CN107610994B - 一种离子束刻蚀系统 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种离子束刻蚀系统，包括刻蚀腔体和刻蚀电极，还包括电极变位装置，用于使所述电极在所述刻蚀腔体内变化工作位置，所述电极变位装置包括动密封机构、电极动平衡配重机构、电极变位传动机构、以及电极变位驱动机构，所述刻蚀腔体包括腔室以及与所述腔室相连接的腔盖，所述腔室呈不规则形状。本发明的优点在于，可以实现对晶片的多角度刻蚀。另外，通过对刻蚀腔体的腔室形状进行特殊设计，能够节省占地空间，方便与其他外界设备连接，大幅度提高刻蚀工作效率。

Description

一种离子束刻蚀系统
技术领域
本发明属于半导体刻蚀技术领域，尤其涉及一种离子束刻蚀系统。
背景技术
随着半导体器件的发展，晶片图形精度越来越高，常规的湿法腐蚀由于难以避免的横向钻蚀，已经不能满足高精度细线条图形刻蚀的要求，于是逐步发展了一系列干法刻蚀技术。应用比较普遍的有等离子刻蚀、反应离子刻蚀、二极溅射刻蚀、离子束刻蚀。等离子刻蚀和反应离子刻蚀都离不开反应气体，刻蚀不同材料需要不同的反应气体及组分，需要不同的激励方式和激励条件。反应气体一般是氯化物或氟化物，还有的材料很难找到合适的反应气体，如Pt往往采用纯物理作用的二极溅射刻蚀或者离子束刻蚀。离子束刻蚀是由一个离子源提供离子，离子能量低密度大，对基片损伤小，刻蚀速率快。由于离子束刻蚀对材料无选择性，特别适用于一些对化学研磨、电介研磨难以减薄的材料的减薄。另外，离子束刻蚀是各向异性腐蚀，所以图形转移精度高，细线条的线宽损失小，离子束刻蚀只使用氩气即可，不需要反应气体，工艺安全，对环境污染小，运转成本低，尤其适于采用化学方法难以刻蚀的材料及精密的超薄膜刻蚀。
在半导体器件及晶片等的制造工艺中，刻蚀工艺是众多工艺中最频繁被采用的。集成电路制造的刻蚀工艺中，会部分或者全部刻蚀或者去除掉晶片上的某些材料。在所有的刻蚀工艺中，等离子体刻蚀以及离子束刻蚀(IBE)工艺越来越重要。尤其是随着晶片集成度提高，关键尺寸缩小，高选择比以及精确的图形转移等工艺需求的提高，更突显了等离子体刻蚀和离子束刻蚀的优点。
随着晶片关键结构从平面转向3D结构(例如：逻辑器件中的鳍式场效应晶体管(FinFET)结构)、先进存储器结构(例如：磁存储器(MRAM)和阻变存储器(ReRAM))这些器件结构对刻蚀工艺要求的精确度、重复性及工艺质量要求的越来越高。同时磁存储器这些器件制造过程中，有许多种特殊的金属材料及金属化合物材料需要使用刻蚀工艺。同时在等离子体刻蚀工艺过程中产生的刻蚀反应副产物大部分也是金属或者富含金属的薄膜。另外，部分刻蚀工艺过后的图形侧壁不陡直也需要工艺来补充修饰，通过实验观察发现离子束刻蚀过程中的离子溅射对以上三种问题可以进行极大的改进。同时，研究者还要注意到使用离子束刻蚀有可能会对已有的器件或者晶片结构造成损伤。因此迫切需要设计一种改进形式的离子束刻蚀系统来解决在先进器件制作过程中面临的此类问题。
目前存在的离子束刻蚀系统的真空腔体均为比较规则的圆柱形或矩形，该种形状占据空间比较大，比较笨重，其圆柱或矩形截面的腔体上与外界其他设备相连的面均为前后的两个平面，该平面的尺寸由圆柱面的直径来决定。在现有的设计中该部分腔体的体积都比较庞大，圆柱面直径也很大，因此导致前后两个平面在左后方向的空间里占地很大。当设备在该面上与外部占地空间也很大且具有两端向设备方向弯曲延伸的特征的设备部件连接时，两种设备之间很大可能会存在干涉，这就导致该离子束刻蚀系统使用时受诸多限制，从而在与外界其他设备相连时受到比较多的限制。
发明内容
为了解决现有技术中刻蚀系统容易对器件或晶片结构造成损伤，刻蚀图案精确度不高，占据空间大，工作时与其他设备相连受限制较多的技术缺陷，本发明提供了一种离子束刻蚀系统，实现的目的为，占据空间合理，工作时方便与其他设备相连接，能够多角度进行刻蚀。
为了实现上述目的，本发明提供一种离子束刻蚀系统，包括刻蚀腔体和刻蚀电极，还包括电极变位装置，用于使所述电极在所述刻蚀腔体内变化工作位置，所述电极变位装置包括动密封机构、电极动平衡配重机构、电极变位传动机构、以及电极变位驱动机构。
