CN107615485B - 固态成像装置和电子设备 - Google Patents

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Abstract

本技术涉及能够提高偏光信息和颜色信息的检测精度的固态成像装置和电子设备。固态成像装置包括像素阵列部，所述像素阵列部设置有用于检测偏光信息的多个偏光像素和用于检测颜色信息的多个彩色像素，偏光像素沿行方向和列方向布置成格子形式，彩色像素在从偏光像素沿行方向和列方向偏移的位置处在相邻的偏光像素之间沿行方向和列方向布置成格子形式。本技术例如可以适用于固态成像装置。

Description

固态成像装置和电子设备
技术领域
本技术涉及固态成像装置和电子设备，更具体地，涉及能够提高偏光信息和颜色信息的检测精度的固态成像装置和电子设备。
背景技术
过去，提出了一种固态成像装置，其中在2×2矩阵的像素块中代替包括滤色器的彩色像素而布置了包括偏光部件的偏光像素并且同时检测偏光信息和颜色信息(例如，参见专利文献1)。
引用文献列表
专利文献
专利文献1：JP 2010-263158A
发明内容
技术问题
然而，如果代替彩色像素而布置偏光像素，则相应地使得彩色像素减少了，并且由此降低了颜色信息的检测精度。进一步地，在专利文献1描述的发明中，由于针对四个像素仅布置一个偏光像素，所以偏光信息的检测精度存在改进的空间。
在这个方面，本技术使得可以提高偏光信息和颜色信息的检测精度。
解决问题的方案
根据本技术的第一方面，一种固态成像装置包括：像素阵列部，所述像素阵列部包括构造成检测偏光信息的多个偏光像素和构造成检测颜色信息的多个彩色像素。所述偏光像素沿行方向和列方向布置为格子形式。所述彩色像素在从所述偏光像素沿行方向和列方向偏移的位置处在相邻的所述偏光像素之间沿行方向和列方向布置为格子形式。
所述偏光像素的大小可以与所述彩色像素的大小不同。
所述偏光像素和所述彩色像素中的较大像素均可以具有通过切除矩形的四个角而形成的八边形形状。所述偏光像素和所述彩色像素中的较小像素均可以布置在由相邻的四个所述较大像素的在倾斜方向上的侧边包围的区域中。
所述偏光像素和所述彩色像素可以具有相同大小的菱形(rhombic)形状。
可以规则地布置有透射轴的角度相差θ°的180/θ种类型的所述偏光像素。
透射轴的角度相差45°的所述偏光像素可以在其中布置成2×2矩阵形式的块沿行方向和列方向布置为格子形式。
可以规则地布置有多种类型的块，每个块包括多个所述偏光像素。在所述块中的所述偏光像素的透射轴的角度可以是相同的，且不同类型的所述块的所述偏光像素的透射轴的角度可以是不同的。
在所述偏光像素中可以安装有滤色器，且所述滤色器的颜色可以被规则地布置。
可以规则地布置有多种类型的块，每个块包括多个所述偏光像素。在所述块中的所述滤色器的颜色可以是相同的，并且不同类型的所述块的所述滤色器的颜色可以是不同的。
在所述偏光像素的一部分中可以安装或可以不安装透明的所述滤色器。
安装在所述偏光像素中的偏光部件和安装在所述彩色像素中的滤色器可以布置在相同平面上。
安装在所述偏光像素中的偏光部件和安装在所述彩色像素中的滤色器可以布置在光轴方向上的不同位置处。
安装在所述偏光像素中的偏光部件可以形成在半导体基板的光入射侧的表面上，所述偏光像素的光学转换元件形成在所述半导体基板中。
在构成所述偏光像素的偏光部件和光电转换元件之间的空间与构成所述彩色像素的滤色器和光电转换元件之间的空间中的至少一者中可以形成有波导。
在像素之间可以形成有沟槽，并且在所述沟槽中可以嵌入有遮光膜。
所述偏光像素和所述彩色像素可以连接至不同的行信号线和不同的列信号线。
所述彩色像素可以布置在从所述偏光像素沿行方向和列方向偏移所述偏光像素的间距的一半的位置处。
所述固态成像装置还可以包括信号处理部，所述信号处理部构造成基于所述彩色像素周围的多个所述偏光像素的亮度来计算所述彩色像素中在每个偏振方向上的光的亮度。
所述固态成像装置还可以包括信号处理部，所述信号处理部构造成基于所述偏光像素周围的多个所述彩色像素的亮度来计算所述偏光像素中在所述偏光像素的偏振方向上的每种颜色的光的亮度。
根据本技术的第二方面，一种电子设备包括：固态成像装置；信号处理部，所述信号处理部被构造成处理从所述固态成像装置输出的信号。所述固态成像装置包括像素阵列部，所述像素阵列部包括构造成检测偏光信息的多个偏光像素和构造成检测颜色信息的多个彩色像素。所述偏光像素沿行方向和列方向布置为格子形式。所述彩色像素在从所述偏光像素沿行方向和列方向偏移的位置处在相邻的所述偏光像素之间沿行方向和列方向布置为格子形式。
在本技术的第一方面或第二方面中，通过偏光像素来检测偏光信息，并且通过彩色像素来检测颜色信息。
发明的有益效果
根据本技术的第一方面或第二方面，偏光信息和颜色信息的检测精度得到提高。
效果不一定限于这里所说明的那些效果，且可以包括本公开中说明的任何效果。
附图说明
图1是图示了本技术适用的CMOS图像传感器的构成的概况的系统构成图。
图2是示意性地图示了CMOS图像传感器的第一实施方案的断面图。
图3是示意性地图示了单位像素的第一阵列示例的图。
图4是示意性地图示了单位像素的第二阵列示例的图。
图5是示意性地图示了CMOS图像传感器的第二实施方案的断面图。
图6是示意性地图示了单位像素的第三阵列示例的图。
图7是示意性地图示了单位像素的第四阵列示例的图。
图8是示意性地图示了CMOS图像传感器的第三实施方案的断面图。
图9是示意性地图示了单位像素的第五阵列示例的图。
图10是示意性地图示了单位像素的第六阵列示例的图。
图11是示意性地图示了单位像素的第七阵列示例的图。
图12是示意性地图示了单位像素的第八阵列示例的图。
图13是示意性地图示了单位像素的第九阵列示例的图。
图14是示意性地图示了CMOS图像传感器的第四实施方案的断面图。
图15是图示了固态成像装置的使用例的图。
图16是图示了电子设备的构成例的框图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细说明本发明的实施方案(以下称为“实施方案”)。按如下顺序进行说明。
1.本技术适用的固态成像装置
2.第一实施方案(偏光像素和彩色像素的大小相同的背面照射型的示例)
3.第二实施方案(偏光像素和彩色像素的大小不同的背面照射型的示例)
4.第三实施方案(在偏光像素中安装有滤色器的示例)
5.第四实施方案(表面照射型的示例)
6.变形例
7.固态成像装置的使用例
<1.本技术适用的固态成像装置>
{基本系统构成}
图1是图示了本技术适用的固态成像装置(例如，作为一种X-Y地址型(X-Yaddress type)固态成像装置的CMOS图像传感器)的构成的概况的系统构成图。这里，CMOS图像传感器是通过应用或部分使用CMOS工艺而制成的图像传感器。
根据本应用例的CMOS图像传感器10包括形成在半导体基板(芯片)(未图示)上的像素阵列部11和集成在与像素阵列部11相同的半导体基板上的外围电路部。例如，外围电路部包括垂直驱动部12、列处理部13、水平驱动部14和系统控制部15。
CMOS图像传感器10还包括信号处理部18和数据存储部19。信号处理部18和数据存储部19可以安装在与CMOS图像传感器10相同的基板上，或者可以布置在与CMOS图像传感器10不同的基板上。进一步地，信号处理部18和数据存储部19的处理可由外部信号处理部执行，外部信号处理部例如为安装在与CMOS图像传感器10的基板不同的基板上的数字信号处理器(DSP)或软件。
像素阵列部11具有其中在行方向和列方向上布置有多个单位像素(在下文中也被简称为“像素”)的构成。这里，行方向指的是像素行中的像素的布置方向(即，水平方向)，且列方向指的是像素列中的像素的布置方向(即，垂直方向)。
