JP7120225B2 - タッチセンサ基材及びその製造方法、タッチセンサ部材及びその製造方法、並びに、表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、タッチセンサ基材及びその製造方法、タッチセンサ部材及びその製造方法、並びに、表示装置に関する。

例えば携帯電話、タブレット型パーソナルコンピューター等の携帯端末において、入力装置としてタッチパネルを備えた表示装置が広く用いられている。タッチパネルは、通常、導電層を備えたタッチセンサ部材を備えていて、前記の導電層が電極又は配線として機能できる。前記のタッチセンサ部材としては、タッチセンサ基材と、このタッチセンサ基材の両面に形成された導電層とを含むものが知られている（特許文献１～３）。

また、特許文献４のような技術が知られている。

特開２０１６－２２４７３５号公報 特開２０１６－１３０９２２号公報 米国特許第８０２６９０３号明細書 特開２０１５－３１７５３号公報

タッチセンサ部材の導電層は、フォトリソグラフィーによって形成されることがある。フォトリソグラフィーによってタッチセンサ基材の両面に導電層を形成しようとする場合、製造効率を向上させる観点では、タッチセンサ基材の両面のレジスト層に同時に露光を行うことが好ましい。しかし、タッチセンサ基材の両面のレジスト層にパターンマスクを通して同時に露光を行う場合、露光に用いられる光がタッチセンサ基材を透過すると、そのタッチセンサ基材を透過した光の影響によって、所望のパターン形状のレジストパターンを得ることが難しい。よって、タッチセンサ基材の両面のレジスト層に同時に露光を行うためには、露光に用いられる光を遮る能力を有するタッチセンサ基材を採用することが望まれる。

フォトリソグラフィーにおいて、露光は、紫外線（ＵＶ）を用いて行われることが多い。そこで、本発明者は、タッチセンサ基材として、特許文献４に記載のように紫外線を遮る能力を有する樹脂フィルムを用いることを検討した。

紫外線を遮る能力を有する樹脂フィルムは、例えば、重合体と紫外線吸収剤等のＵＶカット剤とを、重合体及びＵＶカット剤の両方が溶融しうる高温環境において混練して樹脂を得て、その樹脂をフィルム状に成形することで製造できる。しかし、混練時に生じるせん断熱により、このような樹脂フィルムには、フィッシュアイが発生し易かった。

ここで、フィッシュアイとは、樹脂フィルム中で生じた異物によって、その樹脂フィルム表面に形成される突起のことをいう。例えば、樹脂フィルム中でＵＶカット剤等の添加剤又はゲル化した樹脂が塊りとなって異物を生じ、その異物が樹脂を押し上げて形成される突起などが、フィッシュアイに該当する。フィッシュアイは、通常、光の散乱および屈折を生じる。よって、フィッシュアイは、蛍光灯、ＬＥＤ照明、レーザー光源などの光源装置から樹脂フィルムに光を投光し、その反射光又は透過光を検出する検査装置を用いて、検出できる。

フィッシュアイは、タッチパネルを設けられた表示装置の光学特性を損なう原因となりうる。また、フィッシュアイは、タッチセンサ基材の導電層のパターニング精度を低下させる原因ともなりうる。そこで、樹脂フィルムとして形成されるタッチセンサ基材には、フィッシュアイの形成を抑制できることが求められる。

本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたもので、紫外線を遮る能力を有し、且つ、フィッシュアイの形成が抑制されたタッチセンサ基材；前記タッチセンサ基材の製造方法；前記タッチセンサ基材を含むタッチセンサ部材及びその製造方法；並びに、前記タッチセンサ部材を用いて得られる表示装置；を提供することを目的とする。

本発明者は、前記の課題を解決するべく鋭意検討した結果、第１スキン層、コア層及び第２スキン層をこの順に含む熱可塑性樹脂フィルムにおいて、各層に含まれる樹脂のガラス転移温度を調整することにより、前記の課題を解決できることを見い出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、下記のものを含む。

〔１〕 長尺のタッチセンサ基材であって、
前記タッチセンサ基材が、熱可塑性樹脂Ｓ１で形成された第１スキン層、熱可塑性樹脂Ｃで形成されたコア層、及び、熱可塑性樹脂Ｓ２で形成された第２スキン層を、この順に含み、
前記熱可塑性樹脂Ｓ１のガラス転移温度Ｔｇ（ｓ１）が、１５０℃以上であり、
前記熱可塑性樹脂Ｓ２のガラス転移温度Ｔｇ（ｓ２）が、１５０℃以上であり、
前記熱可塑性樹脂Ｃのガラス転移温度Ｔｇ（ｃ）が、下記式（１）及び式（２）
Ｔｇ（ｓ１）－Ｔｇ（ｃ）＞１５℃ （１）
Ｔｇ（ｓ２）－Ｔｇ（ｃ）＞１５℃ （２）
を満たし、
波長３８０ｎｍでの幅方向における平均透過率が、０．１％以下である、タッチセンサ基材。
〔２〕 前記タッチセンサ基材の幅方向における波長３８０ｎｍでの透過率の標準偏差が、０．０２％以下である、〔１〕記載のタッチセンサ基材。
〔３〕 前記熱可塑性樹脂Ｃのガラス転移温度Ｔｇ（ｃ）、前記熱可塑性樹脂Ｓ１のガラス転移温度Ｔｇ（ｓ１）、及び、前記熱可塑性樹脂Ｓ２のガラス転移温度Ｔｇ（ｓ２）が、下記式（３）及び式（４）
Ｔｇ（ｓ１）－Ｔｇ（ｃ）＞３０℃ （３）
Ｔｇ（ｓ２）－Ｔｇ（ｃ）＞３０℃ （４）
を満たす、〔１〕又は〔２〕記載のタッチセンサ基材。
〔４〕 下記（Ａ）条件及び（Ｂ）条件の少なくとも一つの条件下での試験による前記タッチセンサ基材の限界応力変化率が、２０％以下であり、
下記（Ｃ）条件下での試験後における、前記タッチセンサ基材の長手方向の熱収縮率及び幅方向の熱収縮率が、いずれも±０．１％以内である、〔１〕～〔３〕のいずれか一項に記載のタッチセンサ基材。
（Ａ）条件：タッチセンサ基材を、２５℃±２℃で、濃度１０％の塩酸水溶液に、１時間浸漬する。
（Ｂ）条件：タッチセンサ基材を、２５℃±２℃で、濃度５％のＮａＯＨ水溶液に、１時間浸漬する。
（Ｃ）条件：タッチセンサ基材を、１４５℃の環境に６０分静置する。
〔５〕 前記タッチセンサ基材の厚みが、２０μｍ以上６０μｍ以下である、〔１〕～〔４〕のいずれか一項に記載のタッチセンサ基材。
〔６〕 前記タッチセンサ基材の波長５５０ｎｍにおける面内レターデーションが、８５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である、〔１〕～〔５〕のいずれか一項に記載のタッチセンサ基材。
〔７〕 前記タッチセンサ基材が、斜め延伸フィルムである、〔１〕～〔６〕のいずれか一項に記載のタッチセンサ基材。
〔８〕 前記タッチセンサ基材の波長５５０ｎｍにおける面内レターデーションが、０ｎｍ以上１０ｎｍ以下である、〔１〕～〔５〕のいずれか一項に記載のタッチセンサ基材。
〔９〕 前記第１スキン層と前記第２スキン層の合計厚みに対する前記コア層の厚みの比が、１．０以下である、〔１〕～〔８〕のいずれか一項に記載のタッチセンサ基材。
〔１０〕 前記第１スキン層を形成する熱可塑性樹脂Ｓ１、前記第２スキン層を形成する熱可塑性樹脂Ｓ２、及び、前記コア層を形成する熱可塑性樹脂Ｃが、ノルボルネン系重合体を含む、〔１〕～〔９〕のいずれか一項に記載のタッチセンサ基材。
〔１１〕 前記熱可塑性樹脂Ｃが、レーザー吸収剤を含む、〔１〕～〔１０〕のいずれか一項に記載のタッチセンサ基材。
〔１２〕 前記レーザー吸収剤が、９μｍ～１１μｍの範囲に波長を有するレーザー光を吸収可能な化合物である、〔１１〕に記載のタッチセンサ基材。
〔１３〕 〔１〕～〔１２〕のいずれか一項に記載のタッチセンサ基材の製造方法であって、
前記製造方法が、前記熱可塑性樹脂Ｓ１、前記熱可塑性樹脂Ｃ、及び、前記熱可塑性樹脂Ｓ２を、ダイから押し出す工程を含み、
前記ダイの温度が、前記熱可塑性樹脂Ｃのガラス転移温度Ｔｇ（ｃ）よりも１５０℃以上高く、前記熱可塑性樹脂Ｓ１のガラス転移温度Ｔｇ（ｓ１）よりも１００℃以上高く、且つ、前記熱可塑性樹脂Ｓ２のガラス転移温度Ｔｇ（ｓ２）よりも１００℃以上高い、タッチセンサ基材の製造方法。
〔１４〕 第１導電層と、〔１〕～〔１２〕のいずれか一項に記載のタッチセンサ基材及び前記タッチセンサ基材から切り出された基材片からなる群より選ばれる基材と、第２導電層とを、この順に含む、タッチセンサ部材。
〔１５〕 前記基材と前記第１導電層との間に、第１感光性樹脂層を含み、
前記基材と前記第２導電層との間に、第２感光性樹脂層を含む、〔１４〕記載のタッチセンサ部材。
〔１６〕 〔１〕～〔１２〕のいずれか一項に記載のタッチセンサ基材及び前記タッチセンサ基材から切り出された基材片からなる群より選ばれる基材の片面に、第１導電層を形成する工程と、
前記基材のもう片面に、第２導電層を形成する工程と、
前記第１導電層上に、前記第１導電層を被覆する第１レジスト層を形成する工程と、
前記第２導電層上に、前記第２導電層を被覆する第２レジスト層を形成する工程と、
前記第１レジスト層及び前記第２レジスト層に、マスクパターンを通して、同時に、紫外線で露光する工程と、
露光された前記第１レジスト層を現像して、第１導電層用のレジストパターンを形成する工程と、
露光された前記第２レジスト層を現像して、第２導電層用のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１レジスト層で被覆されていない部分の前記第１導電層をエッチングする工程と、
前記第２レジスト層で被覆されていない部分の前記第２導電層をエッチングする工程と、
前記第１導電層を被覆する前記第１レジスト層を除去する工程と、
前記第２導電層を被覆する前記第２レジスト層を除去する工程と、を含む、タッチセンサ部材の製造方法。
〔１７〕 〔１４〕又は〔１５〕に記載のタッチセンサ部材を含む、表示装置。

本発明によれば、紫外線を遮る能力を有し、且つ、フィッシュアイの形成が抑制されたタッチセンサ基材；前記タッチセンサ基材の製造方法；前記タッチセンサ基材を含むタッチセンサ部材及びその製造方法；並びに、前記タッチセンサ部材を用いて得られる表示装置；を提供できる。

図１は、本発明の第一実施形態としてのタッチセンサ基材を模式的に示す断面図である。 図２は、本発明の第二実施形態としてのタッチセンサ部材を模式的に示す断面図である。 図３は、本発明の第二実施形態としてのタッチセンサ部材の製造方法を模式的に示す断面図である。 図４は、本発明の第二実施形態としてのタッチセンサ部材の製造方法を模式的に示す断面図である。 図５は、本発明の第二実施形態としてのタッチセンサ部材の製造方法を模式的に示す断面図である。 図６は、本発明の第二実施形態としてのタッチセンサ部材の製造方法を模式的に示す断面図である。 図７は、本発明の第二実施形態としてのタッチセンサ部材の製造方法を模式的に示す断面図である。 図８は、実施例及び比較例において用いた治具を模式的に示す斜視図である。

以下、本発明について実施形態及び例示物を示して詳細に説明する。ただし、本発明は以下に示す実施形態及び例示物に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。

以下の説明において、「紫外線」とは、別に断らない限り、波長が１０ｎｍ～４００ｎｍの光を示す。

以下の説明において、「長尺」の形状とは、幅に対して、５倍以上の長さを有する形状をいい、好ましくは１０倍若しくはそれ以上の長さを有し、具体的にはロール状に巻き取られて保管又は運搬される程度の長さを有するフィルムの形状をいう。長尺の形状の長さの上限は、特に制限は無く、例えば、幅に対して１０万倍以下としうる。

長尺のフィルムの長手方向は、通常、製造ラインにおけるフィルム搬送方向と平行であり、フィルムの幅方向は、通常、フィルム搬送方向と直交する。

以下の説明において、フィルムの面内レターデーションＲｅは、別に断らない限り、Ｒｅ＝（ｎｘ－ｎｙ）×ｄで表される値である。また、フィルムの厚み方向のレターデーションＲｔｈは、別に断らない限り、Ｒｔｈ＝｛（ｎｘ＋ｎｙ）／２－ｎｚ｝×ｄで表される値である。ここで、ｎｘは、フィルムの厚み方向に垂直な方向（面内方向）であって最大の屈折率を与える方向の屈折率を表す。ｎｙは、フィルムの前記面内方向であってｎｘの方向に直交する方向の屈折率を表す。ｎｚはフィルムの厚み方向の屈折率を表す。ｄは、フィルムの厚みを表す。測定波長は、別に断らない限り、５５０ｎｍである。

以下の説明において、長尺のフィルムの斜め方向とは、別に断らない限り、そのフィルムの面内方向であって、そのフィルムの幅方向に平行でもなく垂直でもない方向を示す。

以下の説明において、ある面の正面方向とは、別に断らない限り、当該面の法線方向を意味し、具体的には前記面の極角０°且つ方位角０°の方向を指す。

以下の説明において、ある面の傾斜方向とは、別に断らない限り、当該面に平行でも垂直でもない方向を意味し、具体的には前記面の極角が０°より大きく９０°より小さい範囲の方向を指す。

以下の説明において、フィルムの遅相軸とは、別に断らない限り、当該フィルムの面内における遅相軸を表す。

以下の説明において、複数のフィルムを備える部材における各フィルムの光学軸（吸収軸、透過軸、遅相軸等）がなす角度は、別に断らない限り、前記のフィルムを厚み方向から見たときの角度を表す。

