CN107665835B - 装置封装设施及方法及利用deht的装置处理设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种使用DEHT的装置包装设施及方法，以及一种利用该DEHT的装置处理设备。该装置封装设施包括：安装单元，该安装单元在第一装置与第二装置之间提供DEHT，以将该第一装置及该第二装置彼此附接；处理单元，该处理单元热处理彼此附接的该第一装置及该第二装置，以移除该DEHT且将该第一装置及该第二装置彼此固定；以及转移单元，该转移单元将彼此附接的该第一装置及该第二装置自该安装单元转移至该处理单元。本发明提供的装置封装设施及方法能够通过使用DEHT替代助熔剂来减小对人体、仪器及环境的影响。

Description

装置封装设施及方法及利用DEHT的装置处理设备
技术领域
本发明涉及使用DEHT的装置包装设施及方法及利用DEHT的装置处理设备。
背景技术
在制造诸如半导体晶片的装置时，进行用于将装置安装于诸如基板的另一装置上的封装工艺。特定而言，通过将一个晶片安装于另一晶片上的用于3D IC的3D封装技术有助于更高密度包装。因此，晶片至晶片连接愈短，即可实现线路布局的高自由度，以制造出高效能IC。
一般而言，在将一个装置安装于另一装置上时，将助熔剂用于半导体封装工艺。助熔剂可涂覆在装置之间的接触部分以便彼此粘附。
然而，助熔剂对人体有害。另外，若助熔剂保留于装置上，助熔剂可中断装置的正常操作，从而劣化装置的效能。因此，在使用助熔剂的典型半导体封装工艺中，有必要进行清洁及干燥装置的工艺，以便在将装置彼此附接且粘结之后移除保留于装置上的助熔剂。
发明内容
发明要解决的问题
本发明是鉴于上述以往的结构的课题而做成，本发明的目的在于，提供一种本发明提供：装置封装设施及方法，其能够通过使用双(2-乙基己基)对苯二酸(bis(2-ethylhexyl)terephthalate，DEHT)替代助熔剂来减小对人体、仪器及环境的影响；以及利用DEHT的装置处理设备。
另外，还提供如下的装置封装设施及方法，其能够排除清洁及干燥工艺，在将助熔剂用于封装时，基本上在装置彼此粘结之后进行检查之前涉及该等工艺；以及利用DEHT的装置处理设备。
用于解决问题的方案
本发明的实施例提供装置封装设施，其包括：安装单元，该安装单元在第一装置与第二装置之间提供双(2-乙基己基)对苯二酸(bis(2-ethylhexyl)terephthalate，DEHT)，以将第一装置及第二装置彼此附接；处理单元，该处理单元热处理彼此附接的第一装置及第二装置，以移除DEHT且将第一装置及第二装置彼此固定；以及转移单元，该转移单元将彼此附接的第一装置及第二装置自安装单元转移至处理单元。
在一些实施例中，第一装置可包括以下至少一个：焊球、半导体晶片及基板，且第二装置可包括以下至少一个：半导体及基板。
在其他实施例中，安装单元可将第一装置的突出部分浸没于DEHT中以将DEHT涂覆于该突出部分，且移动第一装置及第二装置的至少一个以允许该突出部分接触第二装置。
在甚至其他实施例中，安装单元可将DEHT涂覆于第一装置及第二装置的至少一个，且移动第一装置及第二装置的至少一个以允许第一装置及第二装置于涂布有DEHT的部分上彼此接触。
在其他实施例中，安装单元可将由DEHT形成的薄膜或微滴涂覆或分配于第一装置及第二装置的至少一个，且移动第一装置及第二装置的至少一个以允许第一装置及第二装置于涂布有DEHT的部分上彼此接触。
在进一步实施例中，安装单元可使第一装置及第二装置彼此接触，且提供DEHT至第一装置与第二装置之间的接触部分的边缘，以允许DEHT得以吸收、粘贴或芯吸于第一装置与第二装置之间的边界上。
在进一步实施例中，处理单元可在第一温度下预热彼此附接的第一装置及第二装置以移除DEHT，在大于第一温度的第二温度下加热第一装置及第二装置以熔融安置于第一装置与第二装置之间的接触部分上的粘结材料，且在小于第二温度的第三温度下冷却第一装置及第二装置以固化粘结材料。
在甚至进一步实施例中，第一温度可低于DEHT的沸点，第二温度可大于或等于粘结材料的熔点，且第三温度可小于粘结材料的熔点。
在进一步实施例中，处理单元可在约180℃至约220℃的温度下预热彼此附接的第一装置及第二装置以移除DEHT。
在更进一步实施例中，处理单元可在约180℃至约220℃的温度下预热彼此附接的第一装置及第二装置历时约60秒或更长以移除DEHT。
在更进一步实施例中，处理单元可在大气压或小于大气压的压力下预热彼此附接的第一装置及第二装置以移除DEHT。
在甚至更进一步实施例中，处理单元可在第一温度下预热彼此附接的第一装置及第二装置，同时使第一装置及第二装置暴露于氮或含氮甲酸蒸气以移除DEHT。
在更进一步实施例中，在移除DEHT之后，处理单元可在大于第一温度的第四温度下、于大气压或小于大气压的压力下加热第一装置及第二装置，同时使第一装置及第二装置暴露于甲酸蒸气以移除粘结材料的表面上形成的杂质。
在更进一步实施例中，彼此固定的第一装置及第二装置可自装置封装设施取出且转移至检查设施。
在本发明的其他实施例中，装置封装方法包括：在第一装置与第二装置之间提供双(2-乙基己基)对苯二酸(bis(2-ethylhexyl)terephthalate，DEHT)以将第一装置及第二装置彼此附接；热处理彼此附接的第一装置及第二装置以移除DEHT；以及热处理第一装置及第二装置以将第一装置及第二装置彼此固定。
在一些实施例中，第一装置可包括以下至少一个：焊球、半导体晶片及基板，且第二装置可包括以下至少一个：半导体及基板。
在其他实施例中，第一装置及第二装置的附接可包括：将第一装置的突出部分浸没于DEHT中以将DEHT涂覆于该突出部分；以及移动第一装置及第二装置的至少一个以允许该突出部分接触第二装置。
在甚至其他实施例中，第一装置及第二装置的附接可包括：将DEHT涂覆于第一装置及第二装置的至少一个；以及移动第一装置及第二装置的至少一个以允许第一装置及第二装置于涂布有DEHT的部分上彼此接触。
在其他实施例中，第一装置及第二装置的附接可包括：将由DEHT形成的薄膜提供于第一装置及第二装置的至少一个；以及移动第一装置及第二装置的至少一个以允许第一装置及第二装置于涂布有DEHT的部分上彼此接触。