更具体地，如将在后面说明的，在像素阵列部11中布置有能够检测偏光信息的单位像素(在下文中被称为“偏光像素”)和能够检测颜色信息的单位像素(在下文中被称为“彩色像素(color pixel)”)。如将在后面参照图3等说明的，偏光像素沿行方向和列方向布置成格子形式(矩阵形式)，且彩色像素在从偏光像素沿行方向和列方向偏移的位置处在相邻的偏光像素之间沿行方向和列方向布置成格子形式(矩阵形式)。
单位像素包括生成和蓄积与接收的光量相对应的电荷的光电转换部(例如，光电二极管)和多个像素晶体管(所谓的MOS晶体管)。多个像素晶体管可以包括三个晶体管，例如传输晶体管、复位晶体管和放大晶体管。可选择地，多个像素晶体管还可以包括选择晶体管，即，四个晶体管。由于像素的等效电路与一般的相同，所以这里将省略对其的详细说明。
单位像素可以具有共享像素结构。共享像素结构包括多个光电转换元件、多个传输晶体管、一个共享浮动扩散部和另一个共享像素晶体管。
在像素阵列部11中，用作行信号线的像素驱动线16针对每个像素行在行方向上进行布线，且用作列信号线的垂直信号线17针对每个像素列在列方向上进行布线。像素驱动线16传输当从像素读出信号时进行驱动的驱动信号。在图1中，尽管像素驱动线16被图示为一条布线，但是像素驱动线16不限于一条布线。像素驱动线16的一个端子连接至与垂直驱动部12的每个行对应的输出端子。
垂直驱动部12配置有移位寄存器、地址解码器等，并且针对全部像素或以行为单位同时驱动像素阵列部11的像素。换句话说，垂直驱动部12与控制垂直驱动部12的系统控制部15一起构成控制像素阵列部11中每个像素的操作的驱动部。尽管省略了垂直驱动部12的具体构成，但是垂直驱动部12通常包括两个扫描单元，即，读出扫描单元和扫出扫描(sweep scanning)单元。
读出扫描单元以行为单位顺序地选择和扫描像素阵列部11的单位像素，以从单位像素读出信号。从单位像素读出的信号是模拟信号。在读出扫描之前与曝光之间相对应的时间，扫出扫描单元对要经历由读出扫描单元进行的读出扫描的读出行执行扫出扫描。
通过扫出扫描单元执行的扫出扫描，从读出行的单位像素的光电转换部中扫出不必要的电荷，且使光电转换部复位。接着，随着不必要的电荷被扫出扫描单元扫出(复位)而执行电子快门操作。这里，电子快门操作指的是清除光电转换部的电荷和新开始曝光(开始蓄积电荷)的操作。
根据由读出扫描单元执行的读出操作读出的信号对应于在最近的前一次读出操作或电子快门操作之后接收的光量。从根据最近的前一次读出操作的读出时序或根据电子快门操作的扫出时序至根据当前读出操作的读出时序的时间段是单位像素中的电荷曝光时间段。
由垂直驱动部12选择性扫描的像素行的单位像素输出的信号经由针对每个像素列的垂直信号线17被输入至列处理部13。列处理部13对经由针对像素阵列部11的每个像素列的垂直信号线17而从选定行的像素输出的信号执行预定信号处理，并且临时保持经历了信号处理的像素信号。
具体地，列处理部13至少执行作为信号处理的例如相关双采样(CDS)处理或双数据采样(DDS)处理的降噪处理。例如，通过CDS处理去除复位噪声或像素内的诸如放大晶体管的阈偏差等的像素特有的固定图形噪声。除降噪处理之外，列处理部13可以具有例如模数(AD)转换功能并且能够将模拟像素信号转换为数字信号，且输出数字信号。
水平驱动部14配置有移位寄存器、地址解码器等，并且顺序地选择与列处理部13的像素列对应的单位电路。通过水平驱动部14的选择性扫描，顺序地输出列处理部13中经历了每个单位电路的信号处理的像素信号。
系统控制部15配置有时序发生器，时序发生器生成各种时序信号等，并且基于由时序发生器生成的各种时序(timing)执行对垂直驱动部12、列处理部13、水平驱动部14等的驱动控制。
信号处理部18至少具有运算处理功能，并且对从列处理部13输出的像素信号进行例如运算处理等的各种信号处理。数据存储部19临时存储对于信号处理部18的信号处理中的处理来说是必要的数据。
<2.第一实施方案>
接着，将参照图2-4来说明作为图1的CMOS图像传感器10的第一实施方案的CMOS图像传感器10A。
{CMOS图像传感器10A的构成例}
图2是示意性地图示了CMOS图像传感器10A的构成例的断面图。在图2中示出了包括两个像素(即，偏光像素Pp和彩色像素Pc)的部分的断面，并且其它像素基本上具有相同的构成。
这里，假设光入射侧(图2中上侧)为CMOS图像传感器10A上方的上侧，并且假设与光入射侧相对的一侧(图2中下侧)为CMOS图像传感器10A下方的下侧。
CMOS图像传感器10A具有背面照射型结构，其中光从与前表面相对的背面入射，前表面上堆叠有半导体基板102的布线层101。在下文中，半导体基板102的背面被称为“入射面”或“光接收面”。
在布线层101中，布线121以多个层堆叠。在布线层101与半导体基板102的边界附近针对每个像素形成栅电极122。
在半导体基板102中，在偏光像素Pp的区域中形成光电转换元件123p，并且在彩色像素Pc的区域中形成光电转换元件123c。光电转换元件123p和光电转换元件123c之间没有结构差异，并且光电转换元件123p和光电转换元件123c中的每一者由例如光电二极管构成。进一步地，光电转换元件123p和光电转换元件123c具有大致相同的尺寸。
在下文中，当没有必要单独区分光电转换元件123p和光电转换元件123c时，它们被简称为“光电转换元件123”。
在光电转换元件123之间形成从半导体基板102的入射面侧延伸的沟槽。绝缘膜124形成在半导体基板102的入射面和沟槽的壁面上。进一步地，遮光膜125的垂直部125A嵌入半导体基板102的沟槽中。
遮光膜125的水平部125B、偏光部件126和滤色器127隔着绝缘膜124形成在半导体基板102的入射面上。
遮光膜125的水平部125B覆盖半导体基板102的入射面，并且在光电转换元件123p和光电转换元件123c上方形成开口部。换句话说，遮光膜125的水平部125B形成为填充相邻像素之间的空间。通过遮光膜125的垂直部125A和水平部125B抑制了来自相邻像素的在倾斜方向上的光的入射。
偏光部件126形成在遮光膜125的水平部125B的在光电转换元件123p上方的开口部中，并且覆盖光电转换元件123p的表面(入射面)。例如，偏光部件126配置为线栅偏光器(wire grid polarizer)，并且包括多个带状(band-like)导电遮光材料以及在其间形成的狭缝。偏光部件126传输具有在与导电遮光材料延伸的方向垂直的方向上的电场分量的偏振波，并且抑制具有在与导电遮光材料延伸的方向平行的方向上的电场分量的偏振波的传输。作为偏光部件126的导电遮光材料，使用例如这样的导电材料：该导电材料在光电转换元件123具有灵敏度的感光波长区中具有小的复折射率。可以考虑例如铝、铜、金、银、铂、钨以及含有这些金属的合金等作为该导电材料。
滤色器127形成在遮光膜125的水平部125B的在光电转换元件123c上方的开口部中，并且覆盖光电转换元件123c的表面(入射面)。例如，滤色器127被配置为传输红色波长范围的光的R滤色器、传输绿色波长范围的光的G滤色器或传输蓝色波长范围的光的B滤色器。
光收集元件128隔着层间绝缘膜(未图示)形成在遮光膜125的水平部125B、偏光部件126以及滤色器127上方。例如，光收集元件128被配置为片上微透镜，并且收集光以使入射光入射到偏光部件126或滤色器127上。
穿过偏光部件126的光入射到光电转换元件123p上，并且经历由光电转换元件123p执行的光电转换。接着，基于通过光电转换生成的电荷的模拟电信号(偏光像素信号)经由垂直信号线17被输出至列处理部13。
穿过滤色器127的光入射到光电转换元件123c上，并且经历由光电转换元件123c执行的光电转换。接着，基于通过光电转换生成的电荷的模拟电信号(彩色像素信号)经由垂直信号线17被输出至列处理部13。
{单位像素的第一阵列示例}
