CN107548202B - 电压电流变换电路及负载驱动电路 - Google Patents

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Abstract

对应于电压而对在由电流驱动的负载中流过的电流线性地进行控制。本发明所涉及的电压电流变换电路(VC1)具有：差动放大电路(OP2)、第1电流反射镜电路(CM1)、电压设定部(VS1)。差动放大电路(OP2)从输入端子(Pin)接收输入电压(Vout)，输出与输入电压(Vout)和阈值电压之差相对应的电压。第1电流反射镜电路(CM1)接收来自差动放大电路(OP2)的电压，将输出电流(Iout1)输出至输出端子(Pout)。电压设定部(VS1)对阈值电压进行设定。

Description

电压电流变换电路及负载驱动电路
技术领域
本发明涉及电压电流变换电路及负载驱动电路，该负载驱动电路具有该电压电流变换电路，该负载驱动电路将电流供给至负载而对该负载进行驱动。
背景技术
以往，已知将电流供给至负载而对该负载进行驱动的负载驱动电路。例如在日本特开2008－283110号公报中公开了对LED(Light Emitting Diode)进行驱动的LED驱动电路。在该LED驱动电路中，来自恒定电流源的电流由电流反射镜电路放大而供给至LED。
在日本特开2008－283110号公报所公开的LED驱动电路中，有时使用偏压调整电路将电压施加至恒定电流源所包含的晶体管的控制端子，由此对向电流反射镜电路供给的电流进行调整。如果使由偏压调整电路施加的电压上升，则在该电压达到该晶体管的动作电压时电流开始急剧地流过电流反射镜电路。因此，在难以准确地确定该晶体管的动作电压的情况下，有可能难以对应于电压而线性地控制向电流反射镜电路供给的电流。其结果，通过LED驱动电路实现的对LED的控制有可能变得困难。
发明内容
本发明就是为了解决上述的课题而提出的，其目的在于使通过电流进行驱动的负载(电流负载)的控制变得容易。
本发明所涉及的电压电流变换电路构成为，连接在第1电源和接地点之间，将与施加至输入端子的输入电压相对应的输出电流从输出端子输出。电压电流变换电路具有差动放大电路、第1电流反射镜电路和电压设定部。差动放大电路构成为，从输入端子接收输入电压，将与输入电压和阈值电压之差相对应的电压输出。第1电流反射镜电路构成为，接收来自差动放大电路的电压，将输出电流输出至输出端子。电压设定部构成为对阈值电压进行设定。
根据本发明所涉及的电压电流变换电路，通过电压设定部将差动放大电路的阈值电压设定为任意的电压。因此，在输入电压与阈值电压相等的情况下，不进行电流的输出，伴随着输入电压和阈值电压之差的增大，输出电流上升。其结果，输出电流相对于输入电压的线性度得到改善，能够容易地进行电流负载的控制。
通过结合附图进行理解的、与本发明相关的以下的详细说明，使本发明的上述及其它目的、特征、方案以及优点变得明确。
附图说明
图1是实施方式1所涉及的负载驱动电路的一个例子即LED驱动电路的电路图。
图2是对比例所涉及的LED驱动电路的电路图。
图3是将实施方式1中的电压电流变换电路的电路结构及电流反射镜电路的电路结构一并示出的图。
图4是将PWM信号、作为DC变换电路的输出的电压、作为运算放大器的输出的电压及流过发光二极管的电流的时序图一并示出的图。
图5是将实施方式2中的电压电流变换电路的电路结构及电流反射镜电路的电路结构一并示出的图。
图6是将实施方式3中的电压电流变换电路的电路结构及电流反射镜电路CM的电路结构一并示出的图。
图7是实施方式4所涉及的负载驱动电路的一个例子即LED驱动电路的电路图。
图8是将实施方式4中的电压电流变换电路的电路结构、电流反射镜电路的电路结构及异常检测电路的电路结构一并示出的图。
具体实施方式
下面，参照附图，对本发明的实施方式详细地进行说明。此外，对图中相同或者相当的部分标注相同的标号，原则上不重复其说明。
实施方式1.
