CN107604313A - 沉积设备 - Google Patents

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Abstract

公开了一种沉积设备,该沉积设备包括:腔室;第一级和第二级,用于在腔室内支承衬底;蒸发源组件,在与第一级对应的第一级区和与第二级对应的第二级区之间移动,并且包括多个喷嘴,其中,源材料通过该多个喷嘴被喷射;以及拍照组件,设置在第一级与第二级之间,并为多个喷嘴拍照。

Description

沉积设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年7月12日提交的第10-2016-0088199号韩国专利申请的优先权以及由此产生的所有权益,该韩国专利申请的内容通过引用以其整体并入本文。
技术领域
本发明的示例性实施方式涉及沉积设备。
背景技术
通常,为制造有机发光显示面板,执行用于在衬底上形成有机薄膜的沉积过程。当源材料被插入至腔室内的蒸发源中并被加热时,蒸发的源材料的蒸气穿过预定的掩模图案并且沉降在衬底上。在有机薄膜沉积过程中,期望导致有机薄膜的均匀生长。
发明内容
在有机薄膜沉积过程中,可产生源材料附着于喷嘴以及喷嘴的孔被阻塞的现象,其中源材料通过喷嘴被释放。当喷嘴被阻塞时,在沉积过程期间,材料可能被不均匀地施加。相应地,沉积在衬底上的有机薄膜的厚度是不均匀的,并且制造的衬底可能具有缺陷。
本发明的示例性实施方式提供沉积设备,包括:腔室;第一级和第二级,用于在腔室内部支承衬底;蒸发源组件,在与第一级对应的第一级区和与第二级对应的第二级区之间移动,并且包括多个喷嘴,其中,源材料通过该多个喷嘴被喷射;以及拍照组件,设置在第一级与第二级之间,并且为多个喷嘴拍照。
在示例性实施方式中,设备还可包括:控制器,基于从拍照组件提供的图像数据确定多个喷嘴的阻塞状态。在示例性实施方式中,设备还可包括:驱动组件,移动蒸发源组件。在示例性实施方式中,蒸发源组件还可包括:蒸发容器,容纳源材料;热反射板,多个喷嘴布置在热反射板上,并且热反射板覆盖蒸发容器;以及加热单元,加热源材料。
在示例性实施方式中,控制器可包括:图像分析单元,分析图像数据;驱动控制器,控制驱动组件以使得蒸发源组件在第一级区与第二级区之间移动;以及加热控制器,控制加热单元的加热程度。在示例性实施方式中,当确定多个喷嘴中的预定数目或者更多数目的喷嘴被阻塞时,控制器可控制加热单元辐射热量。
在示例性实施方式中,设备还可包括:显示单元,显示多个喷嘴的阻塞状态。在示例性实施方式中,当多个喷嘴中的任意一个喷嘴的喷嘴开口区的阻塞程度等于或者大于参考值时,控制器可通过显示单元作出警告。
在示例性实施方式中,拍照组件可设置在蒸发源组件的移动路径上,并且可为移动的蒸发源组件的多个喷嘴拍照。在示例性实施方式中,多个喷嘴设置成至少一个喷嘴行,拍照组件的拍照次数可与包括在一个喷嘴行中的喷嘴的数目对应。在示例性实施方式中,控制器可控制拍照组件以使得每当蒸发源组件在第一级区与第二级区之间移动时拍照组件以预定定时拍照。
在示例性实施方式中,拍照组件还可包括:壳体,在壳体内限定有内部空间;多个相机单元,设置在壳体内;照明单元,与多个相机单元对应;以及观测窗,设置在壳体的面对蒸发源组件的前表面上。
在示例性实施方式中,壳体的内侧可维持在大气压状态下。在示例性实施方式中,多个喷嘴设置成至少一个喷嘴行,相机单元的数目可与布置在蒸发源组件中的喷嘴行的数目相同。
在示例性实施方式中,设备还可包括:遮板单元,设置在蒸发源组件与拍照组件之间,以及打开和关闭与观测窗对应的区。在示例性实施方式中,设备还可包括:覆盖玻璃单元,在拍照组件与遮板单元之间可拆卸。在示例性实施方式中,设备还可包括:防粘附板,防止源材料接触除与观测窗对应的区以外的区。
附图说明
参考附图,现将在下文中更充分地描述示例性实施方式;然而,示例性实施方式可以以不同形式实施,并且不应被理解为限于本文中所述的实施方式。确切地说,提供这些实施方式以使得本公开将是全面和完整的,以及将向本领域技术人员充分地传达示例性实施方式的范围。
图1是示出根据本发明的示例性实施方式的沉积设备的俯视图。
图2A是示出图1的沉积设备的剖视图。
图2B是用于描述其中拍照组件为喷嘴拍照的示例的图。
