CN107615111B - 层叠体及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供以高的位置精度设置有第1层的新型层叠体及其制造方法。本发明层叠体的浮雕结构形成层具备第1区域和第2区域，所述第1区域具有在俯视下在第1方向或在自第1方向起至向左右10度的方向上延伸的凹凸结构，所述第2区域具有在俯视下在正交于第1方向的第2方向或在自第2方向起至向左右65度的方向上延伸的凹凸结构，第1层含有与浮雕结构形成层的材料不同的第1材料，且具有与浮雕结构形成层的表面形状相对应的表面形状。

Description

层叠体及其制造方法
技术领域
本发明涉及层叠体、特别是提供防伪效果、装饰效果及/或美丽效果的层叠体。
背景技术
对钞票、有价证券、证书、名牌产品及个人认证媒介等期待难以伪造。因此，有时使这种物品支撑防伪效果优异的层叠体。
这种层叠体多数含有衍射光栅、全息图及透镜阵列、散射结构等微细结构。这些微细结构难以进行解析。另外，为了制造含有这些微细结构的层叠体，电子束描绘装置等昂贵的制造设备是必要的。因此，这种层叠体可以发挥优异的防伪效果。
这些层叠体通常含有具有含微细结构的主面的浮雕结构形成层及设置在其上的反射层。此时，为了进一步提高防伪效果，有时仅在上述主面的一部分上以图案状形成反射层。例如，当在上述主面上按照其轮廓构成微文字的方式设置反射层时，可获得射出衍射光的微文字状的图案。
专利文献1中，为了以高的位置精度形成反射层，采用了以下的方法。
首先，准备含有具备深宽比大的凹凸结构的“第一区域”和具备平坦或者深宽比更小的凹凸结构的“第二区域”的浮雕结构形成层。接着，在该浮雕结构形成层上利用真空蒸镀法以均匀的表面密度形成金属反射层。之后，利用真空蒸镀法以均匀的表面密度形成相对于对金属反射层进行刻蚀的刻蚀液具有耐久性的材料，从而设置“第二层”。接着，将所得层叠体供至刻蚀处理。
“第二层”中对应于“第一区域”的部分由于深宽比大的凹凸结构，蒸镀膜为不连续膜或多孔质膜，因而使刻蚀液渗透。另一方面，“第二层”中对应于“第二区域”的部分由于具备平坦或深宽比更小的凹凸结构，因此蒸镀膜成为均质的连续膜，不会使刻蚀液渗透。
因此，通过将所得层叠体浸渍在刻蚀液中，可以仅将对应于“第一区域”的金属反射层刻蚀而除去。即，可以仅在“第二区域”上形成金属反射层。
该制法能够以高的位置精度形成金属反射层，另外，从不需要感光性层的曝光工艺的观点出发，在成本及生产率的方面是有利的。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-63738号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
但是，专利文献1的方法中，如上所述，利用各区域中的凹凸结构的深宽比差异，可以仅在具备深宽比更小的凹凸结构的区域(“第二区域”)上残留“金属反射层”。换而言之，难以在深宽比更大的凹凸结构部分上残留“金属反射层”。
另外，专利文献1的方法中，当在深宽比大的凹凸结构上设置“金属反射层”时，需要将深宽比更大的凹凸结构设置在“第一区域”上。一般来说，当设置深宽比大的凹凸结构时，需要增大最终产品的厚度。例如，利用压印法制作深宽比大的“第一区域”的凹凸结构时，需要相对于所希望的深度为5倍～10倍左右的成型层厚度。
因此，制作深宽比大的凹凸结构时，最终层叠体的厚度增大，还会产生成本变高等问题。
出于以上情况，要求构建一种不依赖于凹凸结构的深宽比差异的层叠体的新型制造方法。
本发明的目的在于提供以高的位置精度设有第1层的新型层叠体及其制造方法。
用于解决技术问题的手段
本发明的层叠体的特征在于，其是含有具有具备第1及第2区域的主面的浮雕结构形成层和仅设置在所述浮雕结构形成层的第2区域中或者设置在第1区域的一部分及第2区域中的第1层的层叠体，其中，所述浮雕结构形成层具备第1区域和第2区域，所述第1区域具有在俯视下在第1方向或在自第1方向起至向左右10度的方向上延伸的凹凸结构，所述第2区域具有在俯视下在正交于第1方向的第2方向或在自第2方向起至向左右65度的方向上延伸的凹凸结构或者平坦面，第1层含有与所述浮雕结构形成层的材料不同的第1材料，且具有与所述浮雕结构形成层的表面形状相对应的表面形状。
本发明的层叠体的制造方法的特征在于，其是含有具有具备第1及第2区域的主面的浮雕结构形成层和仅设置在所述浮雕结构形成层的第2区域中或者设置在第1区域的一部分及第2区域中的第1层的层叠体的制造方法，其包含以下工序：(a)形成浮雕结构形成层的工序，所述浮雕结构形成层具备第1区域和第2区域，所述第1区域具有在俯视下在第1方向或在自第1方向起至向左右10度的方向上延伸的凹凸结构，所述第2区域具有在俯视下在正交于第1方向的第2方向或在自第2方向起至向左右65度的方向上延伸的凹凸结构或者平坦面；(b)在所述浮雕结构形成层的第1及第2区域中沉积与所述浮雕结构形成层的材料不同的第1材料，形成具有与所述浮雕结构形成层的表面形状相对应的表面形状的第1材料层叠体的工序；(c)在气相沉积装置中，按照工序(a)中所述的第1方向与所述第1材料层叠体的搬送方向相一致的方式配置所述第1材料层叠体的工序；(d)在对所述配置的第1材料层叠体进行搬送的同时，相对于所述第1材料层叠体的被第1材料沉积的面、从斜向将不同于所述第1材料的第2材料进行气相沉积，从而形成第2材料层叠体的工序；(e)将所述第2材料层叠体暴露于与第1材料发生反应的反应性气体或液体，形成含有仅设置在所述浮雕结构形成层的第2区域中或设置在第1区域的一部分及第2区域中的按顺序为第1层和第2层的层叠体的工序；以及(f)从工序(e)中形成的所述层叠体中除去第2层的工序。
本发明的层叠体的制造方法的特征在于，其是含有具有具备第1及第2区域的主面的浮雕结构形成层、和仅设置在所述浮雕结构形成层的第2区域中或设置在第1区域的一部分及第2区域中的按顺序为第1层和第2层的层叠体的制造方法，其包含以下工序：(a)形成浮雕结构形成层的工序，所述浮雕结构形成层具备第1区域和第2区域，所述第1区域具有在俯视下在第1方向或在自第1方向起至向左右10度的方向上延伸的凹凸结构，所述第2区域具有在俯视下在正交于第1方向的第2方向或在自第2方向起至向左右65度的方向上延伸的凹凸结构及/或平坦面；(b)在所述浮雕结构形成层的第1及第2区域中沉积与所述浮雕结构形成层的材料不同的第1材料，形成具有与所述浮雕结构形成层的表面形状相对应的表面形状的第1材料层叠体的工序；(c)在气相沉积装置中，按照工序(a)中所述的第1方向与所述第1材料层叠体的搬送方向相一致的方式配置所述第1材料层叠体的工序；(d)在对所述配置的第1材料层叠体进行搬送的同时，相对于所述第1材料层叠体的被第1材料沉积的面、从斜向将不同于所述第1材料的第2材料进行气相沉积，从而形成第2材料层叠体的工序；以及(e)将所述第2材料层叠体暴露于与第1材料发生反应的反应性气体或液体的工序。
发明效果
本发明的层叠体以高的位置精度具备第1层(功能层)。因此，可以将该层叠体作为光学元件、电路等各种用途的构件进行使用。另外，根据本发明的方法，可以在不利用各区域中的凹凸结构的深宽比差异的情况下以高的精度在所希望的位置上设置第1层。
附图说明
图1A为概略地表示本发明的第1实施方式的层叠体的外观图。
图1B为图1A所示层叠体的俯视图。
图1C为图1B的IC-IC线截面图。
图1D为图1B的ID-ID线截面图。
图2为依次表示本发明的第1实施方式的层叠体的制造方法的各工序的概略截面图，(a)为说明形成浮雕结构形成层的工序的截面图，(b)为说明形成第1材料层叠体的工序的截面图，(c)为说明在气相沉积装置中配置第1材料层叠体的工序的截面图，(d)为说明形成第2材料层叠体的工序的截面图，(e)为说明形成在浮雕结构形成层的第2区域中依次形成了第1层和第2层的层叠体的工序的截面图，(f)为说明除去第2层的工序的截面图。
图3A为表示配置有第1材料层叠体的蒸镀装置之一例的概略截面图。
图3B为表示图3A中第1材料层叠体通过(1)、(2)、(3)的位置时的第1区域中的沉积面的模样的概略图。
图3C为表示图3A中第1材料层叠体通过(1)、(2)、(3)的位置时的第2区域中的沉积面的模样的概略图。
图4A为表示第1区域中的第2材料的沉积形状的截面的推测图。
图4B为表示第2区域中的第2材料的沉积形状的截面的推测图。
图5为表示本发明第2实施方式的层叠体的概略俯视图。
图6为表示本发明第3实施方式的层叠体的概略俯视图。
图7为表示本发明第4实施方式的层叠体的概略俯视图。
图8A为表示本发明第5实施方式的层叠体的概略俯视图。
图8B为图8A的VIIIB-VIIIB线截面图。
图9A为概略地表示直线状的多个凹部在第1方向上延伸且凹部的周期并不恒定的结构的俯视图。
图9B为图9A的IXB-IXB线截面图。
图10A为概略地表示在第1方向上延伸的凹部无规配置的结构的俯视图。
图10B为图10A的XB-XB线截面图。
图11A为概略地表示直线状凹部在第1方向上不连续地延伸的结构的俯视图。
图11B为图11A的XIB-XIB线截面图。
