CN107533407A - 导电性膜及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种触摸面板用的导电性膜，其具有基材膜和设置在上述基材膜的表面的导电性层，上述基材膜由脂环式烯烃树脂形成，上述导电性层包含在上述基材膜的表面的输入区域设置为线状的多个电极部，上述电极部的宽度为500nm以上，上述电极部的厚度为500nm以上。

Description

导电性膜及其制造方法
技术领域
本发明涉及触摸面板用的导电性膜及其制造方法。
背景技术
在近年来的液晶显示装置和有机电致发光显示装置(以下，有时酌情称为“有机EL显示装置”。)等图像显示装置中，有在该图像显示装置的显示面具有触摸面板作为输入装置的情况。这样的触摸面板通常根据需要设置为用户一边参照在图像显示装置的显示面所显示的图像一边触摸规定的位置由此来进行信息的输入。
上述这样的触摸面板通常具有导电性膜，该导电性膜具有透明的基材和在该基材上形成的导电性层。作为这样的导电性膜的基材，玻璃基材已被广泛使用，但最近开始研究树脂膜(专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-112510号公报。
发明内容
发明要解决的课题
然而，就将树脂膜用作基材的现有的导电性膜而言，当想要大面积使用时，无法充分提高检测用户触摸时的检测灵敏度，因此难以应用于大面积的触摸面板。
本发明是鉴于上述的课题而首创的，其目的在于提供能够应用于大面积的触摸面板的导电性膜及其制造方法。
用于解决课题的方案
本发明人为了解决上述的课题进行了深入研究，结果发现，通过在由脂环式烯烃树脂形成的基材膜上设置规定尺寸的电极部，从而能够实现可应用于大面积的触摸面板的导电性膜，以至完成了本发明。
即，本发明如下所述。
[1]一种触摸面板用的导电性膜，其具有基材膜和设置在上述基材膜的表面的导电性层，
上述基材膜由脂环式烯烃树脂形成，
上述导电性层包含在上述基材膜的表面的输入区域设置为线状的多个电极部，
上述电极部的宽度为500nm以上，
上述电极部的厚度为500nm以上。
[2]根据[1]所述的导电性膜，其中，
上述电极部包含：
多个第一电极部，其在一个方向延伸，和
多个第二电极部，其在与上述第一电极部延伸的方向交叉的一个方向延伸。
[3]根据[1]或[2]所述的导电性膜，其中，
上述基材膜的表面的算术表面粗糙度为10μm以下。
[4]根据[1]～[3]中任一项所述的导电性膜，其中，
上述导电性层由铜形成。
[5]根据[1]～[4]中任一项所述的导电性膜，其中，
上述基材膜的表面的上述输入区域的面积为2700cm2以上。
发明效果
根据本发明，能够提供可应用于大面积的触摸面板的导电性膜及其制造方法。
附图说明
图1是示意性地示出从厚度方向观看本发明的第一实施方式的触摸面板用的导电性膜的情况的平面图。
图2是示意性地示出从厚度方向观看本发明的第二实施方式的触摸面板用的导电性膜的情况的平面图。
图3是示意性地示出从厚度方向观看本发明的第二实施方式的触摸面板用的另一个导电性膜的情况的平面图。
图4是示意性地示出从厚度方向观看本发明的第二实施方式的触摸面板用的复合导电性膜的情况的平面图。
具体实施方式
以下示出实施方式和例示物来对本发明进行详细说明。但是，本发明并不限定于以下所示的实施方式和例示物，在不脱离要求保护的范围及其均等的范围的范围内可任意地变更而实施。
在以下的说明中，“长条”的膜是指具有相对于宽度至少5倍以上的长度的膜，优选具有10倍或其以上的长度，具体而言是指具有卷取为辊状而被保管或搬运的程度的长度的膜。
在以下的说明中，膜的面内延迟Re只要无特别说明，则为由Re＝(nx-ny)×d表示的值。此处，nx表示与膜的厚度方向垂直的方向(面内方向)上的赋予最大的折射率的方向的折射率。ny表示上述面内方向上的与nx的方向正交的方向的折射率。d表示膜的厚度。测定波长只要无特别说明，则为550nm。
在以下的说明中，要素的方向“平行”及“垂直”只要无特别说明，可在不损害本发明的效果的范围内包含例如±5°的范围内的误差。
在以下的说明中，“波片”和“偏振片”只要无特别说明，不仅包含刚直的构件，而且也包含例如树脂制的膜那样具有可挠性的构件。
[1.第一实施方式]
图1是示意性地示出从厚度方向观看本发明的第一实施方式的触摸面板用的导电性膜10的情况的平面图。
如图1所示，本发明的第一实施方式的触摸面板用的导电性膜10具有由脂环式烯烃树脂形成的基材膜100以及设置在基材膜100的表面100U的导电性层200。图1所示的导电性膜10是电容式触摸面板用的导电性膜，其导电性层200包含设置为线状的多个电极部210、与电极部210连接的布线部220、以及与布线部220连接的端子部230。
