JPH09205095A - バンプ形成方法、バンプ転写シート及び半導体装置 - Google Patents
バンプ形成方法、バンプ転写シート及び半導体装置Info
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- JPH09205095A JPH09205095A JP8029846A JP2984696A JPH09205095A JP H09205095 A JPH09205095 A JP H09205095A JP 8029846 A JP8029846 A JP 8029846A JP 2984696 A JP2984696 A JP 2984696A JP H09205095 A JPH09205095 A JP H09205095A
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- bumps
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、バンプ形成方法、バンプ転写シート
及び半導体装置について、バンプの形成工程における作
業時間を大幅に短縮し得るようにする。 【解決手段】本発明は、基材に各バンプ形成位置にそれ
ぞれ対応させてバンプを配置し、各バンプ上及び又は各
バンプ形成位置上に導電性接着剤を供給し、各バンプと
それぞれ対応するバンプ形成位置とを導電性接着剤を介
して位置決めし、導電性接着剤を固化させて各バンプを
それぞれ対応するバンプ形成位置に固着させ、バンプか
ら基材を引き離すことにより、バンプの形成工程を簡易
にし得る。また本発明は、基材の一面に各バンプを配置
し、各バンプ上に導電性接着剤を供給することにより、
各バンプ形成位置にそれぞれバンプを一括形成し得る。
さらに本発明は、各電極とそれぞれ対応するバンプとを
導電性接着剤によつて固着させることにより、電極とバ
ンプとを容易に固着させることができる。
及び半導体装置について、バンプの形成工程における作
業時間を大幅に短縮し得るようにする。 【解決手段】本発明は、基材に各バンプ形成位置にそれ
ぞれ対応させてバンプを配置し、各バンプ上及び又は各
バンプ形成位置上に導電性接着剤を供給し、各バンプと
それぞれ対応するバンプ形成位置とを導電性接着剤を介
して位置決めし、導電性接着剤を固化させて各バンプを
それぞれ対応するバンプ形成位置に固着させ、バンプか
ら基材を引き離すことにより、バンプの形成工程を簡易
にし得る。また本発明は、基材の一面に各バンプを配置
し、各バンプ上に導電性接着剤を供給することにより、
各バンプ形成位置にそれぞれバンプを一括形成し得る。
さらに本発明は、各電極とそれぞれ対応するバンプとを
導電性接着剤によつて固着させることにより、電極とバ
ンプとを容易に固着させることができる。
Description
【0001】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 発明の属する技術分野 従来の技術 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段(図1〜図18) 発明の実施の形態(図1〜図18) 発明の効果
【0002】
【発明の属する技術分野】本発明はバンプ形成方法、バ
ンプ転写シート及び半導体装置に関し、例えばバンプ形
成対象物に形成された複数のバンプ形成位置上に突起電
極(いわゆる、バンプ)を形成する際のバンプ形成方
法、当該バンプを形成する際に用いるバンプ転写シート
及びバンプ形成方法によつてバンプが形成されてなる半
導体装置に適用して好適なものである。
ンプ転写シート及び半導体装置に関し、例えばバンプ形
成対象物に形成された複数のバンプ形成位置上に突起電
極(いわゆる、バンプ)を形成する際のバンプ形成方
法、当該バンプを形成する際に用いるバンプ転写シート
及びバンプ形成方法によつてバンプが形成されてなる半
導体装置に適用して好適なものである。
【0003】
【従来の技術】従来、この種のバンプ形成方法において
は、バンプ形成対象物として、例えばIC(Integrated
Circuit)チツプに応じた回路(以下、これをIC回路
と呼ぶ)が複数形成されたウエハでは、以下の手順によ
り各IC回路に形成された複数の外部電極(パツド)上
にそれぞれバンプを形成するようになされている。
は、バンプ形成対象物として、例えばIC(Integrated
Circuit)チツプに応じた回路(以下、これをIC回路
と呼ぶ)が複数形成されたウエハでは、以下の手順によ
り各IC回路に形成された複数の外部電極(パツド)上
にそれぞれバンプを形成するようになされている。
【0004】すなわち、まずウエハの一面に形成された
各IC回路のアルミニウム等でなる各パツドの周端部を
パツシベーシヨン膜で覆い電気的に保護する。次いで、
ウエハの一面にポジ型又はネガ型のフオトレジスト膜を
積層形成し、当該フオトレジスト膜を各パツドに応じて
露光した後、現像して各パツドを露出させる。続いて、
ウエハをスパツタ装置に装填し、スパツタ法によつて当
該ウエハの一面にパツドとバンプとの密着性を向上し得
るBLM(Ball Limiting Metal )膜層を積層形成す
る。
各IC回路のアルミニウム等でなる各パツドの周端部を
パツシベーシヨン膜で覆い電気的に保護する。次いで、
ウエハの一面にポジ型又はネガ型のフオトレジスト膜を
積層形成し、当該フオトレジスト膜を各パツドに応じて
露光した後、現像して各パツドを露出させる。続いて、
ウエハをスパツタ装置に装填し、スパツタ法によつて当
該ウエハの一面にパツドとバンプとの密着性を向上し得
るBLM(Ball Limiting Metal )膜層を積層形成す
る。
【0005】なお、このBLM膜層は、クロム(Cr)
等でなる接着層と銅(Cu )等でなるバリアメタル層
(又はバリアー層)とが順次積層形成されてなり、中間
金属層又はCr/Cu/Auとも呼ばれている。
等でなる接着層と銅(Cu )等でなるバリアメタル層
(又はバリアー層)とが順次積層形成されてなり、中間
金属層又はCr/Cu/Auとも呼ばれている。
【0006】この後、ウエハの一面に形成されたフオト
レジスト膜を剥離すると共に、当該フオトレジスト膜上
に積層形成されたBLM膜層を除去する。これにより、
ウエハの各パツド上にはそれぞれBLM膜層が積層形成
される。
レジスト膜を剥離すると共に、当該フオトレジスト膜上
に積層形成されたBLM膜層を除去する。これにより、
ウエハの各パツド上にはそれぞれBLM膜層が積層形成
される。
【0007】次いで、ウエハの一面に再びフオトレジス
ト膜を積層形成し、当該フオトレジスト膜を各BLM膜
層に応じて露光した後、現像して各BLM膜層を露出さ
せる。この後、メツキ法、蒸着法又は印刷法(印刷法の
場合には、フオトレジスト膜に代えて各BLM膜層にそ
れぞれ応じた開口部を有するメタルマスクを用いる)の
手法によつてウエハの一面にバンプ材料を積層形成す
る。この後、ウエハの一面に積層形成されたフオトレジ
スト膜を剥離すると共に、当該フオトレジスト膜上に積
層形成されたバンプ材料を除去する。これにより、各B
LM膜層上にはそれぞれバンプ材料が積層形成される。
ト膜を積層形成し、当該フオトレジスト膜を各BLM膜
層に応じて露光した後、現像して各BLM膜層を露出さ
せる。この後、メツキ法、蒸着法又は印刷法(印刷法の
場合には、フオトレジスト膜に代えて各BLM膜層にそ
れぞれ応じた開口部を有するメタルマスクを用いる)の
手法によつてウエハの一面にバンプ材料を積層形成す
る。この後、ウエハの一面に積層形成されたフオトレジ
スト膜を剥離すると共に、当該フオトレジスト膜上に積
層形成されたバンプ材料を除去する。これにより、各B
LM膜層上にはそれぞれバンプ材料が積層形成される。
【0008】なお、このバンプ材料は、鉛及び錫が順次
積層形成されてなり、当該バンプ材料の重量全体を 100
〔%〕とした場合、鉛の重量が90〜98〔%〕の任意の割
合となるように予め選定されていると共に、錫の重量が
鉛の重量に応じて10〜 2〔%〕の任意の割合となるよう
に予め選定されている。
積層形成されてなり、当該バンプ材料の重量全体を 100
〔%〕とした場合、鉛の重量が90〜98〔%〕の任意の割
合となるように予め選定されていると共に、錫の重量が
鉛の重量に応じて10〜 2〔%〕の任意の割合となるよう
に予め選定されている。
【0009】続いて、ウエハの一面に所定の塗布手段に
よつてフラツクスを塗布する。この後、リフロー炉内の
窒素雰囲気中においてウエハを所定の温度で加熱し、バ
ンプ材料の鉛及び錫を溶融させることにより、これら鉛
と錫とを合成させてはんだを形成する。このときはんだ
は、溶融された状態における表面張力とフラツクスの作
用とによつて球状にまとまる。かくしてウエハに形成さ
れた各IC回路の各パツド上にそれぞれBLM膜層を介
して球形状のはんだでなるバンプを形成し得る。
よつてフラツクスを塗布する。この後、リフロー炉内の
窒素雰囲気中においてウエハを所定の温度で加熱し、バ
ンプ材料の鉛及び錫を溶融させることにより、これら鉛
と錫とを合成させてはんだを形成する。このときはんだ
は、溶融された状態における表面張力とフラツクスの作
用とによつて球状にまとまる。かくしてウエハに形成さ
れた各IC回路の各パツド上にそれぞれBLM膜層を介
して球形状のはんだでなるバンプを形成し得る。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】ところでこのようなバ
ンプ形成方法においては、まず、ウエハの各パツド上に
それぞれBLM膜層を積層形成する場合(以下、これを
BLM膜層形成工程と呼ぶ)には、上述したようにフオ
トレジスト膜の形成工程及び当該フオトレジスト膜の剥
離工程が必要である。また、スパツタ装置に1回で装填
し得るウエハは3〜5枚程度である。このため、BLM
膜層形成工程では、当該工程が煩雑になり多大な作業時
間が必要となる問題があつた。
ンプ形成方法においては、まず、ウエハの各パツド上に
それぞれBLM膜層を積層形成する場合(以下、これを
BLM膜層形成工程と呼ぶ)には、上述したようにフオ
トレジスト膜の形成工程及び当該フオトレジスト膜の剥
離工程が必要である。また、スパツタ装置に1回で装填
し得るウエハは3〜5枚程度である。このため、BLM
膜層形成工程では、当該工程が煩雑になり多大な作業時
間が必要となる問題があつた。
【0011】また、フオトレジスト膜の剥離工程におい
ては、フオトレジスト膜と共に、ウエハの一面に積層形
成されたBLM膜層の重量全体に対する99〔%〕以上の
BLM膜層が除去されている。従つて、ウエハの一面に
積層形成されたBLM膜層に用いられている複数種類の
金属材料のそのほとんどを無駄にしており、コストが増
大する問題があつた。
ては、フオトレジスト膜と共に、ウエハの一面に積層形
成されたBLM膜層の重量全体に対する99〔%〕以上の
BLM膜層が除去されている。従つて、ウエハの一面に
積層形成されたBLM膜層に用いられている複数種類の
金属材料のそのほとんどを無駄にしており、コストが増
大する問題があつた。
【0012】さらに、BLM膜層に用いられているクロ
ムは、人体に有害な金属材料である。また、ウエハの一
面からフオトレジスト膜を剥離する場合、人体に有害な
強アルカリ溶液及び有機溶剤が用いられている。このた
め、BLM膜層形成工程では、作業者が安全に作業し得
る作業環境及び何らかの設備が必要になると共に、強ア
ルカリ溶液及び有機溶剤の廃液を安全に処理し得る廃液
処理設備が必要となり、設備が煩雑になる問題があつ
た。
ムは、人体に有害な金属材料である。また、ウエハの一
面からフオトレジスト膜を剥離する場合、人体に有害な
強アルカリ溶液及び有機溶剤が用いられている。このた
め、BLM膜層形成工程では、作業者が安全に作業し得
る作業環境及び何らかの設備が必要になると共に、強ア
ルカリ溶液及び有機溶剤の廃液を安全に処理し得る廃液
処理設備が必要となり、設備が煩雑になる問題があつ
た。
【0013】さらに、フオトレジスト膜の剥離工程にお
いて、当該フオトレジスト膜が完全に剥離されずにパツ
シベーシヨン膜上に僅かに残る場合がある。このよう
に、パツシベーシヨン膜上フオトレジスト膜が残つた状
態において、この後各BLM膜層上にそれぞれバンプ材
料を形成し、これら各バンプ材料をリフローすると、当
該残つたフオトレジストがパツシベーシヨン膜上に焦げ
つく問題があつた。
いて、当該フオトレジスト膜が完全に剥離されずにパツ
シベーシヨン膜上に僅かに残る場合がある。このよう
に、パツシベーシヨン膜上フオトレジスト膜が残つた状
態において、この後各BLM膜層上にそれぞれバンプ材
料を形成し、これら各バンプ材料をリフローすると、当
該残つたフオトレジストがパツシベーシヨン膜上に焦げ
つく問題があつた。
【0014】一方、このバンプ形成方法においては、各
BLM膜層上にそれぞれバンプ材料を積層形成する場合
(以下、これをバンプ材料形成工程と呼ぶ)には、上述
したBLM膜層形成工程の場合と同様に、フオトレジス
ト膜(又は、メタルマスク)の形成工程及び当該フオト
レジスト膜(又は、メタルマスク)の剥離工程が必要で
ある。従つて、バンプ材料形成工程では工程が煩雑にな
る問題があつた。
BLM膜層上にそれぞれバンプ材料を積層形成する場合
(以下、これをバンプ材料形成工程と呼ぶ)には、上述
したBLM膜層形成工程の場合と同様に、フオトレジス
ト膜(又は、メタルマスク)の形成工程及び当該フオト
レジスト膜(又は、メタルマスク)の剥離工程が必要で
ある。従つて、バンプ材料形成工程では工程が煩雑にな
る問題があつた。
【0015】また、バンプ材料形成工程のフオトレジス
ト膜(又は、メタルマスク)の剥離工程においては、上
述したBLM膜層形成工程の場合と同様に、フオトレジ
スト膜と共に、ウエハの一面に積層形成されたバンプ材
料の重量全体に対する99〔%〕以上のバンプ材料が除去
される。このため、ウエハの一面に積層形成されたバン
プ材料(すなわち、鉛及び錫)のそのほとんどを無駄に
しており、コストが増大する問題があつた。
ト膜(又は、メタルマスク)の剥離工程においては、上
述したBLM膜層形成工程の場合と同様に、フオトレジ
スト膜と共に、ウエハの一面に積層形成されたバンプ材
料の重量全体に対する99〔%〕以上のバンプ材料が除去
される。このため、ウエハの一面に積層形成されたバン
プ材料(すなわち、鉛及び錫)のそのほとんどを無駄に
しており、コストが増大する問題があつた。
【0016】さらに、バンプ材料形成工程のフオトレジ
スト膜の剥離工程において、当該フオトレジスト膜が完
全に剥離されずにパツシベーシヨン膜上に僅かに残る場
合がある。このように、パツシベーシヨン膜上にフオト
レジスト膜が残つた状態でバンプ材料をリフローする
と、当該残つたフオトレジストがパツシベーシヨン膜上
に焦げつく問題があつた。
スト膜の剥離工程において、当該フオトレジスト膜が完
全に剥離されずにパツシベーシヨン膜上に僅かに残る場
合がある。このように、パツシベーシヨン膜上にフオト
レジスト膜が残つた状態でバンプ材料をリフローする
と、当該残つたフオトレジストがパツシベーシヨン膜上
に焦げつく問題があつた。
【0017】ところで、バンプ材料形成工程においてメ
ツキ法を適用した場合には、ウエハのメツキ処理におい
て人体に有害な酸溶液、アルカリ溶液及び有機溶剤等が
用いられている。従つて、この場合にも作業者が安全に
作業し得る作業環境及び何らかの設備が必要になると共
に、酸溶液、アルカリ溶液及び有機溶剤等の廃液を安全
に処理する廃液処理設備が必要となり、バンプ材料形成
工程の設備が煩雑になる問題があつた。
ツキ法を適用した場合には、ウエハのメツキ処理におい
て人体に有害な酸溶液、アルカリ溶液及び有機溶剤等が
用いられている。従つて、この場合にも作業者が安全に
作業し得る作業環境及び何らかの設備が必要になると共
に、酸溶液、アルカリ溶液及び有機溶剤等の廃液を安全
に処理する廃液処理設備が必要となり、バンプ材料形成
工程の設備が煩雑になる問題があつた。
【0018】また、このバンプ材料形成工程において
は、ウエハをメツキ処理する場合、当該ウエハの一面に
予め形成されたフオトレジスト膜による凹凸が形成され
ている。ところが、このメツキ処理ではメツキ電流の分
布がウエハの一面の形状に左右され、当該メツキ電流が
不均一になる場合がある。従つて、このメツキ処理にお
いては、ウエハの一面にバンプ材料の鉛と錫とをそれぞ
