TW201707010A - 導電性薄膜及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種觸控面板用導電性薄膜，具備：由脂環式烯烴樹脂所構成之基材薄膜；及設置在前述基材薄膜的面之導電性層；前述導電性層包含在前述基材薄膜的面的輸入區域設置成為線狀之複數電極部，前述電極部的寬度為500nm以上，前述電極部的厚度為500nm以上。

Description

導電性薄膜及其製造方法
本發明係有關於一種觸控面板用導電性薄膜及其製造方法。
近年來，液晶顯示裝置及有機電激發光顯示裝置(以下，有適當地稱為「有機EL顯示裝置」之情形)等的影像顯示裝置，係有在該影像顯示裝置的顯示面具備有觸控面板作為輸入裝置者。此種觸控面板，通常係採用以下的方式設置：由使用者視需要一邊參照影像顯示裝置的顯示面所顯示的影像，一邊藉由碰觸預定處而進行輸入資訊。
如前述的觸控面板，通常具備導電性薄膜，該導電性薄膜具備：透明的基材，和形成在該基材上的導電性層。作為此種導電性薄膜的基材，係廣泛地使用玻璃基材，最近係研討樹脂薄膜(專利文獻1)。
先前技術文獻
專利文獻
[專利文獻1]日本特開2014-112510號公報
但是，使用樹脂薄膜作為基材之先前的導電性薄 膜，欲成為大面積時，因為無法充分地提高檢測使用者碰觸時的檢測敏感度，所以難以應用在大面積的觸控面板。
本發明係鑒於前述的課題而發明，其目的係提供一種能夠應用在大面積的觸控面板之導電性薄膜及其製造方法。
為了解決前述的課題，本發明者專心研討之結果，發現藉由在由脂環式烯烴樹脂所構成之基材薄膜上，設置預定尺寸的電極部，能夠實現可應用在大面積的觸控面板之導電性薄膜，而完成了本發明。
亦即，本發明係如下述。
[1]一種觸控面板用導電性薄膜，具備：由脂環式烯烴樹脂所構成之基材薄膜；及設置在前述基材薄膜的面之導電性層；前述導電性層包含在前述基材薄膜的面的輸入區域設置成為線狀之複數電極部，前述電極部的寬度為500nm以上，前述電極部的厚度為500nm以上。
[2]如[1]所述之導電性薄膜，其中前述電極部包含：在一方向延伸之複數第一電極部；及在與前述第一電極部所延伸的方向交叉之一方向延伸之複數第二電極部。
[3]如[1]或[2]所述之導電性薄膜，其中前述基材薄膜的面的算術表面粗糙度為10μm以下。
[4]如[1]至[3]項中任一項所述之導電性薄膜，其中前述導電性層係由銅所構成。
[5]如[1]至[4]項中任一項所述之導電性薄膜，其中前述基材薄膜的面的前述輸入區域之面積為2700cm2以上。
依照本發明，能夠提供一種能夠應用在大面積的觸控面板之導電性薄膜及其製造方法。
10、20及30‧‧‧導電性薄膜
40‧‧‧複合導電性薄膜
100、300及500‧‧‧基材薄膜
100U‧‧‧基材薄膜100的面
110、310及510‧‧‧輸入區域
200、400及600‧‧‧導電性層
210、410及610‧‧‧電極部
211‧‧‧第一電極部
212‧‧‧第二電極部
220、420及620‧‧‧配線部
230、430及630‧‧‧端子部
300U‧‧‧基材薄膜300的面
500U‧‧‧基材薄膜500的面
第1圖係示意性地顯示從厚度方向所觀察到之本發明的第一實施形態之觸控面板用導電性薄膜的情形之平面圖。
第2圖係示意性地顯示從厚度方向所觀察到之本發明的第二實施形態之觸控面板用導電性薄膜的情形之平面圖。
第3圖係示意性地顯示從厚度方向所觀察到之本發明的第二實施形態之觸控面板另外的用導電性薄膜的情形之平面圖。
第4圖係示意性地顯示從厚度方向所觀察到之本發明的第二實施形態之觸控面板用複合導電性薄膜的情形之平面圖。
用以實施發明之形態
以下，顯示實施形態及例示物而詳細地說明本發明。但是，本發明係不被下述所顯示的實施形態及例示物限定，在不脫離申請專利範圍及其均等的範圍之範圍能夠任意地變更而實施。
在以下的說明，所謂「長條」的薄膜，係相對於 寬度具有至少5倍以上的長度之薄膜，較佳是具有10倍或其以上的長度，具體而言，係指具有能夠被捲起成為捲物狀而保管或搬運程度的長度之薄膜。
在以下的說明，薄膜的面內遲滯值Re，只要未預先告知，就是Re=(nx-ny)×d表示之值。在此，nx表示對薄膜的厚度方向為垂直的方向(面內方向)且提供最大折射率之方向的折射率。ny表示前述面內方向且與nx方向正交的方向之折射率。d表示薄膜厚度。測定波長只要未預先告知，就是550nm。
在以下的說明，所謂要素方向為「平行」及「垂直」，只要未預先告知，就是在不損害本發明的效果之範圍，亦可包含例如，±5°的範圍之誤差。
在以下的說明，所謂「波長板」及「偏光板」，只要未預先告知，就不僅是剛直的構件，亦包含例如樹脂製的薄膜之具有可撓性構件。
[1.第一實施形態]
第1圖係示意性地顯示從厚度方向所觀察到之本發明的第一實施形態之觸控面板用導電性薄膜10的情形之平面圖。
