CN107579086A

CN107579086A - 半导体器件和半导体器件的制造方法

Info

Publication number: CN107579086A
Application number: CN201710753668.7A
Authority: CN
Inventors: 渡部刚
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2013-01-17
Filing date: 2014-01-10
Publication date: 2018-01-12
Anticipated expiration: 2034-01-10
Also published as: US9166070B2; US20150380452A1; CN107579086B; US10388683B2; CN103943613A; JP2014138119A; CN103943613B; US20140197506A1

Abstract

本发明涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。该半导体器件包括：基板；设置在所述有机基板上的集成电路和芯片部件，其中，芯片部件与集成电路间隔开；模制成型部，包括中央部和周边部；以及设置在所述模制成型部的中央部上的固态图像拾取元件，所述固态图像拾取元件具有的顶部边缘在厚度方向上的位置中比所述模制成型部的周边部的顶部边缘低。

Description

半导体器件和半导体器件的制造方法

本申请是申请日为2014年1月10日、申请号为201410012589.7、发明名称为“半导体器件和半导体器件的制造方法”的专利申请的分案申请，其全部内容结合于此作为参考。

相关申请的交叉参考

本申请要求于2013年1月17日提交的日本在先专利申请JP2013-6533的权益，该专利申请的全部内容通过引用结合于此。

技术领域

本发明涉及半导体器件和制造该半导体器件的方法。特别地，本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法，其能够通过减小外部尺寸，减小厚度，以及增加热辐射效率抑制固态图像拾取元件的温度升高而减小热噪声的影响。

背景技术

近年来，随着智能手机、平板电脑等已被小型化，半导体器件，内置于诸如智能手机、平板装置等中的半导体封装件和半导体模块的半导体器件已经日益被小型化。

对于该半导体器件，已经提出一种能够表面安装的方法，其中固态图像拾取元件通过树脂的使用粘结到倒装芯片安装在基板上的IC上，并且不需要额外的基板(参见美国专利申请公开号US005696031A)。

然而，在上述方法中，由于从IC产生的热被转移到固态图像拾取元件，该固态图像拾取装置的电气特性会降低。

因此，已经提出一种方法，其通过使用树脂将垫片(spacer)粘结到IC顶表面且将固态图像拾取元件粘结到该垫片，抑制从IC产生的热转移到该固态图像拾取元件(参见日本未审查专利申请公开号No.2004-006564)。

然而，在上述方法中，有必要事先制备片状热绝缘合成胶粘剂。除此之外，精确附接和硬化该胶粘剂的步骤是必要的。因此，会增加制造材料和制造步骤数。

因此，已经提出了一种将空腔设置在陶瓷基板或有机基板的两个表面上，并将固态图像拾取元件和IC均容纳在其中的方法(参见日本未审查专利申请公开号2012-009547(JP2012-009547A))。

发明内容

然而，在JP2012-009547A中公开的技术中，在安装固态图像拾取元件和IC时，有必要保证固态图像拾取元件和IC之间的层的强度。除此之外，由于固态图像拾取元件和IC的布线被集中，该层的厚度不太可能被减小，从而导致不能减小封装件的厚度。

此外，为了减小封装件的厚度，已经提出一种方法，该方法在空腔中设置台阶，在最低表面上安装IC，且随后在固态图像拾取元件上方的台阶中容纳固态图像拾取元件。然而，此类方法不太可能被实现，除非与该固态图像拾取元件的尺寸相比，IC的尺寸被显著减小，因此，不允许安装实际尺寸的IC。

特别是，期望通过减小外部尺寸和密封设置在有机基板上的IC和芯片部件的树脂厚度，以及增加热辐射效率抑制所布置的固态图像拾取元件的温度升高而实现抑制由于热噪声引起的图像质量降低。

