的标靶。或者，也可使用含有单一元素的多个标靶，通过调整施加于各个标靶的功率来控制元素的比率，藉此形成磁记录层40。形成具有颗粒结构的磁记录层40的情况下，可使用含有规定比率的形成磁性晶粒的材料与形成非磁性晶界的材料的标靶。或者，也可使用含有形成磁性晶粒的材料的标靶和含有形成非磁性晶界的材料的标靶，通过调整施加于各个标靶的功率来控制磁性晶粒和非磁性晶界的构成比率，藉此形成磁记录层40。此处，用有序合金形成磁性晶粒的情况下，也可使用分别含有构成有序合金的元素的多个标靶。
磁记录层含有有序合金的情况下，形成磁记录层40时对基板进行加热。此时的基板温度在300℃～600℃的范围内。通过采用该范围内的基板温度，能够提高磁记录层40中的有序合金的有序度。
可任选地设置的保护层(未图示)可使用磁记录介质领域内惯用的材料来形成。具体而言，能够使用类金刚石碳等碳类材料或氮化硅等硅类材料来形成保护层。另外，保护层可以是单一的层，也可具有多层的层叠结构。层叠结构的保护层可以是例如特性不同的2种碳类材料的层叠结构、金属与碳类材料的层叠结构、或金属氧化物膜与碳类材料的层叠结构。保护层可使用溅射法、CVD法、真空蒸镀法等该技术中已知的任意方法来形成。
可任选地设置的液体润滑剂层(未图示)可使用磁记录介质领域内惯用的材料来形成。例如，可使用全氟聚醚类的润滑剂等。液体润滑剂层可使用例如浸涂法、旋涂法等涂布法来形成。
实施例
(实施例1)
本实施例涉及具有由Ru第1种晶层31、ZnO第2种晶层32和MgO第3种晶层33构成的3层结构的种晶层30的磁记录介质。首先，将具有平滑的表面的化学强化玻璃基板(HOYA株式会社(HOYA)制，N-10玻璃基板)洗净，准备了基板10。将洗净后的基板10导入串联式(日文：インライン式)溅射装置内。在压力0.3Pa的Ar气体中，通过使用了CrTi标靶的DC磁控溅射法，形成了膜厚15nm的CrTi密合层。CrTi密合层形成时的基板温度为室温(25℃)。CrTi密合层形成时的溅射功率为200W。
然后，在压力0.3Pa的Ar气体中，通过使用了NiTaAl标靶的DC磁控溅射法，形成了膜厚4nm的NiTaAl膜。NiTaAl膜形成时的基板温度为室温(25℃)。NiTaAl膜形成时的溅射功率为200W。然后，在压力0.3Pa的Ar气体中，通过使用了RuCrFe标靶的DC磁控溅射法，形成了膜厚3nm的RuCrFe膜，得到了由NiTaAl膜和RuCrFe膜构成的取向控制层20。RuCrFe膜形成时的基板温度为室温(25℃)。RuCrFe膜形成时的溅射功率为200W。
然后，在压力0.3Pa的Ar气体中，通过使用了Ru标靶的DC磁控溅射法，形成了膜厚6nm的Ru第1种晶层31。Ru第1种晶层31形成时的基板温度为室温(25℃)。Ru第1种晶层31形成时的溅射功率为200W。
然后，在压力0.3Pa的Ar气体中，通过使用了ZnO标靶的RF磁控溅射法，形成了膜厚2nm的ZnO第2种晶层32。ZnO第2种晶层32形成时的基板温度为室温(25℃)。ZnO第2种晶层32形成时的溅射功率为200W。
然后，在压力0.016Pa的Ar气体中，通过使用了MgO标靶的RF磁控溅射法，形成了膜厚5nm的MgO第3种晶层33。MgO第3种晶层33形成时的基板温度为400℃。MgO第3种晶层33形成时的溅射功率为200W。
然后，在压力1.0Pa的Ar气体中，通过使用了Fe标靶和Pt标靶的DC磁控溅射法，在MgO第3种晶层33上形成了膜厚10nm的FePt磁记录层40。FePt磁记录层40形成时的基板温度设定为400℃。另外，对Fe标靶施加50W的功率，对Pt标靶施加17W的功率。
最后，在压力0.3Pa的Ar气体中，通过使用了Pt标靶的DC磁控溅射法，形成了膜厚5nm的Pt膜。然后，在压力0.3Pa的Ar气体中，通过使用了Ta标靶的DC磁控溅射法，形成了膜厚5nm的Ta膜，形成了Pt膜和Ta膜的层叠结构的保护层，得到了磁记录介质。Pt膜和Ta膜形成时的基板温度为室温(25℃)。Pt膜形成时的溅射功率为50W，Ta膜形成时的溅射功率为200W。
用X射线衍射法(XRD)对所得的磁记录介质进行分析，确认了来自FePt磁记录层40的(001)FePt峰、(002)FePt峰和(111)FePt峰、来自Pt非磁性中间层的(111)Pt峰和(002)Pt峰、以及来自Ru第1晶种层的(002)Ru峰的有无。所得的磁记录介质的XRD图谱示于图2。
(实施例2)
本实施例涉及具有由Ru第1种晶层31、非磁性中间层、ZnO第2种晶层32和MgO第3种晶层33构成的4层结构的种晶层30的磁记录介质。
通过与实施例1同样的步骤，形成了到Ru第1晶种层31为止的层。然后，在压力0.3Pa的Ar气体中，通过使用了Pt标靶的DC磁控溅射法，形成了膜厚10nm的Pt非磁性中间层。Pt非磁性中间层形成时的基板温度为室温(25℃)。Pt非磁性中间层形成时的溅射功率为200W。