如第1圖所顯示，本發明的第一實施形態之觸控用導電性薄膜10具備：由脂環式烯烴樹脂所構成之基材薄膜100、及設置在基材薄膜100的面100U之導電性層200。第1圖所顯示之導電性薄膜10為電容式觸控面板用導電性薄膜，其導電性層200包含：被設置成為線狀之複數電極部210；被連接至電極部210之配線部220；及被連接至配線部220之端子部 230。
電極部210包含：在一方向延伸成為直線狀之複數第一電極部211；及在與前述第一電極部211延伸的方向交叉之一方向延伸成為直線狀之複數第二電極部212；從厚度方向觀看，該等第一電極部211及第二電極部212被設置成為格子狀。本實施形態，係顯示第一電極部211延伸的方向與第二電極部212延伸的方向為正交之例子而進行說明。
第一電極部211與第二電極部212藉由絕緣部而被絕緣，其中該絕緣部係設置在第一電極部211與第二電極部212的交叉部分且並未圖示。而且，在基材薄膜100的面100U，係設定有使用者在使用觸控面板時用以進行輸入之輸入區域110；導電性層200的電極部210設置在輸入區域110內，導電性層200的配線部220及端子部230設置在輸入區域110外。
在具備此種導電性薄膜10之電容式的觸控面板，外部導體(通常為手指)碰觸到觸控面板時，該外部導體與電極部210產生電容耦合。產生該電容耦合時，電極部210間的電容會產生變化。藉由連接至端子部230之驅動電路(未圖示)探測該電容的變化，能夠檢測外部導體碰觸之位置，而能夠實現作為觸控面板的輸入裝置之功能。
在此，為了提高輸入區域110的透明性，前述的電極部210(亦即，第一電極部211及第二電極部212)通常被設置成為不容易視認程度之細線狀。此時，每1根電極部210的寬度各自獨立且通常為500nm以上，以2000nm以上為佳，以 3000nm以上為更佳，以7μm以下為佳，以6μm以下為更佳，以5μm以下為特佳。又，電極部210的厚度各自獨立且通常為500nm以上，以20μm以下為佳，以10μm以下為更佳，以5μm以下為特佳。電極部210的寬度及厚度未滿500nm時，電阻上升且有變成無觸控面板的功能之可能性。
前述的導電性薄膜10，藉由將此種預定尺寸的電極部210與由脂環式烯烴樹脂所構成之基材薄膜100組合，而能夠提高檢測外部導體對觸控面板進行碰觸時的檢測敏感度。因此，使用該導電性薄膜10時，觸控面板能夠大面積化。雖然能夠提升檢測敏感度之理由並不明確，本發明者推測如下。但是，本發明的技術範圍不被下述理由限制。
形成基材薄膜100之脂環式烯烴樹脂的比介電常數通常較低而為2.3左右。因為藉由此種基材薄膜100的比介電常數較低而能夠抑制傳送損失，所以在使用電容式觸控面板時，能夠容易地探測在導電性層200的第一電極部211與第二電極部212之間的電容變化。而且如前述地，藉由使第一電極部211及第二電極部212的寬度及厚度落入預定範圍，因為能夠減小該等的電阻值，所以能夠進一步抑制傳送損失且能夠進一步提高電容變化之探測敏感度。因此，具備前述導電性薄膜10之觸控面板，因為即便面積較大亦能夠以較高的探測敏感度探測電容變化，所以能夠實現可穩定地檢測外部導體碰觸之大面積的觸控面板。
從有效地活用前述能夠大面積化的優點之觀點而言，輸入區域110的面積以較大為佳。前述輸入區域110的具 體面積以2700cm2以上為佳。
[第二實施形態]
第2圖係示意性地顯示從厚度方向所觀察到之本發明的第二實施形態之觸控面板用導電性薄膜20的情形之平面圖。
如第2圖所顯示，本發明的第二實施形態之觸控面板用導電性薄膜20具備：由脂環式烯烴樹脂所構成之基材薄膜300、及設置在基材薄膜300的面300U之導電性層400。又，導電性層400包含：被設置成為線狀之電極部410；被連接至電極部410之配線部420；及被連接至配線部420之端子部430。
電極部410在一方向直線狀延伸且複數設置。在本實施形態，係顯示電極部410在圖中縱向延伸的例子而進行說明。又，基材薄膜300的面300U，係設定有使用者在使用觸控面板時用以進行輸入之輸入區域310；導電性層400的電極部410設置在輸入區域310內，導電性層400的配線部420及端子部430設置在輸入區域310外。
第3圖係示意性地顯示從厚度方向所觀察到之本發明的第二實施形態之觸控面板另外的用導電性薄膜30的情形之平面圖。
如第3圖所顯示，本發明的第二實施形態之觸控面板用導電性薄膜30具備：由脂環式烯烴樹脂所構成之基材薄膜500、及設置在基材薄膜500的面500U之導電性層600。又，導電性層600包含：被設置成為線狀之電極部610；被連接至電極部610之配線部620；及被連接至配線部620之端子部630。