根据本技术的实施方式提供了一种半导体器件，其包括：基板；设置在该基板上的集成电路和芯片部件，其中，所述芯片部件与所述集成电路间隔开；模制成型部，其包括中央部和周边部；以及设置在该模制成型部的中央部的固态图像拾取元件，该固态图像拾取元件的顶部边缘在厚度方向上的位置中比该模制成型部的周边部的顶部边缘低。

该模制成型部的中央部可连接到该模制成型部的周边部，以允许从集成电路产生的热从该模制成型部的中央部转移到该模制成型部的周边部。

该模制成型部的中央部可在相对于基板的中心位置被对称定位的两点连接到该模制成型部的周边部。

该模制成型部可由具有高导热性的模制树脂制成，且允许从集成电路产生的热容易地从该模制成型部的中央部转移到该模制成型部的周边部。

模制树脂可包括液晶聚合物和含有填充物的环氧基热固性树脂之一。

可进一步设置玻璃部整体地粘结到该周边部分的顶部边缘。此外，模制成型部和该玻璃部可形成容纳固态图像拾取元件的空腔结构。

该模制成型部可进一步包括沿该周边部的台阶部，该台阶部的顶部边缘在厚度方向上的位置中比该中央部的顶部边缘高且比该周边部的顶部边缘低。该固态图像拾取元件可具有周边部和中央部，该周边部与该梯阶部分的顶部边缘接触，该中央部远离该模制成型部。该模制成型部和该固态图像拾取元件之间可形成空气层。

该模制成型部可包括空气孔，其在集成电路和固态图像拾取元件之间穿过。

该模制成型部在该周边部的外部可包括散热片。

集成电路可为芯片尺寸封装件(CSP)，可焊接到基板，且可通过该模制成型部与芯片部件密封在一起。

优选地，包括在所述模制成型部中的所述中央部和所述周边部具有使所述中央部和所述周边部形成凹形形状的预定结构关系，所述中央部密封所述基板上的所述集成电路和所述芯片部件，且所述周边部布置在所述中央部周围。

优选地，芯片部包括电阻、冷凝器和晶体管，并且布置在所述基板的所述周边部上。

优选地，集成电路布置在所述基板的所述中央部上，其中，所述集成电路被配置为处理通过固态图像拾取元件拾取的图像的信号。

优选地，在所述芯片部被布置为靠近所述集成电路的周边的情况下，允许所述集成电路和所述芯片部整体地布置在所述固态图像拾取元件之下。

优选地，芯片部布置在密封在所述模制成型部的所述周边部内的基板上。

根据本技术的实施方式提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括：设置基板；在机基板上设置集成电路和芯片部件，其中所述芯片部件与所述集成电路间隔开；形成包括中央部和周边部分的模制成型部；和设置固态图像拾取元件在该模制成型部的中央部上，该固态图像拾取元件具有的顶部边缘在厚度方向的位置中比该模制成型部的周边部分的顶部边缘更低。

在本技术的上述实施方式中，该半导体器件包括：有机基板；设置在该有机基板上的集成电路和芯片部件；模制成型部，其包括中央部和周边部分，且整体地形成凹形形状，该中央部密封该有机基板上的集成电路和芯片部件，且该周边部分立在该中央部周围；以及设置在该模制成型部的中央部上的固态图像拾取元件，该固态图像拾取元件具有的顶部边缘在厚度方向上的位置中比该模制成型部的周边部的顶部边缘低。

根据本技术的上述实施方式，通过减小外部尺寸和密封设置在有机基板上的IC和芯片部件的树脂厚度，以及增加热辐射效率抑制所布置的固态图像拾取元件的温度升高而抑制由于热噪声引起的图像质量降低。