电极部210包含在一个方向直线状地延伸的多个第一电极部211和在与上述第一电极部211延伸的方向交叉的一个方向直线状地延伸的多个第二电极部212，这些第一电极部211和第二电极部212从厚度方向看设置为格子状。在本实施方式中，示出第一电极部211所延伸的方向与第二电极部212所延伸的方向正交的例子进行说明。
第一电极部211与第二电极部212通过设置在第一电极部211与第二电极部212的交叉部分的未图示的绝缘部而被绝缘。进而，在基材膜100的表面100U设定有在触摸面板的使用时应该进行用户的输入的输入区域110，导电性层200的电极部210设置在输入区域110内，导电性层200的布线部220和端子部230设置在输入区域110外。
在具有这样的导电性膜10的电容式的触摸面板中，当外部导体(通常是手指)接触触摸面板时，该外部导体与电极部210产生电容耦合。当该电容耦合产生时，电极部210之间的电容产生变化。用与端子部230连接的驱动电路(未图示)检测该电容的变化，由此可检测外部导体所接触的位置，实现触摸面板的作为输入装置的功能。
在此，为了提高输入区域110的透明性，通常将上述的电极部210(即，第一电极部211和第二电极部212)设置为难以分辨的程度的细的线状。此时，每1根电极部210的宽度各自独立地通常为500nm以上，优选为2000nm以上，更优选为3000nm以上，优选为7μm以下，更优选为6μm以下，特别优选为5μm以下。此外，电极部210的厚度各自独立地通常为500nm以上，优选为20μm以下，更优选为10μm以下，特别优选为5μm以下。当电极部210的宽度和厚度小于500nm时，电阻上升，触摸面板可能无法发挥作用。
上述的导电性膜10通过使这样的规定尺寸的电极部210与由脂环式烯烃树脂形成的基材膜100组合从而提高检测外部导体接触触摸面板时的检测灵敏度。因此，如果使用该导电性膜10，则触摸面板的大面积化成为可能。使检测灵敏度提高的理由不能确定，但是本发明人推测如下。但是，本发明的技术范围并不被下述的理由所限制。
形成基材膜100的脂环式烯烃树脂的相对介电常数通常低至2.3左右。通过基材膜100的相对介电常数这样地低从而能够抑制传输损耗，因此在电容式触摸面板的使用时，能够容易检测导电性层200的第一电极部211与第二电极部212之间的电容的变化。进而，通过将第一电极部211和第二电极部212的宽度和厚度像上述那样控制在规定的范围，从而能够减小它们的电阻值，因此能够进一步抑制传输损耗而进一步提高电容的变化的检测灵敏度。因此，在具有上述的导电性膜10的触摸面板中，即使面积大也能够以高的检测灵敏度检测电容的变化，因此能够实现可稳定地检测外部导体接触的情况的大面积的触摸面板。
从有效地利用上述的优点即能够大面积化的优点的观点出发，优选输入区域110的面积大。上述的输入区域110的具体的面积优选为2700cm2以上。
[2.第二实施方式]
图2是示意性地示出从厚度方向观看本发明的第二实施方式的触摸面板用的导电性膜20的情况的平面图。
如图2所示，本发明的第二实施方式的触摸面板用的导电性膜20具有由脂环式烯烃树脂形成的基材膜300以及设置在基材膜300的表面300U的导电性层400。此外，导电性层400包含设置为线状的电极部410、与电极部410连接的布线部420、以及与布线部420连接的端子部430。
电极部410设置为多个在一个方向直线状地延伸。在本实施方式中，示出电极部410在图中纵向延伸的例子进行说明。此外，在基材膜300的表面300U设定有在触摸面板的使用时应该进行用户的输入的输入区域310，导电性层400的电极部410设置在输入区域310内，导电性层400的布线部420和端子部430设置在输入区域310外。
图3是示意性地示出从厚度方向观看本发明的第二实施方式的触摸面板用的另一个导电性膜30的情况的平面图。
如图3所示，本发明的第二实施方式的触摸面板用的导电性膜30具有由脂环式烯烃树脂形成的基材膜500以及设置在基材膜500的表面500U的导电性层600。此外，导电性层600包含设置为线状的电极部610、与电极部610连接的布线部620、以及与布线部620连接的端子部630。
电极部610设置为多个在一个方向直线状地延伸。在本实施方式中，示出电极部610在图中横向延伸的例子进行说明。此外，在基材膜500的表面500U设定有在触摸面板的使用时应该进行用户的输入的输入区域510，导电性层600的电极部610设置在输入区域510内，导电性层600的布线部620和端子部630设置在输入区域510外。