图1是实施方式1所涉及的负载驱动电路的一个例子即LED驱动电路1的电路图。如图1所示，发光二极管LED1是连接在电源VCC和接地点GND之间，根据流过的电流进行发光的电流负载。LED驱动电路1连接在接地点GND和发光二极管LED1之间。LED驱动电路1接收PWM(Pulse Width Modulation)信号，对流过发光二极管LED1的电流进行控制。LED驱动电路1具有：DC(Direct Current)变换电路DC1、作为差动放大电路的运算放大器OP1、电压电流变换电路VC1、电流反射镜电路CM2。
DC变换电路DC1接收PWM信号而变换为DC电压，将电压Vin输出至运算放大器OP1。运算放大器OP1将电压Vin放大而将电压Vout输出至电压电流变换电路VC1。电压电流变换电路VC1将与电压Vout相对应的电流Iout1输出至电流反射镜电路CM2。电流反射镜电路CM2将电流Iout1放大，使流过发光二极管LED1的电流为电流Iout2。
为了使电流Iout2稳定，向LED驱动电路1连接有电阻R7、R10及R11。电阻R7连接在电流反射镜电路CM2和接地点之间。电阻R10连接在运算放大器OP1的反转输入端子和电阻R7之间。电阻R11连接在运算放大器OP1的输出端子和电阻R10之间。如果将电阻R7和电阻R10之间的连接点N1的电压设为V11，则电压Vout由下面的式(1)表示。
Vout＝(1+R11/R10)Vin－(R11/R10)R7·Iout2 …(1)
根据式(1)，如果电流Iout2变大，则电压Vout变小，其结果，以使电流Iout2变小的方式进行控制。相反地，如果电流Iout2变小，则电压Vout变大，其结果，以使电流Iout2变大的方式进行控制。即，对电流Iout2进行负反馈控制。此外，在Iout2为0的情况下，电压Vout成为下面的式(2)。
Vout＝(1+R11/R10)Vin …(2)
式(2)的电压Vin的系数(1+R11/R10)表示运算放大器OP1的放大率。
图2是对比例所涉及的LED驱动电路10的电路图。如图2所示，LED驱动电路10具有电流反射镜电路CM11和电流反射镜电路CM12。由恒定电流源CS10将规定的输入电流供给至电流反射镜电路CM11。电流反射镜电路CM12将电流反射镜电路CM11的输出电流作为输入电流，通过将该输入电流放大后的电流对LED10进行驱动。根据如上所述的结构，LED驱动电路10能够使用电流反射镜电路CM11及CM12将由恒定电流源CS10供给的输入电流放大而流过LED10。
在LED驱动电路10中，有时使用偏压调整电路将电压施加至恒定电流源所包含的晶体管的控制端子，由此对向电流反射镜电路供给的电流进行调整。如果使由偏压调整电路施加的电压上升，则在该电压达到该晶体管的动作电压时电流开始急剧地流过电流反射镜电路。因此，在难以准确地确定该晶体管的动作电压的情况下，有可能难以对应于电压而线性地控制向电流反射镜电路供给的电流。其结果，通过LED驱动电路实现的对LED的控制有可能变得困难。
因此，在实施方式1中，对运算放大器OP2的反转输入端子施加该晶体管的动作电压(阈值电压)。通过设为如上所述的结构，从而在电压Vout和阈值电压相等时电流Iout1成为0，电流Iout1对应于电压Vout和阈值电压之差而变化。即，电流Iout1相对于电压Vout的线性度得到改善。其结果，电流Iout2相对于电压Vout的线性度也得到改善，能够使发光二极管LED1的控制变得容易。