在进一步实施例中，第一装置及第二装置的附接可包括：使第一装置及第二装置彼此接触，且提供DEHT至第一装置与第二装置之间的接触部分的边缘，以允许DEHT得以吸收于第一装置与第二装置之间的边界上。
在进一步实施例中，DEHT的移除可包括在第一温度下预热彼此附接的第一装置及第二装置以移除DEHT，且第一装置及第二装置的固定可包括：在大于第一温度的第二温度下加热第一装置及第二装置以熔融安置于第一装置与第二装置之间的接触部分上的粘结材料；以及在小于第二温度的第三温度下冷却第一装置及第二装置以固化粘结材料。
在甚至进一步实施例中，第一温度可低于DEHT的沸点，第二温度可大于或等于粘结材料的熔点，且第三温度可小于粘结材料的熔点。
在进一步实施例中，DEHT的移除可包括在约180℃至约220℃的温度下预热彼此附接的第一装置及第二装置。
在更进一步实施例中，第一装置及第二装置的预热可包括在约180℃至约220℃的温度下预热彼此附接的第一装置及第二装置历时约60秒。
在更进一步实施例中，DEHT的移除可包括在大气压或小于大气压的压力下预热彼此附接的第一装置及第二装置。
在更进一步实施例中，DEHT的移除可包括在第一温度下预热彼此附接的第一装置及第二装置，同时使第一装置及第二装置暴露于氮或含氮甲酸蒸气。
在甚至更进一步实施例中，装置封装方法可进一步包括：在移除DEHT之后，在大于第一温度的第四温度下、于大气压或小于大气压的压力下加热第一装置及第二装置，同时使第一装置及第二装置暴露于甲酸蒸气以移除粘结材料的表面上形成的杂质。
在更进一步实施例中，彼此固定的第一装置及第二装置可自装置封装设施取出且通过检查设施检查。
在本发明的其他实施例中，装置处理设备包括：工艺腔室、装置支撑件及加热器。第一装置及第二装置使用双(2-乙基己基)对苯二酸(bis(2-ethylhexyl)terephthalate，DEHT)彼此附接，且随后于工艺腔室内热处理以移除DEHT，且将第一装置永久地附着至第二装置。装置支撑件安置于工艺腔室内以支撑彼此附接的第一装置及第二装置。加热器加热彼此附接的第一装置及第二装置。
在一些实施例中，第一装置可包括以下至少一个：焊球、半导体晶片及基板，且第二装置可包括以下至少一个：半导体及基板。
在其他实施例中，加热器在第一温度下预热彼此附接的第一装置及第二装置以移除DEHT，在大于第一温度的第二温度下加热第一装置及第二装置以熔融安置于第一装置与第二装置之间的接触部分上的粘结材料，且在小于第二温度的第三温度下冷却第一装置及第二装置以固化粘结材料。
在甚至其他实施例中，第一温度可低于DEHT的沸点，第二温度可大于或等于粘结材料的熔点，且第三温度可小于粘结材料的熔点。
在其他实施例中，加热器可在约180℃至约220℃的温度下预热彼此附接的第一装置及第二装置以移除DEHT。
在进一步实施例中，加热器可在约180℃至约220℃的温度下预热彼此附接的第一装置及第二装置历时约60秒或更长以移除DEHT。
在进一步实施例中，装置处理设备可进一步包括压力控制部件，该压力控制部件用于在进行预热时使工艺腔室之内压维持于大气压或小于大气压的压力。
在甚至进一步实施例中，装置处理设备可进一步包括供应部件(例如，起泡器或递送件)，该供应部件用于在进行预热时将氮或含氮甲酸蒸气供应至工艺腔室中。
在进一步实施例中，流体供应部件可在预热之后将甲酸蒸气供应至工艺腔室中，且加热器可在大于第一温度的第四温度下第一装置及第二装置以移除粘结材料的表面上形成的杂质。
发明效果
根据本发明的实施例，替代助熔剂的DEHT可用于封装工艺以最小化对人体、仪器及环境的影响。
根据本发明的实施例，检查可在不进行清洁及干燥工艺的情况下、在装置彼此粘结之后直接进行，从而简化生产工艺。
附图说明
包括附图来提供对本发明的进一步理解，且将附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图例示本发明的示范性实施例，且连同说明书一起用以解释本发明的原理。在附图中：
图1为根据本发明的实施例的装置封装设施的示意图。
图2至4为用于解释根据本发明的实施例的安装装置的工艺的视图。
图5至7为用于解释本发明的另一实施例的安装装置的工艺的视图。
图8至10为用于解释根据本发明的另一实施例的安装装置的工艺的视图。
图11至13为用于解释根据本发明的又一实施例的安装装置的工艺的视图。
图14至15为用于解释根据本发明的又一实施例的安装装置的工艺的视图。
图16为根据本发明的实施例的装置处理设备的视图。
图17为用于解释根据本发明的实施例的移除DEHT的工艺的视图。
图18及19为用于解释根据本发明的实施例的将第一装置及第二装置彼此粘结的工艺的视图。
图20为用于解释根据本发明的另一实施例的在移除DEHT的后移除保留于粘结材料上的杂质的工艺的视图。
图21为例示根据本发明的实施例的装置封装工艺的流程图。
图22为用于解释根据本发明的实施例的安装装置的工艺的流程图。
图23为用于解释根据本发明的另一实施例的安装装置的工艺的流程图。
图24为用于解释根据本发明的又一实施例的安装装置的工艺的流程图。
图25为用于解释根据本发明的又一实施例的安装装置的工艺的流程图。
图26为具备铜焊盘的硅晶圆试件上涂覆有DEHT的影像。
图27为图26之硅晶圆试件的回流工艺之后的SEM(扫描电子显微术)影像。
图28为图26之硅晶圆试件的回流工艺之后的铜焊盘的SEM影像。
图29为图26之硅晶圆试件的回流工艺之后的铜焊盘面的SEM影像。
图30为未涂覆有DEHT的硅晶圆试件的回流工艺之后的铜焊盘面的SEM影像。
图31为具备铜焊盘的聚酰亚胺PCB试件上涂覆有DEHT的影像。
图32为图31之PCB试件的回流工艺之后的SEM影像，图33为未涂覆有DEHT的PCB试件的回流工艺之后的SEM影像。
图34为图31之PCB试件的回流工艺之后的铜焊盘的SEM影像，图35为未涂覆有DEHT的PCB试件的回流工艺之后的铜焊盘的SEM影像。
图36为图31之PCB试件的回流工艺之后的铜焊盘面的SEM影像，图37为未涂覆有DEHT的PCB试件的回流工艺之后的铜焊盘面的SEM影像。