图4是示意性地示出从厚度方向观看本发明的第二实施方式的触摸面板用的复合导电性膜40的情况的平面图。
在将上述这样的导电性膜20和30设置在电容式的触摸面板的情况下，如图4所示的那样使它们贴合从而作为复合导电性膜40来使用。该复合导电性膜40是具有导电性膜20和导电性膜30的多层膜。在该复合导电性膜40中，一方的导电性膜20的电极部410所延伸的方向与另一方的导电性膜30的电极部610所延伸的方向交叉，因此，电极部410与电极部610从厚度方向看成为格子状。此外，这些电极部410与电极部610通过夹在它们之间的基材膜300或500、或任选的绝缘层(未图示)而被绝缘。
在具有这样的复合导电性膜40的电容式的触摸面板中，当外部导体接触触摸面板时，该外部导体与电极部410和610产生电容耦合，与第一实施方式的导电性膜10同样地，检测外部导体所接触的位置，实现触摸面板的作为输入装置的功能。
进而，在本实施方式中，与第一实施方式同样地，通过将每1根上述的电极部410和610的宽度和厚度如第一实施方式所说明的那样控制在规定的范围，从而能够提高检测外部导体接触触摸面板时的检测灵敏度。因此，如果使用这样的复合导电性膜40，则触摸面板的大面积化成为可能。从有效地利用上述的优点即能够这样的大面积化的优点的观点出发，与第一实施方式同样地，优选输入区域310和510的面积大。
[3.变形例]
导电性膜并不限于在上述的实施方式所说明的，可以任意地变更而进行实施。
例如，电极部的形状可以根据上述的实施方式进一步变更。
此外，在上述的实施方式中，在每一个基材膜中都是仅在单面形成导电性层，但也可以在基材膜的双面形成导电性层。例如，在第一实施方式的导电性膜中，可以在基材膜100的一面设置第一电极部211，在基材膜100的另一面设置第二电极部212。在该情况下，第一电极部211与第二电极部212通过基材膜100被绝缘。
此外，导电性膜还可以进一步具有任选的层来使其与基材膜和导电性层组合。例如，导电性膜可以具有用于保护导电性层的保护层、用于将导电性膜与任选的构件粘接的粘接剂层等。
[4.基材膜]
基材膜由脂环式烯烃树脂形成。脂环式烯烃树脂是包含脂环式烯烃聚合物的树脂。此外，脂环式烯烃聚合物为其聚合物的结构单元具有脂环式结构的聚合物。这样的脂环式烯烃树脂通常耐热性、耐湿性以及透明性优异。
脂环式烯烃聚合物可设为例如：在主链具有脂环式结构的聚合物，在侧链具有脂环式结构的聚合物，在主链和侧链具有脂环式结构的聚合物，以及这些的2种以上的任选的比例的混合物。其中，从机械强度和耐热性的观点出发，优选在主链具有脂环式结构的聚合物。
作为脂环式结构的例子，可举出饱和脂环式烃(环烷烃)结构和不饱和脂环式烃(环烯烃、环炔烃)结构。其中，从机械强度和耐热性的观点出发，优选环烷烃结构和环烯烃结构，其中特别优选环烷烃结构。
构成脂环式结构的碳原子数在每一个脂环式结构中优选为4个以上，更优选为5个以上，优选为30个以下，更优选为20个以下，特别优选为15个以下。当构成脂环式结构的碳原子数为该范围时，基材膜的机械强度、耐热性和成型性高度平衡。
在脂环式烯烃聚合物中，具有脂环式结构的结构单元的比例优选为55重量％以上，更优选为70重量％以上，特别优选为90重量％以上。当脂环式烯烃聚合物中的具有脂环式结构的结构单元的比例在该范围时，基材膜的透明性和耐热性变得良好。
作为在脂环式烯烃聚合物中尤其优选的聚合物，可举出降冰片烯系聚合物、单环的环状烯烃聚合物、环状共轭二烯聚合物、乙烯基脂环式烃聚合物和它们的氢化物。在这些中，降冰片烯系聚合物由于透明性和成型性良好，因此特别优选。
作为降冰片烯系聚合物的例子，可举出：具有降冰片烯结构的单体的开环聚合物及其氢化物；具有降冰片烯结构的单体的加成聚合物及其氢化物。此外，作为具有降冰片烯结构的单体的开环聚合物的例子，可举出具有降冰片烯结构的1种单体的开环均聚物、具有降冰片烯结构的2种以上的单体的开环共聚物、以及具有降冰片烯结构的单体和可与其共聚的任选的单体的开环共聚物。进而，作为具有降冰片烯结构的单体的加成聚合物的例子，可举出具有降冰片烯结构的1种单体的加成均聚物、具有降冰片烯结构的2种以上的单体的加成共聚物、以及具有降冰片烯结构的单体和可与其共聚的任选的单体的加成共聚物。作为这些聚合物，可举出例如日本特开2002-321302号公报等所公开的聚合物。在这些中，从透明性、成型性、耐热性、低吸湿性、尺寸稳定性、轻质性等观点出发，特别优选具有降冰片烯结构的单体的开环聚合物的氢化物。