应当理解，前面一般描述和下面详细描述都是示例性的，且旨在提供所要求保护的技术的进一步解释。

附图说明

包括附图以提供对本公开的进一步理解，并且附图被并入本说明书中且构成本说明书的一部分。附图示出了实施方式，且与本说明书一起用来解释本技术的原理。

图1示出说明根据本技术的第一实施方式的固态图像拾取装置的外部构造实例的示意图。

图2是说明图1的固态图像拾取装置的制造过程的流程图。

图3示出说明图1的固态图像拾取装置的制造过程的示意图。

图4示出说明模制成型部的示意图。

图5示出说明通过使用集料基板制造图1的固态图像拾取装置的过程的示意图。

图6示出说明根据本技术第一实施方式的固态图像拾取装置的变型例1的外部构造实例的示意图。

图7示出说明根据本技术第一实施方式的固态图像拾取装置的变型例2的外部构造实例的示意图。

图8示出说明根据本技术第一实施方式的固态图像拾取装置的变型例3的外部构造实例的示意图。

图9示出说明根据本技术第一实施方式的固态图像拾取装置的变型例4的外部构造实例的示意图。

具体实施方式

下面将描述执行本技术的一些实施方式(以下称为“实施方式”)。本描述将以下列顺序给出。

1.第一实施方式(其中模制周边部使得中央部变成凹部的实例)

2.变型例1(其中执行模制使得周边部具有两梯阶结构的实例)

3.变型例2(其中在固态图像拾取元件之下设置空气通孔的实例)

4.变型例3(其中在周边部中设置散热片的实例)

5.变型例4(其中前端IC由CSP构成的实例)

【1.第一实施方式】

【固态图像拾取装置的构造实例】

图1示出说明根据本技术实施方式的固态图像拾取装置的外部构造实例的示意图。在图1中，左上部是固态图像拾取装置的顶视图，左下部是沿左上部中线A-B截取的横截面视图，且右上部是沿左上部中线C-D截取的横截面视图。

图1中的固态图像拾取装置通常称为图像传感器或类似物，且是内置到拾取诸如移动图像和静止图像的图像的图像拾取设备中的部件。该固态图像拾取装置通过光进入穿过未示出的光学块和/或类似物拾取图像，且输出所拾取的图像作为图像数据。

更具体地，图1中的固态图像拾取装置11包括有机基板21、芯片部件22、前端IC(集成电路)23、固态图像拾取元件24和玻璃段25。

应当注意，将在有机基板21位于最下层且玻璃部25位于最上层的条件下给出以下描述。因此，上下方向是基于图1中的横截面视图。其中有机基板21设置在固态图像拾取装置11中的方向被视为下方向，且其中设置玻璃部25的方向被视为上方向。因此，例如，玻璃部25设置在有机基板21之上。相反，有机基板21设置在玻璃部25的下方。

固态图像拾取装置11在最下层包括有机基板21，有机基板21的两个表面设置有精细布线图案。有机基板21上形成上述各部分。

具体地，如位于沿线A-B截取剖视图中右部和左部中的有机基板21的外部部分(周边部)中所示，在有机基板21上布置有芯片部件22，各芯片部件22包括电阻、冷凝器和晶体管。此外，在有机基板21的中央部中布置有前端IC 23，该前端IC 23处理由固态图像拾取元件24拾取的图像信号。前端IC 23的主体通过热固性胶粘剂粘结到有机基板21上，并且前端IC 23通过有机基板21上的布线图案和诸如金导线的线接合部23a电连接到有机基板21。

此外，在芯片部件22和前端IC 23连接到有机基板21的状态下由模制树脂密封芯片部件22和前端IC 23。此外，模制成型部26是由模制树脂形成。模制成型部26包括中央部26a和堤状周边部26b，该中央部26a主要密封前端IC 23，该堤状周边部26b高于中央部26a且被布置为围绕有机基板21。更具体地，由于周边部26b在上方向上高于中央部26a且被布置为围绕有机基板21，在凹形状态下整体形成模制成型部26。固态图像拾取元件24布置在模制成型部26的中央部26a上。如图1的左上部和右上部所示，模制成型部26设置有凹部27以连接配线接合部24a，配线接合部24a电连接固态图像拾取元件24与有机基板21。如图1的左上部中所示，凹部27被形成为凹陷区，其在水平方向延伸且设置在上部和下部中。

