CN107663080B - 应用于j-r型静电卡盘的氧化铝陶瓷及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种应用于J‑R型静电卡盘的氧化铝陶瓷及其制备方法，属于半导体材料领域。所述氧化铝陶瓷材料由以下重量份的组分组成：α‑氧化铝82‑88％、二氧化钛7‑10％、氧化镁0.5‑2％、二氧化硅2‑5.5％。上述氧化铝陶瓷的制备方法采用流延成型工艺，得到的氧化铝陶瓷材料体积电阻率在100‑1000V电压范围内能控制在109‑1011Ω·cm之间，可以作为理想的J‑R型静电卡盘的介电材料。
Description
技术领域
本发明涉及半导体材料领域，特别是指一种应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷及其制备方法。
背景技术
根据吸附力产生原理的不同，静电卡盘可分为库伦型(Coulomb Force)和迥斯热背型(Johnsen-Rahbek effect，简称J-R型)两类。在库伦型静电卡盘装置中，对介电层材料的体积电阻率一般要求在1014Ω·cm以上，但对于J-R型静电卡盘来说，相比库伦性静电卡盘，需要介电层能够适当降低体积电阻率，使体积电阻率控制在一定范围，来满足其电学性能要求。
氧化铝陶瓷因其优异的介电性能，常作为静电卡盘领域中的介电层材料。通过过渡金属氧化物的掺杂，选择合适的助溶剂，与Al2O3形成新相或固溶体，可以有效降低氧化铝陶瓷的体积电阻率，通过调整配方可以实现对体积电阻率的调控，以满足其作为J-R型静电卡盘介电层材料的电学性能要求。
目前存在一些氧化铝陶瓷材料的制备，对氧化铝的介电性能并未进行更多探索，主要集中在其抗弯强度或热膨胀等力学性能方面的研究。如中国专利文件CN105585313A公开了一种氧化铝陶瓷粉料、氧化铝陶瓷及其制备方法，提供一种氧化铝陶瓷粉料，按照质量百分含量包括如下组分：85％～95％的氧化铝粉、2％～6％的二氧化钛粉、2.5％～8％的氧化镁粉及0.5％～1.5％的纳米陶瓷粉体，其中，所述纳米陶瓷粉体为氧化铬粉或氮化硅粉，该粉料能够制备出具有较高抗弯强度的氧化铝陶瓷。但是该产品性能和制备方法对介电性能没有技术提示，也缺乏相关探索。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种体积电阻率在100-1000V电压范围内能控制在109-1011Ω·cm之间的氧化铝陶瓷及其制备方法。
为解决上述技术问题，本发明提供技术方案如下：
一种应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷，其特征在于，所述氧化铝陶瓷由以下重量份的组分组成：
进一步的，应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷，其特征在于，所述氧化铝陶瓷由以下重量份的组分组成：
上述应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：将称取的二氧化钛、二氧化硅和氧化镁粉料混合均匀，然后将混合粉料在900-1100℃下进行预烧3.5-6小时，随炉冷却至常温，然后研磨至粒径为100-200目，得到第一混合粉料；
步骤2：将所述第一混合粉料与α-氧化铝混合均匀，然后研磨至粒径为150-350目，得到第二混合粉料；
步骤3：在所述第二混合粉料中加入有机溶剂和分散剂，进行第一次球磨搅拌；然后加入粘结剂和增塑剂进行第二次球磨搅拌，得到混合浆料；
步骤4：将所述混合浆料在流延机上进行流延，流延结束后将得到的厚度为0.1-1.0mm的流延片进行排胶处理后放入烧结炉在1000-1350℃下烧结2-5.5小时。
进一步的，所述应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤1中预烧的温度为950-1050℃，预烧的时间为3.5-4小时。