作为具有降冰片烯结构的单体的例子，能够举出双环[2.2.1]庚-2-烯(惯用名：降冰片烯)、三环[4.3.0.12,5]癸-3,7-二烯(惯用名：二环戊二烯)、7,8-苯并三环[4.3.0.12,5]癸-3-烯(惯用名：甲桥四氢芴)、四环[4.4.0.12,5.17,10]十二碳-3-烯(惯用名：四环十二碳烯)、以及这些化合物的衍生物(例如，在环上具有取代基)。其中，作为取代基的例子，可举出烷基、亚烷基和极性基团。此外，这些取代基可以相同也可以不同，还可以多个结合成环状。具有降冰片烯结构的单体可以单独使用1种，也可以以任选的比例将2种以上组合使用。
作为极性基团的例子，可举出杂原子、以及具有杂原子的原子团。作为杂原子的例子，可举出氧原子、氮原子、硫原子、硅原子和卤素原子。作为极性基团的具体例子，可举出羧基、羰氧基羰基、环氧基、羟基、氧基、酯基、硅烷醇基、甲硅烷基、氨基、酰胺基、酰亚胺基、腈基和磺酸基。
作为能够与具有降冰片烯结构的单体开环共聚的单体的例子，可举出：环己烯、环庚烯、环辛烯等单环状烯烃类及其衍生物；环己二烯、环庚二烯等环状共轭二烯及其衍生物。能够与具有降冰片烯结构的单体开环共聚的单体可以单独使用1种，也可以以任选的比例将2种以上组合使用。
具有降冰片烯结构的单体的开环聚合物例如可通过将单体在开环聚合催化剂的存在下聚合或共聚而制造。
作为能够与具有降冰片烯结构的单体加成共聚的单体的例子，可举出：乙烯、丙烯、1-丁烯等碳原子数为2～20的α-烯烃及它们的衍生物；环丁烯、环戊烯、环己烯等环烯烃及它们的衍生物；以及1,4-己二烯、4-甲基-1,4-己二烯、5-甲基-1,4-己二烯等非共轭二烯。在这些中，优选α-烯烃，更优选乙烯。此外，能够与具有降冰片烯结构的单体加成共聚的单体可以单独使用1种，也可以以任选的比例将2种以上组合使用。
具有降冰片烯结构的单体的加成聚合物例如可通过将单体在加成聚合催化剂的存在下聚合或共聚而制造。
上述的开环聚合物和加成聚合物的加氢物可通过例如在这些开环聚合物和加成聚合物的溶液中，在含镍、钯等过渡金属的加氢催化剂的存在下，对优选90％以上的碳-碳不饱和键进行加氢从而制造。
在降冰片烯系聚合物中，优选作为结构单元具有X：双环[3.3.0]辛烷-2,4-二基-乙烯结构和Y：三环[4.3.0.12,5]癸烷-7,9-二基-乙烯结构，这些结构单元的量相对于降冰片烯系聚合物的结构单元全体为90重量％以上，并且X的比例与Y的比例之比以X∶Y的重量比计优选为100∶0～40∶60。通过使用这样的聚合物，从而能够得到长期无尺寸变化、光学特性的稳定性优异的基材膜。
脂环式烯烃聚合物可以单独使用1种，也可以以任选的比例将2种以上组合使用。
脂环式烯烃聚合物的重均分子量(Mw)优选为10000以上，更优选为15000以上，特别优选为20000以上，优选为100000以下，更优选为80000以下，特别优选为50000以下。当脂环式烯烃聚合物的重均分子量处于该范围时，能够使基材膜的机械强度及成型加工性高度地平衡，从而更为优选。在此，上述的重均分子量是使用环己烷作为溶剂通过凝胶渗透色谱法测定的聚异戊二烯或聚苯乙烯换算的重均分子量。此外，在上述的凝胶渗透色谱法中，当样品不溶于环己烷的情况下，可以使用甲苯作为溶剂。
脂环式烯烃聚合物的分子量分布(重均分子量(Mw)/数均分子量(Mn))优选为1以上，更优选为1.2以上，优选为10以下，更优选为4以下，特别优选为3.5以下。
脂环式烯烃树脂中的脂环式烯烃聚合物的比例优选为50重量％～100重量％，更优选为70重量％～100重量％，特别优选为90重量％～100重量％。通过将脂环式烯烃聚合物的比例设在上述范围，从而基材膜能够得到足够的耐热性和透明性。
脂环式烯烃树脂除了包含脂环式烯烃聚合物以外可包含配合剂。当举出配合剂的例子时，可举出抗氧化剂、热稳定剂、光稳定剂、紫外线吸收剂、防静电剂、分散剂、氯捕获剂、阻燃剂、晶化成核剂、增强剂、抗粘连剂、防雾剂、脱模剂、颜料、有机或无机的填充剂、中和剂、滑剂、分解剂、金属非活化剂、防污染剂、抗菌剂、任选的聚合物、热塑性弹性体等。这些成分可以单独使用1种，也可以以任选的比例将2种以上组合使用。
脂环式烯烃树脂的玻璃化转变温度Tg优选为120℃以上，更优选为125℃以上，特别优选为130℃以上，优选为180℃以下，更优选为175℃以下，特别优选为165℃以下。通过将脂环式烯烃树脂的玻璃化转变温度设为上述范围的下限值以上，从而能够提高高温环境下的基材膜的耐久性。此外，通过设为上限值以下，从而可容易地进行基材膜的制造。
基材膜的全光线透过率优选为80％以上，更优选为90％以上。光线透过率可按照JIS K0115，使用分光光度计(日本分光公司制、紫外可见近红外分光光度计“V-570”)进行测定。
基材膜的雾度优选为5％以下，更优选为3％以下，特别优选为1％以下，理想为0％。在此，可按照JIS K7361-1997，使用日本电色工业公司制“浊度计NDH-300A”，测定5处雾度，采用根据其而求出的平均值。