图12A为概略地表示直线状的多个凹部在第2方向上延伸、且凹部的周期并不恒定的结构的俯视图。
图12B为图12A的XIIB-XIIB线截面图。
图13A为概略地表示在第2方向上延伸的凹部无规配置的结构的俯视图。
图13B为图13A的XIIIB-XIIIB线截面图。
图14A为概略地表示直线状的凹部在第2方向上不连续地延伸的结构的俯视图。
图14B为图14A的XIVB-XIVB线截面图。
图15A为概略地表示具有凹部的平坦面的俯视图。
图15B为图15A的XVB-XVB线截面图。
图16A为概略地表示具有2种凹部的组合的平坦面的俯视图。
图16B为图16A的XVIB-XVIB线截面图。
图17A为表示图15A的变形例的俯视图。
图17B为图17A的XVIIB-XVIIB线截面图。
具体实施方式
以下对本发明的实施方式详细地进行说明。以下的说明中适当地参照附图，但附图所记载的方式是本发明的示例，本发明并非限定于这些附图所记载的方式。此外，各图中，发挥相同或类似功能的构成要素带有相同的参照符号，且有时将重复的说明省略。另外，附图的尺寸比例为了说明的便利而有所夸张，有时与实际的比例有所不同。
[第1实施方式]
首先说明本发明的第1实施方式。
＜层叠体＞
本发明第1实施方式的层叠体含有：具有具备第1及第2区域的主面的浮雕结构形成层；和仅设置在所述浮雕结构形成层的第2区域中或设置在第1区域的一部分及第2区域中的第1层，所述浮雕结构形成层具备第1区域和第2区域，所述第1区域具有在俯视下在第1方向或在自第1方向起至向左右10度的方向上延伸的凹凸结构，所述第2区域具有在俯视下在正交于第1方向的第2方向或在自第2方向起至向左右65度的方向上延伸的凹凸结构及/或平坦面，第1层含有与所述浮雕结构形成层的材料不同的第1材料，且具有与所述浮雕结构形成层的表面形状相对应的表面形状。
图1A为概略地表示本发明第1实施方式的层叠体的外观图，图1B为图1A所示层叠体的俯视图，图1C为图1B的IC-IC线截面图，图1D为图1B的ID-ID线截面图。图1A～图1D中，将平行于层叠体的主面且相互正交的方向作为X方向及Y方向，将垂直于层叠体主面的方向作为Z方向。
图1A所示例的层叠体10含有：具有具备第1区域R1及第2区域R2的主面的浮雕结构形成层2；和设置在浮雕结构形成层2的第2区域R2中的第1层4。本发明中并非限定于此，第1层4还可以设置在浮雕结构形成层2的第1区域R1的一部分中。另外，第1层4也可以并非设置在浮雕结构形成层2的第2区域R2整体中。进而，本发明的层叠体10还可以含有至少将第1层4覆盖的第2层(未图示)。
以下，对构成层叠体10的浮雕结构形成层2、第1层4及作为任选层的第2层进行说明。
(浮雕结构形成层)
浮雕结构形成层2在第1区域R1中，在其一个主面上具备微细的凹凸结构。
图1A所示层叠体10的例子中，凹凸结构如图1B观察所示，在第1区域R1中在第1方向上延伸。本发明的层叠体10中，凹凸结构在第1区域R1中不仅限于在第1方向上延伸，还可以在自第1方向起至向左右10度的方向上延伸。其中，第1方向典型地如后述的本发明层叠体10的制造方法中的工序(c)所规定的那样，与第1材料层叠体10的搬送方向相一致。
另外，凹凸结构在第1区域R1中不仅限于在1个方向上延伸，只要是第1方向或者自第1方向起至向左右10度的方向，则也可以在2个以上的方向上延伸。另外，凹凸结构还可以在俯视下是交叉光栅结构(光栅结构)。进而，凹凸结构也可以不连续地延伸。
此外，本说明书中规定凹凸结构的延伸方向的“向左右α度”的表述表示“±α度”、“向右α度”的表述表示“+α度”或“α度”，“向左α度”的表述表示“-α度”。另外，某个延伸方向与在该延伸方向上加上180度的延伸方向是相同的。
设置于第1区域R1中的凹凸结构由凹结构及/或凸结构、典型地为多个凹结构及/或凸结构形成。该多个凹部及/或凸部的周期可以是规则的、也可以是不规则的。本说明书中，凹部的“周期”及凸部的“周期”分别是指相邻凹部的中心间距离及相邻凸部的中心间距离。图1C中显示了设置有以恒定周期排列的多个凹部(沟槽)的例子。这些多个凹部典型地形成在利用白色光进行照明时射出衍射光的衍射结构。本发明的层叠体10中，第1区域R1中的凹部或凸部的周期例如可以是0.1μm～3.0μm。
与凹凸结构的延伸方向垂直的截面的形状例如可以是V字形状、U字形状(正弦曲线状)及梯形形状等前端细的形状或者矩形状。图1C中，作为其一例描绘了截面形状为U字形状的情况。
凹部的深度或凸部的高度例如可以为0.02μm～1.5μm。
凹部或凸部的深度或高度与周期的比的平均值(以下也仅称作“长宽比”)例如可以为3.0以下、典型地为1.0～0.15。
以上，参照图1B及图1C说明了设置于第1区域R1中的凹凸结构，但本发明中，图9A～图11B所示的结构也可作为设置于第1区域R1中的凹凸结构被含有。
图9A是概略地表示直线状的多个凹部(沟槽)在第1方向上延伸且凹部的周期并不恒定的结构的俯视图，图9B为图9A的IXB-IXB线截面图。图9A中，为了使凹凸结构的理解变得容易，用黑色表示凹部(沟槽)。
在图9A所示的具有周期并不恒定的凹部的结构中，其周期并无特别限制，可以在0.1～3.0μm的范围、优选0.4～0.7μm的范围内进行变动。
另外，相邻凹部间的距离优选是凹部宽度的0.1倍以上且10倍以下。
凹部的深度例如可以是0.02～1.5μm。
凹部的深度与周期的比的平均值例如可以为3.0以下、典型地为1.0～0.15。
图10A为概略地表示在第1方向上延伸的凹部(沟槽)无规配置的结构的俯视图，图10B为图10A的XB-XB线截面图。图10A中，为了使凹凸结构的理解变得容易，用黑色表示凹部(沟槽)。
各凹部的形状如图10A的右端所示，在俯视下典型地为长方形，其长边及短边分别沿着第1方向及第2方向。这里，长边与短边的长度比优选为2以上。
另外，如图10A所示，也可以在俯视下长方形的凹部部分地相连，形成在俯视下为多边形的凹部。此时，就多边形的外周而言，优选相对于沿着第2方向的边的长度总和、沿着第1方向的边的长度总和达到2倍以上。这里，该多边形的外周是指以其平均深度的XY平面截断该凹部时所形成的凹部的外周。
图11A为概略地表示直线状的凹部(沟槽)在第1方向上不连续地(断续地)延伸的结构的俯视图，图11B为图11A的XIB-XIB线截面图。图11A中，为了使凹凸结构的理解变得容易，用黑色表示凹部(沟槽)。
该结构中，第2方向上的凹部的周期在0.1～3.0μm的范围、优选0.4～0.7μm的范围内可以恒定、也可以不恒定。
各凹部的形状如图11A所示，在俯视下典型地为长方形，其长边及短边分别沿着第1方向及第2方向。这里，长边与短边的长度比优选为2以上。
另外，第1方向上的凹部间隔优选比凹部宽度(长方形的短边)足够小，例如为1/2以下。另外，凹部间隔的下限值并无特别限定，从制造上的容易性出发，可以为1/10以上。
凹部的深度例如可以为0.02～1.5μm。
凹部的深度与周期的比的平均值例如可以为3.0以下、典型地为1.0～0.15。
参照以上的图9A～图11B的说明中，凹部的延伸方向为第1方向，但并非限定于此，也可以在自第1方向起至向左右10度的方向上延伸。另外，凹部的说明还可以作为凸部的说明进行替换。
浮雕结构形成层2在第2区域R2中，在其一个主面上具备微细的凹凸结构及/或者平坦面。
图1B所示层叠体10的例子中，凹凸结构在第2区域R2中在正交于第1方向的第2方向上延伸。本发明的层叠体10中，第2区域R2中凹凸结构不仅限于在第2方向上延伸，还可以在自第2方向起至向左右65度的方向上延伸。
另外，凹凸结构在第2区域R2中不仅限于在1个方向上延伸，只要是在第2方向或自第2方向起至向左右65度的方向，则也可以在2个以上的方向上延伸。另外，凹凸结构还可以在俯视下是交叉光栅结构(光栅结构)。进而，凹凸结构也可以不连续地延伸。
设置于第2区域R2中的凹凸结构由凹结构及/或凸结构、典型地由多个凹结构及/或凸结构形成。该多个凹部及/或凸部的周期可以是规则的、也可以是不规则的。图1D中显示了设有以恒定周期排列的多个凹部的例子。这些多个凹部典型地形成用白色光进行照明时射出衍射光的衍射结构。第2区域R2中的凹部或凸部的周期例如可以是0.1μm～3.0μm。
凹凸结构的垂直于延伸方向的截面的形状例如可以成为V字形状、U字形状(正弦曲线状)及梯形形状等前端细的形状或矩形状。图1D中作为一例描绘了上述截面形状为U字形状的情况。
凹部的深度或凸部的高度例如可以是0.02μm～1.5μm。
设置于第2区域R2中的凹凸结构的长宽比优选为1.0以下、更优选为0.8以下、进一步优选为0.5以下。另外，还可以是设置于第1区域R1中的凹凸结构的长宽比的2倍以下。
以上参照图1B及图1D对设置于第2区域R2的凹凸结构进行了说明，但本发明中，图12A～图14B所示的结构也可作为设置于第2区域R2的凹凸结构被包含。
图12A为概略地表示直线状的多个凹部(沟槽)在第2方向上延伸且凹部的周期并不恒定的结构的俯视图，图12B为图12A的XIIB-XIIB线截面图。图12A中，为了使凹凸结构的理解变得容易，用黑色表示凹部(沟槽)。
