KR20170044018A - 멀티-포트 밸브 어셈블리들을 가진 플라즈마 프로세싱 디바이스들 - Google Patents

Abstract

플라즈마 프로세싱 디바이스는 플라즈마 프로세싱 챔버, 플라즈마 전극 어셈블리, 웨이퍼 스테이지, 플라즈마 생성 가스 유입부, 복수의 진공 포트들, 적어도 하나의 진공 펌프, 및 멀티-포트 밸브 어셈블리를 포함할 수도 있다. 멀티-포트 밸브 어셈블리는 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 위치된 이동식 시일 플레이트를 포함할 수도 있다. 이동식 시일 플레이트는, 폐쇄된 상태에서 복수의 진공 포트들을 완전히 오버랩하도록, 부분적으로 개방된 상태에서 복수의 진공 포트들을 부분적으로 오버랩하도록, 그리고 개방된 상태에서 복수의 진공 포트들의 상당한 오버랩을 회피하도록 성형되고 사이징되는 가로 포트 시일링 표면을 포함할 수도 있다. 멀티-포트 밸브 어셈블리는 이동식 시일 플레이트에 커플링된 시일링 액추에이터 및 이동식 시일 플레이트에 커플링된 가로 액추에이터를 포함할 수도 있다.

Description

멀티-포트 밸브 어셈블리들을 가진 플라즈마 프로세싱 디바이스들{PLASMA PROCESSING DEVICES HAVING MULTI-PORT VALVE ASSEMBLIES}

본 명세서는 일반적으로 플라즈마 프로세싱 디바이스들, 보다 구체적으로, 플라즈마 프로세싱 디바이스들을 위한 밸브들에 관한 것이다.

플라즈마 프로세싱 디바이스들은 통상적으로 하나 이상의 진공 펌프들에 연결되는 플라즈마 프로세싱 챔버를 포함한다. 플라즈마 프로세싱 디바이스는 챔버와 진공 펌프들 사이의 유체 연통을 조절하는 하나 이상의 밸브들을 포함할 수도 있다. 본 명세서에 기술된 실시예들은 멀티-포트 밸브 어셈블리들을 가진 플라즈마 프로세싱 디바이스들에 관한 것이다. 일 실시예에 따르면, 플라즈마 프로세싱 디바이스는 플라즈마 프로세싱 챔버, 플라즈마 전극 어셈블리, 웨이퍼 스테이지, 플라즈마 생성 가스 유입부, 복수의 진공 포트들, 적어도 하나의 진공 펌프, 및 멀티-포트 밸브 어셈블리를 포함할 수도 있다. 플라즈마 전극 어셈블리 및 웨이퍼 스테이지는 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 위치될 수도 있고 그리고 플라즈마 생성 가스 유입부는 플라즈마 프로세싱 챔버와 유체로 연통할 수도 있다. 진공 펌프는 진공 포트들 중 적어도 하나를 통해 플라즈마 프로세싱 챔버와 유체로 연통할 수도 있다. 멀티-포트 밸브 어셈블리는 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 위치된 이동식 시일 플레이트를 포함할 수도 있다. 이동식 시일 플레이트는, 폐쇄된 상태에서 복수의 진공 포트들을 완전히 오버랩하도록, 부분적으로 개방된 상태에서 복수의 진공 포트들을 부분적으로 오버랩하도록, 그리고 개방된 상태에서 복수의 진공 포트들의 실질적인 오버랩을 방지하도록 성형되고 사이징되는 가로 포트 시일링 표면을 포함할 수도 있다. 멀티-포트 밸브 어셈블리는 이동식 시일 플레이트에 커플링된 가로 액추에이터를 포함할 수도 있고, 가로 액추에이터는 폐쇄된 상태, 부분적으로 개방된 상태, 및 개방된 상태 사이에서 가로 방향으로 이동식 시일 플레이트를 전이하기에 충분한 작동 (actuation) 의 가로 범위를 규정하고, 가로 방향은 이동식 시일 플레이트의 시일링 표면과 두드러지게 정렬되도록 배향된다. 멀티-포트 밸브 어셈블리는 이동식 시일 플레이트에 커플링된 시일링 액추에이터를 포함할 수도 있고, 시일링 액추에이터는 시일링된 상태와 시일링되지 않은 상태 사이에서 시일 인게이징 및 디스인게이징 경로를 따라 전후로 이동식 시일 플레이트를 전이하기에 충분한 작동의 시일링 범위를 규정하고, 시일 인게이징 및 디스인게이징 경로는 이동식 시일 플레이트의 시일링 표면에 대해 두드러지게 수직으로 배향된다.

또 다른 실시예에서, 플라즈마 프로세싱 디바이스는 플라즈마 프로세싱 챔버, 플라즈마 전극 어셈블리, 웨이퍼 스테이지, 플라즈마 생성 가스 유입부, 복수의 진공 포트들, 적어도 하나의 진공 펌프, 및 멀티-포트 밸브 어셈블리를 포함할 수도 있다. 플라즈마 전극 어셈블리 및 웨이퍼 스테이지는 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 위치될 수도 있다. 플라즈마 생성 가스 유입부는 플라즈마 프로세싱 챔버와 유체로 연통할 수도 있다. 진공 펌프는 진공 포트들 중 적어도 하나를 통해 플라즈마 프로세싱 챔버와 유체로 연통할 수도 있다. 멀티-포트 밸브 어셈블리는 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 위치된 이동식 시일 플레이트를 포함할 수도 있다. 이동식 시일 플레이트는, 폐쇄된 상태에서 복수의 진공 포트들을 완전히 오버랩하도록, 부분적으로 개방된 상태에서 복수의 진공 포트들을 부분적으로 오버랩하도록, 그리고 개방된 상태에서 복수의 진공 포트들의 실질적인 오버랩을 방지하도록 성형되고 사이징되는 가로 포트 시일링 표면을 포함할 수도 있다. 멀티-포트 밸브 어셈블리는 이동식 시일 플레이트에 커플링된 가로 액추에이터를 포함할 수도 있고, 가로 액추에이터는 폐쇄된 상태, 부분적으로 개방된 상태, 및 개방된 상태 사이에서 가로 방향으로 이동식 시일 플레이트를 전이하기에 충분한 작동의 가로 범위를 규정하고, 가로 방향은 이동식 시일 플레이트의 시일링 표면과 두드러지게 정렬되도록 배향된다. 가로 액추에이터는 회전 운동 액추에이터를 포함할 수도 있고 그리고 이동식 시일 플레이트는 중심 축을 포함한 회전하는 이동식 시일 플레이트를 포함한다. 멀티-포트 밸브 어셈블리는 이동식 시일 플레이트에 커플링된 시일링 액추에이터를 포함할 수도 있고, 시일링 액추에이터는 시일링된 상태와 시일링되지 않은 상태 사이에서 시일 인게이징 및 디스인게이징 경로를 따라 전후로 이동식 시일 플레이트를 전이하기에 충분한 작동의 시일링 범위를 규정하고, 시일 인게이징 및 디스인게이징 경로는 이동식 시일 플레이트의 시일링 표면에 대해 두드러지게 수직으로 배향된다.

일 실시예에서, 플라즈마 프로세싱 챔버와 복수의 진공 펌프들 사이의 복수의 개구들에 대한 복수의 밸브들을 제어하기 위한 복수의 제어기들, 예를 들어, 마스터 제어기 및 슬레이브 제어기, 등, 및 복수의 액추에이터들 대신에, 단일의 제어기 및 단일의 액추에이터는 개구들을 동시에 개방, 폐쇄, 시일링, 또는 시일링하지 않도록 단일의 밸브를 제어한다. 단일의 제어기 및 단일의 액추에이터의 사용은 복수의 제어기들 및 액추에이터들을 사용하는 것과 연관된 시간 및 비용들을 절약한다. 또한, 단일의 액추에이터의 사용은 복수의 액추에이터들의 사용과 비교하여 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 점유된 공간을 절약한다. 또한, 단일의 제어기의 사용은 복수의 밸브들의 위치들을 변화시키는 동안 마스터 제어기와 슬레이브 제어기 사이의 통신의 손실 가능성들을 감소시킨다.

본 명세서에 기술된 실시예들의 부가적인 특징들 및 이점들은 기술로부터 당업자들에게 쉽게 부분적으로 명백해질 그리고 기술을 따르는 상세한 기술에 제시되거나 청구항들, 뿐만 아니라 첨부된 도면들을 따르는 상세한 기술을 포함한, 본 명세서에 기술된 실시예들을 실시함으로써 인지될 것이다.

전술한 일반적인 기술 및 다음의 상세한 기술은 다양한 실시예들을 기술하고 그리고 청구된 주제의 성질 및 특성을 이해하기 위한 개요 또는 프레임워크 (framework) 를 제공하도록 의도된다는 것이 이해된다. 첨부된 도면들은 다양한 실시예들의 추가의 이해를 제공하도록 포함되고, 그리고 이 명세서의 일부에 포함되고 이 명세서의 일부를 구성한다. 도면들은 청구된 주제의 원리들 및 동작들을 설명하도록 기능하는 기술과 함께, 본 명세서에 기술된 다양한 실시예들을 예시한다.

도 1은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 멀티-포트 밸브 어셈블리를 포함한 플라즈마 프로세싱 디바이스의 절단된 정면도를 개략적으로 도시한다.
도 2는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 폐쇄된 상태의 멀티-포트 밸브 어셈블리를 개략적으로 도시한다.
도 3은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 개방된 상태의 멀티-포트 밸브 어셈블리를 개략적으로 도시한다.
도 4는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 부분적으로 개방된 상태의 멀티-포트 밸브 어셈블리를 개략적으로 도시한다.
도 5는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 멀티-포트 밸브 어셈블리의 베어링 어셈블리를 개략적으로 도시한다.
도 6은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 도 5의 베어링 어셈블리의 단면도를 개략적으로 도시한다.
도 7은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 도 5의 베어링 어셈블리의 절단도를 개략적으로 도시한다.
도 8은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 멀티-포트 밸브 어셈블리의 베어링 어셈블리의 단면도를 개략적으로 도시한다.
도 9는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 멀티-포트 밸브 어셈블리의 베어링 어셈블리의 단면도를 개략적으로 도시한다.
도 10은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 멀티-포트 밸브 어셈블리를 개략적으로 도시한다.
도 11은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 멀티-포트 밸브 어셈블리의 베어링 어셈블리의 단면도를 개략적으로 도시한다.
도 12는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 멀티-포트 밸브 어셈블리의 베어링 어셈블리의 단면도를 개략적으로 도시한다.
도 13a는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 멀티-포트 밸브 어셈블리의 등축도를 도시한다.
도 13b는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 도 13a의 멀티-포트 밸브 어셈블리의 상단 플레이트의 부분의 등축도이다.
도 14는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 플라즈마 프로세싱 챔버의 부분의 등축도이다.
도 15a는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 도 1의 플라즈마 프로세싱 디바이스와 연관된 플로우 컨덕턴스를 조정하기 위한 밸브 제어기의 사용을 예시하기 위한 방법의 플로우차트이다.
도 15b는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 레시피에 따라 도 2 또는 도 13a의 멀티-밸브 포트 어셈블리를 동작시키기 위한 방법의 플로우차트이다.
도 16a는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 도 2 또는 도 13a의 멀티-포트 밸브 어셈블리의 동작을 제어하기 위해 밸브 제어기 및 액추에이터 서브-시스템의 사용을 예시하기 위한 플라즈마 프로세싱 시스템의 블록도이다.
도 16b는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 도 2 또는 도 13a의 멀티-포트 밸브 어셈블리의 하단 플레이트에 대해 상단 플레이트의 부분들 또는 단단한 이동 가능한 시일 플레이트의 로브들 (lobe) 의 위치들을 더 변화시키도록 자기장들을 제어하기 위해서 밸브 제어기 및 액추에이터들의 기능을 예시하기 위한 복수의 시스템들의 블록도들을 포함한다.
도 17a는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 상단 플레이트의 부분들 또는 단단한 이동 가능한 시일 플레이트의 로브들 (도 3) 의 위치들을 제어하기 위한 방법의 플로우차트이다.
도 17b는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 이동 가능한 시일 플레이트가 플로우 컨덕턴스의 고 레벨의 변화를 달성하도록 가로 방향으로 이동되고 그리고 플로우 컨덕턴스의 저 레벨의 변화를 달성하도록 수직 방향으로 이동된다는 것을 예시하기 위한 방법의 플로우차트이다.
도 18a는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 센싱된 파라미터의 변화에 따라 도 2 또는 도 13a의 멀티-포트 밸브 어셈블리를 제어하기 위한 방법의 플로우차트이다.
도 18b는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 도 18a의 방법을 예시하기 위한 플라즈마 프로세싱 시스템의 블록도이다.
도 19는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른, 이동 가능한 시일 플레이트 또는 상단 플레이트의 이동에 따라 내부 구역으로부터 도 1의 플라즈마 프로세싱 디바이스의 진공 펌프들로의 플로우 컨덕턴스의 변화를 가진 컨덕턴스의 변화를 예시하기 위한 그래프들을 도시한다.

이제 플라즈마 프로세싱 장치들의 다양한 실시예들에 대한 참조가 상세히 이루어질 것이고, 그 예들은 첨부된 도면들에 예시된다. 가능한 한, 동일한 참조 번호들은 동일하거나 유사한 부분들을 나타내도록 도면들 전반에 걸쳐 사용될 것이다. 일 실시예에서, 플라즈마 프로세싱 디바이스는 플라즈마 프로세싱 디바이스의 플라즈마 프로세싱 챔버와 플라즈마 프로세싱 챔버에 부착된 진공 펌프들 사이의 유체 연통을 조절할 수도 있는 멀티-포트 밸브 어셈블리를 포함할 수도 있다. 멀티-포트 밸브 어셈블리는 폐쇄된 위치에 있는 동안 복수의 진공 포트들을 시일링하도록 동작 가능할 수도 있고 그리고 개방된 상태 또는 부분적으로 개방된 상태에서 유체 연통을 허용할 수도 있는 이동식 시일 플레이트를 포함할 수도 있다. 시일 플레이트는 단일의 시일 플레이트를 이동시키는 하나 이상의 액추에이터들을 사용하여 폐쇄된 위치와 개방된 위치 사이에서 이동될 수도 있다. 이와 같이, 진공 포트 각각은 시일 플레이트 및 별개의 액추에이터를 가진 진공 포트의 자체 밸브 어셈블리를 필요로 하지 않을 수도 있다. 부가적으로, 본 명세서에 기술된 멀티-포트 밸브 어셈블리들은 진공 펌프들 또는 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 기판을 오염시킬 수도 있는 그리스 (grease) 를 필요로 하지 않을 수도 있다. 또한, 본 명세서에 기술된 멀티-포트 밸브 어셈블리들은 플라즈마 프로세싱 챔버 내에 포함될 수도 있고, 플라즈마 프로세싱 디바이스의 감소된 사이즈를 허용한다.

도 1을 참조하면, 플라즈마 프로세싱 디바이스 (100) 가 도시된다. 일반적으로, 플라즈마 프로세싱 디바이스 (100) 는 예를 들어, 반도체, 예컨대, 실리콘, 또는 유리로 형성된 기판 (112) 으로부터 이격된 재료를 에칭하도록 활용될 수도 있다. 예를 들어, 기판 (112) 은 실리콘 웨이퍼, 예를 들어 300 ㎜ 웨이퍼, 450 ㎜ 웨이퍼, 또는 임의의 다른 사이즈의 웨이퍼일 수도 있다. 일 실시예에서, 플라즈마 프로세싱 디바이스 (100) 는 적어도 플라즈마 프로세싱 챔버 (110), 플라즈마 전극 어셈블리 (118), 웨이퍼 스테이지 (120), 플라즈마 생성 가스 유입부 (130), 적어도 하나의 진공 펌프 (150), 복수의 진공 포트들 (142), 및 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 를 포함할 수도 있다. 웨이퍼 스테이지 (120) 의 예들은 전극을 포함하는 척을 포함하고 그리고 다른 컴포넌트들 (components), 예를 들어, 설비 플레이트, 히터, 등을 포함할 수도 있다. 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 는 벽들, 예컨대, 상단 벽 (114), 측벽들 (116), 및 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 하단 벽인 진공 연결 벽 (140) 을 포함할 수도 있다. 복수의 진공 포트들 (142) 은 진공 연결 벽 (140) 을 통해 배치될 수도 있다. 진공 연결 벽 (140) 이 도 1에서 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 하단 상에 도시되지만, 이 위치는 단지 예시적이고, 그리고 진공 연결 벽 (140) 은 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 임의의 벽일 수도 있다. 적어도 하나의 진공 펌프들 (150) 각각은 진공 포트들 (142) 중 적어도 하나를 통해 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 와 유체로 연통할 수도 있다. 일 실시예에서, 진공 펌프 (150) 각각은 별개의 진공 포트 (142) 를 통해 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 와 유체로 연통한다. 예를 들어 별개의 진공 펌프들 (150) 에 각각 연결되는 진공 연결 벽 (140) 내에 각각 배치된 3 개의 진공 포트들 (142) 이 있을 수도 있다.