图2C是示出基于图像数据提供的喷嘴的图像的示例的图。
具体实施方式
下文中,将参考附图详细地描述本发明的示例性实施方式。
参考附图,现将在下文中更充分地描述本发明,其中,附图中示出多种实施方式。然而,本发明可以以许多不同形式实施,并且不应被解释为限于本文中所述的实施方式。确切地说,提供这些实施方式以使得本发明将是全面和完整的,并将向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。全文中相同的附图标记指代相同的元件。
将理解,当元件被称为在另一个元件“上”时,其可直接在该另一个元件上或者二者之间可有中间元件。相反地,当元件被称作“直接”在另一个元件“上”时,则不存在中间元件。将理解,当元件被称为在两个元件“之间”时,其可以是两个元件之间的唯一元件,或者也可存在一个或者多个中间元件。全文中相同的附图标记指代相同的元件。
将理解,虽然在本文中可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述多种元件、部件、区域、层和/或区段,但是这些元件、部件、区域、层和/或区段不应被这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件、部件、区域、层或者区段与另一个元件、部件、区域、层或者区段区分开。因此,在不背离本文教导的前提下,下面讨论的“第一元件”、“第一部件”、“第一区域”、“第一层”或者“第一区段”可被称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或者第二区段。
本文中使用的术语仅为描述具体实施方式的目的而不旨在限制。除非上下文中明确另有表示,否则,如本文使用的,单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”旨在包括复数形式(包括“至少一个”)。“或者”意思是“和/或”。如本文中所使用的,术语“和/或”包括相关所列项中的一个或者多个的任意和全部组合。还将理解,当本说明书中使用术语“包含”和/或“包含有”或者“包括”和/或“包括有”时,说明所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在,但不排除一个或者多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或者添加。
此外,本文中可使用诸如“下方(lower)”或者“底部(bottom)”以及“上方(upper)”或者“顶部(top)”的相对术语来描述如附图所示的一个元件与另一个元件的关系。将理解,除了附图中描述的定向之外,相对术语旨在包含装置的不同的定向。在示例性实施方式中,当附图中的一个中的装置被翻转时,则被描述为在其它元件“下”侧的元件将被定向为在该其它元件的“上”侧。因此,根据附图的具体的定向,示例性术语“下方”可包括“下方”和“上方”两种定向。同样地,当附图中的一个中的装置被翻转时,则被描述为在其它元件“下面”或者“之下”的元件将被定向为在该其它元件的“上面”。因此,示例性术语“下面”或者“之下”可包含上面和下面两种定向。
如本文中使用的“约”或者“近似”包括所陈述的数值以及意味着在如本领域普通技术人员所确定的、考虑到测量问题以及与具体量的测量有关的误差(例如,测量系统的限制)的可接受的具体数值的偏差范围之内。例如,“约”可意味着在一个或者多个标准偏差之内,或者在所陈述的数值的±30%、±20%、±10%、±5%之内。
说明书中的术语“控制器”和“分析单元”可表示专用处理器,该专用处理器的结构被本领域普通技术人员所公知。
除非另有限定,否则本文中使用的全部术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属技术领域的普通技术人员通常理解相同的含义。还将理解,除非本文中明确地如此限定,否则诸如在常用字典中限定的术语的术语应当被理解为具有其在相关领域和发明的上下文中的含义相一致的含义,并且将不理解成理想化的或者过于正式的含义。