以下の説明において、「偏光板」及び「波長板」とは、別に断らない限り、剛直な部材だけでなく、例えば樹脂製のフィルムのように可撓性を有する部材も含む。

［１．タッチセンサ基材の概要］
図１は、本発明の第一実施形態としてのタッチセンサ基材１００を模式的に示す断面図である。
図１に示すように、タッチセンサ基材１００は、長尺の部材であって、第１スキン層１１０、コア層１２０及び第２スキン層１３０を、当該タッチセンサ基材１００の厚み方向においてこの順に含む。通常、第１スキン層１１０とコア層１２０とは、間に他の層を介することなく直接に接しており、コア層１２０と第２スキン層１３０とは、間に他の層を介することなく直接に接している。

第１スキン層１１０は、熱可塑性樹脂Ｓ１で形成されている。また、コア層１２０は、熱可塑性樹脂Ｃで形成されている。さらに、第２スキン層１３０は、熱可塑性樹脂Ｓ２で形成されている。そして、これらの熱可塑性樹脂Ｓ１、熱可塑性樹脂Ｃ及び熱可塑性樹脂Ｓ２のガラス転移温度Ｔｇ（ｓ１）、Ｔｇ（ｃ）及びＴｇ（ｓ２）が、所定の関係を満たす。これにより、タッチセンサ基材１００では、フィッシュアイの形成が抑制されている。

さらに、タッチセンサ基材１００の波長３８０ｎｍでの幅方向における平均透過率は、所定値以下である。紫外線領域に含まれる波長３８０ｎｍの平均透過率が前記のように低いことで表されるように、タッチセンサ基材１００は、紫外線を遮る能力を有する。

したがって、タッチセンサ基材１００により、紫外線を遮る能力を有し、且つ、フィッシュアイの形成が抑制された、優れたタッチセンサ基材を実現することができる。

［２．コア層］
コア層は、熱可塑性樹脂Ｃで形成されている。そして、熱可塑性樹脂Ｃのガラス転移温度Ｔｇ（ｃ）は、熱可塑性樹脂Ｓ１のガラス転移温度Ｔｇ（ｓ１）、及び、熱可塑性樹脂Ｓ２のガラス転移温度Ｔｇ（ｓ２）との間に、通常は下記式（１）及び式（２）の関係を満たす。
Ｔｇ（ｓ１）－Ｔｇ（ｃ）＞１５℃ （１）
Ｔｇ（ｓ２）－Ｔｇ（ｃ）＞１５℃ （２）

好ましくは、ガラス転移温度Ｔｇ（ｃ）は、ガラス転移温度Ｔｇ（ｓ１）及びガラス転移温度Ｔｇ（ｓ２）との間に、下記式（３）及び式（４）の関係を満たす。
Ｔｇ（ｓ１）－Ｔｇ（ｃ）＞３０℃ （３）
Ｔｇ（ｓ２）－Ｔｇ（ｃ）＞３０℃ （４）

より詳細には、ガラス転移温度の差「Ｔｇ（ｓ１）－Ｔｇ（ｃ）」は、通常１５℃より大きく、好ましくは３０℃より大きく、更に好ましくは３５℃より大きい。また、ガラス転移温度の差「Ｔｇ（ｓ２）－Ｔｇ（ｃ）」は、通常１５℃より大きく、好ましくは３０℃より大きく、更に好ましくは３５℃より大きい。ガラス転移温度の差「Ｔｇ（ｓ１）－Ｔｇ（ｃ）」及び差「Ｔｇ（ｓ２）－Ｔｇ（ｃ）」が前記の範囲に収まることにより、フィッシュアイの形成を抑制することができる。

前記のガラス転移温度の差「Ｔｇ（ｓ１）－Ｔｇ（ｃ）」及び差「Ｔｇ（ｓ２）－Ｔｇ（ｃ）」の上限は、それぞれ、好ましくは７０℃以下、更に好ましくは６０℃以下、特に好ましくは５０℃以下である。上限を前記のように設定することで、高温環境における機械的特性及び光学特性の変化を抑制して、耐熱性に優れたタッチセンサ基材を得ることができる。

熱可塑性樹脂Ｃのガラス転移温度Ｔｇ（ｃ）は、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１１０℃以上、特に好ましくは１２０℃以上であり、好ましくは１９０℃以下、より好ましくは１８０℃以下、特に好ましくは１７０℃以下である。ガラス転移温度Ｔｇ（ｃ）が、前記範囲の下限値以上であることによりタッチセンサ基材の耐熱性を向上させることができ、前記範囲の上限値以下であることによりフィッシュアイを効果的に抑制できる。

コア層を形成する熱可塑性樹脂Ｃとしては、上述した要件を満たすガラス転移温度Ｔｇ（ｃ）を有する範囲で任意の樹脂を用いることができる。通常、熱可塑性樹脂Ｃとしては、熱可塑性の重合体を含む樹脂を用いる。

前記の重合体の種類は、任意である。中でも、機械特性、耐熱性、透明性、低吸湿性、寸法安定性及び軽量性に優れることから、脂環式構造を含有する重合体が好ましい。重合体は、非晶性でもよいし、結晶性であってもよい。耐熱性の観点からは結晶性の重合体が好ましい。脂環式構造を含有する重合体は、例えば、（１）ノルボルネン系重合体、（２）単環の環状オレフィン重合体、（３）環状共役ジエン重合体、（４）ビニル脂環式炭化水素重合体などが挙げられる。これらの中でも、透明性及び成形性の観点から、ノルボルネン系重合体がより好ましい。

ノルボルネン系重合体としては、例えば、ノルボルネンモノマーの開環重合体、ノルボルネンモノマーと開環共重合可能なその他のモノマーとの開環共重合体、及びそれらの水素化物；ノルボルネンモノマーの付加重合体、ノルボルネンモノマーと共重合可能なその他のモノマーとの付加共重合体などが挙げられる。これらの中でも、透明性の観点から、ノルボルネンモノマーの開環重合体水素化物が特に好ましい。
上記の脂環式構造を含有する重合体は、例えば特開２００２－３２１３０２号公報に開示されている重合体から選ばれる。

脂環式構造を含有する重合体を含む樹脂としては、様々な商品が市販されているので、それらのうち、所望の特性を有するものを適宜選択し、使用できる。かかる市販品の例としては、商品名「ＺＥＯＮＯＲ」（日本ゼオン社製）、「アートン」（ＪＳＲ社製）、「アペル」（三井化学社製）、「ＴＯＰＡＳ」（ポリプラスチック社製）の製品群が挙げられる。

熱可塑性樹脂Ｃが含む重合体としては、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組合わせて用いてもよい。

重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１０，０００以上、より好ましくは１５，０００以上、特に好ましくは２０，０００以上であり、好ましくは１００，０００以下、より好ましくは８０，０００以下、特に好ましくは５０，０００以下である。重量平均分子量がこのような範囲にあるときに、この重合体を含む層の機械的強度および成型加工性が高度にバランスされる。

重合体の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、好ましくは１．２以上、より好ましくは１．５以上、特に好ましくは１．８以上であり、好ましくは３．５以下、より好ましくは３．０以下、特に好ましくは２．７以下である。ここで、Ｍｎは、数平均分子量を表す。分子量分布を前記範囲の下限値以上にすることにより、重合体の生産性を高め、製造コストを抑制できる。また、上限値以下にすることにより、低分子成分の量が小さくなるので、高温曝露時の緩和を抑制して、その重合体を含む層の安定性を高めることができる。

前記の重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、溶媒としてシクロヘキサンを用いたゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーにより、ポリイソプレンまたはポリスチレン換算の重量平均分子量として測定できる。前記のゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーでは、試料がシクロヘキサンに溶解しない場合には、溶媒としてトルエンを用いてもよい。

コア層を形成する熱可塑性樹脂Ｃにおける重合体の量は、好ましくは８０.０重量％以上、より好ましくは８２．０重量％以上、特に好ましくは８４．０重量％以上であり、好ましくは９７．０重量％以下、より好ましくは９６．０重量％以下、特に好ましくは９５．０重量％以下である。重合体の量を前記範囲に収めることにより、上述した重合体の利点を効果的に発揮できる。

熱可塑性樹脂Ｃは、重合体に組み合わせて、ＵＶカット剤を含むことが好ましい。ＵＶカット剤を用いることにより、タッチセンサ基材の波長３８０ｎｍでの幅方向における平均透過率を、低くできる。また、コア層に含まれるＵＶカット剤は、第１スキン層及び第２スキン層によって移動が妨げられる。よって、熱可塑性樹脂ＣがＵＶカット剤を含んでいても、タッチセンサ基材では、ＵＶカット剤のブリードアウトが抑制される。したがって、コア層におけるＵＶカット剤の濃度を高めたり、ＵＶカット剤の種類の選択の幅を広げたりできるので、タッチセンサ基材の厚みが薄くても、紫外線の透過抑制能力を高めることが可能である。

ＵＶカット剤としては、有機化合物としての有機ＵＶカット剤を用いることが好ましい。これにより、可視波長における光線透過率を高めたり、ヘイズを小さくしたりできるので、タッチセンサ基材を含む表示装置の表示性能を良好にできる。

有機ＵＶカット剤としては、例えば、トリアジン系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、アクリロニトリル系紫外線吸収剤、サリシレート系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤、アゾメチン系紫外線吸収剤、インドール系紫外線吸収剤、ナフタルイミド系紫外線吸収剤、フタロシアニン系紫外線吸収剤等の、有機紫外線吸収剤が挙げられる。中でも、波長３００ｎｍ以上３８０ｎｍ以下に紫外線吸収極大波長λｍａｘを有し、波長４００ｎｍ以上の可視光の吸収が少ないものとして、トリアジン系紫外線吸収剤が好ましい。トリアジン系紫外線吸収剤としては、例えば、１，３，５－トリアジン環を有する化合物が好ましい。トリアジン系紫外線吸収剤の具体例としては、２－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－５－［（へキシル）オキシ］－フェノール、２，４－ビス（２－ヒドロキシ－４－ブトキシフェニル）－６－（２，４－ジブトキシフェニル）－１，３，５－トリアジン等が挙げられる。このようなトリアジン系紫外線吸収剤の市販品としては、例えば、チバスペシャリティーケミカルズ社製「チヌビン１５７７」、ＡＤＥＫＡ社製「ＬＡ－Ｆ７０」、「ＬＡ－４６」などが挙げられる。紫外線吸収極大波長λｍａｘを３００ｎｍ以上３８０ｎｍ以下とすることで、紫外線を効果的に吸収することができる。さらに、紫外線吸収極大波長λｍａｘを３８０ｎｍ以下とすることで、タッチセンサ基材の可視光における透過率を向上させることができる。また、ＵＶカット剤としては、分子量は４００以上であるものが好ましい。さらに、ＵＶカット剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組合わせて用いてもよい。紫外線吸収剤等のＵＶカット剤の例としては、例えば、特開２０１７－６８２２７号公報に記載のものが挙げられる。

熱可塑性樹脂ＣにおけるＵＶカット剤の量は、好ましくは３重量％以上、より好ましくは４重量％以上、特に好ましくは５重量％以上であり、好ましくは２０重量％以下、より好ましくは１８重量％以下、特に好ましくは１６重量％以下である。ＵＶカット剤の量が、前記範囲の下限値以上であると、タッチセンサ基材が高い紫外線遮断能力を有することができる。また、ＵＶカット剤の量が、前記範囲の上限値以下であると、タッチセンサ基材の可視波長での光線透過率を高くし易く、さらに、タッチセンサ基材の製造時にＵＶカット剤による樹脂のゲル化を抑制できるので、フィッシュアイの発生を効果的に抑制できる。

熱可塑性樹脂Ｃは、重合体及びＵＶカット剤に組み合わせて、更に任意の成分を含んでいてもよい。任意の成分としては、例えば、顔料、染料等の着色剤；可塑剤；蛍光増白剤；分散剤；熱安定剤；光安定剤；帯電防止剤；酸化防止剤；界面活性剤；レーザー吸収剤；等が挙げられる。

特に、任意の成分としては、レーザー吸収剤が好ましい。レーザー吸収剤を含んでいると、レーザー光によってタッチセンサ基材を所望の形状に自由に切断加工することができる。一般に、切断加工する方法として、刃先が鋭利な刃物による切断加工法、金型による打抜き加工法等の、機械的な切断加工法が知られている。しかし、このような機械的な切断加工法では、目に見えないキズ又は残留応力により、切断加工時に亀裂を生じることがある。これに対し、レーザー加工法は、前記のような亀裂を抑制しながらタッチセンサ基材の加工を行うことができる。

一般に、工業的にはレーザー光として赤外線レーザー光を用いることが多い。ここで、赤外線レーザー光とは、７６０ｎｍ以上１ｍｍ未満の赤外線範囲の波長を有するレーザー光をいう。よって、レーザー吸収剤としては、赤外線レーザー光を吸収可能な化合物を用いることが好ましい。特に、赤外線レーザー光としては、切断面の割れ及び欠けが少なく、作業性が良好であるので、９μｍ～１１μｍの範囲に波長を有するＣＯ₂レーザー光が広く用いられている。したがって、レーザー吸収剤としては、９μｍ～１１μｍの範囲に波長を有するレーザー光を吸収可能な化合物を用いることが好ましい。

ＣＯ₂レーザー光には、波長が１０．６μｍのものと、波長が９．４μｍのものがあり、光学フィルムの切断加工においては、波長が９．４μｍのものを用いることが推奨される。例えば１０．６μｍのレーザー波長を用いて切断加工した場合に比べ、９．４μｍのレーザー波長を用いて切断加工する場合には、切断端面に溶融物が突起したり溶融変形したりすることを抑制できるので、切断端面が平滑になる。そのため、レーザー吸収剤としても、９μｍ～１１μｍの範囲に波長を有するレーザー光を吸収可能な化合物を用いることが好ましい。特に、レーザー吸収剤としては、９．４μｍと１０．６μｍに吸収極大を有する化合物を用いるのが好ましい。このようなレーザー吸収剤として用いられる化合物は、通常、紫外線波長領域には吸収を有さない。

好ましいレーザー吸収剤としては、エステル化合物が挙げられる。エステル化合物は、通常、極性を有する化合物であり、９μｍ～１１μｍの範囲に波長を有するレーザー光を効果的に吸収することができる。エステル化合物としては、例えば、リン酸エステル化合物、カルボン酸エステル化合物、フタル酸エステル化合物、アジピン酸エステル化合物などが挙げられる。中でも、ＣＯ₂レーザー光を特に効率良く吸収できるようにする観点から、カルボン酸エステル化合物が好ましい。

上述したエステル化合物の中でも、分子中に芳香環を含むものが好ましく、この芳香環にエステル結合が結合しているものが特に好ましい。このようなエステル化合物は、レーザー光をより効率良く吸収できる。したがって、上述したエステル化合物の中でも、芳香族カルボン酸エステルが好ましく、中でもレーザー光の吸収効率に優れることからジエチレングリコールジベンゾエート及びペンタエリスリトールテトラベンゾエート等の安息香酸エステルが特に好ましい。
このようなエステル化合物としては、例えば、国際公開第２０１６／３１７７６号に記載のものが挙げられる。