图3示意性地图示了CMOS图像传感器10A的像素阵列部11中的单位像素的第一阵列示例。图3中每个方格示出了像素的入射面(光接收面)的形状。
在方格中具有示出的角度的像素是偏光像素Pp。每个偏光像素Pp的角度表示偏光部件126的透射轴(transmission axis)的角度，并且以列方向作为基准(0°)沿顺时针方向示出该角度。每个偏光像素Pp传输具有平行于透射轴的方向的光。
在下文中，其中偏光部件126的透射轴的角度为0°、45°、90°和135°的偏光像素Pp分别被称为“0°像素”、“45°像素”、“90°像素”和“135°像素”。在下文中，偏光部件126的透射轴的角度也被称为“偏振角”。进一步地，在下文中，偏光像素Pp的偏光部件126的偏振角也被称为“偏光像素Pp的偏振角”。
另一方面，在方格中由字母R、Gr、Gb、和B表示的像素是彩色像素Pc。附有字母R的像素是设置有红色滤色器127并且能够检测红色波长范围的颜色信息的彩色像素Pc(下文中称为“R像素”)。附有字母Gb的像素是设置有绿色滤色器127并且能够检测绿色波长范围的颜色信息的彩色像素Pc(下文中称为“Gb像素”)。附有字母Gr的像素是设置有绿色滤色器127并且能够检测绿色波长范围的颜色信息的彩色像素Pc(下文中称为“Gr像素”)。附有字母B的像素是设置有蓝色滤色器127并且能够检测蓝色波长范围的颜色信息的彩色像素Pc(下文中称为“B像素”)。
偏光像素Pp和彩色像素Pc中的每一者具有这样的形状：其中相同大小的方格在行方向和列方向上倾斜45°。
偏光像素Pp沿行方向和列方向布置为格子形式(矩阵形式)，使得其顶点与相邻的偏光像素Pp接触。进一步地，将其中具有45°角度差的0°像素、45°像素、90°像素和135°像素布置成2×2矩阵的块定义为一个单位，并且这些块周期性地沿行方向和列方向布置成格子形式(矩阵形式)。
彩色像素Pc布置在偏光像素Pp之间的间隙(gap)中。换句话说，彩色像素Pc是这样的区域，该区域由四个相邻偏光像素Pp的在倾斜方向上的侧边包围，并且彩色像素Pc设置在从偏光像素Pp沿行方向和列方向偏移偏光像素Pp的间距的一半的位置处。因此，偏光像素Pp和彩色像素Pc在沿行方向和列方向彼此偏移1/2间距的位置布置成格子形式(矩阵形式)。进一步地，将其中R像素、Gb像素、Gr像素和B像素布置成2×2矩阵形式的块定义为一个单位，并且这些块周期性地沿行方向和列方向布置成格子形式(矩阵形式)，即，采用了拜尔阵列(Bayer array)。
每个偏光像素Pp的在倾斜方向上的四个侧边被R像素、Gb像素、Gr像素和B像素包围。进一步地，每个彩色像素Pc的在倾斜方向上的四个侧边被0°像素、45°像素、90°像素和135°像素包围。
图1中的像素驱动线16针对偏光像素Pp的每个像素行以及针对彩色像素Pc的每个像素行沿行方向进行布线。换句话说，偏光像素Pp和彩色像素Pc连接至不同的像素驱动线16。因此，能够以行为单位单独驱动偏光像素Pp和彩色像素Pc。
进一步地，图1中的垂直信号线17针对偏光像素Pp的每个像素列以及针对彩色像素Pc的每个像素列沿列方向进行布线。换句话说，偏光像素Pp和彩色像素Pc连接至不同的垂直信号线17。因此，可以分别读出由偏光像素Pp提供的像素信号(偏光像素信号)和由彩色像素Pc提供的像素信号(彩色像素信号)。进一步地，可以分别生成由偏光像素Pp提供的偏光像素信号构成的偏光图像和由彩色像素Pc提供的彩色像素信号构成的彩色图像。
{偏光信息和颜色信息的内插方法}
现在说明彩色像素Pc中的偏光信息内插方法和偏光像素Pp中的颜色信息内插方法。
在下文中，偏光像素Pp的坐标系和彩色像素Pc的坐标系由不同的坐标系表示。进一步地，在偏光像素Pp的坐标系中具有坐标(i,j)的偏光像素Pp由Pp(i,j)表示，偏光像素Pp(i,j)的偏振角由θ(i,j)表示，并且偏光像素Pp(i,j)的亮度由Ip(i,j)表示。在彩色像素Pc的坐标系中具有坐标(m,n)的彩色像素Pc由Pc(m,n)表示。进一步地，在彩色像素Pc(m,n)为R像素的情况下的亮度由Icr(m,n)表示，在彩色像素Pc(m,n)为Gr像素的情况下的亮度由Icgr(m,n)表示，在彩色像素Pc(m,n)为Gb像素的情况下的亮度由Icgb(m,n)表示，且在彩色像素Pc(m,n)为B像素的情况下的亮度由Icb(m,n)表示。
首先，将说明彩色像素Pc(m,n)中的偏光信息内插方法。在下文中，假设彩色像素Pc(m,n)被偏光像素Pp(i,j)、Pp(i+1,j)、Pp(i,j+1)和Pp(i+1,j+1)包围。
这里，彩色像素Pc(m,n)中在偏振方向θ上的光的亮度Ip(m,n,θ)由下式(1)的数学模型表示。
[数学模型1]
Figure BDA0001489605150000121
Imax表示亮度Ip(m,n,θ)的最大值，且Imin表示亮度Ip(m,n,θ)的最小值。
Figure BDA0001489605150000122
表示亮度Ip(m,n,θ)为Imax的情况下的偏振方向θ。
例如，信号处理部18基于彩色像素Pc(m,n)周围的偏光像素Pp(i,j)、Pp(i+1,j)、Pp(i,j+1)、和Pp(i+1,j+1)的亮度Ip(i,j)、Ip(i+1,j)、Ip(i,j+1)和Ip(i+1,j+1)以及偏振角θ(i,j)、θ(i+1,j)、θ(i,j+1)和θ(i+1,j+1)执行诸如最小二乘法(least-squaretechnique)等拟合处理，并且估算彩色像素Pc(m,n)中的式(1)的Imax、Imin和
Figure BDA0001489605150000123
相应地，信号处理部18能够获得彩色像素Pc(m,n)中的每个偏振方向θ上的亮度。
进一步地，信号处理部18能够基于彩色像素Pc(m,n)中的每个偏振方向θ上的亮度来检测彩色像素Pc(m,n)中的被摄体的法线方向。因此，信号处理部18例如能够通过检测每个彩色像素Pc中的被摄体的法线方向来测量被摄体的形状。
接着，将说明偏光像素Pp(i,j)中的颜色信息内插方法。在下文中，假设偏光像素Pp(i,j)被彩色像素Pc(m-1,n-1)、Pc(m-1,n)、Pc(m,n-1)和Pc(m,n)包围。进一步地，假设彩色像素Pc(m-1,n-1)、Pc(m-1,n)、Pc(m,n-1)和Pc(m,n)为R像素、Gr像素、Gb像素和B像素。
信号处理部18依据如下的式(2)-(4)来计算偏光像素Pp(i,j)中R分量的颜色偏振亮度Ipr(i,j)、G分量的颜色偏振亮度Ipg(i,j)、B分量的颜色偏振亮度Ipb(i,j)。
[数学模型2]
Figure BDA0001489605150000131
Figure BDA0001489605150000132
Figure BDA0001489605150000133
颜色偏振亮度Ipr(i,j)是偏光像素Pp(i,j)中的在偏振方向θ(i,j)上的红色光的亮度。颜色偏振亮度Ipg(i,j)是偏光像素Pp(i,j)中的在偏振方向θ(i,j)上的绿色光的亮度。颜色偏振亮度Ipb(i,j)是偏光像素Pp(i,j)中的在偏振方向θ(i,j)上的蓝色光的亮度。
进一步地，由于彩色像素Pc根据拜耳阵列进行布置，所以信号处理部18能够通过依据公知的去马赛克处理计算各彩色像素Pc的各种颜色的亮度来获得全色图像。
如上所述，在CMOS图像传感器10A中，由于偏光像素Pp和彩色像素Pc可以布置为高密度的格子形式，所以可以提高偏光信息和颜色信息的检测精度。进一步地，可以获得具有相同分辨率的偏光图像和彩色图像。进一步地，由于彩色像素具有与常见固态成像装置的像素阵列类似的像素阵列，所以可以在不执行特定处理的情况下利用与现有技术类似的技术获得彩色图像。
{单位像素的第二阵列示例}
在图3的第一阵列示例中，彩色像素具有拜耳阵列，但是可以使用除拜耳阵列之外的任意阵列。