基材膜可以是不具有面内延迟Re的光学上各向同性的膜，也可以是具有面内延迟Re的光学上各向异性的膜。在基材膜具有光学上的各向异性的情况下，基材膜的面内延迟Re优选为80nm以上，更优选为100nm以上，特别优选为120nm以上，优选为180nm以下，更优选为160nm以下，特别优选为150nm以下。通过具有上述那样的范围的面内延迟Re，从而基材膜可作为1/4波片发挥功能。因此，根据基材膜，能够将透过该基材膜的线性偏振光转换为圆偏振光。由此，使导电性膜与线性起偏器组合能够制造圆偏振片。该圆偏振片在图像显示装置中可作为防反射膜发挥功能。
基材膜的水蒸气透过率优选为1g/(m2·天)以下，更优选为0.5g/(m2·天)以下，特别优选为0.2g/(m2·天)以下。水蒸气透过率的下限特别优选为0g/(m2·天)。通过基材膜的水蒸气透过率这样低，从而能够提高基材膜的水蒸气阻隔性。此外，由此，能够使图像显示装置的电特性的变化减少。在此，可使用水蒸气透过度测定装置(MOCON公司制“PERMATRAN-W”)，按照JIS K 7129B-1992，在温度40℃、湿度90％RH的条件下测定某膜的水蒸气透过率。
基材膜的形成导电性层的一侧的表面的算术表面粗糙度(也称为“算术平均粗糙度”)Ra优选为10μm以下，更优选为5μm以下，特别优选为1μm以下。通过像上述那样减小基材膜的表面的算术表面粗糙度Ra，从而能够使形成在该面的导电性层的厚度均匀。因此，能够抑制在导电性层产生局部薄的部分，从而能够抑制由上述的薄的部分导致的电阻的增大。因此，能够提高使用触摸面板时的电容的变化的检测灵敏度。上述的算术表面粗糙度Ra的下限没有特别限制，通常为1nm以上。基材膜的表面的算术表面粗糙度Ra可使用非接触表面形状测定仪(例如ZYGO公司制NewView系列)进行测定。
基材膜的厚度优选为20μm以上，更优选为30μm以上，特别优选为40μm以上，优选为150μm以下，更优选为130μm以下，特别优选为100μm以下。通过将基材膜的厚度设为上述范围的下限值以上，从而能够充分地提高基材膜的机械强度，此外，通过设为上述范围的上限值以下，从而能够使基材膜的厚度变薄。
基材膜可通过例如包含将脂环式烯烃树脂成型为膜的形状的工序的制造方法来制造。作为脂环式烯烃树脂的成型方法，可举出例如溶融成型法和溶液流延法。作为溶融成型法的例子，可举出通过溶融挤出而进行成型的熔融挤出法、以及压制成型法、吹胀成型法、注射成型法、吹塑成型法和拉伸成型法。在这些方法中，从得到机械强度和表面精度优异的基材膜的观点出发，优选熔融挤出法、吹胀成型法和按压成型法。其中，从使残留溶剂的量减少和使高效率地简单制造成为可能的观点出发，特别优选熔融挤出法。此外，特别是在为了形成导电性层而使用溅射法等成膜方法时，使用熔融挤出法而制造的基材膜能够减少从基材膜的渗气，因此导电性层的良好的成膜成为可能。作为优选的成型方法，可举出例如日本特开平3-223328号公报、日本特开2000-280315号公报等所公开的方法。
在熔融挤出法中，通常使脂环式烯烃树脂熔融，从模具挤出该熔融树脂，从而成型为膜状。此时，具有模具的挤出机中的脂环式烯烃树脂的熔融温度优选为Tg+80℃以上，更优选为Tg+100℃以上，优选为Tg+180℃以下，更优选为Tg+150℃以下。在此，Tg表示脂环式烯烃树脂的玻璃化转变温度。通过将挤出机中的脂环式烯烃树脂的熔融温度设为上述范围的下限值以上，从而能够充分地提高脂环式烯烃树脂的流动性，通过设为上限值以下，从而能够防止脂环式烯烃树脂的劣化。
通常使从模具挤出的膜状的熔融树脂与冷却辊密合。使熔融树脂与冷却辊密合的方法没有特别限制，可举出例如气刀方式、真空箱方式、静电密合方式等。
冷却辊的数量没有特别限制，通常为2根以上。此外，作为冷却辊的配置方法，可举出例如直线型、Z型、L型等，但是没有特别限制。此外，从模具挤出的熔融树脂通过冷却辊的方法没有特别限制。
通常，根据冷却辊的温度，挤出的膜状的树脂与冷却辊的密合程度有变化的倾向。当冷却辊的温度升高时，密合变得良好，但是如果温度过度升高，则有膜状的树脂难以从冷却辊剥离的倾向。因此，冷却辊温度优选为Tg+30℃以下，进一步优选为Tg-5℃以下，优选为Tg-45℃以上。
通过像上述那样将脂环式烯烃树脂成型为膜状，从而能够得到由脂环式烯烃树脂形成的基材膜。通常，该基材膜作为长条的膜而获得。此外，基材膜可以是未实施拉伸处理的未拉伸膜，也可以是实施了拉伸处理的拉伸膜。通过拉伸处理，可以使基材膜显现所期望的面内延迟。