電極部610在一方向直線狀延伸且複數設置。在 本實施形態，係顯示電極部610在圖中橫向延伸的例子而進行說明。又，基材薄膜500的面500U，係設定有使用者在使用觸控面板時用以進行輸入之輸入區域510；導電性層600的電極部610設置在輸入區域510內，導電性層600的配線部620及端子部630設置在輸入區域510外。
第4圖係示意性地顯示從厚度方向所觀察到之本發明的第二實施形態之觸控面板用複合導電性薄膜40的情形之平面圖。
如前述的導電性薄膜20及30設置在電容式的觸控面板時，係以第4圖所顯示的方式貼合而使用作為複合導電性薄膜40。該複合導電性薄膜40為具備導電性薄膜20及導電性薄膜30之複層薄膜。在該複合導電性薄膜40，導電性薄膜20之電極部410延伸之方向係與另一導電性薄膜30之電極部610延伸的方向交叉，因此，從厚度方向觀看時，電極部410與電極部610呈現格子狀。又，該等電極部410與電極部610，能夠藉由將基材薄膜300或500或任意的絕緣層(未圖示)夾於其間而彼此絕緣。
具備此種複合導電性薄膜40之電容式的觸控面板，外部導體碰觸觸控面板時，此外部導體會與電極部410及610產生電容耦合，而能夠與第一實施形態之導電性薄膜10同樣地檢測外部導體碰觸之位置，以實現作為觸控面板的輸入裝置的功能。
而且，在本實施形態，與第一實施形態同樣地，藉由使前述電極部410及610的每1根之寬度及厚度落入在如 第一實施形態已說明的預定範圍，能夠提高檢測外部導體碰觸觸控面板時之檢測敏感度。因此，使用該複合導電性薄膜40時，觸控面板能夠大面積化。從有效地活用此種能夠大面積化的優點之觀點而言，輸入區域310及510的面積係與第一實施形態同樣地以較大為佳。
[3.變形例]
導電性薄膜係不被在上述的實施形態已說明者限定，亦可任意地變更而實施。
例如，電極部的形狀亦可從上述的實施形態進一步變更。
又，在上述的實施形態，雖然在任一基材薄膜皆只有在一面形成導電性層，然而，亦可在基材薄膜的兩面形成導電性層。例如在第一實施形態之導電性薄膜，亦可將第一電極部211設置在基材薄膜100的一面，而將第二電極部212設置在基材薄膜100的另一面。此時，能夠藉由基材薄膜100使第一電極部211與第二電極部212絕緣。
而且，導電性薄膜亦可與基材薄膜及導電性層組合而進一步具備任意層。例如，導電性薄膜亦可具備用以保護導電性層之保護層、用以將導電性薄膜接著在任意構件之接著劑層等。
[4.基材薄膜]
基材薄膜係由脂環式烯烴樹脂所構成。脂環式烯烴樹脂係含有脂環式烯烴聚合物之樹脂。又，脂環式烯烴聚合物，係其聚合物的結構單元為具有脂環式結構之聚合物。此種脂環式烯烴樹脂通常具有優異的耐熱性、耐濕性及透明性。
脂環式烯烴聚合物，能夠設為例如，在主鏈具有脂環式結構之聚合物、在側鏈具有脂環式結構之聚合物、在主鏈及側鏈具有脂環式結構之聚合物、以及該等2種以上之任意比率的混合物。尤其是從機械強度及耐熱性的觀點而言，以在主鏈具有脂環式結構之聚合物為佳。
作為脂環式結構的例子，可舉出飽和脂環式烴(環烷)構造、及不飽和脂環式烴(環烯、環炔)構造。尤其是從機械強度及耐熱性的觀點而言，以環烷構造及環烯構造為佳，尤其是以環烷構造為特佳。
構成脂環式結構之碳原子數，每一個脂環式結構以4個以上為佳，以5個以上為較佳，以30個以下為佳，以20個以下為較佳，以15個以下為特佳。構成脂環式結構之碳原子數為該範圍時，基材薄膜的機械強度、耐熱性及成形性能夠高度地平衡。
在脂環式烯烴聚合物，具有脂環式結構之結構單元的比例，以55重量%以上為佳，以70重量%以上為更佳，以90重量%以上為特佳。在脂環式烯烴聚合物之具有脂環式結構的結構單元的比例為該範圍時，基材薄膜的透明性及耐熱性變為良好。
脂環式烯烴聚合物之中作為較佳者，可舉出降莰烯系聚合物、單環的環狀烯烴聚合物、環狀共軛二烯聚合物、乙烯基脂環式烴聚合物、及該等的氫化物等。該等之中，因為降莰烯系聚合物之透明性及成形性良好，乃是特別適合。
作為降莰烯系聚合物的例子，可舉出具有降莰烯 結構之單體的開環聚合物及其氫化物；具有降莰烯結構之單體的加成聚合物及其氫化物。又，作為具有降莰烯結構之單體的開環聚合物的例子，可舉出具有降莰烯結構之1種類的單體之開環同元聚合物、具有降莰烯結構之2種類以上的單體之開環共聚物、以及具有降莰烯結構之單體和能夠與其共聚合的任意單體之開環共聚物。而且，作為具有降莰烯結構之單體的加成聚合物的例子，可舉出具有降莰烯結構之1種類的單體之加成同元聚合物、具有降莰烯結構之2種類以上的單體之加成共聚物、以及具有降莰烯結構之單體和能夠與其共聚合的任意單體之加成共聚物。作為該等聚合物，例如可舉出在特開2002-321302號公報等所揭示之聚合物。該等之中，從透明性、成形性、耐熱性、低吸濕性、尺寸安定性、輕量性等的觀點而言，係以具有降莰烯結構之單體的開環聚合物之氫化物為特佳。