以与图3类似的形式，图4示意性地图示了CMOS图像传感器10A的像素阵列部11中的单位像素的第二阵列示例。
第二阵列示例与图3的第一阵列示例的不同之处在于布置了方格中附有字母W的彩色像素(下文称为“W像素”)来替代Gb像素，且在其它点上第二阵列示例与图3的第一阵列示例类似。
例如，W像素是其中安装有透明滤色器127或没有安装滤色器127的像素。因此，由于入射光的波长不受限制，所以W像素与R像素、G像素和B像素相比具有较高的灵敏度。因此，与第一阵列示例相比，在第二阵列示例中可以改善彩色像素Pc(颜色信息)的灵敏度。
<3.第二实施方案>
接着，将参照图5-7说明作为图1的CMOS图像传感器10的第二实施方案的CMOS图像传感器10B。
{单位像素的第三阵列示例}
以与图2类似的形式，图5示意性地图示了CMOS图像传感器10B的构成例。
图5的CMOS图像传感器10B与图2的CMOS图像传感器10A的不同之处在于偏光像素Pp的尺寸较大，且彩色像素Pc的尺寸较小，并且在其它点上与CMOS图像传感器10A类似。偏光像素Pp的光电转换元件123p大于彩色像素Pc的光电转换元件123c，并且光电转换元件123p的光接收面积大于光电转换元件123c的光接收面积。
{偏光像素Pp和彩色像素Pc的第一阵列示例}
以与图3类似的形式，图6示意性地图示了CMOS图像传感器10B的像素阵列部11中的单位像素的第三阵列示例。
第三阵列示例与第一阵列示例的不同之处在于偏光像素Pp的形状和面积以及彩色像素Pc的面积与图3的第一阵列示例中的不同，且在其它点上与第一阵列示例类似。
具体地，偏光像素Pp具有其中正方形的四个角沿相对于行方向和列方向的45°方向被切除的正八边形。偏光像素Pp在行方向上的侧边或列方向上的侧边处与相邻的偏光像素Pp接触，并且沿行方向和列方向布置成格子形式(矩阵形式)。
彩色像素Pc布置在偏光像素Pp之间的间隙中。换句话说，彩色像素Pc是这样的区域，该区域被四个相邻偏光像素Pp的在倾斜方向上的侧边包围且设置在从偏光像素Pp沿行方向和列方向偏移偏光像素Pp的间距的一半的位置处。因此，偏光像素Pp和彩色像素Pc在沿行方向和列方向彼此偏移1/2间距的位置布置成格子形式(矩阵形式)。与第一阵列示例类似，彩色像素Pc具有其中正方形在行方向和列方向上倾斜45°的形状。然而，彩色像素Pc的面积比在第一阵列示例中小。
相应地，可以独立地设计偏光像素Pp的大小和彩色像素Pc的大小。因此，可以在将偏光像素Pp的消光比(extinction ratio)和灵敏度以及彩色像素Pc的灵敏度设定为期望值的同时使像素阵列部11的尺寸最小化。
例如，在偏光像素Pp的偏光部件126的消光比被设定为10以上的情况下，将偏光像素Pp布置为间距为约3μm的格子形式是合乎期望的。在这种情况中，偏光像素Pp的切割部分的倾斜边的长度为约1.2μm，且彩色像素Pc为具有约1.2μm的边长的正方形。
{单位像素的第四阵列示例}
以与图3类似的形式，图7示意性地图示了CMOS图像传感器10B的像素阵列部11中的单位像素的第四阵列示例。
图7的第四阵列示例与第三阵列示例的不同之处在于，偏光像素Pp的形状和彩色像素Pc的形状与图6的第三阵列示例相比是彼此相反的，并且在其它点上与第三阵列示例类似。
<4.第三实施方案>
接着，将参照图8-13说明作为图1的CMOS图像传感器10的第三实施方案的CMOS图像传感器10C。
{CMOS图像传感器10C的构成例}
以与图2类似的形式，图8示意性地图示了CMOS图像传感器10C的构成例。
CMOS图像传感器10C与图2的CMOS图像传感器10A的不同之处在于彩色像素Pc的滤色器127被去除了，而滤色器151被安装在光收集元件128和遮光膜125的水平部125B之间以及光收集元件128和偏光部件126之间，并且在其它点上与CMOS图像传感器10A类似。
滤色器151不仅布置在彩色像素Pc的光电转换元件123c上方，而且还布置在偏光像素Pp的光电转换元件123p上方。因此，偏光像素Pp不仅能够检测偏光信息，而且还能够检测颜色信息。
{单位像素的第五阵列示例}
以与图3类似的形式，图9示意性地图示了CMOS图像传感器10C的像素阵列部11中的单位像素的第五阵列示例。
第五阵列示例与图3的第一阵列示例的不同之处在于偏光像素Pp能够检测颜色信息，并且偏光像素Pp的偏振角的设置是不同的，且在其它点上与第一阵列示例类似。
具体地，在第五阵列示例中，偏光像素Pp的偏振角全都为0°。进一步地，如上参照图8所说明的，由于安装有滤色器151，所以所有的偏光像素Pp都不仅能够检测偏光信息，而且还能够检测颜色信息。偏光像素Pp的颜色布置遵循拜尔阵列。
偏光像素Pp与彩色像素Pc相比由于安装有同样多的偏光部件126而具有较低的灵敏度。因此，例如，在低照明度的情况下，使用具有高灵敏度的彩色像素Pc的像素信号生成彩色图像，且在高照明度的情况下，使用具有低灵敏度的偏光像素Pp的像素信号生成彩色图像，并且由此可以抑制高光过白(blown-out highlights)或阴影过黑(blocked-upshadows)的发生，且相应地可以增大CMOS图像传感器10C的动态范围。进一步地，例如，也可以根据照明度等使彩色像素Pc的像素信号和偏光像素Pp的像素信号以一比率合成。
进一步地，由于使用偏光像素Pp的像素信号生成彩色图像，所以可以容易地获得具有预定偏振方向的偏光彩色图像。
{单位像素的第六阵列示例}
以与图3类似的形式，图10示意性地图示了CMOS图像传感器10C的像素阵列部11中的单位像素的第六阵列示例。
第六阵列示例与图9的第五阵列示例的不同之处在于偏光像素Pp的偏振角和颜色的布置，且在其它点上与第五阵列示例类似。
具体地，偏光像素Pp的偏振角的布置与图3的第一阵列示例类似。
进一步地，其中具有相同颜色的偏光像素Pp布置成2×2矩阵形式的小块依据颜色的不同被分类为四种类型，且四种类型的小块被规则地布置。换句话说，在小块中的偏光像素Pp的颜色是相同的，不同类型的小块中的偏光像素Pp的颜色是不同的，且四种类型的小块被规则地布置。具体地，将如下的大块定义为一个单位，在该大块中，由作为R像素的偏光像素Pp构成的小块、由作为Gr像素的偏光像素Pp构成的小块、由作为Gb像素的偏光像素Pp构成的小块和由作为B像素的偏光像素Pp构成的小块布置成2×2矩阵形式，并且大块周期性地沿行方向和列方向布置成格子形式(矩阵形式)。因此，偏光像素Pp的颜色布置以小块为单位遵循拜尔阵列。
因此，与图9的第五阵列示例类似，在第六阵列示例中可以增大CMOS图像传感器10C的动态范围。进一步地，由于可以针对每种颜色获得四种角度的偏光信息，所以可以针对每种颜色获得由上述式(1)表示的每个偏振方向上的亮度。此外，由于偏光像素Pp能够获取偏光信息和颜色信息，所以容易将偏光信息的镜面反射(specular reflection)和漫反射分离。
{单位像素的第七阵列示例}
以与图3类似的形式，图11示意性地图示了CMOS图像传感器10C的像素阵列部11中的单位像素的第七阵列示例。
第七阵列示例与图10的第六阵列示例的不同之处在于偏光像素Pp的颜色布置，且在其它点上与第六阵列示例类似。具体地，作为W像素的偏光像素Pp布置在在第六阵列示例中布置有作为Gb像素的偏光像素Pp的位置处。因此，偏光像素Pp的灵敏度与第六阵列示例相比得到提高。
例如，与图4的第二阵列示例类似，针对彩色像素Pc可以布置W像素来替代Gb像素。
{单位像素的第八阵列示例}
以与图3类似的形式，图12示意性地图示了CMOS图像传感器10C的像素阵列部11中的单位像素的第八阵列示例。
第八阵列示例与图9的第五阵列示例的不同之处在于偏光像素Pp的偏振角的布置，且在其它点上与第五阵列示例类似。
