CN107710387A - 用于提高发光二极管的效率的方法 - Google Patents

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Abstract

如下提供一种用于提高发光二极管(LED)的外部量子效率的方法：使LED、部分组装的LED或完全组装的LED的一个或多个组件持续一定暴露时段暴露于一定量的氢或氢气，或含有较高量的氢或氢气的氛围。另外提供用于构建具有提高的外部量子效率的发光二极管的套件和方法，其包括使LED、部分组装的LED或完全组装的LED的一个或多个组件持续一定暴露时段暴露于一定量的氢或氢气，或含有较高量的氢或氢气的氛围。

Description

用于提高发光二极管的效率的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2015年5月20日提交的美国临时专利申请第62/164,104号的优先权，其内容以引用的方式并入本文中。
政府支持
本发明是在美国国家科学基金会(National Science Foundation)授予的SBIRII期授权号1353411的政府支持下进行。政府拥有本发明的某些权利。
技术领域
本发明一般涉及用于制造发光二极管(LED)的方法且特别来说涉及提高LED效率的制造方法。
背景技术
发光二极管(“LED”)为技术上和经济上有利的固态光源。LED能够可靠地提供具有高亮度的光，因此在过去几十年，其开始在包括平板显示器、交通灯和光通信的许多应用中起重要作用。当通过电流驱动时，电子和空穴注入至接合区中，其在接合区中重组，通过发射光子而释放其能量。LED的效率对此类应用具有重要影响。具有高内部效率的常规表面发射LED受相对较低的外部量子效率困扰。举例来说，量子点LED展现约2-5％的外部量子效率。这些低外部量子效率独立于LED配置，所述配置可为底部发射、顶部发射和/或配置。
外部量子效率为从LED发射的光子的数目与注入至LED中的电子的数目的比率。外部量子效率定量LED装置将电子转化为光子的有效程度且允许其以可见光，或在一些情况下，红外光的形式逃逸。可观测到提高的外部量子效率的一种方法在通过正向老化效应增加光学输出中。
外部量子效率为注入效率、内部量子效率和提取效率的函数。内部量子效率为产生光子的有源区中的所有电子-空穴重组的比例，而提取效率为从装置逃逸的产生于有源区中的光子的比例。已尝试某些途径来增加外部量子效率，如使一个LED表面粗糙化和应用后视镜。这造成通常在LED内内部反射的光的反射逃避增加光强度的LED，因此提高提取效率和外部量子效率。
使内部量子效率和注入效率以及外部量子效率最大化的方法在所属领域中相对众所周知。内部量子效率和注入效率可通过适当带隙的材料选择、有机层的HOMO(最高占用分子轨域)和LUMO(最低未占用分子轨域)能级、电子亲和性、电离电位和构建装置期间的无机层的功函数而最大化。一些方法已用于增加外部量子效率，如在LED内使用后视镜、蚀刻波导、反射衬底或反射中间层，但成效有限。尽管如此，到目前为止，还没有人检验到制造方法对LED的外部量子效率的效应。