图3是将实施方式1中的电压电流变换电路VC1的电路结构及电流反射镜电路CM2的电路结构一并示出的图。如图3所示，电压电流变换电路VC1连接在电源PS1和接地点GND之间。电压电流变换电路VC1构成为，将与施加至输入端子Pin的电压Vout相对应的电流Iout1从输出端子Pout输出。电压电流变换电路VC1具有：运算放大器OP2、电流反射镜电路CM1、电压设定部VS1、电阻R3、R5。
运算放大器OP2包含：恒定电流源CS1，其与电源PS1连接；PNP型的晶体管BPT11、晶体管BPT12；调节部Adj21，其包含电阻R3；以及Adj22，其包含电阻值与电阻R3相等的电阻R5。
电流反射镜电路CM1包含：NPN型的晶体管BPT21，其与晶体管BPT11连接；以及NPN型的晶体管BPT22，其与晶体管BPT12连接。
电压设定部VS1包含电阻R1和R2。电阻R1和R2串联连接在电源PS1和接地点GND之间。
晶体管BPT11、12以及晶体管BPT21、晶体管BPT22分别具有发射极、集电极及作为控制端子的基极。晶体管BPT11的基极与输入端子Pin连接。晶体管BPT11的发射极经由调节部Adj21而与恒定电流源CS1连接。晶体管BPT11的集电极与晶体管BPT21的集电极连接。
晶体管BPT21的基极与晶体管BPT22的基极及晶体管BPT21的集电极连接。晶体管BPT21的发射极与接地点GND连接。
晶体管BPT12的基极连接于电阻R1和R2之间的连接点N2。晶体管BPT12的基极的电压通过电阻R1及R2而设定为与晶体管BPT12的动作电压相等。晶体管BPT12的发射极经由调节部Adj22而与恒定电流源CS1连接。晶体管BPT12的集电极与晶体管BPT22的集电极连接。
晶体管BPT22的发射极与接地点GND连接。
输出端子Pout连接于晶体管BPT12的集电极和晶体管BPT22的集电极之间的连接点N3。
在电压电流变换电路VC1中，晶体管BPT11的基极和晶体管BPT12的基极成为运算放大器OP2的2个输入端子。在运算放大器OP2中，该2个输入端子的电压差被放大，作为晶体管BPT11的集电极的电压而输出。晶体管BPT12的基极的电压通过电阻R1及R2而设定为与晶体管BPT12的动作电压(阈值电压)相等，因此将施加至晶体管BPT11的电压Vout设为大于或等于阈值电压，从而与电压Vout和阈值电压之差相对应地使晶体管BPT11的集电极的电压上升。晶体管BPT11的集电极与晶体管BPT21的集电极连接。晶体管BPT21的集电极与晶体管BPT21的基极及晶体管BPT22的基极连接。因此，如果晶体管BPT11的集电极的电压上升，则晶体管BPT21的基极及晶体管BPT22的基极的电压上升，如果达到动作电压，则在晶体管BPT21及晶体管BPT22中流过电流。如果在晶体管BPT22中流过电流，则从连接于晶体管BPT12的集电极和晶体管BPT22的集电极之间的连接点N3的输出端子Pout将电流Iout1输出。
根据电压电流变换电路VC1，输出与运算放大器OP2的2个输入端子的电压差相对应的电流Iout1。即，在电压Vout与阈值电压相等的情况下，不进行电流Iout1的输出，伴随着电压Vout的上升，电流Iout1上升。其结果，电流Iout2相对于电压Vout的线性度得到改善，能够容易地进行发光二极管LED1的控制。
另外，调节部Adj21、Adj22对电压Vout和电流Iout2之间的变换系数进行调节。
如果将电压Vout和电流Iout1之比(变换系数)设为k1，则电流Iout1能够按照式(3)进行表示。
Iout1＝k1·Vout …(3)