作為具有降莰烯結構之單體的例子，能夠舉出雙環[2.2.1]庚-2-烯(慣用名：降莰烯)、三環[4.3.0.12,5]癸-3,7-二烯(慣用名：二環戊二烯)、7,8-苯并三環[4.3.0.12,5]癸-3-烯(慣用名：亞甲基四氫茀)、四環[4.4.0.12,5.17,10]十二-3-烯(慣用名：四環十二烯)、及該等化合物的衍生物(例如，在環具有取代基者)。在此，作為取代基的例子，能夠舉出烷基、伸烷基、及極性基。又，該等取代基可相同或不同，亦可以在環鍵結有複數個。具有降莰烯結構之單體，可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
作為極性基的例子，可舉出雜原子、及具有雜原 子之原子團。作為雜原子的例子，可舉出氧原子、氮原子、硫原子、矽原子、及鹵素原子。作為極性基的具體例，可舉出羧基、羰氧基羰基、環氧基、羥基、氧基、酯基、矽烷醇基、矽烷基、胺基、醯胺基、醯亞胺基、腈基、及磺酸基。
作為能夠與具有降莰烯結構之單體進行開環共聚合的單體的例子，可舉出環己烯、環庚烯、環辛烯等的單環狀烯烴類及其衍生物；環己二烯、環庚二烯等的環狀共軛二烯及其衍生物。能夠與具有降莰烯結構之單體進行開環共聚合的單體，可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
具有降莰烯結構之單體的開環聚合物，例如，能夠藉由在開環聚合觸媒的存在下，使單體進行聚合或共聚合來製造。
作為能夠與具有降莰烯結構之單體進行加成共聚合的例子，可舉出乙烯、丙烯、1-丁烯等碳原子數2~20的α-烯烴及該等衍生物；環丁烯、環戊烯、環己烯等的環烯烴及該等衍生物；以及1,4-己二烯、4-甲基-1,4-己二烯、5-甲基-1,4-己二烯等的非共軛二烯。該等之中，以α-烯烴為佳，以乙烯為較佳。又，能夠與具有降莰烯結構之單體進行加成共聚合，可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
具有降莰烯結構之單體的加成聚合物，係例如能夠藉由在加成聚合觸媒的存在下，使單體進行聚合或共聚合來製造。
上述的開環聚合物及加成聚合物之氫化物，例 如，能夠藉由在該等開環聚合物及加成聚合物的溶液，在含有鎳、鈀等的過渡金屬之氫化觸媒的存在下，將較佳為90%以上之碳-碳不飽和鍵氫化來製造。
降莰烯系聚合物之中，作為結構單元，較佳是具有X：雙環[3.3.0]辛烷-2,4-二基-乙烯結構、Y：三環[4.3.0.12,5]癸烷-7,9-二基-乙烯結構，相對於降莰烯系聚合物的結構單元全體，該等結構單元的量為90重量%以上，而且X的比例與Y的比例之比，以X：Y的重量比為100：0~40：60為佳。藉由使用此種聚合物，能夠使基材薄膜長期間沒有尺寸變化，且具有優異的光學特性安定性。
脂環式烯烴聚合物，可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
脂環式烯烴聚合物的重量平均分子量(Mw)，以10,000以上為佳，以15,000以上為較佳，以20,000以上為特佳，以100,000以下為佳，以80,000以下為較佳，以50,000以下為特佳。脂環式烯烴聚合物的重量平均分子量為此種範圍時，基材薄膜的機械強度及成型加工性能夠高度地平衡，乃是較佳。在此，前述的重量平均分子量，係用環己烷作為溶劑且藉由凝膠滲透層析法所測得之聚異戊二烯或聚苯乙烯換算的重量平均分子量。又，在前述凝膠滲透層析法，試料不溶解於環己烷時，亦可使用甲苯作為溶劑。
脂環式烯烴聚合物的分子量分佈(重量平均分子量(Mw)/數量平均分子量(Mn))，以1以上為佳，以1.2以上為較佳，以10以下為佳，以4以下為較佳，以3.5以下為特佳。
在脂環式烯烴樹脂之脂環式烯烴聚合物的比例，以50重量%~100重量%為佳，以70重量%~100重量%為較佳，以90重量%~100重量%為特佳。藉由使脂環式烯烴聚合物的比例成為前述範圍，基材薄膜能夠得到充分的耐熱性及透明性。
除了脂環式烯烴聚合物以外，脂環式烯烴樹脂亦能夠含有調配劑。舉出調配劑的例子時，可舉出抗氧化劑、熱安定劑、光安定劑、紫外線吸收劑、抗靜電劑、分散劑、氯捕捉劑、阻燃劑、結晶化核劑、強化劑、抗黏結劑、防霧劑、脫模劑、顏料、有機或無機填充劑、中和劑、滑劑、分解劑、金屬惰性化劑、抗污染劑、抗菌劑、任意聚合物、熱可塑性彈性體等。該等成分可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。
脂環式烯烴樹脂的玻璃轉移溫度Tg，以120℃以上為佳，以125℃以上為較佳，以130℃以上為特佳，以180℃以下為佳，、以175℃以下為較佳，以165℃以下為特佳。藉由使脂環式烯烴樹脂的玻璃轉移溫度成為前述範圍的下限值以上，能夠提高在高溫環境下之基材薄膜的耐久性。又，藉由成為上限值以下，能夠容易地進行基材薄膜的製造。
基材薄膜的總光線透射率，以80%以上為佳，以90%以上為較佳。光線透射率能夠依據JIS K0115且使用分光光度計(日本分光公司製、紫外可見近紅外分光光度計「V-570」)而測定。