플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 는 적어도 플라즈마 전극 어셈블리 (118) 및 웨이퍼 스테이지 (120) 가 위치될 수도 있는 내부 구역 (122) 을 포함한다. 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 는 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 가 진공 펌프들 (150) 의 동작 후 폐쇄된 상태에 있는 동안과 같이, 플라즈마 프로세싱 챔버의 내부 (122) 내에서 저압을 유지하도록 동작 가능할 수도 있다. 플라즈마 생성 가스 유입부 (130) 는 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 와 유체로 연통할 수도 있고 그리고 플라즈마 생성 가스를 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 내부 구역 (122) 내로 전달할 수도 있다. 플라즈마 생성 가스는 기판 (112) 을 에칭하기 위해 활용될 수도 있는 플라즈마 상태 가스로 이온화되고 변환될 수도 있다. 예를 들어 에너자이징된 (energized) 소스 (RF (radio frequency), 마이크로파 또는 다른 소스) 는 플라즈마 가스를 생성하도록 에너지를 프로세스 가스에 인가할 수 있다. 플라즈마는 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 내부 구역 (122) 에 포함된 웨이퍼와 같은 기판 (112) 을 에칭할 수도 있다. 플라즈마 전극 어셈블리 (118) 는 샤워헤드 전극을 포함할 수도 있고, 그리고 기판 상의 에칭의 패턴을 명시하도록 동작할 수도 있다. 예를 들어, 미국 공개공보 제 2011/0108524 호는 이러한 플라즈마 프로세싱 디바이스의 일 실시예를 개시한다.

멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 는 이동식 시일 플레이트 (170) 를 포함할 수도 있다. 이동식 시일 플레이트 (170) 는 가로 포트 시일링 표면 (141) 을 포함할 수도 있다. 일부 실시예들에서, 이동식 시일 플레이트 (170) 는 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 내부 구역 (122) 내에 위치될 수도 있다. 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 는 베어링 어셈블리 (200) 를 더 포함할 수도 있다. 베어링 어셈블리 (200) 는 이동식 시일 플레이트 (170) 의 이동을 제약하도록 (constrain) 동작 가능할 수도 있다. 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 의 이동식 시일 플레이트 (170) 가 개방된 상태 또는 부분적으로 개방된 상태에 있는 동안 진공 포트들 (142) 을 통해 플라즈마 프로세싱 디바이스 (100) 와 각각 유체로 연통할 수도 있는 진공 펌프들 (150) 이 도시된다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, "개방된 상태"는 진공 펌프들 (150) 과 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 내부 구역 (122) 사이에 유체 연통이 있는 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 의 상태를 지칭한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, "폐쇄된 상태" 또는 "시일링된 상태"는 진공 펌프들 (150) 과 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 내부 구역 (122) 사이에 유체 연통이 없는 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 의 상태를 지칭한다. 로브들 (144) 이 시일링된 상태에 있을 때와 비교하여 로브들 (144) 이 시일링되지 않은 상태에 있을 때 내부 구역 (122) 으로부터 진공 펌프들 (150) 로의 보다 많은 양의 유체 연통이 있다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 개방된 상태 (때때로 "완전히 개방된 상태"로서 지칭됨), 부분적으로 개방된 상태, 및 폐쇄된 상태는 이동식 시일 플레이트 (170) 의 위치 또는 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 의 위치를 지칭할 수 있고, 그리고 특정한 상태에 있는 것으로서 이동식 시일 플레이트 (170) 또는 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 에 대한 지칭은 상호 교환 가능하게 사용될 수도 있다. 진공 펌프들 (150) 과 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 내부 구역 (122) 사이의 유체 연통의 상태 (완전히 개방됨, 부분적으로 개방됨, 또는 폐쇄됨) 는 이동식 시일 플레이트 (170) 의 위치에 의해 결정된다.

일 실시예에서, 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 는 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 일부분이다.

이제 도 1 내지 도 4를 참조하면, 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 가 진공 연결 벽 (140) 에 커플링되는 것으로 도시된다. 이동식 시일 플레이트 (170) 는 가로 포트 시일링 표면 (141) (이동식 시일 플레이트 (170) 의 밑면) 을 포함할 수도 있다. 일 실시예에서, 가로 포트 시일링 표면 (141) 은 실질적으로 평평하다. 가로 포트 시일링 표면 (141) 은, 폐쇄된 상태 (도 2에 도시됨) 에서 복수의 진공 포트들 (142) 을 완전히 오버랩하도록, 부분적으로 개방된 상태 (도 4에 도시됨) 에서 복수의 진공 포트들 (142) 을 부분적으로 오버랩하도록, 그리고 개방된 상태 (도 3에 도시됨) 에서 복수의 진공 포트들 (142) 의 실질적인 오버랩을 방지하도록, 성형되고 사이징될 수도 있다. 예를 들어, 각 (θ1) 은 밸브 포트 (142) 의 개구 (O1) 의 중심 (C1) 을 통과하는 가로 축과 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 의 질량 중심을 통과하는 축 (A1) 사이에 형성된다. 축 (A1) 은 이동 가능한 시일 플레이트 (170) 의 로브들 (144) 중 제 1 로브를 이등분한다. 또한, 각 (θ2) 은 밸브 포트 (142) 의 개구 (O2) 의 중심 (C2) 을 통과하는 가로 축과 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 의 질량 중심을 통과하는 축 (A2) 사이에 형성된다. 축 (A2) 은 이동 가능한 시일 플레이트 (170) 의 로브들 (144) 중 제 2 로브를 이등분한다. 또한, 각 (θ3) 은 밸브 포트 (142) 의 개구 (O3) 의 중심 (C3) 을 통과하는 가로 축과 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 의 질량 중심을 통과하는 축 (A3) 사이에 형성된다. 축 (A3) 은 이동 가능한 시일 플레이트 (170) 의 로브들 (144) 중 제 3 로브를 이등분한다.

일 실시예에서, 각들 (θ1, θ2, 및 θ3) 은 3 개의 로브들 (144) 이 밸브 포트들 (142) 의 개구들에 대해 부분적으로 개방된 위치, 폐쇄된 위치, 또는 개방된 위치에 있도록 이하에 더 기술되는 밸브 제어기에 의해 제어된다.

일 실시예에서, 각들 (θ1, θ2, 및 θ3) 은 항상, 각들 (θ1, θ2, 및 θ3) 이 동일하도록 밸브 제어기에 의해 제어된다. 각들 (θ1, θ2, 및 θ3) 이 동일할 때, 개구 (O1) 를 통한 재료들의 플로우 컨덕턴스는 개구 (O2) 를 통한 재료들의 플로우 컨덕턴스 및 개구 (O3) 를 통한 재료들의 플로우 컨덕턴스와 동일하다.

이동식 시일 플레이트 (170) 는 일원화된 구조체를 포함할 수도 있고 그리고 적어도 2 개의 시일링 로브들 (144) 을 포함할 수도 있다. 이동식 시일 플레이트 (170) 가 폐쇄된 상태에 있는 동안 시일링 로브 (144) 각각은 진공 포트 (142) 를 오버랩할 수도 있다. 시일링 로브들 (144) 은 대응하는 개별적인 진공 포트들 (142) 을 오버랩하도록 서로에 대해 사이징되고 위치될 수도 있다. 시일링 로브들 (144) 은 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 의 하단 플레이트 (147) 의 상단 상에 위치된다. 도 2 내지 도 4가 3 개의 대응하는 시일링 로브들 (144) 을 포함한 시일 플레이트와 함께 3 개의 진공 포트들 (142) 을 포함한 진공 연결 벽 (140) 을 도시하지만, 진공 연결 벽 (140) 은 대응하는 수의 시일링 로브들 (144) 을 가진 임의의 수의 진공 포트들 (142) 을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 도 10은 2 개의 대응하는 시일링 로브들 (144) 을 포함한 이동식 시일 플레이트 (170) 와 함께 2 개의 진공 포트들 (142) 을 포함한 진공 연결 벽 (140) 을 개략적으로 도시한다. 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 는 베어링 어셈블리 (200) 를 포함할 수도 있다. 베어링 어셈블리 (200) 는 이동식 시일 플레이트 (170) 아래에 배치될 수도 있고 그리고 진공 연결 벽 (140) 위에, 예컨대 이동식 시일 플레이트 (170) 와 진공 연결 벽 (140) 사이에 배치될 수도 있다.

멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 는 피드 쓰루 포트 (145) 를 포함할 수도 있다. 피드 쓰루 포트 (145) 는 플라즈마 전극 어셈블리 (118) 가 플라즈마 프로세싱 디바이스 (100) 상에 구성될 때 플라즈마 전극 어셈블리 (118) 의 적어도 일부분을 둘러쌀 수도 있고, 그리고 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 로 하여금 주위 환경과 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 내측 부분 사이의 유체 플로우를 제약하도록 플라즈마 프로세싱 디바이스 (100) 주위에 피팅되게 (fit) 할 수도 있다. 일 실시예에서, 피드 쓰루 포트 (145) 는 예를 들어, 플라즈마 전극 어셈블리 (118) 의 실린더 형상의 섹션 주위에 피팅되도록 실질적으로 원형으로 성형될 수도 있다. 그러나, 피드 쓰루 포트 (145) 는 예컨대, 이동식 시일 플레이트 (170) 의 자유로운 이동을 허용하도록 임의의 형상을 가질 수도 있다. 이동식 시일 플레이트 (170) 는 피드 쓰루 포트 (145) 주위에 배치될 수도 있고, 그리고 적어도 2차원들로 피드 쓰루 포트 (145) 를 완전히 둘러쌀 수도 있다.

도 2는 가로 포트 시일링 표면 (141) 이 복수의 진공 포트들 (142) 을 완전히 오버랩하도록 이동식 시일 플레이트 (170) 가 위치되는 폐쇄된 상태의 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 를 도시한다. 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 는 폐쇄된 상태에 있는 동안 유체 연통을 제한할 수도 있고 그리고 밀봉된 (hermetic) 시일을 형성할 수도 있다. 도 3은 이동식 시일 플레이트 (170) 가 복수의 진공 포트들 (142) 과의 실질적인 오버랩을 방지하도록 위치되는 개방된 상태의 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 를 도시한다. 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 는 개방된 상태에 있는 동안 유체 연통을 실질적으로 제한하지 않는다. 도 4는 이동식 시일 플레이트 (170) 가 복수의 진공 포트들 (142) 을 부분적으로 오버랩하도록 위치되는 부분적으로 개방된 상태의 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 를 도시한다. 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 는 부분적으로 개방된 상태에 있는 동안 유체 연통을 부분적으로 제한한다. 부분적으로 개방된 상태는 진공 펌프들 (150) 을 쓰로틀링하도록 (throttle) 활용될 수도 있다.

도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 이동식 시일 플레이트 (170) 는 가로 방향으로 이동할 수도 있다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, "가로"는 이동식 시일 플레이트 (170) 의 시일링 표면과 두드러지게 정렬되도록 배향된 방향을 지칭한다. 예를 들어, 도 2 내지 도 4에서, "가로" 방향은 실질적으로 x-축 및 y-축의 평면에 있다. 예를 들어 본 명세서에서 회전하는 시일 플레이트로서 지칭되는, 시일 플레이트 (170) 는 회전 또는 회전하는 경로로 이동할 수도 있다. 일부 실시예들에서, 이동식 시일 플레이트 (170) 는 회전하는 이동식 시일 플레이트일 수도 있다. 회전하는 이동식 시일 플레이트 (170) 는 중심 축을 중심으로 회전할 수도 있다. 이러한 회전하는 이동식 시일 플레이트 (170) 는 도 2 내지 도 4의 실시예들에 도시된다.

일부 실시예들에서, 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 는 가로 액추에이터를 포함할 수도 있다. 가로 액추에이터는 이동식 시일 플레이트 (170) 에 커플링될 수도 있고 그리고 작동의 가로 범위를 규정할 수도 있다. 작동의 가로 범위는 폐쇄된 상태, 부분적으로 개방된 상태, 및 개방된 상태 사이에서 가로 방향으로 이동식 시일 플레이트 (170) 를 전이하기에 충분할 수도 있다. 가로 액추에이터는 가로 방향으로, 예컨대 개방된 상태와 폐쇄된 상태 사이에서 이동식 시일 플레이트 (170) 를 전이할 수 있는 임의의 기계적 컴포넌트일 수도 있다. 일 실시예에서, 가로 액추에이터는 이동식 시일 플레이트 (170) 와 직접적으로 기계적으로 콘택트함으로써 커플링될 수도 있다. 또 다른 실시예에서, 가로 액추에이터는 예컨대 자성에 의해 콘택트하지 않는 수단을 통해 커플링될 수도 있다. 일 실시예에서, 가로 액추에이터는 이동식 시일 플레이트 (170) 로 하여금 하단 플레이트 (147) 의 중심 축, 예를 들어, 수직 축 (149) 을 중심으로 회전하게 할 수 있는 회전 운동 액추에이터를 포함한다. 수직 축 (149) 은 하단 플레이트 (147) 의 질량 중심을 통과한다.

이동식 시일 플레이트 (170) 는 시일 인게이징/디스인게이징 경로로 이동할 수도 있다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, "인게이징 경로" 또는 "디스인게이징 경로"는 이동식 시일 플레이트 (170) 의 시일링 표면에 대해 두드러지게 수직으로 배향된 경로를 지칭한다. 예를 들어, 도 2 내지 도 4에서, 인게이징 경로 방향은 실질적으로 z-축의 방향이다. 이동식 시일 플레이트 (170) 는 시일 인게이징/디스인게이징 경로의 방향으로 적어도 약 2 ㎜, 4 ㎜, 6 ㎜, 8 ㎜ 10 ㎜, 12 ㎜, 20 ㎜, 50 ㎜, 또는 그 이상을 이동하도록 동작 가능할 수도 있다. 일 실시예에서, 시일 플레이트는 시일 인게이징/디스인게이징 경로의 방향으로 약 10 ㎜ 내지 약 15 ㎜ 이동하도록 동작 가능하다.

일부 실시예들에서, 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 는 시일링 액추에이터를 포함할 수도 있다. 시일링 액추에이터는 이동식 시일 플레이트 (170) 에 커플링될 수도 있고 그리고 작동의 시일링 범위를 규정할 수도 있다. 작동의 시일링 범위는 시일링된 상태와 시일링되지 않은 상태 사이에서 시일 인게이징 및 디스인게이징 경로를 따라 전후로 이동식 시일 플레이트 (170) 를 전이하기에 충분할 수도 있다. 일 실시예에서, 시일링 액추에이터는 이동식 시일 플레이트 (170) 와 직접적으로 기계적으로 콘택트함으로써 커플링될 수도 있다. 또 다른 실시예에서, 시일링 액추에이터는 예컨대, 자성에 의해 콘택트하지 않는 수단을 통해 커플링될 수도 있다.

일 실시예에서, 이동식 시일 플레이트 (170) 는 가로 방향과 시일 인게이징/디스인게이징 경로 방향 양자로 이동할 수도 있다.

이제 도 3을 참조하면, 일 실시예에서, 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 는 적어도 하나의 o-링 (148) 을 포함할 수도 있다. o-링 (148) 은 하나 이상의 진공 포트들 (142) 둘레에 위치될 수도 있다. 이동식 시일 플레이트 (170) 는 이동식 시일 플레이트 (170) 가 폐쇄된 상태에 있는 동안 각각의 o-링 (148) 과 직접적으로 콘택트할 수도 있다. o-링들 (148) 은 이동식 시일 플레이트 (170) 가 폐쇄된 상태에 있는 동안 밀봉된 시일을 형성하는 것을 도울 수도 있다.

일 실시예에서, 이동식 시일 플레이트 (170) 는 가로 방향과 시일링 방향 양자로의 시일 플레이트 (170) 의 이동에 의해 폐쇄된 상태, 부분적으로 개방된 상태, 및 개방된 상태 사이에서 전이한다. 일부 실시예들에서, 가로 방향과 시일링 방향으로의 시일 플레이트 (170) 의 이동은 가로 액추에이터 및 시일링 액추에이터 각각에 의해 작동될 수도 있다. 다른 실시예들에서, 가로 액추에이터 및 시일링 액추에이터는 가로 방향과 시일링 방향 양자로 시일 플레이트 (170) 의 운동을 작동시킬 수도 있는 단일의 액추에이터를 포함할 수도 있다.

일 실시예에서, 도 2에 도시된 폐쇄된 상태는 진공 연결 벽 (140) 과 콘택트하고 그리고 진공 포트들 (142) 을 오버랩하는 이동식 시일 플레이트 (170) 를 포함할 수도 있다. 밀봉된 시일이 형성될 수도 있다. 이동식 시일 플레이트 (170) 는 시일링 액추에이터에 의해 z-축 방향으로 진공 연결 벽 (140) 을 향하여 홀딩될 수도 있다.

부분적으로 개방된 상태로 이동하도록, 시일링 액추에이터는 진공 연결 벽 (140) 으로부터 이격되어 z-축 방향으로 이동식 시일 플레이트 (170) 의 이동을 유발할 수도 있다. 진공 연결 벽 (140) 에 이격된 이동식 시일 플레이트 (170) 에 의한 이동 후에, 가로 액추에이터는 가로 방향으로의 이동식 시일 플레이트 (170) 의 이동, 예컨대, 도 4에 도시된 부분적으로 개방된 상태로의 이동식 시일 플레이트 (170) 의 회전을 유발할 수도 있다. 이동식 시일 플레이트 (170) 는 도 3에 도시된 개방된 상태를 달성하도록 더 회전될 수도 있다. 예를 들어, 시일 플레이트 (170) 는 도 2의 실시예에서 개방된 상태와 폐쇄된 상태 사이에서 약 60° 회전하기만 하면 될 수도 있다.