れ所定の厚さとなるように形成することが困難となり、
このバンプ材料の鉛と錫との配合量にばらつきが生じる
ことになる。
は、ウエハをメツキ処理する場合、当該ウエハの一面に
予め形成されたフオトレジスト膜による凹凸が形成され
ている。ところが、このメツキ処理ではメツキ電流の分
布がウエハの一面の形状に左右され、当該メツキ電流が
不均一になる場合がある。従つて、このメツキ処理にお
いては、ウエハの一面にバンプ材料の鉛と錫とをそれぞ
れ所定の厚さとなるように形成することが困難となり、
このバンプ材料の鉛と錫との配合量にばらつきが生じる
ことになる。
【0019】このため、このようにしてBLM膜層上に
形成されたバンプ材料にフラツクスを塗布してリフロー
すると、溶融した鉛と錫が不均一に合成され、形成され
たバンプの内部に気泡欠陥(以下、これをボイドと呼
ぶ)やクラツクが生じる問題があつた。また、大きさの
異なるバンプが形成されたり、歪な形状でなるバンプ
(以下、これを異形バンプと呼ぶ)が形成されると共
に、パツシベーシヨン膜上に飛散したバンプ(以下,こ
れを飛散バンプと呼ぶ)が形成され、隣り合うバンプ同
志が接触する等してブリツジが発生する問題があつた。
形成されたバンプ材料にフラツクスを塗布してリフロー
すると、溶融した鉛と錫が不均一に合成され、形成され
たバンプの内部に気泡欠陥(以下、これをボイドと呼
ぶ)やクラツクが生じる問題があつた。また、大きさの
異なるバンプが形成されたり、歪な形状でなるバンプ
(以下、これを異形バンプと呼ぶ)が形成されると共
に、パツシベーシヨン膜上に飛散したバンプ(以下,こ
れを飛散バンプと呼ぶ)が形成され、隣り合うバンプ同
志が接触する等してブリツジが発生する問題があつた。
【0020】一方、バンプ材料形成工程において蒸着法
を適用した場合には、蒸着装置に1回で装填し得るウエ
ハは3〜5枚程度である。このため、複数のウエハに対
してBLM膜層上にバンプ材料を積層形成するには、多
大な時間が必要になる問題があつた。また、この蒸着装
置においては、蒸着源(鉛及び錫)に対してウエハの一
面が傾斜して装填される等のように当該蒸着装置の構造
上の種々の問題に起因して、ウエハの一面にバンプ材料
の鉛と錫とをそれぞれ所定の厚さとなるように形成する
ことが困難となる場合がある。
を適用した場合には、蒸着装置に1回で装填し得るウエ
ハは3〜5枚程度である。このため、複数のウエハに対
してBLM膜層上にバンプ材料を積層形成するには、多
大な時間が必要になる問題があつた。また、この蒸着装
置においては、蒸着源(鉛及び錫)に対してウエハの一
面が傾斜して装填される等のように当該蒸着装置の構造
上の種々の問題に起因して、ウエハの一面にバンプ材料
の鉛と錫とをそれぞれ所定の厚さとなるように形成する
ことが困難となる場合がある。
【0021】このため、上述したメツキ処理の場合と同
様に、バンプ材料の鉛と錫との配合量にばらつきが生
じ、このようにしてBLM膜層上に形成されたバンプ材
料をリフローしてバンプを形成すると、溶融した鉛と錫
が不均一に合成され、当該バンプの内部にボイドやクラ
ツクが生じる問題があつた。また、大きさの異なるバン
プが形成されたり、異形バンプが形成される共に、パツ
シベーシヨン膜上に飛散バンプが形成され、隣り合うバ
ンプ同志が接触する等してブリツジが発生する問題があ
つた。
様に、バンプ材料の鉛と錫との配合量にばらつきが生
じ、このようにしてBLM膜層上に形成されたバンプ材
料をリフローしてバンプを形成すると、溶融した鉛と錫
が不均一に合成され、当該バンプの内部にボイドやクラ
ツクが生じる問題があつた。また、大きさの異なるバン
プが形成されたり、異形バンプが形成される共に、パツ
シベーシヨン膜上に飛散バンプが形成され、隣り合うバ
ンプ同志が接触する等してブリツジが発生する問題があ
つた。
【0022】さらに、バンプ材料形成工程において印刷
法を適用した場合には、各BLM膜層にそれぞれ応じた
開口部を有するメタルマスクを介してスキージによつて
これら各BLM膜層上にそれぞれクリームはんだを印刷
する。ところが、この印刷法においては、スキージとメ
タルマスクとの間隔が不均一になること等により、当該
メタルマスクの開口部を介して各BLM膜層上にそれぞ
れ印刷されるクリームはんだの量(印刷精度)がばらつ
く問題があつた。このため、この印刷法においてはクリ
ームはんだの印刷精度に対する信頼性が低下する問題が
あつた。また、クリームはんだのばらつきにより、大き
さの異なるバンプが形成されたり、異形バンプが形成さ
れ、隣り合うバンプ同志が接触する等してブリツジが発
生する問題があつた。
法を適用した場合には、各BLM膜層にそれぞれ応じた
開口部を有するメタルマスクを介してスキージによつて
これら各BLM膜層上にそれぞれクリームはんだを印刷
する。ところが、この印刷法においては、スキージとメ
タルマスクとの間隔が不均一になること等により、当該
メタルマスクの開口部を介して各BLM膜層上にそれぞ
れ印刷されるクリームはんだの量(印刷精度)がばらつ
く問題があつた。このため、この印刷法においてはクリ
ームはんだの印刷精度に対する信頼性が低下する問題が
あつた。また、クリームはんだのばらつきにより、大き
さの異なるバンプが形成されたり、異形バンプが形成さ
れ、隣り合うバンプ同志が接触する等してブリツジが発
生する問題があつた。
【0023】ところで、このバンプ形成方法において
は、ウエハの各パツド上にそれぞれバンプを形成した
後、種々の有機溶剤を用いてウエハの一面に残存するフ
ラツクスを洗浄するようになされている。このため、こ
の洗浄工程においても、作業者が安全に作業し得る作業
環境及び何らかの設備が必要になると共に、これら種々
の有機溶剤の廃液を安全に処理し得る廃液処理設備が必
要となり、当該洗浄工程の設備が煩雑になる問題があつ
た。
は、ウエハの各パツド上にそれぞれバンプを形成した
後、種々の有機溶剤を用いてウエハの一面に残存するフ
ラツクスを洗浄するようになされている。このため、こ
の洗浄工程においても、作業者が安全に作業し得る作業
環境及び何らかの設備が必要になると共に、これら種々
の有機溶剤の廃液を安全に処理し得る廃液処理設備が必
要となり、当該洗浄工程の設備が煩雑になる問題があつ
た。
【0024】以上のように従来のバンプ形成方法におい
ては、複数の工程からなり、どれか一つの工程において
不良が発生すると、それ以前の工程が全て無駄になる。
従つて、このバンプ形成方法においては、後工程になる
ほど不良が発生した場合の損害が大きくなる問題があつ
た。
ては、複数の工程からなり、どれか一つの工程において
不良が発生すると、それ以前の工程が全て無駄になる。
従つて、このバンプ形成方法においては、後工程になる
ほど不良が発生した場合の損害が大きくなる問題があつ
た。
【0025】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、バンプの形成工程における作業時間を大幅に短縮し
得るバンプ形成方法、バンプ転写シート及び半導体装置
を提案しようとするものである。
で、バンプの形成工程における作業時間を大幅に短縮し
得るバンプ形成方法、バンプ転写シート及び半導体装置
を提案しようとするものである。
【0026】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、基材の一面にバンプ形成対象物の
各バンプ形成位置にそれぞれ対応させてバンプを配置す
る第1の工程と、各バンプ上及び又はバンプ形成対象物
の各バンプ形成位置上に導電性接着剤を供給する第2の
工程と、各バンプとそれぞれ対応するバンプ形成位置と
を導電性接着剤を介して当接させるように基材とバンプ
形成対象物とを突き合わせ、各バンプとそれぞれ対応す
るバンプ形成位置とを位置決めする第3の工程と、導電
性接着剤を固化させることにより、各バンプをそれぞれ
対応するバンプ形成位置に固着させる第4の工程と、バ
ンプ形成対象物の各バンプ形成位置にそれぞれ固着され
たバンプから基材を引き離す第5の工程とを設けるよう
にした。
め本発明においては、基材の一面にバンプ形成対象物の
各バンプ形成位置にそれぞれ対応させてバンプを配置す
る第1の工程と、各バンプ上及び又はバンプ形成対象物
の各バンプ形成位置上に導電性接着剤を供給する第2の
工程と、各バンプとそれぞれ対応するバンプ形成位置と
を導電性接着剤を介して当接させるように基材とバンプ
形成対象物とを突き合わせ、各バンプとそれぞれ対応す
るバンプ形成位置とを位置決めする第3の工程と、導電
性接着剤を固化させることにより、各バンプをそれぞれ
対応するバンプ形成位置に固着させる第4の工程と、バ
ンプ形成対象物の各バンプ形成位置にそれぞれ固着され
たバンプから基材を引き離す第5の工程とを設けるよう
にした。
【0027】また本発明においては、所定の基材と、当
該基材の一面の所定位置に配置されたバンプと、当該バ
ンプ上に供給された導電性接着剤とを設けるようにし
た。
該基材の一面の所定位置に配置されたバンプと、当該バ
ンプ上に供給された導電性接着剤とを設けるようにし
た。
【0028】さらに本発明においては、所定面に形成さ
れた単数又は複数の各電極上にそれぞれバンプを有する
半導体装置において、各電極とそれぞれ対応するバンプ
とを導電性接着剤によつて固着するようにした。
れた単数又は複数の各電極上にそれぞれバンプを有する
半導体装置において、各電極とそれぞれ対応するバンプ
とを導電性接着剤によつて固着するようにした。
【0029】まず、基材の一面にバンプ形成対象物の各
バンプ形成位置にそれぞれ対応させてバンプを配置し、
次いで、各バンプ上及び又はバンプ形成対象物の各バン
プ形成位置上に導電性接着剤を供給し、続いて、各バン
プとそれぞれ対応するバンプ形成位置とを導電性接着剤
を介して当接させるように基材とバンプ形成対象物とを
突き合わせて各バンプとそれぞれ対応するバンプ形成位
置とを位置決めし、次いで、導電性接着剤を固化させる
ことにより、各バンプをそれぞれ対応するバンプ形成位
置に固着させ、続いて、バンプ形成対象物の各バンプ形
成位置にそれぞれ固着されたバンプから基材を引き離す
ようにしたことにより、従来のバンプ形成方法に比べて
バンプの形成工程を簡易にすることができる。
バンプ形成位置にそれぞれ対応させてバンプを配置し、
次いで、各バンプ上及び又はバンプ形成対象物の各バン
プ形成位置上に導電性接着剤を供給し、続いて、各バン
プとそれぞれ対応するバンプ形成位置とを導電性接着剤
を介して当接させるように基材とバンプ形成対象物とを
突き合わせて各バンプとそれぞれ対応するバンプ形成位
置とを位置決めし、次いで、導電性接着剤を固化させる
ことにより、各バンプをそれぞれ対応するバンプ形成位
置に固着させ、続いて、バンプ形成対象物の各バンプ形
成位置にそれぞれ固着されたバンプから基材を引き離す
ようにしたことにより、従来のバンプ形成方法に比べて
バンプの形成工程を簡易にすることができる。
【0030】また、所定の基材の一面の所定位置にバン
プを配置させ、当該バンプ上に導電性接着剤を供給させ
るようにしたことにより、バンプ形成対象物表面の各バ
ンプ形成位置にそれぞれバンプを一括形成することがで
きる。
プを配置させ、当該バンプ上に導電性接着剤を供給させ
るようにしたことにより、バンプ形成対象物表面の各バ
ンプ形成位置にそれぞれバンプを一括形成することがで
きる。
【0031】さらに、各電極とそれぞれ対応するバンプ
とを導電性接着剤によつて固着するようにしたことによ
り、各電極にそれぞれ対応するバンプを容易に固着させ
ることができる。
とを導電性接着剤によつて固着するようにしたことによ
り、各電極にそれぞれ対応するバンプを容易に固着させ
ることができる。
【0032】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
施例を詳述する。
【0033】図1において、1は全体として実施例によ
るバンプ形成方法に用いるバンプ転写シートを示し、ポ
リエチレンテレフタレートフイルム(以下、これをPE
Tフイルムと呼ぶ)でなる基材2の一面2Aには剥離層
3が積層形成され、当該基材2の他面2Bには耐熱性を
有するアクリル樹脂でなるアクリル樹脂層4が積層形成
されている。また、剥離層3上には、当該剥離層3を介
して基材2に埋め込むように球形状のはんだでなる複数
のバンプ5が配置されている。
るバンプ形成方法に用いるバンプ転写シートを示し、ポ
リエチレンテレフタレートフイルム(以下、これをPE
Tフイルムと呼ぶ)でなる基材2の一面2Aには剥離層
3が積層形成され、当該基材2の他面2Bには耐熱性を
有するアクリル樹脂でなるアクリル樹脂層4が積層形成
されている。また、剥離層3上には、当該剥離層3を介
して基材2に埋め込むように球形状のはんだでなる複数
のバンプ5が配置されている。
【0034】これら各バンプ5は、それぞれウエハ(図
示せず)の一面に複数形成されたIC回路の各パツドに
それぞれ対応して配置されていると共に、剥離層3を介
して基材2に埋め込まれることにより、当該剥離層3に
保持されている。さらに、剥離層3上には、各バンプ5
を覆うように導電性接着剤でなる導電性接着層6が積層
形成されている。これにより、このバンプ形成方法にお
いては、このバンプ転写シート1の各バンプ5をそれぞ
れ対応するウエハの一面のパツド上に導電性接着層6に
よつて固着させるようにして転写し、これら各バンプ5
をそれぞれ対応するパツド上に形成し得るようになされ
ている。
示せず)の一面に複数形成されたIC回路の各パツドに
それぞれ対応して配置されていると共に、剥離層3を介
して基材2に埋め込まれることにより、当該剥離層3に
保持されている。さらに、剥離層3上には、各バンプ5
を覆うように導電性接着剤でなる導電性接着層6が積層
形成されている。これにより、このバンプ形成方法にお
いては、このバンプ転写シート1の各バンプ5をそれぞ
れ対応するウエハの一面のパツド上に導電性接着層6に
よつて固着させるようにして転写し、これら各バンプ5
をそれぞれ対応するパツド上に形成し得るようになされ
ている。
【0035】この場合、剥離層3としては、例えばアク
リル樹脂、ポリエステル樹脂、スチロール樹脂、ポリア
クリロニトリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、ポリオレフイン樹脂、フツ素系樹脂、ABS樹脂、
エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド(ナイロ
ン)樹脂又は塩酢ビ樹脂のうち、単数又は複数を配合し
たものを用いるようにする。さらに、この剥離層3に
は、上述した各樹脂に加えてシリコーン又はフツ素樹脂
等の離型部材が配合されており、当該剥離層3は必要に
応じて各バンプ5を容易に剥離させるようになされてい
る。
リル樹脂、ポリエステル樹脂、スチロール樹脂、ポリア
クリロニトリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、ポリオレフイン樹脂、フツ素系樹脂、ABS樹脂、
エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド(ナイロ
ン)樹脂又は塩酢ビ樹脂のうち、単数又は複数を配合し
たものを用いるようにする。さらに、この剥離層3に
は、上述した各樹脂に加えてシリコーン又はフツ素樹脂
等の離型部材が配合されており、当該剥離層3は必要に
応じて各バンプ5を容易に剥離させるようになされてい
る。
【0036】また、導電性接着層6としては、接着性を
有するペースト状でなる銀、導電性カーボン又は導電性
樹脂等の導電性接着剤を用いるようにする。
有するペースト状でなる銀、導電性カーボン又は導電性
樹脂等の導電性接着剤を用いるようにする。
【0037】実際上、この実施例によるバンプ形成方法
においては、4種類のバンプ転写シート(以下、これら
を第1、第2、第3及び第4のバンプ転写シートと呼
ぶ)を作成し、これら各第1〜第4のバンプ転写シート
を用いてウエハの一面の各パツド上にそれぞれバンプ5
を形成する。また、従来方式によるバンプ形成方法によ
つてウエハの一面の各パツド上にそれぞれ比較用のバン
プ(以下、これを比較用バンプと呼ぶ)を形成する。こ
れにより、この実施例においては、当該実施例によるバ
ンプ形成方法によつて形成されたバンプ5と比較用バン
プとを比較し、さらには実施例によるバンプ形成方法と