进一步的，所述应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤1中研磨至粒径为100-150目。
进一步的，所述应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤2中研磨至粒径为200-250目。
进一步的，所述应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤3中第一次球磨搅拌和第二次球磨搅拌的时间都为24-48小时，所述混合浆料中氧化铝基成分的质量百分比为45-55％。
进一步的，所述的应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤3中，有机溶剂为乙醇/甲乙酮、乙醇/三氯乙烯、乙醇/甲苯、甲苯/正丁醇溶剂体系中的一种或两种，分散剂为磷酸酯、乙氧基化合物、三油酸甘油酯中的一种或几种，粘接剂为聚乙烯醇(PVA)、丙烯酸乳液、聚丙烯酸铵盐、聚醋酸乙烯酯中的一种或多种，增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯(DBP)、甘油、聚乙二醇、邻苯二甲酸二辛酯(DOP)中的一种或几种。
进一步的，所述的应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤4中流延片的厚度为0.2-0.3mm。
进一步的，所述的应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤4中烧结的温度为1250-1300℃，烧结的时间为3-4小时。
本发明具有以下有益效果：
本发明通过在α-氧化铝粉末中添加一定量的二氧化钛、二氧化硅以及氧化镁粉末得到的陶瓷材料，颜色均匀，其体积电阻率在100-1000V电压范围内能控制在109-1011Ω·cm之间,可以作为理想的J-R型静电卡盘的介电材料；本发明中采用的流延成型工艺，得到的氧化铝陶瓷成分分布均匀，各处电学性能稳定，数值跳动小；同时流延成型工艺成熟，便于批量生产。
具体实施方式
本发明提供了一种应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷及其制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
按照如下质量百分含量称取组分：
按照如下制备方法进行氧化铝陶瓷制备：
步骤1：将称取的二氧化钛、二氧化硅和氧化镁粉料混合均匀，然后将混合粉料在900℃下进行预烧3.5小时，随炉冷却至常温，然后研磨至粒径为100目，得到第一混合粉料；
步骤2：将所述第一混合粉料与α-氧化铝混合均匀，然后研磨至粒径为150目，得到第二混合粉料；
步骤3：在所述第二混合粉料中加入有机溶剂和分散剂，进行第一次球磨搅拌24小时；然后加入粘结剂和增塑剂进行第二次球磨搅拌24小时，得到混合浆料，其中氧化铝基成分的质量百分比为45％；
其中，有机溶剂为乙醇/甲乙酮、乙醇/三氯乙烯、乙醇/甲苯、甲苯/正丁醇溶剂体系中的一种或两种，分散剂为磷酸酯、乙氧基化合物、三油酸甘油酯中的一种或几种，粘接剂为聚乙烯醇(PVA)、丙烯酸乳液、聚丙烯酸铵盐、聚醋酸乙烯酯中的一种或多种，增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯(DBP)、甘油、聚乙二醇、邻苯二甲酸二辛酯(DOP)中的一种或几种。
步骤4：将所述混合浆料在流延机上进行流延，流延结束后将得到的厚度为0.1mm的流延片进行排胶处理后放入烧结炉在1000℃下烧结2小时。
实施例2
按照如下质量百分含量称取组分：
按照如下制备方法进行氧化铝陶瓷制备：
步骤1：将称取的二氧化钛、二氧化硅和氧化镁粉料混合均匀，然后将混合粉料在1100℃下进行预烧6小时，随炉冷却至常温，然后研磨至粒径为200目，得到第一混合粉料；