レーザー吸収剤の分子量は、好ましくは３００以上、より好ましくは４００以上、特に好ましくは５００以上であり、好ましくは２２００以下、より好ましくは１８００以下、特に好ましくは１４００以下である。レーザー吸収剤の分子量を前記範囲の下限値以上にすることにより、レーザー吸収剤のブリードアウトを抑制することができる。また、上限値以下にすることにより、レーザー吸収剤を可塑剤として機能し易くさせることができ、更に熱がかかってからのレーザー吸収剤の分子の動き出しを早くできるので、タッチセンサ基材の切断を容易にすることができる。

レーザー吸収剤の融点は、好ましくは２０℃以上、より好ましくは６０℃以上、特に好ましくは１００℃以上であり、好ましくは１８０℃以下、より好ましくは１５０℃以下、特に好ましくは１２０℃以下である。レーザー吸収剤の融点を前記範囲の下限値以上にすることにより、レーザー吸収剤のブリードアウトを抑制することができる。また、上限値以下にすることにより、レーザー吸収剤を可塑剤として機能し易くさせることができ、更に熱がかかってからのレーザー吸収剤の分子の動き出しを早くできるので、タッチセンサ基材の切断を容易にすることができる。タッチセンサ基材の切断状況は、切断面を目視または顕微鏡等で観察することで、評価することができる。

任意の成分は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

熱可塑性樹脂Ｃにおける重合体及びＵＶカット剤以外の任意の成分の量は、好ましくは３重量％以上、より好ましくは４重量％以上、特に好ましくは５重量％以上であり、好ましくは２０重量％以下、より好ましくは１８重量％以下、特に好ましくは１６重量％以下である。任意の成分の量が、前記範囲の下限値以上、上限値以下であると、熱可塑性樹脂Ｃのガラス転移温度を所望の範囲で制御でき、フィッシュアイの発生を効果的に抑制できる。

ＵＶカット剤及び任意の成分は、可塑剤として機能することが好ましい。ＵＶカット剤及び任意の成分が可塑剤として機能することで、熱可塑性樹脂Ｃ中においてＵＶカット剤及び任意の成分が重合体分子の間に入り込み、熱可塑性樹脂Ｃのガラス転移温度を下げることができる。よって、熱可塑性樹脂Ｃのガラス転移温度と、第１スキン層および第２スキン層のガラス転移温度との差を所望の範囲に制御できる。したがって、フィッシュアイの発生を効果的に抑制できる。

コア層の厚みｄ_cは、第１スキン層と第２スキン層の合計厚みｄ_s1＋ｄ_s2に対するコア層ｄ_cの厚みの比ｄ_c／（ｄ_s1＋ｄ_s2）が、所定の範囲に収まるように設定されることが好ましい。具体的には、前記の厚み比ｄ_c／（ｄ_s1＋ｄ_s2）は、好ましくは１．０以下、より好ましくは０．９５以下、特に好ましくは０．９０以下であり、好ましくは０．３０以上、より好ましくは０．３５以上、特に好ましくは０．４０以上である。厚み比ｄ_c／（ｄ_s1＋ｄ_s2）が、前記範囲の上限値以下であることにより、タッチセンサ基材の可視波長での光線透過率を高くできる。さらに、コア層に対して第１スキン層及び第２スキン層を相対的に厚くできるので、フィッシュアイの発生を効果的に抑制したり、ＵＶカット剤のブリードアウトを効果的に抑制したりできる。また、厚み比ｄ_c／（ｄ_s1＋ｄ_s2）が、前記範囲の下限値以上であることにより、タッチセンサ基材が高い紫外線遮断能力を有することができる。

前記の厚み比ｄ_c／（ｄ_s1＋ｄ_s2）は、後述する実施例に記載のように、透過率から計算によって求めてもよい。また、厚み比ｄ_c／（ｄ_s1＋ｄ_s2）は、タッチセンサ基材をスライスし、そのスライスにより現れた断面を顕微鏡で観察してタッチセンサ基材に含まれる各層の厚みを測定して、求めてもよい。

［３．第１スキン層］
第１スキン層は、熱可塑性樹脂Ｓ１で形成されている。そして、熱可塑性樹脂Ｓ１のガラス転移温度Ｔｇ（ｓ１）は、通常１５０℃以上、好ましくは１５５℃以上、より好ましくは１６０℃以上である。ガラス転移温度Ｔｇ（ｓ１）が前記の下限値以上であることにより、熱可塑性樹脂Ｓ１の熱によるゲル化を抑制できるので、樹脂のゲル化によるフィッシュアイの形成を抑制することができる。また、タッチセンサ基材の耐熱性を高めることができるので、第１導電層及び第２導電層の形成を高温で行うことが可能となり、結晶性の高い第１導電層及び第２導電層を得ることができるので、それらの導電率を高めることができる。熱可塑性樹脂Ｓ１のガラス転移温度Ｔｇ（ｓ１）の上限は、熱可塑性樹脂Ｓ１の入手を容易にする観点から、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１９０℃以下、特に好ましくは１８０℃以下である。

第１スキン層を形成する熱可塑性樹脂Ｓ１としては、上述した要件を満たすガラス転移温度Ｔｇ（ｓ１）を有する範囲で任意の樹脂を用いることができる。通常、熱可塑性樹脂Ｓ１としては、熱可塑性の重合体を含む樹脂を用いる。

熱可塑性樹脂Ｓ１に含まれる重合体の種類は、任意である。中でも、脂環式構造を含有する重合体が好ましく、ノルボルネン系重合体が特に好ましい。これにより、コア層の項において説明したのと同じ利点を得ることができる。さらに、コア層を形成する熱可塑性樹脂Ｃと第１スキン層を形成する熱可塑性樹脂Ｓ１の両方としてノルボルネン系重合体を含む樹脂を用いることにより、コア層と第１スキン層との接着強度を高めたり、コア層と第１スキン層との界面での反射を抑制したりし易い。また、熱可塑性樹脂Ｓ１が含む重合体は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組合わせて用いてもよい。

熱可塑性樹脂Ｓ１に含まれる重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）及び分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、コア層を形成する熱可塑性樹脂Ｃに含まれる重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）及び分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）の範囲として説明された範囲と同じ範囲に収まることが好ましい。これにより、コア層の項において説明したのと同じ利点を得ることができる。

第１スキン層を形成する熱可塑性樹脂Ｓ１における重合体の量は、好ましくは９０．０重量％～１００重量％、より好ましくは９５．０重量％～１００重量％である。重合体の量を前記範囲に収めることにより、上述した重合体の利点を効果的に発揮できる。

熱可塑性樹脂Ｓ１は、重合体に組み合わせて、重合体以外の任意の成分を含んでいてもよい。任意の成分としては、コア層を形成する熱可塑性樹脂Ｃが含みうる成分として挙げたのと同じ成分が挙げられる。また、任意の成分は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。ただし、フィッシュアイを効果的に抑制する観点、及び、ＵＶカット剤のブリードアウトを抑制する観点では、熱可塑性樹脂Ｓ１は、熱可塑性樹脂ＣよりもＵＶカット剤の含有率が低いことが好ましく、ＵＶカット剤を含まないことが特に好ましい。

第１スキン層の厚みｄ_s1は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上、特に好ましくは１０μｍ以上であり、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下である。第１スキン層の厚みｄ_s1が、前記範囲の下限値以上であることにより、フィッシュアイの発生を効果的に抑制したり、ＵＶカット剤のブリードアウトを効果的に抑制したりできる。また、第１スキン層の厚みｄ_s1が、前記範囲の上限値以下であることにより、タッチセンサ基材を薄くできる。

［４．第２スキン層］
第２スキン層は、熱可塑性樹脂Ｓ２で形成されている。そして、熱可塑性樹脂Ｓ２のガラス転移温度Ｔｇ（ｓ２）は、通常１５０℃以上である。中でも、熱可塑性樹脂Ｓ２のガラス転移温度Ｔｇ（ｓ２）は、第１スキン層を形成する熱可塑性樹脂Ｓ１のガラス転移温度Ｔｇ（ｓ１）の範囲として説明された範囲と同じ範囲に収まることが好ましい。ガラス転移温度Ｔｇ（ｓ２）が前記の範囲に収まることにより、第１スキン層の項で説明したのと同じ利点を得ることができる。

第２スキン層を形成する熱可塑性樹脂Ｓ２としては、上述した要件を満たすガラス転移温度Ｔｇ（ｓ２）を有する範囲で任意の樹脂を用いることができる。熱可塑性樹脂Ｓ２としては、第１スキン層を形成する熱可塑性樹脂Ｓ１として説明した熱可塑性樹脂の範囲から選択される任意の熱可塑性樹脂を用いることができる。したがって、熱可塑性樹脂Ｓ２が含む成分の種類及び量は、熱可塑性樹脂Ｓ１が含む成分の種類及び量として説明した範囲から選択して適用できる。これにより、第１スキン層の項で説明したのと同じ利点を得ることができる。

第２スキン層を形成する熱可塑性樹脂Ｓ２は、第１スキン層を形成する熱可塑性樹脂Ｓ１と異なる樹脂であってもよく、同一の樹脂であってもよい。中でも、熱可塑性樹脂Ｓ１及び熱可塑性樹脂Ｓ２として同一の樹脂を用いることが好ましい。熱可塑性樹脂Ｓ１及び熱可塑性樹脂Ｓ２として同一の樹脂を用いることにより、タッチセンサ基材の製造コストを抑制したり、タッチセンサ基材のカールを抑制したりできる。

第２スキン層の厚みｄ_s2は、第１スキン層の厚みｄ_s1の範囲として説明した範囲から選択される任意の厚みであることができる。これにより、第１スキン層の項で説明したのと同じ利点を得ることができる。中でも、タッチセンサ基材のカールを抑制するためには、第２スキン層の厚みｄ_s2は、第１スキン層の厚みｄ_s1と同一にすることが好ましい。

［５．任意の層］
タッチセンサ基材は、必要に応じて、上述したコア層、第１スキン層及び第２スキン層以外の任意の層を備えうる。任意の層としては、例えば、易接着層、粘着層、接着層、ハードコート層、インデックスマッチング層、反射防止層、マスキング層、光学異方性層、保護層などを挙げることができる。ただし、タッチセンサ基材を薄くする観点から、タッチセンサ基材は任意の層を備えない３層構造の層であることが好ましい。

［６．タッチセンサ基材の特性及び厚み］
（波長３８０ｎｍでの平均透過率）
タッチセンサ基材の波長３８０ｎｍでの幅方向における平均透過率は、通常０．１００％以下、好ましくは０．０８５％以下、より好ましくは０．０８０％以下であり、理想的には０％である。波長３８０ｎｍでの平均透過率が前記のように低いことは、タッチセンサ基材がその全体において紫外線を遮断する能力に優れることを表す。よって、タッチセンサ基材を用いることにより、紫外線を用いたフォトリソグラフィーによってタッチセンサ部材を製造する際に、タッチセンサ基材の両面のレジスト層にマスクパターンを通して同時に露光を行っても、タッチセンサ基材を透過する紫外線によるパターン形状の精度低下を抑制できる。したがって、所望のパターン形状を有する第１導電層及び第２導電層を有するタッチセンサ部材を、高い製造効率で製造することが可能となる。

タッチセンサ基材の波長３８０ｎｍでの幅方向における平均透過率は、後述する実施例に記載の測定方法によって測定できる。

タッチセンサ基材の波長３８０ｎｍでの幅方向における平均透過率を前記のように小さくすることは、例えば、コア層を形成する熱可塑性樹脂Ｃとして、紫外線を遮る能力を有するＵＶカット剤等の成分を含む樹脂を用いることによって、実現できる。

（フィッシュアイの形成の抑制）
タッチセンサ基材は、フィッシュアイの形成が抑制されている。よって、タッチセンサ基材が含むフィッシュアイの数は、少ない。このようにフィッシュアイが少ないと、フィッシュアイを原因とした第１導電層及び第２導電層のパターン形状の精度低下を抑制することができる。したがって、タッチセンサ基材を用いることにより、所望のパターン形状を有する第１導電層及び第２導電層を有するタッチセンサ部材を得ることが可能である。また、フィッシュアイが少ないことにより、当該タッチセンサ基材を用いて製造されたタッチセンサ部材を含む表示装置の光学特性がフィッシュアイによって損なわれることを抑制できる。

フィッシュアイの形成を抑制できていることは、単位面積当たりのフィッシュアイの個数によって確認できる。また、フィッシュアイの個数は、後述する実施例に記載の方法によって測定できる。

タッチセンサ基材においてフィッシュアイの形成が抑制される仕組みは、以下に説明する通りであると、本発明者は推察する。ただし、本発明の技術的範囲は、下記に説明する仕組みによって制限されるものでは無い。
熱可塑性樹脂Ｃ、熱可塑性樹脂Ｓ１及び熱可塑性樹脂Ｓ２を用いて溶融押出法でタッチセンサ基材を製造する場合、溶融状態で熱可塑性樹脂Ｃ、熱可塑性樹脂Ｓ１及び熱可塑性樹脂Ｓ２を押し出し、その後、押し出された樹脂を冷却して硬化させて、タッチセンサ基材を得る。このとき、熱可塑性樹脂Ｃのガラス転移温度Ｔｇ（ｃ）よりも熱可塑性樹脂Ｓ１及び熱可塑性樹脂Ｓ２のガラス転移温度Ｔｇ（ｓ１）及びＴｇ（ｓ２）の方が高いので、熱可塑性樹脂Ｓ１及び熱可塑性樹脂Ｓ２の方が熱可塑性樹脂Ｃよりも早く硬化する。そうすると、溶融状態の熱可塑性樹脂Ｃにおいて異物が生じても、その異物が第１スキン層及び第２スキン層に移動したり、その異物によって第１スキン層及び第２スキン層が押し出されたりすることは、抑制される。したがって、溶融状態の熱可塑性樹脂Ｃにおいて生じる異物を原因としたフィッシュアイの形成を抑制することが可能であるので、フィッシュアイの数を減らすことが可能である。特に、熱可塑性樹脂ＣがＵＶカット剤を含む場合、そのＵＶカット剤は熱可塑性樹脂Ｃのゲル化による異物を発生させ易い傾向があるので、溶融状態の熱可塑性樹脂Ｃにおいて生じる異物を原因としたフィッシュアイの形成を抑制できることは、フィッシュアイの形成を抑制する上で効果的である。