接着，通过与实施例1同样的步骤，形成ZnO第2晶种层32、MgO第3晶种层33、FePt磁记录层40和保护层，得到了磁记录介质。所得的磁记录介质的XRD图谱示于图2。
(比较例1)
本实施例涉及仅具有Ru第1种晶层31、不具有ZnO第2种晶层32和MgO第3种晶层33的磁记录介质。除了未形成ZnO第2种晶层32和MgO第3种晶层33以外，通过与实施例1同样的步骤形成了磁记录介质。所得的磁记录介质的XRD图谱示于图2。
(比较例2)
本实施例涉及具有Ru第1种晶层31和MgO第3种晶层33、不具有ZnO第2种晶层32的磁记录介质。除了未形成ZnO第2种晶层32以外，通过与实施例1同样的步骤形成了磁记录介质。所得的磁记录介质的XRD图谱示于图2。
(评价)
实施例1和2以及比较例1和2的磁记录介质的由XRD而得的(001)FePt峰和(002)FePt峰的积分强度示于表1。
[表1]
第1表：磁记录介质的层结构以及FePt磁记录层的结拥取向
由图2可知，实施例1和2以及比较例1和2的磁记录介质中均观察到了来自Ru第1种晶层31的(002)Ru峰。由此可知，通过上述例中所使用的取向控制层20，得到了具有(002)取向的hcp结构的Ru第1种晶层31。
仅具有Ru第1种晶层31、不具有ZnO第2种晶层32和MgO第3种晶层33的比较例1的磁记录介质的XRD中，未观察到(001)FePt峰和(002)FePt峰。在比较例1的磁记录介质中所观察到的是易磁化轴倾斜的(111)FePt峰。另外，具有Ru第1种晶层31和MgO第3种晶层33、不具有ZnO第2种晶层32的比较例2的磁记录介质的XRD中，同样未观察到(001)FePt峰和(002)FePt峰，而是观察到了(111)FePt峰。与之相对，具有Ru第1种晶层31、ZnO第2种晶层32和MgO第3种晶层33的实施例1和实施例2的磁记录介质中，未观察到(111)FePt峰，观察到(001)FePt峰和(002)FePt峰。由以上结果可知，为了得到所期望的易磁化轴垂直取向的具有(001)取向的L10型有序结构的FePt磁记录层，需要ZnO第2种晶层32和MgO第3种晶层33这两者。
另外，在Ru第1种晶层31和ZnO第2种晶层32之间形成有Pt非磁性中间层的实施例2的磁记录介质中，观察到了(111)Pt峰和(002)Pt峰。由此可知，Pt非磁性中间层由(111)取向的fcc结构的Pt形成。
进一步，由表1的结果可知，关于(001)FePt峰和(002)FePt峰这两者，实施例2的磁记录介质比实施例1的磁记录介质显示更大的积分强度。由此可知，由于Pt非磁性中间层的存在，FePt磁记录层的外延生长得到促进，得到了具有更期望的结晶结构的FePt磁记录层。
符号说明
10 基板
20 取向控制层
30 种晶层
31 第1种晶层
32 第2种晶层
33 第3种晶层
40 磁记录层
Claims (9)
1.磁记录介质，其特征在于，依次包含基板、含Ru的第1种晶层、含ZnO的第2种晶层、含MgO的第3种晶层、含有序合金的磁记录层。
2.如权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，所述第1种晶层具有(002)取向的六方最密堆积结构。
3.如权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，所述基板和所述第1种晶层之间还包含取向控制层。
4.如权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，所述第1种晶层和所述第2种晶层之间还包含由Pt构成的非磁性中间层。
5.如权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，所述有序合金是包含选自Fe和Co中的至少1种元素以及选自Pt、Pd、Au、Ir和Rh中的至少1种元素的L10型有序合金。
6.如权利要求5所述的磁记录介质，其特征在于，所述有序合金还包含选自Ni、Mn、Cu、Ru、Ag、Au和Cr中的至少1种元素。
7.如权利要求5所述的磁记录介质，其特征在于，所述有序合金是选自FePt、CoPt、FePd和CoPd的L10型有序合金。
8.如权利要求1所述的磁记录介质，其特征在于，所述磁记录层具有包含磁性晶粒和包围所述磁性晶粒的非磁性晶界的颗粒结构，所述磁性晶粒包含所述有序合金。
9.如权利要求8所述的磁记录介质，其特征在于，所述非磁性晶界包含选自碳、硼、氧化物和氮化物的非磁性材料。
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