이동식 시일 플레이트 (170) 를 개방된 상태로부터 폐쇄된 상태로 이동시키도록, 가로 액추에이터는 가로 방향으로의 이동식 시일 플레이트 (170) 의 이동, 예컨대 도 4에 도시된 부분적으로 개방된 상태로의 이동식 시일 플레이트 (170) 의 회전을 유발할 수도 있다. 이동식 시일 플레이트 (170) 는 이동식 시일 플레이트 (170) 가 진공 포트들 (142) 을 완전히 오버랩할 때까지 가로 액추에이터에 의해 더 회전될 수도 있다. 일단 이동식 시일 플레이트 (170) 가 진공 포트들 (142) 을 오버랩한다면, 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 와 진공 펌프들 (150) 사이의 유체 연통을 허용하지 않는 밀봉된 시일이 생성될 때까지 시일링 액추에이터는 진공 연결 벽 (140) 을 향하여 이동식 시일 플레이트 (170) 을 이동시킬 수도 있다.

다른 실시예들에서, 이동식 시일 플레이트 (170) 는 z-축 방향으로의 이동을 활용하지 않고 개방된 상태와 폐쇄된 상태 사이를 이동할 수도 있다. 예를 들어, 이동식 시일 플레이트 (170) 는 진공 연결 벽 (140) 에 걸쳐 슬라이딩할 수도 있고, 진공 연결 벽 (140) 과 항상 콘택트하여 머문다. 또 다른 실시예에서, 이동식 시일 플레이트 (170) 는 가로 방향으로의 이동을 활용하지 않고 개방된 상태와 폐쇄된 상태 사이를 이동할 수도 있다. 예를 들어, 이동식 시일 플레이트 (170) 는 유체 연통을 허용하고 그리고 유체 연통을 허용하지 않도록 z-축 방향으로만 이동할 수도 있다.

도 1 및 도 5 내지 도 7을 참조하면, 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 는 베어링 어셈블리 (200) 를 더 포함할 수도 있다. 베어링 어셈블리 (200) 는 가로 방향, 시일 인게이징 및 디스인게이징 경로의 방향, 또는 양자로의 이동식 시일 플레이트 (170) 의 이동을 제약하도록 동작 가능할 수도 있다. 베어링 어셈블리들 (200) 의 몇몇의 실시예들이 본 명세서에 개시되지만, 베어링 어셈블리 (200) 가 이동식 시일 플레이트 (170) 의 이동을 제한할 수 있는 임의의 기계적 또는 다른 디바이스 또는 시스템일 수도 있음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 일 실시예에서, 베어링 어셈블리 (200) 는 트랙 (186) 과 같은 안내 수단에 의해 제약된 운동의 범위를 규정할 수도 있다.

이제 도 5 내지 도 7을 참조하면, 일 실시예에서, 베어링 어셈블리 (200) 는 트랙 (186) 및 휠들 (184) 을 포함한 캐리지 (180) 를 포함한다. 휠들 (184) 은 휠들 (184) 이 터닝하고 (turn) 캐리지 (180) 의 이동을 허용할 수도 있도록 캐리지 (180) 에 커플링될 수도 있다. 도 5는 트랙 (186) 상의 휠들 (184) 을 포함한 이러한 베어링 어셈블리 (200) 의 실시예의 절단도를 도시한다. 휠들 (184) 은 트랙 (186) 과 직접적으로 콘택트하여 놓일 수도 있다. 트랙 (186) 및 캐리지 (180) 는 원형일 수도 있고, 그리고 휠들 (184) 의 운동의 원형 범위를 규정할 수도 있다. 베어링 어셈블리 (200) 는 이동식 시일 플레이트 (170) (도 5에 미도시) 에 기계적으로 커플링될 수도 있고 그리고 이동식 시일 플레이트 (170) 로 시일링 액추에이터를 이동시킬 수도 있는 하나 이상의 플레이트 부착 부재들 (182) 을 더 포함할 수도 있다.

이제 도 6을 참조하면, 도 5의 베어링 어셈블리 (200) 의 휠 섹션을 통한 단면도가 도시된다. 휠 (184) 은 휠 (184) 이 원형일 수도 있는 트랙 (186) 의 방향으로 자유롭게 이동하고 회전하도록 캐리지 (180) 에 커플링될 수도 있다. 휠 (184) 은 트랙 (186) 및 이동식 시일 플레이트 (170) 와 콘택트할 수도 있고 그리고 트랙 (186) 과 이동식 시일 플레이트 (170) 사이에 있을 수도 있다. 휠들 (184) 은 트랙 (186) 에 대해 회전 방향으로 이동식 시일 플레이트 (170) 의 자유로운 이동을 허용할 수도 있다.

이제 도 7을 참조하면, 플레이트 부착 부재 (182) 를 도시한 도 5의 베어링 어셈블리 (200) 의 절단도가 도시된다. 플레이트 부착 부재들 (182) 은 트랙 (186) 에 기계적으로 커플링될 수도 있고 그리고 트랙 (186) 은 액추에이터 커플링 부착부 (190) 에 기계적으로 커플링될 수도 있다. 일 실시예에서, 액추에이터 커플링 부착부 (190) 는 시일링 액추에이터를 포함할 수도 있다. 예를 들어, 액추에이터 커플링 부착부 (190) 는 플레이트 부착 부재 (182), 캐리지 (180), 트랙 (186) 의 z-축 방향으로의 이동을 유발할 수 있고, 그리고 이동식 시일 플레이트 (170) 의 z-축 방향으로의 이동을 유발할 수 있는 공압식 액추에이터일 수도 있다. 액추에이터 커플링 부착부 (190) 는 주위 분위기로부터 챔버의 진공 부분을 시일링하도록 진공 시일로서 동작할 수도 있다. 일부 실시예들에서, 액추에이터 커플링 부착부 (190) 는 벨로즈 (192) 를 포함할 수도 있다. 벨로즈 (192) 는 액추에이터 커플링 부착부 (190) 가 z-축 방향으로 이동할 때 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 주위 분위기 구역 (122) 으로부터 챔버의 진공 부분을 분리하도록 기능할 수도 있다.

이제 도 8을 참조하면, 베어링 어셈블리 (200) 의 또 다른 실시예의 단면도가 도시된다. 이러한 실시예에서, 베어링 어셈블리 (200) 는 트랙 (186) 에 대해 가로 방향으로 배향되는 휠들 (184) 을 포함할 수도 있다. 베어링 어셈블리 (200) 는 트랙 (186) 에 커플링되는 액추에이터 커플링 부착부 (190) 및 플레이트 부착 부재 (182) 를 각각 포함할 수도 있다. 도 8의 실시예에서, 휠들 (184) 은 윤곽을 이루는 트랙 (186) 과 매칭하도록 홈이 있을 수도 있다. 휠들 (184) 은 이동식 시일 플레이트 (170) 에 직접 커플링될 수도 있다. 도 8은 플레이트 부착 부재들 (182) 로 하여금 이동식 시일 플레이트 (170) 로 이동시키는, 이동식 시일 플레이트 (170) 에 커플링된 플레이트 부착 부재 (182) 를 도시한다. 이러한 실시예에서, 이동식 시일 플레이트 (170) 가 휠들 (184) 상에서 회전하는 동안 트랙 (186) 및 플레이트 부착 부재 (182) 는 고정된 채로 남아 있다. 플레이트 부착 부재 (182) 가 가로 방향으로 시일 플레이트 (170) 의 이동을 작동시키지 않지만, 액추에이터 커플링 부착부 (190) 가 시일링 액추에이터, 예컨대, 공압식 액추에이터에 의해 z-축 방향으로 이동될 때 시일링 방향으로 시일 플레이트 (170) 의 이동을 작동시킨다.

이제 도 9를 참조하면, 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 의 또 다른 실시예가 도시된다. 일부 실시예들에서, 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 는 인터리빙된 (interleaved) 시일링 연장부들 (193, 194, 195, 196) 을 포함한 래버린스 설계 (191) 를 포함할 수도 있다. 일 실시예에서, 적어도 하나의 시일링 연장부 (193, 196) 는 이동식 시일 플레이트 (170) 에서 나올 수도 있고 그리고 적어도 하나의 시일링 연장부 (194,195) 는 이동식 시일 플레이트 (170) 의 시일링 표면 반대편의 챔버 부재 (197) 에서 나올 수도 있다 (emanate). 그러나, 임의의 수의 시일링 연장부들 (193, 194, 195, 196) 이 챔버 부재 (197) 또는 이동식 시일 플레이트 (170) 에서 나올 수도 있다. 일 실시예에서, 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 는 휠들 (184) 의 각각의 측면 상에 래버린스 설계 (191) 를 포함할 수도 있다. 래버린스 설계 (191) 는 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 내부 구역 (122) 으로부터 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 외부로의 입자들의 통과 및 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 외부로부터 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 내부 구역 (122) 으로의 입자들의 통과를 방해하도록 동작 가능할 수도 있다.

래버린스 설계 (191) 를 포함한 플라즈마 프로세싱 디바이스 (100) 의 일 실시예에서, 시일링 액추에이터는 시일링 방향으로 이동식 시일 플레이트 (170), 캐리지 (180), 휠들 (184), 트랙 (186), 시일링 연장부 (196), 및 시일링 연장부 (193) 의 이동을 작동시킬 수도 있다. 진공 연결 벽 (140), 시일링 연장부들 (194, 195), 및 챔버 부재들 (197) 은 고정된 채로 남아 있을 수도 있다.

일 실시예에서, 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 의 적어도 일부분은 정전기적으로 대전될 수도 있다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, "정전기적으로 대전된"은 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 의 섹션을 통해 퍼지는 전기 전하를 지칭한다. 예를 들어, 일 실시예에서, 인터리빙된 시일링 연장부들 (193, 194, 195, 196) 중 적어도 하나는 정전기적으로 대전될 수도 있다. 전하는 입자들을 끌어당기거나 입자들을 빗나가게 (detract) 하도록 기능할 수도 있다. 예를 들어, 전하는 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 내부 구역 (122) 으로부터 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 외부로의 입자들의 통과 및 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 외부로부터 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 내부 구역 (122) 으로의 입자들의 통과를 방해하도록 동작 가능할 수도 있다.

이제 도 10을 참조하면, 일 실시예에서, 가로 액추에이터는 기계적 크랭크 (164) 를 포함할 수도 있다. 기계적 크랭크 (164) 는 가로 방향으로 시일 플레이트 (170) 를 이동시키도록 동작 가능할 수도 있다. 기계적 크랭크 (164) 는 커플링 지점 (165) 에서 이동식 시일 플레이트 (170) 에 커플링된 크랭크 샤프트 (162) 를 포함할 수도 있다. 커플링 지점 (165) 은 커플링 지점 (165) 으로 하여금 이동식 시일 플레이트 (170) 의 에지를 따라 슬라이딩하게 하는 동안 이동식 시일 플레이트 (170) 에 기계적 크랭크 (164) 를 기계적으로 커플링할 수도 있다. 크랭크 샤프트 (162) 는 가로 방향으로 이동식 시일 플레이트 (170) 를 이동시키도록 회전할 수도 있다. 크랭크 샤프트 (162) 가 회전되어 커플링 지점 (165) 으로 하여금 이동식 시일 플레이트 (170) 의 에지를 따라 슬라이딩하게 하고 그리고 이동식 시일 플레이트 (170) 로 이동하게 할 수도 있다. 일 실시예에서, 크랭크 샤프트 (162) 는 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 외부로부터 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 내부 구역 (122) 으로 연장할 수도 있다. 크랭크 샤프트 (162) 의 회전은 모터 또는 다른 기계적 수단에 의해 제어될 수도 있다.

또 다른 실시예에서, 가로 액추에이터는 자기 시스템을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 시일 플레이트 (170) 는 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 외부에 위치되는 제 2 자기 컴포넌트에 자기적으로 커플링될 수도 있는 제 1 자기 컴포넌트를 포함할 수도 있다. 제 2 자기 컴포넌트의 이동은 가로 방향으로 이동식 시일 플레이트 (170) 의 운동을 작동시킬 수도 있다.

또 다른 실시예에서, 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 는 페로-유체 시일 (174) 을 포함할 수도 있다. 도 11은 페로-유체 시일 (174) 의 실시예의 단면도를 도시한다. 페로-유체 시일 (174) 은 페로-유체 (172) 를 포함할 수도 있다. 일 실시예에서, 이동식 시일 플레이트 (170) 는 플레이트 부재 (178) 를 포함할 수도 있고, 그리고 페로-유체 (172) 는 이동식 시일 플레이트 (170) 의 플레이트 부재 (178) 와 이동식 시일 플레이트 (170) 의 시일링 표면 반대편의 챔버 부재 (146) 사이에 위치될 수도 있다. 페로-유체 시일 (174) 은 페로-유체 (172) 의 형태로 물리적 배리어에 의해 밀봉된 시일을 유지하는 동안 이동식 시일 플레이트 (170) 를 회전시키도록 사용될 수도 있는 자기 액체 시일링 시스템일 수도 있다.

또 다른 실시예에서, 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) 는 자기 액추에이터 시스템을 포함할 수도 있다. 자기 액추에이터 시스템은 이동식 시일 플레이트 (170) 를 공중 부양시키도록 (levitate) 동작 가능할 수도 있다. 도 12는 공중 부양하는 시일 플레이트 (170) 의 실시예의 단면도를 도시한다. 시일 플레이트 (170) 는 진공 연결 벽 (140) 의 형상에 대해 윤곽을 이루는 플레이트 부재 (176) 를 포함할 수도 있다. 이동식 시일 플레이트 (170) 는 제 1 자기 컴포넌트를 포함할 수도 있다. 제 1 자기 컴포넌트는 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 외부에 위치되는 제 2 자기 컴포넌트에 자기적으로 커플링될 수도 있다. 자기 시스템은 가로 방향 및 시일링 방향으로 이동식 시일 플레이트 (170) 의 이동을 작동시킬 수도 있다.

이러한 일 실시예에서, 가로 액추에이터는 자기 액추에이터 시스템을 포함할 수도 있고 그리고 시일링 액추에이터는 자기 액추에이터 시스템을 포함할 수도 있다. 가로 액추에이터 및 시일링 액추에이터는 동일한 자기 액추에이터 시스템을 포함할 수도 있다. 도 12에 도시된 실시예에서, 자기 액추에이터 시스템은 이동식 시일 플레이트 (170) 를 공중 부양시키도록 그리고 이동식 시일 플레이트 (170) 의 운동을 폐쇄된 상태로부터 개방된 상태로 그리고 그 반대로 작동시키도록 동작 가능하다.

도 13a는 멀티-포트 밸브 어셈블리 (1300) 의 등축도를 포함한다. 멀티-포트 밸브 어셈블리 (1300) 는 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) (도 2) 가 피팅되는 동일한 방식으로 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) (도 1) 의 하단에 피팅된다. 예를 들어, 멀티-포트 밸브 어셈블리 (1300) 는 플라즈마 프로세싱 챔버 (160) 의 측벽들 (116) 에 나사 결합되고 그리고/또는 볼트 결합되고 그리고 측벽들 (116) 과 멀티-포트 밸브 어셈블리 (1300) 사이의 모든 공간은 시일링된다. 또 다른 예로서, 멀티-포트 밸브 어셈블리 (1300) 는 측벽들 (116) 에 용접되거나 화학적으로 본딩되거나 양자로 결합된다.

멀티-포트 밸브 어셈블리 (1300) 는 상단 플레이트 (1304) 및 하단 플레이트 (147) 를 포함한다. 상단 플레이트 (1304) 는 이동 가능한 시일 플레이트 (170) (도 3) 가 하단 플레이트 (147) 에 대해 이동 가능한 방식으로 하단 플레이트 (147) 에 대해 이동 가능하다. 예를 들어, 상단 플레이트 (1304) 는 하단 플레이트 (147) 에 대해 회전하거나 공중 부양한다. 또 다른 예로서, 도 5와 도 6 또는 도 7과 도 8 또는 도 9에서 사용된 메커니즘은 하단 플레이트 (147) 에 대해 상단 플레이트 (1304) 를 지지하도록 사용된다.

상단 플레이트 (1304) 는 하단 플레이트 (147) 의 복수의 개구들의 형상과 동일한 형상인 복수의 개구들 (1306A, 1306B, 및 1306C) 을 포함한다. 개구 (1306A) 는 부분 (1302A) 과 부분 (1302B) 사이에 있고 그리고 개구 (1306B) 는 부분 (1302B) 과 부분 (1302C) 사이에 있다. 개구 (1306C) 는 부분 (1302C) 과 부분 (1302A) 사이에 있다.

부분 (1302A) 은 개구들 (1306A 및 1306C), 멀티-포트 밸브 어셈블리 (1300) 의 피드 쓰루 포트 (145) 의 부분과 상단 플레이트 (1304) 의 주변 에지의 부분 사이에 위치된다. 유사하게, 부분 (1302B) 은 개구들 (1306A 및 1306B), 피드 쓰루 포트 (145) 의 부분과 상단 플레이트 (1304) 의 주변 에지의 부분 사이에 위치된다. 또한, 부분 (1302C) 은 개구들 (1306B 및 1306C), 피드 쓰루 포트 (145) 의 부분과 상단 플레이트 (1304) 의 주변 에지의 부분 사이에 위치된다.

하단 플레이트 (147) 의 에지 부분 (1310) 은 에지 부분 (1310) 을 따라 있는 코일을 포함한다. 예를 들어, 에지 부분 (1310) 내의 코일은 하단 플레이트 (147) 의 원주를 따라 전체 에지 부분 (1310) 내에 위치된다. 또한, 하단 플레이트 (147) 의 에지 부분 (1312) 은 에지 부분 (1312) 을 따라 있는 코일을 포함한다. 예를 들어, 에지 부분 (1312) 내의 코일은 하단 플레이트 (147) 의 원주를 따라 전체 에지 부분 (1312) 내에 위치된다. 에지 부분 (1312) 이 에지 부분 (1310) 위에 위치된다는 것이 주의되어야 한다. 이동식 시일 플레이트 (1314) 는 상단 플레이트 (1304) 가 하단 플레이트 (147) 위에 위치될 때 상단 플레이트 (1304) 및 하단 플레이트 (147) 위에 위치된다. 또한, 이동식 챔버 라이너 지지부 (1316) 는 피드 쓰루 포트 (145) 를 둘러싼다.