如果将电流Iout1和Iout2之比即电流反射镜比设为k2，则电流Iout2能够按照式(4)进行表示。
Iout2＝k2·Iout1 …(4)
通过向式(4)的电流Iout1中代入式(3)，从而电流Iout2能够使用电压Vout而按照式(5)进行表示。在式(5)中，k3＝k2·k1。变换系数k3为电压Vout和电流Iout2之比(变换系数)。
Iout2＝k2·k1·Vout＝k3·Vout …(5)
变换系数k3能够根据式(5)而按照式(6)进行表示。如果电阻R3及R5的电阻值变大，则流过运算放大器OP2的电流变小。电流Iout1变小，电流Iout2变小。其结果，根据式(6)，变换系数k3变小。相反地，如果电阻R3及R5的电阻值变小，则流过运算放大器OP2的电流变大。电流Iout1变大，电流Iout2变大。其结果，根据式(6)，变换系数k3变大。如上所述，通过使电阻R3及R5的值变化，从而能够对变换系数k3进行调节。
k3＝Iout2/Vout …(6)
电流反射镜电路CM2接收从电压电流变换电路VC1输出的电流Iout1，将电流Iout1放大，使流过发光二极管LED1的电流为电流Iout2。电流反射镜电路CM2包含晶体管NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor)3和晶体管NMOS4。晶体管NMOS3及晶体管NMOS4分别具有栅极、源极及漏极。晶体管NMOS3的栅极与晶体管NMOS4的栅极及晶体管NMOS3的漏极连接。晶体管NMOS3的源极与接地点GND连接。晶体管NMOS3的漏极与电压电流变换电路VC1的输出端子Pout连接。晶体管NMOS4的源极经由电阻R7而与接地点GND连接。晶体管NMOS4的漏极经由发光二极管LED1而与电源VCC连接。
在实施方式1中，从电压电流变换电路VC1输入来电流Iout1的晶体管NMOS3的源极的电压，以与电阻R7对应的量比晶体管NMOS4的源极的电压低。通过设为如上所述的结构，相比于晶体管NMOS3的源极与晶体管NMOS4的源极连接而使两者为相同电位的情况，晶体管NMOS3能够动作的电压的范围扩大。其结果，可以将电流反射镜电路CM2能够动作的电压的范围扩大。
图4是将PWM信号、作为DC变换电路DC1的输出的电压Vin、作为运算放大器OP1的输出的电压Vout及流过发光二极管LED1的电流Iout2的时序图一并示出的图。如图4所示，从时刻t1起输入某占空比的PWM信号，电压Vin上升。对应于电压Vin的上升，电压Vout上升，其结果，电流Iout2上升。如果电压Vin的上升停止，则电压Vout及电流Iout2的上升也停止。从时刻t2起PWM信号的占空比变大，电压Vin进一步上升。伴随电压Vin的上升，电压Vout上升，其结果，电流Iout2上升。如上所述，通过利用PWM信号对电压Vin及Vout进行控制，从而能够对流过发光二极管LED1的电流Iout2进行控制。其结果，能够容易地进行发光二极管LED1的控制。
如上所述，根据实施方式1所涉及的负载驱动电路，通过在电压电流变换电路的差动放大电路的一个输入端子处设定为晶体管的动作电压，从而将与该差动放大电路的2个输入端子的电压差相对应的电流从输出端子输出。其结果，输出电流相对于输入电压的线性度得到改善，能够使电流负载的控制变得容易。
并且，根据实施方式1所涉及的负载驱动电路，通过使调节部所包含的电阻值变化，从而能够将输入电压和输出电流之间的变换率调节为适于电流负载的值。其结果，能够使电流负载的控制精度提高。
实施方式2.