图38为图31之PCB试件的回流工艺之后钝化层的SEM影像，图39为未涂覆有DEHT的PCB试件的回流工艺之后的钝化层的SEM影像。
图40为回流工艺之后将利用DEHT粘附的晶片剥离后的基板的影像。
图41为利用DEHT薄膜将焊球刚刚粘附于铜包钢(Cu-clad)晶圆试件之后的影像。
图42为将图41之晶圆试件摇晃且朝向垂直方向倾斜之后的影像。
图43为图41之晶圆试件的回流工艺之后的影像。
图44为利用DEHT薄膜将焊球粘附于铜包钢晶圆试件的影像
图45为图44之晶圆试件的移动试验之后的影像。
图46为在具备铜焊盘的晶圆试件上涂覆DEHT薄膜且将焊球随机地抛撒于其上的影像。
图47为图46之晶圆试件的回流工艺之后的影像。
图48为图46之晶圆试件的回流工艺之后固定于铜焊盘的焊球的表面的影像。
附图标记说明
1 装置封装设施
10 安装单元
20 转移单元
30 处理单元
31 工艺腔室
32 装置支撑件
33 加热器
34 供应部件
35 压力控制部件
100 第一装置
110 突出部分/粘结材料
200 第二装置
210 焊盘
220 模版
221 孔洞
300 DEHT
301 装置处理设备
400 装置封装工艺
S410 工艺
S420 工艺
S430 工艺
S411 工艺
S412 工艺
S413 工艺
S414 工艺
S415 工艺
S416 工艺
S417 工艺
S418 工艺
具体实施方式
本发明的优点及特征及其实行方法将经由参考附图描述的以下实施例来阐明。然而，本发明可以许多不同形式来具体化且不应解释为限于本文阐述的实施例。实情为，提供此等实施例以便本公开内容将为彻底及完全的，且将为本领域技术人员完全传达本发明的范畴。另外，本发明仅由申请专利范围的范畴限定。
除非另外加以定义，否则本文使用的所有术语(包括技术及科学术语)具有本领域技术人员通常所理解的相同的含义。常用词典中定义的术语应视为具有与相关联技术情形中相同的含义，且除非本说明书中明确定义，否则术语不会理想地或过度地视为具有正式含义。
在以下描述中，仅使用技术术语来解释特定示范性实施例而不限制本发明。除非有明确提及，否则单数形式的术语可包括复数形式。“包含(comprises)”及/或“包含(comprising)”的含义指定组成物、组分、成分、步骤、操作及/或要素不排除其他组成物、组分、成分、步骤、操作及/或要素。在本说明书中，“及/或”意指其包括所列组分的至少一个。
在本发明的实施例的半导体封装中，使用双(2-乙基己基)对苯二酸(bis(2-ethylhexyl)terephthalate，DEHT)替代已用于将装置彼此粘结的典型助熔剂来进行封装。DEHT可为在进行塑胶模制时用作塑化剂的化学添加剂，特定而言，其可为用于软化聚氯乙烯(PVC)的材料。在本发明的实施例中，DEHT可用于半导体封装中，以解决通过使用典型助熔剂所出现的各种限制且简化生产工艺，进而减小制造成本。
在下文，本发明的示范性实施例将参考附图详细地描述。
图1为根据本发明的实施例的装置封装设施1的示意图。
参考图1，装置封装设施1可为其中至少两个装置彼此粘结来进行半导体封装的设施。装置封装设施1可包括安装单元10、处理单元30及转移单元20。
安装单元10可在第一装置与第二装置之间提供DEHT来将第一装置及第二装置彼此粘结。处理单元30可热处理彼此粘结的第一装置及第二装置，以移除DEHT且将第一装置及第二装置彼此固定。转移单元20可将彼此粘结的第一装置及第二装置自安装单元10转移至处理单元30。
第一装置可为安装于第二装置且粘结至第二装置的受安装物体。例如，第一装置可包括以下至少一个：焊球、半导体晶片、基板，但不限于此。此外，第二装置可其上安装有第一装置的安装物体。例如，第二装置可包括以下至少一个：半导体晶片及基板，但不限于此。换言的，第一装置及第二装置可为在半导体封装中彼此粘结及固定的任何物体。
根据本发明的实施例，DEHT可与邻苯二甲酸二甲酯(DMP)及邻苯二甲酸二异丁酯(DIBP)的至少一个一起使用。此时，用于粘结第一装置及第二装置而所使用的物质为DEHT和DMP的混合物、DEHT和DIBP的混合物，或者为DEHT和DMP和DIBP的混合物。
安装单元10可在第一装置与第二装置之间提供DEHT，以进行将第一装置及第二装置彼此粘结的装置安装工艺。
根据本发明的实施例，安装单元10可将第一装置的突出部分浸没于DEHT中以将DEHT涂覆于该突出部分，且移动第一装置及第二装置的至少一个以允许该突出部分接触第二装置。
图2至4为用于解释根据本发明的实施例的安装装置的工艺的视图。
参考图2，安装单元10可将第一装置100的突出部分110浸没于DEHT300中以将DEHT300涂覆于该突出部分110。为如上所述将DEHT300涂覆于第一装置100的突出部分110，安装单元10可包括用于升举第一装置100的上升装置。
然后参考图3及4，安装单元10可移动第一装置100及第二装置200的至少一个，以允许涂布有DEHT300的突出部分110接触安置于第二装置200上的焊盘210。
尽管在图3例示的实施例中，安装单元10将第一装置100朝向第二装置200移动来允许突出部分110接触第二装置200的焊盘210，但本发明不限于此。例如，安装单元100可将第二装置200朝向第一装置100移动以允许突出部分110接触焊盘210。或者，安装单元100可将第一装置100及第二装置200两者一起移动以允许突出部分110接触焊盘210。在此状况下，安装单元10可包括用于升举第二装置200的上升装置。
根据本发明的另一实施例，安装单元10可将DEHT300涂覆于第一装置100及第二装置200的至少一个，以将第一装置100及第二装置200的至少一个移动以便第一装置100及第二装置200彼此接触DEHT300。
图5至7为用于解释根据本发明的另一实施例的安装装置的工艺的视图。
参考图5，安装单元10可利用涂覆机310将DEHT300涂覆于第一装置100上。如图5所例示，涂覆机310包括以一定高度突出的突出部P，该突出部P的末端可涂覆有DETH300。