基材薄膜的霧度，以5%以下為佳，以3%以下為 較佳，以1%以下為特佳，理想為0%。在此，霧度能夠依據JIS K7361-1997且使用日本電色工業公司製「濁度計NDH-300A」而測定5處，且採用由此所求得的平均值。
基材薄膜，可為不具有面內遲滯值Re之光學等方性的薄膜，亦可為具有面內遲滯值Re之光學異方性的薄膜。基材薄膜具有光學異方性時，基材薄膜的面內遲滯值Re以80nm以上為佳，以100nm以上為較佳，以120nm以上為特佳，以180nm以下為佳，以160nm以下為較佳，以150nm以下為特佳。藉由具有如前述範圍的面內遲滯值Re，基材薄膜具有能夠作為1/4波長板的功能。因此，使用基材薄膜時，透射該基材薄膜之直線偏光能夠轉換成為圓偏光。因此，能夠將導電性薄膜與直線偏光子組合而製造圓偏光板。該圓偏光板係在影像顯示裝置能夠作為抗反射薄膜的功能。
基材薄膜的水蒸氣透過率，以1g/(m2．天)以下為佳，以0.5g/(m2．天)以下為較佳，以0.2g/(m2．天)以下為特佳。水蒸氣透過率的下限以0g/(m2．天)為特佳。藉由使基材薄膜的水蒸氣透過率為如此之低，能夠藉由基材薄膜而提高水蒸氣阻障性。又，藉此，能夠減少影像顯示裝置的電特性變化。在此，某薄膜的水蒸氣透過率，能夠使用水蒸氣透過度測定裝置(MOCON公司製「PERMATRAN-W」)且依據JIS K 7129 B-1992，在溫度40℃、濕度90%RH的條件下進行測定。
基材薄膜之形成導電性層之側的面，其算術表面粗糙度(亦稱為「算術平均粗糙度」)Ra以10μm以下為佳，以5μm以下為較佳，以1μm以下為特佳。藉由如前述地減小基材 薄膜的算術表面粗糙度Ra，能夠使形成在其面之導電性層的厚度均勻。因此，因為能夠抑制在導電性層局部地產生較薄的部分，所以能夠抑制前述較薄的部分所引起的電阻增大。因而，在使用觸控面板時能夠提高電容變化之探測敏感度。前述算術表面粗糙度Ra的下限係沒有特別地限制，但是通常為1nm以上。基材薄膜面的算術表面粗糙度Ra，係能夠使用非接觸表面形狀測定機(例如ZYGO公司製NewView系列)而測定。
基材薄膜的厚度以20μm以上為佳，以30μm以上為較佳，以40μm以上為特佳，以150μm以下為佳，以130μm以下為較佳，以100μm以下為特佳。藉由使基材薄膜的厚度成為前述範圍的下限值以上，能夠充分地提高基材薄膜的機械強度，又，藉由成為前述範圍的上限值以下，能夠使基材薄膜的厚度薄化。
基材薄膜，能夠藉由例如，將脂環式烯烴樹脂成形成薄膜的形狀的步驟之製造方法來製造。作為脂環式烯烴樹脂的成形方法，例如可舉出熔融成形法及溶液流延法。作為熔融成形法的例子，可舉出藉由熔融擠出而成形之熔融擠製法、以及沖壓成形法、吹塑成形法、射出成形法、吹氣成形法、及延伸成形法。該等方法之中，從得到具有優異的機械強度及表面精度之基材薄膜的觀點而言，以熔融擠製法、吹塑成形法及沖壓成形法為佳。其中特別是因為能夠減少殘留溶劑之量，以及能夠效率良好地且簡單地製造，以熔融擠製法為特佳。又，特別是使用熔融擠製法而製成之基材薄膜，為了形成導電性層而進行濺鍍法等的成膜方法時，因為能夠減少從基材薄膜的排 氣，所以能夠成為導電性層良好的成膜。作為適合的成形方法，例如可舉出在特開平3-223328號公報、特開2000-280315號公報等所揭示之方法。
在熔融擠製法，通常藉由使脂環式烯烴樹脂熔融，將該熔融樹脂從擠壓模擠出而成形成為薄膜狀。此時，在具備擠壓模之擠製機之脂環式烯烴樹脂的熔融溫度，以Tg+80℃以上為佳，以Tg+100℃以上為較佳，以Tg+180℃以下為佳，以Tg+150℃以下為較佳。在此Tg表示脂環式烯烴樹脂的玻璃轉移溫度。藉由使在擠製機的脂環式烯烴樹脂之熔融溫度成為前述範圍的下限值以上，能夠充分地提高脂環式烯烴樹脂的流動性，藉由成為上限值以下，能夠防止脂環式烯烴樹脂劣化。
通常，從擠壓模被擠出的薄膜狀熔融樹脂被密著在冷卻輥。使熔融樹脂密著在冷卻輥之方法沒有特別限制，例如可舉出氣動刮刀方式、真空箱方式、靜電密著方式等。
冷卻輥的數目係沒有特別限制，通常為2根以上。又，作為冷卻輥的配置方法，例如可舉出直線型、Z型、L型等，但是沒有特別限制。又，從擠壓模被擠製的熔融樹脂通達至冷卻輥的方法亦沒有特別限制。
通常，依照冷卻輥的溫度，被擠製後的薄膜狀樹脂在冷卻輥的密著情形有產生變化之傾向。提升冷卻輥的溫度時，密著變為良好，但是過度地提升溫度時，薄膜狀樹脂從冷卻輥剝落有變為困難之傾向。因此冷卻輥溫度，以Tg+30℃以下為佳，以Tg-5℃以下為更佳，以Tg-45℃以上為佳。
如前述地，藉由將脂環式烯烴樹脂成形為薄膜狀，能夠得到由脂環式烯烴樹脂所構成之基材薄膜。通常，該基材薄膜能夠以長條薄膜的方式得到。又，基材薄膜可為不施行延伸處理之未延伸膜，亦可為經施行延伸處理之延伸膜。藉由延伸處理，能夠使基材薄膜顯現所需要的面內遲滯值。