在实施方式1中，对各调节部包含1个电阻的情况进行了说明。电阻的电阻值有时根据温度而变化。如果电阻值变化，则电压Vout和电流Iout2之间的变换系数会变化，发光二极管LED1的控制精度可能降低。因此，在实施方式2中，说明对变换系数的如上所述的温度依赖性进行抑制的结构。
实施方式2和1的差异点在于，各调节部包含具有正温度特性的电阻、和具有负温度特性的电阻。除此以外的结构是相同的，因此不重复其说明。
图5是将实施方式2中的电压电流变换电路VC2的电路结构及电流反射镜电路CM2的电路结构一并示出的图。如图5所示，在运算放大器OP22中，取代图1的调节部Adj21及Adj22而分别包含调节部Adj221及Adj222。调节部Adj221包含串联连接的电阻R23和R24。调节部Adj222包含串联连接的电阻R25和R26。电阻R23的电阻值与电阻R25的电阻值相等。电阻R23及R25具有正温度特性。电阻R24的电阻值与电阻R26的电阻值相等。电阻R24及电阻R26具有负温度特性。
在电压电流变换电路VC2的温度上升的情况下，具有正温度特性的电阻R23及R25的电阻值上升。另一方面，具有负温度特性的电阻R24及R26的电阻值降低。相反地，在电压电流变换电路VC2的温度降低的情况下，具有正温度特性的电阻R23及R25的电阻值降低。另一方面，具有负温度特性的电阻R24及R26的电阻值上升。因此，即使电压电流变换电路VC2的温度变化，包含电阻R23及R24的调节部Adj221的电阻值及包含电阻R25及R26的调节部Adj222的电阻值也几乎不变化。其结果，能够对变换系数的温度依赖性进行抑制。
如上所述，根据实施方式2所涉及的负载驱动电路，能够与实施方式1同样地使电流负载的控制变得容易，并且能够提高电流负载的控制精度。
并且，根据实施方式2所涉及的负载驱动电路，调节部包含具有正温度特性的电阻和具有负温度特性的电阻，由此能够对输入电压和输出电流之间的变换系数的温度依赖性进行抑制。其结果，能够稳定地对电流负载进行控制。
实施方式3.
在实施方式1中，对从电压电流变换电路VC1输入来电流Iout1的晶体管NMOS3的源极的电压，以与电阻R7对应的量比晶体管NMOS4的源极的电压低的情况进行了说明。根据如上所述的结构，如上所述，可以将电流反射镜电路CM2能够动作的电压的范围扩大。但是，如果晶体管NMOS3的源极的电压和晶体管NMOS4的源极的电压不同，则在晶体管NMOS3的栅极－源极间的电压和晶体管NMOS4的栅极－源极间的电压之间产生差异。另外，在晶体管NMOS3的漏极－源极间的电压和晶体管NMOS4的漏极－源极间的电压之间也产生差异。其结果，有可能使电流反射镜电路CM2的电流反射镜比的精度降低。因此，在使电流反射镜电路CM2动作的电压的范围被限定的情况下，优选晶体管NMOS3的源极和晶体管NMOS4的源极为相同电位。
因此，在实施方式3中，对电流反射镜电路CM2所包含的晶体管NMOS3及NMOS4各自的源极为相同电位的情况进行说明。通过设为如上所述的结构，从而能够使电流反射镜电路CM2的电流反射镜比提高。
实施方式3和1的差异点在于，电流反射镜电路CM2所包含的晶体管NMOS3和NMOS4各自的源极为相同电位。除此以外是相同的，因此不重复其说明。
图6是将实施方式3中的电压电流变换电路VC1的电路结构及电流反射镜电路CM32的电路结构一并示出的图。如图6所示，电流反射镜电路CM32所包含的晶体管NMOS3的源极与晶体管NMOS4的源极连接。如上所述，通过将晶体管NMOS3的源极和晶体管NMOS3的源极设为相同电位，从而晶体管NMOS3的栅极－源极间的电压和晶体管NMOS4的栅极－源极间的电压变得相同。另外，晶体管NMOS3的漏极－源极间的电压和晶体管NMOS4的漏极－源极间的电压变得相同。其结果，能够使电流反射镜电路CM2的电流反射镜比提高。
如上所述，根据实施方式3所涉及的负载驱动电路，能够与实施方式1同样地使电流负载的控制变得容易，并且，能够使电流负载的控制精度提高。
并且，根据实施方式3所涉及的负载驱动电路，能够使接收来自电压电流变换电路的电流的电流反射镜电路的电流反射镜比提高。
实施方式4.