安装单元10可通过移动第一装置100将DEHT300涂覆于第一装置100上。如图5所例示，安装单元10通过将第一装置100朝向涂覆机310进行移动的方式涂覆DEHT300，但是，根据实施例，该安装单元10可通过移动涂覆机310替代移动第一装置100来涂覆DEHT300，或者通过移动第一装置100和涂覆机310来涂覆DEHT300。
然后参考图6及图7，安装单元10可通过移动第一装置100及第二装置200的至少一个，以使得第一装置100及第二装置200在涂覆有DEHT300的部位相互接触。
图6中，安装单元10通过将第一装置100朝向第二装置的方向进行移动，以使第一装置100及第二装置200接触，但是，根据实施例，安装单元10可通过将第二装置200朝向第一装置的方向进行移动，也可通过移动第一装置100和第二装置200，来使得第一装置100和第二装置200接触。
图8至10为用于解释根据本发明的另一实施例的安装装置的工艺的视图。
参考图8，安装单元10可将DEHT300涂覆于第一装置100及第二装置200的至少一个。尽管在图8例示的实施例中，安装单元10将DEHT300涂覆于第二装置200的焊盘210，但本发明不限于此。例如，安装单元10可将DEHT300涂覆于第一装置100的接触部分。此外，根据实施例，DEHT300可涂覆于第一装置100及第二装置200的接触部分两者。
如图8所例示，安装单元10可以如下方式将DEHT300涂覆于第二装置200的接触部分：将DEHT300的液滴滴落于第二装置200的接触部分上。然而，如图9所例示，安装单元10可将具有孔洞221的模版220附接至第二装置200。DEHT300均匀展布于模版220上，进而将DEHT300涂覆于第二装置200。根据本实施例，打孔于模版220中的孔洞221可限定相应于第二装置200的接触部分(例如，焊盘210)的位置。
然后参考图10，安装单元10可移动第一装置100及第二装置200的至少一个，以允许第一装置100及第二装置200于涂布有DEHT300的部分上彼此接触。
如以上参考图3所述，为允许第一装置100及第二装置200彼此接触，安装单元10可仅移动第一装置100或仅移动第二装置200，或可移动第一装置100及第二装置200两者。
根据本发明的又一实施例，安装单元10可将由DEHT300形成的薄膜涂覆于第一装置100及第二装置200的至少一个，以移动第一装置100及第二装置200的至少一个以便第一装置100及第二装置200于涂覆薄膜的部分上彼此接触。
图11至13为用于解释根据本发明的又一实施例的安装装置的工艺的视图。
参考图11，安装单元10可将由DEHT300形成的薄膜300涂覆于第一装置100及第二装置200的至少一个。例如，如图11所例示，安装单元10可将由DEHT300形成的薄膜涂覆于将焊盘210安置于第二装置200上的表面。为此，安装单元10可包括驱动装置，其将薄膜朝向第二装置200移动以将薄膜压在欲涂覆薄膜的表面上。
然后参考图12，安装单元10可移动第一装置100及第二装置200的至少一个，以允许第一装置100及第二装置200于涂覆有薄膜的部分上彼此接触。
类似地，为允许第一装置100及第二装置200彼此接触，安装单元10可仅移动第一装置100或仅移动第二装置200，或可移动第一装置100及第二装置200两者。
因此，如图13所例示，第一装置100与第二装置200之间的空间可由DEHT300填充。此处，整体空间可由DEHT300填充，或空间的仅一部分可由DEHT300填充。
根据本发明的又一实施例，安装单元10可允许第一装置100及第二装置200彼此接触，且在第一装置100与第二装置200之间的接触部分的边缘上提供DEHT300，以允许DEHT300得以吸收、粘贴或芯吸于第一装置100与第二装置200之间的边界上。
图14至15为用于解释根据本发明的又一实施例的安装装置的工艺的视图。
根据实施例，如图14所例示，安装单元10可使第一装置100及第二装置200彼此接触，且随后在第一装置100与第二装置200之间的接触部分上提供DEHT300。
例如，安装单元10可将DEHT300的液滴滴落于第一装置100与第二装置200之间的接触部分的边缘上，以在接触部分上提供DEHT300。根据实施例，DEHT300可提供至接触部分的边缘上的多个点。
因此，如图15所例示，因为DEHT300通过毛细管现象吸收于第一装置100与第二装置200之间的边界上，所以DEHT300可填充至第一装置100与第二装置200之间的空间的整体或一部分中。
转移单元20可将彼此附接的第一装置100及第二装置200转移穿过上述安装工艺至处理单元30。转移单元20可包括机器人或运送机，该机器人或运送机安置在安装单元10与处理单元30之间以运载第一装置100及第二装置200，但本发明不限于此。例如，用于转移装置的装置可根据实施例来进行多种实现。
处理单元30可处理转换装置以移除DEHT300，且随后将装置彼此固定，进而完成封装工艺。
根据本发明的实施例，处理单元30可包括装置处理设备，该装置处理设备热处理通过使用DEHT300彼此附接的第一装置100及第二装置200，以移除DEHT300且随后将第一装置100及第二装置200彼此固定。
图16为根据本发明的实施例的装置处理设备301的视图。
参考图16，根据实施例，装置处理设备301可包括工艺腔室31、装置支撑件32及加热器33。
工艺腔室31可提供其中进行装置处理工艺的空间。装置支撑件32可安置于工艺腔室31内以支撑彼此附接的第一装置100及第二装置200。加热器33可加热彼此附接的第一装置100及第二装置200。
根据本发明的实施例，处理单元30可在第一温度下预热彼此附接的第一装置100及第二装置200以移除DEHT300，在大于第一温度的第二温度下加热第一装置100及第二装置200以熔融安置于第一装置100及第二装置200之间的接触部分上的粘结材料，且在小于第二温度的第三温度下冷却第一装置100及第二装置200以固化粘结材料110。
图17为用于解释根据本发明的实施例的移除DEHT300的工艺的视图。
参考图17，处理单元30可在第一温度T1下预热装置，以在装置彼此粘结的前移除安置于装置之间的DEHT300。为此，加热器33可在第一温度T1下预热彼此附接的第一装置100及第二装置200。