전류가 에지 부분 (1310) 내의 코일을 통과할 때, 전기장 및 자기장이 코일 주위에 생성되고, 그리고 자기장은 수직 방향으로, 예를 들어, z-축을 따라, 상측을 향하여, 하측을 향하여, 등으로 배향된다. 또한, 전류가 에지 부분 (1312) 내의 코일을 통과할 때, 전기장 및 자기장이 코일 주위에 생성되고, 그리고 자기장은 가로 방향으로, 예를 들어, x-축과 y-축 사이의 x-y 평면을 따라, 등으로 배향된다. 가로 방향으로 배향된 자기장들은 각들 (θ1, θ2, 및 θ3) 의 동시 변경을 용이하게 한다. 각 (θ1) 은 밸브 포트 (142) 의 개구 (O1) 의 중심 (C1) 을 통과하는 가로 축과 멀티-포트 밸브 어셈블리 (1300) 의 질량 중심을 통과하는 축 (A1) 사이에 형성된다. 축 (A1) 은 상단 플레이트 (1304) 의 부분 (1302A) 을 이등분한다. 또한, 각 (θ2) 은 밸브 포트 (142) 의 개구 (O2) 의 중심 (C2) 을 통과하는 가로 축과 멀티-포트 밸브 어셈블리 (1300) 의 질량 중심을 통과하는 축 (A2) 사이에 형성된다. 축 (A2) 은 상단 플레이트 (1304) 의 부분 (1302C) 을 이등분한다. 또한, 각 (θ3) 은 밸브 포트 (142) 의 개구 (O3) 의 중심 (C3) 을 통과하는 가로 축과 멀티-포트 밸브 어셈블리 (1300) 의 질량 중심을 통과하는 축 (A3) 사이에 형성된다. 축 (A3) 은 상단 플레이트 (1304) 의 부분 (1302B) 을 이등분한다.

일 실시예에서, 각들 (θ1, θ2, 및 θ3) 은, 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 이 밸브 포트들 (142) 의 개구들에 대해 부분적으로 개방된 위치, 폐쇄된 위치, 또는 개방된 위치에 있도록, 이하에 더 기술되는 밸브 제어기에 의해 제어된다.

일 실시예에서, 각들 (θ1, θ2, 및 θ3) 은 항상, 각들 (θ1, θ2, 및 θ3) 이 동일하도록 밸브 제어기에 의해 제어된다.

3 개의 진공 펌프들 (150) 이 사용되는 도 13a의 실시예가 도시된다. 2 개의 진공 펌프들 (150) 이 사용되는 경우에, 상단 플레이트 (1304) 는 서로 이격된 2 개의 개구들을 포함한다. 예를 들어, 개구들 양자는 상단 플레이트 (1304) 상에 180 도의 각으로 위치되고 그리고 하단 플레이트 (147) 는 서로에 대해 180 도로 배향된 2 개의 개구들을 포함한다.

일 실시예에서, 멀티-포트 밸브 어셈블리 (1300) 는 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 부분이다.

도 13b는 상단 플레이트 (1304) 의 부분의 실시예의 등축도이다. 상단 플레이트 (1304) 는 공중 부양, 예를 들어, z-축을 따른 상단 플레이트 (1304) 의 이동, 등을 위해, 하나 이상의 자석들 (1332), 예를 들어, 영구 자석들, 네오디뮴 자석들, 희토류 금속 자석들, 등을 포함한다. 예를 들어, 상단 플레이트 (1304) 는 자석들의 세트, 예를 들어, 2 개의 자석들, 4 개의 자석들, 등을 포함한다. 하나 이상의 자석들 (1332) 은 상단 플레이트 (1304) 의 공중 부양을 용이하게 하기 위해서 수직 방향으로 배향되는 대응하는 하나 이상의 자기장들을 생성한다. 상단 플레이트 (1304) 는 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 로부터 진공 펌프들 (150) 로의 재료들의 플로우를 쓰로틀링하기 위해서 x-y 평면을 따른 상단 플레이트 (1304) 의 회전을 위해, 하나 이상의 자석들 (1334), 예를 들어, 영구 자석들, 네오디뮴 자석들, 희토류 금속 자석들, 등을 더 포함한다. 예를 들어, 상단 플레이트 (1304) 는 상단 플레이트 (1304) 의 회전을 위해 상단 플레이트 (1304) 의 방사상 구역을 따른 일련의 자석들을 포함한다. 방사상 구역은 상단 플레이트 (1304) 의 원주로부터 미리 결정된 거리 내의 구역이다. 하나 이상의 자석들 (1334) 은 상단 플레이트 (1304) 의 회전을 용이하게 하기 위해 가로 방향으로 배향된 대응하는 하나 이상의 자기장들을 생성한다. 상단 플레이트 (1304) 는 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 내의 기판 (112) (도 1) 의 프로세싱을 방해하도록 하나 이상의 자석들 (1332 및 1334) 에 의해 생성된 자기장들의 가능성들을 감소시키기 위해서 금속성 차폐부 (1336) 를 더 포함한다. 상단 플레이트 (1304) 의 본딩된 커버 (1338) 는 상단 플레이트 (1304) 내의 하나 이상의 자석들 (1332 및 1334) 에 커버를 제공한다. 일 실시예에서, 자석 (1332) 각각은 실린더 형상의 자석이고 그리고 자석 (1334) 각각은 호 형상의 자석이다. 일 실시예에서, 본 명세서에서 사용된 바와 같이 자석은 임의의 다른 형상, 예를 들어, 바 형상, 편자 형상, 디스크 형상, 등의 자석이다.

에지 부분 (1310) (도 13a) 내에 위치된 코일에 의해 생성된 자기장이 하나 이상의 자석들 (1332) 에 의해 생성된 자기장을 간섭할 때, 상단 플레이트 (1304) 는 진공 포트들 (142) (도 13a) 의 개구들을 시일링하거나 시일링하지 않도록 하단 플레이트 (147) 에 대해 z-축을 따라 공중 부양한다. 또한, 에지 부분 (1312) (도 13a) 내에 위치된 코일에 의해 생성된 자기장이 하나 이상의 자석들 (1334) 에 의해 생성된 자기장을 간섭할 때, 상단 플레이트 (1304) 는 진공 포트들 (142) 의 개구들을 개방하거나, 부분적으로 개방하거나, 폐쇄하도록 하단 플레이트 (147) 에 대해 xy-평면을 따라 회전한다.

일 실시예에서, 하나 이상의 자석들 (1334) 은 서로 균등하게 또는 균등하지 않게 이격된다. 유사하게, 일 실시예에서, 하나 이상의 자석들 (1336) 은 서로 균등하게 또는 균등하지 않게 이격된다.

일 실시예에서, 에지 부분 (1312) 내에 위치된 코일 내의 전류량은 하단 플레이트 (147) 에 대한 상단 플레이트 (1304) 의 회전량을 제어하도록, 이하에 더 기술되는 밸브 제어기에 의해 제어된다. 예를 들어, 에지 부분 (1312) 내에 위치된 코일에 인가된 전류량은, x-축에 대한 하나 이상의 자석들 (1334) 중 제 1 자석 및 상단 플레이트 (1304) 의 질량 중심을 통과하는 수평 축에 의해 형성된 각이 x-축에 대한 하나 이상의 자석들 (1334) 중 제 2 자석 및 상단 플레이트 (1304) 의 질량 중심을 통과하는 수평 축에 의해 형성되었던 각과 동일하도록, 전류에 의해 생성된 자기장이 상단 플레이트 (1304) 에 힘을 인가하기 위해서 증가되거나 감소된다. 이 예에서 제 1 및 제 2 자석들은 서로 인접하게 위치된다. 또한, 수평 축은 x-y 평면에 위치된 축이다. 또 다른 예로서, 에지 부분 (1312) 내에 위치된 코일에 인가된 전류량은, x-축에 대한 제 1 자석과 제 2 자석 사이의 위치 및 상단 플레이트 (1304) 의 질량 중심을 통과하는 수평 축에 의해 형성된 각이 x-축에 대한 제 2 자석과 제 3 자석 사이의 위치 및 상단 플레이트 (1304) 의 질량 중심을 통과하는 수평 축에 의해 형성되었던 각과 동일하도록 전류에 의해 생성된 자기장이 상단 플레이트 (1304) 에 힘을 인가하기 위해서 증가되거나 감소된다. 제 3 자석은 제 2 자석과 인접하게 그리고 제 1 자석이 위치되는 면과 반대편의 면 상에 위치된다.

일 실시예에서, 하나 이상의 자석들 (1302 및 1304) 은 하단 플레이트 (147) 에 대해 이동 가능한 시일 플레이트 (170) 의 공중 부양 또는 회전을 용이하게 하도록 이동 가능한 시일 플레이트 (170) (도 2) 내에 위치된다. 예를 들어, 하나 이상의 자석들 (1302 및 1304) 은 z-축을 따른 그리고 x-y 평면을 따른 이동 가능한 시일 플레이트 (170) 의 이동의 제어를 용이하게 하도록 로브들 (144) (도 3) 내에 위치된다.

일 실시예에서, 로브들 (144) (도 2) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 이, 개구들 (O1, O2, 및 O3) 이 로브들 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 에 의해 부분적으로 또는 완전히 커버되지 않는 개방된 상태에 있을 때, 로브들 (144) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 의 이러한 상태는 때때로 본 명세서에서 오버랩되지 않은 상태로서 지칭된다. 오버랩되지 않은 상태에서, 오버랩된 상태 및 부분적으로 오버랩된 상태의 정도들에 대한 플로우 컨덕턴스와 비교하여 개구들 (O1, O2, 및 O3) 각각을 통한 최대량의 플로우 컨덕턴스가 있다. 일 실시예에서, 로브들 (144) (도 2) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 이, 개구들 (O1, O2, 및 O3) 이 로브들 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 에 의해 완전히 커버되는 폐쇄된 상태에 있을 때, 로브들 (144) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 의 이러한 상태는 때때로 본 명세서에서 오버랩된 상태로서 지칭된다. 오버랩된 상태에서, 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 내부 구역 (122) 으로부터 진공 펌프들 (150) 로 플로우 컨덕턴스가 없거나 최소의 플로우 컨덕턴스가 있다. 일 실시예에서, 로브들 (144) (도 2) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 이, 개구들 (O1, O2, 및 O3) 이 로브들 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 에 의해 완전히 커버되지 않고 개방된 채로 있지 않는 부분적으로 개방된 상태에 있을 때, 로브들 (144) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 의 이러한 상태는 때때로 본 명세서에서 부분적으로 오버랩된 상태로서 지칭된다. 부분적으로 오버랩된 상태에서, 각들 (θ1, θ2, 및 θ3) 이 시간에 걸쳐 변화할 때, 부분적으로 오버랩된 상태의 정도들은 시간에 걸쳐 변화한다. 각들 (θ1, θ2, 및 θ3) 이 증가할 때, 부분적으로 오버랩된 상태의 정도들이 증가하고, 그리고 개구들 (O1, O2, 및 O3) 각각과 연관된 플로우 컨덕턴스가 증가한다. 유사하게, 각들 (θ1, θ2, 및 θ3) 이 감소할 때, 부분적으로 오버랩된 상태의 정도들이 감소하고, 그리고 개구들 (O1, O2, 및 O3) 각각과 연관된 플로우 컨덕턴스가 감소한다.

일 실시예에서, 로브들 (144) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 이, 개구들이 로브들 (144) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 에 의해 완전히 커버되고 시일링되도록 개구들 (O1, O2, 및 O3) 위에 위치될 때, 로브들 (144) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 의 이러한 상태는 시일링된 상태이다. 일 실시예에서, 로브들 (144) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 이, 개구들이 로브들 (144) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 에 의해 완전히 커버되지 않도록 개구들 (O1, O2, 및 O3) 위에 위치되고, 그리고 로브들 (144) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 이 단계적인 방식으로 이동, 예를 들어, z-축을 따라 수직 방향으로 옮겨지는, 등이 될 때, 로브들 (144) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 의 이러한 상태는 때때로 본 명세서에서 로브들 (144) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 의 시일링되지 않은 상태의 정도들로서 지칭된다. 예를 들어, 로브들 (144) 이 하단 플레이트 (147) 에서 z-축 상의 위치 (zd1) 로부터 z-축 상의 위치 (zd2) 로 수직 방향으로 이동될 때, 시일링되지 않은 상태의 정도가 변화된다. 위치 (zd1) 는 시일링되지 않은 상태의 제 1 정도와 연관되고 그리고 위치 (zd2) 는 시일링되지 않은 상태의 제 2 정도와 연관된다.

일 실시예에서, 로브들 (144) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 이 개방된 상태로부터 폐쇄된 상태로 이동할 때, 개구들 (O1, O2, 및 O3) 에서의 플로우 컨덕턴스가 감소된다. 유사하게, 로브들 (144) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 이 폐쇄된 상태로부터 개방된 상태로 이동할 때, 개구들 (O1, O2, 및 O3) 에서의 플로우 컨덕턴스가 증가된다. 일 실시예에서, 로브들 (144) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 이 시일링되지 않은 상태로부터 시일링된 상태로 이동할 때, 개구들 (O1, O2, 및 O3) 에서의 플로우 컨덕턴스가 감소된다. 또한, 로브들 (144) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 이 시일링된 상태로부터 시일링되지 않은 상태로 이동할 때, 개구들 (O1, O2, 및 O3) 에서의 플로우 컨덕턴스가 증가된다.

도 14는 플라즈마 프로세싱 챔버의 부분 (1400) 의 실시예의 등축도이다. 부분 (1400) 은 기판 (112) 을 프로세싱하기 위해 기판 (112) (도 1) 이 상부에 배치되는 페데스탈 (1402), 예를 들어, 웨이퍼 스테이지, 척, 등을 포함한다. 멀티-밸브 포트 어셈블리 (1406) 가 페데스탈 (1402) 아래에 있다. 멀티-밸브 포트 어셈블리 (1406) 는 진공 연결 벽 (1410), 복수의 플랩들 (1404A 및 1404B), 및 개구들을 가진 금속 플레이트 (1408) 를 포함하고, 개구는 각각의 플랩 (1404A 및 1404B) 에 대한 것이다.

플랩들 (1404A 및 1404B) 은 서로에 대해 힌지되고 그리고 힌지 (1412) 를 중심으로 z-축을 따라 회전한다. 예를 들어, 모터, 예를 들어, 스텝퍼 모터, 서보 모터, 등은, 모터의 회전자의 이동에 의해 수직 방향으로 이동하는 하나 이상의 연결 링크들, 예를 들어, 샤프트들, 또는 기어들, 또는 이들의 조합, 등에 연결된다. 일 실시예에서, 모터 및 하나 이상의 연결 링크들 및 모터를 구동하기 위한, 드라이버, 예를 들어, 하나 이상의 트랜지스터들, 등은 액추에이터의 부품들이다. 하나 이상의 연결 링크들은 플랩 (1404A) 또는 플랩 (1404B) 과 콘택트한다. 상측 방향으로의 하나 이상의 연결 링크들의 이동은 플랩 (1404A) 또는 플랩 (1404B) 을 개방하고, 그리고 하측 방향으로의 하나 이상의 연결 링크들의 이동은 플랩 (1404A) 또는 플랩 (1404B) 을 폐쇄한다. 플랩들 (1404A 및 1404B) 은 플라즈마 챔버의 내부와 진공 펌프들 (150) 사이의 플로우 컨덕턴스의 양을 변화시키도록 개방되고 폐쇄된다.

플랩 (1404A 및 1404B) 이 폐쇄되거나 시일링될 때 플랩 (1404A 및 1404B) 각각은 금속 플레이트 (1408) 내의 개구를 커버한다. 예를 들어, 플랩 (1404A) 은 금속 플레이트 (1408) 내의 개구를 커버하고 그리고 개구는 부분 (1400) 이 위치되는 플라즈마 프로세싱 챔버의 내부 구역과 진공 펌프 (150) 사이에 있다. 또 다른 예로서, 플랩 (1404B) 은 금속 플레이트 (1408) 내의 또 다른 개구를 커버하고 그리고 개구는 부분 (1400) 이 위치되는 플라즈마 프로세싱 챔버의 내부 구역과 진공 펌프 (150) 사이에 있다.

일 실시예에서, 하나의 모터는 플랩들 (1404A 및 1404B) 을 동시에 시일링하거나, 시일링하지 않거나, 개방하거나, 폐쇄하거나, 부분적으로 개방하도록 플랩들 (1404A 및 1404B) 에 연결 링크들을 통해 연결된다. 예를 들어, 플랩 (1404A) 은 양, 예를 들어, 개구에 대해 형성된 각, 개구에 대해 형성된 정도들, 등만큼 개구들 중 일 개구에 대해 개방되고, 그리고 양은 플랩 (1404B) 이 개구들 중 또 다른 개구에 대해 개방되는 양과 동일하다. 동일한 양만큼 플랩들 (1404A 및 1404B) 의 개방은 개구들과 연관된 플로우 컨덕턴스의 동시 변화를 발생시킨다. 모터는 밸브 제어기에 의해 제어된다. 예를 들어, 밸브 제어기는 모터의 회전자를 회전시키도록 전류를 생성하는 명령 신호를 드라이버로 전송한다. 회전자는 플랩들 (1404A 및 1404B) 을 동시에 시일링하거나 시일링하지 않도록 하나 이상의 연결 링크들을 이동시키기 위해 회전한다.