应注意，已通过使用量子点发光二极管进行LED的外部量子效率的某些提高。已开发量子点发光二极管(QD-LED)用于显示器和照明光源。无机量子点光发射器具有一些优于有机发光二极管(OLED)和其它发光二极管的优点，其中更重要的是极好的色纯度。量子点(QD)为半径小于整体激子玻尔半径的半导体纳米晶。电子和空穴在所有三个维度的量子限制导致QD的有效能带隙随着微晶尺寸减小而增加，其中量子点的光学吸收和发射随着点的尺寸减小而转移至较高能量(蓝移)。举例来说，CdSe QD可仅取决于QD的尺寸而发射呈任何单色可见光颜色的光且可用于形成发射白光的QD-LED阵列。量子点的发光颜色也可通过其组成来调谐。举例来说，ZnxCdl-xS发射蓝光，ZnxCdl-xSySel-y发射绿光，且ZnxCdl-xSe发射红光。适合的量子点教示于US 2012/0138894 A1中，其全文并入本文中。应了解，使用量子点会提高装置外部量子效率。纳米粒子也以改进装置的特征而出名。确切地说，将氧化锌纳米粒子并入至LED装置中进一步提高LED装置的效率和使用期限
尽管如此，在LED的组件(如阳极、阴极或量子点，仅列举数例)的制造方法中提高LED的外部量子效率仍然是未满足的需要。提高一种帮助提高老化的LED的外部量子效率的方法也仍然是未满足的需要。
发明内容
如下提供一种用于提高发光二极管(LED)的外部量子效率的方法：使LED、部分组装的LED或完全组装的LED的一个或多个组件持续一定暴露时段暴露于一定量的氢或氢气，或含有较高量的氢或氢气的氛围。另外提供用于构建具有提高的外部量子效率的发光二极管的套件和方法，其包括使LED、部分组装的LED或完全组装的LED的一个或多个组件持续一定暴露时段暴露于一定量的氢或氢气，或含有较高量的氢或氢气的氛围。
已显示使LED、部分组装的LED或完全组装的LED的一个或多个组件持续一定暴露时段暴露于一定量的氢或氢气，或含有较高量的氢或氢气的氛围会将典型LED或QD-LED的外部量子效率提高到接近10×提高，显示18％至20％的外部量子效率上升。
附图说明
另外参看以下图式详述本发明。这些图式不打算限制本发明的范围，而是为了说明本发明的特定方面。
图1显示根据本发明的一个实施例的具有纳米颗粒电子注入层的量子点(QD)LED的结构的示意图。
图2显示在ZnO膜暴露于氢之后减小的效率衰减，其为改进的电荷平衡的指示器。良好电荷平衡(电子与空穴之间)对于LED的较高效率和较长使用期限是必不可少的。
图3描绘在氢暴露和水暴露之后的成品装置中实现的最佳效率。
图4说明在使用衰减量子点暴露成品LED装置之后，除几乎没有的排放非均一性以外的正向老化效应。
图5说明来自暴露于氢且接着用非酸性UV固化树脂封装的装置的外部量子效率数据。
图6说明来自暴露于氢且接着用非酸性UV固化树脂封装且在封装之后烘烤一定时段的装置的外部量子效率数据。
图7A和7B说明装置性能的扩展。图7A描绘具有典型封装的装置性能的典型扩展。图7B描绘氢处理(封装，烘烤)的情况下的装置性能的扩展。
具体实施方式
本发明可用于提供相对于常规LED具有优良外部量子效率的LED。本发明通过使LED的组件在制造期间暴露，或使部分组装或完全组装的LED暴露而实现优良性能。尽管如此，在LED的组件(如阳极、阴极或量子点，仅列举数例)的制造方法中提高LED的外部量子效率仍然是未满足的需要。提供一种帮助改进老化的LED的方法也仍然是未满足的需要。不受任何具体理论束缚，相信通过使LED的组件在制造一种或多种组分期间，或在制造LED期间暴露，或通过使部分组装或完全组装的LED暴露，氢通过结合方法与界面、表面和/或体缺陷状态相互作用，伴以这些缺陷状态的负面效应的后续减少。
以下详细描述在本质上仅是例示性的，且决不意图限制可变化的本发明的范围、其应用或用途。本发明关于本文中包括的非限制性定义和术语进行描述。这些定义和术语不设计成作为对本发明的范围或实践的限制，而是呈现为仅用于说明性和描述性目的。
如本文所用，“LED的一个或多个组件”应意指至少一个玻璃盖板、至少一个量子点、至少一个纳米粒子、至少一个量子点层、至少一个纳米粒子层、至少一个阴极、至少一个电子传输层、至少一个发射层、至少一个空穴传输层、至少一个空穴注入层、至少一个阳极、至少一个衬底、至少一个中间层和至少一个金属层。