在图12A及图12B所示的具有周期并不恒定的凹部的结构中，其周期并无特别限定，可以在0.1～3.0μm的范围、优选0.4～0.7μm的范围内进行变动。
凹部的深度例如可以为0.02～1.5μm。
凹部的深度与周期的比的平均值例如可以为3.0以下、典型地为1.0～0.15。
图13A为概略地表示在第2方向上延伸的凹部(沟槽)无规配置的结构的俯视图，图13B为图13A的XIIIB-XIIIB线截面图。图13A中，为了使凹凸结构的理解变得容易，用黑色表示凹部(沟槽)。
各凹部的形状如图13A的下端所示，在俯视下典型地为长方形，其短边及长边分别沿着第1方向及第2方向。这里，长边与短边的长度比优选为1.5以上。
另外，如图13A所示，还可以在俯视下长方形的凹部部分地相连，形成在俯视下为多边形的凹部。此时，就多边形的外周而言，优选相对于沿着第2方向的边的长度总和、沿着第1方向的边的长度总和达到1.5倍以上。这里，该多边形的外周是指以其平均深度的XY平面截断该凹部时所形成的凹部的外周。
图14A为概略地表示直线状的凹部(沟槽)在第2方向上不连续地(断续地)延伸的结构的俯视图，图14B为图14A的XIVB-XIVB线截面图。图14A中，为了使凹凸结构的理解变得容易，用黑色表示凹部(沟槽)。
该结构中，第1方向上的凹部周期在0.1～3.0μm的范围、优选0.4～0.7μm的范围内可以恒定、也可以不恒定。
凹部的深度例如可以是0.02～1.5μm。
凹部的深度与周期的比的平均值例如可以为3.0以下、典型地为1.0～0.15。
各凹部的形状如图14A所示，在俯视下典型地为长方形、其短边及长边分别沿着第1方向及第2方向。这里，长边与短边的长度比优选为1.5以上。
在参照了以上的图12A～图14B的说明中，凹部的延伸方向为第2方向，但并非限定于此，也可以是在自第2方向起至向左右65度的方向上延伸。另外，凹部的说明可以作为凸部的说明进行替换。
进而，浮雕结构形成层2还可以在第2区域R2中具有以下说明的平坦面。
图15A～图17B为表示设置于第2区域R2的平坦面的变形例的概略图。图15A、16A及17A中用黑色表示凹部。
图15A为概略地表示具有凹部的平坦面的俯视图，图15B为图15A的XVB-XVB线截面图。此例中，如图15A所示，凹部的外形在俯视下为正方形，但本发明中并非限定于此，例如也包含长方形、圆形等。当凹部的外形为长方形时，相对于沿着第2方向的边、沿着第1方向的边的长度之比优选为0.66～1.5。
图15A的例子中，相邻凹部的周期并非是恒定的，但也可以是恒定的。这里，相邻凹部的周期优选为0.2μm以上。
凹部的深度例如可以为0.1～5μm，可以是恒定的、也可以不是恒定的。
凹部的深度与周期的比的平均值例如可以为1.0以下、典型地可以为0.5以下。
图16A为概略地表示具有2种凹部的组合的平坦面的俯视图，图16B为图16A的XVIB-XVIB线截面图。
此例中，如图16A所示，凹部底面的外形由大小不同的2种正方形构成，一部分中，构成2种正方形相互重叠的多边形。本发明中，凹部底面的外形还可以由大小不同的多种正方形、长方形及圆形的组合构成。
一部分相互重叠而构成多边形时，就其外周而言，相对于沿着第2方向的边的长度总和、沿着第1方向的边的长度总和优选为0.66～1.5倍、更优选为1倍。这里，该多边形的外周是指以其平均深度的XY平面截断该凹部时所形成的凹部的外周。
另外，当凹部的外周成为发圆的形状等时，难以测定沿着第1方向及第2方向的边的长度。此时，将由凹部的外周包围的部分用具有该部分面积的1/100面积的正方形铺满，由此分别近似地计算出沿着第1方向及第2方向的边的长度总和即可。
图17A为表示图15A的变形例的俯视图，图17B为图17A的XVIIB-XVIIB线截面图。
在图15A所示的例子中，底面的外形为正方形的凹部并未相互重叠，而在图17A所示的例子中，凹部的一部分重叠而构成多边形。本发明中，各凹部的底面的外形并非仅为正方形，也可以是长方形、圆形。
一部分重叠而构成多边形时，就其外周而言，相对于沿着第2方向的边的长度总和、沿着第1方向的边的长度总和优选为0.66～1.5倍、更优选为1倍。这里，该多边形的外周是指用其平均深度的XY平面截断该凹部时所形成的凹部的外周。另外，当凹部的外周为发圆的形状时，将由外周包围的部分用具有该部分面积的1/100面积的正方形铺满，由此近似地计算出相对于沿着第2方向的边的长度总和、沿着第1方向的边的长度总和的倍率即可。
在参照了以上的图15A～图17B的说明中，凹部的说明可以作为凸部的说明进行替换。
浮雕结构形成层2的膜厚可以为3.0μm以下。本说明书中，层的“膜厚”是指该层的一个面上的各点与垂至该层的另一个面的垂线脚之间的距离的平均值。
此外，关于浮雕结构形成层2的材料等，在后述的＜层叠体的制造方法＞中详细地进行说明。
(第1层)
第1层4为设置在浮雕结构形成层2上的层，但并非是设置在浮雕结构形成层2的整个面上、而是仅设置在第2区域R2中或者设置在第1区域R1的一部分及第2区域R2中。图1A所示层叠体10的例子中，如图1C及D所示，第1层4仅设置在第2区域R2中。
另外，第1层4如图1C及D所示，为与浮雕结构形成层2的表面形状相对应的形状。
第1层4可根据层叠体10的用途成为各种层。例如，将层叠体10用于光学元件中时，则第1层4可成为反射层。另外，将层叠体10用于电路中时，则第1层4可成为导电层。
第1层4的膜厚可根据浮雕结构形成层2的凹凸结构、层叠体10的用途等进行各种变化。例如，将层叠体10作为光学元件使用时，可以使用第1层4作为反射层，可以考虑浮雕结构、反射率、光学效果等来适当地选择。第1层4的膜厚在使用铝形成反射层时，可以为20nm～200nm左右。
另外，使用层叠体10作为电路时，可以使第1层4为电路用导电层，考虑电阻值等来适当选择即可。使用铝形成电路用导电层时，可以为40nm～300nm左右。
此外，关于第1层4的材料等，在后述的＜层叠体的制造方法＞中详细地进行说明。
(第2层)
本发明的层叠体10也可以含有第2层，此时，第2层按照至少将第1层4覆盖的方式进行设置。第2层可以具有与浮雕结构形成层2的表面形状相对应的表面形状，也可以不具有。
第2层的膜厚可以根据层叠体10的用途进行各种变化，例如使用层叠体10作为光学元件时，可以是10nm～300nm左右。另外，使用层叠体10作为电路时，可以是10nm～300nm左右。
此外，关于第2层的材料等，在后述的＜层叠体的制造方法＞中详细地进行说明。
以上说明过的层叠体10以高的位置精度具备第1层4。因此，可以将层叠体10作为例如光学元件、电路等构件进行使用。
＜层叠体的制造方法＞
接着，对本发明第1实施方式的层叠体的制造方法进行说明。
本发明第1实施方式的层叠体的制造方法包含以下工序：(a)形成浮雕结构形成层的工序，该浮雕结构形成层具备第1区域和第2区域，所述第1区域具有在俯视下在第1方向或在自第1方向起至向左右10度的方向上延伸的凹凸结构，所述第2区域具有在俯视下在正交于第1方向的第2方向或在自第2方向起至向左右65度的方向上延伸的凹凸结构及/或平坦面；(b)在所述浮雕结构形成层的第1及第2区域中沉积与所述浮雕结构形成层的材料不同的第1材料，形成具有与所述浮雕结构形成层的表面形状相对应的表面形状的第1材料层叠体的工序；(c)在气相沉积装置中，按照工序(a)中所述的第1方向与所述第1材料层叠体的搬送方向一致的方式配置所述第1材料层叠体的工序；(d)在对所述配置的第1材料层叠体进行搬送的同时，相对于所述第1材料层叠体的被第1材料所沉积的面、从斜向将与所述第1材料不同的第2材料进行气相沉积，从而形成第2材料层叠体的工序；(e)将所述第2材料层叠体暴露于与第1材料发生反应的反应性气体或液体，形成含有仅设置在所述浮雕结构形成层的第2区域中或者第1区域的一部分及第2区域中的、按顺序为第1层和第2层的层叠体的工序；以及(f)从工序(e)中形成的所述层叠体除去第2层的工序。
以下一边参照图2(a)～(f)，一边说明本发明的第1实施方式的层叠体的制造方法。
图2(a)～(f)是依次表示图1A所示层叠体的制造方法的各工序的概略截面图，图2(a)为说明形成浮雕结构形成层2的工序的截面图，图2(b)为说明形成第1材料层叠体20的工序的截面图，图2(c)为说明配置第1材料层叠体20的工序的截面图，图2(d)为说明形成第2材料层叠体30的工序的截面图，图2(e)为说明形成在浮雕结构形成层2的第2区域R2中依次形成了第1层4’和第2层6的层叠体40的工序的截面图，图2(f)为说明从图2(e)所示层叠体40中除去第2层6的工序的截面图。其中，图2(f)与图1D相对应。
(工序(a))
首先，如图2(a)所示，形成具有具备第1区域R1和第2区域R2的主面的浮雕结构形成层2。
浮雕结构形成层2在第1区域R1中具有在俯视下在第1方向或自第1方向起至向左右10度的方向上延伸的凹凸结构。另外，在第2区域R2中具有在俯视下在正交于第1方向的第2方向或自第2方向起至向左右65度的方向上延伸的凹凸结构及/或者平坦面。对于第1区域R1及第2区域R2中的凹凸结构的详细情况，如上述＜层叠体＞的(浮雕结构形成层)项中说明的那样。