拉伸处理可进行仅在一个方向进行拉伸的单轴拉伸处理，也可进行在不同的2个方向进行拉伸的双轴拉伸处理。此外，在双轴拉伸处理中，可进行在2个方向同时进行拉伸处理的同时双轴拉伸处理，也可进行在某个方向进行了拉伸后在另一个方向进行拉伸的依次双轴拉伸处理。进而，拉伸可进行在基材膜的长度方向进行拉伸处理的纵向拉伸处理、在基材膜的宽度方向进行拉伸处理的横向拉伸处理、在与基材膜的宽度方向既不平行也不垂直的倾斜方向进行拉伸处理的倾斜拉伸处理中的任一个，也可将它们组合进行。拉伸处理的方式可举出例如辊式、浮法方式、拉幅机方式等。
拉伸温度及拉伸倍率能够在可得到具有所期望的面内延迟Re的基材膜的范围内任意地设定。就具体的范围来说，拉伸温度优选为Tg-30℃以上，更优选为Tg-10℃以上，优选为Tg+60℃以下，更优选为Tg+50℃以下。另外，拉伸倍率优选为1.1倍以上，更优选为1.2倍以上，特别优选为1.5倍以上，优选为30倍以下，更优选为10倍以下，特别优选为5倍以下。
此外，基材膜的制造方法除了上述的方法以外还可以进一步包含任选的工序。例如，基材膜的制造方法可以包含将长条的基材膜切出为矩形等适当的形状的工序。
[5.导电性层]
导电性层是设置在基材膜的表面的、由导电性材料形成的层。导电性层通常直接设置在基材膜的表面。在此，导电性层“直接”设置在基材膜的表面的方式表示在基材膜的表面与导电性层之间没有插入其它的层的方式。
作为导电性材料，可举出：银、铜等金属；ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、ZnO(氧化锌)、IWO(氧化铟钨)、ITO(氧化铟钛)、AZO(氧化铝锌)、GZO(氧化镓锌)、XZO(锌系特殊氧化物)、IGZO(氧化铟镓锌)等金属氧化物等。此外，导电性材料可以单独使用1种，也可以以任选的比例将2种以上组合使用。在这些中，从能够塑性变形、即使基材膜的变形也不容易断裂的方面考虑优选金属，特别是从难以断裂的方面考虑更优选铜。
导电性层的表面电阻率优选为1000Ω/sq以下，更优选为500Ω/sq以下，特别优选为100Ω/sq以下。下限没有特别限制，可设为例如0.1Ω/sq以上。
导电性层的形成方法没有限制。例如，如专利文献1所述，可以通过涂布包含金属纳米线的组合物来形成导电性层。此外，例如，也可以通过使与基材膜分开准备的导电性层与基材膜贴合，从而在基材膜的表面形成导电性层。如果在贴合时使用未拉伸膜作为基材膜，则能够抑制由于贴合所导致的褶皱的产生。
进而，例如，还可以通过在基材膜的表面利用蒸镀法、溅射法、离子镀法、离子束辅助蒸镀法、电弧放电等离子体蒸镀法、热CVD法、等离子体CVD法、电镀法、以及它们的组合等成膜方法成膜导电性材料，从而形成导电性层。
在这些中，优选蒸镀法和溅射法，特别优选溅射法。在溅射法中，能够形成厚度均匀的导电性层，因此能够抑制在导电性层产生局部薄的部分。由此，能够抑制上述的薄的部分所导致的电阻的增大，因此能够提高电容的变化的检测灵敏度。此外，由于许多树脂膜会产生渗气，因此难以通过溅射形成导电性层。与此相对，由脂环式烯烃树脂形成的基材膜不易产生渗气。进而，由脂环式烯烃树脂形成的基材膜的机械强度高，因此在进行溅射的环境中不易产生破损。因此，使用由脂环式烯烃树脂形成的基材膜的优点之一是能够通过如上所述的溅射法形成导电性层。
此外，在基材膜的表面形成导电性层之前，可以对基材膜的上述面实施表面处理。作为表面处理，可举出电晕处理、等离子体处理、药品处理等。由此，能够提高基材膜与导电性层的粘结性。
进而，导电性层的形成方法可以包含通过例如蚀刻法等膜去除法将导电性层成型为所期望的图案形状的方法。由脂环式烯烃树脂形成的基材膜通常耐碱性高。由此，用碱溶液蚀刻铜等导电性材料时碱溶液难以侵入基材膜，因此电极部的宽度和厚度不易产生变形。进而，通过使用耐碱性高的基材膜从而能够提高碱溶液的碱浓度，因此能够加快蚀刻速度。
[6.导电性膜的物性]
从使设置触摸面板的图像显示装置的分辨性良好的观点出发，优选导电性膜的输入区域的全光线透过率高。导电性膜的输入区域的具体的全光线透过率优选为80％以上，更优选为85％以上，特别优选为90％以上。全光线透过率可使用紫外·可见光分光光度计在波长400nm～700nm的范围进行测定。
[7.导电性膜的用途]
上述的导电性膜可安装在触摸面板而使用。这样的触摸面板可设置在例如液晶显示装置、有机EL显示装置等图像显示装置的屏幕而使用。
实施例
以下示出实施例对本发明具体进行说明。但是，本发明并不限定于以下的实施例，只要不脱离本发明的请求保护的范围和与其同等的范围的范围内，可以任意地变更实施。以下说明的操作，只要没有特别说明，均是在常温常压大气中进行。
[评价方法]
(透过性的评价方法)