延伸處理，可進行只有在一方向進行延伸之單軸延伸處理，亦可進行在不同2方向進行延伸之雙軸延伸處理。又，在雙軸延伸處理，可進行在2方向同時進行延伸之同時雙軸延伸處理，亦可進行在某方向進行延伸後，在另外的方向進行延伸之逐次雙軸延伸處理。而且，延伸可進行以下的任一種處理：在基材薄膜的長度方向進行延伸處理之縱向延伸處理；在基材薄膜的寬度方向進行延伸處理之橫向延伸處理；在對基材薄膜的寬度方向既非平行亦非垂直之傾斜方向進行延伸處理之傾斜延伸處理；亦可將該等組合而進行。延伸處理的方式可舉出例如，輥筒方式、漂浮法(float)方式、擴幅機方式等。
延伸溫度及延伸倍率，能夠在可得到具有所需要的面內遲滯值Re的基材薄膜之範圍任意地設定。舉出具體的範圍時，延伸溫度以Tg-30℃以上為佳，以Tg-10℃以上為較佳，以Tg+60℃以下為佳，較佳為以Tg+50℃以下。又，延伸倍率以1.1倍以上為佳，以1.2倍以上為較佳，以1.5倍以上為特佳，以30倍以下為佳，以10倍以下為較佳，以5倍以下為特佳。
又，基材薄膜的製造方法，除了前述的方法以外，亦可進一步包含任意步驟。例如，基材薄膜的製造方法，亦可 包含將長條基材薄膜切取成為矩形等適當的形狀之步驟。
[5.導電性層]
導電性層為設置在基材薄膜的面且由導電性材料所構成之層。導電性層通常直接設置在基材薄膜的面。在此，所謂導電性層「直接」設置在基材薄膜的面之態樣，係表示沒有其它層介於基材薄膜的面與導電性層之間之態樣。
作為導電性材料，可舉出銀、銅等的金屬；ITO(氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)、ZnO(氧化鋅)、IWO(氧化銦鎢)、ITO(氧化銦鈦)、AZO(氧化鋁鋅)、GZO(氧化鎵鋅)、XZO(鋅系特殊氧化物)、IGZO(氧化銦鎵鋅)等的金屬氧化物等。又，導電性材料係可單獨使用1種類，亦可以任意比率組合2種類以上而使用。該等之中，就能夠塑性變形且即便基材薄膜變形亦不容易斷裂而言，以金屬為佳，特別是就不容易斷裂而言，以銅為較佳。
導電性層的表面電阻率，以1000Ω/sq以下為佳，以500Ω/sq以下為較佳，以100Ω/sq以下為特佳。下限係沒有特別限制，例如能夠設為0.1Ω/sq以上。
導電性層的形成方法沒有限制。例如，如專利文獻1所記載，能夠藉由塗佈含有金屬奈米線的組成物，而形成導電性層。又，例如，亦能夠藉由將與基材薄膜為另外準備的導電性層貼合在基材薄膜，而在基材薄膜的面形成導電性層。貼合法時，使用未延伸膜作為基材薄膜時，能夠抑制因貼合而產生的皺紋。
而且，例如，亦能夠藉由蒸鍍法、濺鍍法、離子 噴鍍法、離子射束輔助蒸鍍法、電弧放電電漿蒸鍍法、熱CVD法、電漿CVD法、鍍金法、及該等之組合等的成膜方法，將導電性材料成膜在基材薄膜的面，而形成導電性層。
該等之中，以蒸鍍法及濺鍍法為佳，以濺鍍法為特佳。濺鍍法時，因為能夠形成厚度均勻的導電性層，所以能夠抑制在導電性層局部地產生較薄的部分。因而，因為能夠抑制前述較薄的部分所引起的電阻增大，所以能夠提高電容的變化之探測敏感度。又，因為許多樹脂薄膜會產生排氣，所以藉由濺鍍形成導電性層是困難的。相對於此，由脂環式烯烴樹脂所構成之基材薄膜不容易產生排氣。而且，由脂環式烯烴樹脂所構成之基材薄膜，因為機械強度較高，所以在進行濺鍍的環境中不容易產生破損。因此，使用由脂環式烯烴樹脂所構成之基材薄膜，能夠藉由如前述的濺鍍法形成導電性層，此為其優點之一。
又，在基材薄膜的面形成導電性層之前，亦可在基材薄膜的前述面施行表面處理。作為表面處理，可舉出電暈處理、電漿處理、藥品處理等。藉此，能夠提高基材薄膜與導電性層的黏結性。
而且，導電性層的形成方法，例如，亦可包含藉由蝕刻法等的膜除去法，而將導電性層成形成為所需要的圖案形狀。由脂環式烯烴樹脂所構成之基材薄膜通常耐鹼性較高。因此，在使用鹼溶液對銅等的導電性材料進行蝕刻時，因為基材薄膜不容易被侵蝕，所以在電極部的寬度及厚度不容易產生變形。而且，藉由使用耐鹼性高的基材薄膜，因為能夠提高鹼 溶液的鹼濃度，所以能夠使蝕刻速度增快。
[6.導電性薄膜的物性]
從使觸控面板所設置的影像顯示裝置之視認性良好化之觀點而言，導電性薄膜在輸入區域之總光線透射率，以較高為佳。在導電性薄膜的輸入區域之具體的總光線透射率，以80%以上為佳，以85%以上為較佳，以90%以上為特佳。總光線透射率能夠使用紫外．可見分光計且在波長400nm~700nm的範圍進行測定。
[7.導電性薄膜的用途]
能夠將上述的導電性薄膜納入觸控面板而使用。此種觸控面板能夠設置在例如，液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置等影像顯示裝置的畫面而使用。
[實施例]