従来方式によるバンプ形成方法とを比較するようにし
た。
においては、4種類のバンプ転写シート(以下、これら
を第1、第2、第3及び第4のバンプ転写シートと呼
ぶ)を作成し、これら各第1〜第4のバンプ転写シート
を用いてウエハの一面の各パツド上にそれぞれバンプ5
を形成する。また、従来方式によるバンプ形成方法によ
つてウエハの一面の各パツド上にそれぞれ比較用のバン
プ(以下、これを比較用バンプと呼ぶ)を形成する。こ
れにより、この実施例においては、当該実施例によるバ
ンプ形成方法によつて形成されたバンプ5と比較用バン
プとを比較し、さらには実施例によるバンプ形成方法と
従来方式によるバンプ形成方法とを比較するようにし
た。
【0038】ここで、まず実際に作成された第1〜第4
のバンプ転写シートの構成部材をそれぞれ図2〜図5に
示す。まず、図2に示すように、第1のバンプ転写シー
トにおいては、基材2として例えば東レ株式会社製の 1
00〔μm 〕程度の厚さを有するPETフイルムを用いる
と共に、剥離層3として当該剥離層3の重量全体を 100
〔%〕とした場合、例えば電気化学株式会社製のアクリ
ル樹脂70〔%〕と例えば信越化学株式会社製のシリコー
ン樹脂30〔%〕とを配合して用いる。また、バンプ5と
して、例えばタルチン株式会社製の60〔μm 〕程度の直
径でなるはんだボールを用いると共に、導電性接着層6
として例えばライオン株式会社製の導電性ペーストを用
いる。
のバンプ転写シートの構成部材をそれぞれ図2〜図5に
示す。まず、図2に示すように、第1のバンプ転写シー
トにおいては、基材2として例えば東レ株式会社製の 1
00〔μm 〕程度の厚さを有するPETフイルムを用いる
と共に、剥離層3として当該剥離層3の重量全体を 100
〔%〕とした場合、例えば電気化学株式会社製のアクリ
ル樹脂70〔%〕と例えば信越化学株式会社製のシリコー
ン樹脂30〔%〕とを配合して用いる。また、バンプ5と
して、例えばタルチン株式会社製の60〔μm 〕程度の直
径でなるはんだボールを用いると共に、導電性接着層6
として例えばライオン株式会社製の導電性ペーストを用
いる。
【0039】また、図3に示すように、第2のバンプ転
写シートにおいては、基材2として例えばユニチカ株式
会社製の 120〔μm 〕程度の厚さを有するPETフイル
ムを用いると共に、剥離層3として当該剥離層3の重量
全体を 100〔%〕とした場合、例えば東レ株式会社製の
ポリエステル樹脂60〔%〕と例えばダイキン株式会社製
のフッ素樹脂40〔%〕とを配合して用いる。また、バン
プ5として例えば千住金属工業株式会社製の50〔μm 〕
程度の直径でなるはんだボールを用いると共に、導電性
接着層6として例えば花王株式会社製の導電性ペースト
を用いる。
写シートにおいては、基材2として例えばユニチカ株式
会社製の 120〔μm 〕程度の厚さを有するPETフイル
ムを用いると共に、剥離層3として当該剥離層3の重量
全体を 100〔%〕とした場合、例えば東レ株式会社製の
ポリエステル樹脂60〔%〕と例えばダイキン株式会社製
のフッ素樹脂40〔%〕とを配合して用いる。また、バン
プ5として例えば千住金属工業株式会社製の50〔μm 〕
程度の直径でなるはんだボールを用いると共に、導電性
接着層6として例えば花王株式会社製の導電性ペースト
を用いる。
【0040】さらに、図4に示すように、第3のバンプ
転写シートにおいては、基材2として例えば東洋紡株式
会社製の 150〔μm 〕程度の厚さを有するPETフイル
ムを用いると共に、剥離層3として当該剥離層3の重量
全体を 100〔%〕とした場合、例えば東ソー株式会社製
の塩化ビニル樹脂90〔%〕と例えばライオン株式会社製
の界面活性剤10〔%〕とを配合して用いる。また、バン
プ5として例えば日本アルフアメタルズ株式会社製の80
〔μm 〕程度の直径でなるはんだボールを用いると共
に、導電性接着層6として例えばタムラ化研株式会社製
の銀ペーストを用いる。
転写シートにおいては、基材2として例えば東洋紡株式
会社製の 150〔μm 〕程度の厚さを有するPETフイル
ムを用いると共に、剥離層3として当該剥離層3の重量
全体を 100〔%〕とした場合、例えば東ソー株式会社製
の塩化ビニル樹脂90〔%〕と例えばライオン株式会社製
の界面活性剤10〔%〕とを配合して用いる。また、バン
プ5として例えば日本アルフアメタルズ株式会社製の80
〔μm 〕程度の直径でなるはんだボールを用いると共
に、導電性接着層6として例えばタムラ化研株式会社製
の銀ペーストを用いる。
【0041】さらに、図5に示すように、第4のバンプ
転写シートにおいては、基材2として例えば三菱樹脂株
式会社製の 110〔μm 〕程度の厚さを有するPETフイ
ルムを用いると共に、剥離層3として当該剥離層3の重
量全体を 100〔%〕とした場合、例えば株式会社トクヤ
マ製のスチロール樹脂97〔%〕と例えば東レ・ダウコー
ニング・シリコーン株式会社製のシリコーンオイル 3
〔%〕とを配合して用いる。また、バンプ5として例え
ばニホンハンダ株式会社製の60〔μm 〕程度の直径でな
るはんだボールを用いると共に、導電性接着層6として
例えばソニーケミカル株式会社製の導電性ペーストを用
いる。
転写シートにおいては、基材2として例えば三菱樹脂株
式会社製の 110〔μm 〕程度の厚さを有するPETフイ
ルムを用いると共に、剥離層3として当該剥離層3の重
量全体を 100〔%〕とした場合、例えば株式会社トクヤ
マ製のスチロール樹脂97〔%〕と例えば東レ・ダウコー
ニング・シリコーン株式会社製のシリコーンオイル 3
〔%〕とを配合して用いる。また、バンプ5として例え
ばニホンハンダ株式会社製の60〔μm 〕程度の直径でな
るはんだボールを用いると共に、導電性接着層6として
例えばソニーケミカル株式会社製の導電性ペーストを用
いる。
【0042】実際上、この実施例によるバンプ形成方法
においては、図6(A)〜図7に示す以下の手順によ
り、第1〜第4のバンプ転写シートを作成することがで
きると共に、これら第1〜第4のバンプ転写シートを用
いてウエハ10の一面10Aの各パツド11上にそれぞ
れバンプ5を形成することができる。すなわち、まず図
6(A)に示すように、グラビア印刷機を用いて基材2
の他面2Bに、塗布量が10〔g/m2〕程度となるようにア
クリル樹脂を塗布してアクリル樹脂層4を積層形成す
る。次いで、図6(B)に示すように、グラビア印刷機
を用いて基材2の一面2Aに、塗布量が10〔g/m2〕程度
となるようにそれぞれ第1〜第4のバンプ転写シートの
構成部材に応じて2種類の樹脂材を混合して塗布するこ
とにより剥離層3を積層形成する。
においては、図6(A)〜図7に示す以下の手順によ
り、第1〜第4のバンプ転写シートを作成することがで
きると共に、これら第1〜第4のバンプ転写シートを用
いてウエハ10の一面10Aの各パツド11上にそれぞ
れバンプ5を形成することができる。すなわち、まず図
6(A)に示すように、グラビア印刷機を用いて基材2
の他面2Bに、塗布量が10〔g/m2〕程度となるようにア
クリル樹脂を塗布してアクリル樹脂層4を積層形成す
る。次いで、図6(B)に示すように、グラビア印刷機
を用いて基材2の一面2Aに、塗布量が10〔g/m2〕程度
となるようにそれぞれ第1〜第4のバンプ転写シートの
構成部材に応じて2種類の樹脂材を混合して塗布するこ
とにより剥離層3を積層形成する。
【0043】続いて、図6(C)に示すように、スケー
ルグラスが設けられた金属顕微鏡(図示せず)を用いて
ウエハ10の一面10Aの各パツド11にそれぞれ対応
させて隣り合うバンプ5の中心間の距離が 200〔μm 〕
程度となるように確認しながら、先端部の丸いピンセツ
トを用いて剥離層3上に予めほぼ同一の直径に形成され
てなる例えば25個のバンプ5を配置する。この後、剥離
層3側にこれら各バンプ5を潰さない程度の圧力で押
し、これら各バンプ5を直径のほぼ半分程度まで基材2
に埋め込むようにして固定する。このとき、これら各バ
ンプ5は剥離層3が下方向に向いても当該剥離層3から
簡単に落下しないように比較的強く固定されている。
ルグラスが設けられた金属顕微鏡(図示せず)を用いて
ウエハ10の一面10Aの各パツド11にそれぞれ対応
させて隣り合うバンプ5の中心間の距離が 200〔μm 〕
程度となるように確認しながら、先端部の丸いピンセツ
トを用いて剥離層3上に予めほぼ同一の直径に形成され
てなる例えば25個のバンプ5を配置する。この後、剥離
層3側にこれら各バンプ5を潰さない程度の圧力で押
し、これら各バンプ5を直径のほぼ半分程度まで基材2
に埋め込むようにして固定する。このとき、これら各バ
ンプ5は剥離層3が下方向に向いても当該剥離層3から
簡単に落下しないように比較的強く固定されている。
【0044】次いで、図6(D)に示すように、グラビ
ア印刷機を用いて各バンプ5を覆うように剥離層3上に
導電性接着層6を形成する。このとき、導電性接着層6
は、アクリル樹脂層4及び剥離層3を形成する場合と同
様に塗布量が10〔g/m2〕程度となるように導電性接着剤
が塗布されて形成されている。かくして、上述した図6
(A)〜(C)に示す手順によつて第1〜第4のバンプ
転写シートを作成することができる。
ア印刷機を用いて各バンプ5を覆うように剥離層3上に
導電性接着層6を形成する。このとき、導電性接着層6
は、アクリル樹脂層4及び剥離層3を形成する場合と同
様に塗布量が10〔g/m2〕程度となるように導電性接着剤
が塗布されて形成されている。かくして、上述した図6
(A)〜(C)に示す手順によつて第1〜第4のバンプ
転写シートを作成することができる。
【0045】続いて、この実施例によるバンプ形成方法
においては、上述した手順によつて作成された第1〜第
4のバンプ転写シートを用いて1個のバンプ5及び25個
のバンプ5をそれぞれ対応するウエハ10の一面10A
のパツド11上に形成する。
においては、上述した手順によつて作成された第1〜第
4のバンプ転写シートを用いて1個のバンプ5及び25個
のバンプ5をそれぞれ対応するウエハ10の一面10A
のパツド11上に形成する。
【0046】まず、第1〜第4のバンプ転写シートを用
いて、ウエハ10の一面10Aの1個のパツド11にバ
ンプ5を形成する場合について説明する(図示せず)。
このウエハ10の一面10Aには、20〔μm 〕程度の直
径を有するアルミニウム等でなるパツド11が形成され
ていると共に、当該パツド11の周端部にパツシベーシ
ヨン膜12が形成されている。
いて、ウエハ10の一面10Aの1個のパツド11にバ
ンプ5を形成する場合について説明する(図示せず)。
このウエハ10の一面10Aには、20〔μm 〕程度の直
径を有するアルミニウム等でなるパツド11が形成され
ていると共に、当該パツド11の周端部にパツシベーシ
ヨン膜12が形成されている。
【0047】この場合、バンプ転写シート1のバンプ5
とウエハ10のパツド11とを導電性接着層6を介して
当接させるように当該バンプ転写シート1とウエハ10
の一面10Aとを突き合わせる。次いで、金属顕微鏡を
用いてウエハ10の一面10Aの1個のパツド11の中
心位置と対応するバンプ5の中心位置とを一致させるよ
うに位置合わせする。この後、バンプ転写シート1をア
クリル樹脂層4側からピンセット等で軽く押さえて、ウ
エハ10とバンプ転写シート1とを位置決め固定する。
とウエハ10のパツド11とを導電性接着層6を介して
当接させるように当該バンプ転写シート1とウエハ10
の一面10Aとを突き合わせる。次いで、金属顕微鏡を
用いてウエハ10の一面10Aの1個のパツド11の中
心位置と対応するバンプ5の中心位置とを一致させるよ
うに位置合わせする。この後、バンプ転写シート1をア
クリル樹脂層4側からピンセット等で軽く押さえて、ウ
エハ10とバンプ転写シート1とを位置決め固定する。
【0048】続いて、ヒートシーラ等の加熱装置を用い
てバンプ5と対応するアクリル樹脂層4の所定領域か
ら、当該アクリル樹脂層4及び基材2等を介してこのバ
ンプ5に対応する導電性接着層6の所定領域を30秒程度
の間 150〔℃〕程度の温度で加熱する。これによりバン
プ5とウエハ10の一面10Aのパツド11との間の導
電性接着層6の所定領域が固化し、これらバンプ5とパ
ツド11とが固着される。
てバンプ5と対応するアクリル樹脂層4の所定領域か
ら、当該アクリル樹脂層4及び基材2等を介してこのバ
ンプ5に対応する導電性接着層6の所定領域を30秒程度
の間 150〔℃〕程度の温度で加熱する。これによりバン
プ5とウエハ10の一面10Aのパツド11との間の導
電性接着層6の所定領域が固化し、これらバンプ5とパ
ツド11とが固着される。
【0049】次いで、ウエハ10の一面10Aのパツド
11上に固着されたバンプ5からバンプ転写シート1を
引き離す。このとき、バンプ5とパツド11とを固着さ
せた所定領域以外の導電性接着層6は、剥離層3に被着
した状態でバンプ転写シート1と共にウエハ10の一面
10Aから剥離される。これにより、ウエハ10の一面
10Aのパツド11上に導電性接着層6を介してバンプ
5が転写され、当該パツド11上にバンプ5を形成する
ことができる。
11上に固着されたバンプ5からバンプ転写シート1を
引き離す。このとき、バンプ5とパツド11とを固着さ
せた所定領域以外の導電性接着層6は、剥離層3に被着
した状態でバンプ転写シート1と共にウエハ10の一面
10Aから剥離される。これにより、ウエハ10の一面
10Aのパツド11上に導電性接着層6を介してバンプ
5が転写され、当該パツド11上にバンプ5を形成する
ことができる。
【0050】ここで図7に示すように、ウエハ10の一
面10Aのパツド11上に導電性接着層6の所定領域6
Aを介して形成されたバンプ5を金属顕微鏡(図示せ
ず)を用いて観察すると、当該バンプ5はバンプ転写シ
ート1の剥離層3上に配置されているときの形状を変形
させずに形成されている。また、ウエハ10の一面10
Aのパツド11の周端部に形成されたパツシベーシヨン
膜12上には導電性接着層6は残らず、当該導電性接着
層6の所定領域6A以外は全てバンプ転写シート1と共
に剥離されている。
面10Aのパツド11上に導電性接着層6の所定領域6
Aを介して形成されたバンプ5を金属顕微鏡(図示せ
ず)を用いて観察すると、当該バンプ5はバンプ転写シ
ート1の剥離層3上に配置されているときの形状を変形
させずに形成されている。また、ウエハ10の一面10
Aのパツド11の周端部に形成されたパツシベーシヨン
膜12上には導電性接着層6は残らず、当該導電性接着
層6の所定領域6A以外は全てバンプ転写シート1と共
に剥離されている。
【0051】一方、図6(E)に示すように、第1〜第
4のバンプ転写シートを用いて、ウエハ10の一面10
Aの25個のパツド11上にそれぞれバンプ5を形成する
場合、まずウエハ10の一面10Aには20〔μm 〕程度
の直径を有するアルミニウム等でなる25個のパツド11
が形成されている。これら各パツド11は、隣り合うパ
ツド11同士の中心間の距離が 200〔μm 〕程度となる
ように形成されている。また、このウエハ10の一面1
0Aには、各パツド11の周端部にパツシベーシヨン膜
12が形成されており、当該パツシベーシヨン膜12は
ウエハ10の一面10Aを電気的に保護する。
4のバンプ転写シートを用いて、ウエハ10の一面10
Aの25個のパツド11上にそれぞれバンプ5を形成する
場合、まずウエハ10の一面10Aには20〔μm 〕程度
の直径を有するアルミニウム等でなる25個のパツド11
が形成されている。これら各パツド11は、隣り合うパ
ツド11同士の中心間の距離が 200〔μm 〕程度となる
ように形成されている。また、このウエハ10の一面1
0Aには、各パツド11の周端部にパツシベーシヨン膜
12が形成されており、当該パツシベーシヨン膜12は
ウエハ10の一面10Aを電気的に保護する。
【0052】この場合、バンプ転写シート1の各バンプ
5とそれぞれ対応するウエハ10のパツド11とを導電
性接着層6を介して当接させるように当該バンプ転写シ
ート1とウエハ10の一面10Aとを突き合わせる。次
いで、金属顕微鏡(図示せず)を用いてウエハ10の一
面10Aの各パツド11の中心位置とそれぞれ対応する
バンプ5の中心位置とを一致させるように位置合わせす
る。この後、バンプ転写シート1をアクリル樹脂層4側
からピンセット等で軽く押さえて、ウエハ10とバンプ
転写シート1とを位置決め固定する。