本文中参考剖视图描述示例性实施方式,其中该剖视图是理想实施方式的示意图。因而,将预期由例如制造技术和/或公差导致的与示图的形状的偏差。因此,本文中描述的实施方式不应被理解为限于如本文中示出的区域的具体形状,而是包括由例如制造导致的形状的偏差。在示例性实施方式中,被示出或者描述为平坦的区域可通常具有粗糙的和/或非线性的特征。此外,所示的尖角可以是圆角。因此,附图中示出的区域本质上是示意性的,并且它们的形状不旨在示出区域的精确形状,以及不旨在限制权利要求的范围。
图1是示出根据本发明的示例性实施方式的沉积设备的俯视图。
参照图1,根据本发明的示例性实施方式的沉积设备1可包括腔室10、第一级ST1、第二级ST2、蒸发源组件20、拍照组件30和控制器40。
腔室10中限定有其中执行沉积过程的空间。用于处理多个衬底G1和G2的空间被限定在腔室10中。为此,腔室10可包括用于分别对衬底G1和G2执行沉积过程的多个级ST1和ST2。级ST1和ST2将在下文中描述。
腔室10的内侧可维持预定水平的真空状态以使得沉积过程更顺利地执行,并且用于创造真空状态的真空泵(未示出)可连接至腔室10。此外,腔室10可设置有用于运入和运出衬底G1和G2的入口/出口(未示出)。
在示例性实施方式中,腔室10可由诸如铝、不锈钢或铜的金属材料制造。在另一个示例性实施方式中,腔室10可由包镀金属制造,例如,阳极化铝或者镀镍的铝。在另一个示例性实施方式中,腔室10也可由耐熔金属制造。在示例性实施方式中,腔室10的全部或者部分可由诸如石英或陶瓷的电绝缘材料制造。在示例性实施方式中,腔室10可具有例如圆形结构、四边形结构的结构。然而,本发明不限制于此,并且腔室10可包括适于在衬底G1和G2上执行沉积过程的任意类型的结构。
衬底G1和G2可以是用于制造有机发光显示面板的衬底。然而,衬底G1和G2不限制于显示面板,并且可以是用于制造半导体装置的诸如晶片的半导体衬底。
第一级ST1和第二级ST2具有用于在腔室10内支承衬底G1和G2的配置。在示出的示例性实施方式中,第一级ST1和第二级ST2设置(例如,定位)在腔室10内,并且具有上部夹紧结构,在该上部夹紧结构中,沉积过程在第一级ST1和第二级ST2分别支承衬底G1和G2以使得待处理的衬底G1和G2的表面面对下侧的状态下执行。
第一级ST1设置(例如,定位)在腔室10一侧(例如,图1至图2B中的左侧),以及第二级ST2设置(例如,定位)在腔室10另一侧(例如,图1和图2中的右侧)。第一级ST1和第二级ST2具有基本上彼此相同的结构,因此,下文中将仅描述第一级ST1。
第一级ST1将第一衬底G1的经处理的表面支承为在下方向上暴露。在示例性实施方式中,例如,第一级ST1可通过用于支承第一衬底G1的衬底支承单元(未示出)来机械地固定第一衬底G1。在另一个示例性实施方式中,例如,第一级ST1可通过液压来吸附和固定第一衬底G1。根据第一衬底G1的尺寸和处理,第一级ST1可具有多种形式和结构。
在示出的示例性实施方式中,沉积设备1包括两个级ST1和ST2,但是本发明不限制于此。在另一个示例性实施方式中,沉积设备1可包括三个级或者更多个级。
蒸发源组件20将源材料容纳于其中,并且提供通过加热蒸发的源材料。在示出的示例性实施方式中,在剖视图中,蒸发源组件20具有设置(例如,定位)在腔室10的下部处并在上方向上提供源材料的结构。蒸发源组件20包括多个喷嘴21,其中,源材料通过该多个喷嘴21喷射。
喷嘴21可以以线为单位设置,以及喷嘴21可设置为两行或者更多行。在示出的示例性实施方式中,喷嘴21可在蒸发源组件20的上表面上设置为三行,并且三行喷嘴21从一侧(例如,图1中的从上侧至下侧)依次称为第一喷嘴行、第二喷嘴行和第三喷嘴行。
喷嘴21的尺寸和间距可以是一致的或者可根据其位置变化。可根据处理的种类以及源材料的特性使用喷嘴21。
当蒸发源组件20在腔室10内移动时,蒸发源组件20可执行沉积过程。具体地,蒸发源组件20可在第一级区SA1与第二级区SA2之间移动,其中,第一级区SA1与第一级ST1对应,并且第二级区SA2与第二级ST2对应。为此,腔室10还可包括用于移动蒸发源组件20的驱动组件11。
在示出的示例性实施方式中,当蒸发源组件20通过驱动组件11在第一级区SA1与第二级区SA2之间重复地移动时,蒸发源组件20可执行连续的沉积过程。此外,在用于第一衬底G1或者第二衬底G2的沉积过程期间,蒸发源组件20可通过驱动组件11执行往复扫描运动以使得源材料均匀地喷射。