对得到的导电性膜，按照JIS K7361-1997，使用浊度计(日本电色工业公司制“NDH-300A”)在输入区域的5处测定全光线透过率，将根据其求出的平均值作为该导电性膜的输入区域的全光线透过率。
(基材膜的耐蚀刻性的评价方法)
在基材膜形成铜层之后，在实施蚀刻处理之前，测定铜层的表面的算术表面粗糙度Ra0。此外，在对形成于基材膜的表面的铜层实施了蚀刻处理之后，测定通过蚀刻处理而露出的基材膜的表面的算术表面粗糙度Ra1。算术表面粗糙度Ra0和Ra1的测定使用非接触表面形状测定仪(ZYGO公司制“NewView系列”)进行。算术表面粗糙度Ra0与算术表面粗糙度Ra1的差越小，表示基材膜的耐蚀刻性越优异。
[实施例1]
(第一导电性膜的制造)
准备包含降冰片烯系聚合物的脂环式烯烃树脂膜(日本ZEON公司制“ZEONORZF16-050”)作为基材膜。关于该基材膜，厚度为50μm，树脂的玻璃化转变温为160℃，树脂的相对介电常数为2.3。
对于该基材膜的单面实施电晕处理作为表面处理。实施了电晕处理的基材膜的表面的算术表面粗糙度Ra为1.01nm。
通过溅射在基材膜的实施了电晕处理的表面形成铜层。然后，对形成的铜层实施蚀刻处理，将铜层成型为所期望的图案形状，形成导电性层。由此，如图2所示，得到第一导电性膜20，该第一导电性膜20在基材膜300的表面300U具有导电性层400，该导电性层400由设置为直线状的多个电极部410、与电极部410连接的布线部420、以及与布线部420连接的端子部430形成。
在该第一导电性膜20中，基材膜300的输入区域310与屏幕尺寸60英寸的图像显示装置对应地设定为长133.1cm×宽74.8cm。此外，导电性层400的电极部410形成在上述的输入区域310，布线部420和端子部430形成在输入区域310的外部。进而，电极部410在纵向延伸地形成，每根电极部410的宽度为5μm、厚度为700nm。此外，第一导电性膜20的输入区域310的全光线透过率为90％。进而，实施蚀刻处理之前的铜层的表面的算术表面粗糙度Ra0为1nm，通过对铜层实施蚀刻处理而露出的基材膜300的表面300U的算术表面粗糙度Ra1为1.02nm。
(第二导电性膜的制造)
进而，变更导电性层的图案形状，除此以外，与上述第一导电性膜20同样地进行，如图3所示，制造第二导电性膜30，该第二导电性膜30在基材膜500的表面500U具有导电性层600，该导电性层600由设置为直线状的多个电极部610、与电极部610连接的布线部620、以及与布线部620连接的端子部630形成。
在第二导电性膜30中，基材膜500的输入区域510与第一导电性膜20同样地设定为长133.1cm×宽74.8cm。此外，导电性层600的电极部610形成在上述的输入区域510，布线部620和端子部630形成在输入区域510的外部。进而，电极部610在横向延伸地形成，每根电极部610的宽度为5μm、厚度为700nm。此外，第二导电性膜30的输入区域510的全光线透过率为90％。进而，实施蚀刻处理之前的铜层的表面的算术表面粗糙度Ra0为1nm，通过对铜层实施蚀刻处理而露出的基材膜500的表面500U的算术表面粗糙度Ra1为1.02nm。
(复合导电性膜的制造)
使第二导电性膜30的基材膜500侧的表面隔着光学用粘合片(tomoegawa公司制“TD06A”、厚度25μm)与玻璃基板(康宁公司制“GorillaGlass”、厚度0.7mm)贴合。然后，使第一导电性膜20的导电性层400侧的表面隔着光学用粘合片(tomoegawa公司制“TD06A”、厚度25μm)与第二导电性膜30的导电性层600侧的表面贴合。由此，得到依次具有如下各层的复合导电性膜：玻璃基板/光学用粘合片/第二导电性膜30的基材膜500/第二导电性膜30的导电性层600/光学用粘合片/第一导电性膜20的导电性层400/第一导电性膜20的基材膜300。如图4所示，在该复合导电性膜中，第一导电性膜20的电极部410与第二导电性膜30的电极部610从厚度方向看是正交的，整体为格子状。
将驱动电路与上述的复合导电性膜的端子部连接而组装触摸面板。然后，用手指触摸第一导电性膜的基材膜的输入区域的中央部100次，测定能够检测到的用手指触摸的次数。测定的结果为：在实施例1所制造的触摸面板中，能够检测到用手指触摸了100次。
[实施例2]
将每根电极部410和610的宽度设为3μm，将电极部410和610的厚度设为500nm，除此以外，与实施例1同样地进行了导电性膜和触摸面板的制造和评价。
第一导电性膜和第二导电性膜的输入区域的全光线透过率为91％。此外，实施蚀刻处理之前的铜层的表面的算术表面粗糙度Ra0为1.00nm，通过对铜层实施蚀刻处理而露出的基材膜的表面的算术表面粗糙度Ra1为1.01nm。