在图1所示的LED驱动电路1中，有时发生在发光二极管LED1流过过电流的异常，或者电源电压降低的异常等。在如上所述的情况下，如果继续进行发光二极管LED1的驱动，则有可能使发光二极管LED1或者LED驱动电路1发生故障而停止。因此，在实施方式4中，对具有检测如上所述的异常的异常检测电路的负载驱动电路进行说明。
实施方式4和1的差异点在于异常检测电路的有无。除此以外是相同的，因此不重复其说明。
图7是实施方式4所涉及的负载驱动电路的一个例子即LED驱动电路4的电路图。如图7所示，LED驱动电路4在图1所示的LED驱动电路1的结构的基础上，还具有异常检测电路Md1。异常检测电路Md1在过电流流过发光二极管LED1的情况下，使电流反射镜电路CM2的动作停止。
图8是将实施方式4中的电压电流变换电路VC1的电路结构、电流反射镜电路CM2的电路结构及异常检测电路Md1的电路结构一并示出的图。
异常检测电路Md1包含：比较器Cmp1、晶体管NMOS5、电阻R8、R9。晶体管NMOS5的栅极与比较器Cmp1的输出端子连接。晶体管NMOS5的源极与接地点GND连接。晶体管NMOS5的漏极与晶体管NMOS3的漏极连接。电阻R8和R9串联连接在电源PS1和接地点GND之间。比较器Cmp1的非反转输入端子与晶体管NMOS4的源极连接。比较器Cmp1的反转输入端子连接于电阻R8和R9之间的连接点N4。
在过电流流过发光二极管LED1的情况下，过电流经过电阻R7时的电压降变大，与电阻R7连接的晶体管NMOS4的源极的电压上升。由于比较器Cmp1的非反转输入端子与晶体管NMOS4的源极连接，因此如果流过过电流，则从比较器Cmp1输出高电平的电压。由于比较器Cmp1的输出端子与晶体管NMOS5的栅极连接，因此在比较器Cmp1的输出电压达到晶体管NMOS5的动作电压时，晶体管NMOS5导通。由于晶体管NMOS5的漏极与晶体管NMOS3的漏极连接，因此晶体管NMOS5导通，由此，晶体管NMOS3的漏极和接地点GND导通。其结果，晶体管NMOS3的漏极的电压降低。由于晶体管NMOS3的漏极与晶体管NMOS3的栅极连接，因此如果晶体管NMOS3的漏极的电压降低，则晶体管NMOS3的栅极的电压降低。由于晶体管NMOS3的栅极与晶体管NMOS4的栅极连接，因此如果晶体管NMOS3的栅极的电压比动作电压小，则电流不流过晶体管NMOS3及NMOS4。其结果，电流反射镜电路CM2将动作停止。
也可以通过异常检测电路对电源电压进行检测，在电源电压小于或等于规定的电压的情况下，使电流反射镜电路CM2停止。
如上所述，根据实施方式4所涉及的负载驱动电路，能够与实施方式1同样地使电流负载的控制变得容易，并且，能够使电流负载的控制精度提高。
并且，根据实施方式4所涉及的负载驱动电路，利用异常检测电路对异常的发生进行检测，由此能够在异常刚发生后使负载驱动电路停止。其结果，能够防止负载驱动电路或者电流负载的故障。
针对本发明的实施方式进行了说明，但应当认为本次公开的实施方式的所有方面都是例示且并不是限制性的内容。本发明的范围由权利要求书表示，包含与权利要求书等同的含义以及范围内的全部变更。

Claims (8)

1.一种电压电流变换电路，其构成为，连接在第1电源和接地点之间，将与施加至输入端子的输入电压相对应的输出电流从输出端子输出，
该电压电流变换电路具有：
差动放大电路，其构成为，从所述输入端子接收所述输入电压，输出与所述输入电压和阈值电压之差相对应的电压；
第1电流反射镜电路，其构成为，接收来自所述差动放大电路的电压，将所述输出电流输出至所述输出端子；以及
电压设定部，其构成为，对所述阈值电压进行设定，
所述阈值电压不随所述输入电压而变化。
2.根据权利要求1所述的电压电流变换电路，其中，
所述差动放大电路包含第1晶体管、第2晶体管、与所述第1电源连接的恒定电流源，