本发明的离子束刻蚀系统中，优选为，所述刻蚀腔体包括腔室以及与所述腔室相连接的腔盖，所述腔室呈不规则形状。
本发明的离子束刻蚀系统中，优选为，所述腔室包括局部圆筒体、侧板、锥形过渡部和底板，所述侧板在侧方将所述局部圆筒体封闭，所述底板通过所述锥形过渡部与所述局部圆筒体的其中一端连接并将所述局部圆筒体的所述一端封闭。
本发明的离子束刻蚀系统中，优选为，在所述侧板上开设有用于安装离子源的圆形孔，在所述底板上开设有用于衬底传输机构出入的矩形窗口。
本发明的离子束刻蚀系统中，优选为，在所述腔室的所述局部圆筒体上焊接端面法兰，在所述端面法兰上开设密封槽，所述腔盖与所述腔室通过由密封圈和所述密封槽构成的静密封结构连接。
本发明的离子束刻蚀系统中，优选为，所述动密封机构安装于所述腔盖上，所述动密封机构是磁流体密封装置。
本发明的离子束刻蚀系统中，优选为，所述电极变位传动机构包括摇臂、过渡轴、和联轴器，所述摇臂安装于所述腔室内部，所述摇臂的一端与所述刻蚀电极连接，所述摇臂的另一端与伸入到所述腔室内部的转子相连接。
本发明的离子束刻蚀系统中，优选为，所述电极变位驱动机构是电机、电缸或气缸。
本发明的离子束刻蚀系统中，优选为，所述电极动平衡配重机构包括配重板和配重块，所述配重板固定在靠近过渡轴位置处的转子上，所述配重块沿着转子的纵轴方向固定在所述配重板上。
本发明的离子束刻蚀系统中，优选为，所述刻蚀电极的能够定位于三个以上的工作位置进行刻蚀。
附图说明
图1为本发明的离子束刻蚀系统的横截面剖视图；
图2为本发明的离子束刻蚀系统的配重板在转动过程中的三个位置示意图；
图3为本发明的离子束刻蚀系统的电极组件的三个位置示意图；
图4为本发明的离子束刻蚀系统的刻蚀腔体的内部结构立体示意图；
图5为本发明的离子束刻蚀系统的刻蚀腔体的外部结构立体示意图。
图中：
1～刻蚀腔体；2～刻蚀电极；3～动密封机构；4～电极动平衡配重机构；5～电极变位传动机构；6～电极变位驱动机构；7～腔室；8～腔盖；9～定子；10～转子；11～摇臂；12～过渡轴；13～联轴器；14～配重板；15～配重块；16～通孔；17～配重板轴上位置；18～配重板平轴位置；19～配重板轴下位置；20～电极轴下位置；21～电极平轴位置；22～电极轴上位置；23～局部圆筒体；24～侧板；25～锥形过渡部；26～底板；27～圆形孔；28～矩形窗口；29～密封槽。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“水平”、“垂直”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。本发明中的“电机”，除了有特殊说明，均表示电动机。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
图1为本发明的离子束刻蚀系统的横截面剖视图。如图1所示，本发明的离子束刻蚀系统包括刻蚀腔体1和刻蚀电极2，还包括用于使所述刻蚀电极2在所述刻蚀腔体1内变化工作位置的电极变位装置，该电极变位装置包括动密封机构3、电极动平衡配重机构4、电极变位传动机构5、以及电极变位驱动机构6。
本发明的离子束刻蚀系统在工作过程中，其中的刻蚀腔体1分别与外部的离子束源、真空装置、晶片输送装置(图中均未示出)相连接，离子束源用于向刻蚀腔体内发射离子束，真空装置用于提供和维持刻蚀腔体1内部的真空环境，晶片输送装置将待刻蚀的晶片输送到刻蚀腔体1内部，刻蚀电极2在电极变位装置的带动下变化工作位置，从而能够以不同的角度对晶片进行刻蚀。
本发明的离子束刻蚀系统中，刻蚀腔体1包括腔室7以及与腔室7相连接的腔盖8，腔室7呈不规则形状。通过将腔室7设计为不规则结构，可以减小腔体整体的体积，与外部设备相连接时不会产生干涉，也使得与其他设备安装时更为灵活。
本发明的的离子束刻蚀系统中，在腔室7的筒体上焊接端面法兰，在端面法兰上开设密封槽，腔盖8与腔室7通过由密封圈和密封槽构成的静密封结构连接。