根据本实施例，第一温度T1可低于DEHT300的沸点。
特定而言，加热器33可在约180℃至约220℃的温度下预热彼此附接的第一装置100及第二装置200，以移除DEHT300。在此状况下，加热器33可在约180℃至约220℃的温度下预热彼此附接的第一装置100及第二装置200历时约60秒或更长。
根据本发明的实施例，当进行用于移除DEHT300的预热时，工艺腔室31的内压力P1可维持于大气压或小于大气压的压力。为此，装置处理设备301可包括用于控制工艺腔室31的内压力的压力控制部件35。压力控制部件35可通过使用诸如泵或压缩机的排气单元将工艺腔室31的内压力控制及维持于预定压力。
根据本发明的实施例，当进行用于移除DEHT300的预热时，可将干燥氮或含氮甲酸蒸气供应至工艺腔室31中。为此，装置处理设备301可包括诸如起泡器或酸性蒸气递送件的供应部件34，用于将工艺所需的流体供应至工艺腔室31中。流体供应部件34可经由管将流体自其中储存流体的储存容器供应至工艺腔室31中。此外，诸如阀的流速控制单元可安置于管中以控制供应流体的流动速率。
根据实施例，提供至第一装置100与第二装置200之间的边界以将第一装置100及第二装置200彼此粘结的DEHT300可经由预热相变成气体，且随后排出工艺腔室31的外。为移除DEHT300，氮气或氮及甲酸的混合气体可用作工艺流体。
在移除DEHT300之后，处理单元30可在大于第一温度T1的第二温度下加热第一装置100及第二装置200以熔融安置于第一装置100与第二装置200上之间的接触部分上的粘结材料110，且随后在小于第二温度的第三温度下冷却第一装置100及第二装置200以固化粘结材料110。
图18及19为用于解释根据本发明的实施例的将第一装置100及第二装置200彼此粘结的工艺的视图。
参考图18，处理单元30可在大于第一温度T1的第二温度T2下加热DEHT300自其移除的第一装置100及第二装置200，以熔融安置于第一装置100与第二装置200之间的接触部分上的粘结材料110。
为此，加热器33可在第二温度T2下加热第一装置100及第二装置200。因此，安置于第一装置100与第二装置200之间的例如焊锡凸块的粘结材料110可熔融来形成于第一装置100与第二装置200之间的边界上。
此处，供应部件34可将甲酸供应至工艺腔室31中。此外，压力控制部件35可将工艺腔室31的内压力P1维持于大气压或小于大气压的压力。
然后参考图19，处理单元30可在小于第二温度T2的第三温度T3下冷却第一装置100及第二装置200，以固化粘结材料110。因此，第一装置100及第二装置200可通过粘结材料110彼此固定及粘结。
此处，第二温度T2大于或等于粘结材料110的熔点，且第三温度T3可小于粘结材料110的熔点。第二温度T2及第三温度T3可根据粘结材料110的种类而改变。除如上所述的焊锡的外，粘结材料110可包括不同种类的金属、金属合金、含树脂金属及类似物。
根据本发明的另一实施例，在移除DEHT300之后，处理单元30可在小于第一温度的第四温度下、于大气压或小于大气压的压力下加热第一装置100及第二装置200，同时使第一装置100及第二装置200暴露于甲酸蒸气，以移除粘结材料110的表面上形成的杂质。
图20为用于解释根据本发明的另一实施例的在移除DEHT之后移除保留于粘结材料110上的杂质的工艺的视图。
参考图20，如图17所例示，在进行预热以移除第一装置100与第二装置200之间的DEHT300之后，处理单元30可在第四温度T4下热处理第一装置100及第二装置200，以另外进行移除粘结材料110的表面上形成的杂质的工艺，之后熔融粘结材料110。
为此，加热器330可在大于第一温度T1的第四温度T4下加热第一装置100及第二装置200。此外，流体供应部件34可将甲酸供应至工艺腔室31中。根据实施例，流体供应部件34可供应含氮甲酸蒸气。此外，压力控制部件35可将工艺腔室31的内压力P4维持于大气压或小于大气压的压力。
杂质可为形成于粘结材料110的表面上的材料。此外，当杂质与粘结材料110一起熔融时且随后包括于第一装置100与第二装置200之间的粘结部分中，杂质可为劣化装置的效能的材料。例如，当粘结材料110为金属时，杂质可为金属氧化物。
如上所述，经由移除DEHT300且熔融及固化粘结材料110而彼此固定的第一装置100及第二装置200可自装置封装设施取出以完成封装工艺。
换言的，不同于使用助熔剂将装置彼此粘结的典型封装工艺，在根据本发明的实施例使用DEHT的封装工艺中，粘结材料可经预热以于熔融粘结材料的前移除DEHT。因此，不必进行单独的清洁及干燥工艺。
因此，当与典型封装工艺的彼等者相比时，在根据本发明的实施例的封装工艺中，可减少工艺数量，可简化生产工艺，且可减小制造成本。
如上所述，封装装置可在不进行清洁及干燥工艺的情况下直接转移至检查设施以用于检查。
图21为例示根据本发明的实施例的装置封装工艺400的流程图。
装置封装工艺400可通过根据本发明的先前实施例的装置封装设施1来进行。
参考图21，装置封装工艺400可包括在第一装置100与第二装置200之间提供DEHT300以将第一装置100及第二装置200彼此附接的工艺(S410)；热处理彼此附接的第一装置100及第二装置200以移除DEHT300的工艺(S420)，以及热处理第一装置100及第二装置200以将第一装置100及第二装置200彼此固定的工艺(S430)。
第一装置100可包括以下至少一个：焊球、半导体晶片及基板，但不限于此。第二装置200可包括以下至少一个：半导体晶片及基板，但不限于此。
DEHT300可与邻苯二甲酸二甲酯(DMP)及邻苯二甲酸二异丁酯(DIBP)的至少一个一起使用。此时，用于粘结第一装置及第二装置而所使用的物质为DEHT和DMP的混合物、DEHT和DIBP的混合物，或者为DEHT和DMP和DIBP的混合物。
图22为用于解释根据本发明的实施例的安装装置的工艺的流程图。
参考图22，根据本发明的实施例，将第一装置100及第二装置200彼此附接的工艺(S410)可包括将第一装置100的突出部分110浸没于DEHT300中以将DEHT300涂覆于突出部分110的工艺(S411)，及移动第一装置100及第二装置200的至少一个以允许突出部分110接触第二装置200的工艺(412)。