以下，舉出實施例而具體地說明本發明。但是，本發明係不被以下的實施例限定，在不脫離本發明的申請專利範圍及其均等範圍之範圍，能夠任意地變更而實施。
以下說明之操作，只要未預先告知，就是在常溫常壓大氣中進行。
[評價方法]
(透射性的評價方法)
針對所得到的導電性薄膜，依據JIS K7361-1997且使用濁度計(日本電色工業公司製「NDH-300A」)在輸入區域的5處測定總光線透射率，將由此求取的平均值設作該導電性薄膜的輸入區域之總光線透射率。
(基材薄膜的蝕刻耐性之評價方法)
在基材薄膜形成銅層後，在施行蝕刻處理前，測定銅層表面的算術表面粗糙度Ra0。又，對在基材薄膜的面所形成的銅層施行蝕刻處理後，測定藉由蝕刻處理而露出的基材薄膜的面之算術表面粗糙度Ra1。算術表面粗糙度Ra0及Ra1的測定，使用非接觸表面形狀測定機(ZYGO公司製「NewView系列」)而進行。算術表面粗糙度Ra0與算術表面粗糙度Ra1之差越小，表示基材薄膜具有越優異的蝕刻耐性。
[實施例1]
(第一導電性薄膜的製造)
準備含有降莰烯系聚合物之脂環式烯烴樹脂薄膜(日本ZEON公司製「ZEONOR ZF16-050」)作為基材薄膜。該基材薄膜厚度為50μm，樹脂的玻璃轉移溫度為160℃，樹脂的比介電常數為2.3。
在該基材薄膜的一面，施行電暈處理作為表面處理。經施行電暈處理之基材薄膜表面的算術表面粗糙度Ra為1.01nm。
在施行基材薄膜的電暈處理後的面，藉由濺鍍形成銅層。隨後，對所形成的銅層施行蝕刻處理，將銅層形成為所需要的圖案形狀而形成導電性層。藉此，如第2圖所示，在基材薄膜300的面300U得到具備導電性層400之第一導電性薄膜20，其中該導電性層400由下列所構成：設置成為直線狀之複數電極部410；連接至電極部410之配線部420、及連接至配線部420之端子部430。
在該第一導電性薄膜20，基材薄膜300的輸入區 域310，係對應畫面尺寸60英吋的影像顯示裝置而設定成為橫向133.1cm×縱向74.8cm。又，導電性層400的電極部410形成在前述的輸入區域310，配線部420及端子部430形成在輸入區域310之外。而且，電極部410在縱向延伸而形成，每一根電極部410的寬度為5μm，厚度為700nm。又，第一導電性薄膜20的輸入區域310之總光線透射率為90%。而且，經施行蝕刻處理前之銅層的面之算術表面粗糙度Ra0為1nm，對銅層施行蝕刻處理而露出的基材薄膜300的面300U之算術表面粗糙度Ra1為1.02nm。
(第二導電性薄膜的製造)
而且，除了變更導電性層的圖案形狀以外，與前述第一導電性薄膜20同樣地進行，如第3圖所示，製造具備導電性層600之第二導電性薄膜30，其中該導電性層600由下列所構成：在製造基材薄膜500的面500U設置成為直線狀之複數電極部610；連接電極部610之配線部620；及連接配線部620之端子部630。
在第二導電性薄膜30，基材薄膜500的輸入區域510與第一導電性薄膜20同樣地設定成為橫向133.1cm×縱向74.8cm。又，導電性層600的電極部610形成在前述的輸入區域510，配線部620及端子部630形成在輸入區域510之外。而且，電極部610在橫向延伸而形成，每一根電極部610的寬度為5μm，厚度為700nm。又，第二導電性薄膜30的輸入區域510之總光線透射率為90%。而且，經施行蝕刻處理前之銅層的面之算術表面粗糙度Ra0為1nm，藉由對銅層施行蝕刻處 理而露出的基材薄膜500的面500U之算術表面粗糙度Ra1為1.02nm。
(複合導電性薄膜的製造)
透過光學用黏著片(tomoegawa公司製「TD06A」、厚度25μm)，將第二導電性薄膜30的基材薄膜500側的面貼合在玻璃基板(CORNING公司製「Gorilla玻璃」、厚度0.7mm)。隨後，透過光學用黏著片(tomoegawa公司製「TD06A」、厚度25μm)，將第一導電性薄膜20的導電性層400側的面貼合在第二導電性薄膜30的導電性層600側的面。藉此，得到依照以下的順序具備玻璃基板/光學用黏著片/第二導電性薄膜30的基材薄膜500/第二導電性薄膜30的導電性層600/光學用黏著片/第一導電性薄膜20的導電性層400/第一導電性薄膜20的基材薄膜300之複合導電性薄膜。在該複合導電性薄膜，第一導電性薄膜20的電極部410與第二導電性薄膜30的電極部610如第4圖所示，從厚度方向觀看時為正交且全體成為格子狀。
將驅動電路連接至前述複合導電性薄膜的端子部且裝配在觸控面板。而且，使用手指碰觸第一導電性薄膜的基材薄膜的輸入區域之中央部100次，測定能夠檢測出的次數。測定結果，在實施例1所製成的觸控面板時，能夠檢測出使用手指碰觸100次。
[實施例2]
除了將每一根電極部410及610的寬度設為3μm，將電極部410及610的厚度設為500nm以外，與實施例1同樣地進行 導電性薄膜及觸控面板的製造及評價。