（波長３８０ｎｍでの透過率の標準偏差σ）
タッチセンサ基材の幅方向における波長３８０ｎｍでの透過率の標準偏差σは、好ましくは０．０２％以下、より好ましくは０．０１％以下、特に好ましくは０．００５％以下であり、理想的には０％である。このように透過率の標準偏差σが小さいことは、タッチセンサ基材の幅方向において、紫外線透過率のムラが小さいことを表す。紫外線透過率のムラが小さいことにより、タッチセンサ基材上のいずれの位置でも同じ露光条件で露光を行うことができるので、タッチセンサ部材の製造を簡単に行うことができる。

タッチセンサ基材の波長３８０ｎｍでの幅方向における透過率の標準偏差σは、後述する実施例に記載の測定方法によって測定できる。

タッチセンサ基材の波長３８０ｎｍでの幅方向における透過率の標準偏差σを前記のように小さくすることは、例えば、タッチセンサ基材の厚みムラを小さくすることによって、実現できる。また、厚みムラが小さいタッチセンサ基材は、例えば、マルチマニホールドダイを用いた溶融押出法によって、製造できる。

（浸漬試験による限界応力変化率）
タッチセンサ基材に、下記（Ａ）条件及び（Ｂ）条件の少なくとも一つの条件下での試験を行った場合、その試験によるタッチセンサ基材の限界応力変化率は、小さいことが好ましい。
（Ａ）条件：タッチセンサ基材を、２５℃±２℃で、濃度１０％の塩酸水溶液に、１時間浸漬する。
（Ｂ）条件：タッチセンサ基材を、２５℃±２℃で、濃度５％のＮａＯＨ水溶液に、１時間浸漬する。

具体的には、（Ａ）条件での試験によるタッチセンサ基材の限界応力変化率は、好ましくは２０％以下、より好ましくは１５％以下、特に好ましくは１０％以下である。（Ａ）条件での試験によるタッチセンサ基材の限界応力変化率が小さいことは、そのタッチセンサ基材が酸に対する耐性に優れることを表す。フォトリソグラフィーでは、酸性溶液にタッチセンサ基材を接触させることがあるので、タッチセンサ基材が酸に対する耐性に優れることにより、第１導電層及び第２導電層のパターン形状の精度を高めることができる。前記の限界応力変化率の下限は任意であり、０％が理想である。

また、（Ｂ）条件での試験によるタッチセンサ基材の限界応力変化率は、好ましくは２０％以下、より好ましくは１５％以下、特に好ましくは１０％以下である。（Ｂ）条件での試験によるタッチセンサ基材の限界応力変化率が小さいことは、そのタッチセンサ基材がアルカリに対する耐性に優れることを表す。フォトリソグラフィーでは、アルカリ性溶液にタッチセンサ基材を接触させることがあるので、タッチセンサ基材がアルカリに対する耐性に優れることにより、第１導電層及び第２導電層のパターン形状の精度を高めることができる。前記の限界応力変化率の下限は任意であり、０％が理想である。

さらには、タッチセンサ基材は、（Ａ）条件での試験を行った場合、及び、（Ｂ）条件での試験を行った場合、の両方において、その試験によるタッチセンサ基材の限界応力変化率が小さいことが好ましい。したがって、タッチセンサ基材は、（Ａ）条件での試験によるタッチセンサ基材の限界応力変化率が前記の範囲に収まり、且つ、（Ｂ）条件での試験によるタッチセンサ基材の限界応力変化率が前記の範囲に収まることが好ましい。

前記の限界応力変化率は、後述する実施例に記載の測定方法によって測定できる。

タッチセンサ基材の前記限界応力変化率を小さくすることは、例えば、第１スキン層を形成する熱可塑性樹脂Ｓ１及び第２スキン層を形成する熱可塑性樹脂Ｓ２として、脂環式構造を含有する重合体を含む樹脂を用いることによって、実現できる。

（熱収縮率）
下記（Ｃ）条件下での試験後における、タッチセンサ基材の長手方向の熱収縮率及び幅方向の熱収縮率は、いずれも、ゼロに近いことが好ましい。
（Ｃ）条件：タッチセンサ基材を、１４５℃の環境に６０分静置する。

具体的には、（Ｃ）条件下での試験後における、タッチセンサ基材の長手方向の熱収縮率は、好ましくは±０．１０％以内、より好ましくは±０．０９５％以内、特に好ましくは±０．０９％以内である。また、（Ｃ）条件下での試験後における、タッチセンサ基材の幅方向の熱収縮率は、好ましくは±０．１０％以内、より好ましくは±０．０９５％以内、特に好ましくは±０．０９％以内である。このように熱収縮率がゼロに近いことは、熱によるタッチセンサ基材の寸法変化が小さいことを表す。よって、タッチセンサ部材の製造時に、熱による第１導電層及び第２導電層のパターン形状の変化を抑制することができるので、パターン形状の精度を高めることが可能である。

前記の熱収縮率は、後述する実施例に記載の測定方法によって測定できる。

タッチセンサ基材の熱収縮率を小さくすることは、例えば、コア層を形成する熱可塑性樹脂Ｃ、第１スキン層を形成する熱可塑性樹脂Ｓ１、及び、第２スキン層を形成する熱可塑性樹脂Ｓ２として、脂環式構造を含有する重合体を含む樹脂を用いることによって、実現できる。

（レターデーション）
タッチセンサ基材は、光学等方性のフィルムであってもよい。光学等方性のタッチセンサ基材の波長５５０ｎｍにおける面内レターデーションＲｅは、通常０ｎｍ以上であり、好ましくは１０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以下、より好ましくは３ｎｍ以下である。光学等方性のタッチセンサ基材は、表示装置に設けた場合に、直線偏光子の保護フィルムとして機能したり、表示画面の着色を抑制したり、視野角特性を改善したりすることができる。また、光学等方性のタッチセンサ基材は、他の光学異方性層と組合わせることができる。光学等方性のタッチセンサ基材は、延伸処理を施されない未延伸フィルムとして製造することができる。

また、タッチセンサ基材は、光学異方性のフィルムであってもよい。光学異方性のタッチセンサ基材の波長５５０ｎｍにおける面内レターデーションＲｅは、好ましくは８５ｎｍ以上、より好ましくは９０ｎｍ以上、特に好ましくは１００ｎｍ以上であり、好ましくは１５０ｎｍ以下、より好ましくは１４５ｎｍ以上、特に好ましくは１４０ｎｍ以上である。このような範囲の面内レターデーションＲｅを有する光学異方性のタッチセンサ基材は、１／４波長板として機能できる。よって、このタッチセンサ基材を直線偏光子と組み合わせ、各光軸を所望の関係に調整することにより、円偏光板を得ることができる。また、光学異方性のタッチセンサ基材は、他の光学等方性層と組合わせることができる。光学異方性のタッチセンサ基材は、延伸処理を施された延伸フィルムとして製造することができる。

光学異方性のタッチセンサ基材は、通常、面内方向に遅相軸を有する。この遅相軸の方向は、長尺のタッチセンサ基材の斜め方向にあることが好ましい。このようなタッチセンサ基材は、長手方向又は幅方向に偏光透過軸を有する長尺の直線偏光子とロールツーロール法で貼り合わせることにより、簡単に円偏光板を得ることができる。この貼り合わせは、タッチセンサ基材の遅相軸と直線偏光子の透過軸とが、通常４５°に交差するように行う。また、前記のように斜め方向に遅相軸を有するタッチセンサ基材は、斜め方向への延伸処理を施された斜め延伸フィルムとして製造できる。前記の延伸処理における延伸方向は、長手方向又は幅方向から４５°の角度をなすことが好ましい。

タッチセンサ基材の波長５５０ｎｍにおける厚み方向のレターデーションＲｔｈは、好ましくは－２５０ｎｍ以上、より好ましくは－１００ｎｍ以上、特に好ましくは５ｎｍ以上であり、通常＋１５０ｎｍ以下である。タッチセンサ基材の厚み方向のレターデーションＲｔｈが前記の範囲にあることにより、タッチセンサ基材を表示装置に設けた場合に、表示画面の着色を抑制したり、視野角特性を改善することができる。特に、アウトセル型のタッチセンサ搭載の表示装置では、表示画面を傾斜方向から見た場合のパネル着色を抑制することができ、また、偏光サングラスの着用者が正面方向からこの表示画面を見た場合に、表示画面が暗くなることを抑制できる。また、特にインセル型又はミッドセル型のタッチセンサ搭載の表示装置では、外光の反射を抑制でき、高コントラストのタッチパネルを得ることができる。

面内レターデーションＲｅおよび厚み方向のレターデーションＲｔｈは、例えば、自動複屈折計（王子計測機器社製、ＫＯＢＲＡ－２１ＡＤＨ）、位相差計（オプトサイエンス社製の「ミューラマトリクス・ポラリメータ（Ａｘｏ Ｓｃａｎ）」）を用いて測定できる。

（透明性）
タッチセンサ基材は、光学部材としての機能を安定して発揮する観点から、可視波長における光線透過率が高いことが好ましい。例えば、波長４００ｎｍ～７００ｎｍの範囲におけるタッチセンサ基材の光線透過率は、好ましくは８５％～１００％、より好ましくは８７％～１００％、特に好ましくは９０％～１００％である。タッチセンサ基材の光線透過率は、紫外・可視分光計を用いて測定できる。

タッチセンサ基材は、表示装置の画像鮮明性を高める観点から、ヘイズが小さいことが好ましい。タッチセンサ基材の具体的なヘイズは、好ましくは１％以下、より好ましくは０．８％以下、特に好ましくは０．５％以下である。ヘイズは、ＪＩＳ Ｋ７３６１－１９９７に準拠して、濁度計を用いて測定できる。

（厚み）
タッチセンサ基材の厚みＤは、好ましくは２０μｍ以上、より好ましくは２２μｍ以上、特に好ましくは２５μｍ以上であり、好ましくは６０μｍ以下、より好ましくは５８μｍ以下、特に好ましくは５６μｍ以下である。タッチセンサ基材の厚みＤが、前記の下限値以上であることにより、高い機械的強度を得ることができ、タッチセンサ基材の紫外線を遮る能力を高めることができる。また、タッチセンサ基材の厚みＤが、前記の上限値以下であることにより、タッチセンサ基材の軽量化及び省スペース化を実現でき、フィルムを長尺のロール状で巻き取ることが可能である。

［７．タッチセンサ基材の製造方法］
タッチセンサ基材は、特許第３９７３７５５号公報、特許第４５８１６９１号公報、特許第６０９４２８２号公報、特許第６０９４２８３号公報などに記載の製造装置を用いて、溶融押出法によって製造できる。この溶融押出法を用いた製造方法は、熱可塑性樹脂Ｓ１、熱可塑性樹脂Ｃ及び熱可塑性樹脂Ｓ２を、ダイから押し出す工程を含む。この際、前記の熱可塑性樹脂を、熱可塑性樹脂Ｓ１の層、熱可塑性樹脂Ｃの層、及び、熱可塑性樹脂Ｓ２の層を厚み方向においてこの順に含むフィルム状に押し出すことにより、上述したタッチセンサ基材が得られる。

前記の押出は、熱可塑性樹脂Ｓ１、熱可塑性樹脂Ｃ及び熱可塑性樹脂Ｓ２が溶融した状態で行う。よって、ダイの温度は、通常、熱可塑性樹脂Ｃのガラス転移温度Ｔｇ（ｃ）、熱可塑性樹脂Ｓ１のガラス転移温度Ｔｇ（ｓ１）、及び、熱可塑性樹脂Ｓ２のガラス転移温度Ｔｇ（ｓ２）よりも高温に設定される。そして、このように溶融状態の熱可塑性樹脂が押し出された後、冷却されて硬化することにより、樹脂フィルムとしてタッチセンサ基材を得ることができる。

ダイの温度は、ガラス転移温度Ｔｇ（ｃ）よりも１５０℃以上高く、ガラス転移温度Ｔｇ（ｓ１）よりも１００℃以上高く、且つ、ガラス転移温度Ｔｇ（ｓ２）よりも１００℃以上高いことが好ましい。より詳細には、ダイの温度は、好ましくはＴｇ（ｃ）＋１５０℃以上、より好ましくはＴｇ（ｃ）＋１５５℃以上、特に好ましくはＴｇ（ｃ）＋１５８℃以上である。また、ダイの温度は、好ましくはＴｇ（ｓ１）＋１００℃以上、より好ましくはＴｇ（ｓ１）＋１０５℃以上、特に好ましくはＴｇ（ｓ１）＋１１０℃以上である。さらに、ダイの温度は、好ましくはＴｇ（ｓ２）＋１００℃以上、より好ましくはＴｇ（ｓ２）＋１０５℃以上、特に好ましくはＴｇ（ｓ２）＋１１０℃以上である。ダイの温度が前記下限値以上であることにより、熱可塑性樹脂Ｃ、熱可塑性樹脂Ｓ１及び熱可塑性樹脂Ｓ２を十分に溶融させて、樹脂流動性を高めることができるので、樹脂のフィルム状への成形を容易にして、厚みムラを小さくできる。また、このように樹脂を十分に溶融させることにより、熱可塑性樹脂Ｓ１及び熱可塑性樹脂Ｓ２を熱可塑性樹脂Ｃよりも早く硬化させることによるフィッシュアイの形成の抑制という作用を、効果的に発揮できる。

ダイの温度の上限は、特段の制限は無いが、好ましくはＴｇ（ｃ）＋１９０℃以下、より好ましくはＴｇ（ｃ）＋１８５℃以下、特に好ましくはＴｇ（ｃ）＋１８０℃以下である。また、ダイの温度は、好ましくはＴｇ（ｓ１）＋１５０℃以下、より好ましくはＴｇ（ｓ１）＋１４５℃以下、特に好ましくはＴｇ（ｓ１）＋１４０℃以下である。さらに、ダイの温度は、好ましくはＴｇ（ｓ２）＋１５０℃以下、より好ましくはＴｇ（ｓ２）＋１４５℃以下、特に好ましくはＴｇ（ｓ２）＋１４０℃以下である。ダイの温度が前記上限値以下であることにより、熱可塑性樹脂Ｓ１、熱可塑性樹脂Ｃ及び熱可塑性樹脂Ｓ２のゲル化を抑制できるので、フィッシュアイの形成を効果的に抑制できる。また、ダイの温度の上限は、ダイの高温保持安定性及び設備の安全性の観点から、通常、３００℃以下である。