具体地，其中具有相同偏振角的偏光像素Pp布置成2×2矩阵形式的小块依据偏振角的不同被分类为四种类型，且四种类型的小块被规则地布置。换句话说，小块中的偏光像素Pp的偏振角是相同的，不同类型的小块的偏光像素Pp的偏振角是不同的，且四种类型的小块被规则地布置。具体地，将如下的大块定义为一个单位，在该大块中，由0°像素构成的小块、由45°像素构成的小块、由90°像素构成的小块和由135°像素构成的小块布置成2×2矩阵形式，并且大块周期性地沿行方向和列方向布置成格子形式(矩阵形式)。
因此，与图9的第五阵列示例类似，在第八阵列示例中可以增大CMOS图像传感器10C的动态范围。进一步地，可以针对每种偏振角获取每种颜色的颜色信息。
{单位像素的第九阵列示例}
以与图3类似的形式，图13示意性地图示了CMOS图像传感器10C的像素阵列部11中的单位像素的第九阵列示例。
第九阵列示例与图12的第八阵列示例的不同之处在于偏光像素Pp的颜色布置，且在其它点上与第八阵列示例类似。具体地，作为W像素的偏光像素Pp布置在在第八阵列示例中布置有作为Gb像素的偏光像素Pp的位置处。因此，偏光像素Pp的灵敏度与第八阵列示例相比得到提高。
例如，与图4的第二阵列示例类似，针对彩色像素Pc可以布置W像素来替代Gb像素。
<5.第四实施方案>
接着，将参照图14说明作为图1的CMOS图像传感器10的第四实施方案的CMOS图像传感器10D。
{CMOS图像传感器10D的构成例}
以与图2类似的形式，图14示意性地图示了CMOS图像传感器10D的构成例。
与CMOS图像传感器10A-10C不同，CMOS图像传感器10D具有其中光从其上堆叠有半导体基板201的布线层202的前表面侧入射的表面照射型结构。在下文中，半导体基板201的前表面被称为“入射面”或“光接收面”。
在该示例中，与图5中的CMOS图像传感器10B类似，偏光像素Pp的尺寸大于彩色像素Pc的尺寸。这里，也可以使得偏光像素Pp的尺寸等于彩色像素Pc的尺寸，或使得彩色像素Pc的尺寸大于偏光像素Pp的尺寸。
在半导体基板201的入射面附近，光电转换元件221p形成在偏光像素Pp的区域中，且光电转换元件221c形成在彩色像素Pc的区域中。光电转换元件221p和光电转换元件221c之间没有结构差异，并且例如，光电转换元件221p和光电转换元件221c中的每一者都由光电二极管构成。进一步地，光电转换元件221p比光电转换元件221c大。
在下文中，在不必要单独区分光电转换元件221p和光电转换元件221c的情形下，它们被简称为光电转换元件221。
在布线层202中，在与半导体基板201的边界附近针对每个像素形成栅电极222。进一步地，在布线层202中，布线223以多个层堆叠在绝缘膜225中。然而，布线223形成在像素和像素之间，并且不形成在光电转换元件221中的每一者上方。
在布线层202中在光电转换元件221p上方形成芯/包覆型(core/clad type)波导224p。波导224p通过将待入射到偏光像素Pp上的光引导至光电转换元件221p来增大偏光像素Pp的光收集效率。类似地，在布线层202中在光电转换元件221c上方形成芯/包覆型波导224c。波导224c通过将待入射到彩色像素Pc上的光引导至光电转换元件221c来增大彩色像素Pc的光收集效率。
遮光膜226、偏光部件227和滤色器228形成在布线层中202的绝缘膜225的表面上。
遮光膜226覆盖布线层202的表面，并且在光电转换元件221p和光电转换元件221c上方形成开口部。因此，遮光膜226形成为填充相邻像素之间的空间。通过遮光膜226抑制了来自相邻像素的光的入射。
偏光部件227形成在遮光膜226的在光电转换元件221p上方的开口部中，并且覆盖光电转换元件221p的表面(入射面)。例如，类似于图2的偏光部件126，偏光部件227配置为线栅偏光器。
滤色器228形成在遮光膜226的在光电转换元件221c上方的开口部中，并且覆盖光电转换元件221c的表面(入射面)。滤色器228被配置为传输红色波长范围的光的R滤色器、传输绿色波长范围的光的G滤色器或传输蓝色波长范围的光的B滤色器。
光收集元件229隔着层间绝缘膜(未图示)形成在遮光膜226、偏光部件227和滤色器228上方。例如，光收集元件229被配置为片上微透镜，并且收集光以使入射光入射到偏光部件227或滤色器228上。
<6.变形例>
接着，将说明在上面说明的本技术的变形例。
{与单位像素的布置相关的变形例}
如上参照图3、图4、图6、图7和图9-13说明的单位像素(偏光像素Pp和彩色像素Pc)的形状是一个示例，并且可在必要时进行修改。
例如，在图3等中，单位像素的形状可以为正方形之外的菱形。
进一步地，例如，在图6和图7中，单位像素的形状可以为正八边形之外的八边形。例如，单位像素的形状可以为其中沿行方向和列方向的侧边的长度与在倾斜方向上的侧边的长度不同的八边形、其中正方形的四个角以不同于45°的角度被切除的八边形或者其中矩形的四个角被切除的八边形。依据八边形单位像素的形状的变化，矩形单位像素的形状也发生变化。
进一步地，例如，单位像素的形状可以为圆形、六边形等。
在上面的说明中，说明了其中偏光像素Pp和彩色像素Pc布置在彼此偏移1/2间距的位置处的示例，但是偏光像素Pp和彩色像素Pc可以布置在偏移不同于1/2的值的间距的位置处。
进一步地，上述第一至第九阵列示例在可能的范围内可以进行组合。
{与偏振角的类型相关的变形例}
在上面的说明中，说明了其中偏光像素Pp的偏振角(偏光部件的透射轴的角度)主要被设定为0°、45°、90°和135°的实施例，但是偏振角的组合或类型的数量可以进行任意改变。
例如，偏光像素Pp的偏振角(透射轴的角度)可以被设定为相差θ的180/θ种类型，并且这180/θ种类型的偏光像素Pp可以被规则地布置。
进一步地，当偏振角的组合或类型的数量被改变时，例如，如上参照图12和图13说明的每个偏振角的偏光像素Pp的小块的类型、布置等也被改变。
{与颜色种类相关的变形例}
在上面的说明中，说明了其中滤色器的颜色种类为R、G、B三种类型或R、G、B和W四种类型的示例，但是颜色的组合或类型的数量可以被改变。例如，可以使用M(品红(magenta))、Y(黄)、C(青(cyan))这三种类型，或M、Y、C和W这四种类型。
进一步地，例如，当滤色器的颜色的组合或滤色器的类型的数量被改变时，例如，如上参照图10和图11说明的每种颜色的偏光像素Pp的小块的类型、布置等也被改变。
{其它变形例}
例如，在图14的CMOS图像传感器10D中，可以省略波导224p和波导224c中的一者或两者。
进一步地，例如，在上面的说明中，说明了其中图2和图5的偏光部件126和滤色器127以及图14的偏光部件227和滤色器228布置在相同平面(在光轴方向上的相同位置)上的示例，但是图2和图5的偏光部件126和滤色器127以及图14的偏光部件227和滤色器228可以被布置在光轴方向上的不同位置处。例如，在光轴方向上，偏光部件126(或偏光部件227)可以被布置在滤色器127(或滤色器228)的上方或下方。
进一步地，在本技术中，可以通过滤色器之外的方法来检测颜色信息。例如，可以使用有机光电转换膜来检测颜色信息。
进一步地，在本技术中，可以通过偏光部件之外的方法来检测偏光信息。
进一步地，在上面的实施方案中，将本发明被应用到其中单位像素布置成矩阵形式的CMOS图像传感器的情况作为实施例进行了说明，但是本技术不限于应用于CMOS图像传感器。换句话说，本技术可以被应用于其中单位像素二维地布置成矩阵形式的XY地址方案的所有固态成像装置。
固态成像装置可以具有其被形成为单芯片的形式，或者可以具有其中成像部和信号处理部或光学系统被封装在一起的具有成像功能的模块形式。
<7.固态成像装置的使用例>
图15是图示了使用上述固态成像装置的使用例的图。
例如，上述固态成像装置可以用于以下感测诸如可见光、红外光、紫外光或X射线等光的各种情况。
-用于拍摄鉴赏用的图像的装置，诸如数码相机和具有相机功能的便携设备等。