图23为用于解释根据本发明的另一实施例的安装装置的工艺的流程图。
参考图23，根据本发明的另一实施例，将第一装置100及第二装置200彼此附接的工艺(S410)可包括将DEHT300涂覆于第一装置100及第二装置200的至少一个的工艺(S413)，及移动第一装置100及第二装置200的至少一个以允许第一装置100及第二装置200于涂布有DEHT300的部分上彼此接触的工艺(S414)。
图24为用于解释根据本发明的又一实施例的安装装置的工艺的流程图。
参考图24，根据又一实施例，将第一装置100及第二装置200彼此附接的工艺(S410)可包括将由DEHT300形成的薄膜提供至第一装置100及第二装置200的至少一个的工艺(S415)，及移动第一装置100及第二装置200的至少一个以允许第一装置100及第二装置200于提供薄膜的部分上彼此接触的工艺(S416)。
图25为用于解释根据本发明的又一实施例的安装装置的工艺的流程图。
参考图25，根据本发明的另一实施例，将第一装置100及第二装置220彼此附接的工艺(S410)可包括允许第一装置100及第二装置200彼此接触的工艺(S417)，及将DEHT300提供至第一装置100与第二装置200之间的接触部分的边缘以允许DEHT300吸收于第一装置100与第二装置200之间的边界上的工艺(S418)。
根据本发明的实施例，移除DEHT300的工艺(S420)可包括在第一温度T1下预热彼此附接的第一装置100及第二装置200以移除DEHT300的工艺。
根据本发明的实施例，将第一装置100及第二装置200彼此固定的工艺(S430)可包括在大于第一温度T1的第二温度T2下加热第一装置100及第二装置200以熔融安置于第一装置100及第二装置200之间的接触部分上的粘结材料110的工艺，及在小于第二温度T2的第三温度T3下冷却第一装置100及第二装置200以固化粘结材料110的工艺。
第一温度T1可低于DEHT300的沸点。
第二温度T2大于或等于粘结材料110的熔点，且第三温度T3可小于粘结材料110的熔点。
根据本发明的实施例，移除DEHT300的工艺(S420)可包括在约180℃至约220℃的温度下预热彼此附接的第一装置100及第二装置200的工艺。
根据实施例，预热第一装置100及第二装置200的工艺可包括在约180℃至约220℃的温度下预热第一装置100及第二装置200历时约60秒或更长的工艺。
根据本发明的实施例，移除DEHT300的工艺(S420)可包括在大气压或小于大气压的压力下预热彼此附接的第一装置100及第二装置200的工艺。
根据本发明的实施例，移除DEHT300的工艺(S420)可包括在第一温度T1下预热彼此附接的第一装置100及第二装置200，同时将第一装置100及第二装置200暴露于氮或含氮甲酸蒸气的工艺。
根据实施例，装置封装工艺400可进一步包括以下工艺：在移除DEHT300的工艺(S42)之后，在大于第一温度T1的第四温度T4下、于大气压或小于大气压的压力下加热第一装置100及第二装置200，同时将第一装置100及第二装置200暴露于氮或含氮甲酸蒸气以移除粘结材料110的表面上形成的杂质。
经由上述工艺彼此固定的第一装置及第二装置可自装置封装设施1取出以完成封装。封装装置可在不进行清洁及干燥工艺的情况下直接转移至检查设施中以用于检查。
发明人根据前述所述的本发明的实施例，在装置上涂覆DEHT之后，通过实施回流工艺的试验方法，来确认了装置上是否残留DEHT的残留物。
如图26所示，将DEHT液滴滴入具备铜焊盘的硅晶圆试件上，然后实施了回流工艺。为了装置的粘附，使用了比通常而言更多量的DEHT涂覆于晶圆试件上。
图27为图26之硅晶圆试件的回流工艺之后，以30倍的倍率观察试件的SEM影像，图28为图26之硅晶圆试件的回流工艺之后，以350倍的倍率观察铜焊盘的SEM影像，图29为图26之硅晶圆试件的回流工艺之后，以1500倍的倍率观察铜焊盘面的SEM影像。另外，图30为未涂覆DEHT的硅晶圆试件的回流工艺之后，以1500倍的倍率观察铜焊盘面的SEM影像。
通过比较图29及图30而可确认，涂覆有DEHT而实施回流工艺的铜焊盘的表面和未涂覆DEHT而实施回流工艺的铜焊盘的表面并不存在差异。
同样，发明人如同图31，将DEHT液滴滴入具备聚酰亚胺PCB试件上，然后实施了回流工艺。此实验业为了装置的粘附，使用了比通常而言更多量的DEHT涂覆于PCB试件上。
图32为图31之PCB试件的回流工艺之后，以30倍的倍率观察试件的SEM影像，图33为未涂覆DEHT的PCB试件的回流工艺之后，以30倍的倍率观察试件的SEM影像。
图34为图31之PCB试件的回流工艺之后，以350倍的倍率观察铜焊盘的SEM影像，图35为未涂覆DEHT的PCB试件的回流工艺之后，以350倍的倍率观察铜焊盘的SEM影像。
图36为图31之PCB试件的回流工艺之后，以1000倍的倍率观察铜焊盘面的SEM影像，图37为未涂覆DEHT的PCB试件的回流工艺之后，以1000倍的倍率观察铜焊盘面的SEM影像。
图38为图31之PCB试件的回流工艺之后，以5000倍的倍率观察PCB钝化层的SEM影像，图39为未涂覆DEHT的PCB试件的回流工艺之后，以5000倍的倍率观察PCB钝化层的SEM影像。
通过比较各个倍率的SEM影像，可确认涂覆有DEHT的PCB试件与未涂覆DEHT的PCB试件，在实施回流工艺之后并不存在差异。
通过上述实验结果，可得知，DEHT经回流工艺之后，将全部被装置消除，不会留下残留物。
另外，发明人利用DEHT将晶片粘附于基板上，然后实施回流工艺之后，将晶片从基板上剥离掉，以此观察晶片与基板之间的接合以及DEHT的残留物。
图40为回流工艺之后将利用DEHT粘附的晶片剥离后的基板的影像。如图40的影像所示，粘附DEHT并被处理的晶片与基板之间所接合的形状较好，且能够确认基板上并未留下DEHT的残留物。
另外，发明人为了确认DEHT的粘着强度，在铜包钢(Cu-clad)晶圆试件上涂覆DEHT薄膜且粘附250um尺寸的LFS(lead free sloder)球，然后将晶圆试件摇晃且朝向垂直方向倾斜。