如本文所用，“正向老化效应”应意指其中电流效率、功率效率和/或外部量子效率随时间推移而提高的现象。
如本文所用，“含有较高量的氢的氛围”应意指含有相比于空气中通常所发现增加的氢浓度的界定空间。在至少一个实施例中，含有较高量的氢的氛围包括含有一些量的氢的手套箱或聚碳酸酯室，无论所述氢为双原子或单原子氢气，且无论氢同位素为氘、氚、氕或其组合。在一些实施例中，含有较高量的氢的氛围包括N2H2气体混合物，其具有20％或更高的H2浓度。在一些实施例中，氢或氢气为活化氢或氢气。应了解，氛围可在真空、大气压或加压下。
如本文所用，“合成气体”应意指氢气(摩尔分数变化)和氮气的混合物。
如本文所用，“活化氢”应意指氢分子(H2)，其中结合个别氢原子的对中的电子中的至少一个经激发，产生一对在能量上不利且因此相当具反应性的游离氢原子。不受任何具体理论束缚，氢活化可在H2分子中的键通过所需能量的光子裂解的情况下出现(H2的键解离能为4.52eV，其将需要274nm的光子波长)。在一些实施例中，产生274nm波长的光子的水银放电灯用于产生一定量的活化氢。
如本文所用，“聚碳酸酯室”应意指可密封壳体，其可另外包括用于保护如氯化钴纸的湿度敏感物品以供再次使用的干燥剂。聚碳酸酯室的常见用途为保护吸湿或与水反应的化学品免受湿气侵袭。
如本文所用，“完全组装的LED”应意指含有至少至少一个阳极、至少一个阴极、至少一种p型材料和至少一种n型材料的LED。在至少一个实施例中，完全组装的LED包括至少一个阳极、至少一个阴极、至少一个电子传输层、至少一个空穴传输层和至少一个发射层。在其它实施例中，完全组装的LED包括至少一个衬底、至少一个阳极、至少一个空穴注入层、至少一个空穴传输层、至少一个量子点发射层、至少一个电子传输层、至少一个阴极和至少一个盖玻璃。应了解，取决于封装方法，盖玻璃可以是平板玻璃或中空玻璃。
如本文所用，“部分组装的LED”应意指LED的任一组件中的至少两个的连接或结合。在至少一个实施例中，部分组装的LED包括至少一个衬底、至少一个阳极、至少一个空穴注入层、至少一个空穴传输层、至少一个量子点发射层、至少一个电子传输层和至少一个阴极，而不包括至少一个盖玻璃。
如本文所用，“衰减LED”或“衰减组件”包括其中性能特征低于组件、部分组装的装置或完全组装的装置的正常性能特征的LED、部分组装的LED或完全组装的LED的任何组件。在一些实施例中，LED或组件由于延长使用，或暴露于高电流或高环境温度而变得衰减。
应理解，在提供值的范围的情况下，所述范围不仅意图涵盖范围的端点值，而且涵盖范围的中间值，如同明确包括在所述范围内且随着所述范围的最后一个有效数字而改变。举例来说，1到4的所述范围意图包括1-2、1-3、2-4、3-4和1-4。
提供一种提高发光二极管(LED)的效率的方法，其包括使LED、部分组装的LED或完全组装的LED的一个或多个组件暴露于一定量的氢或氢气。本发明的替代实施例包括使LED、部分组装的LED或完全组装的LED的一个或多个组件暴露于含有较高量的氢或氢气的氛围。在至少一个实施例中，使LED、部分组装的LED或完全组装的LED的一个或多个组件持续一定暴露时段进行暴露。不受任何特定理论限制，相信通过使LED组分暴露或使部分或完全组装的LED暴露于氢造成氢与缺陷状态的结合以及这些状态的负面效应的减少。相对众所周知的是LED中的效率(电子-光子转化率)由于表面缺陷状态而降低。因此，通过使材料、组件、部分组装或完全组装的LED暴露于氢，这些缺陷状态的负面效应的减少会提高LED的效率。LED组件包括至少一个玻璃盖板、至少一个量子点、至少一个纳米粒子、至少一个量子点层、至少一个纳米粒子层、至少一个阴极、至少一个电子传输层、至少一个发射层、至少一个空穴传输层、至少一个空穴注入层、至少一个阳极、至少一个衬底、至少一个中间层和至少一个金属层。在一些实施例中，发射层包括至少一个量子点。