在示例性实施方式中,例如,蒸发源组件20可在处于设置(例如,定位)在第一级区SA1中的状态下在第一衬底G1上执行沉积过程。此外,当对第一衬底G1的沉积过程完成时,蒸发源组件20通过驱动组件11移动至第二级区SA2。此外,蒸发源组件20可在处于设置(例如,定位)在第二级区SA2中的状态下在第二衬底G2上执行沉积过程。此外,当对第二衬底G2的沉积过程完成时,蒸发源组件20通过驱动组件11移动至第一级区SA1。
驱动组件11可包括驱动电机(未示出)和轨道构件,其中,驱动电机提供动力以用于蒸发源组件20的在级区(例如,第一级区SA1和第二级区SA2)之间的移动以及蒸发源组件20的在一个级区内的扫描运动,轨道构件引导蒸发源组件20的移动路径。然而,驱动组件11不限制于示出的示例性实施方式,并可具有用于上下、前后和左右驱动蒸发源组件20的多种变型示例。
拍照组件30设置在第一级ST1与第二级ST2之间,以及为喷嘴21拍照。拍照组件30设置(例如,定位)在腔室10上部处,以及朝向下侧拍照,其中,蒸发源组件20设置(例如,定位)在下侧处。拍照组件30的拍照区可位于第一级区SA1与第二级区SA2之间。
在示出的示例性实施方式中,拍照组件30可包括多个相机单元31和与相机单元31对应的照明单元33。相机单元31可包括电荷耦合装置(“CCD”),以及可为以线为单位的穿过拍照区的喷嘴21的部分拍照并生成光学的图像数据IDATA。照明单元33可被准备以朝喷嘴21发光,并可被控制为仅在拍照时发光。
拍照组件30设置在蒸发源组件20的移动路径上,并为移动的蒸发源组件20的喷嘴21拍照。在示例性实施方式中,相机单元31的数目可与布置在蒸发源组件20中的喷嘴21的行数相同。例如,当设置在蒸发源组件20中的喷嘴21的行的数目为三时,可设置三个相机单元31。
在示例性实施方式中,例如,相机单元31可包括第一相机单元31a、第二相机单元31b和第三相机单元31c。第一相机单元31a为第一喷嘴行的喷嘴21a拍照,第二相机单元31b为第二喷嘴行的喷嘴21b拍照,以及第三相机单元31c为第三喷嘴行的喷嘴21c拍照。
在示例性实施方式中,拍照组件30的拍照次数可与包括在一个喷嘴行内的喷嘴21的数目对应。在示例性实施方式中,例如,当每个喷嘴行包括11个喷嘴21时,相机单元31在蒸发源组件20穿过拍照区时依次拍照11次,并获得针对每个喷嘴21的图像数据IDATA。
同时,为了防止处理时间损失(例如,节拍时间损失),蒸发源组件20在级(例如,第一级ST1与第二级ST2)之间移动期间移动而不停止,因此拍照组件30可具有短时间内为喷嘴21拍照多次的性能。
控制器40可在腔室10上以及包括腔室10的沉积设备1上执行通常的控制。控制器40与驱动组件11、蒸发源组件20和拍照组件30电连接,以及可合并成腔室10的部分,或者可配置为与腔室10分离的单独的配置,例如,计算机系统。
控制器40可控制或者检测衬底G1和G2运入至腔室10中以及衬底G1和G2从腔室10运出。此外,控制器40可控制蒸发源组件20以在运入至腔室10中的衬底G1和G2上执行沉积过程。此外,控制器40可控制驱动组件11以使得蒸发源组件20在第一级区SA1与第二级区SA2之间移动。
在示例性实施方式中,控制器40可控制拍照组件30以使得每当蒸发源组件20在第一级区SA1与第二级区SA2之间移动时拍照组件30以预定定时为喷嘴21拍照。在示例性实施方式中,例如,控制器40可使驱动控制信号与拍照控制信号同步,其中,驱动控制信号命令驱动组件11在级(例如,第一级ST1与第二级ST2)之间移动,拍照控制信号命令拍照组件30拍照。
控制器40基于由拍照组件30提供的图像数据IDATA确定喷嘴21的阻塞状态。在示例性实施方式中,控制器40可处理和分析图像数据IDATA,以及通过单位像素之间的亮度不同或者颜色不同辨别喷嘴开口区NOA(参见图2C)和外来材料区MA(参见图2C)。在这种情况下,为了精确地确定喷嘴图像,控制器40可比较图像数据IDATA与预存的参考数据。
此外,控制器40可确定与外来材料区MA(参见图2C)和喷嘴开口区NOA(参见图2C)的尺寸比对应的阻塞程度。当喷嘴21的阻塞程度等于或者大于参考值时,控制器40可确定对应的喷嘴21被阻塞。