此外，触摸面板的测定的结果为：在实施例2所制造的触摸面板中，在用手指触摸的100次中能够检测到用手指触摸了100次。
[实施例3]
将电极部410和610的厚度设为500nm，除此以外，与实施例1同样地进行了导电性膜和触摸面板的制造和评价。
第一导电性膜和第二导电性膜的输入区域的全光线透过率为90％。此外，实施蚀刻处理之前的铜层的表面的算术表面粗糙度Ra0为1.10nm，通过对铜层实施蚀刻处理而露出的基材膜的表面的算术表面粗糙度Ra1为1.05nm。
此外，触摸面板的测定的结果为：在实施例3所制造的触摸面板中，在用手指触摸的100次中能够检测到用手指触摸了100次。
[比较例1]
使用聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂膜(东洋纺公司制“A4100”)作为基材膜，除此以外，与实施例1同样地进行了导电性膜和触摸面板的制造和评价。关于该基材膜，厚度为50μm，表面的算术表面粗糙度Ra为11.47nm，树脂的相对介电常数为3.2。
第一导电性膜和第二导电性膜的输入区域的全光线透过率为79％。此外，实施蚀刻处理之前的铜层的表面的算术表面粗糙度Ra0为12.89nm，通过对铜层实施蚀刻处理而露出的基材膜的表面的算术表面粗糙度Ra1为135nm。
此外，触摸面板的测定的结果为：在比较例1所制造的触摸面板中，在用手指触摸的100次中只能够检测到用手指触摸了88次。
[比较例2]
将电极部410和610的厚度设为300nm，除此以外，与实施例1同样地进行了导电性膜和触摸面板的制造和评价。
第一导电性膜和第二导电性膜的输入区域的全光线透过率为90％。此外，实施蚀刻处理之前的铜层的表面的算术表面粗糙度Ra0为1nm，通过对铜层实施蚀刻处理而露出的基材膜的表面的算术表面粗糙度Ra1为1.06nm。
此外，触摸面板的测定的结果为：在比较例2所制造的触摸面板中，在用手指触摸的100次中只能够检测到用手指触摸了47次。
[比较例3]
将每根电极部410和610的宽度设为400nm，除此以外，与实施例1同样地进行了导电性膜和触摸面板的制造和评价。
第一导电性膜和第二导电性膜的输入区域的全光线透过率为92％。此外，实施蚀刻处理之前的铜层的表面的算术表面粗糙度Ra0为1.22nm，通过对铜层实施蚀刻处理而露出的基材膜的表面的算术表面粗糙度Ra1为1.12nm。
此外，触摸面板的测定的结果为：在比较例3所制造的触摸面板中，在用手指触摸的100次中只能够检测到用手指触摸了92次。
[比较例4]
将每根电极部410和610的宽度设为15μm，除此以外，与比较例1同样地进行了导电性膜和触摸面板的制造和评价。
实施蚀刻处理之前的铜层的表面的算术表面粗糙度Ra0为12.89nm，通过对铜层实施蚀刻处理而露出的基材膜的表面的算术表面粗糙度Ra1为135nm。
此外，触摸面板的测定的结果为：在比较例4所制造的触摸面板中，在用手指触摸的100次中能够检测到用手指触摸了100次。
但是，比较例4所制造的第一导电性膜和第二导电性膜的输入区域的全光线透过率均为79％，作为触摸面板用的导电性膜，透明性差。
附图标记说明
10、20和30：导电性膜；
40：复合导电性膜；
100、300和500：基材膜；
110、310和510：输入区域；
200、400和600：导电性层；
210、410和610：电极部；
211：第一电极部；
212：第二电极部；
220、420和620：布线部；
230、430和630：端子部。

Claims (5)

1.一种触摸面板用的导电性膜，其具有基材膜和设置在所述基材膜的表面的导电性层，
所述基材膜由脂环式烯烃树脂形成，
所述导电性层包含在所述基材膜的表面的输入区域设置为线状的多个电极部，
所述电极部的宽度为500nm以上，
所述电极部的厚度为500nm以上。
2.根据权利要求1所述的导电性膜，其中，
所述电极部包含：
多个第一电极部，其在一个方向延伸，和
多个第二电极部，其在与所述第一电极部延伸的方向交叉的一个方向延伸。
3.根据权利要求1或2所述的导电性膜，其中，
所述基材膜的表面的算术表面粗糙度为10μm以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的导电性膜，其中
所述导电性层由铜形成。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的导电性膜，其中，
所述基材膜的表面的所述输入区域的面积为2700cm2以上。
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