本发明的离子束刻蚀系统中，所述动密封机构安装于腔盖8上，该动密封机构是磁流体密封装置。具体来说，该磁流体密封装置包括定子9和转子10，磁流体密封装置安装于腔盖8时，将定子9通过螺栓紧固在腔盖8上，在定子9和转子10之间可设置密封槽，在密封槽中放置密封圈，从而保证真空腔体内部不会漏气。转子10的一端伸入到腔室7内部，另一端与腔室7外部的电极变位传动机构连接。磁流体密封技术是在磁性流体的基础上发展而来的，当磁流体注入磁场的间隙时，它可以充满整个间隙，形成一种“液体的O型密封圈”。磁流体密封装置的功能是把旋转运动传递到密封容器内，本发明中采用磁流体密封装置可将腔室与腔盖更为紧密地连接，保证腔室内部的高真空环境。
本发明的离子束刻蚀系统中，电极变位传动机构包括摇臂11、过渡轴12、和联轴器13，摇臂11安装于腔室7内部，摇臂11的一端与刻蚀电极2连接，摇臂11的另一端与伸入到腔室7内部的转子10相连接。转子10可通过电极变位传动机构5与电极变位驱动机构6相连接，带动转子10旋转，从而带动摇臂11旋转，使刻蚀电极2旋转而变换工作位置。
本发明的离子束刻蚀系统中，电极动平衡配重机构包括配重板14和配重块15，配重板14固定在靠近过渡轴位置处的转子10上，配重块15沿着转子的纵轴方向固定在配重板15上。在刻蚀电极2变换工作位置时，转子10随着电极变位驱动机构6输出的扭矩绕转轴的轴线旋转时，摇臂11可带着电极组件同步绕转轴的轴线转动。由于摇臂与电极组件的重量比较大，且其重心位于轴线以下，导致转动过程中磁流体密封装置承受过大的偏心弯矩，容易使磁流体密封装置损坏，且转动极不流畅。本发明的离子束刻蚀系统中，在腔室7的外部设置电极动平衡配重机构并使之随转子10同步转动。转子10在带动摇臂11、电极组件以及配重板14、配重块15一起转动时，即处于腔室内轴线上，使得磁流体密封装置在转动时只承受电极变位驱动机构6输出的扭矩，而不承受径向的力，转动平稳，从而能够使得延长使用寿命。
本发明的离子束刻蚀系统中，也可以在腔盖上开设多个通孔16，在这些通孔16上可以焊接各种标准法兰和管道，外部可以连接观察窗，用以观察离子束刻蚀工艺各阶段中真空腔体内的工艺状况。
本发明的离子束刻蚀系统中，通过设置动密封装置3、电极动平衡配重机构4、电极变位传动机构5、以及电极变位驱动机构6，能够使得由刻蚀电极2组成的重量较重的电极组件平稳顺畅地定位于三个以上的工作位置而进行离子束刻蚀。由此，能够从不同角度对晶片进行离子束刻蚀。
图2为本发明的离子束刻蚀系统的配重板在转动过程中的三个位置示意图，图3为本发明的离子束刻蚀系统的电极组件的三个位置示意图。本发明的离子束刻蚀系统中，载置有配重块15的配重板14在工作过程中能够定位于三个位置，即配重板轴上位置17、配重板平轴位置18、和配重板轴下位置19，如图2所示。相应地，由刻蚀电极2组成的电极组件能够定位于三个工作位置，即电极轴下位置20、电极平轴位置21、和电极轴上位置22，如图3所示。
图4为本发明离子束刻蚀系统的刻蚀腔体的内部结构立体示意图，图5为本发明离子束刻蚀系统的刻蚀腔体的外部结构立体示意图。如图4～图5所示，本发明的离子束刻蚀系统中，优选为，腔室7包括局部圆筒体23、侧板24、锥形过渡部25和底板26，侧板24在侧方将局部圆筒体23封闭，底板26通过锥形过渡部25与局部圆筒体23的其中一端连接并将局部圆筒体23的所述一端封闭。在局部圆筒体23的另一端上焊接有端面法兰，在法兰中开设有密封槽29，在密封槽中放置密封圈。通过螺栓将腔盖8安装在法兰上，并通过由密封槽29和密封圈组成的静密封结构相连接。由此，除了动密封结构，本发明在腔盖与腔室连接处还设置有由密封槽和密封圈构成的静密封结构，从而最大限度地保证腔室内部的真空环境。
具体来说，可以将圆筒状的腔体的一侧切边，得到本发明的离子束刻蚀系统中的局部圆筒体23，也可根据实际安装需要调整其局部形状。被裁切的圆筒体的横截面的轮廓为圆弧线与直线的结合，可采用不锈钢板焊接完成。可根据具体的安装条件，灵活地调整腔室7的形状，使其与其他设备连接时更为节省空间、便于操作。
本发明的离子束刻蚀系统中的锥形过渡部25具有较大的锥度，由此使得底板26的直径远远小于局部圆筒体23的直径。从而使得腔体末端的尺寸很大程度上实现小型化。由于离子束刻蚀腔体的安装设计的限制因素比较少，与外部传输片机构连接时，设备的连接面通过锥端的缩口特征给其提供较大的敞口空间，不会限制外部传输片机构的结构形式，使得该离子束刻蚀系统体积减小，适应性强。锥形过渡部25为使用钢板折弯而成纵向截面为梯形的连接段，其过渡部分均为圆弧，但其形状并不限定于此，根据腔体主体具体的实施方式来随意调整。