许多适合的氢源为所属领域中已知的。氢源包括气罐或气槽、气筒以及合成气体。其它氢源包括溶剂、粘着剂、有机酸、化石燃料和燃料电池(例如金属氢化物)。一些氢源可直接应用，而其它氢源置于制造或封装方法和来自溶剂或其它氢源的氢气附近。应了解，由于氢的可燃性，氢浓度应受限制。为了降低爆炸的风险，推荐小于18％的氢浓度。尽管如此，在至少一个实施例中，材料、组件、部分组装或完全组装的LED暴露于20％或更小的氢浓度。氢通常与一种或多种气体混合以将浓度维持于低于爆炸水准。在至少一个实施例中，氢氛围是氢气与至少一种其它气体的混合物、氢气与氮气的混合物、氢气与惰性气体的混合物或其组合。材料、组件、部分组装的LED或完全组装的LED的暴露时间可基于偏好改变，但已发现较长氢暴露时间对提高装置的效率具有较大效应。在至少一个实施例中，暴露时段为至少三十分钟、至少十二小时或至少二十四小时。应了解，暴露时间可增加任何持续时间且某些材料或组件将受益于此类曝光，因此进一步提高效率且潜在地增加特定装置的使用期限。氢暴露可在氩气或合成气体环境存在下进行。
烘烤所述材料、组件、部分组装的LED或完全组装的LED已显示一些额外益处且有助于提高装置的性能和效率的方法。因此，在本发明方法的一些实施例中，持续一定烘烤时段烘烤所述材料、组件、部分组装的LED或完全组装的LED。与氢暴露类似，不同烘烤时间提供改进的结果。在至少一个实施例中，烘烤时段为至少三十分钟、至少十二小时或至少二十四小时。另外，已在各种温度下测试材料、组件、部分组装的LED或完全组装的LED的烘烤，但烘烤温度尤其由于氢的爆炸性质而应受限制。在至少一个实施例中，材料、组件、部分组装的LED或完全组装的LED烘烤在小于150℃的温度下进行。
一些实施例进一步包括使材料、组件、部分组装的LED或完全组装的LED暴露于一定量的水，因此进一步提高LED的性能和效率。在至少一个实施例中，LED、部分组装的LED或完全组装的LED的一个或多个组件暴露于一定量的水，同时暴露于一定量的氢或氢气，或含有较高量的氢或氢气的氛围。应了解，水和氢暴露也可与烘烤组合，因此包括本文公开的所有发明方法。因此，在至少一个实施例中，LED、部分组装的LED或完全组装的LED的一个或多个组件暴露于一定量的水、烘烤、一定量的氢或氢气，或含有较高量的氢或氢气的氛围。
应理解，材料和组件中的缺陷状态出现于多种制造方法中。因此应理解，在氢氛围中制造某些组件进一步提高LED的性能和效率。在至少一个实施例中，在合成之后，一个或多个量子点暴露于通过反应性金属和弱酸产生的活化氢。在至少一个实施例中，在氢环境中纯化一个或多个量子点。在一些实施例中，在氢环境中制造LED的组件。在至少一个实施例中，在氢氛围中合成量子点。在至少一个实施例中，合成之后的量子点暴露于通过反应性金属和弱酸产生的活化氢。“在至少一个实施例中，合成之后的量子点暴露于通过在溶剂或其它氢源存在下放置一个或多个量子点产生的氢。在至少一个实施例中，在氢氛围中合成氧化锌纳米粒子。在一些实施例中，在氢环境中组装或部分组装LED。在另一方法中，量子点的原位氢化可通过在量子点合成之后在反应器中产生氢而进行。氢可使用反应性金属和弱酸产生[附注：强酸(矿物酸/无机酸)反应/溶解/腐蚀QD]。任何比氢更具正电性的金属可用作金属源；这些金属源包括碱金属、碱土金属、锌、铝等。脂族或芳族羧酸和醇且可用作酸源。脂族单羧酸，如甲酸、乙酸；二羧酸，如乙二酸、丙二酸；芳族羧酸，如苯甲酸和其衍生物可用作酸。醇可在极反应性金属，如钠或钾用于氢产生时用作酸。