此外，在模制成型部26的周边部26b的顶部边缘上设置了玻璃部25，该玻璃部25具有的形状基本与周边部26b的顶部边缘的外部形状相同，且具有的尺寸略小于周边分26b的顶部边缘的整个区域。模制成型部26的中央部26a的整个上表面定位低于周边部26b的上表面，使得在固态图像拾取元件24布置在中央部26a的顶部上之后，即使当玻璃部25布置在周边部26b的顶部边缘上时，玻璃部25的底表面部分也不接触固态图像拾取元件24的顶表面部分。

换句话说，图1中的固态图像拾取装置11包括有机基板21、玻璃部25和设置在有机基板21和玻璃段25之间的模制成型部26。模制成型部26和玻璃部25配置空腔结构。该空腔结构容纳固态图像拾取元件24。模制成型部26的中央部26a密封前端IC 23。固态图像拾取元件24设置在该模制成型部的中央部26a上。

由于此类结构，当固态图像拾取装置11被驱动时，从前端IC 23产生的热通过形成模制成型部26的具有高热辐射特性的树脂辐射。因此，减小相对于固态图像拾取元件24的热噪声。例如，在其中具有高热辐射效应的树脂，如含有填充物的环氧基热固性树脂和液晶聚合物被用作形成模制成型部26的树脂，且此类树脂的颜色是具有较少表面反射的黑色情况下，可使热被更有效地辐射。

此外，通过将芯片部件22布置在有机基板21上使得空间效率变得有利，周边部26b的外圆周减小。因此，固态图像拾取装置11的整个尺寸减小。

特别是，在固态图像拾取元件24大于前端IC 23的情况下，通过将芯片部件22靠近前端IC 23的周边布置，允许前端IC 23和芯片部件22整体地布置在固态图像拾取元件24之下。这使得空间效率提高。因此，进一步减小周边部26b的外圆周，且进一步减小固态图像拾取装置11的整个尺寸。

此外，在芯片部件22中包括具有大高度的部件情况下，通过在有机基板21上布置此类部件22以密封在模制成型部26的周边部26b内，减小了中央部26a的厚度，且减小了固态图像拾取装置11整体上的厚度。

【固态图像拾取装置的制造过程】

接下来，参照图2的流程图，描述图1的固态图像拾取装置11的制造过程。

在步骤S11中，将每个芯片部件22都布置在有机基板21上的预定位置中。也就是，如图3的状态B中所示，预定的芯片部件22布置在有机基板21上，该有机基板21的两个表面都设置有图3的状态A中所示的布线图案。应当注意，在图3中，从上列示出相应过程步骤中的固态图像拾取装置11的状态示为步骤A至步骤G。图3的左部对应沿图1中线A-B截取的横截面视图，且图3的右部对应沿图1中线C-D截取的横截面视图。此外，在图3中，对于状态A至状态C，省略对应沿线C-D截取的横截面视图的图示。

在步骤S12中，将前端IC 23布置在有机基板21上的大致中央位置中。也就是，如图3的状态C中所示，前端IC 23的主体用热固性胶粘剂粘结在有机基板21上的中央位置中，芯片部件22布置在有机基板21上(如图3的状态B中所示)，且前端IC 23通过由金导线或类似物制成的配线接合部23a电连接到有机基板21上的布线图案。

在步骤S13中，如图3的状态D中所示，形成包括中央部26a和周边部26b的模制成型部26。此时，形成正方形的中央部26a的一对侧面在连接部X(在图4中)连接到周边部26b。该连接部X被相对于由图4中虚线标示的有机基板21的中心位置对称定位。中央部26a的其他对侧面远离周边部26b，且露出有机基板的凹部27设置在中央部26a和周边部26b之间。