浮雕结构形成层2例如可以通过将设有微细凸部的模具按压到树脂中来形成。这些凸部的形状与设置于第1区域R1及/或第2区域R2的凹部的形状相对应。
浮雕结构形成层2例如还可以利用以下方法形成：在基材上涂布热塑性树脂，一边施加热量一边对其按压设有上述凸部的原版(模具)。作为上述热塑性树脂，例如可以使用丙烯酸系树脂、环氧系树脂、纤维素系树脂、乙烯基系树脂、它们的混合物或它们的共聚物。
或者，浮雕结构形成层2也可利用以下方法形成：在基材上涂布热固性树脂，一边对其按压设有上述凸部的原版一边施加热量，之后除去原版。此时，作为热固性树脂，例如可以使用聚氨酯树脂、三聚氰胺系树脂、环氧树脂、酚系树脂、它们的混合物或它们的共聚物。其中，该聚氨酯树脂例如如下获得：在具有反应性羟基的丙烯酸多元醇酯及聚酯多元醇等中添加作为交联剂的聚异氰酸酯，使它们交联，从而获得。
或者，浮雕结构形成层2也可利用以下方法形成：在基材上涂布放射线固化树脂，一边对其按压原版一边照射紫外线等放射线以使上述材料固化，之后除去原版。或者，浮雕结构形成层2也可利用以下方法形成：在基材与原版之间流入上述组合物，照射放射线使上述材料固化，之后除去原版。
放射线固化树脂典型地含有聚合性化合物和引发剂。
作为聚合性化合物，例如可以使用能够光自由基聚合的化合物。作为能够光自由基聚合的化合物，例如可以使用具有烯键性不饱和键或烯键性不饱和基团的单体、低聚物或聚合物。或者，作为能够光自由基聚合的化合物，还可以使用1,6-己二醇、新戊二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、季戊四醇五丙烯酸酯及二季戊四醇六丙烯酸酯等单体、环氧丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯及聚酯丙烯酸酯等低聚物、或者氨基甲酸酯改性丙烯酸树脂及环氧改性丙烯酸树脂等聚合物。
作为聚合性化合物使用能够光自由基聚合的化合物时，作为引发剂，可以使用光自由基聚合引发剂。作为该光自由基聚合引发剂，例如可以使用苯偶姻、苯偶姻甲基醚及苯偶姻乙基醚等苯偶姻系化合物，蒽醌及甲基蒽醌等蒽醌系化合物，苯乙酮、二乙氧基苯乙酮、二苯甲酮、羟基苯乙酮、1-羟基环己基苯基酮、α-氨基苯乙酮及2-甲基-1-(4-甲基硫代苯基)-2-吗啉代丙烷-1-酮等苯基酮系化合物，苄基二甲基缩酮、噻吨酮、酰基氧化膦或米氏酮。
或者，作为聚合性化合物，还可以使用能够光阳离子聚合的化合物。作为能够光阳离子聚合的化合物，例如可以使用具备环氧基的单体、低聚物或聚合物、含氧杂环丁烷骨架的化合物或乙烯基醚类。
作为聚合性化合物使用能够光阳离子聚合的化合物时，作为引发剂，可以使用光阳离子聚合引发剂。作为该光阳离子聚合引发剂，例如可以使用芳香族重氮鎓盐、芳香族碘鎓盐、芳香族锍盐、芳香族鏻盐或混合配位基金属盐。
或者，作为聚合性化合物，还可以使用能够光自由基聚合的化合物与能够光阳离子聚合的化合物的混合物。此时，作为引发剂，例如可以使用光自由基聚合引发剂与光阳离子聚合引发剂的混合物。或者，此时，还可以使用可作为光自由基聚合及光阳离子聚合这两者的引发剂发挥功能的聚合引发剂。作为这种引发剂，例如可以使用芳香族碘鎓盐或芳香族锍盐。
其中，放射线固化树脂中所占的引发剂的比例例如可以是0.1～15质量％的范围内。
放射线固化树脂还可以进一步含有增感色素、染料、颜料、阻聚剂、流平剂、消泡剂、防垂剂、附着提高剂、涂面改性剂、增塑剂、含氮化合物、环氧树脂等交联剂、脱模剂或它们的组合。另外，放射线固化树脂中为了提高其成形性，还可以进一步含有非反应性的树脂。作为该非反应性的树脂，例如可以使用上述热塑性树脂及/或热固性树脂。
浮雕结构形成层2的形成中使用的上述原版例如可以使用电子束描绘装置或纳米压印装置来进行制造。如此，能够以高的精度形成上述多个凹部或凸部。另外，本发明中，设置在浮雕结构形成层2中的凹凸结构可以是将4μm2～10000μm2面积的单位结构反复拼版而成的结构。此时，由于可以反复使用形成单元结构的图案，因此可以大幅削减描绘所使用的数据量。
浮雕结构形成层2典型地含有基材和形成在其上的树脂层。作为该基材，典型地可以使用膜基材。作为该膜基材，例如可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜、聚萘甲酸乙二醇酯(PEN)膜及聚丙烯(PP)膜等塑料膜。或者，作为基材，也可以使用纸、合成纸、塑料多层纸或树脂含浸纸。此外，基材也可以省略。例如，浮雕结构形成层2本身为膜状的成型体时，可以将基材省略。
树脂层例如利用上述方法形成。树脂层的厚度例如可以为0.1μm～10μm的范围内。该厚度过大时，则易于发生因加工时的加压等造成的树脂渗出及/或皱褶的形成。该厚度过小时，有难以形成所希望的凹结构及/或凸结构的情况。另外，树脂层的厚度与待设置于其主面的凹部或凸部的深度或高度相等或更大。该厚度例如为凹部或凸部的深度或高度的1～10倍的范围内、典型地可以为其3～5倍的范围内。
此外，浮雕结构形成层2的浮雕结构(凹凸结构)形成例如还可以使用日本专利第4194073号公报所公开的“压制法”、实用新型注册第2524092号公报所公开的“流延法”或日本特开2007-118563号公报所公开的“光聚合物法”来进行。
(工序(b))
接着，如图2(b)所示，在浮雕结构形成层2的第1区域R1及第2区域R2上沉积与浮雕结构形成层2的材料不同的第1材料，在浮雕结构形成层2上形成具有与浮雕结构形成层2的表面形状相对应的表面形状的第1材料层4”。由此，形成第1材料层叠体20。
作为第1材料的沉积方法，可以使用能够按照对应于浮雕结构形成层2的表面形状的方式沉积第1材料的公知的涂布法或气相沉积法。作为涂布法，例如可举出喷雾涂布。作为气相沉积法，例如可举出真空蒸镀法、溅射法、化学蒸镀法(CVD法)。特别是作为第1材料的沉积法，优选使用基于后述工序(c)及(d)的气相沉积法。其原因在于，通过使用该气相沉积法，在第1材料层4”中产生粗密部分，在后述工序(e)中更易将第1区域R1中的第1层4及第2层6选择性除去。
第1材料按照与浮雕结构形成层2的表面形状相对应的方式被沉积。由此，通过第1材料的沉积所形成的第1材料层4”具有与浮雕结构形成层2的表面形状相对应的表面形状。另外，第1材料的沉积优选在平行于浮雕结构形成层2的主面的面内方向以均匀的密度进行。具体地说，该沉积优选按照相对于第1区域R1表观面积的第1区域R1的位置上的第1材料的量的比与相对于第2区域R2表观面积的第2区域R2的位置上的第1材料的量的比变得相等的方式来进行。
第1材料是与浮雕结构形成层2的材料不同的材料。
另外，第1材料可以根据层叠体的用途适当选择所使用的材料。
例如，将层叠体用于光学元件中时，作为第1材料可以使用适于反射层的材料。此时，优选使用与浮雕结构形成层2的材料的折射率差为0.2以上的材料。该差小时，有浮雕结构形成层2与后述第1层4的界面处的反射难以发生的情况。
另外，将层叠体用于电路中时，作为第1材料可以使用适于电路用的导电层的材料。
作为这种第1材料的例子，可以举出选自Al、Sn、Cr、Ni、Cu、Au、Ag等金属以及这些金属的化合物及它们的合金中的至少1种金属材料。这里，金属的化合物是指金属氧化物、金属硫化物等含有金属元素的化合物。
作为适于反射层的材料，还可以将透明性较高的、以下列举的陶瓷材料或有机聚合物材料作为第1材料进行使用。
即，作为陶瓷材料，例如可以使用Sb2O3、Fe2O3、TiO2、CdS、CeO2、ZnS、PbCl2、CdO、WO3、SiO、Si2O3、In2O3、PbO、Ta2O3、Ta2O5、ZnO、ZrO2、MgO、SiO2、Si2O2、MgF2、CeF3、CaF2、AlF3、Al2O3、硅氧化物(SiOx，1＜X＜2)或GaO。
作为有机聚合物材料，例如可以使用聚乙烯、聚丙烯、聚四氟乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯。
此外，以上述材料作为靶使其气相沉积时，最终的沉积膜的元素比率、氧化数等也可发生变化。
(工序(c))
接着，在气相沉积装置中，按照工序(a)中所述的第1方向与第1材料层叠体20的搬送方向相一致的方式配置第1材料层叠体20(图2(c))。
这里，“工序(a)中所述的第1方向与第1材料层叠体20的搬送方向相一致”是指在后述工序(d)中的第2材料的气相沉积时第1方向与第1材料层叠体20的搬送方向相一致。
作为气相沉积装置，可以使用具备用于将第2材料进行气相沉积所需的蒸镀源、用于搬送第1材料层叠体20的搬送手段等的公知装置，根据应用的气相沉积法适当选择所使用的装置即可。例如，可以使用辊式真空蒸镀加工机。
蒸镀源可以使用公知品，例如具备用于使蒸镀材料蒸发的加热手段及用于收容蒸镀材料的坩埚等容器。
另外，蒸镀源优选作为经汽化的蒸镀材料出口的开口部在第1材料层叠体20的宽度方向(垂直于搬送方向的方向)上以与第1材料层叠体20的长度相对应的长度构成。或者，蒸镀源也可以沿着第1材料层叠体20的宽度方向(垂直于搬送方向的方向)、按照与第1材料层叠体20的长度相对应的方式排列有多个。
(工序(d))