5とそれぞれ対応するウエハ10のパツド11とを導電
性接着層6を介して当接させるように当該バンプ転写シ
ート1とウエハ10の一面10Aとを突き合わせる。次
いで、金属顕微鏡(図示せず)を用いてウエハ10の一
面10Aの各パツド11の中心位置とそれぞれ対応する
バンプ5の中心位置とを一致させるように位置合わせす
る。この後、バンプ転写シート1をアクリル樹脂層4側
からピンセット等で軽く押さえて、ウエハ10とバンプ
転写シート1とを位置決め固定する。
【0053】続いて、ヒートシーラ等の加熱装置(図示
せず)を用いて各バンプ5とそれぞれ対応するアクリル
樹脂層4の所定領域から、当該アクリル樹脂層4及び基
材2等を介してこれら各バンプ5とそれぞれ対応する導
電性接着層6の所定領域6Aを30秒程度の間 150〔℃〕
程度の温度で加熱する。これにより各バンプ5とそれぞ
れ対応するパツド11との間の導電性接着層6の所定領
域6Aが固化し、これら各バンプ5とそれぞれ対応する
パツド11とが固着される。
せず)を用いて各バンプ5とそれぞれ対応するアクリル
樹脂層4の所定領域から、当該アクリル樹脂層4及び基
材2等を介してこれら各バンプ5とそれぞれ対応する導
電性接着層6の所定領域6Aを30秒程度の間 150〔℃〕
程度の温度で加熱する。これにより各バンプ5とそれぞ
れ対応するパツド11との間の導電性接着層6の所定領
域6Aが固化し、これら各バンプ5とそれぞれ対応する
パツド11とが固着される。
【0054】次いで、図6(F)に示すように、ウエハ
10の一面10Aの各パツド11上にそれぞれ固着され
たバンプ5からバンプ転写シート1を引き離す。このと
き、各バンプ5とそれぞれ対応するパツド11とを固着
させた所定領域6A以外の導電性接着層6は、剥離層3
に被着した状態でバンプ転写シート1と共にウエハ10
の一面10Aから剥離される。これにより、ウエハ10
の一面10Aの各パツド11上にそれぞれ導電性接着層
6の所定領域6Aを介してバンプ5が転写され、これら
各パツド11上にそれぞれバンプ5を形成することがで
きる。
10の一面10Aの各パツド11上にそれぞれ固着され
たバンプ5からバンプ転写シート1を引き離す。このと
き、各バンプ5とそれぞれ対応するパツド11とを固着
させた所定領域6A以外の導電性接着層6は、剥離層3
に被着した状態でバンプ転写シート1と共にウエハ10
の一面10Aから剥離される。これにより、ウエハ10
の一面10Aの各パツド11上にそれぞれ導電性接着層
6の所定領域6Aを介してバンプ5が転写され、これら
各パツド11上にそれぞれバンプ5を形成することがで
きる。
【0055】この場合、図8(A)及び(B)に示すよ
うに、 200〔μm 〕間隔でバンプ転写シート1(図示せ
ず)の剥離層3上に配置された各バンプ5は(図8
(A))、その配置間隔が保持された状態で外形等を変
形させずにそれぞれ対応するウエハ10の一面10Aの
パツド11上に形成される。また、上述したウエハ10
の一面10Aの1個のパツド11上にバンプ5を形成し
た場合と同様に、ウエハ10の一面10Aの各パツド1
1の周端部に形成されたパツシベーシヨン膜12上には
導電性接着層6は残らず、当該導電性接着層6の所定領
域6A以外は全てバンプ転写シート1と共に剥離されて
いる(図8(B))。
うに、 200〔μm 〕間隔でバンプ転写シート1(図示せ
ず)の剥離層3上に配置された各バンプ5は(図8
(A))、その配置間隔が保持された状態で外形等を変
形させずにそれぞれ対応するウエハ10の一面10Aの
パツド11上に形成される。また、上述したウエハ10
の一面10Aの1個のパツド11上にバンプ5を形成し
た場合と同様に、ウエハ10の一面10Aの各パツド1
1の周端部に形成されたパツシベーシヨン膜12上には
導電性接着層6は残らず、当該導電性接着層6の所定領
域6A以外は全てバンプ転写シート1と共に剥離されて
いる(図8(B))。
【0056】一方、従来方式によるバンプ形成方法によ
る比較用バンプは、図9(A)〜(E)及び図10に示
す以下の手順によつてウエハ10の一面10Aのパツド
11上に形成することができる。すなわち、まず図9
(A)に示すように、ウエハ10の一面10Aに複数形
成されたアルミニウム等でなるパツド11の周端部をパ
ツシベーシヨン膜12で覆い、当該ウエハ10の一面1
0Aを電気的に保護する。
る比較用バンプは、図9(A)〜(E)及び図10に示
す以下の手順によつてウエハ10の一面10Aのパツド
11上に形成することができる。すなわち、まず図9
(A)に示すように、ウエハ10の一面10Aに複数形
成されたアルミニウム等でなるパツド11の周端部をパ
ツシベーシヨン膜12で覆い、当該ウエハ10の一面1
0Aを電気的に保護する。
【0057】次いで、図9(B)に示すように、ウエハ
10の一面10Aの各パツド11にそれぞれ応じた開口
部を有するメタルマスク(図示せず)をこれら各パツド
11を露出させるようにウエハ10の一面10Aに載置
する(又は、各パツド11をそれぞれ露出させるように
フオトレジスト膜を形成する)。続いて、ウエハ10を
スパツタ装置に装填し、スパツタ法によつて当該ウエハ
10の一面10Aにパツド11とバンプ13との密着性
を向上し得るクロム等でなる接着層14と銅等でなるバ
リアメタル層15とを順次積層形成してこれら接着層1
4及びバリアメタル層15でなるBLM膜層16を積層
形成する。
10の一面10Aの各パツド11にそれぞれ応じた開口
部を有するメタルマスク(図示せず)をこれら各パツド
11を露出させるようにウエハ10の一面10Aに載置
する(又は、各パツド11をそれぞれ露出させるように
フオトレジスト膜を形成する)。続いて、ウエハ10を
スパツタ装置に装填し、スパツタ法によつて当該ウエハ
10の一面10Aにパツド11とバンプ13との密着性
を向上し得るクロム等でなる接着層14と銅等でなるバ
リアメタル層15とを順次積層形成してこれら接着層1
4及びバリアメタル層15でなるBLM膜層16を積層
形成する。
【0058】この後、ウエハ10の一面10Aに載置さ
れたメタルマスクを取り除く(又は、フオトレジスト膜
を剥離する)と共に、当該メタルマスク(又は、フオト
レジスト膜)上に積層形成されたBLM膜層16を除去
する。これにより、ウエハ10の一面10Aの各パツド
11上には、BLM膜層16が積層形成される。
れたメタルマスクを取り除く(又は、フオトレジスト膜
を剥離する)と共に、当該メタルマスク(又は、フオト
レジスト膜)上に積層形成されたBLM膜層16を除去
する。これにより、ウエハ10の一面10Aの各パツド
11上には、BLM膜層16が積層形成される。
【0059】次いで、図9(C)に示すように、ウエハ
10の一面10Aにフオトレジスト膜17を積層形成
し、当該フオトレジスト膜17を各BLM膜層16に応
じて露光した後、現像して各BLM膜層16を露出させ
る。この後、図9(D)に示すように、メツキ法及び蒸
着法の手法によつてそれぞれウエハ10の一面10Aに
鉛及び錫でなるバンプ材料18を積層形成する。この
後、ウエハ10の一面10Aに積層形成されたフオトレ
ジスト膜17を剥離すると共に、当該フオトレジスト膜
17上に積層形成されたバンプ材料18を除去する。こ
れにより、各BLM膜層16上にはそれぞれバンプ材料
18が積層形成される。
10の一面10Aにフオトレジスト膜17を積層形成
し、当該フオトレジスト膜17を各BLM膜層16に応
じて露光した後、現像して各BLM膜層16を露出させ
る。この後、図9(D)に示すように、メツキ法及び蒸
着法の手法によつてそれぞれウエハ10の一面10Aに
鉛及び錫でなるバンプ材料18を積層形成する。この
後、ウエハ10の一面10Aに積層形成されたフオトレ
ジスト膜17を剥離すると共に、当該フオトレジスト膜
17上に積層形成されたバンプ材料18を除去する。こ
れにより、各BLM膜層16上にはそれぞれバンプ材料
18が積層形成される。
【0060】ただし、この従来方式によるバンプ形成方
法においては、メツキ法を適用して各BLM膜層16上
にそれぞれバンプ材料18が形成されているウエハ10
として、例えば田中貴金属販売株式会社製のウエハ10
を購入した。また、蒸着法を適用して各BLM膜層16
上にそれぞれバンプ材料18が形成されているウエハ1
0として、例えば日本IBM株式会社製のウエハ10を
購入した。
法においては、メツキ法を適用して各BLM膜層16上
にそれぞれバンプ材料18が形成されているウエハ10
として、例えば田中貴金属販売株式会社製のウエハ10
を購入した。また、蒸着法を適用して各BLM膜層16
上にそれぞれバンプ材料18が形成されているウエハ1
0として、例えば日本IBM株式会社製のウエハ10を
購入した。
【0061】続いて、図9(E)に示すように、メツキ
法及び蒸着法の手法によつて各BLM膜層16上にそれ
ぞれバンプ材料18が形成されたウエハ10の一面10
Aにフラツクス(図示せず)として、例えば千住金属工
業株式会社製のデルタラツクス 530(製品名)を塗布す
る。なお、このフラツクスは、6インチウエハ1枚に対
して 5.0〜 6.0〔g 〕程度となるように塗布されてい
る。
法及び蒸着法の手法によつて各BLM膜層16上にそれ
ぞれバンプ材料18が形成されたウエハ10の一面10
Aにフラツクス(図示せず)として、例えば千住金属工
業株式会社製のデルタラツクス 530(製品名)を塗布す
る。なお、このフラツクスは、6インチウエハ1枚に対
して 5.0〜 6.0〔g 〕程度となるように塗布されてい
る。
【0062】次いで、窒素(N2 )ソルダリフロー装置
(図示せず)として、例えば株式会社大和製作所製の N
2 Solder Reflow System NRY-101V6LV(製品名)を用い
て、当該N2 ソルダリフロー装置内部の25〜30〔ppm 〕
程度の酸素(O2 )濃度を有する窒素雰囲気中において
ウエハ10の各BLM膜層16上にそれぞれ形成された
バンプ材料18をリフローする。これによりバンプ材料
18は溶融して鉛と錫とが合成され、球形状でなる比較
用バンプ18Aを形成する。
(図示せず)として、例えば株式会社大和製作所製の N
2 Solder Reflow System NRY-101V6LV(製品名)を用い
て、当該N2 ソルダリフロー装置内部の25〜30〔ppm 〕
程度の酸素(O2 )濃度を有する窒素雰囲気中において
ウエハ10の各BLM膜層16上にそれぞれ形成された
バンプ材料18をリフローする。これによりバンプ材料
18は溶融して鉛と錫とが合成され、球形状でなる比較
用バンプ18Aを形成する。
【0063】なお、図10に示すように、このN2 ソル
ダリフロー装置では、内部に第1ゾーンから第6ゾーン
までの設定温度の異なる6つのゾーンを有し、これら各
第1〜第6ゾーンはそれぞれホツトプレート又は赤外
(IR)ヒータによつて所定の温度に設定されいる。ま
た、このN2 ソルダリフロー装置では、ウエハ10を各
第1〜第6ゾーン内においてそれぞれ所定時間停止さ
せ、当該ウエハ10をそれぞれの設定温度によつて加熱
する。
ダリフロー装置では、内部に第1ゾーンから第6ゾーン
までの設定温度の異なる6つのゾーンを有し、これら各
第1〜第6ゾーンはそれぞれホツトプレート又は赤外
(IR)ヒータによつて所定の温度に設定されいる。ま
た、このN2 ソルダリフロー装置では、ウエハ10を各
第1〜第6ゾーン内においてそれぞれ所定時間停止さ
せ、当該ウエハ10をそれぞれの設定温度によつて加熱
する。
【0064】ここで、まずこのN2 ソルダリフロー装置
においてホツトプレートを用いて温度設定した場合、第
1ゾーンを 100〔℃〕程度に設定して第2のゾーンを 1
50〔℃〕程度に設定し、続く第3ゾーンを 250〔℃〕程
度に設定してウエハ10のパツド11上に形成されたバ
ンプ材料18を段階的に加熱する。また第4ゾーンを35
0〔℃〕程度に設定して当該第4ゾーンにおいてウエハ
10のBLM膜層16上のバンプ材料18をリフローす
る。さらに、第5ゾーンを 200〔℃〕程度に設定すると
共に、第6ゾーンを 100〔℃〕程度に設定してウエハ1
0のBLM膜層16上においてリフローされたバンプ材
料18を段階的に冷却し、当該ウエハ10の各パツド1
1上にそれぞれBLM膜層16を介して比較用バンプ1
8Aを形成する。
においてホツトプレートを用いて温度設定した場合、第
1ゾーンを 100〔℃〕程度に設定して第2のゾーンを 1
50〔℃〕程度に設定し、続く第3ゾーンを 250〔℃〕程
度に設定してウエハ10のパツド11上に形成されたバ
ンプ材料18を段階的に加熱する。また第4ゾーンを35
0〔℃〕程度に設定して当該第4ゾーンにおいてウエハ
10のBLM膜層16上のバンプ材料18をリフローす
る。さらに、第5ゾーンを 200〔℃〕程度に設定すると
共に、第6ゾーンを 100〔℃〕程度に設定してウエハ1
0のBLM膜層16上においてリフローされたバンプ材
料18を段階的に冷却し、当該ウエハ10の各パツド1
1上にそれぞれBLM膜層16を介して比較用バンプ1
8Aを形成する。
【0065】一方、このN2 ソルダリフロー装置におい
て赤外ヒータを用いて温度設定した場合、第1ゾーンを
150〔℃〕程度に設定して第2のゾーンを 250〔℃〕程
度に設定し、続く第3ゾーンを 350〔℃〕程度に設定し
てウエハ10のBLM膜層16上に形成されたバンプ材
料18を段階的に加熱する。また第4ゾーンを 400
〔℃〕程度に設定して当該第4ゾーンにおいてウエハ1
0のBLM膜層16上のバンプ材料18をリフローす
る。さらに、第5ゾーンを 350〔℃〕程度に設定すると
共に、第6ゾーンを 250〔℃〕程度に設定してウエハ1
0のBLM膜層16上においてリフローされたバンプ材
料18を段階的に冷却し、当該ウエハ10の各パツド1
1上にそれぞれBLM膜層16を介して比較用バンプ1
8Aを形成する。
て赤外ヒータを用いて温度設定した場合、第1ゾーンを
150〔℃〕程度に設定して第2のゾーンを 250〔℃〕程
度に設定し、続く第3ゾーンを 350〔℃〕程度に設定し
てウエハ10のBLM膜層16上に形成されたバンプ材
料18を段階的に加熱する。また第4ゾーンを 400
〔℃〕程度に設定して当該第4ゾーンにおいてウエハ1
0のBLM膜層16上のバンプ材料18をリフローす
る。さらに、第5ゾーンを 350〔℃〕程度に設定すると
共に、第6ゾーンを 250〔℃〕程度に設定してウエハ1
0のBLM膜層16上においてリフローされたバンプ材
料18を段階的に冷却し、当該ウエハ10の各パツド1
1上にそれぞれBLM膜層16を介して比較用バンプ1
8Aを形成する。
【0066】なお、このN2 ソルダリフロー装置におけ
る各第1〜第6ゾーン毎のウエハ10の停止時間は、第
1ゾーンでは30秒程度として第2ゾーンでは40秒程度と
し、続く第3ゾーンでは50秒程度とする。また第4ゾー
ン及び第5ゾーンでは40秒程度とし、続く第6ゾーンで
は60秒程度とする。
る各第1〜第6ゾーン毎のウエハ10の停止時間は、第
1ゾーンでは30秒程度として第2ゾーンでは40秒程度と
し、続く第3ゾーンでは50秒程度とする。また第4ゾー
ン及び第5ゾーンでは40秒程度とし、続く第6ゾーンで
は60秒程度とする。
【0067】また、比較用バンプ18Aを形成する方法
としては、メツキ法及び蒸着法に加え、はんだデイツプ
法の手法も用いるようにした。ここで、このはんだデイ
ツプ法の場合には、パツド11上にBLM膜層16が積
層形成されたウエハ10の一面10Aのパツシベーシヨ
ン膜12上にソルダレジスト膜17を積層形成する。こ
の後、ウエハ10の一面10Aにフラツクスとして、例
えば千住金属工業株式会社製のデルタラツクス 530(製
品名)を塗布する。この後、バンプ材料18の鉛及び錫
の重量全体を 100〔%〕とした場合、鉛の重量を90〜98
〔%〕の任意の割合となるように予め選定すると共に、
錫の重量を鉛の重量に応じて10〜 2〔%〕の任意の割合
となるように予め選定し、これら鉛及び錫(バンプ材料
18)を 380〔℃〕程度の温度で溶融させてデイツプ槽
中に入れる。
としては、メツキ法及び蒸着法に加え、はんだデイツプ
法の手法も用いるようにした。ここで、このはんだデイ
ツプ法の場合には、パツド11上にBLM膜層16が積
層形成されたウエハ10の一面10Aのパツシベーシヨ
ン膜12上にソルダレジスト膜17を積層形成する。こ
の後、ウエハ10の一面10Aにフラツクスとして、例
えば千住金属工業株式会社製のデルタラツクス 530(製