步骤2：将所述第一混合粉料与α-氧化铝混合均匀，然后研磨至粒径为350目，得到第二混合粉料；
步骤3：在所述第二混合粉料中加入有机溶剂和分散剂，进行第一次球磨搅拌48小时；然后加入粘结剂和增塑剂进行第二次球磨搅拌48小时，得到混合浆料，其中氧化铝基成分的质量百分比为55％；
其中，有机溶剂为乙醇/甲乙酮、乙醇/三氯乙烯、乙醇/甲苯、甲苯/正丁醇溶剂体系中的一种或两种，分散剂为磷酸酯、乙氧基化合物、三油酸甘油酯中的一种或几种，粘接剂为聚乙烯醇(PVA)、丙烯酸乳液、聚丙烯酸铵盐、聚醋酸乙烯酯中的一种或多种，增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯(DBP)、甘油、聚乙二醇、邻苯二甲酸二辛酯(DOP)中的一种或几种。
步骤4：将所述混合浆料在流延机上进行流延，流延结束后将得到的厚度为1mm的流延片进行排胶处理后放入烧结炉在1350℃下烧结5.5小时。
实施例3
按照如下质量百分含量称取组分：
按照如下制备方法进行氧化铝陶瓷制备：
步骤1：将称取的二氧化钛、二氧化硅和氧化镁粉料混合均匀，然后将混合粉料在950℃下进行预烧3.5小时，随炉冷却至常温，然后研磨至粒径为100目，得到第一混合粉料；
步骤2：将所述第一混合粉料与α-氧化铝混合均匀，然后研磨至粒径为200目，得到第二混合粉料；
步骤3：在所述第二混合粉料中加入有机溶剂和分散剂，进行第一次球磨搅拌24小时；然后加入粘结剂和增塑剂进行第二次球磨搅拌24小时，得到混合浆料，其中氧化铝基成分的质量百分比为45％；
其中，有机溶剂为乙醇/甲乙酮、乙醇/三氯乙烯、乙醇/甲苯、甲苯/正丁醇溶剂体系中的一种或两种，分散剂为磷酸酯、乙氧基化合物、三油酸甘油酯中的一种或几种，粘接剂为聚乙烯醇(PVA)、丙烯酸乳液、聚丙烯酸铵盐、聚醋酸乙烯酯中的一种或多种，增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯(DBP)、甘油、聚乙二醇、邻苯二甲酸二辛酯(DOP)中的一种或几种。
步骤4：将所述混合浆料在流延机上进行流延，流延结束后将得到的厚度为0.2mm的流延片进行排胶处理后放入烧结炉在1250℃下烧结3小时。
实施例4
按照如下质量百分含量称取组分：
按照如下制备方法进行氧化铝陶瓷制备：
步骤1：将称取的二氧化钛、二氧化硅和氧化镁粉料混合均匀，然后将混合粉料在1050℃下进行预烧4小时，随炉冷却至常温，然后研磨至粒径为150目，得到第一混合粉料；
步骤2：将所述第一混合粉料与α-氧化铝混合均匀，然后研磨至粒径为250目，得到第二混合粉料；
步骤3：在所述第二混合粉料中加入有机溶剂和分散剂，进行第一次球磨搅拌48小时；然后加入粘结剂和增塑剂进行第二次球磨搅拌48小时，得到混合浆料，其中氧化铝基成分的质量百分比为55％；
其中，有机溶剂为乙醇/甲乙酮、乙醇/三氯乙烯、乙醇/甲苯、甲苯/正丁醇溶剂体系中的一种或两种，分散剂为磷酸酯、乙氧基化合物、三油酸甘油酯中的一种或几种，粘接剂为聚乙烯醇(PVA)、丙烯酸乳液、聚丙烯酸铵盐、聚醋酸乙烯酯中的一种或多种，增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯(DBP)、甘油、聚乙二醇、邻苯二甲酸二辛酯(DOP)中的一种或几种。
步骤4：将所述混合浆料在流延机上进行流延，流延结束后将得到的厚度为0.3mm的流延片进行排胶处理后放入烧结炉在1300℃下烧结4小时。
实施例5
按照如下质量百分含量称取组分：
按照如下制备方法进行氧化铝陶瓷制备：
步骤1：将称取的二氧化钛、二氧化硅和氧化镁粉料混合均匀，然后将混合粉料在950℃下进行预烧3.5小时，随炉冷却至常温，然后研磨至粒径为100目，得到第一混合粉料；
步骤2：将所述第一混合粉料与α-氧化铝混合均匀，然后研磨至粒径为200目，得到第二混合粉料；