接着，在对工序(c)中配置的第1材料层叠体20进行搬送的同时，相对于第1材料层叠体的被第1材料沉积的面、从斜向将与第1材料不同的第2材料进行气相沉积。由此，形成第2材料层叠体30(图2(d))。
作为对第1材料层叠体20进行搬送的方法，只要是在第2材料的气相沉积时能够按照与第1材料层叠体20的第1区域R1中的凹凸结构延伸的第1方向相一致的方式对第1材料层叠体20进行搬送，则无特别限定。例如，还可以使用将第1材料层叠体20固定在搬运用膜上进行搬送的方法。另外，在以卷对卷方式对第1材料层叠体20进行搬送时且第1材料层叠体20为长且被卷绕的卷状时，对第1材料层叠体20本身进行搬送即可。
第1材料层叠体20的搬送速度考虑由第2材料所形成的层的膜厚等来适当设定即可。
作为在对第1材料层叠体20进行搬送的同时、相对于第1材料层叠体20的被第1材料沉积的面(即第1材料层4”的表面)从斜向将第2材料进行气相沉积的方法，可以使用一边移动第1材料层叠体20使其接近蒸镀源及/或一边移动第1材料层叠体20使其远离蒸镀源，一边相对于第1材料层叠体20的第1材料层4”的表面、从斜向方向沉积第2材料的所有方法。
作为第2材料的沉积方法，使用气相沉积法。作为气相沉积法，例如可以举出真空蒸镀法、溅射法、化学蒸镀法(CVD法)。
第2材料的沉积优选在平行于浮雕结构形成层2主面的面内方向以均匀的密度进行。具体地说，该沉积优选按照相对于第1区域R1表观面积的第1区域R1位置上的第2材料的量的比与相对于第2区域R2表观面积的第2区域R2位置上的第2材料的量的比变得相等的方式来进行。
第2材料是与第1材料不同的材料。另外，优选是对后述工序(e)中使用的反应性气体或液体不发生反应(不溶解)的材料。其原因在于，由这种第2材料形成的层在第2区域R2中作为从该反应性气体等中保护第1材料层4”的掩模层发挥功能，可以防止因该反应性气体等所导致的第1材料层4”(4’)的侵蚀。进而，第2材料在不实施后述的工序(f)而残留第2层6的情况下，也可以考虑层叠体的用途来决定。
作为第2材料的例子，当使第1材料为铝时，可以举出硅氧化物(SiOx、1＜X＜2)。硅氧化物(SiOx、1＜X＜2)由于对酸性及碱性的溶液的耐受性高、且通过斜向蒸镀可形成柱状结构或空隙结构，因而作为第2材料是优选的。
对于工序(d)中的第2材料的气相沉积，参照图3A～图3C更为详细地进行说明。
图3A是表示配置有第1材料层叠体20的蒸镀装置之一例的概略截面图。
图3A所示的例子中，按照第1材料层4”朝向蒸镀源120一侧的方式配置在搬送膜130上的第1材料层叠体20按照依次通过(1)、(2)、(3)的位置的方式被搬送。另一方面，由蒸镀源120蒸发的第2材料通过遮蔽板110的开口部到达(1)、(2)、(3)的位置。
首先，按照第1材料层叠体20接近蒸镀源120的方式被搬送至(1)的位置时，由蒸镀源120蒸发的第2材料到达第1材料层4”的表面上。此时，第2材料相对于第1材料层4”的表面、从斜向方向接近并沉积在第1材料层4”的表面上。结果，相对于第1材料层4”的表面，将第2材料斜向地沉积。
接着，第1材料层叠体20到达轧辊100的周面上而被搬送至(2)的位置时，第2材料从垂直于第1材料层叠体20沉积面的垂直方向接近并沉积。因此，在(2)的位置处未进行斜向蒸镀。如此，在工序(d)中也可包含未进行斜向蒸镀的沉积法。
之后，第1材料层叠体20按照远离蒸镀源120的方式被搬送时，第2材料相对于第1材料层叠体20的表面从斜向接近并沉积在其面上。
图3B为表示图3A中第1材料层叠体20通过(1)、(2)、(3)位置时的第1材料层叠体20的第1区域R1中的沉积面的模样的概略图。图3C为表示图3A中第1材料层叠体20通过(1)、(2)、(3)位置时的第1材料层叠体20的第2区域R2中的沉积面的模样的概略图。
图3B所示的例子中，第1材料层叠体20的第1区域R1中的沉积面的凹凸结构在第1方向上延伸，其延伸方向与第1材料层叠体20的搬送方向相一致。另一方面，图3C所示的例子中，第2区域R2中的沉积面的凹凸结构在第2方向上延伸，其延伸方向与第1材料层叠体20的搬送方向相正交。如此，第1区域R1和第2区域R2中，由于相对于搬送方向、凹凸结构的延伸方向不同，因此，沉积面中的第2材料的沉积形状产生不同。
对于该沉积形状的差异，并非是要在理论上进行限定，但本发明人们如下进行了考察。
如上所述，图3B所示的例子中，在第1区域R1中，形成于第1材料层4”表面上的凹凸结构的延伸方向与第1材料层叠体20的搬送方向相一致。第2材料从斜向接近具有这种表面结构的第1材料层4”的表面，并开始沉积在该第1材料层4”上。该过程中，产生第2材料无法进入的遮蔽区，最终形成伴有空隙的柱状的结构。结果，在第1区域R1中，由第2材料形成的膜的密度降低。将基于该考察的、第1区域R1中第2材料的沉积形状的截面推测图示于图4A中。
与此相对，在图3C所示的例子中，在第2区域R2中，形成于第1材料层4”表面的凹凸结构的延伸方向与第1材料层叠体20的搬送方向相正交。因此，与第1区域R1的情况相比，难以产生第2材料无法进入的遮蔽区。结果，在第2区域R2中，几乎不会形成未沉积第2材料的空隙，由第2材料形成的膜的密度提高。将基于该考察的、第2区域R2中第2材料的沉积形状的截面推测图示于图4B中。
(工序(e))
接着，将第2材料层叠体30暴露于与第1材料发生反应的反应性气体或液体。由此，形成仅在第2区域R2中按顺序含有第1层4’和第2层6的层叠体40(图2(e))、或在第1区域R1的一部分及第2区域R2中按顺序含有第1层4’和第2层6的层叠体(未图示)。
如上述工序(d)中说明的那样，第1区域R1中在第2材料层6’中产生了空隙(图4A)，而在第2区域R2中几乎不存在空隙(图4B)。因此，第1区域R1与第2区域R2相比，反应性气体或液体更易通过第2材料层6’的空隙进入到第2层6中、从而接触于第1材料层4”。
第1区域R1中，当反应性气体或液体接触于第1材料层4”时，第1材料层4”的刻蚀在面内方向进行。结果，在第1区域R1中，第1材料层4”和设置于其层上的第2材料层6’一起被除去。
如此，通过调整刻蚀液的浓度及温度以及刻蚀的处理时间等，可以仅在第1区域R1中将第1材料层4”及第2材料层6’除去。由此，如图2(e)所示，可以形成仅在第2区域R2上按顺序含有第1层4和第2层6的层叠体。另外，本发明中，也可在第1区域R1的一部分中按顺序含有第1层4’和第2层6。此时，在将第1区域R1的第1层4’被完全除去之前将刻蚀中止即可。另外，第2层6也可部分地残留在第1区域R1中。
作为反应性气体或液体，当使用溶解第1材料的刻蚀液时，可以使用氢氧化钠溶液、碳酸钠溶液及氢氧化钾溶液等碱性溶液，或者盐酸、硝酸、硫酸及醋酸等酸性溶液。或者，还可以使用能够使第1材料汽化的刻蚀气体。另外，反应性气体或液体要选择不会溶解第2材料者。
(工序(f))
接着，从工序(e)中形成的层叠体40中将第2层6除去。由此，制造含有浮雕结构形成层2和设置于第2区域R2的第1层4的层叠体10(图2(f))，或含有设置于第1区域R1的一部分及第2区域R2的第1层4的层叠体(未图示)。
作为除去第2层6的方法，例如可举出将工序(e)中所形成的层叠体暴露于不与构成第1层4’的第1材料反应、而与构成第2层6的第2材料反应的反应性气体或液体的方法。
作为反应性气体或液体使用溶解第2材料的刻蚀液时，可以使用氢氧化钠溶液、碳酸钠溶液及氢氧化钾溶液等碱性溶液，或者盐酸、硝酸、硫酸及醋酸等酸性溶液。或者，还可以使用能够使第2材料汽化的刻蚀气体。
通过以上的工序(a)～(f)，可以制造含有具有具备第1区域R1及第2区域R2的主面的浮雕结构形成层2、和仅设置在浮雕结构形成层2的第2区域R2中或设置在第1区域R1的一部分及第2区域R2中的第1层4的层叠体10。
另外，在制造含有具有具备第1区域R1及第2区域R2的主面的浮雕结构形成层2、和仅设置在浮雕结构形成层2的第2区域R2中或设置在第1区域R1的一部分及第2区域R2中的按顺序为第1层4及第2层6的层叠体40时，只要实施工序(a)～(e)即可。
如上所述，根据本发明的方法，可以在不利用第1区域R1及第2区域R2中凹凸结构的深宽比差异的情况下，在所希望的位置上设置第1层4(及第2层6)。
另外，上述本发明的层叠体及其制造方法可以含有以下的方式。
上述中对第1层4具有单层结构的情况进行了说明，但第1层4也可具有多层结构。由此，例如在层叠体中第1层4也可形成多层干涉膜。
此时，第1层4例如还可以含有从浮雕结构形成层2侧开始按顺序层叠反射镜层、间隔层和半反射镜层而成的多层膜。
反射镜层是金属层，典型地可以含有金属的单质或合金。作为反射镜层含有的金属，例如可举出铝、金、铜及银。作为该金属特别优选铝。反射镜层的厚度例如为300nm以下、典型地可以为20～200nm的范围内。
间隔层典型地含有电介质材料。该电介质材料的折射率优选为1.65以下。另外，该电介质材料优选是透明的。作为这种电介质材料，例如可举出SiO2及MgF2。间隔层的厚度例如可以为5～500nm的范围内。