所述第1电流反射镜电路包含与所述第1晶体管连接的第3晶体管、与所述第2晶体管连接的第4晶体管，
所述电压设定部包含串联连接在所述第1电源和所述接地点之间的第1电阻和第2电阻，
所述第1晶体管及所述第2晶体管分别是第1导电型晶体管，
所述第3晶体管及所述第4晶体管分别是第2导电型晶体管，
所述第1晶体管、所述第2晶体管以及所述第3晶体管、所述第4晶体管分别具有控制端子、第1端子及第2端子，
所述第1晶体管的控制端子与所述输入端子连接，
所述第1晶体管的第1端子与所述恒定电流源连接，
所述第1晶体管的第2端子与所述第3晶体管的第2端子连接，
所述第3晶体管的控制端子连接于所述第4晶体管的控制端子及所述第3晶体管的第2端子，
所述第3晶体管的第1端子与所述接地点连接，
所述第2晶体管的控制端子连接于所述第1电阻和所述第2电阻之间的连接点，
所述第2晶体管的控制端子的电压通过所述第1电阻及所述第2电阻而设定为所述第2晶体管的动作电压，
所述第2晶体管的第1端子与所述恒定电流源连接，
所述第2晶体管的第2端子与所述第4晶体管的第2端子连接，
所述第4晶体管的第1端子与所述接地点连接，
所述输出端子连接于所述第2晶体管的第2端子和所述第4晶体管的第2端子之间的连接点。
3.根据权利要求2所述的电压电流变换电路，其中，
所述差动放大电路还包含第1调节部及第2调节部，该第1调节部及第2调节部用于对所述输入电压和所述输出电流之间的变换系数进行调节，
所述第1调节部连接在所述恒定电流源和所述第1晶体管的第1端子之间，
所述第2调节部连接在所述恒定电流源和所述第2晶体管的第1端子之间，
所述第1调节部的电阻值与所述第2调节部的电阻值相等。
4.根据权利要求3所述的电压电流变换电路，其中，
所述第1调节部包含串联连接的第3电阻和第4电阻，
所述第2调节部包含串联连接的第5电阻和第6电阻，
所述第3电阻的电阻值与所述第5电阻的电阻值相等，
所述第3电阻及所述第5电阻具有正温度特性，
所述第4电阻的电阻值与所述第6电阻的电阻值相等，
所述第4电阻及所述第6电阻具有负温度特性。
5.一种负载驱动电路，其对负载进行驱动，
该负载驱动电路具有：
权利要求1所述的电压电流变换电路；以及
第2电流反射镜电路，其包含第5晶体管和第6晶体管，
所述负载连接在第2电源和所述接地点之间，
所述第5晶体管及所述第6晶体管分别具有控制端子、第1端子及第2端子，
所述第5晶体管的控制端子连接于所述第6晶体管的控制端子及所述第5晶体管的第2端子，
所述第5晶体管的第1端子的电压小于或等于所述第6晶体管的第1端子的电压，
所述第5晶体管的第2端子与所述电压电流变换电路的所述输出端子连接，
所述第6晶体管的第1端子经由第7电阻而与所述接地点连接，
所述第6晶体管的第2端子经由所述负载而与所述第2电源连接。
6.根据权利要求5所述的负载驱动电路，其中，
所述第5晶体管的第1端子与所述第6晶体管的第1端子连接。
7.根据权利要求5所述的负载驱动电路，其中，
还具有异常检测电路，该异常检测电路构成为，在所述负载驱动电路发生了异常的情况下，使所述第5晶体管的第2端子的电压低于所述第5晶体管的动作电压。
8.根据权利要求7所述的负载驱动电路，其中，
所述异常检测电路包含：
比较器，其具有反转输入端子、非反转输入端子及输出端子；
第7晶体管，其具有与所述比较器的输出端子连接的控制端子、与所述接地点连接的第1端子、与所述第5晶体管的第2端子连接的第2端子；以及
第8电阻和第9电阻，它们串联连接在所述第1电源和所述接地点之间，
所述非反转输入端子与所述第6晶体管的第1端子连接，
所述反转输入端子连接于所述第8电阻和所述第9电阻之间的连接点。
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