其它实施例提供一种回收衰减的发光二极管(LED)的方法。应了解，某些LED由于LED组件的制造方法的波动或不一致而具有较低性能特征。另外，还应了解，由于延长使用，LED随时间推移而衰减。可引起LED的衰减的额外因素包括通过LED的电流的量、i2R损失或使用LED的环境温度。通过使衰减LED、部分组装的衰减LED或完全组装的衰减LED暴露于一定量的氢、氢气或活化氢，或含有较高量的氢、氢气或活化氢的氛围而实现回收，其中持续一定组件暴露时段进行所述暴露。在至少一个实施例中，类似地使用烘烤或暴露于水源。
所属领域的技术人员应理解，本文所述的方法和套件可用于任何类型的LED或衰减LED。在一些实施例中，LED或衰减LED为量子点LED(QD LED)。在其它实施例中，LED或衰减LED为有机LED(OLED)。而在其它实施例中，LED或衰减LED为无机LED。
实例
应理解，尽管本发明已与其具体实施方式结合进行描述，但前述描述意图说明而不是限制本发明的范围，所述范围由所附权利要求书的范围定义。其它方面、优势和修改在所附权利要求书的范围内。
实例1-氢氛围中的量子点合成
在含有18％氢气和82％氮气的手套箱中进行以下量子点合成。将0.2mmolCdO、4mmol乙酸锌和5ml油酸(OA)置于50ml烧瓶中且在流动高纯度氩气中加热到170℃后维持30min。接着将15ml 1-十八烯(ODE)添加至烧瓶且将温度升高至300℃。将含有溶解于2ml三辛基膦(TOP)中的0.1mmol Se和3.5mmol S的储备溶液快速注入至烧瓶中。保持反应温度10min且接着冷却至室温。洗涤所得量子点(QD)若干次且最后分散于甲苯中。改变前体的相对比率以形成具有不同发射和纳米结构的QD。对于Cdl-xZnxS/ZnS QD的典型合成，程序与上文所述相同，除了注入储备溶液两次。首先，将溶解于ODE中的硫粉快速注入至烧瓶中且将温度增加至310℃。在8min的反应之后，溶解于TOP中的硫粉接着引入至反应器中以在310℃下进行ZnS坯壳生长40min，且接着冷却至室温。
实例2-氢氛围中的量子点LED组装
在具有较高氢浓度的环境中组装量子点LED(QD-LED)。QD-LED示意性地显示于图1中，且由玻璃衬底上的氧化锡铟(ITO)透明阳极、聚(3,4-亚乙二氧基噻吩):聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)空穴注入层、聚(9,9-二辛基芴-共-N-(4-(3-甲基丙基))二苯胺)(TFB)空穴传输层、作为发射层的量子点、ZnO纳米粒子的电子传输层和铝(Al)阴极组成。
实例3-氢氛围中的ZnO膜暴露
在高纯度氮气手套箱环境中组装包括氧化锌(ZnO)膜的电子传输层的LED，除了ZnO膜暴露于氢环境至少12小时。将ZnO膜暴露于氢的程序涉及一些超出典型LED组装的额外步骤。首先，QD-LED向上穿过ZnO NP层进行组装。图1描绘包括的层，但铝阴极尚未沉积。在沉积ZnO层之后，将未完成的装置置于聚碳酸酯室中且接着密封以使得所述室中的氛围与手套箱中相同。接着，从手套箱去除聚碳酸酯室且抽空至约10mbar的压力后维持5分钟。聚碳酸酯室接着持续给定时段用氮气和氢气的混合物回填。最后，聚碳酸酯室拿回到手套箱内部且沉积铝阴极。在图2中显示相比于未在较高氢环境中组装的相同装置，随电流密度而变的外部量子效率。
实例4-在组装之后暴露于氢氛围的量子点LED