步骤3：在所述第二混合粉料中加入有机溶剂和分散剂，进行第一次球磨搅拌24小时；然后加入粘结剂和增塑剂进行第二次球磨搅拌24小时，得到混合浆料，其中氧化铝基成分的质量百分比为45％；
其中，有机溶剂为乙醇/甲乙酮、乙醇/三氯乙烯、乙醇/甲苯、甲苯/正丁醇溶剂体系中的一种或两种，分散剂为磷酸酯、乙氧基化合物、三油酸甘油酯中的一种或几种，粘接剂为聚乙烯醇(PVA)、丙烯酸乳液、聚丙烯酸铵盐、聚醋酸乙烯酯中的一种或多种，增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯(DBP)、甘油、聚乙二醇、邻苯二甲酸二辛酯(DOP)中的一种或几种。
步骤4：将所述混合浆料在流延机上进行流延，流延结束后将得到的厚度为0.2mm的流延片进行排胶处理后放入烧结炉在1250℃下烧结3小时。
实施例6
氧化铝陶瓷由以下重量份的组分组成：
按照如下制备方法进行氧化铝陶瓷制备：
步骤1：将称取的二氧化钛、二氧化硅和氧化镁粉料混合均匀，然后将混合粉料在1050℃下进行预烧4小时，随炉冷却至常温，然后研磨至粒径为150目，得到第一混合粉料；
步骤2：将所述第一混合粉料与α-氧化铝混合均匀，然后研磨至粒径为250目，得到第二混合粉料；
步骤3：在所述第二混合粉料中加入有机溶剂和分散剂，进行第一次球磨搅拌48小时；然后加入粘结剂和增塑剂进行第二次球磨搅拌48小时，得到混合浆料，其中氧化铝基成分的质量百分比为55％；
其中，有机溶剂为乙醇/甲乙酮、乙醇/三氯乙烯、乙醇/甲苯、甲苯/正丁醇溶剂体系中的一种或两种，分散剂为磷酸酯、乙氧基化合物、三油酸甘油酯中的一种或几种，粘接剂为聚乙烯醇(PVA)、丙烯酸乳液、聚丙烯酸铵盐、聚醋酸乙烯酯中的一种或多种，增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯(DBP)、甘油、聚乙二醇、邻苯二甲酸二辛酯(DOP)中的一种或几种。
步骤4：将所述混合浆料在流延机上进行流延，流延结束后将得到的厚度为0.3mm的流延片进行排胶处理后放入烧结炉在1300℃下烧结4小时。
实施例7
氧化铝陶瓷由以下重量份的组分组成：
按照如下制备方法进行氧化铝陶瓷制备：
步骤1：将称取的二氧化钛、二氧化硅和氧化镁粉料混合均匀，然后将混合粉料在1050℃下进行预烧4小时，随炉冷却至常温，然后研磨至粒径为150目，得到第一混合粉料；
步骤2：将所述第一混合粉料与α-氧化铝混合均匀，然后研磨至粒径为250目，得到第二混合粉料；
步骤3：在所述第二混合粉料中加入有机溶剂和分散剂，进行第一次球磨搅拌48小时；然后加入粘结剂和增塑剂进行第二次球磨搅拌48小时，得到混合浆料，其中氧化铝基成分的质量百分比为55％；
其中，有机溶剂为乙醇/甲乙酮、乙醇/三氯乙烯、乙醇/甲苯、甲苯/正丁醇溶剂体系中的一种或两种，分散剂为磷酸酯、乙氧基化合物、三油酸甘油酯中的一种或几种，粘接剂为聚乙烯醇(PVA)、丙烯酸乳液、聚丙烯酸铵盐、聚醋酸乙烯酯中的一种或多种，增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯(DBP)、甘油、聚乙二醇、邻苯二甲酸二辛酯(DOP)中的一种或几种。
步骤4：将所述混合浆料在流延机上进行流延，流延结束后将得到的厚度为0.3mm的流延片进行排胶处理后放入烧结炉在1300℃下烧结4小时。
对比例1
氧化铝陶瓷由以下重量份的组分组成：
步骤1：将称取的二氧化钛、二氧化硅和氧化镁粉料混合均匀，然后将混合粉料在900℃下进行预烧3.5小时，随炉冷却至常温，然后研磨至粒径为100目，得到第一混合粉料；
步骤2：将所述第一混合粉料与α-氧化铝混合均匀，然后研磨至粒径为150目，得到第二混合粉料；
步骤3：在所述第二混合粉料中加入有机溶剂和分散剂，进行第一次球磨搅拌24小时；然后加入粘结剂和增塑剂进行第二次球磨搅拌24小时，得到混合浆料，其中氧化铝基成分的质量百分比为45％；