品名)を塗布する。この後、バンプ材料18の鉛及び錫
の重量全体を 100〔%〕とした場合、鉛の重量を90〜98
〔%〕の任意の割合となるように予め選定すると共に、
錫の重量を鉛の重量に応じて10〜 2〔%〕の任意の割合
となるように予め選定し、これら鉛及び錫(バンプ材料
18)を 380〔℃〕程度の温度で溶融させてデイツプ槽
中に入れる。
【0068】次いで、デイツプ槽中の溶融された鉛及び
錫にウエハ10を浸漬し、当該ウエハ10の各パツド1
1上にそれぞれ積層形成されたBLM膜層16上に溶融
した鉛及び錫を形成する。これにより各BLM膜層16
上にはそれぞれ溶融した鉛及び錫の表面張力とフラツク
スの作用とによつて球状にまとまり、比較用バンプ18
Aが形成される。
錫にウエハ10を浸漬し、当該ウエハ10の各パツド1
1上にそれぞれ積層形成されたBLM膜層16上に溶融
した鉛及び錫を形成する。これにより各BLM膜層16
上にはそれぞれ溶融した鉛及び錫の表面張力とフラツク
スの作用とによつて球状にまとまり、比較用バンプ18
Aが形成される。
【0069】このようにして、メツキ法、蒸着法及びは
んだデイツプ法の手法によつてそれぞれ比較用バンプ1
8Aが形成されたウエハ10を、まず50〔℃〕程度の温
度にしたグリコール系洗浄剤として、例えば旭化成工業
株式会社製のエリーズ M9000(製品名)中に浸漬して20
分間程度揺すつて洗浄した。次いで、ウエハ10を室温
と同じ程度の温度にした洗浄剤として、例えば関東化学
株式会社製の2−プロパノール(イソプロパノール)に
浸漬して10分間程度揺すつて洗浄した。これによりウエ
ハ10のパツシベーシヨン膜12上に残存するフラツク
スを洗浄した。かくしてウエハ10の各パツド11上に
それぞれ比較用バンプ18Aを形成することができる。
んだデイツプ法の手法によつてそれぞれ比較用バンプ1
8Aが形成されたウエハ10を、まず50〔℃〕程度の温
度にしたグリコール系洗浄剤として、例えば旭化成工業
株式会社製のエリーズ M9000(製品名)中に浸漬して20
分間程度揺すつて洗浄した。次いで、ウエハ10を室温
と同じ程度の温度にした洗浄剤として、例えば関東化学
株式会社製の2−プロパノール(イソプロパノール)に
浸漬して10分間程度揺すつて洗浄した。これによりウエ
ハ10のパツシベーシヨン膜12上に残存するフラツク
スを洗浄した。かくしてウエハ10の各パツド11上に
それぞれ比較用バンプ18Aを形成することができる。
【0070】ここで、実際上第1〜第4のバンプ転写シ
ートを用いてそれぞれ形成されたバンプ(以下、これら
を第1のバンプ、第2のバンプ、第3のバンプ及び第4
のバンプと呼ぶ)と従来方式によるバンプ形成方法を用
いて形成された3種類の比較用バンプ18A(以下、こ
れらを第1の比較用バンプ、第2の比較用バンプ及び第
3の比較用バンプと呼ぶ)とを、バンプの外観及びバン
プの断面の観察、機械的強度試験、洗浄性試験及び実際
にウエハ10から切断分離してなるICチツプを配線基
板上に実装した場合の信頼性試験によつて比較した。
ートを用いてそれぞれ形成されたバンプ(以下、これら
を第1のバンプ、第2のバンプ、第3のバンプ及び第4
のバンプと呼ぶ)と従来方式によるバンプ形成方法を用
いて形成された3種類の比較用バンプ18A(以下、こ
れらを第1の比較用バンプ、第2の比較用バンプ及び第
3の比較用バンプと呼ぶ)とを、バンプの外観及びバン
プの断面の観察、機械的強度試験、洗浄性試験及び実際
にウエハ10から切断分離してなるICチツプを配線基
板上に実装した場合の信頼性試験によつて比較した。
【0071】まず、バンプの外観及びバンプの断面の観
察では、金属顕微鏡として、例えば株式会社ニコン製の
OPTIPHOT XUW-M(製品名)を用いて、40倍に拡大したバ
ンプの外観を目視観察するようにした。また、電子顕微
鏡(以下、これをSEMと呼ぶ)として、例えば日本電
子株式会社製のSCANNING MICROSCOPE JSM-5300LU(製品
名)を用いて、1000〜3000倍に拡大したバンプの外観及
びバンプの断面を観察するようにした。
察では、金属顕微鏡として、例えば株式会社ニコン製の
OPTIPHOT XUW-M(製品名)を用いて、40倍に拡大したバ
ンプの外観を目視観察するようにした。また、電子顕微
鏡(以下、これをSEMと呼ぶ)として、例えば日本電
子株式会社製のSCANNING MICROSCOPE JSM-5300LU(製品
名)を用いて、1000〜3000倍に拡大したバンプの外観及
びバンプの断面を観察するようにした。
【0072】また、バンプの機械的強度試験では、バン
プ強度試験機として、例えば株式会社レスカ製の PULL
TESTER TYPE PTR-01(製品名)を用いて、 Y distance
0.2〔mm〕、 Speed〔0.1-1.0mm/s 〕0.1 、Location
〔μ〕5 の条件において、バンプに対するシエアー試験
及び引つ張り強度試験を行つた。まず、シエアー試験に
おいては、ウエハ10の厚み方向に対して直交する方向
からバンプの所定位置に力を加え、当該バンプが千切れ
るときの強度を測定するようにした。また、引つ張り強
度試験においては、ウエハ10の一面10Aから離れる
方向にバンプを引つ張り、当該バンプがパツド11(第
1〜第4のバンプの場合)又はBLM膜層16(比較用
バンプ18Aの場合)から剥がれるときの強度を測定す
るようにした。
プ強度試験機として、例えば株式会社レスカ製の PULL
TESTER TYPE PTR-01(製品名)を用いて、 Y distance
0.2〔mm〕、 Speed〔0.1-1.0mm/s 〕0.1 、Location
〔μ〕5 の条件において、バンプに対するシエアー試験
及び引つ張り強度試験を行つた。まず、シエアー試験に
おいては、ウエハ10の厚み方向に対して直交する方向
からバンプの所定位置に力を加え、当該バンプが千切れ
るときの強度を測定するようにした。また、引つ張り強
度試験においては、ウエハ10の一面10Aから離れる
方向にバンプを引つ張り、当該バンプがパツド11(第
1〜第4のバンプの場合)又はBLM膜層16(比較用
バンプ18Aの場合)から剥がれるときの強度を測定す
るようにした。
【0073】洗浄性試験は、バンプ形成時、フラツクス
を用いる従来方式によるバンプ形成方法によつて形成さ
れた比較用バンプ18Aにのみ行つた。すなわち、洗浄
性試験では、フラツクスを洗浄した後、ウエハ10のパ
ツシベーシヨン膜12上に残存するフラツクス等(以
下、これを残さ物と呼ぶ)の有無を観察した。なお、残
さ物の観察には金属顕微鏡として、例えば株式会社ニコ
ン製のOPTIPHOT XUW-M(製品名)を用いて40倍に拡大し
て観察し、SEMとして、例えば日本電子株式会社製の
SCANNING MICROSCOPE JSM-5300LU(製品名)を用いて10
00〜3000倍に拡大して観察するようにした。
を用いる従来方式によるバンプ形成方法によつて形成さ
れた比較用バンプ18Aにのみ行つた。すなわち、洗浄
性試験では、フラツクスを洗浄した後、ウエハ10のパ
ツシベーシヨン膜12上に残存するフラツクス等(以
下、これを残さ物と呼ぶ)の有無を観察した。なお、残
さ物の観察には金属顕微鏡として、例えば株式会社ニコ
ン製のOPTIPHOT XUW-M(製品名)を用いて40倍に拡大し
て観察し、SEMとして、例えば日本電子株式会社製の
SCANNING MICROSCOPE JSM-5300LU(製品名)を用いて10
00〜3000倍に拡大して観察するようにした。
【0074】信頼性試験では、冷熱衝撃プログラム試
験、イオンマイグレーシヨン試験及び高温保持試験を行
つた。まず、冷熱衝撃プログラム試験においては、冷熱
衝撃試験装置として、例えばタバイエスペツク株式会社
製の ESPEC THERMAL SHOCK CHAMBER TSB-2又はTSV-40st
(製品名)を用いて、当該装置内部の雰囲気温度を−30
〜150 〔℃〕の範囲でサイクル的に変化させ、この装置
内部においてバンプとパツド11との接合部分のクラツ
ク発生の有無を確認するようにした。
験、イオンマイグレーシヨン試験及び高温保持試験を行
つた。まず、冷熱衝撃プログラム試験においては、冷熱
衝撃試験装置として、例えばタバイエスペツク株式会社
製の ESPEC THERMAL SHOCK CHAMBER TSB-2又はTSV-40st
(製品名)を用いて、当該装置内部の雰囲気温度を−30
〜150 〔℃〕の範囲でサイクル的に変化させ、この装置
内部においてバンプとパツド11との接合部分のクラツ
ク発生の有無を確認するようにした。
【0075】なお、この冷熱衝撃試験装置は、当該装置
内部を1時間程度の間ほぼ−30〔℃〕の温度に保ち、こ
の後、30分程度の時間をかけてほぼ 150〔℃〕の温度ま
で昇温させ、この 150〔℃〕程度の温度をほぼ1時間程
度の間保ち、さらにこの後、30分程度の時間をかけて−
30〔℃〕程度の温度まで降温させるような3時間でなる
1サイクルの温度変化を順次繰り返すようになされてい
る。
内部を1時間程度の間ほぼ−30〔℃〕の温度に保ち、こ
の後、30分程度の時間をかけてほぼ 150〔℃〕の温度ま
で昇温させ、この 150〔℃〕程度の温度をほぼ1時間程
度の間保ち、さらにこの後、30分程度の時間をかけて−
30〔℃〕程度の温度まで降温させるような3時間でなる
1サイクルの温度変化を順次繰り返すようになされてい
る。
【0076】またイオンマイグレーシヨン試験では、イ
オンマイグレーシヨン試験機として、例えば楠本化成株
式会社製のイオンマイグレーシヨン計測システム SIR10
(製品名)を用いて、予め所定の温度及び湿度に設定さ
れた高温高湿下においてICチツプの各パツド11上に
形成されたバンプのうち、隣り合うバンプに電界をか
け、陰極側に析出する金属イオンによつて生じるこれら
隣り合うバンプの短絡の有無を確認するようにした。
オンマイグレーシヨン試験機として、例えば楠本化成株
式会社製のイオンマイグレーシヨン計測システム SIR10
(製品名)を用いて、予め所定の温度及び湿度に設定さ
れた高温高湿下においてICチツプの各パツド11上に
形成されたバンプのうち、隣り合うバンプに電界をか
け、陰極側に析出する金属イオンによつて生じるこれら
隣り合うバンプの短絡の有無を確認するようにした。
【0077】さらに、高温保持試験では、高温保持試験
機として、例えば株式会社アドバンテスト製の恒温恒湿
槽(製品名)を用いて、 120〔℃〕及び 210〔℃〕の各
温度に保持された雰囲気中におけるバンプと導電性接着
層6又はBLM膜層16との相互拡散によるこれら導電
性接着層6又はBLM膜層16の劣化の状態を測定する
ようにした。
機として、例えば株式会社アドバンテスト製の恒温恒湿
槽(製品名)を用いて、 120〔℃〕及び 210〔℃〕の各
温度に保持された雰囲気中におけるバンプと導電性接着
層6又はBLM膜層16との相互拡散によるこれら導電
性接着層6又はBLM膜層16の劣化の状態を測定する
ようにした。
【0078】このような各種比較試験に基づくこれら第
1〜第4のバンプと第1〜第3の比較用バンプとの予測
される比較結果を図11〜図15に示す。図11に示す
ように、まず、金属顕微鏡による観察において、第1〜
第3の比較用バンプでは表面が黒化しており、異形バン
プ及び飛散バンプが多数発生し、これら異形バンプ及び
飛散バンプ等によつて隣り合う比較用バンプ18A同士
が接触する等してブリツジも発生する。すなわち、図1
2(A)及び当該図12(A)を拡大した図12(B)
及び(C)に示すように、ウエハ10の各パツド11上
にそれぞれ形成された比較用バンプ18Aの周辺部に
は、それぞれ複数の飛散バンプ20が発生していると共
に、当該飛散バンプ20と接触してなる異形バンプ21
が観察される。これに対して第1〜第4のバンプでは、
表面に光沢を有すると共に理想的な球形状でなり、表面
性及び形状が良好なバンプ5が観察される。
1〜第4のバンプと第1〜第3の比較用バンプとの予測
される比較結果を図11〜図15に示す。図11に示す
ように、まず、金属顕微鏡による観察において、第1〜
第3の比較用バンプでは表面が黒化しており、異形バン
プ及び飛散バンプが多数発生し、これら異形バンプ及び
飛散バンプ等によつて隣り合う比較用バンプ18A同士
が接触する等してブリツジも発生する。すなわち、図1
2(A)及び当該図12(A)を拡大した図12(B)
及び(C)に示すように、ウエハ10の各パツド11上
にそれぞれ形成された比較用バンプ18Aの周辺部に
は、それぞれ複数の飛散バンプ20が発生していると共
に、当該飛散バンプ20と接触してなる異形バンプ21
が観察される。これに対して第1〜第4のバンプでは、
表面に光沢を有すると共に理想的な球形状でなり、表面
性及び形状が良好なバンプ5が観察される。
【0079】一方、SEMによる観察では、第1〜第3
の比較用バンプの断面を観察すると、比較用バンプ18
A内部のボイド及びクラツクが多数確認されると共に、
これらボイド及びクラツクによる異形バンプが多数確認
される。また、ウエハ10のパツド11上のBLM膜層
16と比較用バンプ18Aとが粗相互拡散して、当該B
LM膜層16の劣化が確認される。すなわち図13
(A)〜(C)に示すように、ウエハ10のパツド11
上のBLM膜層16上に形成されたバンプ材料18(図
13(A))をリフローすると、本来比較用バンプ18
Aは球形状となる(図13(B))。ところがバンプ材
料18の鉛及び錫の配合量にばらつきが生じていると、
これら鉛と錫との合成が不均一となり、ボイド25及び
クラツク26が生じると共に飛散バンプ20が発生す
る。これに対して第1〜第4のバンプでは、内部にボイ
ド25及びクラツク26は発生せず、ウエハ10のパツ
ド11上に良好に固着されている。
の比較用バンプの断面を観察すると、比較用バンプ18
A内部のボイド及びクラツクが多数確認されると共に、
これらボイド及びクラツクによる異形バンプが多数確認
される。また、ウエハ10のパツド11上のBLM膜層
16と比較用バンプ18Aとが粗相互拡散して、当該B
LM膜層16の劣化が確認される。すなわち図13
(A)〜(C)に示すように、ウエハ10のパツド11
上のBLM膜層16上に形成されたバンプ材料18(図
13(A))をリフローすると、本来比較用バンプ18
Aは球形状となる(図13(B))。ところがバンプ材
料18の鉛及び錫の配合量にばらつきが生じていると、
これら鉛と錫との合成が不均一となり、ボイド25及び
クラツク26が生じると共に飛散バンプ20が発生す
る。これに対して第1〜第4のバンプでは、内部にボイ
ド25及びクラツク26は発生せず、ウエハ10のパツ
ド11上に良好に固着されている。
【0080】強度試験においてまずシエアー試験では、
第1〜第3の比較用バンプは5〔kg〕程度の力で千切れ
る。これに対して第1〜第4のバンプは10〔kg〕程度の
力で千切れる。一方、引つ張り試験では第1〜第3の比
較用バンプは 500〔kg〕程度の力でBLM膜層16から
剥がれる。これに対して第1〜第4のバンプは1600〔k
g〕程度の力でパツド11から剥がれる。
第1〜第3の比較用バンプは5〔kg〕程度の力で千切れ
る。これに対して第1〜第4のバンプは10〔kg〕程度の
力で千切れる。一方、引つ張り試験では第1〜第3の比
較用バンプは 500〔kg〕程度の力でBLM膜層16から
剥がれる。これに対して第1〜第4のバンプは1600〔k
g〕程度の力でパツド11から剥がれる。
【0081】なお、シエアー試験における規格は、予め
バンプが千切れるときの力が8〔kg〕以上の場合には規
格内とし、これより小さい力(8〔kg〕未満)の場合に
は規格外と定めている。また引つ張り試験における規格
は、予めバンプがBLM膜層16又はパツド11から剥
がれるときの力が1200〔kg〕以上の場合には規格内と
し、これより小さい力(1200〔kg〕未満)の場合には規
格外と定めている。従つて、第1〜第3の比較用バンプ
はシエアー試験及び引つ張り試験において規格外とな
り、第1〜第4のバンプはシエアー試験及び引つ張り試
験において規格内となる。
バンプが千切れるときの力が8〔kg〕以上の場合には規
格内とし、これより小さい力(8〔kg〕未満)の場合に
は規格外と定めている。また引つ張り試験における規格
は、予めバンプがBLM膜層16又はパツド11から剥
がれるときの力が1200〔kg〕以上の場合には規格内と