在高纯度手套箱环境中组装实例2的QD-LED。在完成LED组装后，LED持续大于24小时的时段暴露于聚碳酸酯室内的含有20％氢气的合成气体。在氢处理的情况下观测到增加的外部量子效率、增加的亮度和使用期限，因此显示正向老化效应的出人意料的结果。通过将部分组装的LED暴露于类似环境而观测到类似结果。
实例5-暴露于氢氛围的部分组装的量子点LED
在高纯度手套箱环境中组装实例2的QD-LED。在完成LED组装之前，LED持续大于24小时的时段暴露于聚碳酸酯室内的含有20％氢气的合成气体，装置接着用非酸性UV固化树脂封装。在图5中，经组装之后的五天时段显示组装的LED的随亮度而变的外部量子效率。在氢处理的情况下观测到增加的外部量子效率、增加的亮度和使用期限，因此显示正向老化效应的出人意料的结果。未在暴露期间有意向氛围中引入水且氢未经活化。
实例6-暴露于氢氛围的部分组装的量子点LED
在用非酸性UV固化树脂封装之后持续一定时段烘烤LED的额外步骤的情况下重复实例5。在图6中，经组装之后的五天时段显示组装的LED的随亮度而变的外部量子效率。图7A描绘具有典型封装的装置性能的典型扩展。图7B描绘氢处理(封装，烘烤)的情况下的装置性能的扩展。观测到比较图7与图6，额外烘烤步骤在中等程度上加速正向老化的出人意料的结果。
实例7-在组装之后暴露于氢氛围和水的量子点LED
在高纯度手套箱环境中组装实例2的QD-LED。在完成LED组装后，LED持续大于24小时的时段暴露于聚碳酸酯室内的含有20％氢气的合成气体。在此相同时段期间，一小瓶的水另外存在于聚碳酸酯室中。在图3中显示相比于未暴露于氢和水环境的相同装置，组装的LED的随亮度而变的外部量子效率。观测到随时间推移的提高的效率变化，因此显示氢和水处理的情况下的正向老化效应的出人意料的结果。通过将部分组装的LED暴露于类似环境而观测到类似结果。改变使用的水的量而进行其它实验。对于较高浓度的使用的水观测到有害效应。
实例8-在组装之后暴露于活化氢氛围的衰减量子点LED
使用衰减量子点在高纯度手套箱环境中组装实例2的QD-LED。在完成LED组装后，LED在聚碳酸酯室内暴露于含有20％氢的合成气体，其中水银放电灯发射具有254nm波长的光，在所述环境内产生一定量的活化氢。灯保持开启4小时，但QD-LED再保持于所述室中12小时。在图4中显示相比于未暴露于活化氢环境的相同装置，组装的LED的随亮度而变的外部量子效率。在活化氢处理的情况下观测到提高的效率变化，因此显示正向效应的出人意料的结果。通过将部分组装的LED暴露于类似环境而观测到类似结果。
实例9-在组装之后在氢氛围下封装的量子点LED
在高纯度手套箱环境中组装实例2的QD-LED。在完成LED组装后，LED在氢环境中用中空玻璃封装以创造静止氢环境。在氢处理的情况下观测到维持增加的外部量子效率、增加的亮度和使用期限，因此显示正向老化效应的出人意料的结果。
实例10-在组装之后用氢源封装的量子点LED
在高纯度手套箱环境中组装实例2的QD-LED。在完成LED组装后，LED在含有金属氢化物燃料电池的氢环境中用中空玻璃封装以继续进行氢生产和暴露。在氢处理的情况下观测到维持增加的外部量子效率、增加的亮度和使用期限，因此显示正向老化效应的出人意料的结果。
其它实施例
尽管前述具体实施方式中已呈现至少一个例示性实施例，但应了解，存在大量变化。还应了解，所述例示性实施例仅仅是实例，且不意图以任何方式限制所描述实施例的范围、适用性或配置。实际上，前述具体实施方式将向所属领域的技术人员提供用于实施一个或多个例示性实施例的方便的指南。应理解，可在不脱离如所附权利要求书和具有同等法律效应的文书中所阐述的范围的情况下对元件的功能和布置作出各种改变。