-用于交通用途的装置，用于安全驾驶(例如，自动停车)以及识别驾驶员的状态等的拍摄汽车的前方和后方、周围、车辆内部等的图像的车载传感器、监视行驶车辆或道路的监视相机以及测量车辆等之间的距离的距离传感器等。
-用于诸如电视机、冰箱和空调等家用电器中的装置，用以拍摄使用者的手势图像并根据手势进行设备操作。
-用于医疗和保健用途的装置，诸如内窥镜和通过接收红外光进行血管造影的装置等。
-用于安保用途的装置，诸如用于预防犯罪用途的监视相机和用于个人认证用途的相机等。
-用于美容的装置，诸如拍摄皮肤图像的皮肤测量仪器和拍摄头皮图像的显微镜等。
-用于运动用途的装置，诸如用于运动用途的动作相机和可穿戴相机等。
-用于农业用途的装置，诸如用于监测田地和农作物的状态的相机等。
{成像装置}
图16是图示了作为本技术适用的电子设备的示例的成像装置(相机装置)的构成例的框图。
如图16中示出的，成像装置包括光学系统(包括透镜组301等)、成像元件302、DSP电路303(其为相机信号处理部)、帧存储器304、显示装置305、记录装置306、操作系统307和电源系统308。接着，DSP电路303、帧存储器304、显示装置305、记录装置306、操作系统307和电源系统308通过总线309彼此连接。
透镜组301接收来自被摄体的入射光(图像光)并且在成像元件302的成像表面上形成图像。成像元件302将由透镜组301在成像表面上形成图像的入射光的光量转换为在每个像素中的电信号，并且将电信号作为像素信号输出。
显示装置305为诸如液晶显示装置和有机电致发光(EL)显示装置等的面板显示装置，并且显示由成像元件302拍摄的移动图像或静止图像。记录装置306在诸如存储卡、录像带和数字通用光盘(DVD)等的记录介质中记录由成像元件302拍摄的移动图像或静止图像。
操作系统307在使用者的操作下发出与本成像装置的各种功能有关的操作指令。电源系统308适当地将作为DSP电路303、帧存储器304、显示装置305、记录装置306和操作系统307的操作电源的各种电源提供至这些对象。
成像装置应用于诸如摄像机、数字照相机、智能手机、移动电话等的移动设备的相机模块。在成像装置中，根据上述实施方案的固态成像装置可以被用作成像元件302。相应地，成像装置的图像质量可得到提高。
本公开的实施方案不限于上述那些实施方案，并且在不脱离本公开的范围的情况下可进行各种改变和变形。
另外，本技术还可以具有如下构成：
(1)一种固态成像装置，包括：
像素阵列部，所述像素阵列部包括：
构造成检测偏光信息的多个偏光像素，和
构造成检测颜色信息的多个彩色像素，
其中，所述偏光像素沿行方向和列方向布置为格子形式，且
所述彩色像素在从所述偏光像素沿行方向和列方向偏移的位置处在相邻的所述偏光像素之间沿行方向和列方向布置为格子形式。
(2)根据(1)所述的固态成像装置，
其中，所述偏光像素的大小与所述彩色像素的大小不同。
(3)根据(2)所述的固态成像装置，
其中，所述偏光像素和所述彩色像素中的较大像素均具有通过切除矩形的四个角而形成的八边形形状，且
所述偏光像素和所述彩色像素中的较小像素均布置在由相邻的四个所述较大像素的在倾斜方向上的侧边包围的区域中。
(4)根据(1)所述的固态成像装置，
其中，所述偏光像素和所述彩色像素具有相同大小的菱形形状。
(5)根据(1)-(4)中任一项所述的固态成像装置，
其中，规则地布置有透射轴的角度相差θ°的180/θ种类型的所述偏光像素。
(6)根据(5)所述的固态成像装置，
其中，透射轴的角度相差45°的所述偏光像素在其中布置成2×2矩阵形式的块沿行方向和列方向布置为格子形式。
(7)根据(5)或(6)所述的固态成像装置，
其中，规则地布置有多种类型的块，每个块包括多个所述偏光像素，且
在所述块中的所述偏光像素的透射轴的角度是相同的，且不同类型的所述块的所述偏光像素的透射轴的角度是不同的。
(8)根据(1)-(7)中任一项所述的固态成像装置，
其中，在所述偏光像素中安装有滤色器，且
所述滤色器的颜色被规则地布置。
(9)根据(8)所述的固态成像装置，
其中，规则地布置有多种类型的块，每个块包括多个所述偏光像素，且
在所述块中的所述滤色器的颜色是相同的，并且不同类型的所述块的所述滤色器的颜色是不同的。
(10)根据(8)或(9)所述的固态成像装置，
其中，在所述偏光像素的一部分中安装或不安装透明的所述滤色器。
(11)根据(1)-(10)中任一项所述的固态成像装置，
其中，安装在所述偏光像素中的偏光部件和安装在所述彩色像素中的滤色器布置在相同平面上。
(12)根据(1)-(10)中任一项所述的固态成像装置，
其中，安装在所述偏光像素中的偏光部件和安装在所述彩色像素中的滤色器布置在光轴方向上的不同位置处。
(13)根据(1)-(12)中任一项所述的固态成像装置，
其中，安装在所述偏光像素中的偏光部件形成在半导体基板的光入射侧的表面上，所述偏光像素的光学转换元件形成在所述半导体基板中。
(14)根据(1)-(12)中任一项所述的固态成像装置，
其中，在构成所述偏光像素的偏光部件和光电转换元件之间的空间与构成所述彩色像素的滤色器和光电转换元件之间的空间中的至少一者中形成有波导。
(15)根据(1)-(14)中任一项所述的固态成像装置，
其中，在像素之间形成有沟槽，并且在所述沟槽中嵌入有遮光膜。
(16)根据(1)-(15)中任一项所述的固态成像装置，
其中，所述偏光像素和所述彩色像素连接至不同的行信号线和不同的列信号线。
(17)根据(1)-(16)中任一项所述的固态成像装置，
其中，所述彩色像素布置在从所述偏光像素沿行方向和列方向偏移所述偏光像素的间距的一半的位置处。
(18)根据(1)-(17)中任一项所述的固态成像装置，还包括：
信号处理部，所述信号处理部构造成基于所述彩色像素周围的多个所述偏光像素的亮度来计算所述彩色像素中在每个偏振方向上的光的亮度。
(19)根据(1)-(18)中任一项所述的固态成像装置，还包括：
信号处理部，所述信号处理部构造成基于所述偏光像素周围的多个所述彩色像素的亮度来计算所述偏光像素中在所述偏光像素的偏振方向上的每种颜色的光的亮度。
(20)一种电子设备，包括：
固态成像装置；
信号处理部，所述信号处理部被构造成处理从所述固态成像装置输出的信号，
其中，所述固态成像装置包括：
像素阵列部，所述像素阵列部包括：
构造成检测偏光信息的多个偏光像素，和
构造成检测颜色信息的多个彩色像素，
所述偏光像素沿行方向和列方向布置为格子形式，且
所述彩色像素在从所述偏光像素沿行方向和列方向偏移的位置处在相邻的所述偏光像素之间沿行方向和列方向布置为格子形式。
附图标记列表
10,10A-10D：CMOS图像传感器
11：像素阵列部
12：垂直驱动部
13：列处理部
14：水平驱动部
15：系统控制部
16：像素驱动线
17：垂直信号线
18：信号处理部
101：布线层
102：半导体基板
123p,123c：光电转换元件
125：遮光膜
126：偏光部件
127：滤色器
201：半导体基板
202：布线层
221p,221c：光电转换元件
224p,224c：波导
226：遮光膜
227：偏光部件
228：滤色器
Pp：偏光像素
Pc：彩色像素
302：成像元件

Claims (17)

1.一种固态成像装置，包括：
像素阵列部，所述像素阵列部包括：
构造成检测偏光信息的多个偏光像素，和
构造成检测颜色信息的多个彩色像素，
其中，所述偏光像素沿行方向和列方向布置为格子形式，且
所述彩色像素在从所述偏光像素沿行方向和列方向偏移的位置处在相邻的所述偏光像素之间沿行方向和列方向布置为格子形式
其中，所述偏光像素的大小与所述彩色像素的大小不同，
其中，所述偏光像素和所述彩色像素中的较大像素均具有通过切除矩形的四个角而形成的八边形形状，且