일 실시예에서, 플랩들 (1404A 및 1404B) 및 힌지 (1412) 는 때때로 본 명세서에서 플레이트로서 지칭되고, 그리고 플랩들 (1404A 및 1404B) 은 플레이트의 부분들이다.

도 15a는 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) (도 1) 와 연관된 플로우 컨덕턴스를 조정하기 위한 밸브 제어기의 사용을 예시하기 위한 방법 1500의 실시예의 플로우차트이다. 방법 1500은 밸브 제어기에 의해 실행된다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 제어기의 예들은 프로세서 및 메모리 디바이스를 포함한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 프로세서는 ASIC (application specific integrated circuit), PLD (programmable logic device), 마이크로프로세서, 또는 CPU (central processing unit), 등이다. 메모리 디바이스의 예들은 RAM (random access memory), 플래시 메모리, ROM (read-only memory), 디스크 어레이, 콤팩트-디스크, 하드디스크, 등을 포함한다.

방법 1500은 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 와 연관된 조건을 모니터링하는 동작 1502를 포함한다. 예를 들어, 압력 센서는 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 내의 압력을 센싱하도록 사용된다. 압력 센서는 내부 구역 (122) (도 1) 내에 위치된다. 일 실시예에서, 압력 센서의 일부분은 내부 구역 (122) 내에 위치되고 그리고 압력 센서의 나머지 부분은 내부 구역 (122) 외부에 위치된다. 또 다른 예로서, 진공 포트들 (142) (도 3) 을 통해 내부 구역 (122) (도 1) 으로부터 진공 펌프들 (150) (도 1) 로 흐르는, 재료들, 예를 들어, 플라즈마 프로세싱의 잔유물들 (remnants), 가스들, 플라즈마, 등의 플로우의 플로우 레이트는 플로우 레이트 센서, 예를 들어, 유량계, 등에 의해 측정된다.

모니터링된 조건은 밸브 제어기에 제공된다. 조건을 수신할 시에, 동작 1504에서, 밸브 제어기는 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 로부터 진공 포트들 (142) 의 개구들 (O1, O2, 및 O3) 을 통해 진공 펌프들 (150) 로의 플로우 컨덕턴스, 예를 들어, 플로우 레이트, 등의 조정을 유발하기 위해서 단단한 이동 가능한 시일 플레이트 (170) (도 3) 또는 상단 플레이트 (1304) (도 13a) 의 위치를 조정하도록 밸브 제어기에 연결되는 액추에이터를 인스트럭팅한다. 예를 들어, 밸브 제어기는 로브들 (144) 을 가진 단단한 이동 가능한 시일 플레이트 (170) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 을 가진 상단 플레이트 (1304) 를 수직 방향으로, 예를 들어, z-축, 등을 따라, 위 또는 아래로 플로우 컨덕턴스를 조정하기 위해서 이동시키기 위한 신호를 액추에이터에 전송한다. 이동 가능한 시일 플레이트 (170) 와 통합된 로브들 (144) 은 로브들 (144) 의 동시 이동을 달성하는 것을 용이하게 하고 그리고 상단 플레이트 (1304) 와 통합된 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 은 액추에이터를 통해 밸브 제어기에 의해 제어될 때 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 의 동시 이동을 달성하는 것을 용이하게 한다. 로브들 (144) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 이 동시에 이동될 때, 하단 플레이트 (147) (도 2) 의 개구들 (O1, O2, 및 O3) 각각을 통한 플로우 컨덕턴스가 동시 변화된다. 예를 들어, 내부 구역 (122) (도 1) 으로부터 개구 (O1) 를 통해 개구 (O1) 와 인터페이싱된 제 1 진공 펌프 (150) 로의 플로우 컨덕턴스의 변화는, 내부 구역 (122) 으로부터 개구 (O2) 를 통해 개구 (O2) 와 인터페이싱된 제 2 진공 펌프 (150) 로의 플로우 컨덕턴스의 변화 및 내부 구역 (122) 으로부터 개구 (O3) 를 통해 개구 (O3) 와 인터페이싱된 제 3 진공 펌프 (150) 로의 플로우 컨덕턴스의 변화와 동일하다. 또 다른 예로서, 밸브 제어기는 진공 포트들 (142) 과 연관된 개구들 (O1, O2, 및 O3) 을 개방하거나, 부분적으로 개방하거나, 폐쇄하도록 단단한 이동 가능한 시일 플레이트 (170) 또는 상단 플레이트 (1304) 를 가로 방향으로 이동시키기 위한 신호를 액추에이터에 전송한다. 동작 1502는 동작 1504 후에 반복된다. 일 실시예에서, 동작 1502는 동작 1504와 동시에 수행된다.

일 실시예에서, 플로우 컨덕턴스는 모든 진공 포트들 (142) 과 연관된다. 예를 들어, 플로우 레이트 센서는 진공 포트들 (142) 중 하나의 진공 포트와 연관된 개구 (O1) 를 통한 플로우의 플로우 레이트를 측정하도록 내부 구역 (122) 내 또는 내부 구역 (122) 외부에 배치되고, 또 다른 플로우 레이트 센서는 진공 포트들 (142) 중 또 다른 하나의 진공 포트와 연관된 개구 (O2) 를 통한 플로우의 플로우 레이트를 측정하도록 내부 구역 (122) 내 또는 내부 구역 (122) 외부에 배치되고, 그리고 또 다른 플로우 레이트 센서는 진공 포트들 (142) 중 또 다른 하나의 진공 포트와 연관된 개구 (O3) 를 통한 플로우의 플로우 레이트를 측정하도록 내부 구역 (122) 내 또는 내부 구역 (122) 외부에 배치된다. 밸브 제어기는 진공 포트들 (142) 과 연관된 개구들 (O1, O2, 및 O3) 과 연관된 플로우 레이트들을 수신하고 그리고 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 또는 3 개의 진공 포트들 (142) 과 연관된 플로우 컨덕턴스를 달성하도록 플로우 레이트들을 합한다.

일 실시예에서, 도 15a의 방법은 도 14의 멀티-포트 밸브 어셈블리 (1406) 에 적용 가능하다. 예를 들어, 동작 1502에서, 도 14를 사용하여 예시된 플라즈마 프로세싱 챔버와 연관된 조건을 모니터링한 후에, 밸브 제어기는 힌지 (1412) (도 14) 를 중심으로 플랩들을 회전시킴으로써 수직 방향으로 플랩들 (1404A 및 1404B) (도 14) 을 작동시키도록 액추에이터, 예를 들어, 모터에 연결된 드라이버, 등을 인스트럭팅한다.

도 15b는 레시피에 따라, 멀티-밸브 포트 어셈블리, 예를 들어, 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) (도 2), 멀티-밸브 포트 어셈블리 (1300) (도 13a), 등을 동작시키기 위한 방법 1520의 실시예의 플로우차트이다. 레시피는 기판 (112) 을 프로세싱하기 위해서, 하나 이상의 파라미터들, 예를 들어, 압력, 온도, 상부 전극과 하부 전극 사이의 갭, 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 내로 흐르는 하나 이상의 프로세스 가스들의 플로우 레이트, 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 에 공급되는 하나 이상의 RF 신호들의 하나 이상의 주파수들, 하나 이상의 RF 신호들의 하나 이상의 전력 레벨, 등을 포함한다. 기판 (112) 상에서 수행될 다양한 프로세스들의 예들은 기판 (112) 상에 재료들을 증착하는 프로세스, 기판 (112) 상에 증착된 층 또는 기판 (112) 을 에칭하는 프로세스, 기판 (112) 을 세정하는 프로세스, 등을 포함한다. 일 실시예에서, 밸브 제어기는 밸브 제어기에 커플링된 호스트 제어기로부터 레시피를 수신한다. 예를 들어, 밸브 제어기는 호스트 제어기로부터 내부 구역 (122) (도 1) 내에 유지될 동작 플로우 컨덕턴스 또는 동작 압력을 수신한다.

방법 1520은 레시피에 따라 멀티-포트 밸브 어셈블리를 동작시키는 동작 1522를 포함한다. 예를 들어, 밸브 제어기는 동작 압력 및/또는 동작 플로우 컨덕턴스가 유지되도록 단단한 이동 가능한 시일 플레이트 (170) (도 3) 또는 상단 플레이트 (도 13a) 의 이동을 더 제어하도록 액추에이터를 제어한다. 또 다른 예로서, 밸브 제어기는 진공 포트들 (142) 의 개구들이 개방되는 양들 사이의 관련성 (correspondence) 및 동작 압력 및/또는 동작 플로우 컨덕턴스를 갖는 룩-업 테이블을 저장한다. 밸브 제어기는 동작 압력 및/또는 동작 플로우 컨덕턴스에 기초하여 진공 포트들 (142) 의 개구들이 개방되는 양들을 룩-업 테이블로부터 식별한다. 밸브 제어기는 진공 포트들 (142) 의 개구들이 개방되는 양들을 달성하기 위한 신호를 액추에이터로 전송한다.

방법 1520은 내부 구역 (122) 으로부터 진공 포트들 (142) 의 개구들을 통해 진공 펌프들 (150) 로의 플로우 컨덕턴스의 조정을 유발하기 위해서 단단한 이동 가능한 시일 플레이트 (170) 또는 상단 플레이트 (도 13a) 의 위치를 조정하도록 액추에이터를 인스트럭팅하는 동작 1524를 더 포함한다. 예를 들어, 밸브 제어기는 진공 포트들 (142) 이 개방되는 양들이 동작 압력 및/또는 동작 플로우 컨덕턴스의 변화에 따라 변경될 것임을 룩-업 테이블로부터 식별한다. 변경된 양들을 달성하기 위해서, 진공 제어기는 진공 포트들 (142) 의 개구들을 개방하거나, 폐쇄하거나, 더 부분적으로 개방하거나, 그리고/또는 더 부분적으로 폐쇄하기 위한 신호를 액추에이터로 전송한다.

일 실시예에서, 도 15b의 방법 1520은 도 14의 멀티-포트 밸브 어셈블리 (1406) 에 적용 가능하다. 예를 들어, 레시피에 따라 멀티-포트 밸브 어셈블리 (1406) 를 동작시키는 동작 1522를 수행한 후에, 밸브 제어기는 플로우 컨덕턴스를 더 조정하기 위해서 힌지 (1412) (도 14) 를 중심으로 플랩들 (1404A 및 1404B) (도 14) 을 회전시키도록 액추에이터, 예를 들어, 모터에 연결된 드라이버, 등을 인스트럭팅한다. 플로우 컨덕턴스는 도 14에 예시된 플라즈마 챔버로부터 금속 플레이트 (1408) (도 14) 내의 개구들을 통해 진공 펌프들 (150) (도 14) 로의 재료들의 플로우의 컨덕턴스이다.

도 16a는 멀티-포트 밸브 어셈블리 (1610), 예를 들어, 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) (도 1), 멀티-포트 밸브 어셈블리 (1300) (도 13a), 등의 동작을 제어하기 위한 액추에이터 서브-시스템 (1606) 및 밸브 제어기 (1602) 의 사용을 예시하기 위한 플라즈마 프로세싱 시스템 (1600) 의 실시예의 블록도이다. 시스템 (1600) 은 플라즈마 프로세싱 챔버 (110), 진공 펌프들 (150), 액추에이터 서브-시스템 (1606), 밸브 제어기 (1602), 및 프로세스 모듈 (1608) 을 포함한다. 액추에이터 서브-시스템 (1606) 의 예들은 액추에이터 (1622A) (도 16b) 및 액추에이터 (1622B) (도 16b) 를 포함한다. 프로세스 모듈 (1608) 은 호스트 제어기의 예이다. 일 실시예에서, 프로세스 모듈 (1608) 은 호스트 제어기의 프로세서에 의해 실행되는 컴퓨터 소프트웨어 프로그램의 부분이다. 호스트 제어기는 플라즈마 프로세싱 시스템의 다양한 컴포넌트들을 제어함으로써 레시피를 실행한다. 다양한 컴포넌트들의 예들은, 기판 (112), 기판 (112) 의 프로세싱을 제어하기 위해서 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 로의 가스 플로우의 양을 제어하는 밸브, 기판 (112) 의 프로세싱의 온도를 제어하기 위해서 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 내의 전극을 히팅하기 위한 전류 신호를 제공하는 히터, 및 기판 (112) 의 프로세싱 동안 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 내의 압력을 제어하기 위해서 내부 구역 (122) 으로부터 내부 구역 (122) 외부로 재료들의 플로우의 양을 달성하도록 동작되는 진공 펌프들 (150), 등의 프로세싱을 제어하기 위해서 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 상부 전극과 하부 전극 사이의 갭을 변화시키도록 모터 및 모터에 커플링된 하나 이상의 연결 링크들을 포함한다.

밸브 제어기 (1602) 는 프로세스 모듈 (1608) 로부터 레시피를 수신하고 그리고 단단한 이동 가능한 시일 플레이트 (170) (도 3) 의 로브들 (144) (도 3) 의 위치들 또는 상단 플레이트 (1304) 의 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) (도 13a) 의 위치들을 더 조정하도록 액추에이터 서브-시스템 (1606) 을 제어한다. 압력 센서 (1604) 는 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 내부 구역 (122) 내의 압력을 모니터링하고 그리고 밸브 제어기 (1602) 에 모니터링된 압력을 제공한다. 밸브 제어기 (1602) 는 모니터링된 압력이 동작 압력의 미리 결정된 문턱값 이내인지를 결정하도록 레시피에 명시된 동작 압력과 모니터링된 압력을 비교한다. 모니터링된 압력이 동작 압력의 미리 결정된 문턱값 이내라고 결정할 시에, 밸브 제어기 (1602) 는 밸브 포트들 (142) (도 3 및 도 13a) 의 개구들에 대해 단단한 이동 가능한 시일 플레이트 (170) (도 3) 의 로브들 (144) (도 3) 의 위치 또는 상단 플레이트 (1304) 의 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) (도 13a) 의 위치를 변화시키기 위한 신호를 액추에이터 서브-시스템 (1606) 으로 전송하지 않는다.

반면에, 모니터링된 압력이 동작 압력의 미리 결정된 문턱값 외에 있다고 결정할 시에, 밸브 제어기 (1602) 는 액추에이터 서브-시스템 (1606) 으로 신호를 전송한다. 신호를 수신할 시에, 액추에이터 서브-시스템 (1606) 은 동작 레시피 내의 압력을 달성하기 위해서 밸브 포트들 (142) 의 개구들을 개방하거나, 폐쇄하거나, 부분적으로 개방하도록 로브들 (144) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 을 이동시킨다.

도 16b는 밸브 포트들 (142) (도 3 및 도 13a) 의 개구들 (O1, O2, 및 O3) 에 대해 단단한 이동 가능한 시일 플레이트 (170) (도 3) 의 로브들 (144) (도 3) 의 위치들 또는 상단 플레이트 (1304) 의 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) (도 13a) 의 위치들을 더 변화시키기 위해서 자기장들을 제어하도록 밸브 제어기 (1602) 및 액추에이터들의 기능을 예시하기 위한 시스템 (1620) 및 시스템 (1622) 의 블록도들을 포함한다. 시스템 (1620) 은 밸브 제어기 (1602), 및 에지 부분 (1312) (도 13a) 내의 코일 및 전류 생성기 (1626A) 를 포함하는 액추에이터 (1622A) 를 포함한다. 전류 생성기의 예들은 하나 이상의 트랜지스터들을 포함한다. 시스템 (1620) 은 하나 이상의 자석들 (1334) 을 더 포함한다.

밸브 제어기 (1602) 는 전류 신호를 생성하기 위한 전류 생성기 (1626A) 로 명령 신호를 전송한다. 전류 신호는 밸브 제어기 (1602) 로부터 명령 신호를 수신할 시에 전류 생성기 (1626A) 에 의해 생성된다. 전류는 전류 생성기 (1626A) 로부터 에지 부분 (1312) 내의 코일로 제공된다. 에지 부분 (1312) 내의 코일은 전류 생성기 (1626A) 로부터 전류 신호를 수신할 시에 가로 방향으로 횡 자기장 (1) 을 생성한다. 또한, 하나 이상의 자석들 (1334) 은 하나 이상의 횡 자기장들 (2) 을 생성하는 고정된, 예를 들어, 영구적인, 등의 자석들이다. 일 실시예에서, 횡 자기장들 (2) 은 횡 자기장 (1) 의 방향과 반대되는 방향을 갖는다. 횡 자기장 (1) 은 밸브 포트들 (142) (도 3) 과 연관된 개구들 (O1, O2, 및 O3) 에 대해 이동 가능한 시일 플레이트 (170) 의 로브들 (144) (도 3) 또는 상단 플레이트 (1304) 의 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) (도 13a) 을 개방하거나, 폐쇄하거나, 부분적으로 개방하도록 하나 이상의 횡 자기장들 (2) 을 간섭한다.

시스템 (1622) 은 밸브 제어기 (1602), 및 전류 생성기 (1626B) 와 에지 부분 (1310) (도 13a) 내의 코일을 포함하는 액추에이터 (1622B) 를 더 포함한다. 시스템 (1622) 은 하나 이상의 자석들 (1332) 을 더 포함한다.