ダイとしては、所望のタッチセンサ基材が得られる任意のダイを用いることができ、例えば、特許第６０９４２８２号公報又は特許第６０９４２８３号公報に記載のダイを用いることができる。ダイの材質としては、特に限定されないが、一般的に用いられるダイス鋼又はステンレス鋼（ＳＵＳ）などで構成することができる。ダイス鋼としては、ＳＫＤ系熱間ダイス鋼（熱伝導率：約３０Ｗ／ｍ℃）等が使用でき、ステンレス鋼としては、ＳＵＳ４２０Ｊ２（熱伝導率：約２５Ｗ／ｍ℃）等が使用できる。

また、溶融した樹脂の押出の際には、ダイから押し出される前に熱可塑性樹脂Ｓ１、熱可塑性樹脂Ｃ及び熱可塑性樹脂Ｓ２が混ざり合わないようにするために、各樹脂をそれぞれ個別のポンプで押し出してもよい。

タッチセンサ基材の製造方法は、更に、前記の溶融押出によって得られたフィルムに延伸処理を施す工程を含んでいてもよい。延伸処理により、所望の面内レターデーションを発現させることができる。

延伸処理は、一方向のみに延伸を行う一軸延伸処理を行ってもよく、異なる２方向に延伸を行う二軸延伸処理を行ってもよい。また、二軸延伸処理では、２方向に同時に延伸を行う同時二軸延伸処理を行ってもよく、ある方向に延伸を行った後で別の方向に延伸を行う逐次二軸延伸処理を行ってもよい。さらに、延伸は、フィルムの長手方向に延伸処理を行う縦延伸処理、フィルムの幅方向に延伸処理を行う横延伸処理、フィルムの幅方向に平行でもなく垂直でもない斜め方向に延伸処理を行う斜め延伸処理のいずれを行ってもよく、これらを組み合わせて行ってもよい。延伸処理の方式は、例えば、ロール方式、フロート方式、テンター方式などが挙げられる。また、延伸温度及び延伸倍率は、所望のレターデーションを有するタッチセンサ基材が得られる範囲で任意に設定できる。

タッチセンサ基材の製造方法は、前記の工程に組み合わせて、更に任意の工程を含んでいてもよい。例えば、タッチセンサ基材の製造方法は、幅方向の両端を切り除くトリミング処理を行う工程を含んでいてもよい。

［８．タッチセンサ部材］
図２は、本発明の第二実施形態としてのタッチセンサ部材２００を模式的に示す断面図である。
図２に示すように、タッチセンサ部材２００は、第１導電層２１０と、基材２２０と、第２導電層２３０とを、当該タッチセンサ部材２００の厚み方向においてこの順に含む。また、基材２２０は、第１スキン層１１０、コア層１２０及び第２スキン層１３０をこの順に含む長尺のタッチセンサ基材、及び、当該タッチセンサ基材から切り出された基材片からなる群より選ばれる部材である。ここで、基材片は、長尺の部材であってもよく、長尺でない枚葉の部材であってもよい。よって、タッチセンサ部材２００自体も、長尺の部材であってもよく、枚葉の部材であってもよい。上述したタッチセンサ部材２００は、フィッシュアイの形成が抑制された基材２２０上に第１導電層２１０及び第２導電層２３０を有するので、第１導電層２１０及び第２導電層２３０のパターン形状の精度を良好にできる。また、通常、熱可塑性樹脂で形成された基材２２０は、従来のガラス基材に比べて割れ難いので、タッチセンサ部材２００は、機械的耐久性に優れる。さらに、熱可塑性樹脂で形成された基材２２０は、一般に、可撓性に優れるので、タッチセンサ部材２００を用いることにより、指での入力が円滑なタッチパネルを実現できる。

第１導電層２１０は、図２に示すように、基材２２０との間に任意の層を介することなく、基材２２０の片面２２０Ｕに直接に形成されていてもよい。また、第１導電層２１０は、基材２２０との間に任意の層（図示せず。）を介して、基材２２０の面２２０Ｕに間接的に形成されていてもよい。

さらに、第２導電層２３０は、図２に示すように、基材２２０との間に任意の層を介することなく、基材２２０のもう片面２２０Ｄに直接に形成されていてもよい。また、第２導電層２３０は、基材２２０との間に任意の層（図示せず。）を介して、基材２２０の面２２０Ｄに間接的に形成されていてもよい。

（導電層）
第１導電層及び第２導電層は、電極、配線等として機能できる層であり、導電性材料で形成される。この導電性材料としては、可視波長において高い透過率を有し、且つ導電性を有する材料が好ましい。導電性材料としては、例えば、ＩＴＯ（インジウム錫オキサイド）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛オキサイド）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＩＷＯ（インジウムタングステンオキサイド）、ＩＴｉＯ（インジウムチタニウムオキサイド）、ＡＺＯ（アルミニウム亜鉛オキサイド）、ＧＺＯ（ガリウム亜鉛オキサイド）、ＸＺＯ（亜鉛系特殊酸化物）、ＩＧＺＯ（インジウムガリウム亜鉛オキサイド）等の導電性金属酸化物；カーボンナノチューブ、銀ナノワイヤー等の導電性ナノワイヤ；金属ナノインク；金属メッシュ；導電性ポリマー；などが挙げられる。また、これらの導電性材料は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組合わせて用いてもよい。

第１導電層及び第２導電層は、通常、それぞれパターン化され、所定のパターン形状を有している。第１導電層及び第２導電層のパターン形状は、タッチパネル（例えば、静電容量方式タッチパネル）として良好に動作できるパターンが好ましく、例えば、特表２０１１－５１１３５７号公報、特開２０１０－１６４９３８号公報、特開２００８－３１０５５０号公報、特表２００３－５１１７９９号公報、特表２０１０－５４１１０９号公報、米国特許第８０２６９０３号明細書に記載のパターンが挙げられる。

第１導電層及び第２導電層の表面抵抗値は、それぞれ、好ましくは２０００Ω／□以下、より好ましくは１５００Ω／□以下、特に好ましくは１０００Ω／□以下である。表面抵抗値がこのように低いことにより、タッチセンサ部材を用いて高性能のタッチパネルを実現できる。表面抵抗値の下限に特段の制限は無いが、製造が容易であることから、好ましくは１００Ω／□以上、より好ましくは２００Ω／□以上、特に好ましくは３００Ω／□以上である。

第１導電層及び第２導電層の波長４００ｎｍ～７００ｎｍの範囲における光線透過率は、それぞれ、好ましくは８５％以上であり、より好ましくは９０％以上であり、さらに好ましくは９５％以上である。

第１導電層及び第２導電層の厚みは、それぞれ、好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下、特に好ましくは１μｍ以下である。

（任意の層）
タッチセンサ部材は、基材、第１導電層及び第２導電層に組み合わせて、更に任意の層を含んでいてもよい。任意の層としては、例えば、第１導電層と基材との間に設けられた第１感光性樹脂層、第１導電層と基材との間に設けられたインデックスマッチング層、第２導電層と基材との間に設けられた第２感光性樹脂層、第２導電層と基材との間に設けられたインデックスマッチング層が挙げられる。

第１感光性樹脂層及び第２感光性樹脂層等の感光性樹脂層は、感光性樹脂によって形成された層である。これらの感光性樹脂層は、感光性樹脂の種類に応じて様々な機能を発揮できる。

例えば、ＪＩＳ Ｋ５７００に規定される鉛筆硬度試験で測定される硬化後の硬度が「ＨＢ」以上を示す感光性樹脂を用いることにより、感光性樹脂層としてハードコート層を得ることができる。このようなハードコート層を用いることにより、タッチセンサ部材の機械的強度を高めることができる。このようなハードコート層を形成できる感光性樹脂の種類としては、例えば、特開２０１３－２２６８０９号公報に記載のハードコート層の材料が挙げられる。

また、感光性樹脂は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組合わせて用いてもよい。

感光性樹脂層の厚みは、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは２μｍ以上であり、好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは１５μｍ以下である。

任意の層の形成方法は、特に制限は無い。例えば、第１感光性樹脂層及び第２感光性樹脂層等の感光性樹脂層は、基材上に感光性樹脂を塗工し、紫外線等の光を照射して感光性樹脂を硬化させて、形成することができる。また、感光性樹脂層と基材との接着強度を高める観点から、感光性樹脂の塗工前に、基材の表面に表面処理を施してもよい。

［９．タッチセンサ部材の製造方法］
タッチセンサ部材は、例えば、基材上に第１導電層及び第２導電層を形成し、これら第１導電層及び第２導電層をフォトリソグラフィーによってパターン化して、製造することができる。以下、この例に係るタッチセンサ部材の製造方法を、図面を用いて説明する。ただし、タッチセンサ部材の製造方法は、下記に説明するものに限定されない。

図３～図７は、いずれも、本発明の第二実施形態としてのタッチセンサ部材２００の製造方法を模式的に示す断面図である。
第二実施形態に係るタッチセンサ部材２００の製造方法は、図３に示すように、基材２２０の片面２２０Ｕに、直接又は任意の層（図示せず。）を介して、第１導電層２１０を形成する工程と；基材２２０のもう片面２２０Ｄに、直接又は任意の層（図示せず。）を介して、第２導電層２３０を形成する工程と；を含む。第１導電層２１０を形成する工程と、第２導電層２３０を形成する工程とは、同時に行ってもよく、非同時に行ってもよい。

第１導電層２１０及び第２導電層２３０の形成は、第１導電層２１０及び第２導電層２３０の材料に応じた適切な方法によって行うことができる。第１導電層２１０及び第２導電層２３０の形成方法の例としては、例えば、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームアシスト蒸着法、アーク放電プラズマ蒸着法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、鍍金法、ゾルゲル法、塗工法、及びこれらの組み合わせ等の方法が挙げられる。これらの中でも、蒸着法及びスパッタリング法が好ましく、スパッタリング法が特に好ましい。スパッタリング法では、厚みが均一な層を形成できるので、第１導電層２１０及び第２導電層２３０に局所的に薄い部分が発生することを抑制できる。

また、前記の第１導電層２１０及び第２導電層２３０の形成方法の中には、基材２２０が高温環境に曝されるものがある。そこで、基材２２０として、（Ｃ）条件下での試験後における熱収縮率がゼロに近いものを用いることが好ましい。これにより、熱による第１導電層２１０及び第２導電層２３０のパターン形状の変化を抑制することができるので、パターン形状の精度を高めることが可能である。

タッチセンサ部材２００の製造方法は、さらに、図４に示すように、第１導電層２１０上に、第１導電層２１０を被覆する第１レジスト層３１０を形成する工程と；第２導電層２３０上に、第２導電層２３０を被覆する第２レジスト層３２０を形成する工程と；を含む。第１レジスト層３１０を形成する工程と、第２レジスト層３２０を形成する工程とは、同時に行ってもよく、非同時に行ってもよい。

第１レジスト層３１０及び第２レジスト層３２０は、紫外線によって感光できるフォトレジストとしての感光性樹脂によって形成された層である。フォトレジストとしては、ポジ型のものを用いてもよく、ネガ型のものを用いてもよい。これらの第１レジスト層３１０及び第２レジスト層３２０は、例えば、フォトレジストの塗工によって形成することができる。このようなフォトレジストとしては、例えば、特開２００４－３４３２５号公報に記載のレジスト材料が挙げられる。

タッチセンサ部材２００の製造方法は、さらに、図５に示すように、第１レジスト層３１０及び第２レジスト層３２０に、同時に、紫外線Ｌ１及びＬ２で露光する工程を含む。この露光では、通常、パターンマスク３３０を通して紫外線Ｌ１を第１レジスト層３１０に照射することと、パターンマスク３４０を通して紫外線Ｌ２を第２レジスト層３２０に照射することとを、同時に行う。この露光により、第１レジスト層３１０及び第２レジスト層３２０の露光部分の溶解性が変化し、潜在的なレジストパターンが形成される。この際、基材２２０が紫外線Ｌ１及びＬ２を遮るので、紫外線Ｌ１は基材２２０に対して反対側の第２レジスト層３２０に影響せず、また、紫外線Ｌ２は基材２２０に対して反対側の第１レジスト層３１０に影響しない。よって、パターンマスク３３０及び３４０を精密に写し取った形状の潜在的なレジストパターンを、第１レジスト層３１０及び第２レジスト層３２０に形成することができる。

紫外線Ｌ１及びＬ２の光源は、特に限定されない。光源としては、例えば、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハライドランプ、エキシマランプ、ＬＥＤなどを挙げることができる。紫外線Ｌ１及びＬ２の積算光量は、通常、１００ｍＪ／ｃｍ²～１０００ｍＪ／ｃｍ²である。通常、フォトレジストは、紫外線領域に吸収を有するので、フォトレジストの硬化度は、基材２２０の紫外線領域における紫外線遮蔽性能に影響される。

タッチセンサ部材２００の製造方法は、さらに、図６に示すように、露光された第１レジスト層３１０を現像して、第１導電層２１０用のレジストパターンを形成する工程と；露光された第２レジスト層３２０を現像して、第２導電層２３０用のレジストパターンを形成する工程と；を含む。第１レジスト層３１０を現像する工程と、第２レジスト層３２０を現像する工程とは、同時に行ってもよく、非同時に行ってもよい。

現像を行うことにより、露光によって形成された潜在的なレジストパターンに応じて、第１レジスト層３１０の一部及び第２レジスト層３２０の一部が除去されて、レジストパターンが顕在化する。これにより、第１導電層２１０用のレジストパターンを有する第１レジスト層３１０及び第２導電層２３０用のレジストパターンを有する第２レジスト層３２０が得られる。

現像は、通常、現像液を浸漬、噴霧、塗布等の処理によって第１レジスト層３１０及び第２レジスト層３２０に接触させた後、必要に応じて洗浄液で洗浄することによって、行う。現像液の種類については特に限定されるものではないが、現像液は、露光部に顕著なダメージを与えないものが好ましい。また、フォトレジストがネガ型であれば、現像液としては、未露光部を選択的に除去できるものが好ましく、フォトレジストがポジ型であれば、現像液としては、露光部を選択的に除去できるものが好ましい。この際、現像液及び洗浄液として、酸性溶液又はアルカリ性溶液を用いることがある。そこで、基材２２０として、（Ａ）条件及び（Ｂ）条件の少なくとも一つの条件下での試験による限界応力変化率が小さいものを用いることが好ましい。これにより、現像液及び洗浄液等の薬品による基材２２０の劣化を抑制できるので、第１導電層２１０及び第２導電層２３０のパターン形状の精度を高めることができる。