し、これより小さい力(1200〔kg〕未満)の場合には規
格外と定めている。従つて、第1〜第3の比較用バンプ
はシエアー試験及び引つ張り試験において規格外とな
り、第1〜第4のバンプはシエアー試験及び引つ張り試
験において規格内となる。
【0082】また、洗浄性試験において、第1〜第3の
比較用バンプの周囲には、リフローによつて黒く焦げた
フラツクスの残さ物(以下、これを黒色残さ物と呼ぶ)
が観察されると共に、バンプ材料18の鉛及び錫とフラ
ツクスに含まれる有機酸系化合物との化学反応によつて
生成される有機鉛及び有機錫とでなる白色残さ物が観察
される。すなわち、図14及び図15に示すように、バ
ンプの周囲には多数の黒色残さ物30が発生していると
共に(図14)、ウエハ10のパツシベーシヨン膜12
上には多数の白色残さ物31が発生しており(図1
5)、これら黒色残さ物30及び白色残さ物31はウエ
ハ10の洗浄では除去しきれずに残存する。
比較用バンプの周囲には、リフローによつて黒く焦げた
フラツクスの残さ物(以下、これを黒色残さ物と呼ぶ)
が観察されると共に、バンプ材料18の鉛及び錫とフラ
ツクスに含まれる有機酸系化合物との化学反応によつて
生成される有機鉛及び有機錫とでなる白色残さ物が観察
される。すなわち、図14及び図15に示すように、バ
ンプの周囲には多数の黒色残さ物30が発生していると
共に(図14)、ウエハ10のパツシベーシヨン膜12
上には多数の白色残さ物31が発生しており(図1
5)、これら黒色残さ物30及び白色残さ物31はウエ
ハ10の洗浄では除去しきれずに残存する。
【0083】さらに、冷熱衝撃プログラム試験では、第
1〜第3の比較用バンプの場合、試験開始から 500サイ
クルにおいてこれら第1〜第3の比較用バンプとBLM
膜層16との接合部分にクラツクが発生する。これに対
して第1〜第4のバンプの場合、試験開始から予め定め
られた規格の1000サイクルを経過してもこれら第1〜第
4のバンプと導電性接着層6との接合部分にはクラツク
は発生せず、これら第1〜第4のバンプと導電性接着層
6とが固着している。
1〜第3の比較用バンプの場合、試験開始から 500サイ
クルにおいてこれら第1〜第3の比較用バンプとBLM
膜層16との接合部分にクラツクが発生する。これに対
して第1〜第4のバンプの場合、試験開始から予め定め
られた規格の1000サイクルを経過してもこれら第1〜第
4のバンプと導電性接着層6との接合部分にはクラツク
は発生せず、これら第1〜第4のバンプと導電性接着層
6とが固着している。
【0084】さらに、イオンマイグレーシヨン試験で
は、第1〜第3の比較用バンプの場合、試験開始から 5
00時間程度経過した後、隣り合うバンプ同士が短絡す
る。これに対して第1〜第4のバンプの場合、試験開始
から予め定められた規格の1000時間を経過しても隣り合
うバンプ同士は短絡せず、ウエハ10の各パツド11上
に形成された当初の状態を維持する。
は、第1〜第3の比較用バンプの場合、試験開始から 5
00時間程度経過した後、隣り合うバンプ同士が短絡す
る。これに対して第1〜第4のバンプの場合、試験開始
から予め定められた規格の1000時間を経過しても隣り合
うバンプ同士は短絡せず、ウエハ10の各パツド11上
に形成された当初の状態を維持する。
【0085】さらに、高温保持試験において第1〜第3
の比較用バンプの場合、まず 120〔℃〕程度の温度では
試験開始から 500時間程度経過した後、これら第1〜第
3の比較用バンプとBLM膜層16とが相互拡散して当
該BLM膜層16が劣化する。このため、BLM膜層1
6はこれら第1〜第3の比較用バンプとウエハ10の各
パツド11とを固着させる所定の強度を維持し難くな
る。一方、 210〔℃〕程度の温度では試験開始から 100
時間程度経過した後、上述と同様にこれら第1〜第3の
比較用バンプとBLM膜層16とが相互拡散する。従つ
て、この場合もBLM膜層16は第1〜第3の比較用バ
ンプとウエハ10の各パツド11とを固着させる所定の
強度を維持し難くなる。
の比較用バンプの場合、まず 120〔℃〕程度の温度では
試験開始から 500時間程度経過した後、これら第1〜第
3の比較用バンプとBLM膜層16とが相互拡散して当
該BLM膜層16が劣化する。このため、BLM膜層1
6はこれら第1〜第3の比較用バンプとウエハ10の各
パツド11とを固着させる所定の強度を維持し難くな
る。一方、 210〔℃〕程度の温度では試験開始から 100
時間程度経過した後、上述と同様にこれら第1〜第3の
比較用バンプとBLM膜層16とが相互拡散する。従つ
て、この場合もBLM膜層16は第1〜第3の比較用バ
ンプとウエハ10の各パツド11とを固着させる所定の
強度を維持し難くなる。
【0086】これに対して第1〜第4のバンプの場合に
は、 120〔℃〕及び 210〔℃〕の各温度において試験開
始から予め定められた規格の1000時間を経過してもこれ
ら第1〜第4のバンプと導電性接着層6とが相互拡散せ
ず、第1〜第4のバンプはウエハ10の各パツド11上
に固着されている。
は、 120〔℃〕及び 210〔℃〕の各温度において試験開
始から予め定められた規格の1000時間を経過してもこれ
ら第1〜第4のバンプと導電性接着層6とが相互拡散せ
ず、第1〜第4のバンプはウエハ10の各パツド11上
に固着されている。
【0087】ここで、上述した比較結果に基づいて実施
例によるバンプ形成方法と従来方式によるバンプ形成方
法とを比較した比較結果を図16に示す。まずバンプの
形成工程における廃液処理においては、従来方式による
バンプ形成方法ではBLM膜層形成工程及びバンプ材料
形成工程毎に廃液処理が必要であると共に、バンプ材料
18をリフローした後、フラツクスの洗浄工程において
も廃液が生じて廃液処理が必要となる。これに対して実
施例によるバンプ形成方法では、導電性接着層6によつ
てウエハ10の各パツド11上にそれぞれバンプ5を固
着させることにより、BLM膜層形成工程、バンプ材料
形成工程及びフラツクスの洗浄工程を必要とせず、すな
わち廃液処理を必要とせずにウエハ10の各パツド11
上にそれぞれバンプ5を形成することができる。
例によるバンプ形成方法と従来方式によるバンプ形成方
法とを比較した比較結果を図16に示す。まずバンプの
形成工程における廃液処理においては、従来方式による
バンプ形成方法ではBLM膜層形成工程及びバンプ材料
形成工程毎に廃液処理が必要であると共に、バンプ材料
18をリフローした後、フラツクスの洗浄工程において
も廃液が生じて廃液処理が必要となる。これに対して実
施例によるバンプ形成方法では、導電性接着層6によつ
てウエハ10の各パツド11上にそれぞれバンプ5を固
着させることにより、BLM膜層形成工程、バンプ材料
形成工程及びフラツクスの洗浄工程を必要とせず、すな
わち廃液処理を必要とせずにウエハ10の各パツド11
上にそれぞれバンプ5を形成することができる。
【0088】また、バンプの形成工程を比較すると、従
来方式によるバンプ形成方法では、BLM膜層形成工程
及びバンプ材料形成工程が必要であると共に、これらB
LM膜層形成工程及びバンプ材料形成工程にはそれぞれ
フオトレジスト膜17の形成工程及びフオトレジスト膜
17の剥離工程が必要である。従つて、バンプの形成工
程は煩雑であると共に多大な作業時間を必要とする。こ
れに対して実施例によるバンプ形成方法では、従来方式
によるバンプ形成方法のような上述した各工程を必要と
せず、バンプの形成工程が簡易である。
来方式によるバンプ形成方法では、BLM膜層形成工程
及びバンプ材料形成工程が必要であると共に、これらB
LM膜層形成工程及びバンプ材料形成工程にはそれぞれ
フオトレジスト膜17の形成工程及びフオトレジスト膜
17の剥離工程が必要である。従つて、バンプの形成工
程は煩雑であると共に多大な作業時間を必要とする。こ
れに対して実施例によるバンプ形成方法では、従来方式
によるバンプ形成方法のような上述した各工程を必要と
せず、バンプの形成工程が簡易である。
【0089】さらに、ウエハ10の各パツド11上に形
成されたバンプの均一性を比較すると、従来方式による
バンプ形成方法ではBLM膜層16上に形成されたバン
プ材料18の鉛及び錫の配合量にばらつきが生じる場合
がある。このため、ウエハ10の各パツド11上にそれ
ぞれ形成された比較用バンプ18Aは高さ及び形状にば
らつきが生じる。これに対して実施例によるバンプ形成
方法においては、予めほぼ均一な直径を有する球形状の
バンプ5をウエハ10の各パツド11上にそれぞれ転写
するようにして形成することにより、ウエハ10の各パ
ツド11上にそれぞれ形成されたバンプ5はほぼ均一な
高さ及び形状でなる。
成されたバンプの均一性を比較すると、従来方式による
バンプ形成方法ではBLM膜層16上に形成されたバン
プ材料18の鉛及び錫の配合量にばらつきが生じる場合
がある。このため、ウエハ10の各パツド11上にそれ
ぞれ形成された比較用バンプ18Aは高さ及び形状にば
らつきが生じる。これに対して実施例によるバンプ形成
方法においては、予めほぼ均一な直径を有する球形状の
バンプ5をウエハ10の各パツド11上にそれぞれ転写
するようにして形成することにより、ウエハ10の各パ
ツド11上にそれぞれ形成されたバンプ5はほぼ均一な
高さ及び形状でなる。
【0090】さらに、ウエハ10の各パツド11上に形
成されたバンプの歩留りを比較すると、従来方式による
バンプ形成方法では、比較用バンプ18Aの高さ及び形
状にばらつきが生じていると共に、当該比較用バンプ1
8A内部にボイド及びクラツクが発生する。このため、
比較的歩留りが良い場合でも90〔%〕程度の歩留りとな
る。これに対して実施例によるバンプ形成方法では、予
めほぼ均一な直径を有する球形状の各バンプ5をそれぞ
れウエハ10のパツド11上に転写するようにして形成
することにより、ほぼ 100〔%〕の歩留りとなる。
成されたバンプの歩留りを比較すると、従来方式による
バンプ形成方法では、比較用バンプ18Aの高さ及び形
状にばらつきが生じていると共に、当該比較用バンプ1
8A内部にボイド及びクラツクが発生する。このため、
比較的歩留りが良い場合でも90〔%〕程度の歩留りとな
る。これに対して実施例によるバンプ形成方法では、予
めほぼ均一な直径を有する球形状の各バンプ5をそれぞ
れウエハ10のパツド11上に転写するようにして形成
することにより、ほぼ 100〔%〕の歩留りとなる。
【0091】さらに、バンプの形成における経済性を比
較すると、従来方式によるバンプ形成方法においては、
BLM膜層形成工程及びバンプ材料形成工程におけるフ
オトレジスト膜17の剥離工程において、それぞれウエ
ハ10の一面10Aに積層形成されたBLM膜層16及
びバンプ材料18の重量全体に対する99〔%〕以上のB
LM膜層16及びバンプ材料18が除去され、1〔%〕
に満たないBLM膜層16及びバンプ材料18が用いら
れている。従つて、この従来方式によるバンプ形成方法
においてはコストが高くなる。これに対して実施例によ
るバンプ形成方法では、予め球形状に形成されたバンプ
5をウエハ10の各パツド11上に転写するようにして
形成するので、従来方式によるバンプ形成方法に比べて
経済性が格段的に向上する。
較すると、従来方式によるバンプ形成方法においては、
BLM膜層形成工程及びバンプ材料形成工程におけるフ
オトレジスト膜17の剥離工程において、それぞれウエ
ハ10の一面10Aに積層形成されたBLM膜層16及
びバンプ材料18の重量全体に対する99〔%〕以上のB
LM膜層16及びバンプ材料18が除去され、1〔%〕
に満たないBLM膜層16及びバンプ材料18が用いら
れている。従つて、この従来方式によるバンプ形成方法
においてはコストが高くなる。これに対して実施例によ
るバンプ形成方法では、予め球形状に形成されたバンプ
5をウエハ10の各パツド11上に転写するようにして
形成するので、従来方式によるバンプ形成方法に比べて
経済性が格段的に向上する。
【0092】さらに、ウエハ10のパツド11とバンプ
との密着性を比較すると、従来方式によるバンプ形成方
法においては、温度及び湿度等の環境によつてBLM膜
層16(Cr 及びCu )と比較用バンプ18A(Pb及
びSn )とが相互拡散して、比較的短い時間において当
該BLM膜層16が劣化し、場合によつてはBLM膜層
16から比較用バンプ18Aが剥がれることがある。こ
れに対して実施例によるバンプ形成方法では、導電性接
着層6とバンプ5(Pb及びSn)とは相互拡散せず、
導電性接着層6自体の劣化のみなので、従来方式による
バンプ形成方法に比べて格段的長い時間、パツド11と
バンプ5とが導電性接着層6を介して密着性良く固着さ
れる。
との密着性を比較すると、従来方式によるバンプ形成方
法においては、温度及び湿度等の環境によつてBLM膜
層16(Cr 及びCu )と比較用バンプ18A(Pb及
びSn )とが相互拡散して、比較的短い時間において当
該BLM膜層16が劣化し、場合によつてはBLM膜層
16から比較用バンプ18Aが剥がれることがある。こ
れに対して実施例によるバンプ形成方法では、導電性接
着層6とバンプ5(Pb及びSn)とは相互拡散せず、
導電性接着層6自体の劣化のみなので、従来方式による
バンプ形成方法に比べて格段的長い時間、パツド11と
バンプ5とが導電性接着層6を介して密着性良く固着さ
れる。
【0093】以上のように実施例によるバンプ形成方法
においては、基材2の一面2Aに設けられた剥離層3上
に、ウエハ10の各パツド11にそれぞれ対応させて当
該基材2に埋め込むようにバンプ5を配置し、これら各
バンプ5を覆うように剥離層3上に導電性接着層6を形
成してバンプ転写シート1を形成する。次いで、バンプ
転写シート1の各バンプ5とそれぞれ対応するウエハ1
0のパツド11とを導電性接着層6を介して当接させる
ように当該バンプ転写シート1とウエハ10とを突き合
わせ、当該バンプ転写シート1の各バンプ5とそれぞれ
対応するウエハ10のパツド11とを位置決めする。続
いて、バンプ転写シート1の各バンプ5とそれぞれ対応
するウエハ10のパツド11との間の導電性接着層6の
所定領域6Aを加熱して固化させ、これら導電性接着層
6の所定領域6Aによつて各バンプ5とそれぞれ対応す
るパツド11とを固着する。この後、ウエハ10の各パ
ツド11上にそれぞれ固着されたバンプ5からバンプ転
写シート1を剥離層3と共に引き離し、ウエハ10の各
パツド11上にそれぞれバンプ5を転写するようにして
形成する。
においては、基材2の一面2Aに設けられた剥離層3上
に、ウエハ10の各パツド11にそれぞれ対応させて当
該基材2に埋め込むようにバンプ5を配置し、これら各
バンプ5を覆うように剥離層3上に導電性接着層6を形
成してバンプ転写シート1を形成する。次いで、バンプ
転写シート1の各バンプ5とそれぞれ対応するウエハ1
0のパツド11とを導電性接着層6を介して当接させる
ように当該バンプ転写シート1とウエハ10とを突き合
わせ、当該バンプ転写シート1の各バンプ5とそれぞれ
対応するウエハ10のパツド11とを位置決めする。続
いて、バンプ転写シート1の各バンプ5とそれぞれ対応
するウエハ10のパツド11との間の導電性接着層6の
所定領域6Aを加熱して固化させ、これら導電性接着層
6の所定領域6Aによつて各バンプ5とそれぞれ対応す
るパツド11とを固着する。この後、ウエハ10の各パ
ツド11上にそれぞれ固着されたバンプ5からバンプ転
写シート1を剥離層3と共に引き離し、ウエハ10の各
パツド11上にそれぞれバンプ5を転写するようにして
形成する。
【0094】従つて、この実施例によるバンプ形成方法
においては、従来のバンプ形成方法のようなBLM膜層
形成工程及びバンプ材料形成工程を必要とせず、バンプ
の形成工程を簡易にすることができる。これに加え、こ
の実施例によるバンプ形成方法においては、予めほぼ均
一な球形状に形成された各バンプ5をそれぞれウエハ1
0の各パツド11上に形成するようにしたことにより、
従来のバンプ形成方法のようなフラツクスの洗浄工程等
を必要とせず、バンプの形成工程をさらに簡易にするこ
とができる。
においては、従来のバンプ形成方法のようなBLM膜層
形成工程及びバンプ材料形成工程を必要とせず、バンプ
の形成工程を簡易にすることができる。これに加え、こ
の実施例によるバンプ形成方法においては、予めほぼ均
一な球形状に形成された各バンプ5をそれぞれウエハ1
0の各パツド11上に形成するようにしたことにより、