图41为利用DEHT薄膜将焊球刚刚粘附于铜包钢(Cu-clad)晶圆试件之后的影像，图42为将图41之晶圆试件摇晃且朝向垂直方向倾斜之后的影像。
通过比较图41及图42可确认，利用DEHT粘附的焊球即使晶圆试件动作其位置也不会发生变化。另外，如图43所示，晶圆试件的回流工艺之后，焊球的位置也并未发生变化。
为了确认DEHT的粘着强度，发明人又做了一个实验，在铜包钢晶圆试件上涂覆DEHT薄膜且粘附250um尺寸的焊球，然后将晶圆试件放到车后备箱之后，车辆行驶若干天的时程。此试验模拟了半导体制造过程中将产品移动至车辆的状况。
图44为利用DEHT薄膜将焊球粘附于铜包钢晶圆试件的影像，图45为图44之晶圆试件的移动试验之后的影像。
通过比较图44及图45可确认，利用DEHT粘附的焊球在移动测试之后也并未发生动作变化。
最后，发明人在具备铜焊盘的晶圆试件上涂覆DEHT薄膜并将焊球随机地抛撒并粘结之后实施了回流工艺。
图46为在具备铜焊盘的晶圆试件上涂覆DEHT薄膜且将焊球随机地抛撒于其上的影像，图47为图46之晶圆试件的回流工艺之后的影像，图48为图46之晶圆试件的回流工艺之后固定于铜焊盘的焊球的表面的影像。
通过对比图46及图47，可确认，临近于铜焊盘的中心所粘附的焊球(参照图46之红色圆圈)在回流工艺之后，在焊盘上形成自我排列并被固定(参照图47之红色圆圈)。另外，回流工艺之后，晶圆试件上并未留有DEHT残留物，如图48所示，铜焊盘的表面也平滑、闪亮且呈圆形状。
经由其中DEHT用于在回流工艺中附接装置的上述试验，经确认，装置彼此充分粘结，在检查的前无需单独清洁及干燥工艺来移除粘着残余物。因此，根据先前实施例，当与使用典型助熔剂的回流工艺相比时，工艺的数量可得以减少，以改良生产力且消除对人体、仪器及环境的有害影响。
已在以上参考实施例描述本发明，但此仅描述例如本发明的技术观点，且因此不限于该等实施例。应了解，本发明的各种实施例可由本领域技术人员设想。本发明的范畴将仅取决于所附的权利要求。

Claims (37)

1.一种装置封装设施，其包含：
一安装单元，其在第一装置与第二装置之间提供双(2-乙基己基)对苯二酸(bis(2-ethylhexyl)terephthalate)以将该双(2-乙基己基)对苯二酸附接到第一装置及该第二装置；
一处理单元，其热处理附接到该双(2-乙基己基)对苯二酸的该第一装置及该第二装置，以移除该双(2-乙基己基)对苯二酸且将该第一装置及该第二装置彼此固定；以及
一转移单元，其将附接到该双(2-乙基己基)对苯二酸的该第一装置及该第二装置自该安装单元转移至该处理单元。
2.如权利要求1的装置封装设施，其中，
该第一装置包含一焊球及一基板中的至少一个，且
该第二装置包含该基板。
3.如权利要求1的装置封装设施，其中，
该安装单元将该第一装置的一突出部分浸没于双(2-乙基己基)对苯二酸中以将该双(2-乙基己基)对苯二酸涂覆于该突出部分，且移动该第一装置及该第二装置的至少一个以允许该突出部分接触该第二装置。
4.如权利要求1的装置封装设施，其中，
该安装单元将该双(2-乙基己基)对苯二酸涂覆于该第一装置及该第二装置的至少一个，且移动该第一装置及该第二装置的至少一个以允许该第一装置及该第二装置于涂布有该双(2-乙基己基)对苯二酸的部分上彼此接触。
5.如权利要求1的装置封装设施，其中，
该安装单元提供将由该双(2-乙基己基)对苯二酸形成的一薄膜提供至该第一装置及该第二装置的至少一个，且移动该第一装置及该第二装置的至少一个以允许该第一装置及该第二装置于提供了该薄膜的部分上彼此接触。
6.如权利要求1的装置封装设施，其中，
该安装单元使该第一装置及该第二装置彼此接触，且提供该双(2-乙基己基)对苯二酸至该第一装置与该第二装置之间的一接触部分的一边缘，以允许该双(2-乙基己基)对苯二酸得以吸收于该第一装置与该第二装置之间的一边界上。
7.如权利要求1的装置封装设施，其中，
该处理单元在一第一温度下预热附接到该双(2-乙基己基)对苯二酸的该第一装置及该第二装置以移除该双(2-乙基己基)对苯二酸，在大于该第一温度的一第二温度下加热该第一装置及该第二装置以熔融安置于该第一装置与该第二装置之间的一接触部分上的一粘结材料，且在小于该第二温度的一第三温度下冷却该第一装置及该第二装置以固化该粘结材料。
8.如权利要求7的装置封装设施，其中，
该第一温度低于该双(2-乙基己基)对苯二酸的一沸点，
该第二温度大于或等于该粘结材料的一熔点，且该第三温度小于该粘结材料的该熔点。
9.如权利要求7的装置封装设施，其中，
该处理单元在180℃至220℃的一温度下预热附接到该双(2-乙基己基)对苯二酸的该第一装置及该第二装置以移除该双(2-乙基己基)对苯二酸。
10.如权利要求9的装置封装设施，其中，
该处理单元在180℃至220℃的一温度下预热附接到该双(2-乙基己基)对苯二酸的该第一装置及该第二装置历时60秒或更长以移除该双(2-乙基己基)对苯二酸。
11.如权利要求7的装置封装设施，其中，
该处理单元在一大气压或小于该大气压的一压力下预热附接到该双(2-乙基己基)对苯二酸的该第一装置及该第二装置以移除该双(2-乙基己基)对苯二酸。
12.如权利要求7的装置封装设施，其中，
该处理单元在该第一温度下预热附接到该双(2-乙基己基)对苯二酸的该第一装置及该第二装置，同时使该第一装置及该第二装置暴露于氮或含氮甲酸蒸气以移除该双(2-乙基己基)对苯二酸。
13.如权利要求12的装置封装设施，其中，
在移除该双(2-乙基己基)对苯二酸之后，该处理单元在大于该第一温度的一第四温度下、于一大气压或小于该大气压的一压力下加热该第一装置及该第二装置，同时使该第一装置及该第二装置暴露于含氮甲酸蒸气以移除粘结材料的一表面上形成的杂质。
14.如权利要求1的装置封装设施，其中，
将彼此固定的该第一装置及该第二装置自该装置封装设施取出且转移至一检查设施。
15.一种装置封装方法，该装置封装方法包含以下步骤：
在第一装置与第二装置之间提供双(2-乙基己基)对苯二酸(bis(2-ethylhexyl)terephthalate)以将该双(2-乙基己基)对苯二酸附接到该第一装置及该第二装置；