タッチセンサ部材２００の製造方法は、さらに、図７に示すように、現像された第１レジスト層３１０で被覆されていない部分の第１導電層２１０をエッチングする工程と；現像された第２レジスト層３２０で被覆されていない部分の第２導電層２３０をエッチングする工程と；を含む。第１導電層２１０をエッチングする工程と、第２導電層２３０をエッチングする工程とは、同時に行ってもよく、非同時に行ってもよい。

エッチングを行うことにより、第１導電層２１０は、第１レジスト層３１０で被覆されていない部分は除去されるが、第１レジスト層３１０で被覆された部分は除去されない。また、エッチングを行うことにより、第２導電層２３０は、第２レジスト層３２０で被覆されていない部分は除去されるが、第２レジスト層３２０で被覆された部分は除去されない。これにより、第一レジスト層３１０のレジストパターン及び第二レジスト層３２０のレジストパターンに応じたパターン形状に、第１導電層２１０及び第２導電層２３０を成形することができる。

エッチングは、通常、エッチング液を第１導電層２１０及び第２導電層２３０に接触させた後、必要に応じて洗浄液で洗浄することによって、行う。この際、エッチング液及び洗浄液として、酸性溶液又はアルカリ性溶液を用いることがある。そこで、基材２２０として、（Ａ）条件及び（Ｂ）条件の少なくとも一つの条件下での試験による限界応力変化率が小さいものを用いることが好ましい。これにより、エッチング液及び洗浄液等の薬品による基材２２０の劣化を抑制できるので、第１導電層２１０及び第２導電層２３０のパターン形状の精度を高めることができる。

タッチセンサ部材２００の製造方法は、さらに、エッチングの後で、第１導電層２１０を被覆する第１レジスト層３１０を除去する工程と；第２導電層２３０を被覆する第２レジスト層３２０を除去する工程と；を含む。第１レジスト層３１０を除去する工程と、第２レジスト層３２０を除去する工程とは、同時に行ってもよく、非同時に行ってもよい。

エッチング後に、残留した第１レジスト層３１０及び第２レジスト層３２０を除去することにより、図２に示すように、所望のパターン形状を有する第１導電層２１０及び第２導電層２３０を含むタッチセンサ部材２００を得ることができる。このようにして得られたタッチセンサ部材２００では、フィッシュアイの形成が抑制された基材２２０上に第１導電層２１０及び第２導電層２３０が形成されるので、第１導電層２１０及び第２導電層２３０のパターン形状の精度を高めることができる。

第１レジスト層３１０及び第２レジスト層３２０の除去は、通常、除去液を第１レジスト層３１０及び第２レジスト層３２０に接触させた後、必要に応じて洗浄液で洗浄することによって、行う。この際、除去液及び洗浄液として、酸性溶液又はアルカリ性溶液を用いることがある。そこで、基材２２０として、（Ａ）条件及び（Ｂ）条件の少なくとも一つの条件下での試験による限界応力変化率が小さいものを用いることが好ましい。これにより、除去液及び洗浄液等の薬品による基材２２０の劣化を抑制できるので、第１導電層２１０及び第２導電層２３０のパターン形状の精度を高めることができる。

タッチセンサ部材２００の製造方法は、必要に応じて、上述した工程に組み合わせて更に任意の工程を含んでいてもよい。任意の工程としては、例えば、第１感光性樹脂層及び第２感光性樹脂層等の任意の層を形成する工程が挙げられる。任意の層を形成する時期は任意であり、例えば、第１感光性樹脂層は基材２２０の表面２２０Ｕに第１導電層２１０を形成する前に形成でき、また、第２感光性樹脂層は基材２２０の表面２２０Ｄに第２導電層２３０を形成する前に形成できる。さらに、任意の工程としては、例えば、第１レジスト層３１０及び第２レジスト層３２０を硬化するための加熱工程；液体を除去するための乾燥工程；などが挙げられる。

また、上述した製造方法において、各工程の順番は、所望のタッチセンサ部材２００が得られる限り任意である。

［１０．表示装置］
上述したタッチセンサ部材は、表示装置に組み込んで用いることができる。表示装置において、タッチセンサ部材は、通常、タッチパネルの一部として機能する。ここでは、タッチパネルとは、表示装置に設けられ、必要に応じて表示装置の表示面に表示された画像を参照しながら、所定の箇所に使用者が触れることで情報の入力を行えるように設けられた入力装置である。タッチパネルの操作検出方式の例としては、抵抗膜方式、電磁誘導方式及び静電容量方式等の方式が挙げられる。

タッチパネルを備える表示装置の表示方式は特に限定されず、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等の任意の表示装置の方式を採用できる。以下の説明において、「有機エレクトロルミネッセンス」を、適宜「有機ＥＬ」と略称することがある。

例えば、液晶表示装置は、通常、一対の基板と、その間に封入された液晶性化合物とを含む液晶セル；並びに、液晶セルのオモテ面側及びウラ面側に設けられた一対の偏光板を備える。通常、これら１対の偏光板のうち、一方が視認側の偏光板であり、他方が光源側の偏光板である。また、液晶表示装置は、各偏光板の一方の面もしくは両面に、保護フィルムを備えていてもよい。さらに、前記の液晶表示装置は、視認側の偏光板と液晶セル基板との間に光学補償層を備えていてもよく、また、光源側の偏光板と液晶セル基板との間に光学補償層を備えていてもよい。また、有機ＥＬ表示装置は、視認側の偏光板；反射防止のための位相差フィルム（例えば、λ／４波長板など）；及び、有機ＥＬ素子を備える。このような表示装置において、タッチセンサ部材を設ける位置は、特に限定されない。

例えば液晶表示装置では、タッチセンサ部材は、液晶表示装置の視認側の偏光板よりも外側（視認側）の位置（アウトセル型）に設けられていてもよい。
アウトセル型の液晶表示装置の具体例を挙げると、タッチセンサ基材が光学等方性のフィルムである場合、当該液晶表示装置は、液晶セル、光学補償層、任意の保護フィルム、視認側の偏光板、任意の保護フィルム、位相差層、及び、タッチセンサ部材を、この順に備えていてもよい。この液晶表示装置において、視認側の偏光板と位相差層との組み合わせは、円偏光板として機能していてもよい。

また、別の具体例を挙げると、タッチセンサ基材が光学異方性のフィルムである場合、アウトセル型の液晶表示装置は、液晶セル、光学補償層、任意の保護フィルム、視認側の偏光板、任意の光学等方性フィルム（保護フィルム）、及び、タッチセンサ部材を、この順に備えていてもよい。この液晶表示装置において、視認側の偏光板とタッチセンサ部材との組み合わせは、円偏光板として機能していてもよい。

例えば、タッチセンサ部材は、液晶表示装置の視認側の偏光板と液晶セルとの間の位置（ミッドセル型、又は、オンセル型）に設けられていてもよく、液晶セルよりも内側（表示面とは反対側）の位置（インセル型）に設けられていてもよい。
具体例を挙げると、タッチセンサ基材が光学等方性のフィルムである場合、液晶表示装置は、液晶セル、光学補償層、タッチセンサ部材、任意の保護フィルム、視認側の偏光板、任意の保護フィルム、及び、位相差層を、この順に備えていてもよい。この液晶表示装置において、視認側の偏光板と位相差層との組み合わせは、円偏光板として機能していてもよい。

また、別の具体例を挙げると、タッチセンサ基材が光学異方性のフィルムである場合、液晶表示装置は、液晶セル、光学補償層、タッチセンサ部材、任意の保護フィルム、視認側の偏光板、任意の保護フィルム、及び、任意の光学等方性フィルムを、この順に備えていてもよい。この液晶表示装置において、視認側の偏光板とタッチセンサ部材との組み合わせは、円偏光板として機能していてもよい。

前記の液晶表示装置の例において、位相差層は、必要に応じて、紫外線カット性能を有していてもよい。位相差層としては、１／４波長板として機能できるものが好ましい。位相差層の好ましい例としては、樹脂フィルム；逆波長分散性液晶化合物、順波長分散性液晶化合物、フラット分散性液晶化合物等の液晶化合物を含む組成物の硬化物膜；１／２波長板と１／４波長板とを組み合わせて含む広帯域１／４波長板；などが挙げられる。

また、前記の液晶表示装置の例において、光学補償層は、例えば、ネガティブＢフィルムとポジティブＢフィルムとを組み合わせて含む複層フィルム；逆波長分散性液晶化合物を含む組成物の硬化物膜とポジティブＣフィルムとを組み合わせて含む複層フィルム；などでありうる。

例えば有機ＥＬ表示装置では、液晶表示装置と同様に、タッチセンサ部材は、有機ＥＬ表示装置の視認側の偏光板よりも外側（視認側）の位置（アウトセル型）に設けられていてもよい。
アウトセル型の有機ＥＬ表示装置の具体例を挙げると、タッチセンサ基材が光学等方性のフィルムである場合、当該有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子、反射防止機能層、任意の保護フィルム、視認側の偏光板、任意の保護フィルム、位相差層、及び、タッチセンサ部材を、この順に備えていてもよい。この有機ＥＬ表示装置において、反射防止機能層と視認側の偏光板との組み合わせは円偏光板として機能していてもよく、また、視認側の偏光板と位相差層との組み合わせは円偏光板として機能していてもよい。

また、別の具体例を挙げると、タッチセンサ基材が光学異方性のフィルムである場合、アウトセル型の有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子、反射防止機能層、任意の保護フィルム、視認側の偏光板、任意の光学等方性フィルム（保護フィルム）、及び、タッチセンサ部材を、この順に備えていてもよい。この有機ＥＬ表示装置において、反射防止機能層と視認側の偏光板との組み合わせは円偏光板として機能していてもよく、また、視認側の偏光板とタッチセンサ部材との組み合わせは、円偏光板として機能していてもよい。

例えば、タッチセンサ部材は、有機ＥＬ表示装置の視認側の偏光板と有機ＥＬ素子との間の位置（インセル型、又は、ミッドセル型）に設けられていてもよい。
具体例を挙げると、タッチセンサ基材が光学等方性フィルムである場合、有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子、反射防止機能層、タッチセンサ部材、任意の保護フィルム、視認側の偏光板、任意の保護フィルム、及び、位相差層を、この順に備えていてもよい。この有機ＥＬ表示装置において、反射防止機能層と視認側の偏光板との組み合わせは円偏光板として機能していてもよく、また、視認側の偏光板と位相差層との組み合わせは円偏光板として機能していてもよい。

また、別の具体例を挙げると、タッチセンサ基材が光学異方性のフィルムである場合、有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子、タッチセンサ部材、任意の保護フィルム、視認側の偏光板、任意の保護フィルム、及び、位相差層を、この順に備えていてもよい。この有機ＥＬ表示装置において、タッチセンサ部材と視認側の偏光板との組み合わせは円偏光板として機能していてもよく、また、視認側の偏光板と位相差層との組み合わせは円偏光板として機能していてもよい。

前記の有機ＥＬ表示装置の例において、位相差層は、必要に応じて、紫外線カット性能を有していてもよい。位相差層としては、１／４波長板として機能できるものが好ましい。位相差層の好ましい例としては、液晶表示装置における位相差層と同じものが挙げられる。

また、前記の有機ＥＬ表示装置の例において、反射防止機能層は、例えば、液晶表示装置における光学補償層と同じものが挙げられる。また、反射防止機能層は、例えば、位相差層と同様の層であってよく、中でも、１／４波長板として機能できる層が好ましい。

以下、実施例を示して本発明について具体的に説明する。ただし、本発明は以下に示す実施例に限定されるものでは無く、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。以下の説明において、量を表す「％」及び「部」は、別に断らない限り、重量基準である。また、以下に説明する操作は、別に断らない限り、常温常圧大気中において行った。

［評価方法］
〔ガラス転移温度の測定方法〕
窒素雰囲気下で３００℃に加熱した試料を液体窒素で急冷し、示差操作熱量計（ＤＳＣ）を用いて、１０℃／分で昇温して試料のガラス転移温度を測定した。

〔タッチセンサ基材の透過率の測定方法〕
タッチセンサ基材の幅方向に１００ｍｍ間隔で並ぶ複数（後述する実施例及び比較例では、１４点）の測定点を設定した。各測定点を中心として、タッチセンサ基材を正方形（１辺５０ｍｍ）に切り取り、１４枚のサンプルシートを得た。これらのサンプルシートを用いて、各測定点での測定波長３８０ｎｍでの透過率を測定した。この透過率の測定は、紫外可視近赤外分光光度計（日本分光社製「Ｖ－７２００」）を用いて行った。得られた１４点での測定結果を平均して、平均透過率を計算した。また、得られた１４点での測定結果の標準偏差σを計算した。

〔タッチセンサ基材のレターデーションの測定方法〕
前記の透過率の測定に用いた１４枚のサンプルシートを用いて、そのサンプルシートの中心にある各測定点での面内レターデーション及び厚み方向のレターデーションを測定した。この測定は、測定波長５５０ｎｍにおいて、位相差計（王子計測社製「ＫＯＢＲＡ－２１ＡＤＨ」）を用いて行った。得られた１４点での測定結果を平均して、タッチセンサ基材の面内レターデーションの平均値及び厚み方向のレターデーションの平均値を計算した。

〔タッチセンサ基材の全体の厚みの測定方法〕
タッチセンサ基材の全体の厚みＤを、接触式厚み計を用いて測定した。

〔コア層の厚み比の測定方法〕
製造例１～４で用いた紫外線吸収剤を用いて、既知の濃度Ｃ₀（％）、既知の厚みｄ₀（μｍ）の単層フィルムを作製した。この単層フィルムの波長３８０ｎｍにおける透過率Ｔ₁（％）を測定した。測定された透過率Ｔ₁と、単層フィルムの紫外線吸収剤の濃度Ｃ₀及び厚みｄ₀とから、ランベルト・ベール則の下記の式（Ａ）により、波長３８０ｎｍにおける紫外線吸収剤の濃度吸光係数εを計算した。
また、製造例５で用いたレーザー吸収剤は、紫外線波長領域での吸収は実質的に無い。そこで、製造例５で用いた紫外線吸収剤及びレーザー吸収剤を組み合わせて含む添加剤混合系の波長３８０ｎｍにおける濃度吸光係数も、先に求めたεと同じ値と見做した。