根据示出的示例性实施方式的沉积设备1可应用于用于制造诸如存储器或者逻辑电路的半导体装置的沉积设备1或者用于制造诸如有机发光二极管的显示装置的沉积设备1,其中在半导体装置中,元件层通过由源材料生成的蒸气或者源材料的反应产物的沉积物来提供。然而,这是说明性的,并且根据示出的示例性实施方式的沉积设备1可应用于包括源材料通过喷嘴喷射的结构的全部沉积设备。
图2A是示出图1的沉积设备1的剖视图,图2B是用于描述拍照组件为喷嘴拍照的示例的图,以及图2C是示出基于图像数据提供的喷嘴的图像的示例的图。
参照图2A,蒸发源组件20还可包括热反射板23、蒸发容器25和加热单元27。
热反射板23覆盖蒸发容器25,以及喷嘴21布置在热反射板23上。热反射板23减少蒸发源组件20的热损失。热反射板23的数目可与布置在蒸发源组件20中的喷嘴21的行数相同。
蒸发容器25中限定有用于容纳源材料的空间。在示出的示例性实施方式中,在剖视图中,蒸发容器25具有矩形容器的形状。在示例性实施方式中,例如,源材料可包括聚合物有机材料、低分子有机材料、聚合物、无机材料等,并且可以是固体或者液体。
在示例性实施方式中,可选择诸如不锈钢、铝、钛或铜的金属材料、通过其可观察内部的诸如石英或玻璃的材料以及具有绝缘效果的诸如陶瓷的材料中的任意一种或者组合作为蒸发容器25的部分或者全部的材料,但是本发明不限制于此。
加热单元27将容纳在蒸发容器25中的源材料蒸发。加热单元27可设置在(例如,埋入)蒸发容器25中,或者可附接至蒸发容器25的外表面。加热单元27的种类不具体地限制。在示例性实施方式中,例如,加热单元27可以是加热线圈或者加热片。在另一个示例性实施方式中,例如,加热单元27也可以是辐射加热器、液体循环加热器或感应加热器。
在示例性实施方式中,拍照组件30还可包括壳体35和观测窗37,其中,在壳体35中限定有用于容纳多个相机单元31的内部空间,观测窗37设置在壳体35的面对蒸发源组件20的前表面上。
壳体35可设置(例如,定位)在腔室10上,以及可设置有面对下侧的观测窗37。相机单元31和照明单元33设置(例如,安装)在壳体35内,以及壳体35的内侧可维持在大气压状态下。因为腔室10处于真空状态中,所以壳体35具有与外部密封的结构。
在示例性实施方式中,沉积设备1还可包括覆盖玻璃单元13、遮板单元15和防粘附板17。
覆盖玻璃单元13是在拍照组件30与遮板单元15之间可拆卸的。覆盖玻璃单元13防止观测窗37被蒸发的源材料污染。为了容易地替换污染的覆盖玻璃单元13,覆盖玻璃单元13可被可拆卸地设置。
遮板单元15设置在蒸发源组件20与拍照组件30之间,并打开和关闭与观测窗37对应的区。遮板单元15在拍照组件30的拍照期间打开,以及在除拍照组件30的拍照时间之外的时间内遮板单元15维持在关闭状态以防止拍照组件30被污染。在示出的示例性实施方式中,例如,遮板单元15可以是滑动式的。
防粘附板17具有用于防止源材料接触除与观测窗37对应的区之外的区的配置。防粘附板17设置在遮板单元15与蒸发源组件20之间以防止拍照组件30的周围区被污染。
在示例性实施方式中,控制器40可包括图像分析单元41、驱动控制器43和加热控制器45,其中,图像分析单元41分析图像数据IDATA,驱动控制器43控制驱动组件11以使得蒸发源组件20在第一级区SA1与第二级区SA2之间移动,以及加热控制器45控制加热单元27的加热程度。
在示例性实施方式中,控制器40可通过图像分析单元41确定喷嘴21的阻塞状态,并根据确定结果控制加热单元27辐射热量。在这种情况下,控制器40可仅控制加热单元27的接近该喷嘴21的部分辐射热量。当加热单元27辐射热量并且喷嘴21的温度增加预定水平时,粘在污染的喷嘴上的源材料被蒸发和清除。
具体地,当确定喷嘴21中的预定数目或者更多数目的喷嘴被阻塞时,控制器40可控制加热单元27辐射热量。在示例性实施方式中,例如,当确定两个或更多喷嘴21被阻塞时,控制器40可控制加热单元27辐射热量。
此外,当喷嘴21中的任意一个喷嘴的喷嘴开口区NOA的阻塞程度等于或者大于参考值时,控制器40可控制加热单元27辐射热量。在示例性实施方式中,例如,当确定外来材料区MA(参见图2C)侵入喷嘴开口区NOA(参见图2C)的足够大的面积时,控制器40可控制加热单元27辐射热量。
相应地,沉积设备1可监测喷嘴21的阻塞状态,以及在污染的喷嘴上执行清除操作。