本发明的离子束刻蚀系统中，通过在圆柱筒状的末端设置锥形过渡部25，使得在局部圆筒体23的末端形成一个收缩的趋势，缩口处焊接钢板，形成一个不规则形状的腔体形状，该种设计可以减小腔体的整体占地空间，与外界设备相连时不会产生干涉的情况，安装更灵活。
另外，可以在侧板24上开设有用于安装离子源的圆形孔27，在底板26上开设有用于衬底传输机构出入的矩形窗口28。可通过圆形孔27、矩形窗口28分别与外界设备离子源、传输机构连接，使外界的设备互相不受干扰。
本发明的的离子束刻蚀系统中，电极变位驱动机构可以是电机、电缸或气缸。电机优选为步进电机。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种离子束刻蚀系统，包括刻蚀腔体和刻蚀电极，其特征在于，
还包括电极变位装置，用于使所述刻蚀电极在所述刻蚀腔体内变化工作位置，所述电极变位装置包括动密封机构、电极动平衡配重机构、电极变位传动机构、以及电极变位驱动机构，
所述刻蚀腔体包括腔室以及与所述腔室相连接的腔盖，所述腔室呈不规则形状。
2.根据权利要求1所述的离子束刻蚀系统，其特征在于，
所述腔室包括局部圆筒体、侧板、锥形过渡部和底板，所述侧板在侧方将所述局部圆筒体封闭，所述底板通过所述锥形过渡部与所述局部圆筒体的其中一端连接并将所述局部圆筒体的所述一端封闭。
3.根据权利要求2所述的离子束刻蚀系统，其特征在于，
在所述侧板上开设有用于安装离子源的圆形孔，在所述底板上开设有用于衬底传输机构出入的矩形窗口。
4.根据权利要求2所述的离子束刻蚀系统，其特征在于，
在所述腔室的所述局部圆筒体上焊接端面法兰，在所述端面法兰上开设密封槽，所述腔盖与所述腔室通过由密封圈和所述密封槽构成的静密封结构连接。
5.根据权利要求1所述的离子束刻蚀系统，其特征在于，
所述动密封机构安装于所述腔盖上，所述动密封机构是磁流体密封装置。
6.根据权利要求1所述的离子束刻蚀系统，其特征在于，
所述电极变位传动机构包括摇臂、过渡轴和联轴器，所述摇臂安装于所述腔室内部，所述摇臂的一端与所述刻蚀电极连接，所述摇臂的另一端与伸入到所述腔室内部的转子相连接。
7.根据权利要求1所述的离子束刻蚀系统，其特征在于，
所述电极变位驱动机构是电机、电缸或气缸。
8.根据权利要求1所述的离子束刻蚀系统，其特征在于，
所述电极动平衡配重机构包括配重板和配重块，所述配重板固定在靠近过渡轴位置处的转子上，所述配重块沿着转子的纵轴方向固定在所述配重板上。
9.根据权利要求8所述的离子束刻蚀系统，其特征在于，
所述刻蚀电极能够定位于三个以上的工作位置进行刻蚀。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107610994B (zh) 2017-08-10 2019-06-07 江苏鲁汶仪器有限公司 一种离子束刻蚀系统
CN111162005A (zh) * 2018-11-08 2020-05-15 江苏鲁汶仪器有限公司 多层磁性隧道结刻蚀方法和mram器件
CN110189975B (zh) * 2019-04-30 2021-05-11 江苏鲁汶仪器有限公司 一种离子束刻蚀腔体清洗装置
CN110429016A (zh) * 2019-08-30 2019-11-08 江苏鲁汶仪器有限公司 一种带有旋转电极驱动的离子束刻蚀机

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4482419A (en) * 1983-02-03 1984-11-13 Anelva Corporation Dry etching apparatus comprising etching chambers of different etching rate distributions
CN101645386A (zh) * 2008-08-08 2010-02-10 克朗斯股份公司 用于对中空体进行等离子体处理的设备和方法