別途、紫外線吸収剤およびレーザー吸収剤を含まないこと以外は各実施例及び比較例で用いたコア層形成用の樹脂と同じ組成を有する樹脂を用意した。こうして用意した紫外線吸収剤およびレーザー吸収剤を含まない樹脂を用いて、既知の厚みの単層フィルムを作製した。この単層フィルムの透過率Ｔ₀を測定した。なお、前記の単層フィルムの厚みは、原則、各実施例及び比較例でのタッチセンサ基材の全体の厚みＤに一致させるべきものである。しかし、各実施例及び比較例で使用されているノルボルネン系重合体は、各実施例及び比較例でのタッチセンサ基材の全体の厚みＤの範囲（具体的には、２５μ～５５μｍ）では、波長３８０ｎｍの透過率は同程度である。よって、本明細書に示す実施例及び比較例では、各実施例及び比較例でのタッチセンサ基材の全体の厚みＤと同じ厚みの単層フィルムの透過率を、既知のある厚みの単層フィルムの透過率Ｔ₀によって近似している。

さらに、各実施例及び比較例で得られたタッチセンサ基材の透過率Ｔを測定した。そして、測定された透過率Ｔを用いて、下記の式（Ｂ）により、そのタッチセンサ基材に含まれるコア層の厚みｄ_cを計算した。式（Ｂ）において、Ｃはコア層形成用の樹脂における紫外線吸収剤の濃度（重量％）を表し、Ｔはタッチセンサ基材の透過率（％）を表し、εは濃度吸光係数を表し、ｄ_cはタッチセンサ基材のコア層の厚み（μｍ）を表す。

タッチセンサ基材の全体の厚みＤと、式（Ｂ）を用いて計算されたコア層の厚みｄ_cとを用いて、第１スキン層と第２スキン層の合計厚み（Ｄ－ｄ_c）に対するコア層の厚みｄ_cの比ｄ_c／（Ｄ－ｄ_c）を求めた。

ここで、透過率の測定波長は３８０ｎｍであり、透過率の測定装置としては紫外可視近赤外分光光度計（日本分光社製「Ｖ－７２００」）を用いた。

〔フィッシュアイの評価方法〕
光学式表面検査装置（株式会社メック社製「ＬＳＣ－６０００」）を用いて、得られたフィルムのフィッシュアイの数を計測した。フィルムの長さ４０００ｍの範囲で前記のフィッシュアイの数を計測し、１ｍ²あたりの個数を算出した。この１ｍ²当たりのフィッシュアイの個数により、フィッシュアイを評価した。

〔タッチセンサ基材のレーザー光による加工性の評価方法〕
実施例又は比較例で製造したタッチセンサ基材を、評価サンプルとして、ガラス板（厚さ１．５ｍｍ）の上に置いた。タッチセンサ基材に、波長９．４μｍのＣＯ₂レーザー光を当てた。レーザー光の出力は、評価サンプルのガラス板以外の部分が切断できるよう調整した。具体的には、レーザー光の出力は、最初は低出力に設定し、次第に上げていき、評価サンプルのガラス板以外の部分が切断できた時点又はガラス板が割れた時点でレーザー光の照射を停止した。前記のようにレーザー光を照射した後で評価サンプルを目視で観察し、下記の基準で評価した。
「Ａ」：ガラス板を傷つけずに、評価サンプルのガラス板以外の部分を切断でき、切断面が平坦で良好な切断状態であった。
「Ｂ」：評価サンプルが切断できないか、もしくは、ガラス板が割れた。

〔限界応力変化率の測定方法〕
（治具の説明）
図８は、実施例及び比較例において用いた治具４００を模式的に示す斜視図である。図８では、治具４００を、当該治具４００の延在方向に垂直な平面で切った様子を示す。
図８に示すように、治具４００は、柱状の治具であり、その側面として、曲面４１０を有する。治具４００の曲面４１０は、治具４００の延在方向に垂直な平面で切った断面４２０での形状が、「（ｘ／１００）²＋（ｙ／４０）²＝１」で表される楕円の一部（０ｍｍ≦ｘ≦１００ｍｍ、０ｍｍ≦ｙ≦４０ｍｍの部分）となっている。

（試験前の限界応力の測定方法の説明）
タッチセンサ基材を、１０ｍｍ×１００ｍｍの矩形に切断して、試験片を得た。この試験片は、長さ１０ｍｍの辺がタッチセンサ基材の幅方向に平行であり、長さ１００ｍｍの辺がタッチセンサ基材の長手方向に平行であった。
ＪＩＳ Ｋ ７１７１に基づいて、試験片の曲げ弾性率Ｅｂ（ＭＰａ）を測定した。この試験片を、治具４００の曲面４１０の曲率が小さい方の端部４３０を始点として、曲面４１０に沿って曲げた。すなわち、試験片を、曲面４１０の形状を表す楕円の（ｘ＝０ｍｍ、ｙ＝４０ｍｍ）で示される端部４３０に接触させ、この端部４３０の接触を維持したまま曲面４１０に巻きつけるように５時間、曲げた。

曲げられた試験片では、楕円の曲率に沿って歪みが連続的に変化しているので、クラックが生じた位置を測定することにより、どの程度の応力でクラックが発生するのかを評価することができる。そこで、このクラックが発生した位置と、始点としての端部４３０との前記楕円上での距離Ｌ（ｃｍ）及び試験片の厚みＤ（ｃｍ）を用いて、下記の式（Ｃ）から、歪みＥ（－）を計算した。
Ｅ＝０．０２×（１－０．００８４×Ｌ²）^-3/2×Ｄ （Ｃ）

その後、得られた歪みＥと試験片の曲げ弾性率Ｅｂとを掛け算して、試験前の限界応力（ｋＰａ）を得た。限界応力が高いほど、クラックが発生し難い傾向がある。ただし、いずれの実施例及び比較例でも、試験前の試験片には、何れもクラックは発生しなかった。そこで、各実施例及び比較例では、Ｌ＝１０ｃｍとして、試験前の歪みＥを求めた。

（（Ａ）条件での試験後の限界応力の測定方法の説明）
曲げ弾性率Ｅｂ及び歪みＥの測定前に、試験片を、２５℃±２℃で、濃度１０％の塩酸水溶液に、１時間浸漬した（（Ａ）条件での試験）。この事項以外は、前記（試験前の限界応力の測定方法の説明）と同じ操作により、（Ａ）条件での試験後の限界応力の測定を行った。
（Ａ）条件での試験後の限界応力と試験前の限界応力との差を、試験前の限界応力で割算して、（Ａ）条件での試験による限界応力の変化率を計算した。また、クラックが発生しなかった場合は、変化率は０％とした。

（（Ｂ）条件での試験後の限界応力の測定方法の説明）
曲げ弾性率Ｅｂ及び歪みＥの測定前に、試験片を、２５℃±２℃で、濃度５％のＮａＯＨ水溶液に、１時間浸漬した（（Ｂ）条件での試験）。この事項以外は、前記（試験前の限界応力の測定方法の説明）と同じ操作により、（Ｂ）条件での試験後の限界応力の測定を行った。
（Ｂ）条件での試験後の限界応力と試験前の限界応力との差を、試験前の限界応力で割算して、（Ｂ）条件での試験による限界応力の変化率を計算した。また、クラックが発生しなかった場合は、変化率は０％とした。

〔熱収縮率の測定方法〕
室温２３℃の環境下で、タッチセンサ基材を１５０ｍｍ×１５０ｍｍの正方形に切り出して、試料フィルムを得た。この試料フィルムの４辺のうち、２辺はタッチセンサ基材の幅方向に平行であり、２辺はタッチセンサ基材の長手方向に平行であった。その後、試料フィルムを、１４５℃の環境に６０分静置した（（Ｃ）条件での試験）。その後、試料フィルムを２３℃（室温）まで冷却した。冷却後の資料フィルムの４辺のうち、熱収縮率Ｓを測定したい方向に平行な２辺の長さＬ１（ｍｍ）及びＬ２（ｍｍ）を測定した。測定された長さＬ１及びＬ２に基づいて、下記の式（Ｄ）から、その測定方向の熱収縮率Ｓを計算した。
熱収縮率Ｓ（％）＝［（３００－Ｌ１－Ｌ２）／３００］×１００ （Ｄ）

［製造例１．熱可塑性樹脂（Ｊ１）の製造］
非晶性のノルボルネン系重合体（日本ゼオン社製、ガラス転移温度Ｔｇ＝１２６℃）としての熱可塑性樹脂（Ｊ０）のペレットを、１００℃で５時間乾燥させた。乾燥させたペレット１００部と、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤（ＡＤＥＫＡ社製「ＬＡ－３１」）１０．０部とを、二軸押出機により混合した。得られた混合物を、単軸押出機に接続されたホッパーへ投入し、単軸押出機から溶融押し出して、熱可塑性樹脂（Ｊ１）を得た。この熱可塑性樹脂（Ｊ１）は、紫外線吸収剤の含有量は９．１重量％であり、ガラス転移温度Ｔｇは１１７℃であった。

［製造例２．熱可塑性樹脂（Ｊ２）の製造］
ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤（ＡＤＥＫＡ社製「ＬＡ－３１」）の量を１２．０部に変更した。以上の事項以外は、製造例１と同じ操作を行って、熱可塑性樹脂（Ｊ２）を得た。この熱可塑性樹脂（Ｊ２）は、紫外線吸収剤の含有量は１０．７重量％であり、ガラス転移温度Ｔｇは１１４℃であった。

［製造例３．熱可塑性樹脂（Ｊ３）の製造］
ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤（ＡＤＥＫＡ社製「ＬＡ－３１」）の量を７．５部に変更した。以上の事項以外は、製造例１と同じ操作を行って、熱可塑性樹脂（Ｊ３）を得た。この熱可塑性樹脂（Ｊ３）は、紫外線吸収剤の含有量は７．０重量％であり、ガラス転移温度Ｔｇは１１９℃であった。

［製造例４．熱可塑性樹脂（Ｊ４）の製造］
ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤（ＡＤＥＫＡ社製「ＬＡ－３１」）の量を５．５部に変更した。以上の事項以外は、製造例１と同じ操作を行って、熱可塑性樹脂（Ｊ４）を得た。この熱可塑性樹脂（Ｊ４）は、紫外線吸収剤の含有量は５．２重量％であり、ガラス転移温度Ｔｇは１２１℃であった。

［製造例５．熱可塑性樹脂（Ｊ５）の製造］
非晶性のノルボルネン系重合体のペレットの種類を、ガラス転移温度Ｔｇが１６３℃の非晶性のノルボルネン系重合体に変更した。
また、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤（ＡＤＥＫＡ社製「ＬＡ－３１」）の量を１２．０部に変更した。
さらに、前記のノルボルネン系重合体及びベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤に組み合わせて、更にレーザー吸収剤（ペンタエリスリトールテトラベンゾエート、分子量５５２、融点１０２．０℃～１０６．０℃、９μｍ～１１μｍの範囲に波長を有するレーザー光を吸収可能な化合物）５．０部を混合して、混合物を得た。
以上の事項以外は、製造例１と同じ操作を行って、熱可塑性樹脂（Ｊ５）を得た。この熱可塑性樹脂（Ｊ５）は、紫外線吸収剤の含有量は１０．３重量％であり、ガラス転移温度Ｔｇは１２６℃であった。

［製造例６．感光性樹脂層形成用のハードコート剤の製造］
五酸化アンチモンのメチルイソブチルケトンゾル（固形分濃度４０％：触媒化成工業社製）１００重量部に、ＵＶ硬化型ウレタンアクリレート（日本合成化学工業社製「紫光ＵＶ７６４０Ｂ」）１０重量部、光重合開始剤（「チバガイギー社製」イルガキュア－１８４）０．４重量部、及び、フッ素化アルキル基含有オリゴマー（大日本インキ化学工業社製「メガファックＦ４７０」）０．２重量部を混合して、ＵＶ硬化型のハードコート剤を得た。

［実施例１］
目開き３μｍのリーフディスク形状のポリマーフィルター備える、ダブルフライト型単軸押出機（スクリューの直径Ｄ＝５０ｍｍ、スクリューの有効長さＬとスクリュー径Ｄとの比Ｌ／Ｄ＝３２）を用意した。この単軸押出機に、コア層形成用の樹脂として、製造例１で得られた熱可塑性樹脂（Ｊ１）を導入し、溶融させた。そして、溶融した熱可塑性樹脂（Ｊ１）を、押出機出口温度２６５℃、押出機のギヤポンプの回転数１０ｒｐｍの条件で、マルチマニホールドダイに供給した。このマルチマニホールドダイのダイスリップの表面粗さＲａは、０．１μｍであった。

他方、目開き３μｍのリーフディスク形状のポリマーフィルターを備える、単軸押出機（スクリューの直径Ｄ＝５０ｍｍ、スクリューの有効長さＬとスクリューの直径Ｄとの比Ｌ／Ｄ＝３２）を用意した。この単軸押出機に、第一スキン層及び第二スキン層形成用の熱可塑性樹脂（Ｊ６）として、１００℃で５時間乾燥させた非晶性のノルボルネン系重合体のペレット（日本ゼオン社製、ガラス転移温度Ｔｇ＝１６３℃）を導入し、溶融させた。そして、溶融した熱可塑性樹脂（Ｊ６）を、押出機出口温度２９０℃、押出機のギヤポンプの回転数４ｒｐｍの条件で、前記のマルチマニホールドダイに供給した。

次いで、第一スキン層形成用の樹脂の層、コア層形成用の樹脂の層、及び、第二スキン層形成用の樹脂の層の３層を含むフィルム状に吐出されるように、前記の溶融状態の熱可塑性樹脂（Ｊ１）及び熱可塑性樹脂（Ｊ６）を、マルチマニホールドダイから、ダイ温度２７７℃で共押し出しした。そして、押し出された熱可塑性樹脂（Ｊ１）及び熱可塑性樹脂（Ｊ６）を、１５０℃に温度調整された冷却ロールにキャストして、「熱可塑性樹脂（Ｊ６）で形成された第１スキン層」／「熱可塑性樹脂（Ｊ１）で形成されたコア層」／「熱可塑性樹脂（Ｊ６）で形成された第２スキン層」の２種３層からなる複層フィルムを得た。２種３層からなる複層フィルムとは、即ち、２種類の樹脂からなる３層構造のフィルムを表す。得られた複層フィルムは、幅１４５０ｍｍ、厚み５５μｍであった。また、前記の共押し出しでは、エアギャップ量を５０ｍｍとし、溶融状態のフィルム状の樹脂を冷却ロールにキャストする方法として、エッジピニングを採用した。こうして得られた複層フィルムの幅方向の両端５０ｍｍずつをトリミングして、幅１３５０ｍｍ、長さ４０００ｍの長尺のタッチセンサ基材を得た。
得られたタッチセンサ基材について、上述した方法で評価を行った。