本说明书中提及的专利文献和公开案指示本发明所属领域的技术人员的技能水平。这些文献和公开案以引用的方式并入本文中，其程度如同每一个别文献或公开案专门且单独以引用的方式并入本文中。
前述描述为本发明的具体实施例的说明，但不打算限制其实践。以下权利要求书，包括其所有等效物意图界定本发明的范围。

Claims (35)

1.一种用于提高发光二极管(LED)的效率的方法，所述方法包含：使LED、部分组装的LED或完全组装的LED的一个或多个组件暴露于一定量的氢或氢气，或含有较高量的氢或氢气的氛围，其中所述暴露持续一定暴露时段进行。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述LED的所述一个或多个组件选自由以下组成的群组：玻璃盖板、量子点、纳米粒子、量子点层、纳米粒子层、阴极、电子传输层、发射层、空穴传输层、空穴注入层、阳极、衬底、一个或多个中间层、一个或多个金属层，或其组合。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述发射层包含量子点。
4.根据权利要求1到3中任一项所述的方法，其中所述量的氢为合成气体、氢气与至少一种其它气体的混合物、氢气与氮气的混合物、氢气与惰性气体的混合物，或其组合。
5.根据权利要求1到4中任一项所述的方法，其中所述氢或氢气浓度小于20％。
6.根据权利要求1到5中任一项所述的方法，其中所述暴露时段为至少三十分钟、至少十二小时或至少二十四小时。
7.根据权利要求1到6中任一项所述的方法，其进一步包含持续一定烘烤时段烘烤LED、部分组装的LED或完全组装的LED的所述一个或多个组件。
8.根据权利要求1到7中任一项所述的方法，其中所述烘烤时段为至少三十分钟、至少十二小时或至少二十四小时。
9.根据权利要求1到8中任一项所述的方法，其中所述烘烤在小于150℃的温度下进行。
10.根据权利要求1到9中任一项所述的方法，其进一步包含使LED、部分组装的LED或完全组装的LED的一个或多个组件暴露于一定量的水，同时暴露于一定量的氢或氢气，或含有较高量的氢或氢气的氛围，其中所述暴露持续一定暴露时段进行。
11.根据权利要求1到10中任一项所述的方法，其进一步包含使LED、部分组装的LED或完全组装的LED的所述一个或多个组件暴露于一定量的水、烘烤、一定量的氢或氢气，或含有较高量的氢或氢气的氛围，其中所述暴露或烘烤在至少一个干燥器内进行。
12.根据权利要求1到11中任一项所述的方法，其中所述LED为量子点LED(QD-LED)。
13.一种用于构建发光二极管的方法，所述方法包含：
任选地使LED的一个或多个组件暴露于一定量的氢或氢气，或含有较高量的氢或氢气的氛围，其中所述暴露持续组件暴露时段进行；
组装所述一个或多个组件以形成部分组装的LED；
任选地使所述部分组装的LED或完全组装的LED暴露于一定量的氢或氢气，或含有较高量的氢或氢气的氛围，其中所述暴露持续部分组装的装置暴露时段进行；
组装所述部分组装的LED与一个或多个组件以形成完全组装的LED；和
使所述完全组装的LED暴露于一定量的氢，或含有较高量的氢的氛围，其中所述暴露持续完全组装的装置暴露时段进行。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述LED的所述一个或多个组件选自由以下组成的群组：玻璃盖板、量子点、纳米粒子、量子点层、纳米粒子层、阴极、电子传输层、发射层、空穴传输层、空穴注入层、阳极、衬底、一个或多个中间层、一个或多个金属层，或其组合。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述发射层包含量子点。