밸브 제어기 (1602) 는 전류 신호를 생성하기 위한 전류 생성기 (1626B) 로 명령 신호를 전송한다. 전류 신호는 밸브 제어기 (1602) 로부터 명령 신호를 수신할 시에 전류 생성기 (1626B) 에 의해 생성된다. 전류는 전류 생성기 (1626B) 로부터 에지 부분 (1310) 내의 코일로 제공된다. 에지 부분 (1310) 내의 코일은 전류 생성기 (1626B) 로부터 전류 신호를 수신할 시에 수직 방향으로 종 자기장 (1) 을 생성한다. 또한, 하나 이상의 자석들 (1332) 은 하나 이상의 종 자기장들 (2) 을 생성하는 고정된 자석들이다. 일 실시예에서, 종 자기장들 (2) 은 종 자기장 (1) 의 방향과 반대되는 방향을 갖는다. 종 자기장 (1) 은 밸브 포트들 (142) (도 3) 의 개구들에 대해 이동 가능한 시일 플레이트 (170) 의 로브들 (144) (도 3) 또는 상단 플레이트 (1304) 의 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) (도 13a) 을 시일링하거나 시일링하지 않도록 하나 이상의 종 자기장들 (2) 을 간섭한다.

일 실시예에서, 밸브 제어기 (1602) 는 로브들 (144) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 의 주기적인 배치된 (interspersed) 회전 및 수직 이동을 달성하도록 액추에이터 (1622A) 및 액추에이터 (1622B) 를 제어한다. 예를 들어, 밸브 제어기 (1602) 는 제 1 시간 기간 동안 로브들 (144) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 을 회전시키도록 제 1 시간 기간 동안 횡 자기장 (1) 을 변경하기 위한 신호를 액추에이터 (1622A) 로 전송한다. 이어서, 밸브 제어기 (1602) 는 제 2 시간 기간 동안 로브들 (144) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 을 수직으로 이동시키도록 제 2 시간 기간 동안 종 자기장 (1) 을 변경하기 위한 신호를 액추에이터 (1622B) 로 전송한다. 그 후에, 밸브 제어기 (1602) 는 제 3 시간 기간 동안 로브들 (144) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 을 회전시키도록 제 3 시간 기간 동안 횡 자기장 (1) 을 변경하기 위한 신호를 액추에이터 (1622A) 로 전송한다. 제 1 시간 기간은 제 2 시간 기간과 동일하고, 제 2 시간 기간은 제 3 시간 기간과 동일하다. 일 실시예에서, 제 1 시간 기간은 제 2 시간 기간 및 제 3 시간 기간 중 적어도 하나와 동일하지 않고, 예를 들어, 초과하거나 미만, 등이다.

도 17a는 단단한 이동 가능한 시일 플레이트 (170) (도 3) 의 로브들 (144) (도 3) 의 위치들 또는 상단 플레이트 (1304) 의 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) (도 13a) 의 위치들을 제어하기 위한 방법 1700의 실시예의 플로우차트이다. 방법 700은 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 의 내부 구역 (122) (도 1) 과 연관된 파라미터, 예를 들어, 조건, 등을 센싱하는 동작 1702를 포함한다. 예를 들어, 내부 구역 (122) 내의 압력은 압력 센서에 의해 측정되거나 밸브 포트들 (142) (도 3) 과 연관된 개구들 (O1, O2, 및 O3) 과 연관된 플로우 레이트들은 내부 구역 (122) 내 또는 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 외부에 배치될 수도 있는 하나 이상의 유량계들에 의해 측정된다.

센싱된 파라미터는 센서, 예를 들어, 압력 센서 (1604) (도 16a), 하나 이상의 유량계들, 등으로부터 밸브 제어기 (1602) (도 16a) 로 제공된다. 밸브 제어기 (1602) 는 동작 1704에서, 센싱된 파라미터의 레벨, 예를 들어, 양, 등이 변화되는지를 센싱된 파라미터로부터 결정한다. 예를 들어, 밸브 제어기 (1602) 는 센싱된 파라미터를 레시피 내의 파라미터와 비교하고 그리고 비교에 기초하여 센싱된 파라미터가 파라미터로부터의 미리 결정된 문턱값 내에 없다고 결정한다. 센싱된 파라미터가 파라미터로부터의 미리 결정된 문턱값 내에 없다고 결정할 시에, 밸브 제어기 (1602) 는 센싱된 파라미터가 변화된다고 결정한다. 반면에, 센싱된 파라미터가 파라미터로부터의 미리 결정된 문턱값 내에 있다고 결정할 시에, 밸브 제어기 (1602) 는 센싱된 파라미터가 변화되지 않는다고 결정한다.

센싱된 파라미터의 레벨이 변화된다고 결정할 시에, 밸브 제어기 (1602) 는 밸브 포트들 (142) (도 3) 과 연관된 개구들 (O1, O2, 및 O3) 에 대해 이동 가능한 시일 플레이트 (170) 의 로브들 (144) (도 3) 의 위치 또는 상단 플레이트 (1304) 의 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) (도 13a) 의 위치를 식별한다. 예를 들어, 밸브 제어기 (1602) 의 메모리 디바이스 내에 저장된 룩-업 테이블은 하단 플레이트 (147) (도 3) 의 개구들 (O1, O2, 및 O3) 에 대해 로브들 (144) 의 위치 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 의 위치를 결정하도록 판독된다. 또한, 룩-업 테이블은 로브들 (144) 의 위치 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 의 위치를 달성하기 위해서 전류 생성기들 (1626A 및 1626B) (도 16b) 에 의해 생성될 전류량들을 결정하도록 판독된다.

방법 1700의 동작 1706에서, 밸브 제어기 (1602) 는, 레시피의 파라미터 및 센싱된 파라미터가 미리 결정된 문턱값 내에 있도록, 센싱된 파라미터와 레시피의 파라미터 사이의 차를 감소시키거나 제거하기 위해서 파라미터를 달성하도록 이동 가능한 시일 플레이트 (170) 의 로브들 (144) 또는 상단 플레이트 (1304) 의 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 을 제어한다. 예를 들어, 밸브 제어기 (1602) 는 액추에이터 서브-시스템 (1606) (도 16a) 으로 명령 신호를 전송한다. 명령 신호는 에지 부분들 (1310 및 1312) (도 13a) 내의 코일들에 의해 생성될 전류들의 레벨들, 예를 들어, 양들, 등을 포함한다. 명령 신호를 수신할 시에, 액추에이터 서브-시스템 (1606) 은 개구들 (O1, O2, 및 O3) 에 대해 로브들 (144) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 을 예를 들어, 시일링하거나, 시일링하지 않거나, 개방하거나, 부분적으로 개방하거나, 폐쇄하는, 등을 하도록 전류 신호들의 레벨들을 생성한다. 생성된 전류 신호들의 레벨들은, 레시피의 파라미터 및 센싱된 파라미터가 미리 결정된 문턱값 내에 있도록 개구들 (O1, O2, 및 O3) 에 대해 이동 가능한 시일 플레이트 (170) 의 로브들 (144) 또는 상단 플레이트 (1304) 의 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 의 위치들, 예를 들어, 각들 (θ1, θ2, θ3), z-위치 (zd), 등을 달성하는 것을 용이하게 한다. z-위치 (zd) 는 하단 플레이트 (147) 에 대한 로브들 (144) 각각의 위치이거나 하단 플레이트 (147) 에 대한 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 각각의 위치이다. 방법 1700은 동작 1706 후에 반복된다.

때때로, 이동 가능한 시일 플레이트 (170) 또는 상단 플레이트 (1304) 는 본 명세서에서 밸브로서 지칭된다는 것을 주의해야 한다.

일 실시예에서, 도 17a의 방법 1700은 도 14의 멀티-포트 밸브 어셈블리 (1406) 에 적용 가능하다. 예를 들어, 동작 1702에서, 도 14에 예시된 플라즈마 프로세싱 챔버의 내부 구역과 연관된 파라미터, 예를 들어, 압력, 등을 센싱하고 그리고 파라미터의 레벨이 변화되는지를 결정한 후에, 밸브 제어기는 파라미터를 제어하기 위해서 힌지 (1412) (도 14) 를 중심으로 플랩들 (1404A 및 1404B) (도 14) 을 회전시키도록 액추에이터, 예를 들어, 모터에 연결된 드라이버, 등을 인스트럭팅한다. 예를 들어, 밸브 제어기는 파라미터에 대해 1-대-1 관련성, 등을 갖는 맵핑 관계에 대응하고, 예를 들어, 맵핑 관계를 갖는 전류량을 식별하고, 그리고 드라이버에 의한 전류량의 생성을 위해 드라이버에 전류량을 제공한다. 전류량은 또한 대응하는 개구들에 대한 플랩들 (1404A 및 1404B) 의 회전량에 대응한다.

도 17b는 이동 가능한 시일 플레이트 (170) 가 플로우 컨덕턴스의 고 레벨의 변화를 달성하도록 가로 방향으로 이동되고 그리고 플로우 컨덕턴스의 저 레벨의 변화를 달성하도록 수직 방향으로 이동된다는 것을 예시하기 위한 방법 1720의 실시예의 플로우차트이다. 방법 1720 동안, 진공 펌프들 (150) (도 1) 은 풀 (full) 전력, 예를 들어, 진공 펌프들이 동작될 수 있는 최대 전력, 진공 펌프들의 최대 명시된 동작 전력, 피크 전력, 등으로 동작된다. 진공 펌프들 (150) 은 방법 1720의 동작 1732에서 풀 전력으로 동작된다.

또한, 방법 1720의 동작 1722에서, 밸브 제어기 (1602) (도 16a) 는 내부 구역 (122) (도 1) 으로부터 진공 펌프들 (150) 로의 플로우 컨덕턴스의 저 레벨의 변화가 달성되는지를 결정한다. 예를 들어, 저 레벨의 변화는 예를 들어, 레시피에 명시된 압력을 달성하고, 레시피에 명시된 플로우 컨덕턴스, 등을 달성하기 위한 레시피, 및 저 레벨의 변화를 달성하기 위한 시간량에 기초하여 달성된다. 또 다른 예로서, 내부 구역 (122) 내에서 달성될 압력이 센싱된 압력 또는 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) (도 1) 가 현재 동작하는 압력으로부터 미리 결정된 범위 내에 있고 그리고 달성될 압력이 미리 결정된 시간 기간 미만인 시간 기간 내에서 달성될 수 있다면, 플로우 컨덕턴스의 저 레벨의 변화는 압력을 달성하도록 적용된다.

저 레벨의 플로우 컨덕턴스 변화가 달성된다고 결정할 시에, 밸브 제어기 (1602) 는 동작 1724에서, 수직 방향으로 이동하도록 이동 가능한 시일 플레이트 (170) 의 로브들 (144) 또는 상단 플레이트 (1304) 의 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 을 제어한다. 예를 들어, 밸브 제어기 (1602) 는 밸브 제어기 (1602) 의 메모리 디바이스로부터 에지 부분 (1310) (도 16b) 내의 코일로 전송될 전류량을 식별한다. 전류량은 밸브 제어기 (1602) 로부터 전류 생성기 (1626B) (도 16b) 로 전송된다. 전류 생성기 (1626B) 는 전류량을 가진 전류 신호를 생성하고 그리고 에지 부분 (1310) 내의 코일로 전류 신호를 전송한다. 에지 부분 (1310) 내의 코일은, 하단 플레이트 (147) (도 2 및 도 13a) 에 대해 이동 가능한 시일 플레이트 (170) 의 로브들 (144) 의 zd 위치 또는 상단 플레이트 (1304) 의 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 의 zd 위치를 변화, 예를 들어, 상측으로 이동, 하측으로 이동, 등을 하도록 하나 이상의 자석들 (1332) (도 16b) 에 의해 생성된 하나 이상의 종 자기장들을 간섭하는 자기장을 z-방향으로 변경한다.

반면에, 저 레벨의 컨덕턴스 변화가 달성되지 않는다고 결정할 시에, 방법 1720의 동작 1726에서, 밸브 제어기 (1602) 는 내부 구역 (122) (도 1) 으로부터 진공 펌프들 (150) 로의 플로우 컨덕턴스의 고 레벨의 변화가 달성되는지를 결정한다. 예를 들어, 고 레벨의 변화는 예를 들어, 레시피에 명시된 압력을 달성하고, 레시피에 명시된 플로우 컨덕턴스, 등을 달성하기 위한 레시피, 및 고 레벨의 변화를 달성하기 위한 시간량에 기초하여 달성된다. 또 다른 예로서, 내부 구역 (122) 내에서 달성될 압력이 센싱된 압력 또는 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) (도 1) 가 현재 동작하는 압력으로부터 미리 결정된 범위 외에 있고 그리고 달성될 압력이 미리 결정된 시간 기간 미만인 시간 기간 내에서 달성될 수 없다면, 플로우 컨덕턴스의 고 레벨의 변화는 압력을 달성하도록 적용된다.

고 레벨의 플로우 컨덕턴스 변화가 달성된다고 결정할 시에, 밸브 제어기 (1602) 는 동작 1728에서, 가로 방향으로 이동하도록 이동 가능한 시일 플레이트 (170) 의 로브들 (144) 또는 상단 플레이트 (1304) 의 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 을 제어한다. 예를 들어, 밸브 제어기 (1602) 는 밸브 제어기 (1602) 의 메모리 디바이스로부터 에지 부분 (1312) (도 16b) 내의 코일로 전송될 전류량을 식별한다. 전류량은 밸브 제어기 (1602) 로부터 전류 생성기 (1626A) (도 16b) 로 전송된다. 전류 생성기 (1626A) 는 전류량을 가진 전류 신호를 생성하고 그리고 에지 부분 (1312) 내의 코일로 전류 신호를 전송한다. 에지 부분 (1312) 내의 코일은, 하단 플레이트 (147) (도 2 및 도 13a) 에 대해 동시에, 이동 가능한 시일 플레이트 (170) 의 로브들 (144) 또는 동시에, 상단 플레이트 (1304) 의 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 의 위치, 예를 들어, 각들 (θ1, θ2, 및 θ3), 등을 변화, 예를 들어, 회전, 등을 하도록 하나 이상의 자석들 (1334) (도 16b) 에 의해 가로 방향으로 생성된 하나 이상의 자기장들을 간섭하는 자기장을 가로 방향으로 변경한다. 진공 펌프들 (150) 은 방법 1720의 모든 동작들 1732, 1722. 1724, 1726, 및 1728 동안 풀 전력으로 동작된다는 것을 주의해야 한다.

도 18a는 센싱된 파라미터의 변화에 따라 멀티-포트 밸브 어셈블리 (160) (도 2) 또는 멀티-포트 밸브 어셈블리 (1300) (도 13a) 를 제어하기 위한 방법 1800의 실시예의 플로우차트이다. 방법 1800은 도 18b의 플라즈마 프로세싱 시스템 (1850) 에 대하여 기술된다. 방법 1800은 도 18b에 예시되는, 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 내의 압력을 달성할 시에 수행된다. 압력은 또한 도 18b에 예시되는, 러핑 (roughing) 펌프를 동작시킴으로써 달성된다. 예를 들어, 러핑 펌프는 미리 결정된 양의 감소된 압력이 달성될 때까지 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 내의 압력을 감소시키도록 동작된다. 도 18b에 예시된 진공 펌프들 (150) 은 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 내에서 감소된 압력에 도달된 후에 동작된다.

방법 1800은 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) (도 1) 내의 파라미터, 예를 들어, 압력, 등을 센싱하는 동작 1802를 포함한다. 센싱은 압력 센서에 의해 행해진다.

센싱된 파라미터는 압력 센서로부터 도 18b에 아래에 예시된 밸브 제어기 (1602) 로 전송된다. 밸브 제어기 (1602) 는 동작 1804에서, 센싱된 파라미터의 레벨이 미리 결정된 정상 동작 범위 내에 있는지를 결정한다. 예를 들어, 밸브 제어기 (1602) 는, 센싱된 파라미터의 레벨이 미리-저장된 파라미터로부터의 미리 결정된 문턱값 내에 있는지를 결정하도록 레시피에 나열된 미리-저장된 파라미터와 센싱된 파라미터의 레벨을 비교한다. 센싱된 파라미터의 레벨이 미리-저장된 파라미터로부터의 미리 결정된 문턱값 내에 있다고 결정할 시에, 밸브 제어기 (1602) 는 센싱된 파라미터의 레벨이 미리 결정된 정상 동작 범위 내에 있다고 결정한다. 예를 들어, 센싱된 파라미터의 레벨이 미리-저장된 파라미터의 미리 결정된 문턱값 이하에 있다고 결정할 시에, 밸브 제어기 (1602) 는 센싱된 파라미터의 레벨이 미리 결정된 정상 동작 범위 내에 있다고 결정한다. 반면에, 센싱된 파라미터의 레벨이 미리-저장된 파라미터의 미리 결정된 문턱값 내에 없다고 결정할 시에, 밸브 제어기 (1602) 는 센싱된 파라미터의 레벨이 미리 결정된 정상 동작 범위 내에 없다고 결정한다. 예를 들어, 센싱된 파라미터의 레벨이 미리-저장된 파라미터의 미리 결정된 문턱값 이상에 있다고 결정할 시에, 밸브 제어기 (1602) 는 센싱된 파라미터의 레벨이 미리 결정된 정상 동작 범위 내에 없다고 결정한다.