在示例性实施方式中,沉积设备1还可包括用于显示喷嘴21的阻塞状态的显示单元50。显示单元50显示由控制器40绘制的关于喷嘴21的阻塞状态的信息。此外,显示单元50可显示从控制器40发送的多种消息。在示例性实施方式中,例如,显示单元50可用文字、声音、报警灯等通知用户喷嘴图像、喷嘴的阻塞程度、喷嘴的温度、源材料的剩余量等。
显示单元50可设置(例如,安装)在腔室10的侧表面上,或者可通过与腔室10电连接的单独的监测装置实现,以及也可与控制器40设置在一起。然而,本发明不限制于此,并且显示单元50的种类、位置、形式和尺寸可根据需要多样地修改。
参照图2B和图2C,当蒸发源组件20通过驱动组件11在第一级区SA1与第二级区SA2之间重复地移动时,蒸发源组件20连续地执行沉积过程。拍照组件30为在第一级区SA1与第二级区SA2之间移动的蒸发源组件20的喷嘴21拍照。
拍照组件30可为以线为单位的穿过拍照区IA的喷嘴21的部分拍照,并生成光学的图像数据IDATA。在这种情况下,拍照组件30的拍照次数可与包括在一个喷嘴行内的喷嘴21的数目对应。在示例性实施方式中,例如,当每个喷嘴行包括11个喷嘴21时,相机单元31在蒸发源组件20穿过拍照区IA时依次拍照11次,并获得针对每个喷嘴21的图像数据IDATA。
在这种情况下,遮板单元15在拍照组件30的拍照期间打开,以及在除拍照组件30的拍照时间之外的时间内维持在关闭状态以防止拍照组件30被污染。即,遮板单元15在蒸发源组件20在第一级区SA1与第二级区SA2之间移动时打开,以及在其它状态下关闭。
控制器40可基于从拍照组件30提供的图像数据IDATA提供全部喷嘴图像或者喷嘴图像的一部分。控制器40通过分析喷嘴图像确定喷嘴21的阻塞状态。在示例性实施方式中,控制器40可通过喷嘴图像的单位像素之间的亮度不同和颜色不同辨别喷嘴开口区NOA和外来材料区MA。在这种情况下,为了精确地确定喷嘴图像,控制器40可比较图像数据IDATA与预存的参考数据。
此外,控制器40可确定与外来材料区MA和喷嘴开口区NOA的尺寸比对应的阻塞程度。当喷嘴21的阻塞程度等于或者大于参考值时,控制器40可确定对应的喷嘴21被阻塞。
在示例性实施方式中,控制器40可确定喷嘴21的阻塞状态,以及通过显示单元50发出关于确定结果的警告。在示例性实施方式中,例如,显示单元50可用文字、声音、报警灯等通知用户喷嘴图像、喷嘴的阻塞程度、喷嘴的温度、源材料的剩余量等。
在示例性实施方式中,例如,当喷嘴21布置为三行时,通过一次拍照的喷嘴图像包括第一喷嘴行中的喷嘴21a、第二喷嘴行中的喷嘴21b以及第三喷嘴行中的喷嘴21c。例如,喷嘴21中第二喷嘴行中的喷嘴21b的外来材料区MA的尺寸等于或者大于参考值时,控制器40可确定第二喷嘴行中的喷嘴21b被阻塞。控制器40通过显示单元50发出关于第二喷嘴行中的喷嘴21b的阻塞状态的警告。
根据本发明,方便地操作、以及维护和修理沉积设备1,以及通过由设置在第一级ST1与第二级ST2之间的拍照组件30监测喷嘴21的阻塞状态来保证薄膜沉积过程的均匀性是可能的。
已经根据示例性实施方式具体地描述了本发明的技术精神,但是在本文中示例性实施方式出于说明目的被描述,并不限制本发明。此外,本领域技术人员将理解,在没有背离本发明的范围和精神的前提下,可作出多种变型。
本发明的具体说明包括具体的示例性实施方式的描述,但是在没有背离本发明的范围和技术精神的前提下,可得到范围之内的多种变型。因此,本发明的范围不限于所描述的示例性实施方式,而是应由所附的权利要求以及权利要求的等同限定。

Claims (17)

1.沉积设备,包括:
腔室;
第一级和第二级,在所述腔室内分别支承衬底;
蒸发源组件,在与所述第一级对应的第一级区和与所述第二级对应的第二级区之间移动,并且包括多个喷嘴,其中,源材料通过所述多个喷嘴喷射;以及
拍照组件,设置在所述第一级与所述第二级之间,并且为所述多个喷嘴拍照。
2.根据权利要求1所述的设备,还包括:
控制器,基于从所述拍照组件提供的图像数据确定所述多个喷嘴的阻塞状态。
3.根据权利要求2所述的设备,还包括:
驱动组件,移动所述蒸发源组件。
4.根据权利要求3所述的设备,其中,所述蒸发源组件还包括:
蒸发容器,容纳所述源材料;