［実施例２］
コア層形成用の樹脂として、製造例１で得られた熱可塑性樹脂（Ｊ１）の代わりに、製造例２で得られた熱可塑性樹脂（Ｊ２）を用いた。また、共押出時の条件を調整して、タッチセンサ基材に含まれる各層の厚みを変更した。
以上の事項以外は、実施例１と同じ操作によって、タッチセンサ基材の製造及び評価を行った。

［実施例３］
コア層形成用の樹脂として、製造例１で得られた熱可塑性樹脂（Ｊ１）の代わりに、製造例５で得られた熱可塑性樹脂（Ｊ５）を用いた。また、共押出時の条件を調整して、タッチセンサ基材に含まれる各層の厚みを変更した。
以上の事項以外は、実施例１と同じ操作によって、タッチセンサ基材の製造及び評価を行った。

［実施例４］
共押出時の条件を調整して、タッチセンサ基材に含まれる各層の厚みを変更した。
以上の事項以外は、実施例１と同じ操作によって、タッチセンサ基材の製造及び評価を行った。

［実施例５］
コア層形成用の樹脂として、製造例１で得られた熱可塑性樹脂（Ｊ１）の代わりに、製造例５で得られた熱可塑性樹脂（Ｊ５）を用いた。また、共押出時の条件を調整して、タッチセンサ基材に含まれる各層の厚みを変更した。
以上の事項以外は、実施例１と同じ操作によって、タッチセンサ基材の製造及び評価を行った。

［実施例６］
実施例１で得られたタッチセンサ基材を、当該タッチセンサ基材の長手方向に対して４５°の角度をなす斜め方向に延伸した。この延伸は、延伸温度１８０℃、延伸倍率２．０倍の条件で行った。延伸後のタッチセンサ基材について、上述した方法により評価を行った。

［比較例１］
コア層形成用の樹脂として、製造例１で得られた熱可塑性樹脂（Ｊ１）の代わりに、製造例３で得られた熱可塑性樹脂（Ｊ３）を用いた。また、第１スキン層形成用の樹脂、及び、第２スキン層形成用の樹脂として、熱可塑性樹脂（Ｊ６）の代わりに、熱可塑性樹脂（Ｊ０）を用いた。以上の事項以外は、実施例１と同じ操作によって、タッチセンサ基材の製造及び評価を行った。

［比較例２］
コア層形成用の樹脂として、製造例１で得られた熱可塑性樹脂（Ｊ１）の代わりに、製造例３で得られた熱可塑性樹脂（Ｊ３）を用いた。
以上の事項以外は、実施例１と同じ操作によって、タッチセンサ基材の製造及び評価を行った。

［比較例３］
コア層形成用の樹脂として、製造例１で得られた熱可塑性樹脂（Ｊ１）の代わりに、製造例４で得られた熱可塑性樹脂（Ｊ４）を用いた。また、共押出時の条件を調整して、タッチセンサ基材に含まれる各層の厚みを変更した。
以上の事項以外は、実施例１と同じ操作によって、タッチセンサ基材の製造及び評価を行った。

［実施例１～６及び比較例１～３の結果］
前記の実施例１～６及び比較例１～３の結果を、下記の表に示す。下記の表において、略称の意味は、以下の通りである。
ＵＶＡ量：樹脂中の紫外線吸収剤の濃度。
ＵＶ透過率：タッチセンサ基材の波長３８０ｎｍでの幅方向における平均透過率。
透過率の標準偏差：タッチセンサ基材の幅方向における波長３８０ｎｍでの透過率の標準偏差。
平均Ｒｅ：タッチセンサ基材の面内レターデーションの平均。
平均Ｒｔｈ：タッチセンサ基材の厚み方向のレターデーションの平均。

［実施例７］
実施例１で製造した長尺のタッチセンサ基材を、５０ｍｍ四方の正方形に切り出して、基材片を得た。こうして得た基材片の両面に、製造例６で得たＵＶ硬化型のハードコート剤を感光性樹脂として塗工した。その後、紫外線を照射して感光性樹脂を硬化させて、第１感光性樹脂層及び第２感光性樹脂層としてのハードコート層を形成した。形成されたハードコート層の厚みは、それぞれ３μｍであった。

両方のハードコート層の表面に、スパッタリング法によって、第１導電層及び第２導電層としての酸化インジウム・スズ層（ＩＴＯ層）を形成した。ＩＴＯ層は、ハードコート層の表面全体に、光学膜厚４０ｎｍで形成された。

次いで、両方のＩＴＯ層上に、フォトレジストとしてのネガ型感光性樹脂（旭化成ケミカルズ社製「ＡＰＲ－Ｋ１１」）を塗工して、第１レジスト層及び第２レジスト層としてのネガ型感光性樹脂層を形成した。これにより、ネガ型感光性樹脂層、ＩＴＯ層、ハードコート層、基材片、ハードコート層、ＩＴＯ層及びネガ型可能性樹脂層を、厚み方向においてこの順に含む、複層中間体を得た。

次いで、複層中間体の両方のネガ型感光性樹脂層に、それぞれ、パターン形状が異なるフォトマスクを介して、同時に積算光量が４００ｍＪ／ｃｍ²の紫外線による露光を行った。

次いで、両方のネガ型感光性樹脂層を現像して、露光部分以外のネガ型感光性樹脂を除去して、ネガ型感光性樹脂層にレジストパターンを形成した。

次いで、複層中間体の両面にエッチング処理を行うことによって、ネガ型感光性樹脂層で被覆されていないＩＴＯ層の部分をエッチングした。

次いで、ＩＴＯ層の表面に残留したネガ型感光性樹脂を除去した。これにより、パターニングされたＩＴＯ層、ハードコート層、基材片、ハードコート層、及び、パターニングされたＩＴＯ層を、厚み方向においてこの順に含むタッチセンサ部材を得た。

得られたタッチセンサ部材の両面に形成されたパターン形状を顕微鏡で観察した。観察の結果、パターン精度が完全に維持されている場合には「〇」と判定し、パターン精度が部分的に破壊している場合には「△」と判定し、パターン精度が完全に破壊している場合には「×」と判定した。

［実施例８］
実施例１で製造したタッチセンサ基材の代わりに、実施例２で製造したタッチセンサ基材を用いたこと以外は、実施例７と同じ操作を行って、タッチセンサ部材の製造及び評価を行った。

［実施例９］
実施例１で製造したタッチセンサ基材の代わりに、実施例３で製造したタッチセンサ基材を用いたこと以外は、実施例７と同じ操作を行って、タッチセンサ部材の製造及び評価を行った。

［比較例４］
実施例１で製造したタッチセンサ基材の代わりに、比較例１で製造したタッチセンサ基材を用いたこと以外は、実施例７と同じ操作を行って、タッチセンサ部材の製造及び評価を行った。

［比較例５］
実施例１で製造したタッチセンサ基材の代わりに、比較例３で製造したタッチセンサ基材を用いたこと以外は、実施例７と同じ操作を行って、タッチセンサ部材の製造及び評価を行った。

［実施例７～９及び比較例４～５の結果］
前記の実施例７～９及び比較例４～５の結果を、下記の表に示す。

この結果から、タッチセンサ基材の平均透過率が小さいほど、両面露光による反対側へのパターン精度に対する影響は少なく、平均透過率が大きいほど、両面露光で反対側のパターン精度に影響が大きいことが分かる。また、フィッシュアイが多いタッチセンサ基材では、異物という観点より好ましくない。

１００ タッチセンサ基材
１１０ 第１スキン層
１２０ コア層
１３０ 第２スキン層
２００ タッチセンサ部材
２１０ 第１導電層
２２０ 基材
２２０Ｄ、２２０Ｕ 基材の表面
２３０ 第２導電層
３１０ 第１レジスト層
３２０ 第２レジスト層
３３０ パターンマスク
３４０ パターンマスク
４００ 治具
４１０ 曲面
４２０ 断面
４３０ 曲面の端部

Claims (17)

1. 長尺のタッチセンサ基材であって、
   前記タッチセンサ基材が、熱可塑性樹脂Ｓ１で形成された第１スキン層、熱可塑性樹脂Ｃで形成されたコア層、及び、熱可塑性樹脂Ｓ２で形成された第２スキン層を、この順に含み、
   前記熱可塑性樹脂Ｓ１、前記熱可塑性樹脂Ｓ２、及び、前記熱可塑性樹脂Ｃが、脂環式構造を含有する重合体を含み、
   前記熱可塑性樹脂Ｓ１のガラス転移温度Ｔｇ（ｓ１）が、１５０℃以上であり、
   前記熱可塑性樹脂Ｓ２のガラス転移温度Ｔｇ（ｓ２）が、１５０℃以上であり、
   前記熱可塑性樹脂Ｃのガラス転移温度Ｔｇ（ｃ）が、下記式（１）及び式（２）
   Ｔｇ（ｓ１）－Ｔｇ（ｃ）＞１５℃ （１）
   Ｔｇ（ｓ２）－Ｔｇ（ｃ）＞１５℃ （２）
   を満たし、
   波長３８０ｎｍでの幅方向における平均透過率が、０．１％以下である、タッチセンサ基材。
2. 前記タッチセンサ基材の幅方向における波長３８０ｎｍでの透過率の標準偏差が、０．０２％以下である、請求項１記載のタッチセンサ基材。
3. 前記熱可塑性樹脂Ｃのガラス転移温度Ｔｇ（ｃ）、前記熱可塑性樹脂Ｓ１のガラス転移温度Ｔｇ（ｓ１）、及び、前記熱可塑性樹脂Ｓ２のガラス転移温度Ｔｇ（ｓ２）が、下記式（３）及び式（４）
   Ｔｇ（ｓ１）－Ｔｇ（ｃ）＞３０℃ （３）
   Ｔｇ（ｓ２）－Ｔｇ（ｃ）＞３０℃ （４）
   を満たす、請求項１又は２記載のタッチセンサ基材。
4. 下記（Ａ）条件及び（Ｂ）条件の少なくとも一つの条件下での試験による前記タッチセンサ基材の限界応力変化率が、２０％以下であり、
   下記（Ｃ）条件下での試験後における、前記タッチセンサ基材の長手方向の熱収縮率及び幅方向の熱収縮率が、いずれも±０．１％以内である、請求項１～３のいずれか一項に記載のタッチセンサ基材。
   （Ａ）条件：タッチセンサ基材を、２５℃±２℃で、濃度１０％の塩酸水溶液に、１時間浸漬する。
   （Ｂ）条件：タッチセンサ基材を、２５℃±２℃で、濃度５％のＮａＯＨ水溶液に、１時間浸漬する。
   （Ｃ）条件：タッチセンサ基材を、１４５℃の環境に６０分静置する。
5. 前記タッチセンサ基材の厚みが、２０μｍ以上６０μｍ以下である、請求項１～４のいずれか一項に記載のタッチセンサ基材。
6. 前記タッチセンサ基材の波長５５０ｎｍにおける面内レターデーションが、８５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である、請求項１～５のいずれか一項に記載のタッチセンサ基材。
7. 前記タッチセンサ基材が、斜め延伸フィルムである、請求項１～６のいずれか一項に記載のタッチセンサ基材。
8. 前記タッチセンサ基材の波長５５０ｎｍにおける面内レターデーションが、０ｎｍ以上１０ｎｍ以下である、請求項１～５のいずれか一項に記載のタッチセンサ基材。
9. 前記第１スキン層と前記第２スキン層の合計厚みに対する前記コア層の厚みの比が、１．０以下である、請求項１～８のいずれか一項に記載のタッチセンサ基材。
10. 前記第１スキン層を形成する熱可塑性樹脂Ｓ１、前記第２スキン層を形成する熱可塑性樹脂Ｓ２、及び、前記コア層を形成する熱可塑性樹脂Ｃが、ノルボルネン系重合体を含む、請求項１～９のいずれか一項に記載のタッチセンサ基材。
11. 前記熱可塑性樹脂Ｃが、レーザー吸収剤を含む、請求項１～１０のいずれか一項に記載のタッチセンサ基材。
12. 前記レーザー吸収剤が、９μｍ～１１μｍの範囲に波長を有するレーザー光を吸収可能な化合物である、請求項１１に記載のタッチセンサ基材。
13. 請求項１～１２のいずれか一項に記載のタッチセンサ基材の製造方法であって、
    前記製造方法が、前記熱可塑性樹脂Ｓ１、前記熱可塑性樹脂Ｃ、及び、前記熱可塑性樹脂Ｓ２を、ダイから押し出す工程を含み、
    前記ダイの温度が、前記熱可塑性樹脂Ｃのガラス転移温度Ｔｇ（ｃ）よりも１５０℃以上高く、前記熱可塑性樹脂Ｓ１のガラス転移温度Ｔｇ（ｓ１）よりも１００℃以上高く、且つ、前記熱可塑性樹脂Ｓ２のガラス転移温度Ｔｇ（ｓ２）よりも１００℃以上高い、タッチセンサ基材の製造方法。
14. 第１導電層と、
    請求項１～１２のいずれか一項に記載のタッチセンサ基材及び前記タッチセンサ基材から切り出された基材片からなる群より選ばれる基材と、
    第２導電層とを、この順に含む、タッチセンサ部材。
15. 前記基材と前記第１導電層との間に、第１感光性樹脂層を含み、
    前記基材と前記第２導電層との間に、第２感光性樹脂層を含む、請求項１４記載のタッチセンサ部材。
16. 請求項１～１２のいずれか一項に記載のタッチセンサ基材及び前記タッチセンサ基材から切り出された基材片からなる群より選ばれる基材の片面に、第１導電層を形成する工程と、
    前記基材のもう片面に、第２導電層を形成する工程と、
    前記第１導電層上に、前記第１導電層を被覆する第１レジスト層を形成する工程と、
    前記第２導電層上に、前記第２導電層を被覆する第２レジスト層を形成する工程と、
    前記第１レジスト層及び前記第２レジスト層に、パターンマスクを通して、同時に、紫外線で露光する工程と、
    露光された前記第１レジスト層を現像して、第１導電層用のレジストパターンを形成する工程と、
    露光された前記第２レジスト層を現像して、第２導電層用のレジストパターンを形成する工程と、
    前記第１レジスト層で被覆されていない部分の前記第１導電層をエッチングする工程と、
    前記第２レジスト層で被覆されていない部分の前記第２導電層をエッチングする工程と、
    前記第１導電層を被覆する前記第１レジスト層を除去する工程と、
    前記第２導電層を被覆する前記第２レジスト層を除去する工程と、を含む、タッチセンサ部材の製造方法。
17. 請求項１４又は１５に記載のタッチセンサ部材を含む、表示装置。
    
    

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