应当注意，前述一系列过程是在如图5中所示的包括多个固态图像拾取装置11的集合基板中的多个固态图像拾取装置11中的每个上执行的过程。也就是，通过步骤S11的过程，如图5的状态B’中所示，芯片部件22-1至芯片部件22-3和芯片部件22’-1至芯片部件22’-3布置在相应有机基板21-1至有机基板21-3上，该有机基板21-1至有机基板21-3配置图5的状态A’中所示的集合基板。接下来，通过步骤S12的过程，如图5的状态C’中所示，前端IC 23-1至前端IC 23-3布置在相应有机基板21-1至有机基板21-3的相应中央部中，如图5的状态B’中所示，芯片部件22-1至芯片部件22-3和芯片部件22’-1至芯片部件22’-3布置在相应有机基板21-1至有机基板21-3上。随后，通过步骤S13的过程，如图5的状态D’中所示，模制成型部26-1至模制成型部26-3形成在有机基板21-1至有机基板21-3上，如图5的状态C’中所示，前端IC 23-1至前端IC 23-3布置在有机基板21-1至有机基板21-3上。应当注意，状态A’至状态D’的形状类似于图3中所示的状态A至状态D的形状，并且因此，省略其描述。此外，虽然图5中示出了三个固态图像拾取装置11的制造过程的示例，但不用说可以采用包括其他数目的固态图像拾取装置11的集合基板。此外，在图5中，对应沿图1中线A-B截取的横截面视图的示意图仅被示为状态A’至状态E’。

在步骤S14中，通过例如切割，如图5的状态E’中所示，可分离图5的状态D’中所示的在集合基板上形成的多个固态图像拾取装置11。通过以此类方式分离多个固体图像拾取装置11，当如图3的状态D’中所示形成模制成型部26时，多个固态图像拾取装置11彼此分离。应当注意，虽然上面已经描述其中在集合基板上执行过程的情况，但不用说可单独制造每个固态图像拾取装置11。因此，在单独制造每个固态图像拾取装置11情况下，跳过步骤S14的过程。

在步骤S15中，如图3的状态E中所示，用热固性胶粘剂芯片将固态图像拾取元件24接合到如图3的状态D中所示的模制成型部26的中央部26a上。

在步骤S16中，如图3的状态F中所示，通过形成金导线或类似物的配线接合部24a，固态图像拾取元件24电连接到在凹部27露出的有机基板21上的布线图案。

在步骤S17中，如图3的状态G中所示，玻璃部25定位在模制成型部26的周边部26b的顶部边缘上，该模制成型部26涂有紫外线固化树脂、热固性树脂或类似物，然后紫外线或热以步进的方式被施加到其中。因此，紫外线固化树脂或热固性树脂被固化，且玻璃段25被粘结到模制成型部26的周边部26b。因此，固态图像拾取元件24容纳在具有空腔结构的玻璃部25和模制成型部26之间的空间中。

在通过上述过程制造的固态图像拾取装置11中，当驱动固态图像拾取装置11时，从前端IC 23作为热源产生的热被有效地从由具有高导热性的模制树脂制成的模制成型部26的中央部26a转移到周边部26b，且由此，提高热辐射效率。因此，固态图像拾取元件24的热噪声减小。

此外，即使模制成型部26具有复杂的形状，也容易形成模制成型部26。此外，模制树脂本身廉价且具有高导热性。因此，可能实现成本低、具有高热辐射效率且不太可能受热噪声影响的固态图像拾取装置11。

【2.变型例1】

上面描述了通过将固态图像拾取元件24直接芯片接合到模制成型部26的中央部26a来布置固态图像拾取元件24的示例。然而，可替换地，如图6中所示，可采用以下结构。在该结构中，通过设置台阶部41形成模制成型部26，使得中央部26a的周边部具有两级结构。此外，仅将固态图像拾取元件24芯片接合到由台阶部41形成的顶部边缘，且由此，形成空气层42。

通过上述结构，设置在作为热源的前端IC 23上的模制成型部26的中央部26a和固态图像拾取元件24之间的接触区域减小。因此，来自前端IC 23的热不太可能转移到固态图像拾取元件24，固态图像拾取元件24的热噪声被进一步减小。