热反射板,所述多个喷嘴布置在所述热反射板上,以及所述热反射板覆盖所述蒸发容器;以及
加热单元,加热所述源材料。
5.根据权利要求4所述的设备,其中,所述控制器包括:
图像分析单元,分析所述图像数据;
驱动控制器,控制所述驱动组件以使得所述蒸发源组件在所述第一级区与所述第二级区之间移动;以及
加热控制器,控制所述加热单元的加热程度。
6.根据权利要求5所述的设备,其中,当确定所述多个喷嘴中的预定数目或者更多数目的喷嘴被阻塞时,所述控制器控制所述加热单元辐射热量。
7.根据权利要求5所述的设备,还包括:
显示单元,显示所述多个喷嘴的所述阻塞状态。
8.根据权利要求7所述的设备,其中,当所述多个喷嘴中的任意一个喷嘴的喷嘴开口区的阻塞程度等于或者大于参考值时,所述控制器通过所述显示单元作出警告。
9.根据权利要求1所述的设备,其中,所述拍照组件设置在所述蒸发源组件的移动路径上,以及为移动的所述蒸发源组件的所述多个喷嘴拍照。
10.根据权利要求1所述的设备,其中,
所述多个喷嘴设置成至少一个喷嘴行;
所述拍照组件的拍照次数与包括在一个所述喷嘴行中的喷嘴的数目对应。
11.根据权利要求2所述的设备,其中,所述控制器控制所述拍照组件以使得每当所述蒸发源组件在所述第一级区与所述第二级区之间移动时所述拍照组件以预定定时拍照。
12.根据权利要求1所述的设备,其中,所述拍照组件还包括:
壳体,所述壳体内限定有内部空间;
多个相机单元,设置在所述壳体内;
照明单元,与所述多个相机单元对应;以及
观测窗,设置在所述壳体的面对所述蒸发源组件的前表面上。
13.根据权利要求12所述的设备,其中,所述壳体的内侧维持在大气压状态下。
14.根据权利要求12所述的设备,其中,
所述多个喷嘴设置成至少一个喷嘴行;
所述相机单元的数目与布置在所述蒸发源组件中的所述喷嘴行的数目相同。
15.根据权利要求12所述的设备,还包括:
遮板单元,设置在所述蒸发源组件与所述拍照组件之间,以及打开和关闭与所述观测窗对应的区。
16.根据权利要求15所述的设备,还包括:
覆盖玻璃单元,在所述拍照组件与所述遮板单元之间可拆卸。
17.根据权利要求12所述的设备,还包括:
防粘附板,防止所述源材料接触除与所述观测窗对应的区以外的区。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108330438A (zh) * 2018-03-12 2018-07-27 昆山国显光电有限公司 Oled蒸镀装置及系统

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10906058B2 (en) * 2017-01-27 2021-02-02 Nordson Corporation Systems and methods for inspecting and cleaning a nozzle of a dispenser
KR101941408B1 (ko) * 2018-08-30 2019-01-22 김정석 반도체 웨이퍼 증착장비용 샤워헤드 검사장치
KR20210113462A (ko) * 2020-03-05 2021-09-16 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 이를 이용한 노즐 검사 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005163090A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 蒸着用るつぼ及び蒸着装置
CN1682569A (zh) * 2002-09-20 2005-10-12 株式会社半导体能源研究所 制造系统以及发光元件的制作方法
CN101880865A (zh) * 2009-05-04 2010-11-10 三星移动显示器株式会社 用于沉积有机材料的装置及其沉积方法和沉积系统
CN103415645A (zh) * 2011-03-14 2013-11-27 夏普株式会社 蒸镀颗粒射出装置和蒸镀装置以及蒸镀方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3255469B2 (ja) * 1992-11-30 2002-02-12 三菱電機株式会社 レーザ薄膜形成装置