半反射镜层是具有透光性的反射层，典型地可以含有金属的单质、合金、金属氧化物或金属硫化物。作为半反射镜层含有的金属或合金，例如可举出铝、镍、INOCEL(注册商标)、氧化钛(TiO2)、硫化锌(ZnS)、硫化钼(MoS2)及氧化鉄(III)(Fe2O3)。半反射镜层的厚度例如可以为5～80nm的范围内。该厚度在使用作为透明性高的高折射率材料的氧化钛等金属氧化物或硫化锌等金属硫化盐时，优选为30～80nm的范围内。另外，该厚度在使用反射率及光遮蔽性高的铝等金属时，优选为5～45nm的范围内。
另外，上述中对第2层6具有单层结构的情况进行了说明，但第2层6也可具有多层结构。由此，例如在层叠体1中第2层6还可以形成多层干涉膜。
或者，第1层4与第2层6的层叠结构也可形成多层干涉膜。
这些情况下，当利用一边参照图2一边说明的方法时，能够稳定且以高的位置精度形成多层干涉膜。
一边参照图2一边说明的方法中，在利用工序(e)形成第1层4及第2层6之后，也可反复进行工序(b)～(e)。由此，可以获得在第2区域R2中交替层叠有第1层4和第2层6的结构，例如可以在第2区域R2中稳定且以高的位置精度形成多层干涉膜。
在浮雕结构形成层2上的第2区域R2中按顺序含有第1层4和第2层6的层叠体中，也可以利用过刻蚀仅对第2区域R2中的第1层4进行侧面刻蚀。这种层叠体中，自第1层4一侧进行观察时，第2层6对第1层4进行镶边，当第2层6的材料具有特殊的光学特性时，使得设计性及防伪性能提高。
一边参照图2一边说明的方法(工序(e))中，作为反应性气体或液体，还可以使用通过与第1材料的反应而可以将第1层4的一部分变化成由不同材料形成的层的气体或液体。此时，例如可以代替将第1层4中对应于第1区域R1的部分除去，而是将该部分变化成由不同于第1层材料的材料形成的层。
作为这种反应性气体或液体，例如可以使用能够将第1层4材料氧化的氧化剂。作为该氧化剂，例如可以使用氧、臭氧、或卤素，或者二氧化氯、次卤酸、亚卤酸、次卤酸、过卤酸及其盐等卤化物，过氧化氢、过硫酸盐类、过氧碳酸盐类、过氧硫酸盐类及过氧磷酸盐类等无机过氧化物，过氧化苯甲酰、叔丁基过氧化氢、枯基过氧化氢、二异丙基苯过氧化氢、过甲酸、过乙酸及过苯甲酸等有机过氧化物，铈盐、Mn(III)、Mn(IV)及Mn(VI)盐、银盐、铜盐、铬盐、钴盐、重铬酸盐、铬酸盐、高锰酸盐、过氧邻苯二甲酸镁、氯化铁及氯化铜等金属或金属化合物，或者硝酸、硝酸盐、溴酸盐、高碘酸盐及碘酸盐等无机酸或无机酸盐。
例如，作为第1层4的材料使用Cu时，通过使第1材料层4”中至少对应于第2区域R2的部分与氧化剂反应，可以使该部分变成由Cu氧化物形成的层。或者，作为第1层4的材料使用Al时，通过将第1材料层4”中至少对应于第2区域R2的部分浸渍在热水中或者与氧化剂反应，可以使该部分变成由勃姆石等Al氧化物形成的层。
或者，作为上述反应性气体或液体，也可使用能够将第1层4的材料还原的还原剂。作为该还原剂，例如使用硫化氢、二氧化硫、氟化氢、醇、羧酸、氢气、氢等离子体、远程氢等离子体、二乙基硅烷、乙基硅烷、二甲基硅烷、苯基硅烷、硅烷、乙硅烷、氨基硅烷、硼烷、乙硼烷、三氢化铝、锗烷、肼、氨、甲基肼、1,1-二甲基肼、1,2-二甲基肼、叔丁基肼、苄基肼、2-肼基乙醇、1-正丁基-1-苯基肼、苯基肼、1-萘基肼、4-氯苯基肼、1,1-二苯基肼、对肼基苯磺酸、1,2-二苯基肼、乙酰基肼或苯甲酰基肼。
另外，上述本发明的制造方法中，还可以对各层表面进行等离子体处理、电晕处理、火焰处理。
进而，上述本发明的制造方法中，还可以组合用于部分地设置第1层(反射层、导电层等功能层)的公知的方法。作为公知的方法，例如可举出使用激光将反射层以图案状除去的激光法、在反射层上以图案状设置掩模后将反射层中未被掩模覆盖的部分除去的方法。
或者，上述本发明的制造方法中，还可以使用在层或基材的主面上以图案状设置掩模、在上述主面的整体上形成反射层后将反射层中位于掩模上的部分随掩模一同除去的方法。这些掩模的形成例如可以通过印刷法或光致抗蚀剂法进行。典型地说，利用工序(a)形成浮雕结构形成层之后，通过印刷法按照跨越第1区域和第2区域的方式印刷由水溶性树脂构成的掩模油墨。接着，利用工序(b)使用作为第1材料的铝形成第1材料层叠体，利用工序(c)及(d)使用作为第2材料的氧化硅形成第2材料层叠体。之后，利用工序(e)进行碱水中的刻蚀。在涂布有水溶性掩模油墨的部分中，可以在与凹凸结构的延伸方向所导致的刻蚀速度差无关的情况下将第1材料及第2材料除去。因此，通过在本发明中组合利用了水溶性掩模油墨的公知方法，即便是在第2区域也可将第1材料除去。由此，更为复杂的图样构成变得可能。
另外，在上述本发明的制造方法中，利用工序(a)形成浮雕结构形成层之后，利用工序(b)使用作为第1材料的铝形成第1材料层叠体，利用工序(c)及(d)使用作为第2材料的氧化硅形成第2材料层叠体。接着，利用印刷法按照跨越第1区域及第2区域的方式印刷由“耐碱水树脂”构成的掩模油墨。之后，利用工序(e)进行碱水中的刻蚀。印刷了“耐碱树脂”的掩模油墨的部分因掩模油墨而防止刻蚀液的渗透，因此铝及氧化硅不会被刻蚀而残留。因而，通过在本发明中组合利用了“耐碱树脂”的掩模油墨的公知方法，即便是第1区域也可将第1材料残留。因而，更为复杂的图样构成变得可能。
本发明的层叠体中，可以按照第1区域与第2区域的凹凸结构的延伸方向成特定角度的方式来设定该延伸方向。因此，当在第1区域和第2区域的两者中作为第1层设置金属反射层或金属氧化物等透明反射层时，能够构成复杂的图样。例如，当在第1区域及第2区域中设置延伸方向相互正交、但形状相同、长宽比为0.2、周期为1μm的凹凸结构时，层叠体可以具备2图像切换效果(转换效果)。即发挥如下效果：可以看到由第1区域的凹凸所产生的衍射光时、看不到第2区域的衍射光，相反地，看不到由第1区域的凹凸产生的衍射光时、可以看到第2区域的衍射光。
本发明的层叠体还可根据需要含有覆盖第1层4及/或第2层6的被覆层(保护层)、用于提高层间密合的锚固层、与第1层4不同的功能层、用于提高设计性及防伪性的使用了彩色油墨、特殊油墨的印刷层等其他层。另外，在层叠体的层内也可含有彩色油墨、特殊油墨的染料及颜料。
另外，本发明的层叠体由于以高的位置精度设置了第1层4，因此还可作为光掩模进行利用。
另外，还可以将以上说明过的各种方式及变形例中的2个以上组合应用。
[第2实施方式]
接着，说明本发明的第2实施方式。
本实施方式的层叠体的特征在于，在第1实施方式中，第2区域含有多个子区域。这里，在不同的子区域之间，凹凸结构的延伸方向、周期或深度(高度)中的至少1个是不同的。
图5是表示本发明第2实施方式的层叠体10的概略俯视图。图5所示的层叠体10中，第1区域R1具有在相对于第1方向向左8度(-8度)的方向上延伸的凹凸结构。第2区域含有凹凸结构的延伸方向不同的2个子区域。即，含有：具有在相对于第2方向向右45度(+45度)的方向上延伸的凹凸结构的第2子区域R2-1；和具有在相对于第2方向向左45度(-45度)的方向上延伸的凹凸结构的第2子区域R2-2。
本实施方式中，并非限定于图5所示凹凸结构的延伸方向，如第1实施方式中说明的那样，第1区域R1中，凹凸结构的延伸方向是第1方向或自第1方向起至向左右10度的方向即可。另外，第2区域(第2子区域)中也是，凹凸结构的延伸方向是第2方向或自第2方向起至向左右65度的方向即可。
另外，图5示例了在第2区域中凹凸结构的延伸方向不同的子区域，但本实施方式中可以含有凹凸结构的延伸方向、周期或深度(高度)中的至少1个不同的子区域。
进而，图5所示的例子中，第2区域含有2个子区域，但并非限定于2个，还可以含有3个以上的子区域。
如上所述，本实施方式的层叠体10中，可以在第2区域中设置多个子区域而复杂地构成。第2区域(第2子区域)中由于含有第1层(反射层)，因此可以制作各种图样。
第2实施方式的层叠体10可以利用上述＜层叠体的制造方法＞中说明过的方法进行制造。具体地说，工序(a)中，在第1区域R1及第2区域R2中按照具有所希望的凹凸结构的方式形成浮雕结构形成层，之后实施工序(b)～(f)即可。
根据该制造方法，即便如第2实施方式的层叠体10那样在第2区域中设置改变了沟槽方向、周期、深度等的多个子区域时，也可以在这些子区域中选择性地设置第1层。
[第3实施方式]
接着，对本发明的第3实施方式进行说明。
本实施方式的层叠体的特征在于，在第1实施方式中，第1区域及第2区域这两者都含有多个子区域。这里，在不同的子区域之间，凹凸结构的延伸方向、周期或深度(高度)中的至少1个不同。
图6为表示本发明第3实施方式的层叠体10的概略俯视图。图6所示层叠体10中，第1区域及第2区域分别含有2个子区域。
图6所示的层叠体10中，第1区域含有具有延伸方向相同、但周期、深度及长宽比不同的凹凸结构的2个子区域。具体地说，含有：具有在第1方向上延伸、周期为600nm、深度为150nm、长宽比为0.25的凹凸结构的第1子区域R1-1；和具有在第1方向上延伸、周期为400nm、深度为400nm、长宽比为1.00的凹凸结构的第1子区域R1-2。