従来のバンプ形成方法のようなフラツクスの洗浄工程等
を必要とせず、バンプの形成工程をさらに簡易にするこ
とができる。
【0095】また、この実施例によるバンプ形成方法に
おいては、従来のバンプ形成工程のようなフオトレジス
ト膜の剥離工程及びフラツクスの洗浄工程に用いられる
有機溶剤等の廃液を処理する廃液処理設備を必要とせ
ず、バンプの形成工程の設備を簡易に構成することがで
きる。
おいては、従来のバンプ形成工程のようなフオトレジス
ト膜の剥離工程及びフラツクスの洗浄工程に用いられる
有機溶剤等の廃液を処理する廃液処理設備を必要とせ
ず、バンプの形成工程の設備を簡易に構成することがで
きる。
【0096】さらに、この実施例によるバンプ形成方法
においては、予めほぼ均一な球形状に形成された各バン
プ5をそれぞれウエハ10の各パツド11上に形成する
ようにしたことにより、従来のバンプ形成方法において
生じていたバンプの高さのばらつき、バンプ内部のボイ
ド25及びクラツク26や、大きさの異なるバンプ、異
形バンプ21及び飛散バンプ20の発生に起因して発生
するブリツジを防止することができる。すなわち、バン
プ5の表面性、形状及び組成等の物性がほぼ均一なバン
プ5をパツド11上に形成することができ、各パツド1
1上にそれぞれ形成されたバンプ5の歩留りを向上させ
ることができる。これに加え、この実施例によるバンプ
形成方法では、従来のバンプ形成方法のようなフオトレ
ジスト膜17の剥離工程を必要とせず、これによりウエ
ハ10の各パツド11上にバンプを形成する場合のコス
トを低減させることができ、かくしてバンプ形成におけ
る経済性を格段的に向上させることができる。
においては、予めほぼ均一な球形状に形成された各バン
プ5をそれぞれウエハ10の各パツド11上に形成する
ようにしたことにより、従来のバンプ形成方法において
生じていたバンプの高さのばらつき、バンプ内部のボイ
ド25及びクラツク26や、大きさの異なるバンプ、異
形バンプ21及び飛散バンプ20の発生に起因して発生
するブリツジを防止することができる。すなわち、バン
プ5の表面性、形状及び組成等の物性がほぼ均一なバン
プ5をパツド11上に形成することができ、各パツド1
1上にそれぞれ形成されたバンプ5の歩留りを向上させ
ることができる。これに加え、この実施例によるバンプ
形成方法では、従来のバンプ形成方法のようなフオトレ
ジスト膜17の剥離工程を必要とせず、これによりウエ
ハ10の各パツド11上にバンプを形成する場合のコス
トを低減させることができ、かくしてバンプ形成におけ
る経済性を格段的に向上させることができる。
【0097】さらに、このバンプ形成方法においては、
ウエハ10の各パツド11上にそれぞれ導電性接着層6
によつてバンプ5を形成するようにしたことにより、こ
れら各パツド11に対する各バンプ5の密着強度を格段
的に向上させることができる。これに加え、導電性接着
層6とバンプ5とは相互拡散ぜす、上述した各パツド1
1に対する各バンプ5の密着強度を比較的長時間に亘つ
て維持することができる。
ウエハ10の各パツド11上にそれぞれ導電性接着層6
によつてバンプ5を形成するようにしたことにより、こ
れら各パツド11に対する各バンプ5の密着強度を格段
的に向上させることができる。これに加え、導電性接着
層6とバンプ5とは相互拡散ぜす、上述した各パツド1
1に対する各バンプ5の密着強度を比較的長時間に亘つ
て維持することができる。
【0098】さらに、この実施例によるバンプ形成方法
においては、従来のバンプ形成方法に比べて上述した冷
熱衝撃プログラム試験、ヒートサーマルシヨツク試験、
イオンマイグレーシヨン試験及び高温保持試験等の信頼
性試験の比較結果からわかるように、ウエハ10の各パ
ツド11上にそれぞれ形成された各バンプ5の信頼性を
格段的に向上させることができる。
においては、従来のバンプ形成方法に比べて上述した冷
熱衝撃プログラム試験、ヒートサーマルシヨツク試験、
イオンマイグレーシヨン試験及び高温保持試験等の信頼
性試験の比較結果からわかるように、ウエハ10の各パ
ツド11上にそれぞれ形成された各バンプ5の信頼性を
格段的に向上させることができる。
【0099】さらに、この実施例によるバンプ形成方法
によつて各パツド11上にそれぞれバンプ5が形成され
たICチツプを配線基板上に実装した後、当該ICチツ
プに不良が発生した場合でも、バンプ5を容易に取り外
すことができるので、再び実装することができる。この
場合、各パツド11上にそれぞれ形成されるバンプ5を
取り替えることにより、再実装におけるバンプ5のダメ
ージを軽減させることができる。
によつて各パツド11上にそれぞれバンプ5が形成され
たICチツプを配線基板上に実装した後、当該ICチツ
プに不良が発生した場合でも、バンプ5を容易に取り外
すことができるので、再び実装することができる。この
場合、各パツド11上にそれぞれ形成されるバンプ5を
取り替えることにより、再実装におけるバンプ5のダメ
ージを軽減させることができる。
【0100】このような実施例によるバンプ形成方法に
用いるバンプ転写シート1においては、基材2の一面2
Aに形成された剥離層3上に、予めほぼ均一な球形状に
形成された各バンプ5をウエハ10の各パツド11に対
応させて配置し、これら各バンプ5を覆うように導電性
接着層6を形成するようにしたことにより、ウエハ10
の各パツド11上にそれぞれバンプ5を一括形成するこ
とができる。この結果、このバンプ転写シート1は、各
パツド11上にそれぞれバンプ5が形成されたウエハ1
0を容易に生産することができ、かくして生産効率を向
上させることができる。
用いるバンプ転写シート1においては、基材2の一面2
Aに形成された剥離層3上に、予めほぼ均一な球形状に
形成された各バンプ5をウエハ10の各パツド11に対
応させて配置し、これら各バンプ5を覆うように導電性
接着層6を形成するようにしたことにより、ウエハ10
の各パツド11上にそれぞれバンプ5を一括形成するこ
とができる。この結果、このバンプ転写シート1は、各
パツド11上にそれぞれバンプ5が形成されたウエハ1
0を容易に生産することができ、かくして生産効率を向
上させることができる。
【0101】また、このような実施例によるバンプ形成
方法によつて各パツド11上にそれぞれバンプ5が形成
されてなる半導体装置においては、これら各パツド11
とそれぞれ対応するバンプ5とを導電性接着層6によつ
て固着させることにより、これら各パツド11とそれぞ
れ対応するバンプ5とを容易に固着させることができ
る。また、各パツド11に対する各バンプ5の密着強度
を比較的長時間に亘つて維持することができる。
方法によつて各パツド11上にそれぞれバンプ5が形成
されてなる半導体装置においては、これら各パツド11
とそれぞれ対応するバンプ5とを導電性接着層6によつ
て固着させることにより、これら各パツド11とそれぞ
れ対応するバンプ5とを容易に固着させることができ
る。また、各パツド11に対する各バンプ5の密着強度
を比較的長時間に亘つて維持することができる。
【0102】以上のように、基材2の一面2Aに設けら
れた剥離層3上に、ウエハ10の各パツド11にそれぞ
れ対応させてバンプ5を配置した後、これら各バンプ5
を覆うように剥離層3上に導電性接着層6を形成して転
写シート1を形成し、次いで、バンプ転写シート1の各
バンプ5とそれぞれ対応するウエハ10のパツド11と
を導電性接着層6を介して当接させるように当該バンプ
転写シート1とウエハ10とを突き合わた後、各バンプ
5とそれぞれ対応するパツド11とを位置決めし、続い
て、各パツド11とそれぞれ対応するバンプ5との間の
導電性接着層6の所定領域6Aを加熱して固化させるこ
とにより、各パツド11とそれぞれ対応するバンプ5と
を固着し、この後ウエハ10の各パツド11上にそれぞ
れ固着されたバンプ5からバンプ転写シート1を引き離
すようにしたことにより、従来のバンプ形成方法に比べ
てバンプの形成工程を簡易にすることができ、かくして
バンプの形成工程における作業時間を大幅に短縮し得る
バンプ形成方法を実現することができる。
れた剥離層3上に、ウエハ10の各パツド11にそれぞ
れ対応させてバンプ5を配置した後、これら各バンプ5
を覆うように剥離層3上に導電性接着層6を形成して転
写シート1を形成し、次いで、バンプ転写シート1の各
バンプ5とそれぞれ対応するウエハ10のパツド11と
を導電性接着層6を介して当接させるように当該バンプ
転写シート1とウエハ10とを突き合わた後、各バンプ
5とそれぞれ対応するパツド11とを位置決めし、続い
て、各パツド11とそれぞれ対応するバンプ5との間の
導電性接着層6の所定領域6Aを加熱して固化させるこ
とにより、各パツド11とそれぞれ対応するバンプ5と
を固着し、この後ウエハ10の各パツド11上にそれぞ
れ固着されたバンプ5からバンプ転写シート1を引き離
すようにしたことにより、従来のバンプ形成方法に比べ
てバンプの形成工程を簡易にすることができ、かくして
バンプの形成工程における作業時間を大幅に短縮し得る
バンプ形成方法を実現することができる。
【0103】また、以上のように、基材2の一面2Aに
形成された剥離層3上に、予めほぼ均一な球形状に形成
された各バンプ5をウエハ10の各パツド11に対応さ
せて配置させ、これら各バンプ5を覆うように導電性接
着層6を形成するようにしたことにより、ウエハ10の
各パツド11上にそれぞれバンプ5を一括形成すること
ができ、かくしてバンプの形成工程における作業時間を
大幅に短縮し得るバンプ転写シートを実現することがで
きる。
形成された剥離層3上に、予めほぼ均一な球形状に形成
された各バンプ5をウエハ10の各パツド11に対応さ
せて配置させ、これら各バンプ5を覆うように導電性接
着層6を形成するようにしたことにより、ウエハ10の
各パツド11上にそれぞれバンプ5を一括形成すること
ができ、かくしてバンプの形成工程における作業時間を
大幅に短縮し得るバンプ転写シートを実現することがで
きる。
【0104】さらに、以上のように、各パツド11とそ
れぞれ対応するバンプ5とを導電性接着層6によつて固
着させるようにしたことにより、各パツド11とそれぞ
れ対応するバンプ5とを容易に固着させることができ、
かくしてバンプの形成工程における作業時間を大幅に短
縮し得る半導体装置を実現することができる。
れぞれ対応するバンプ5とを導電性接着層6によつて固
着させるようにしたことにより、各パツド11とそれぞ
れ対応するバンプ5とを容易に固着させることができ、
かくしてバンプの形成工程における作業時間を大幅に短
縮し得る半導体装置を実現することができる。
【0105】なお上述の実施例においては、バンプ形成
対象物としてICチツプに応じたIC回路が複数形成さ
れたウエハ10を用いるようにした場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、LSI(Large Scale IC)
チツプに応じた回路が複数形成されたウエハ、ボールグ
リツドアレイ(BGA、Ball Grid Array )及びチツプ
サイズパツケージ(CSP、Chip Size Package )等の
この他種々のバンプ形成対象物を用いるようにしても良
い。
対象物としてICチツプに応じたIC回路が複数形成さ
れたウエハ10を用いるようにした場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、LSI(Large Scale IC)
チツプに応じた回路が複数形成されたウエハ、ボールグ
リツドアレイ(BGA、Ball Grid Array )及びチツプ
サイズパツケージ(CSP、Chip Size Package )等の
この他種々のバンプ形成対象物を用いるようにしても良
い。
【0106】また上述の実施例においては、基材2の一
面2Aの剥離層3上に配置された各バンプ5を覆うよう
に導電性接着層6を形成するようにした場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、メタルマスク印刷法又
はスクリーン印刷法等の手法によつて予めウエハ10の
各パツド11上にそれぞれ導電性接着層6を形成し、以
下に示す第5のバンプ転写シートを用いてこれら各導電
性接着層6上にそれぞれバンプ5を転写して形成するよ
うにしても良い。また、これら各パツド11上の導電性
接着層6上に順次バンプ5を載置したり、バンプ5(球
形状はんだ)の吸着治具等を有する種々の転写装置を用
いてこれら各パツド11上の導電性接着層6上にそれぞ
れバンプ5を一括転写するようにしても良い。
面2Aの剥離層3上に配置された各バンプ5を覆うよう
に導電性接着層6を形成するようにした場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、メタルマスク印刷法又
はスクリーン印刷法等の手法によつて予めウエハ10の
各パツド11上にそれぞれ導電性接着層6を形成し、以
下に示す第5のバンプ転写シートを用いてこれら各導電
性接着層6上にそれぞれバンプ5を転写して形成するよ
うにしても良い。また、これら各パツド11上の導電性
接着層6上に順次バンプ5を載置したり、バンプ5(球
形状はんだ)の吸着治具等を有する種々の転写装置を用
いてこれら各パツド11上の導電性接着層6上にそれぞ
れバンプ5を一括転写するようにしても良い。
【0107】この場合、図17に示すように、このよう
な第5のバンプ転写シートにおいては、まず、基材2と
して例えば株式会社帝人製の 100〔μm 〕程度の厚さを
有するPETフイルムを用いると共に、剥離層3として
当該剥離層3の重量全体を 100〔%〕とした場合、例え
ば株式会社日本合成化学製のアクリル樹脂80〔%〕及び
シリコーン樹脂20〔%〕とを配合して用いる。また、バ
ンプ5として、例えば株式会社ニホンゲンマ製の60〔μ
m 〕程度の直径でなるはんだボールを用いる。一方、ウ
エハ10の各パツド11上に形成する導電性接着層6と
して、例えばライオン株式会社製の導電性ペーストを用
い、当該導電性ペーストを60〔g/m2〕の塗布量となるよ
うにそれぞれ各パツド11上に塗布する。
な第5のバンプ転写シートにおいては、まず、基材2と
して例えば株式会社帝人製の 100〔μm 〕程度の厚さを
有するPETフイルムを用いると共に、剥離層3として
当該剥離層3の重量全体を 100〔%〕とした場合、例え
ば株式会社日本合成化学製のアクリル樹脂80〔%〕及び
シリコーン樹脂20〔%〕とを配合して用いる。また、バ
ンプ5として、例えば株式会社ニホンゲンマ製の60〔μ
m 〕程度の直径でなるはんだボールを用いる。一方、ウ
エハ10の各パツド11上に形成する導電性接着層6と
して、例えばライオン株式会社製の導電性ペーストを用
い、当該導電性ペーストを60〔g/m2〕の塗布量となるよ
うにそれぞれ各パツド11上に塗布する。
【0108】このような第5のバンプ転写シートを用い
てウエハ10の各パツド11上にそれぞれ形成されたバ
ンプ5においては、実施例のようにバンプの外観及びバ
ンプの断面の観察、機械的強度試験、洗浄性試験及び信
頼性試験によつて従来方式によるバンプ形成方法と比較
すると第1〜第4のバンプ転写シートとほぼ同じ比較結
果が得られると期待することができる。
てウエハ10の各パツド11上にそれぞれ形成されたバ
ンプ5においては、実施例のようにバンプの外観及びバ
ンプの断面の観察、機械的強度試験、洗浄性試験及び信
頼性試験によつて従来方式によるバンプ形成方法と比較
すると第1〜第4のバンプ転写シートとほぼ同じ比較結
果が得られると期待することができる。
【0109】さらに上述の実施例においては、基材2の
一面2Aに形成された剥離層3上に配置された各バンプ
5を覆うように導電性接着層6を形成したバンプ転写シ
ート1を用いてウエハ10の各パツド11上にそれぞれ
バンプ5を形成するようにした場合について述べたが、
本発明はこれに限らず、バンプ転写シートにおいて、基
材の一面の各バンプ配置位置に対応する所定領域にそれ
ぞれ剥離層を形成して、これら各剥離層上にそれぞれバ
ンプを配置すると共に、各剥離層からそれぞれ露出され
たバンプの所定領域にそれぞれ導電性接着層を形成する
ようにしても良い。
一面2Aに形成された剥離層3上に配置された各バンプ
5を覆うように導電性接着層6を形成したバンプ転写シ
ート1を用いてウエハ10の各パツド11上にそれぞれ
バンプ5を形成するようにした場合について述べたが、