US5937272A (en) 1997-06-06 1999-08-10 Eastman Kodak Company Patterned organic layers in a full-color organic electroluminescent display array on a thin film transistor array substrate
DE102005010681B4 (de) * 2005-03-09 2016-05-04 Leybold Optics Gmbh Messanordnung zum optischen Monitoring von Beschichtungsprozessen
US20070178225A1 (en) * 2005-12-14 2007-08-02 Keiji Takanosu Vapor deposition crucible, thin-film forming apparatus comprising the same, and method of producing display device
DK2524974T3 (da) * 2011-05-18 2014-08-11 Riber Injektor til et vakuuminddampningssystem
US20160230265A1 (en) * 2013-02-14 2016-08-11 Dillard University Multiple Beam Pulsed Laser Deposition Of Composite Films
JP6161958B2 (ja) 2013-05-31 2017-07-12 東洋エアゾール工業株式会社 エアゾール容器用ノズルキャップ
CN103774097B (zh) * 2014-01-23 2015-07-01 中国科学院合肥物质科学研究院 强磁场辅助脉冲激光沉积系统
US9822980B2 (en) 2014-09-24 2017-11-21 Pratt & Whitney Canada Corp. Fuel nozzle
KR20160090983A (ko) * 2015-01-22 2016-08-02 삼성디스플레이 주식회사 리플렉터를 구비한 증착원
US20170029938A1 (en) * 2015-04-30 2017-02-02 Boe Technology Group Co., Ltd. Evaporation source, evaporation-deposition device and evaporation-deposition method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1682569A (zh) * 2002-09-20 2005-10-12 株式会社半导体能源研究所 制造系统以及发光元件的制作方法
JP2005163090A (ja) * 2003-12-01 2005-06-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 蒸着用るつぼ及び蒸着装置
CN101880865A (zh) * 2009-05-04 2010-11-10 三星移动显示器株式会社 用于沉积有机材料的装置及其沉积方法和沉积系统
CN103415645A (zh) * 2011-03-14 2013-11-27 夏普株式会社 蒸镀颗粒射出装置和蒸镀装置以及蒸镀方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108330438A (zh) * 2018-03-12 2018-07-27 昆山国显光电有限公司 Oled蒸镀装置及系统

Also Published As

Publication number Publication date
CN107604313B (zh) 2021-11-02
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