其中，有机溶剂为乙醇/甲乙酮、乙醇/三氯乙烯、乙醇/甲苯、甲苯/正丁醇溶剂体系中的一种或两种，分散剂为磷酸酯、乙氧基化合物、三油酸甘油酯中的一种或几种，粘接剂为聚乙烯醇(PVA)、丙烯酸乳液、聚丙烯酸铵盐、聚醋酸乙烯酯中的一种或多种，增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯(DBP)、甘油、聚乙二醇、邻苯二甲酸二辛酯(DOP)中的一种或几种。
步骤4：将所述混合浆料在流延机上进行流延，流延结束后将得到的厚度为0.1mm的流延片进行排胶处理后放入烧结炉在1000℃下烧结2小时。
对比例2
氧化铝陶瓷由以下重量份的组分组成：
按照如下制备方法进行氧化铝陶瓷制备：
步骤1：将称取的二氧化钛、二氧化硅和氧化镁粉料混合均匀，然后将混合粉料在950℃下进行预烧3.5小时，随炉冷却至常温，然后研磨至粒径为100目，得到第一混合粉料；
步骤2：将所述第一混合粉料与α-氧化铝混合均匀，然后研磨至粒径为200目，得到第二混合粉料；
步骤3：在所述第二混合粉料中加入有机溶剂和分散剂，进行第一次球磨搅拌24小时；然后加入粘结剂和增塑剂进行第二次球磨搅拌24小时，得到混合浆料，其中氧化铝基成分的质量百分比为45％；
其中，有机溶剂为乙醇/甲乙酮、乙醇/三氯乙烯、乙醇/甲苯、甲苯/正丁醇溶剂体系中的一种或两种，分散剂为磷酸酯、乙氧基化合物、三油酸甘油酯中的一种或几种，粘接剂为聚乙烯醇(PVA)、丙烯酸乳液、聚丙烯酸铵盐、聚醋酸乙烯酯中的一种或多种，增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯(DBP)、甘油、聚乙二醇、邻苯二甲酸二辛酯(DOP)中的一种或几种。
步骤4：将所述混合浆料在流延机上进行流延，流延结束后将得到的厚度为0.2mm的流延片进行排胶处理后放入烧结炉在1250℃下烧结3小时。
对比例3
氧化铝陶瓷由以下重量份的组分组成：
按照如下制备方法进行氧化铝陶瓷制备：
步骤1：将称取的二氧化钛、二氧化硅和氧化镁粉料混合均匀，然后将混合粉料在1050℃下进行预烧4小时，随炉冷却至常温，然后研磨至粒径为150目，得到第一混合粉料；
步骤2：将所述第一混合粉料与α-氧化铝混合均匀，然后研磨至粒径为250目，得到第二混合粉料；
步骤3：在所述第二混合粉料中加入有机溶剂和分散剂，进行第一次球磨搅拌48小时；然后加入粘结剂和增塑剂进行第二次球磨搅拌48小时，得到混合浆料，其中氧化铝基成分的质量百分比为55％；
其中，有机溶剂为乙醇/甲乙酮、乙醇/三氯乙烯、乙醇/甲苯、甲苯/正丁醇溶剂体系中的一种或两种，分散剂为磷酸酯、乙氧基化合物、三油酸甘油酯中的一种或几种，粘接剂为聚乙烯醇(PVA)、丙烯酸乳液、聚丙烯酸铵盐、聚醋酸乙烯酯中的一种或多种，增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯(DBP)、甘油、聚乙二醇、邻苯二甲酸二辛酯(DOP)中的一种或几种。
步骤4：将所述混合浆料在流延机上进行流延，流延结束后将得到的厚度为0.3mm的流延片进行排胶处理后放入烧结炉在1300℃下烧结4小时。
表1为实施例1-7得到的氧化铝陶瓷的体积电阻率。
表2为对比例1-3得到的氧化铝陶瓷的体积电阻率。
表1实施例1-7氧化铝陶瓷的体积电阻率
表2对比例1-3氧化铝陶瓷的体积电阻率
从表1和表2中可以看出，实施例1-7的氧化铝陶瓷的体积电阻率为109-1011Ω·cm数量级，对比例1-3的氧化铝陶瓷的体积电阻率为1013-1014Ω·cm数量级，虽然对比例1-3的制备方法与实施例1-7相同，但是由于采用的原料组分的差异，使得对比例1-3的氧化铝陶瓷的体积电阻率整体不如实施例1-7能获得更好的效果。显然使用本发明的原料配方配合上述制备方法，才能使得实施例1-7的氧化铝陶瓷更好的满足J-R型静电卡盘介电层所需材料的电学性能。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷，其特征在于，所述氧化铝陶瓷由以下重量份的组分组成：