所述偏光像素和所述彩色像素中的较小像素均布置在由相邻的四个所述较大像素的在倾斜方向上的侧边包围的区域中。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置，
其中，规则地布置有透射轴的角度相差θ°的180/θ种类型的所述偏光像素。
3.根据权利要求2所述的固态成像装置，
其中，透射轴的角度相差45°的所述偏光像素在其中布置成2×2矩阵形式的块沿行方向和列方向布置为格子形式。
4.根据权利要求2所述的固态成像装置，
其中，规则地布置有多种类型的块，每个块包括多个所述偏光像素，且
在所述块中的所述偏光像素的透射轴的角度是相同的，且不同类型的所述块的所述偏光像素的透射轴的角度是不同的。
5.根据权利要求1所述的固态成像装置，
其中，在所述偏光像素中安装有滤色器，且
所述滤色器的颜色被规则地布置。
6.根据权利要求5所述的固态成像装置，
其中，规则地布置有多种类型的块，每个块包括多个所述偏光像素，且
在所述块中的所述滤色器的颜色是相同的，并且不同类型的所述块的所述滤色器的颜色是不同的。
7.根据权利要求5所述的固态成像装置，
其中，在所述偏光像素的一部分中安装或不安装透明的所述滤色器。
8.根据权利要求1所述的固态成像装置，
其中，安装在所述偏光像素中的偏光部件和安装在所述彩色像素中的滤色器布置在相同平面上。
9.根据权利要求1所述的固态成像装置，
其中，安装在所述偏光像素中的偏光部件和安装在所述彩色像素中的滤色器布置在光轴方向上的不同位置处。
10.根据权利要求1所述的固态成像装置，
其中，安装在所述偏光像素中的偏光部件形成在半导体基板的光入射侧的表面上，所述偏光像素的光学转换元件形成在所述半导体基板中。
11.根据权利要求1所述的固态成像装置，
其中，在构成所述偏光像素的偏光部件和光电转换元件之间的空间与构成所述彩色像素的滤色器和光电转换元件之间的空间中的至少一者中形成有波导。
12.根据权利要求1所述的固态成像装置，
其中，在像素之间形成有沟槽，并且在所述沟槽中嵌入有遮光膜。
13.根据权利要求1所述的固态成像装置，
其中，所述偏光像素和所述彩色像素连接至不同的行信号线和不同的列信号线。
14.根据权利要求1所述的固态成像装置，
其中，所述彩色像素布置在从所述偏光像素沿行方向和列方向偏移所述偏光像素的间距的一半的位置处。
15.根据权利要求1所述的固态成像装置，还包括：
信号处理部，所述信号处理部构造成基于所述彩色像素周围的多个所述偏光像素的亮度来计算所述彩色像素中在每个偏振方向上的光的亮度。
16.根据权利要求1所述的固态成像装置，还包括：
信号处理部，所述信号处理部构造成基于所述偏光像素周围的多个所述彩色像素的亮度来计算所述偏光像素中在所述偏光像素的偏振方向上的每种颜色的光的亮度。
17.一种电子设备，包括：
固态成像装置；
信号处理部，所述信号处理部被构造成处理从所述固态成像装置输出的信号，
其中，所述固态成像装置包括：
像素阵列部，所述像素阵列部包括：
构造成检测偏光信息的多个偏光像素，和
构造成检测颜色信息的多个彩色像素，
所述偏光像素沿行方向和列方向布置为格子形式，且
所述彩色像素在从所述偏光像素沿行方向和列方向偏移的位置处在相邻的所述偏光像素之间沿行方向和列方向布置为格子形式，
其中，所述偏光像素的大小与所述彩色像素的大小不同，
其中，所述偏光像素和所述彩色像素中的较大像素均具有通过切除矩形的四个角而形成的八边形形状，且
所述偏光像素和所述彩色像素中的较小像素均布置在由相邻的四个所述较大像素的在倾斜方向上的侧边包围的区域中。
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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6843682B2 (ja) 2017-04-07 2021-03-17 キヤノン株式会社 撮像素子および撮像装置
JP6833597B2 (ja) * 2017-04-11 2021-02-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置
CN107014490A (zh) * 2017-04-17 2017-08-04 大连理工大学 一种分焦面型实时偏振成像系统
US11424279B2 (en) 2017-05-16 2022-08-23 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging element and electronic device including imaging device
JP6951866B2 (ja) 2017-05-18 2021-10-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子
CN107612617A (zh) * 2017-09-13 2018-01-19 华南理工大学 一种基于通用cmos摄像头的可见光通信方法及装置
WO2019087527A1 (ja) * 2017-10-30 2019-05-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器
DE102018124442A1 (de) 2017-11-15 2019-05-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Polarisatoren für Bildsensorvorrichtungen
US10367020B2 (en) * 2017-11-15 2019-07-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Polarizers for image sensor devices
US11646333B2 (en) 2017-12-14 2023-05-09 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging element and imaging device for improving accuracy of polarization information
KR102554417B1 (ko) * 2018-06-18 2023-07-11 삼성전자주식회사 이미지 센서
CN109309140B (zh) * 2018-08-29 2021-01-05 北方广微科技有限公司 偏振非制冷红外焦平面探测器
KR102534247B1 (ko) * 2018-10-01 2023-05-18 삼성전자주식회사 편광판을 포함한 3d 이미지 센서, 및 그 3d 이미지 센서를 기반으로 한 깊이 보정방법과 3d 영상 생성방법
JP7378920B2 (ja) * 2018-10-16 2023-11-14 キヤノン株式会社 光学装置及びそれを備える撮像システム
CN109348195A (zh) * 2018-11-30 2019-02-15 德淮半导体有限公司 图像传感器及其制造方法、成像方法以及成像设备
JP2020136429A (ja) * 2019-02-18 2020-08-31 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および撮像装置
KR20200106589A (ko) 2019-03-04 2020-09-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
JPWO2020213238A1 (zh) * 2019-04-19 2020-10-22
KR20210027780A (ko) * 2019-09-03 2021-03-11 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서