또한, 센싱된 파라미터의 레벨이 미리 결정된 정상 동작 범위 내에 있다고 결정할 시에, 밸브 제어기 (1602) 는 동작 1808에서, 수직으로 또는 가로 방향으로 이동하도록 이동 가능한 시일 플레이트 (170) (도 2) 또는 상단 플레이트 (1304) (도 13a) 를 제어한다. 예를 들어, 밸브 제어기 (1602) 는, 각들 (θ1, θ2, 및 θ3) 을 변화시키기 위해서 또는 거리 (zd) 를 수직 방향 또는 이들의 조합으로 변화시키기 위해서 이동 가능한 시일 플레이트 (170) 또는 상단 플레이트 (1304) 가 개구들 (O1 내지 O3) (도 2 및 도 13a) 에 대해 이동하도록 레시피에 따라 도 18b에 예시된 액추에이터 (1606) 를 제어한다.

반면에, 센싱된 파라미터의 레벨이 미리 결정된 정상 동작 범위 내에 없다고 결정할 시에, 동작 1806에서, 밸브 제어기 (1602)는, 로브들 (144) (도 3) 이 미리 결정된 시간량, 예를 들어, 2 초 미만, 등 내에서 하단 플레이트 (147) (도 2) 의 개구들 (O1, O2, 및 O3) 을 시일링하거나 폐쇄하도록 이동 가능한 시일 플레이트 (170) (도 2) 를 이동시키기 위해서 액추에이터 (1606) 를 제어한다. 일 실시예에서, 동작 1806에서, 밸브 제어기 (1602) 는, 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 이 개구들 (O1, O2, 및 O3) 이 커버되는 시일링된 위치 또는 폐쇄된 위치에 있도록 상단 플레이트 (1304) 를 이동시키기 위해서 액추에이터 (1606) 를 제어한다. 동작 1806은 진공 펌프들 (150) 에 대한 손상의 방지를 용이하게 한다. 미리 결정된 정상 동작 범위를 넘어선 센싱된 파라미터의 변화는, 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 내의 깨진 웨이퍼 또는 플라즈마 프로세싱 챔버 (110) 내의 손상된 부품, 예를 들어, 전극, 한정 링들, 전극 연장부, 에지 링, 등의 결과일 수도 있다. 개구들 (O1, O2, 및 O3) 이 보다 긴 시간 기간 동안 개방된 채로 있었다면, 진공 펌프들 (150), 예를 들어, 진공 펌프들 (150) 의 블레이드들, 등이 손상될 수 있다. 센싱된 파라미터가 미리 결정된 정상 동작 범위 외에 있다고 결정할 시에 바로 개구들 (O1, O2, 및 O3) 을 폐쇄함으로써 손상이 방지된다.

또한, 단일의 밸브 제어기 (1602) 의 사용은 개구들 (O1, O2, 및 O3) 의 신속한 폐쇄를 가능하게 한다. 로브들 (144) 또는 부분들 (1302A, 1302B, 및 1302C) 에 의한 개구들 (O1 내지 O3) 의 폐쇄와 비교하여 2 개의 밸브들이 폐쇄되는 시간은 더 걸린다. 또한, 복수의 밸브들을 제어하는 복수의 제어기들 사이의 통신 동안 오작동 또는 통신의 결여가 있다면, 밸브들은 폐쇄되지 않을 수도 있거나 정시에 폐쇄되지 않을 수도 있다. 밸브 제어기 (1602) 의 경우에, 마스터 제어기 및 슬레이브 제어기가 없고, 그래서 오작동 또는 통신의 결여의 가능성들이 0으로 감소한다.

일 실시예에서, 도 18a의 방법 1800은 도 14의 멀티-포트 밸브 어셈블리 (1406) 에 적용 가능하다. 예를 들어, 동작 1802에서, 도 14에 예시된 플라즈마 프로세싱 챔버의 내부 구역과 연관된 파라미터를 센싱하고 그리고 파라미터의 레벨이 미리 결정된 정상 동작 범위 내에 없는지를 결정한 후에, 밸브 제어기는 금속 플레이트 (1408) (도 14) 내의 개구들을 시일링하기 위해서 힌지 (1412) (도 14) 를 중심으로 플랩들 (1404A 및 1404B) (도 14) 을 회전시키도록, 액추에이터, 예를 들어, 모터에 연결되는 드라이버, 등을 인스트럭팅한다. 반면에, 파라미터의 레벨이 미리 결정된 정상 동작 범위 내에 있다고 결정할 시에, 밸브 제어기는 레시피에 따라 힌지 (1412) 를 중심으로 플랩들 (1404A 및 1404B) 을 회전시키도록 액추에이터를 인스트럭팅한다.

도 18b는 도 18a의 방법 1800을 예시하기 위한 플라즈마 프로세싱 시스템 (1850) 의 실시예의 블록도이다. 플라즈마 프로세싱 시스템 (1850) 은 도 16a에 예시된 다른 컴포넌트들에 더하여 러핑 펌프를 포함한다.

도 19는 이동 가능한 시일 플레이트 (170) (도 2) 또는 상단 플레이트 (1304) (도 13a) 의 이동에 따라 내부 구역 (122) (도 1) 으로부터 진공 펌프들 (150) (도 1) 로의 플로우 컨덕턴스의 변화를 가진 컨덕턴스의 변화를 예시하기 위한 그래프들 1902, 1904, 및 1906을 도시한다. 그래프 1902는 이동 가능한 시일 플레이트 (170) 또는 상단 플레이트 (1304) 가 하단 플레이트 (147) (도 2) 에 대해 수직 방향으로 시일링된 위치로부터 시일링되지 않은 위치로 거리 (zd) 만큼 이동될 때 플로우 컨덕턴스의 변화가 선형임을 예시한다. 그래프 1904는 이동 가능한 시일 플레이트 (170) 또는 상단 플레이트 (1304) 가 하단 플레이트 (147) 에 대해 폐쇄된 위치로부터 하나 이상의 점진적으로 증가하는 부분적으로 개방된 위치들로 그리고 더 개방된 위치로 각들 (θ1, θ2, 및 θ3) 을 변화시키기 위해서 회전하도록 이동될 때 플로우 컨덕턴스의 변화가 비선형임을 예시한다. 그래프 1906은 이동 가능한 시일 플레이트 (170) 또는 상단 플레이트 (1304) 가 주기적으로 배치되고 반복되는 수직 방향으로의 이동 및 회전과 함께, 수직으로 이동되고 동시에 회전될 때 플로우 컨덕턴스의 변화가 선형과 비선형의 조합임을 예시한다. 예를 들어, 그래프 1906은, 이동 가능한 시일 플레이트 (170) 가 개방된 위치 및 시일링되지 않은 위치에 있을 때까지, 이동 가능한 시일 플레이트 (170) 가 시일링되고 폐쇄된 부분으로부터 시간 기간 동안 수직으로 이동되고, 이어서 시간 기간 동안 회전되고, 이어서 시간 기간 동안 수직으로 이동되는 등을 할 때의 플로우 컨덕턴스의 변화를 나타낸다.

기계적 시스템들의 다양한 실시예들이 가로 방향, 시일링 방향, 또는 양자로 이동식 시일 플레이트 (170) 또는 상단 플레이트 (1304) 의 운동을 작동시키고 그리고/또는 제약하도록 동작 가능하지만, 이들은 예시적이고 그리고 다른 기계적 실시예들은 폐쇄된 상태, 부분적으로 개방된 상태, 및 개방된 상태 사이에서 이동식 시일 플레이트 (170) 또는 상단 플레이트 (1304) 를 전이하도록 사용될 수도 있음이 이해되어야 한다.

용어들 "실질적으로" 및 "약"은 임의의 정량 비교, 값, 측정, 또는 다른 표현에 기여할 수도 있는 불확실성의 고유의 정도를 나타내도록 본 명세서에서 활용될 수도 있다는 것을 주의하라. 이들 용어들은 또한 이슈가 되고 있는 주제의 기본 기능의 변화를 발생시키지 않고 언급된 기준으로부터 정량 표현이 변경될 수도 있는 정도를 나타내도록 본 명세서에서 활용된다.

본 명세서에 기술된 실시예들은 핸드-헬드 소프트웨어 유닛들, 마이크로프로세서 시스템들, 마이크로프로세서-기반 또는 프로그램 가능한 가전 제품, 미니컴퓨터들, 메인프레임 컴퓨터들 등을 포함한 다양한 컴퓨터 시스템 구성들로 실시될 수도 있다. 실시예들은 또한 태스크들이 네트워크를 통해 링킹되는 리모트 프로세싱 하드웨어 유닛들에 의해 수행되는 분산 컴퓨팅 환경들에서 실시될 수 있다.

일부 실시예들에서, 제어기는 상술한 실례들의 일부일 수 있는 시스템의 일부이다. 이러한 시스템들은, 프로세싱 툴 또는 툴들, 챔버 또는 챔버들, 프로세싱용 플랫폼 또는 플랫폼들, 및/또는 특정 프로세싱 컴포넌트들 (웨이퍼 페데스탈, 가스 플로우 시스템, 등) 을 포함하는, 반도체 프로세싱 장비를 포함한다. 이러한 시스템들은 반도체 웨이퍼 또는 기판의 프로세싱 이전에, 프로세싱 동안에 그리고 프로세싱 이후에 그들의 동작을 제어하기 위한 전자장치에 통합된다. 전자장치는 시스템 또는 시스템들의 다양한 컴포넌트들 또는 하위부품들을 제어할 수도 있는 "제어기"로서 지칭된다. 제어기는, 시스템의 프로세싱 요건들 및/또는 타입에 따라서, 예를 들어 프로세스 가스들의 전달, 온도 설정사항들 (예를 들어, 가열 및/또는 냉각), 압력 설정사항들, 진공 설정사항들, 전력 설정사항들, RF 생성기 설정사항들, RF 매칭 회로 설정사항들, 주파수 설정사항들, 플로우 레이트 설정사항들, 유체 전달 설정사항들, 위치 및 동작 설정사항들, 툴들 및 다른 전달 툴들 및/또는 시스템과 연결되거나 인터페이싱된 로드록들 내외로의 웨이퍼 이송들을 포함하는, 본 명세서에 개시된 프로세스들 중 임의의 프로세스를 제어하도록 프로그램된다.

일반적으로 말하면, 다양한 실시예들에서, 제어기는 인스트럭션들을 수신하고 인스트럭션들을 발행하고 동작을 제어하고 세정 동작들을 인에이블하고, 엔드포인트 측정들을 인에이블하는 등을 하는 다양한 집적 회로들, 로직, 메모리, 및/또는 소프트웨어를 갖는 전자장치로서 규정된다. 집적 회로들은 프로그램 인스트럭션들을 저장하는 펌웨어의 형태의 칩들, 디지털 신호 프로세서들 (DSP), ASIC들로서 규정되는 칩들, PLD들 및/또는 프로그램 인스트럭션들 (예를 들어, 소프트웨어) 을 실행하는 하나 이상의 마이크로프로세서들, 또는 마이크로제어기들을 포함한다. 프로그램 인스트럭션들은 반도체 웨이퍼 상에서 또는 반도체 웨이퍼에 대한 특정 프로세스를 실행하기 위한 동작 파라미터들을 규정하는, 다양한 개별 설정사항들 (또는 프로그램 파일들) 의 형태로 제어기로 또는 시스템으로 전달되는 인스트럭션들이다. 일부 실시예들에서, 동작 파라미터들은 하나 이상의 층들, 재료들, 금속들, 산화물들, 실리콘, 이산화 실리콘, 표면들, 회로들, 및/또는 웨이퍼의 다이들의 제조 동안에 하나 이상의 프로세싱 단계들을 달성하도록 프로세스 엔지니어에 의해서 규정된 레시피의 일부이다.

제어기는, 일부 실시예들에서, 시스템에 통합되거나, 시스템에 커플링되거나, 이와 달리 시스템에 네트워킹되거나, 또는 이들의 조합으로 되는 컴퓨터에 커플링되거나 이의 일부이다. 예를 들어, 제어기는 웨이퍼 프로세싱의 리모트 액세스를 허용하는 공장 (fab) 호스트 컴퓨터 시스템의 전부 또는 일부 또는 "클라우드" 내에 있다. 컴퓨터는 현 프로세싱의 파라미터들을 변경하고, 현 프로세싱을 따르는 프로세싱 단계들을 설정하고, 또는 새로운 프로세스를 시작하기 위해서, 제조 동작들의 현 진행을 모니터링하도록 시스템으로의 리모트 액세스를 인에이블하고, 과거 제조 동작들의 이력을 조사하고, 복수의 제조 동작들로부터 경향들 또는 성능 계측치들을 조사한다.

일부 실시예들에서, 리모트 컴퓨터 (예를 들어, 서버) 는 로컬 네트워크 또는 인터넷을 포함하는 네트워크를 통해서 프로세스 레시피들을 시스템에 제공한다. 리모트 컴퓨터는 차후에 리모트 컴퓨터로부터 시스템으로 전달될 파라미터들 및/또는 설정사항들의 입력 또는 프로그래밍을 가능하게 하는 사용자 인터페이스를 포함한다. 일부 예들에서, 제어기는 하나 이상의 동작들 동안에 수행될 프로세스 단계들 각각에 대한 파라미터들을 특정한, 데이터의 형태의 인스트럭션들을 수신한다. 이 파라미터들은 제어기가 제어하거나 인터페이싱하도록 구성된 툴의 타입 및 수행될 프로세스의 타입에 특정적이라는 것이 이해되어야 한다. 따라서, 상술한 바와 같이, 제어기는 예를 들어 서로 네트워킹되어서 함께 공통 목적을 위해서, 예를 들어 본 명세서에 기술된 프로세스들 및 제어들을 위해서 협력하는 하나 이상의 개별 제어기들을 포함함으로써 분산된다. 이러한 목적을 위한 분산형 제어기의 예는 챔버 상의 프로세스를 제어하도록 조합되는, (예를 들어, 플랫폼 레벨에서 또는 리모트 컴퓨터의 일부로서) 리모트로 위치한 하나 이상의 집적 회로들과 통신하는 챔버 상의 하나 이상의 집적 회로들을 포함한다.

비한정적으로, 다양한 실시예들에서, 예시적인 시스템들은 플라즈마 에칭 챔버 또는 모듈, 증착 챔버 또는 모듈, 스핀-린스 챔버 또는 모듈, 금속 도금 챔버 또는 모듈, 세정 챔버 또는 모듈, 베벨 에지 에칭 챔버 또는 모듈, PVD (physical vapor deposition) 챔버 또는 모듈, CVD (chemical vapor deposition) 챔버 또는 모듈, ALD (atomic layer deposition) 챔버 또는 모듈, ALE (atomic layer etch) 챔버 또는 모듈, 이온 주입 챔버 또는 모듈, 트랙 챔버 또는 모듈, 용량 결합된 플라즈마 챔버, 변압기 커플링된 플라즈마 챔버, 및 반도체 웨이퍼들의 제조 및/또는 제작 시에 사용되거나 연관되는 임의의 다른 반도체 프로세싱 시스템들을 포함한다.

상술된 동작들은 일부 실시예들에서, 병렬 플레이트 플라즈마 챔버, 예를 들어, 용량 결합된 플라즈마 챔버, 등으로 사용된다는 것을 더 주의하라. 일부 실시예들에서, 상술된 동작들은 다른 타입들의 플라즈마 챔버들, 예를 들어, 유도 결합된 플라즈마 (ICP) 반응기, 변압기 커플링된 플라즈마 (TCP) 반응기, 전도체 툴들, 유전체 툴들을 포함한 플라즈마 챔버, ECR (electron cyclotron resonance) 반응기를 포함한 플라즈마 챔버, 등에 적용된다.

상술한 바와 같이, 툴에 의해서 수행될 프로세스 단계 또는 단계들에 따라서, 제어기는, 반도체 제조 공장 내의 툴 위치들 및/또는 로드 포트들로부터/로 웨이퍼들의 컨테이너들을 이동시키는 재료 이송 시에 사용되는, 다른 툴 회로들 또는 모듈들, 다른 툴 컴포넌트들, 클러스터 툴들, 다른 툴 인터페이스들, 인접 툴들, 이웃하는 툴들, 공장 도처에 위치한 툴들, 메인 컴퓨터, 다른 제어기 또는 툴들 중 하나 이상과 통신한다.

상기 실시예들을 유념하여, 실시예들의 일부가 컴퓨터 시스템들에 저장된 데이터를 수반하는 다양한 컴퓨터-구현 동작들을 채용한다는 것이 이해되어야 한다. 이들 동작들은 물리량들을 물리적으로 조작한 동작들이다. 실시예들의 일부를 형성하는 본 명세서에 기술된 임의의 동작들은 유용한 머신 동작들이다.

실시예들의 일부는 또한 이들 동작들을 수행하기 위한 하드웨어 유닛 또는 장치에 관한 것이다. 장치는 특수 목적 컴퓨터를 위해 특별히 구성된다. 특수 목적 컴퓨터로서 규정될 때, 컴퓨터는 여전히 특수 목적을 위해 동작할 수 있으면서, 특수 목적의 일부가 아닌 다른 프로세싱, 프로그램 실행, 또는 루틴들을 수행한다.

일부 실시예들에서, 동작들은 선택적으로 활성화된 컴퓨터에 의해 프로세싱되거나, 컴퓨터 메모리, 캐시에 저장되거나 컴퓨터 네트워크를 통해 획득된 하나 이상의 컴퓨터 프로그램들에 의해 구성될 수도 있다. 데이터가 컴퓨터 네트워크를 통해 획득될 때, 데이터는 컴퓨터 네트워크 상의 다른 컴퓨터들, 예를 들어, 컴퓨팅 리소스들의 클라우드에 의해 프로세싱될 수도 있다.