16.根据权利要求13到15中任一项所述的方法，其中所述量的氢为合成气体、氢气与至少一种其它气体的混合物、氢气与氮气的混合物、氢气与惰性气体的混合物，或其组合。
17.根据权利要求13到16中任一项所述的方法，其中所述氢或氢气浓度小于20％。
18.根据权利要求13到17中任一项所述的方法，其中所述暴露时段为至少三十分钟、至少十二小时或至少二十四小时。
19.根据权利要求13到18中任一项所述的方法，其进一步包含持续一定烘烤时段烘烤LED、部分组装的LED或完全组装的LED的所述一个或多个组件。
20.根据权利要求13到19中任一项所述的方法，其中所述烘烤时段为至少三十分钟、至少十二小时或至少二十四小时。
21.根据权利要求13到20中任一项所述的方法，其中所述烘烤在小于150℃的温度下进行。
22.根据权利要求13到21中任一项所述的方法，其进一步包含使LED、部分组装的LED或完全组装的LED的一个或多个组件暴露于一定量的水，同时暴露于一定量的氢或氢气，或含有较高量的氢或氢气的氛围，其中所述暴露持续一定暴露时段进行。
23.根据权利要求13到22中任一项所述的方法，其进一步包含使LED、部分组装的LED或完全组装的LED的所述一个或多个组件暴露于一定量的水、烘烤、一定量的氢或氢气，或含有较高量的氢或氢气的氛围，其中所述暴露或烘烤在除湿剂存在下或在干燥器内进行。
24.根据权利要求13到24中任一项所述的方法，其中所述LED为量子点LED(QD-LED)。
25.一种用于构建具有提高的外部量子效率的发光二极管(LED)的套件，所述套件包含：
LED、部分组装的LED或完全组装的LED的一个或多个组件；
用于实践根据权利要求1到24中任一项所述的方法的书面说明。
26.一种用于回收衰减发光二极管(LED)的方法，所述方法包含：使衰减LED、部分组装的衰减LED或完全组装的衰减LED的一个或多个组件暴露于一定量的部分组装的LED或完全组装的LED氢、氢气或活化氢，或含有较高量的氢、氢气或活化氢的氛围，其中所述暴露持续组件暴露时段进行。
27.根据权利要求26所述的方法，其中所述衰减LED的所述一个或多个组件选自由以下组成的群组：玻璃盖板、量子点、纳米粒子、量子点层、纳米粒子层、阴极、电子传输层、发射层、空穴传输层、空穴注入层、阳极、衬底、一个或多个中间层、一个或多个金属层，或其组合。
28.根据权利要求26到27中任一项所述的方法，其中所述量的氢为合成气体、氢气与至少一种其它气体的混合物、氢气与氮气的混合物、氢气与惰性气体的混合物，或其组合。
29.根据权利要求26到28中任一项所述的方法，其中所述氢或氢气浓度小于20％。
30.根据权利要求26到29中任一项所述的方法，其中所述暴露时段为至少三十分钟、至少十二小时或至少二十四小时。
31.根据权利要求26到30中任一项所述的方法，其进一步包含持续一定烘烤时段烘烤衰减LED、部分组装的衰减LED或完全组装的衰减LED的所述一个或多个组件。
32.根据权利要求13到19中任一项所述的方法，其中所述烘烤时段为至少三十分钟、至少十二小时或至少二十四小时。
33.根据权利要求13到20中任一项所述的方法，其中所述烘烤在小于150℃的温度下进行。
34.根据权利要求1到33中任一项所述的方法或套件，其中所述LED或所述衰减LED为量子点LED(QDLED)或有机LED(OLED)。
35.根据权利要求1到34中任一项所述的套件的方法，其中所述LED配置为底部发射、顶部发射和/或倒置式配置。
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