本实施方式中，并非限定于图6所示凹凸结构的延伸方向，如第1实施方式中说明的那样，第1区域(第1子区域)的凹凸结构的延伸方向是第1方向或自第1方向起至向左右10度的方向即可。另外，对于凹凸结构的周期、深度、长宽比而言也是，可采用第1实施方式中说明过的例子。
图6中，第2区域含有具有延伸方向不同的凹凸结构的2个子区域。具体地说，含有：具有在相对于第2方向向右45度(+45度)的方向上延伸的凹凸结构的第2子区域R2-1；和具有在相对于第2方向向左45度(-45度)的方向上延伸的凹凸结构的第2子区域R2-2。
本实施方式中，并非限定于图6所示凹凸结构的延伸方向，如第1实施方式中说明的那样，第2区域(第2子区域)中凹凸结构的延伸方向是第2方向或自第2方向起至向左右65度的方向即可。
另外，图6示例了第2区域中凹凸结构的延伸方向不同的子区域，但本实施方式中，可以含有凹凸结构的延伸方向、周期、或深度(高度)中的至少1个不同的子区域。
进而，图6中，第1区域及第2区域均含有2个子区域，但并非限定于2个，也可以含有3个以上的子区域。
本发明中，还可以如图6所示的层叠体10那样加深设置于子区域R1-2中的凹凸结构的深度。由此，夹持该凹凸结构的上下两层的密合性因锚固效应(楔效应)而提高。另外，即使不使用高长宽比的凹凸结构，通过使截面形状为矩形，也可获得同样的锚固效应。
本发明的层叠体10中，通过部分地设置具有这种锚固效应的结构，也可以确保高密合性。
第3实施方式的层叠体10可以利用上述＜层叠体的制造方法＞中说明过的方法进行制造。具体地说，工序(a)中在第1区域R1及第2区域R2上按照具有所希望的凹凸结构的方式形成浮雕结构形成层，之后实施工序(b)～(f)即可。
[第4实施方式]
接着，对本发明的第4实施方式进行说明。
本实施方式的层叠体与第3实施方式同样，在第1区域及第2区域中含有多个子区域。这里，在不同的子区域中，凹凸结构的延伸方向、周期或深度(高度)中的至少1个不同。
图7为表示本发明的第4实施方式的层叠体10的概略俯视图。
图7所示的层叠体10中，第1区域含有具有周期及长宽比不同的凹凸结构的2个子区域。具体地说，第1子区域R1-3在第1方向上延伸，形成了含有具有周期为600nm、深度为150nm、长宽比为0.25的正弦曲线截面形状的衍射结构的星形图样。第1子区域R1-4在第1方向上延伸，形成了含有具有周期为750nm、深度为150nm、长宽比为0.20的正弦曲线截面形状的衍射结构的太阳图样。
另外，第2区域含有具有延伸方向不同的凹凸结构的2个子区域。具体地说，含有：具有在相对于第2方向向右45度(+45度)的方向上延伸的凹凸结构的第2子区域R2-1；和具有在相对于第2方向向左45度(-45度)的方向上延伸的凹凸结构的第2子区域R2-2。
本实施方式中，对凹凸结构的延伸方向、周期、深度及长宽比而言，并非限定于图7所示的例子，也可采用第1实施方式中说明过的例子。
此外，图7所示的层叠体10中，在第1区域(第1子区域)中第1层被除去了。因此，通过在第1区域中设置由不同于第1层材料的高折射材料所形成的第3层，也可以在第1子区域中获得衍射效果。具体地说，作为第1层的材料使用铝、作为第3层的材料使用作为透明性高的高折射率材料的硫化锌时，在第2子区域R2-1及R2-2中可观察到由铝带来的鲜艳的衍射光，在第1子区域R1-3、R1-4中可获得由硫化锌带来的透明性高的衍射光。
第4实施方式的层叠体10可以利用上述＜层叠体的制造方法＞中说明过的方法进行制造。具体地说，工序(a)中在第1区域R1及第2区域R2中按照具有所希望的凹凸结构的方式形成浮雕结构形成层，之后实施工序(b)～(f)即可。其中，设置第3层时，在通过工序(f)获得的层叠体10的第1层一侧的第1及第2区域整个面上按照达到所希望的膜厚的方式沉积第3层的材料即可。
作为第3层的材料的沉积方法，可以使用公知的涂布法或气相沉积法。作为涂布法，例如可以使用喷雾涂布等涂布法。作为气相沉积法，可以使用真空蒸镀法、溅射法、化学蒸镀法(CVD法)等气相沉积法。
作为第3层的材料，可以使用硫化锌、氧化钛等透明性高的高折射率材料。
[第5实施方式]
接着，对本发明的第5实施方式进行说明。
本实施方式的特征在于，在第1实施方式中，在浮雕结构形成层的第1区域的一部分中按顺序含有第1层、第2层、刻蚀掩模层。
图8A为概略地表示第5实施方式的层叠体10的俯视图，图8B为图8A的VIIIB-VIIIB线截面图。
如图8A所示，第1区域分别含有星形及月牙形的第1区域R1-5及R1-6、具有在第1方向上延伸的凹凸结构，第2区域R2具有在第2方向上延伸的凹凸结构。
另外，图8A所示的层叠体10如图8B所示，按顺序含有浮雕结构形成层2、在第2区域R2及第1区域R1-6上的第1层4、在第1区域R1-6上的第2层6及刻蚀掩模层8。
本实施方式中，并非限定于图8A所示凹凸结构的延伸方向，还包含第1实施方式中说明过的方向。另外，对于凹凸结构的周期、深度、长宽比而言，也可采用第1实施方式中说明过的例子。
本实施方式的层叠体10中，可以保持刻蚀掩模层8的形状作为独特的信息。其原因在于，刻蚀掩模层8的形状与浮雕结构形成层的图案紧密联系地形成，因而极难对该独特的信息进行改写。因而，本实施方式的层叠体10发挥高的防篡改效果。
作为第5实施方式的层叠体10的制造方法，首先通过实施参照图2进行说明的方法中的对应于图2(a)～图2(d)的工序(a)～工序(d)，形成第2材料层叠体30。接着，在第1区域的规定位置沉积刻蚀掩模层8的材料，形成刻蚀掩模层8。
刻蚀掩模层8的设置可以使用公知的印刷方法、光刻法等进行。作为刻蚀掩模层8的材料，例如可以使用热塑性树脂、热固性树脂或放射线固化树脂。另外，为了提高设计性及防伪性能，该材料中还可以添加色料、作为安全用特殊颜料的荧光颜料、蓄光颜料等功能性颜料。
接着，将具备刻蚀掩模层8的层叠体10暴露于与构成第1材料层4”的第1材料发生反应的反应性气体或液体。在第1区域的一部分R1-5中，在第2材料层6’中产生空隙，而在第2区域R2中，几乎不存在空隙，因而在第1区域的一部R1-5中，与第2区域R2相比更易被刻蚀。另外，如图8B所示，在第1区域的一部分R1-5中未形成有刻蚀掩模层8，在第1区域的一部分R1-6中形成了刻蚀掩模层8，因而第1区域的一部分R1-5与第1区域的一部分R1-6相比，更易被刻蚀。
因此，通过对反应性气体或液体调整浓度及温度以及刻蚀的处理时间等，可以在第1区域的一部分R1-5中将第1层4及第2层6除去。
最后，从通过刻蚀获得的层叠体中将第2区域R2中的第2层除去。
作为除去第2层的方法，例如可举出将通过刻蚀获得的层叠体暴露于仅与构成第2层6的第2材料发生反应的反应性气体或液体的方法。
另外，第1区域的一部分R1-6中，由于具备刻蚀掩模层8，因此可以不通过刻蚀将其除去而残留。
由以上，可获得图8A及图8B所示的第5实施方式的层叠体10。
如此，通过在第1实施方式的层叠体10的制造方法中组合用于形成刻蚀掩模层8的公知的印刷方法等，第1层的更为复杂的图案形成变得可能。
以上说明的各种实施方式也可以组合应用。
本发明的层叠体可作为粘着标签的一部分使用。该粘着标签具备层叠体和设置在层叠体背面上的粘合层。
或者，本发明的层叠体还可作为转印箔的一部分进行使用。该转印箔具备层叠体和以能够剥离的方式支撑层叠体的支撑体层。
本发明的层叠体还可以被物品支撑而使用。例如，本发明的层叠体可以被塑料制的卡等支撑。或者，本发明的层叠体还可以抄入到纸中进行使用。本发明的层叠体还可以破碎成鳞片状、作为颜料的一个成分进行使用。
本发明的层叠体还可以以防伪以外的目的进行使用。例如，可作为玩具、学习教材、装饰品、电路进行使用。
实施例
以下示出实施例具体地说明本发明，但本发明并非限定于下述实施例。
＜本发明层叠体的制造＞
(实施例1)
首先，作为“浮雕结构形成层”原料，准备下述所示的油墨组合物。
“浮雕结构形成层油墨组合物”(紫外线固化型树脂)
氨基甲酸酯丙烯酸酯 50.0质量份
(日立化成制Hitaroide 7903：多官能)
甲乙酮 30.0质量份
醋酸乙酯 20.0质量份
光引发剂(Ciba Specialty制IRGACURE 184)1.5质量份
在由厚度为23μm的透明聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜形成的支撑体上，利用凹版印刷法按照干燥膜厚度达到1μm的方式涂饰“浮雕结构形成层油墨组合物”。
接着，利用轧辊光聚合物法，以2Kgf/cm2的压制压力、80℃的压制温度、10m/min的压制速度对该涂饰面按压具备具有所希望的凹凸结构的“第1区域”及“第2区域”的圆筒状原版，实施成形加工。
在成形的同时，自PET膜一侧使用高压汞灯进行300mJ/cm2的紫外线曝光，使其固化。
如此，获得“第1区域”具有深度为120nm、周期为700nm的波板结构、“第2区域”具有深度为120nm、周期为700nm的波板结构、第1区域中的波板结构的延伸方向与第2区域中的波板结构的延伸方向正交的浮雕结构形成层。
接着，按照辊式真空蒸镀加工机的膜搬送方向与第1区域的波板结构的延伸方向达到平行(一致)的方式，将浮雕结构形成层配置在蒸镀加工机中。之后，按照平滑平面部分达到70nm厚度的方式，在浮雕结构形成层的整个面上将作为第1材料的铝进行真空斜向蒸镀，形成第1材料层叠体。