TW202131671A (zh) * 2019-10-07 2021-08-16 日商索尼半導體解決方案公司 電子機器
CN110676277A (zh) * 2019-10-24 2020-01-10 德淮半导体有限公司 图像传感器及其形成方法
KR20210054085A (ko) * 2019-11-04 2021-05-13 삼성전자주식회사 이미지 센서
KR20210058129A (ko) * 2019-11-13 2021-05-24 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서
US11515437B2 (en) * 2019-12-04 2022-11-29 Omnivision Technologies, Inc. Light sensing system and light sensor with polarizer
US11557635B2 (en) 2019-12-10 2023-01-17 Samsung Display Co., Ltd. Display device, mask assembly, and apparatus for manufacturing the display device
US11233963B2 (en) * 2019-12-27 2022-01-25 Omnivision Technologies, Inc. Devices and methods for obtaining three-dimensional shape information using polarization and phase detection photodiodes
CN113097236B (zh) * 2020-01-08 2024-03-12 联华电子股份有限公司 感光装置
US11509869B2 (en) * 2020-02-04 2022-11-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Pixel array reducing loss of image information and image sensor including same
US11495048B2 (en) 2020-08-17 2022-11-08 Au Optronics Corporation Fingerprint sensing module
US20220165779A1 (en) * 2020-11-20 2022-05-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Pixel array including octagon pixel sensors
JP2022156254A (ja) * 2021-03-31 2022-10-14 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置及び撮像装置の製造方法
CN113286067B (zh) * 2021-05-25 2023-05-26 Oppo广东移动通信有限公司 图像传感器、摄像装置、电子设备及成像方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4961748B2 (ja) * 2006-01-13 2012-06-27 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP4946147B2 (ja) * 2006-04-14 2012-06-06 ソニー株式会社 固体撮像装置
CN101584222B (zh) 2007-05-31 2011-10-12 松下电器产业株式会社 图像处理装置
EP3217660B1 (en) 2007-06-15 2018-10-31 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Image processing device
KR100835894B1 (ko) * 2007-06-18 2008-06-09 (주)실리콘화일 다이내믹 레인지가 넓고, 색재현성과 해상능력이 우수한픽셀어레이 및 이미지센서
US8885987B2 (en) * 2007-09-06 2014-11-11 Quantum Semiconductor Llc Photonic via waveguide for pixel arrays
WO2009072260A1 (ja) * 2007-12-07 2009-06-11 Panasonic Corporation 画像処理装置および画像処理方法ならびに撮像装置
JP5428509B2 (ja) * 2009-05-11 2014-02-26 ソニー株式会社 ２次元固体撮像装置、及び、２次元固体撮像装置における偏光光データ処理方法
US8823848B2 (en) 2009-06-11 2014-09-02 The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Microgrid imaging polarimeters with frequency domain reconstruction
JP5332996B2 (ja) * 2009-07-17 2013-11-06 ソニー株式会社 多層膜光学フィルタ、固体撮像素子、撮像装置、表示装置、通信装置
JP2012212978A (ja) 2011-03-30 2012-11-01 Nikon Corp 撮像素子および撮像装置
DE102011051583A1 (de) * 2011-07-05 2013-01-10 Conti Temic Microelectronic Gmbh Bildaufnahmevorrichtung für ein Fahrzeug
US9177983B2 (en) * 2012-01-23 2015-11-03 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with optical filters having alternating polarization for 3D imaging
WO2014020791A1 (ja) * 2012-08-02 2014-02-06 パナソニック株式会社 偏光カラー撮像装置
JP6130221B2 (ja) * 2013-05-24 2017-05-17 ソニー株式会社 固体撮像装置、および電子機器
WO2015015722A1 (ja) * 2013-07-29 2015-02-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光学フィルタおよびそれを用いた偏光撮像装置
WO2015015717A1 (ja) * 2013-07-30 2015-02-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 撮像装置、並びにそれを用いた撮像システム、電子ミラーシステムおよび測距装置
US9945718B2 (en) * 2015-01-07 2018-04-17 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with multi-functional pixel clusters

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