【3.变型例2】

可替换地，如图7中所示，模制成型部26可具有包括空气孔51的结构，该空气孔51经由中央部26a从一个周边部26b延伸到另一周边部26b。

通过上述结构，由穿过空气孔51的空气冷却从设置在作为热源的前端IC 23上的模制成型部26的中央部26a转移的热。因此，来自前端IC 23的热不太可能转移到固态图像拾取元件24，且固态图像拾取元件24的热噪声被进一步减小。

【4.变型例3】

可替换地，如图8中所示，散热片61可形成于模制成型部26的周边部26b的侧表面部分上。

通过上述结构，由散热片61大幅增加模制成型部26的表面区域。因此，有效地辐射作为热源设置在前端IC 23上的从前端IC 23转移到模制成型部26的热。因此，热不太可能转移到固态图像拾取元件24，且固态图像拾取元件24的热噪声被进一步减小。

【5.变型例4】

可替换地，如图9中所示，可提供由晶圆级CSP(芯片尺寸封装件)构成的前端IC71，而不是标准前端IC 23，并且前端IC 71可直接焊接到有机基板21的布线图案。

通过上述结构，来自前端IC 71的热作为热源被有效地辐射到有机基板21。因此，热不太可能转移到固态图像拾取元件24，且固态图像拾取元件24的热噪声被进一步减小。

如上所述，根据本技术的上述实施方式，有效地辐射从作为热源的前端IC产生的热。因此，固态图像拾取元件24的热噪声被减小。

应当注意，上述流程图中描述的相应步骤可由一个装置执行，或者可由要执行的多个装置共享。

此外，在其中一个步骤中包括多个过程情况下，所述一个步骤中包括的此类多个过程可由一个装置执行，或者可由要执行的多个装置共享。

从本公开的上述示例实施方式和变型例，可实现至少以下构型。

(1)一种半导体器件，包括：

有机基板；

设置在该有机基板上的集成电路和芯片部件；

模制成型部，包括中央部和周边部，且整体地形成凹形形状，该中央部密封该有机基板上的集成电路和芯片部件，且该周边部立在该中央部周围；以及

设置在该模制成型部的中央部上的固态图像拾取元件，该固态图像拾取元件具有的顶部边缘在厚度方向的位置比该模制成型部的周边部的顶部边缘低。

(2)根据(1)所述的半导体器件，其中，该模制成型部的中央部连接到该模制成型部的周边部，以允许从集成电路产生的热从该模制成型部的中央部转移到模制成型部的周边部。

(3)根据(2)所述的半导体器件，其中该模制成型部的中央部在相对于该有机基板的中心位置对称定位的两点处连接到该模制成型部的周边部。

(4)根据(1)所述的半导体器件，其中，该模制成型部由具有高导热性模制树脂制成，且允许从集成电路产生的热容易地从该模制成型部的中央部转移到该模制成型部的周边部。

(5)根据(4)所述的半导体器件，其中，该模制树脂包括液晶聚合物和含有填充物的环氧基热固性树脂之一。

(6)根据(1)所述的半导体器件，进一步包括玻璃部，该玻璃部整体地粘结到该周边部分的顶部边缘，其中

具有凹形形状的模制成型部和该玻璃部形成容纳固态图像拾取元件的空腔结构。

(7)根据(1)所述的半导体器件，其中

该模制成型部进一步包括沿该周边部的台阶部，该台阶部具有的顶部边缘在厚度方向上的位置中比该中央部的顶部边缘高且比该周边部的顶部边缘低，

该固态图像拾取元件具有周边部和中央部，该周边部与该台阶部分的顶部边缘接触，该中央部远离该模制成型部，以及

空气层形成在该模制成型部和该固态图像拾取元件之间。

(8)根据(1)所述的半导体器件，其中该模制成型部包括空气孔，该空气孔在该集成电路和该固态图像拾取元件之间穿过。

(9)根据(1)所述的半导体器件，其中，该模制成型部在该周边部分的外部包括散热片。

(10)根据(1)所述的半导体器件，其中，该集成电路是芯片尺寸封装件(CSP)，焊接到该有机基板，且通过该模制成型部与该芯片部件密封在一起。

(11)一种制造半导体器件的方法，该方法包括：

设置有机基板；

在该有机基板上设置集成电路和芯片部件；

形成包括中央部和周边部分的且整体地形成凹形形状的模制成型部，该中央部密封该有机基板上的集成电路和芯片部件，且该周边部分立在该中央部周围；以及

在该模制成型部的中央部上设置固态图像拾取元件，该固态图像拾取元件具有的顶部边缘在厚度方向上的位置中比该模制成型部的周边部的顶部边缘低。

本领域的技术人员应该理解，根据设计要求和其他因素可出现各种修改、组合、子组合和替换，只要它们是在所附权利要求书或其等同物的范围内。

Claims

1.一种半导体器件，包括：

基板；

设置在所述基板上的集成电路和芯片部件，其中，所述芯片部件与所述集成电路间隔开；