本発明はこれに限らず、バンプ転写シートにおいて、基
材の一面の各バンプ配置位置に対応する所定領域にそれ
ぞれ剥離層を形成して、これら各剥離層上にそれぞれバ
ンプを配置すると共に、各剥離層からそれぞれ露出され
たバンプの所定領域にそれぞれ導電性接着層を形成する
ようにしても良い。
【0110】この場合、図6(A)〜(F)の対応部分
に同一符号を付して示す図18(A)〜(F)は上述し
たバンプ転写シートを示し、基材2の一面2Aの各バン
プ配置位置に対応する所定領域にそれぞれ塗布量が10
〔g/m2〕となるように剥離層40を形成する(図18
(B))。次いで、各所定領域にそれぞれ形成された剥
離層40上にそれぞれ同一の直径でなるバンプ5を配置
する。この後、これら各バンプ5を潰さない程度の圧力
で剥離層40側に押し、これら各バンプ5を直径のほぼ
半分程度まで基材2に埋め込むようにして固定する(図
18(C))。
に同一符号を付して示す図18(A)〜(F)は上述し
たバンプ転写シートを示し、基材2の一面2Aの各バン
プ配置位置に対応する所定領域にそれぞれ塗布量が10
〔g/m2〕となるように剥離層40を形成する(図18
(B))。次いで、各所定領域にそれぞれ形成された剥
離層40上にそれぞれ同一の直径でなるバンプ5を配置
する。この後、これら各バンプ5を潰さない程度の圧力
で剥離層40側に押し、これら各バンプ5を直径のほぼ
半分程度まで基材2に埋め込むようにして固定する(図
18(C))。
【0111】続いて、基材2の一面2Aから露出された
各バンプ5の所定領域にそれぞれ導電性接着層41を形
成する。これによりバンプ転写シートを作成することが
できる(図18(D))。次いで、バンプ転写シートと
ウエハ10の一面10Aとを突き合わせ、当該バンプ転
写シートの各バンプ5の中心位置と、それぞれ対応する
ウエハ10のパツド11の中心位置とを一致させるよう
に位置合わせする(図18(E))。
各バンプ5の所定領域にそれぞれ導電性接着層41を形
成する。これによりバンプ転写シートを作成することが
できる(図18(D))。次いで、バンプ転写シートと
ウエハ10の一面10Aとを突き合わせ、当該バンプ転
写シートの各バンプ5の中心位置と、それぞれ対応する
ウエハ10のパツド11の中心位置とを一致させるよう
に位置合わせする(図18(E))。
【0112】続いて、各バンプ5とそれぞれ対応するパ
ツド11との間の導電性接着層41を加熱して固化させ
ることにより、これら各バンプ5とそれぞれ対応するパ
ツド11とを固着する。この後、ウエハ10の各パツド
11上にそれぞれ固着されたバンプ5からバンプ転写シ
ート1を引き離し、これによりウエハ10の各パツド1
1上にそれぞれ導電性接着層41を介してバンプ5を形
成することができる(図18(F))。
ツド11との間の導電性接着層41を加熱して固化させ
ることにより、これら各バンプ5とそれぞれ対応するパ
ツド11とを固着する。この後、ウエハ10の各パツド
11上にそれぞれ固着されたバンプ5からバンプ転写シ
ート1を引き離し、これによりウエハ10の各パツド1
1上にそれぞれ導電性接着層41を介してバンプ5を形
成することができる(図18(F))。
【0113】さらに上述の実施例においては、バンプ転
写シート1を用いて、ウエハ10の各パツド11上にそ
れぞれバンプ5を形成するようにした場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、ウエハ10の一面10A
における種々の所定位置にそれぞれバンプ5を形成する
ようにしても良い。
写シート1を用いて、ウエハ10の各パツド11上にそ
れぞれバンプ5を形成するようにした場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、ウエハ10の一面10A
における種々の所定位置にそれぞれバンプ5を形成する
ようにしても良い。
【0114】さらに上述の実施例においては、バンプ転
写シート1に球形状に形成されたはんだでなるバンプ5
を用いるようにした場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、はんだ、金及びアルミニウム等の種々の導
電性部材でなる円柱形状、球形状等の種々の形状のバン
プを用いるようにしても良い。
写シート1に球形状に形成されたはんだでなるバンプ5
を用いるようにした場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、はんだ、金及びアルミニウム等の種々の導
電性部材でなる円柱形状、球形状等の種々の形状のバン
プを用いるようにしても良い。
【0115】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、基材の一
面にバンプ形成対象物の各バンプ形成位置にそれぞれ対
応させてバンプを配置し、次いで、各バンプ上及び又は
バンプ形成対象物の各バンプ形成位置上に導電性接着剤
を供給し、続いて、各バンプとそれぞれ対応するバンプ
形成位置とを導電性接着剤を介して当接させるように基
材とバンプ形成対象物とを突き合わせて各バンプとそれ
ぞれ対応するバンプ形成位置とを位置決めし、次いで、
導電性接着剤を固化させることにより、各バンプをそれ
ぞれ対応するバンプ形成位置に固着させ、続いて、バン
プ形成対象物の各バンプ形成位置にそれぞれ固着された
バンプから基材を引き離すようにしたことにより、従来
のバンプ形成方法に比べてバンプの形成工程を簡易にす
ることができ、かくしてバンプの形成工程における作業
時間を大幅に短縮し得るバンプ形成方法を実現すること
ができる。
面にバンプ形成対象物の各バンプ形成位置にそれぞれ対
応させてバンプを配置し、次いで、各バンプ上及び又は
バンプ形成対象物の各バンプ形成位置上に導電性接着剤
を供給し、続いて、各バンプとそれぞれ対応するバンプ
形成位置とを導電性接着剤を介して当接させるように基
材とバンプ形成対象物とを突き合わせて各バンプとそれ
ぞれ対応するバンプ形成位置とを位置決めし、次いで、
導電性接着剤を固化させることにより、各バンプをそれ
ぞれ対応するバンプ形成位置に固着させ、続いて、バン
プ形成対象物の各バンプ形成位置にそれぞれ固着された
バンプから基材を引き離すようにしたことにより、従来
のバンプ形成方法に比べてバンプの形成工程を簡易にす
ることができ、かくしてバンプの形成工程における作業
時間を大幅に短縮し得るバンプ形成方法を実現すること
ができる。
【0116】また以上のように本発明によれば、基材の
一面の所定位置にバンプを配置させ、当該バンプ上に導
電性接着剤を供給させるようにしたことにより、バンプ
形成対象物表面の各バンプ形成位置にそれぞれバンプを
一括形成することができ、かくしてバンプの形成工程に
おける作業時間を大幅に短縮し得るバンプ転写シートを
実現することができる。
一面の所定位置にバンプを配置させ、当該バンプ上に導
電性接着剤を供給させるようにしたことにより、バンプ
形成対象物表面の各バンプ形成位置にそれぞれバンプを
一括形成することができ、かくしてバンプの形成工程に
おける作業時間を大幅に短縮し得るバンプ転写シートを
実現することができる。
【0117】さらに以上のように本発明によれば、各電
極とそれぞれ対応するバンプとを導電性接着剤によつて
固着するようにしたことにより、各電極にそれぞれ対応
するバンプを容易に固着させることができ、かくしてバ
ンプの形成工程における作業時間を大幅に短縮し得る半
導体装置を実現することができる。
極とそれぞれ対応するバンプとを導電性接着剤によつて
固着するようにしたことにより、各電極にそれぞれ対応
するバンプを容易に固着させることができ、かくしてバ
ンプの形成工程における作業時間を大幅に短縮し得る半
導体装置を実現することができる。
【図1】本発明の一実施例によるバンプ形成方法に用い
るバンプ転写シートの構成を示す略線的断面図である。
るバンプ転写シートの構成を示す略線的断面図である。
【図2】本発明の一実施例による第1のバンプ転写シー
トの構成部材を示す図表である。
トの構成部材を示す図表である。
【図3】本発明の一実施例による第2のバンプ転写シー
トの構成部材を示す図表である。
トの構成部材を示す図表である。
【図4】本発明の一実施例による第3のバンプ転写シー
トの構成部材を示す図表である。
トの構成部材を示す図表である。
【図5】本発明の一実施例による第4のバンプ転写シー
トの構成部材を示す図表である。
トの構成部材を示す図表である。
【図6】本発明の一実施例によるバンプ形成方法におけ
るバンプ形成手順を示す略線的断面図である。
るバンプ形成手順を示す略線的断面図である。
【図7】本発明の一実施例によるバンプ形成方法によつ
てウエハのパツド上に形成されたバンプの様子を示す略
線的断面図である。
てウエハのパツド上に形成されたバンプの様子を示す略
線的断面図である。
【図8】本発明の一実施例によるバンプ形成方法によつ
てウエハの複数のパツド上にそれぞれ形成されたバンプ
の様子を示す略線的断面図である。
てウエハの複数のパツド上にそれぞれ形成されたバンプ
の様子を示す略線的断面図である。
【図9】比較用バンプの形成手順を示す略線的断面図で
ある。
ある。
【図10】比較用バンプを形成する際のバンプ材料のリ
フロー条件を示す図表である。
フロー条件を示す図表である。
【図11】第1〜第4のバンプ転写シートを用いて形成
された第1〜第4のバンプと比較用バンプとの比較結果
を示す図表である。
された第1〜第4のバンプと比較用バンプとの比較結果
を示す図表である。
【図12】ウエハのパツド上に形成された比較用バンプ
の様子を示す略線的断面図である。
の様子を示す略線的断面図である。
【図13】比較用バンプにおける異形バンプ及び飛散バ
ンプの様子を示す略線図である。
ンプの様子を示す略線図である。
【図14】比較用バンプの形成によつて発生したフラツ
クス残さ物の説明に供する略線図である。
クス残さ物の説明に供する略線図である。
【図15】比較用バンプの形成によつてパツシベーシヨ
ン膜上に発生した白色残さ物の説明に供する略線図であ
る。
ン膜上に発生した白色残さ物の説明に供する略線図であ
る。
【図16】実施例によるバンプ形成方法と従来方式によ
るバンプ形成方法との比較結果を示す図表である。
るバンプ形成方法との比較結果を示す図表である。
【図17】他の実施例によるバンプ転写シートの構成部
材を示す図表である。
材を示す図表である。
【図18】他の実施例によるバンプ形成方法におけるバ
ンプ形成手順を示す略線的断面図である。
ンプ形成手順を示す略線的断面図である。
1……バンプ転写シート、2……基材、3、40……剥
離層、4……アクリル樹脂層、5、13……バンプ、
6、40……導電性接着層、10ウエハ、11……パツ
ド、12……パツシベーシヨン膜、14……接着層、1
5……バリアメタル層、16……BLM膜層、17……
フオトレジスト膜、18……バンプ材料、18A……比
較用バンプ。
離層、4……アクリル樹脂層、5、13……バンプ、
6、40……導電性接着層、10ウエハ、11……パツ
ド、12……パツシベーシヨン膜、14……接着層、1
5……バリアメタル層、16……BLM膜層、17……
フオトレジスト膜、18……バンプ材料、18A……比
較用バンプ。
Claims (5)
- 【請求項1】バンプ形成対象物表面の複数のバンプ形成
位置にそれぞれバンプを形成するバンプ形成方法におい
て、 基材の一面に上記バンプ形成対象物の各上記バンプ形成
位置にそれぞれ対応させてバンプを配置する第1の工程
と、 各上記バンプ上及び又は上記バンプ形成対象物の各上記
バンプ形成位置上に導電性接着剤を供給する第2の工程
と、 各上記バンプとそれぞれ対応する上記バンプ形成位置と
を上記導電性接着剤を介して当接させるように上記基材
と上記バンプ形成対象物とを突き合わせ、各上記バンプ
とそれぞれ対応する上記バンプ形成位置とを位置決めす
る第3の工程と、 上記導電性接着剤を固化させることにより、各上記バン
プをそれぞれ対応する上記バンプ形成位置に固着させる
第4の工程と、 上記バンプ形成対象物の各上記バンプ形成位置にそれぞ
れ固着された上記バンプから、上記基材を引き離す第5
の工程とを具えることを特徴とするバンプ形成方法。 - 【請求項2】上記第1の工程では、上記基材の他面に所
定の耐熱性を有する樹脂材からなる樹脂層を積層形成す
ることを特徴とする請求項1に記載のバンプ形成方法。 - 【請求項3】所定の基材と、 上記基材の一面の所定位置に配置されたバンプと、 上記バンプ上に供給された導電性接着剤とを具えること
を特徴とするバンプ転写シート。 - 【請求項4】上記基材は、他面に耐熱性を有する樹脂材
からなる樹脂層が積層形成されることを特徴とする請求
項3に記載のバンプ転写シート。 - 【請求項5】所定面に形成された単数又は複数の各電極
上にそれぞれバンプを有する半導体装置において、 各上記電極とそれぞれ対応するバンプとを導電性接着剤
によつて固着することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8029846A JPH09205095A (ja) | 1996-01-23 | 1996-01-23 | バンプ形成方法、バンプ転写シート及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8029846A JPH09205095A (ja) | 1996-01-23 | 1996-01-23 | バンプ形成方法、バンプ転写シート及び半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09205095A true JPH09205095A (ja) | 1997-08-05 |
Family
ID=12287368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8029846A Pending JPH09205095A (ja) | 1996-01-23 | 1996-01-23 | バンプ形成方法、バンプ転写シート及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09205095A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005223071A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Senju Metal Ind Co Ltd | ボール転写用シートおよびバンプ形成法 |
US7847406B2 (en) | 2002-11-06 | 2010-12-07 | Ricoh Company, Ltd. | Solder alloy material layer composition, electroconductive and adhesive composition, flux material layer composition, solder ball transferring sheet, bump and bump forming process, and semiconductore device |
-
1996
- 1996-01-23 JP JP8029846A patent/JPH09205095A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7847406B2 (en) | 2002-11-06 | 2010-12-07 | Ricoh Company, Ltd. | Solder alloy material layer composition, electroconductive and adhesive composition, flux material layer composition, solder ball transferring sheet, bump and bump forming process, and semiconductore device |
JP2005223071A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Senju Metal Ind Co Ltd | ボール転写用シートおよびバンプ形成法 |
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