所述氧化铝陶瓷通过如下步骤制备：
步骤1：将称取的二氧化钛、二氧化硅和氧化镁粉料混合均匀，然后将混合粉料在900-1100℃下进行预烧3.5-6小时，随炉冷却至常温，然后研磨至粒径为100-200目，得到第一混合粉料；
步骤2：将所述第一混合粉料与α-氧化铝混合均匀，然后研磨至粒径为150-350目，得到第二混合粉料；
步骤3：在所述第二混合粉料中加入有机溶剂和分散剂，进行第一次球磨搅拌；然后加入粘结剂和增塑剂进行第二次球磨搅拌，得到混合浆料；
步骤4：将所述混合浆料在流延机上进行流延，流延结束后将得到的厚度为0.1-1.0mm的流延片进行排胶处理后放入烧结炉在1000-1350℃下烧结2-5.5小时。
2.根据权利要求1所述的应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷，其特征在于，所述氧化铝陶瓷由以下重量份的组分组成：
3.权利要求1-2任一所述的应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：将称取的二氧化钛、二氧化硅和氧化镁粉料混合均匀，然后将混合粉料在900-1100℃下进行预烧3.5-6小时，随炉冷却至常温，然后研磨至粒径为100-200目，得到第一混合粉料；
步骤2：将所述第一混合粉料与α-氧化铝混合均匀，然后研磨至粒径为150-350目，得到第二混合粉料；
步骤3：在所述第二混合粉料中加入有机溶剂和分散剂，进行第一次球磨搅拌；然后加入粘结剂和增塑剂进行第二次球磨搅拌，得到混合浆料；
步骤4：将所述混合浆料在流延机上进行流延，流延结束后将得到的厚度为0.1-1.0mm的流延片进行排胶处理后放入烧结炉在1000-1350℃下烧结2-5.5小时。
4.根据权利要求3所述的应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤1中预烧的温度为950-1050℃，预烧的时间为3.5-4小时。
5.根据权利要求4所述的应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤1中研磨至粒径为100-150目。
6.根据权利要求3所述的应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤2中研磨至粒径为200-250目。
7.根据权利要求3所述的应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤3中第一次球磨搅拌和第二次球磨搅拌的时间都为24-48小时，所述混合浆料中氧化铝基成分的质量百分比为45-55％。
8.根据权利要求7所述的应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤3中，有机溶剂为乙醇/甲乙酮、乙醇/三氯乙烯、乙醇/甲苯、甲苯/正丁醇溶剂体系中的一种或两种，分散剂为磷酸酯、乙氧基化合物、三油酸甘油酯中的一种或几种，粘接剂为聚乙烯醇、丙烯酸乳液、聚丙烯酸铵盐、聚醋酸乙烯酯中的一种或多种，增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯、甘油、聚乙二醇、邻苯二甲酸二辛酯中的一种或几种。
9.根据权利要求3所述的应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤4中流延片的厚度为0.2-0.3mm。
10.根据权利要求9所述的应用于J-R型静电卡盘的氧化铝陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤4中烧结的温度为1250-1300℃，烧结的时间为3-4小时。
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