热处理附接到该双(2-乙基己基)对苯二酸的该第一装置及该第二装置，以移除该双(2-乙基己基)对苯二酸；以及
热处理该第一装置及该第二装置以将该第一装置及该第二装置彼此固定。
16.如权利要求15的装置封装方法，其中，
该第一装置包含一焊球及一基板中的至少一个，且
该第二装置包含该基板。
17.如权利要求15的装置封装方法，其中，
该第一装置及该第二装置的该附接包含：
将该第一装置的一突出部分浸没于该双(2-乙基己基)对苯二酸中以将该双(2-乙基己基)对苯二酸涂覆于该突出部分；以及
移动该第一装置及该第二装置的至少一个以允许该突出部分接触该第二装置。
18.如权利要求15的装置封装方法，其中，
该第一装置及该第二装置的该附接包含：
将该双(2-乙基己基)对苯二酸涂覆于该第一装置及该第二装置的至少一个；以及
移动该第一装置及该第二装置的至少一个以允许该第一装置及该第二装置于涂布有该双(2-乙基己基)对苯二酸的部分上彼此接触。
19.如权利要求15的装置封装方法，其中，
该第一装置及该第二装置的该附接包含：
将由该双(2-乙基己基)对苯二酸形成的一薄膜提供至该第一装置及该第二装置的至少一个；以及
移动该第一装置及该第二装置的至少一个以允许该第一装置及该第二装置于提供了该薄膜的部分上彼此接触。
20.如权利要求15的装置封装方法，其中，
该第一装置及该第二装置的该附接包含：
使该第一装置及该第二装置彼此接触；以及
提供该双(2-乙基己基)对苯二酸至该第一装置与该第二装置之间的一接触部分的一边缘，以允许该双(2-乙基己基)对苯二酸得以吸收于该第一装置与该第二装置之间的一边界上。
21.如权利要求15的装置封装方法，其中，
该双(2-乙基己基)对苯二酸的该移除包含在一第一温度下预热附接到该双(2-乙基己基)对苯二酸的该第一装置及该第二装置以移除该双(2-乙基己基)对苯二酸，以及该第一装置及该第二装置的该固定包含：
在大于该第一温度的一第二温度下加热该第一装置及该第二装置，以熔融安置于该第一装置与该第二装置上的一粘结材料；以及
在小于该第二温度的一第三温度下冷却该第一装置及该第二装置以固化该粘结材料。
22.如权利要求21的装置封装方法，其中，
该第一温度低于该双(2-乙基己基)对苯二酸的一沸点，
该第二温度大于或等于该粘结材料的一熔点，且
该第三温度小于该粘结材料的该熔点。
23.如权利要求21的装置封装方法，其中，
该双(2-乙基己基)对苯二酸的该移除包括在180℃至220℃的一温度下预热附接到该双(2-乙基己基)对苯二酸的该第一装置及该第二装置。
24.如权利要求23的装置封装方法，其中，
该第一装置及该第二装置的该预热包含在180℃至220℃的该温度下预热附接到该双(2-乙基己基)对苯二酸的该第一装置及该第二装置历时60秒。
25.如权利要求21的装置封装方法，其中，
该双(2-乙基己基)对苯二酸的该移除包含在一大气压或小于该大气压的一压力下预热附接到该双(2-乙基己基)对苯二酸的该第一装置及该第二装置。
26.如权利要求21的装置封装方法，其中，
该双(2-乙基己基)对苯二酸的该移除包含在该第一温度下预热附接到该双(2-乙基己基)对苯二酸的该第一装置及该第二装置，同时使该第一装置及该第二装置暴露于氮或含氮甲酸蒸气。
27.如权利要求26的装置封装方法，其进一步包含在该双(2-乙基己基)对苯二酸的该移除之后，在大于该第一温度的一第四温度下、于一大气压或小于该大气压的一压力下加热该第一装置及该第二装置，同时使该第一装置及该第二装置暴露于含氮甲酸蒸气以移除该粘结材料的一表面上形成的杂质。
28.如权利要求15的装置封装方法，其中，
将彼此固定的该第一装置及该第二装置自装置封装设施取出且通过一检查设施检查。
29.一种装置处理设备，其包含：
一工艺腔室，其中对附接到双(2-乙基己基)对苯二酸(bis(2-ethylhexyl)terephthalate)的第一装置及第二装置进行热处理以移除该双(2-乙基己基)对苯二酸的一工艺，及将该第一装置固定至该第二装置的一工艺；
一装置支撑件，其安置于该工艺腔室内以支撑附接到该双(2-乙基己基)对苯二酸的该第一装置及该第二装置；以及
一加热器，其加热附接到该双(2-乙基己基)对苯二酸的该第一装置及该第二装置。
30.如权利要求29的装置处理设备，其中，
该第一装置包含一焊球及一基板中的至少一个，且
该第二装置包含该基板。
31.如权利要求29的装置处理设备，其中，
该加热器在一第一温度下预热附接到该双(2-乙基己基)对苯二酸的该第一装置及该第二装置以移除该双(2-乙基己基)对苯二酸，在大于该第一温度的一第二温度下加热该第一装置及该第二装置以熔融安置于该第一装置与该第二装置之间的一接触部分上的一粘结材料，
且在小于该第二温度的一第三温度下冷却该第一装置及该第二装置以固化该粘结材料。
32.如权利要求31的装置处理设备，其中，
该第一温度低于该双(2-乙基己基)对苯二酸的一沸点，
该第二温度大于或等于该粘结材料的一熔点，且
该第三温度小于该粘结材料的该熔点。
33.如权利要求31的装置处理设备，其中，
该加热器在180℃至220℃的一温度下预热附接到该双(2-乙基己基)对苯二酸的该第一装置及该第二装置以移除该双(2-乙基己基)对苯二酸。
34.如权利要求33的装置处理设备，其中，
该加热器在180℃至220℃的一温度下预热附接到该双(2-乙基己基)对苯二酸的该第一装置及该第二装置历时60秒或更长以移除该双(2-乙基己基)对苯二酸。
35.如权利要求31的装置处理设备，其进一步包含一压力控制部件，其用于在进行该预热时使该工艺腔室的一内压维持于一大气压或小于该大气压的一压力。
36.如权利要求31的装置处理设备，其进一步包含一流体供应部件，其用于在进行该预热时将氮或含氮甲酸蒸气供应至该工艺腔室中。
37.如权利要求36的装置处理设备，其中，
该流体供应部件在该预热之后将该含氮甲酸蒸气供应至该工艺腔室中，且
该加热器在大于该第一温度的一第四温度下加热该第一装置及该第二装置，以移除形成于该粘结材料的一表面上的杂质。
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