接着，按照蒸镀加工机的膜搬送方向与第1区域的波板结构的延伸方向达到平行的方式，将第1材料层叠体配置在辊式真空蒸镀加工机中。之后，按照平滑平面部分达到50nm厚度的方式，在第1材料层叠体的第1材料的整个面上将作为第2材料的氧化硅进行真空斜向蒸镀，形成第2材料层叠体。
接着，将第2材料层叠体在质量浓度为1.5％的氢氧化钠水溶液中于45℃下浸渍1分钟，获得仅在浮雕结构形成层的第2区域中依次含有铝层(第1层)及氧化硅(第2层)的层叠体。
之后，为了对通过刻蚀形成了图案的第1层及第2层实施保护，用被覆层将这些层覆盖。具体地说，在通过刻蚀形成了图案的第1层及第2层侧的表面整体上，利用棒涂印刷法涂布下述的“被覆层油墨组合物”之后，在120℃烘箱中对其干燥1分钟，以2μm的干燥膜厚形成被覆层，获得层叠体。
“被覆层油墨组合物”
氯乙烯-醋酸乙烯酯树脂 50.0质量份
甲乙酮 30.0质量份
醋酸乙酯 20.0质量份
(实施例2)
将浮雕结构形成层的第2区域分割成“区域2-1”、“区域2-2”、“区域2-3”的3个子区域，如下地设置各区域的结构，除此之外，利用与实施例1相同的方法获得层叠体。
“区域2-1”：在相对于蒸镀加工机的膜搬送方向呈25°的方向上延伸、深度为120nm、周期为700nm的波板结构
“区域2-2”：在相对于蒸镀加工机的膜搬送方向呈70°的方向上延伸、深度为120nm、周期为700nm的波板结构
“区域2-3”：在相对于蒸镀加工机的膜搬送方向呈90°的方向上延伸、深度为120nm、周期为700nm的波板结构
(实施例3)
将浮雕结构形成层的第1区域分割成“区域1-1”、“区域1-2”的2个子区域，如下地设置各区域的结构，除此之外，利用与实施例2相同的方法获得层叠体。
“区域1-1”：在相对于蒸镀加工机的膜搬送方向上延伸、深度为120nm、周期为700nm的波板结构
“区域1-2”：在相对于蒸镀加工机的膜搬送方向呈5°的方向上延伸、深度为120nm、周期为700nm的波板结构
(实施例4)
除了使“区域2-1”、“区域2-2”、“区域2-3”的3个子区域的波板结构的周期为1000nm以外，利用与实施例3相同的方法获得层叠体。
(实施例5)
除了使“区域1-1”、“区域1-2”的2个子区域的波板结构的周期为1000nm以外，利用与实施例3相同的方法获得层叠体。
(实施例6)
使浮雕结构形成层的第1区域为深度为120nm、周期为700nm的波板结构，波板结构的沟槽(凹部)在相对于蒸镀加工机的膜搬送方向为±10°的2个方向上延伸的交叉光栅结构；使浮雕结构形成层的第2区域为深度为120nm、周期为700nm的波板结构，波板结构的沟槽(凹部)在相对于蒸镀加工机的膜搬送方向为80°和90°的2个方向上延伸的交叉光栅结构，除此以外，利用与实施例1相同的方法获得层叠体。
(实施例7)
使浮雕结构形成层的第1区域为在蒸镀加工机的膜搬送方向上延伸、深度为170nm、周期为650nm的波板结构；使浮雕结构形成层的第2区域为在正交于蒸镀加工机的膜搬送方向的方向上延伸、深度为170nm、周期为650nm的波板结构，除此以外，利用与实施例1相同的方法获得层叠体。
(实施例8)
使浮雕结构形成层的第1区域为在蒸镀加工机的膜搬送方向上延伸、具有深度为130nm～165nm、周期为230nm～400nm的波板结构的散射结构；使浮雕结构形成层的第2区域为在正交于蒸镀加工机的膜搬送方向的方向上延伸、具有深度为130nm～165nm、周期为230nm～400nm的波板结构的散射结构，除此以外，利用与实施例1相同的方法获得层叠体。
(实施例9)
使浮雕结构形成层的第1区域为在蒸镀加工机的膜搬送方向上延伸、深度为170nm、周期为650nm的波板结构；使浮雕结构形成层的第2区域为在正交于蒸镀加工机的膜搬送方向的方向上延伸、具有深度为130nm～165nm、周期为230nm～400nm的波板结构的散射结构，除此以外，利用与实施例1相同的方法获得层叠体。
＜评价项目及结果＞
对实施例1～9进行以下的评价。
(第1层的选择性除去的评价)
对实施例1～9中获得的层叠体，评价是否在第1区域中未除去第1层(铝层)、在第2区域中除去了第1层(铝层)(以下也称作“第1层的选择性除去”)。具体地说，测定与层叠体的“第1区域”及“第2区域”相对应部分的可见光透射率，基于以下的标准进行评价。
将层叠体中对应于“第1区域”的部分的可见光透射率超过90％、且对应于“第2区域”的部分的可见光透射率为20％以下者评价为“○(良好)”，将除此以外者评价为“×(不充分)”。
将其结果示于以下的表1中。
(第1层的位置精度的评价)
对实施例1～9中获得的层叠体进行第1层的位置精度的评价。具体地说，对于各层叠体，第1层的位置精度为测定“第1区域”及“第2区域”的边界与第1层轮廓的最短距离的最大值，根据以下标准进行评价。
发生了低于20微米的位置偏移的情况评价为“○(良好)”，发生了20微米以上的位置偏移的情况评价为“×(不充分)”。
将其结果示于以下的表1中。
表1
Figure GDA0003175595030000361
另外，表1中“长宽比”是指沟槽的深度与周期之比的平均值。
由表1可知，实施例1～9中获得的层叠体均为第1区域的可见光透射率超过90％、第2区域的可见光透射率为20％以下。另外，对层叠体的外观进行确认时的结果是，第2区域中，第1层未被部分地除去，而是完全地残留。如此，实施例1～9中获得的层叠体可以说具有良好的第1层选择性除去及第1层的位置精度。
如上所述，实施例1～9获得的层叠体的第1层选择性除去和第1层的位置精度这两者均优异。
另外，根据本发明的层叠体的制造方法，无论是浮雕结构形成层的长宽比在第1区域及第2区域中相等时(实施例1～3、6～8)、或者是第2区域比第1区域大时(实施例5及9)，均可将第1层选择性地从第1区域除去。这在利用第1区域及第2区域的各区域中的长宽比差异、仅能在具备长宽比更小的凹凸结构的区域中残留第1层(金属反射层)的现有方法中是无法实现的。
实施例8的层叠体中，与衍射光栅中通常使用的0.1～0.3左右的长宽比相比，长宽比高达0.41～0.57。这种长宽比大的凹凸结构能够变为棱镜结构等的透镜、或使光在特定方向上散射的散射结构，因而当能够在该结构中残留第1层时，设计的自由度变高，可以将层叠体应用于各种用途。
进而，本发明由于并非必须高长宽比的凹凸结构，因此可以减薄最终产品的厚度，还具有成本变低等优点。
符号说明
2 浮雕结构形成层
4 第1层
6 第2层
10 层叠体

Claims (8)

1.一种层叠体，其特征在于，其是含有具有具备第1及第2区域的主面的浮雕结构形成层和仅设置在所述浮雕结构形成层的第2区域中或者设置在第1区域的一部分及第2区域中的第1层的层叠体，其中，
所述浮雕结构形成层具备第1区域和第2区域，所述第1区域具有在俯视下在第1方向或在自第1方向起至向左右10度的方向上延伸的凹凸结构，所述第2区域具有在俯视下在正交于第1方向的第2方向或在自第2方向起至向左右65度的方向上延伸的凹凸结构、或者具有在俯视下在正交于第1方向的第2方向或在自第2方向起至向左右65度的方向上延伸的凹凸结构及平坦面，
第1层含有与所述浮雕结构形成层的材料不同的第1材料，且具有与所述浮雕结构形成层的表面形状相对应的表面形状，
设置在所述浮雕结构形成层的第2区域中的第1层的位置偏移低于20微米，所述第1层的位置偏移为第1区域及第2区域的边界与第1层轮廓的最短距离的最大值，
所述浮雕结构形成层的第1区域中的凹凸结构的长宽比与所述浮雕结构形成层的第2区域中的凹凸结构的长宽比相等、或者比其小。
2.根据权利要求1所述的层叠体，其特征在于，
第2区域含有多个子区域，
在所述子区域之间，凹凸结构延伸的方向、周期或深度/高度中的至少1个不同。
3.根据权利要求1所述的层叠体，其特征在于，
第1区域含有多个子区域，
在所述子区域之间，凹凸结构延伸的方向、周期或深度/高度中的至少1个不同。
4.根据权利要求1所述的层叠体，其特征在于，第2区域具有作为在2个以上方向上延伸的凹凸结构的交叉光栅结构。
5.根据权利要求1所述的层叠体，其特征在于，第1区域具有作为在2个以上方向上延伸的凹凸结构的交叉光栅结构。
6.根据权利要求1所述的层叠体，其特征在于，其含有至少将第1层覆盖的第2层。
7.根据权利要求6所述的层叠体，其特征在于，在所述浮雕结构形成层的第1区域的一部分所含的第2层上含有刻蚀掩模层。
8.根据权利要求1所述的层叠体，其特征在于，所述第1材料选自Al、Sn、Cr、Ni、Cu、Au、Ag的金属，这些金属的化合物及合金，Sb2O3、Fe2O3、TiO2、CdS、CeO2、ZnS、PbCl2、CdO、WO3、SiO、Si2O3、In2O3、PbO、Ta2O3、Ta2O5、ZnO、ZrO2、MgO、SiO2、Si2O2、MgF2、CeF3、CaF2、AlF3、Al2O3、硅氧化物SiOx以及GaO，其中SiOx中1＜X＜2。
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