模制成型部，包括中央部和周边部；以及

设置在所述模制成型部的所述中央部上的固态图像拾取元件，所述固态图像拾取元件具有的顶部边缘在厚度方向的位置比所述模制成型部的所述周边部的顶部边缘低。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述模制成型部的所述中央部连接到所述模制成型部的所述周边部，以允许从所述集成电路产生的热从所述模制成型部的所述中央部转移到所述模制成型部的所述周边部。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述模制成型部的所述中央部在相对于所述基板的中心位置对称定位的两点连接到所述模制成型部的所述周边部。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述模制成型部由具有高导热性的模制树脂制成，且允许从所述集成电路产生的热容易地从所述模制成型部的所述中央部转移到所述模制成型部的所述周边部。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述模制树脂包括液晶聚合物和含有填充物的环氧基热固性树脂之一。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：玻璃部，整体地粘结到所述周边部的顶部边缘，其中

所述模制成型部和所述玻璃部形成容纳所述固态图像拾取元件的空腔结构。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述玻璃部的形状与所述周边部的顶部边缘的外部形状相同。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述模制成型部进一步包括沿所述周边部的台阶部，所述台阶部具有的顶部边缘在所述厚度方向上的位置比所述中央部的顶部边缘高且比所述周边部的顶部边缘低，

所述固态图像拾取元件具有与所述台阶部的顶部边缘接触的周边部和远离所述模制成型部的中央部，以及空气层形成在所述模制成型部和所述固态图像拾取元件之间。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述模制成型部包括空气孔，所述空气孔在所述集成电路和所述固态图像拾取元件之间。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述模制成型部在所述周边部的外部中包括散热片。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述集成电路是芯片尺寸封装件CSP，焊接到所述基板，且通过所述模制成型部与所述芯片部件密封在一起。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，包括在所述模制成型部中的所述中央部和所述周边部具有使所述中央部和所述周边部形成凹形形状的预定结构关系，所述中央部密封所述基板上的所述集成电路和所述芯片部件，且所述周边部布置在所述中央部周围。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述芯片部包括电阻、冷凝器和晶体管，并且布置在所述基板的所述周边部上。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述集成电路布置在所述基板的所述中央部中，并且其中，所述集成电路被配置为处理通过所述固态图像拾取元件拾取的图像的信号。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述芯片部被布置为靠近所述集成电路的周边的情况下，允许所述集成电路和所述芯片部整体地布置在所述固态图像拾取元件之下。

16.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述芯片部布置在密封在所述模制成型部的所述周边部内的基板上。

17.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

设置基板；

在所述基板上设置集成电路和芯片部件，其中，所述芯片部件与所述集成电路间隔开；

形成包括中央部和周边部的模制成型部；以及

在所述模制成型部的所述中央部上设置固态图像拾取元件，所述固态图像拾取元件具有的顶部边缘在厚度方向上的位置比所述模制成型部的所述周边部的顶部边缘低。