第一導電性薄膜及第二導電性薄膜的輸入區域之總光線透射率為91%。又，經施行蝕刻處理前之銅層的面之算術表面粗糙度Ra0為1.00nm，對銅層施行蝕刻處理而露出的基材薄膜的面之算術表面粗糙度Ra1為1.01nm。
又，觸控面板的測定結果，在實施例2所製成的觸控面板，使用手指碰觸100次之中，能夠檢測出使用手指碰觸100次。
[實施例3]
除了將電極部410及610的厚度設為500nm以外，與實施例1同樣地進行導電性薄膜及觸控面板的製造及評價。
第一導電性薄膜及第二導電性薄膜的輸入區域之總光線透射率為90%。又，經施行蝕刻處理前的銅層的面之算術表面粗糙度Ra0為1.10nm，對銅層施行蝕刻處理而露出的基材薄膜的面之算術表面粗糙度Ra1為1.05nm。
又，觸控面板的測定結果，在實施例3所製成的觸控面板，使用手指碰觸100次之中，能夠檢測出使用手指碰觸100次。
[比較例1]
除了使用聚對酞酸乙二酯樹脂薄膜(東洋紡公司製「A4100」)作為基材薄膜以外，與實施例1同樣地進行導電性薄膜及觸控面板的製造及評價。該基材薄膜之厚度為50μm，表面的算術表面粗糙度Ra為11.47nm，樹脂的比介電常數為3.2。
第一導電性薄膜及第二導電性薄膜的輸入區域之總光線透射率為79%。又，經施行蝕刻處理前的銅層的面之算術表面 粗糙度Ra0為12.89nm，對銅層施行蝕刻處理而露出之基材薄膜的面之算術表面粗糙度Ra1為135nm。
又，觸控面板的測定結果，在比較例1所製成的觸控面板，使用手指碰觸100次之中，只能夠檢測出使用手指碰觸88次。
[比較例2]
除了將電極部410及610的厚度設為300nm以外，與實施例1同樣地進行導電性薄膜及觸控面板的製造及評價。
第一導電性薄膜及第二導電性薄膜的輸入區域之總光線透射率為90%。又，經施行蝕刻處理前的銅層的面之算術表面粗糙度Ra0為1nm，對銅層施行蝕刻處理而露出之基材薄膜的面之算術表面粗糙度Ra1為1.06nm。
又，觸控面板的測定結果，在比較例2所製成的觸控面板，使用手指碰觸100次之中，只能夠檢測出使用手指碰觸47次。
[比較例3]
除了將電極部410及610的每一根的寬度設為400nm以外，與實施例1同樣地進行導電性薄膜及觸控面板的製造及評價。
第一導電性薄膜及第二導電性薄膜的輸入區域之總光線透射率為92%。又，經施行蝕刻處理前的銅層的面之算術表面粗糙度Ra0為1.22nm，對銅層施行蝕刻處理而露出之基材薄膜的面之算術表面粗糙度Ra1為1.12nm。
又，觸控面板的測定結果，在比較例3所製成的觸控面板，使用手指碰觸100次之中，只能夠檢測出使用手指碰觸92次。
[比較例4]
除了將電極部410及610的每一根的寬度設為15μm以外，與比較例1同樣地進行導電性薄膜及觸控面板的製造及評價。
經施行蝕刻處理前的銅層的面之算術表面粗糙度Ra0為12.89nm，對銅層施行蝕刻處理而露出之基材薄膜的面之算術表面粗糙度Ra1為135nm。
又，觸控面板的測定結果，在比較例4所製成的觸控面板，使用手指碰觸100次之中，能夠檢測出使用手指碰觸100次。
但是，在比較例4所製成的第一導電性薄膜及第二導電性薄膜，任一者均是輸入區域的總光線透射率為79%，作為觸控面板用導電性薄膜，透明性較差。
10‧‧‧導電性薄膜
100‧‧‧基材薄膜
100U‧‧‧基材薄膜100的面
110‧‧‧輸入區域
200‧‧‧導電性層
210‧‧‧電極部
211‧‧‧第一電極部
212‧‧‧第二電極部
220‧‧‧配線部
230‧‧‧端子部

Claims (5)

  1. 一種觸控面板用導電性薄膜，具備：由脂環式烯烴樹脂所構成之基材薄膜；及設置在前述基材薄膜的面之導電性層；前述導電性層包含在前述基材薄膜面的輸入區域設置成為線狀之複數電極部，前述電極部的寬度為500nm以上，前述電極部的厚度為500nm以上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之導電性薄膜，其中前述電極部包含：在一方向延伸之複數第一電極部；及在與前述第一電極部所延伸的方向交叉之一方向延伸之複數第二電極部。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之導電性薄膜，其中前述基材薄膜的面的算術表面粗糙度為10μm以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之導電性薄膜，其中前述導電性層係由銅所構成。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之導電性薄膜，其中前述基材薄膜的面的前述輸入區域之面積為2700cm2以上。
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