CN101689492A (zh) * 2007-07-12 2010-03-31 应用材料股份有限公司 处理基板边缘区域的装置与方法
WO2014185313A1 (ja) * 2013-05-15 2014-11-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
CN106676532A (zh) * 2015-11-10 2017-05-17 江苏鲁汶仪器有限公司 金属刻蚀装置及方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69203280T2 (de) 1991-04-29 1996-03-07 Philips Electronics Nv Verschiebungsvorrichtung.
CN2605442Y (zh) 2003-03-19 2004-03-03 陈鹤昆 可自锁的蝶式止回阀
JP4371011B2 (ja) 2004-09-02 2009-11-25 日新イオン機器株式会社 イオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法
DE102005025130B4 (de) 2005-05-30 2013-07-11 Bundesrepublik Deutschland, vertr. d. d. Bundesministerium für Wirtschaft und Technologie, dieses vertr. d. d. Präsidenten der Physikalisch-Technischen Bundesanstalt Handhabungsvorrichtung zur Manipulation von Mikrobauteilen
DE102008033615B3 (de) 2008-07-17 2009-12-24 All Welding Technologies Ag Kammeranordnung für eine Elektronenstrahlbearbeitungsvorrichtung
JP5903864B2 (ja) 2011-12-14 2016-04-13 セイコーエプソン株式会社 イオンミリング装置
JP6268680B2 (ja) 2016-06-14 2018-01-31 日新イオン機器株式会社 イオン源の運転方法
CN107610994B (zh) 2017-08-10 2019-06-07 江苏鲁汶仪器有限公司 一种离子束刻蚀系统
CN109950121B (zh) * 2019-04-15 2021-07-27 江苏鲁汶仪器有限公司 一种通电离子源挡板
CN110429016A (zh) * 2019-08-30 2019-11-08 江苏鲁汶仪器有限公司 一种带有旋转电极驱动的离子束刻蚀机

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4482419A (en) * 1983-02-03 1984-11-13 Anelva Corporation Dry etching apparatus comprising etching chambers of different etching rate distributions
CN101689492A (zh) * 2007-07-12 2010-03-31 应用材料股份有限公司 处理基板边缘区域的装置与方法
CN101645386A (zh) * 2008-08-08 2010-02-10 克朗斯股份公司 用于对中空体进行等离子体处理的设备和方法
WO2014185313A1 (ja) * 2013-05-15 2014-11-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
CN106676532A (zh) * 2015-11-10 2017-05-17 江苏鲁汶仪器有限公司 金属刻蚀装置及方法

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