하나 이상의 실시예들은 또한 비일시적인 컴퓨터 판독가능 매체 상의 컴퓨터 판독가능 코드로서 제조될 수 있다. 비일시적인 컴퓨터 판독가능 매체는 나중에 컴퓨터 시스템에 의해 판독되는 데이터를 저장하는 임의의 데이터 저장 하드웨어 유닛, 예를 들어, 메모리 디바이스, 등이다. 비일시적인 컴퓨터 판독가능 매체의 예들은 하드 드라이브들, 네트워크 부착 저장장치 (NAS: network attached storage), ROM, RAM, CD-ROM들 (compact disc-ROM) , CD-R들 (CD-recordable), CD-RW들 (CD-RW), 자기 테이프들 및 다른 광학 및 비광학 데이터 저장 하드웨어 유닛들을 포함한다. 일부 실시예들에서, 비일시적인 컴퓨터 판독가능 매체는 컴퓨터 판독가능 코드가 분산된 방식으로 저장되고 실행되도록 네트워크 결합된 컴퓨터 시스템 위에 분산된 컴퓨터 판독가능 유형의 매체를 포함한다.

상기의 방법 동작들이 특정한 순서로 기술되었지만, 다양한 실시예들에서, 하우스키핑 (housekeeping) 동작들이 방법 동작들 사이에서 수행되거나, 방법 동작들이 약간 상이한 시간들에서 일어나도록 방법 동작들이 조정되거나, 다양한 간격들로 방법 동작들의 발생을 허용하는 시스템에서 분포되거나, 상기에 기술된 순서와 상이한 순서로 수행된다는 것이 이해되어야 한다.

일 실시예에서, 상기에 기술된 임의의 실시예로부터의 하나 이상의 특징들이 본 개시에 기술된 다양한 실시예들에 기술된 범위로부터 벗어나지 않고 임의의 다른 실시예의 하나 이상의 특징들과 결합된다는 것이 더 주의되어야 한다.

다양한 변경들 및 변동들이 첨부된 주제의 범위로부터 벗어나지 않고 본 명세서에 기술된 실시예들에 행해질 수 있다. 그러므로 명세서는 첨부된 청구항들 및 그 등가물들의 범위 내에 있는 이러한 변경들 및 변동들을 제공하는 본 명세서에 기술된 다양한 실시예들의 변경들 및 변동들을 커버한다고 의도된다.

Claims (22)

1. 멀티-포트 밸브 어셈블리를 제어하기 위한 방법에 있어서,
   플라즈마 프로세싱 챔버와 연관된, 제어기에 의해 프로세싱될 조건을 모니터링하는 단계; 및
   플로우 컨덕턴스의 조정을 유발하기 위해서 단단한 이동식 시일 플레이트의 위치를 조정하도록 상기 멀티-포트 밸브 어셈블리와 연관된 액추에이터를 상기 제어기에 의해 인스트럭팅하는 단계로서, 상기 단단한 이동식 시일 플레이트의 상기 위치의 상기 조정은 개구들과 연관된 상기 플로우 컨덕턴스의 동시 변화를 용이하게 하도록 상기 개구들에 대하여 상기 단단한 이동식 시일 플레이트의 로브들 (lobes) 의 동시 이동을 유발하는, 상기 인스트럭팅하는 단계를 포함하고,
   상기 멀티-포트 밸브 어셈블리는 상기 플라즈마 프로세싱 챔버의 척 아래에 위치되고 그리고 상기 플로우 컨덕턴스를 제어하도록 구성되고, 상기 멀티-포트 밸브 어셈블리는 상기 멀티-포트 밸브 어셈블리의 하단 플레이트 내에 형성된 복수의 상기 개구들을 갖고, 상기 멀티-포트 밸브 어셈블리는 상기 개구들에 대해 오버랩된 상태, 부분적으로 오버랩된 상태들의 정도들, 및 오버랩되지 않은 상태 중 하나의 배치를 위해 회전 가능하게 이동 가능한 복수의 로브들을 가진 단단한 이동식 시일 플레이트를 갖고, 그리고 상기 단단한 이동식 시일 플레이트는 또한 상기 개구들에 대해 시일링된 상태 및 시일링되지 않은 상태들의 정도들 중 하나를 규정하도록 수직으로 이동 가능한, 멀티-포트 밸브 어셈블리를 제어하기 위한 방법.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 동시 이동은 상기 로브들 각각과 상기 개구들 중 대응하는 개구의 중심 사이에 형성된 동일한 각을 변화시키고, 상기 동시 이동은 상기 로브들 각각과 상기 하단 플레이트 사이에 형성된 동일한 높이를 제공하는, 멀티-포트 밸브 어셈블리를 제어하기 위한 방법.
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 조건은 프로세스 모듈에 의해 수행될 동작 레시피에 대해 상기 조건을 비교함으로써 프로세싱되고, 상기 동작 레시피는 웨이퍼를 프로세싱하도록 수행되고, 상기 인스트럭팅은 상기 동작 레시피에 대한 상기 조건의 상기 비교에 응답하여 수행되는, 멀티-포트 밸브 어셈블리를 제어하기 위한 방법.
4. 제 1 항에 있어서,
   상기 조건은 프로세스 모듈에 의해 수행될 동작 레시피에 대해 상기 조건을 비교함으로써 프로세싱되고, 상기 인스트럭팅은 상기 비교에 기초하여 상기 조건이 상기 동작 레시피를 사용하여 미리 규정된 조건과 매칭하지 않는다는 것을 결정하는 것에 응답하여 수행되는, 멀티-포트 밸브 어셈블리를 제어하기 위한 방법.
5. 제 1 항에 있어서,
   상기 단단한 이동 가능한 시일 플레이트의 상기 위치는 상기 개구들에 대해 상기 로브들을 회전 가능하게 이동시키도록 그리고 상기 개구들에 대해 상기 로브들을 수직으로 옮겨지도록 (translate) 조정되는, 멀티-포트 밸브 어셈블리를 제어하기 위한 방법.
6. 제 1 항에 있어서,
   상기 멀티-포트 밸브 어셈블리는 상기 플라즈마 프로세싱 챔버의 진공 연결 벽에 부착되고, 상기 진공 연결 벽은 상기 플라즈마 프로세싱 챔버의 하단 벽이고, 상기 플라즈마 프로세싱 챔버는 상단 벽 및 복수의 측벽들을 더 포함하는, 멀티-포트 밸브 어셈블리를 제어하기 위한 방법.
7. 제 1 항에 있어서,
   상기 하단 플레이트는 상기 이동 가능한 시일 플레이트 아래에 위치되고, 상기 플로우 컨덕턴스는 모든 상기 개구들과 연관되는, 멀티-포트 밸브 어셈블리를 제어하기 위한 방법.
8. 제 1 항에 있어서,
   상기 로브들은 상기 하단 플레이트의 질량 중심을 통과하는 수직 축에 대해 회전 가능한, 멀티-포트 밸브 어셈블리를 제어하기 위한 방법.
9. 제 1 항에 있어서,
   상기 오버랩된 상태에서, 상기 플라즈마 프로세싱 챔버로부터 진공 펌프들로 플로우 컨덕턴스가 결여되고,
   상기 부분적으로 오버랩된 상태들의 정도들의 증가와 함께, 상기 플라즈마 프로세싱 챔버로부터 상기 진공 펌프들로 플로우 컨덕턴스가 증가되고,
   상기 오버랩되지 않은 상태에서, 상기 오버랩된 상태 및 상기 부분적으로 오버랩된 상태들에서의 컨덕턴스의 양과 비교하여 상기 플라즈마 프로세싱 챔버로부터 상기 진공 펌프들로 최대량의 플로우 컨덕턴스가 있는, 멀티-포트 밸브 어셈블리를 제어하기 위한 방법.
10. 제 1 항에 있어서,
    상기 시일링된 상태 동안, 상기 플라즈마 프로세싱 챔버로부터 진공 펌프들로 컨덕턴스가 결여되고,
    상기 시일링되지 않은 상태 동안, 상기 시일링된 상태에서의 컨덕턴스와 비교하여 상기 플라즈마 프로세싱 챔버로부터 상기 진공 펌프들로 보다 높은 양의 컨덕턴스가 있는, 멀티-포트 밸브 어셈블리를 제어하기 위한 방법.
11. 제 1 항에 있어서,
    상기 액추에이터는 상기 하단 플레이트 내에 임베딩된 (embedded) 코일 및 전류 생성기를 포함하고, 전류가 상기 코일을 통해 흐를 때 상기 단단한 이동 가능한 시일 플레이트를 회전시키기 위한 자기장을 생성하는, 멀티-포트 밸브 어셈블리를 제어하기 위한 방법.
12. 제 1 항에 있어서,
    상기 액추에이터는 상기 하단 플레이트 내에 임베딩된 코일 및 전류 생성기를 포함하고, 전류가 상기 코일을 통해 흐를 때 상기 단단한 이동 가능한 시일 플레이트를 수직으로 이동시키기 위한 자기장을 생성하는, 멀티-포트 밸브 어셈블리를 제어하기 위한 방법.
13. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어기에 의해, 플라즈마 챔버의 내부 구역으로부터 상기 진공 펌프들로 저 레벨의 컨덕턴스 변화가 달성되는지를 결정하는 단계를 더 포함하고,
    상기 액추에이터를 인스트럭팅하는 단계는, 상기 저 레벨의 컨덕턴스 변화가 달성된다고 결정할 시에 상기 진공 펌프들과 상기 플라즈마 챔버 사이의 상기 복수의 개구들을 시일링하거나 시일링하지 않게 상기 단단한 이동 가능한 시일 플레이트가 수직 방향으로 이동하도록 상기 액추에이터를 제어하는 단계를 포함하고, 그리고
    상기 액추에이터를 인스트럭팅하는 단계는, 고 레벨의 컨덕턴스 변화가 달성된다고 결정하는 것에 응답하여 상기 복수의 개구들을 개방하거나, 부분적으로 개방하거나, 폐쇄하기 위해서 상기 단단한 이동 가능한 시일 플레이트를 가로 방향으로 이동시키도록 상기 액추에이터를 제어하는 단계를 포함하는, 멀티-포트 밸브 어셈블리를 제어하기 위한 방법.
14. 제 1 항에 있어서,
    상기 조건은 상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 압력을 포함하고,
    상기 방법은,
    상기 제어기에 의해, 상기 압력의 레벨이 미리 결정된 정상 동작 범위 이내인지를 결정하는 단계를 더 포함하고,
    상기 액추에이터를 인스트럭팅하는 단계는, 상기 레벨이 상기 미리 결정된 정상 동작 범위 내에 없다고 결정하는 것에 응답하여 상기 플라즈마 챔버와 상기 진공 펌프들 사이의 상기 개구들이 폐쇄되도록 상기 액추에이터를 제어하는 단계를 포함하는, 멀티-포트 밸브 어셈블리를 제어하기 위한 방법.
15. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어기에 의해, 압력의 레벨이 미리 결정된 정상 동작 범위 이내인지를 결정하는 단계는, 상기 레벨이 압력 레벨들의 미리 결정된 정상 동작 범위 이상인지를 결정하는 단계를 포함하는, 멀티-포트 밸브 어셈블리를 제어하기 위한 방법.
16. 멀티-포트 밸브 어셈블리를 제어하기 위한 방법에 있어서,
    플라즈마 프로세싱 챔버에 커플링된 제어기에 의해, 레시피에 따라 상기 멀티-포트 밸브 어셈블리를 동작시키는 단계; 및
    플로우 컨덕턴스의 조정을 유발하기 위해서 단단한 이동식 시일 플레이트의 위치를 조정하도록 상기 멀티-포트 밸브 어셈블리와 연관된 액추에이터를 상기 제어기에 의해 인스트럭팅하는 단계로서, 상기 단단한 이동식 시일 플레이트의 상기 위치의 상기 조정은 개구들과 연관된 상기 플로우 컨덕턴스의 동시 변화를 용이하게 하도록 상기 개구들에 대하여 상기 단단한 이동식 시일 플레이트의 로브들 (lobes) 의 동시 이동을 유발하는, 상기 인스트럭팅하는 단계를 포함하고,
    상기 멀티-포트 밸브 어셈블리는 상기 플라즈마 프로세싱 챔버의 척 아래에 위치되고 그리고 상기 플로우 컨덕턴스를 제어하도록 구성되고, 상기 멀티-포트 밸브 어셈블리는 상기 멀티-포트 밸브 어셈블리의 하단 플레이트 내에 형성된 복수의 개구들을 갖고, 상기 멀티-포트 밸브 어셈블리는 상기 개구들에 대해 오버랩된 상태, 부분적으로 오버랩된 상태들의 정도들, 및 오버랩되지 않은 상태 중 하나의 배치를 위해 회전 가능하게 이동 가능한 복수의 로브들을 가진 단단한 이동식 시일 플레이트를 갖고, 그리고 단단한 이동식 시일 플레이트는 또한 상기 개구들에 대해 시일링된 상태 및 시일링되지 않은 상태들의 정도들 중 하나를 규정하도록 수직으로 이동 가능한, 멀티-포트 밸브 어셈블리를 제어하기 위한 방법.
17. 제 16 항에 있어서,
    상기 레시피는 상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 압력을 포함하는, 멀티-포트 밸브 어셈블리를 제어하기 위한 방법.
18. 제 16 항에 있어서,
    상기 제어기에 의해, 플라즈마 챔버의 내부 구역으로부터 진공 펌프들로 저 레벨의 컨덕턴스 변화가 달성되는지를 결정하는 단계를 더 포함하고,
    상기 액추에이터를 인스트럭팅하는 단계는, 상기 저 레벨의 컨덕턴스 변화가 달성된다고 결정할 시에 상기 진공 펌프들과 상기 플라즈마 챔버 사이의 상기 복수의 개구들을 시일링하거나 시일링하지 않게 상기 단단한 이동 가능한 시일 플레이트가 수직 방향으로 이동하도록 상기 액추에이터를 제어하는 단계를 포함하고, 그리고
    상기 액추에이터를 인스트럭팅하는 단계는, 고 레벨의 컨덕턴스 변화가 달성된다고 결정하는 것에 응답하여 상기 복수의 개구들을 개방하거나, 부분적으로 개방하거나, 폐쇄하기 위해서 상기 단단한 이동 가능한 시일 플레이트를 가로 방향으로 이동시키도록 상기 액추에이터를 제어하는 단계를 포함하는, 멀티-포트 밸브 어셈블리를 제어하기 위한 방법.
19. 제 16 항에 있어서,
    조건은 상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 압력을 포함하고,
    상기 방법은,
    상기 제어기에 의해, 상기 압력의 레벨이 미리 결정된 정상 동작 범위 이내인지를 결정하는 단계를 더 포함하고,
    상기 액추에이터를 인스트럭팅하는 단계는, 상기 레벨이 상기 미리 결정된 정상 동작 범위 내에 없다고 결정하는 것에 응답하여 상기 플라즈마 챔버와 상기 진공 펌프들 사이의 상기 개구들이 폐쇄되도록 상기 액추에이터를 제어하는 단계를 포함하는, 멀티-포트 밸브 어셈블리를 제어하기 위한 방법.
20. 멀티-포트 밸브 어셈블리를 제어하기 위한 방법에 있어서,
    플라즈마 프로세싱 챔버와 연관된 조건을 모니터링하는 단계로서, 상기 조건은 제어기에 의해 프로세싱되고, 상기 제어기는 모니터링 디바이스를 통해 상기 플라즈마 프로세싱 챔버에 커플링되는, 상기 모니터링하는 단계; 및
    플로우 컨덕턴스의 조정을 유발하기 위해서 상단 플레이트의 부분들의 위치들을 조정하도록 상기 멀티-포트 밸브 어셈블리와 연관된 액추에이터를 상기 제어기에 의해 인스트럭팅하는 단계로서, 상기 상단 플레이트의 상기 복수의 부분들의 상기 위치들의 상기 조정은 개구들과 연관된 상기 플로우 컨덕턴스의 동시 변화를 용이하게 하도록 상기 개구들에 대하여 상기 상단 플레이트의 상기 부분들의 동시 이동을 유발하는, 상기 인스트럭팅하는 단계를 포함하고,
    상기 멀티-포트 밸브 어셈블리는 상기 플라즈마 프로세싱 챔버의 척 아래에 위치되고 그리고 상기 플로우 컨덕턴스를 제어하도록 구성되고, 상기 멀티-포트 밸브 어셈블리는 상기 멀티-포트 밸브 어셈블리의 하단 플레이트 내에 형성된 복수의 개구들을 갖고, 상기 멀티-포트 밸브 어셈블리는 상기 개구들에 대해 시일링된 상태 및 시일링되지 않은 상태들의 정도들 중 하나를 규정하도록 수직 방향으로 회전 가능한, 멀티-포트 밸브 어셈블리를 제어하기 위한 방법.
21. 제 20 항에 있어서,
    상기 조건은 상기 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 압력을 포함하고,
    상기 방법은,
    상기 제어기에 의해, 상기 압력의 레벨이 미리 결정된 정상 동작 범위 이내인지를 결정하는 단계를 더 포함하고,
    상기 액추에이터를 인스트럭팅하는 단계는, 상기 레벨이 상기 미리 결정된 정상 동작 범위 내에 없다고 결정하는 것에 응답하여 상기 플라즈마 챔버와 상기 진공 펌프들 사이의 상기 개구들이 폐쇄되도록 상기 액추에이터를 제어하는 단계를 포함하는, 멀티-포트 밸브 어셈블리를 제어하기 위한 방법.
22. 제 20 항에 있어서,
    상기 복수의 부분들 중 하나는 힌지를 통해 상기 복수의 부분들 중 또 다른 하나에 부착되는, 멀티-포트 밸브 어셈블리를 제어하기 위한 방법.

Images