CN107529670A - 基板处理装置和方法 - Google Patents

基板处理装置和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107529670A
CN107529670A CN201710498886.0A CN201710498886A CN107529670A CN 107529670 A CN107529670 A CN 107529670A CN 201710498886 A CN201710498886 A CN 201710498886A CN 107529670 A CN107529670 A CN 107529670A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
support unit
unit
manipulator
transmission
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710498886.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107529670B (zh
Inventor
金德植
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN107529670A publication Critical patent/CN107529670A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107529670B publication Critical patent/CN107529670B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67718—Changing orientation of the substrate, e.g. from a horizontal position to a vertical position
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
    • H01L21/67787—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks with angular orientation of the workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67796—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations with angular orientation of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

提供一种基板处理装置。基板处理装置包括：支撑单元，用于支撑基板；对准单元，用于将放置在支撑单元的基板对准在适当位置；传输单元，具有放置基板的机械手和位置传感器，并将基板传输到支撑单元，位置传感器用于测量机械手上基板的位置；和训练单元，用于设置传输单元的将基板传输到支撑单元上的传输位置，其中，训练单元包括：第一位置测量步骤，用于使用位置传感器测量放置在机械手上的基板的第一位置；基板安置步骤，用于将放置在机械手上的基板安置在支撑单元上；对准步骤，将放置在支撑单元上的基板对准在适当位置；基板拾取步骤，用于使用传输单元从支撑单元拾取放置在支撑单元上的基板；第二位置测量步骤，用于使用位置传感器测量放置在机械手上的基板的第二位置；偏移量确定步骤，用于确定第一位置和第二位置之间的差值；和位置校正步骤，用于基于差值校正传输单元的传输位置；依次进行以设置传输单元的传输位置。

Description

基板处理装置和方法
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置和方法。
背景技术
进行光刻、蚀刻、离子注入、沉积和清洗的各种工艺来制造半导体器件或液晶显示器。在该过程中，基板被从一个装置传输到另一个装置。传输过程中，基板的搬运可通过诸如传输机械手的传输单元来进行。
当传输单元将基板放置在支撑基板的支撑单元上时，进行训练操作(teachingoperation)以使基板位于正确位置。通常，这样的训练操作由操作者手动进行，操作者操作能够调整支撑传输单元中基板的机械手(hand)的位置的摇杆，通过将机械手的机械手位置设定为该机械手的正确位置，从而将机械手的位置定位在与正确位置相对应的位置上。然而，在这种情况下，存在如下问题：需要较长的操作时间，以及操作员可能会直接出现操作错误。
发明内容
本公开提供了一种可减少传输单元的训练操作时间的装置和方法。
本公开提供了一种可精确地训练传输单元的装置和方法。
本发明构思的目的不限于以上所述的效果。本领域技术人员将从下面的描述中了解本发明构思的其它目的。
在示例性实施例中，基板处理装置包括：支撑单元，用于支撑基板；对准单元，用于将放置在所述支撑单元的基板对准在适当位置；传输单元，所述传输单元具有放置基板的机械手和用于测量所述机械手上基板位置的位置传感器，并将所述基板传输到所述支撑单元；和训练单元，用于设置所述传输单元的将所述基板传输到所述支撑单元的传输位置，其中，所述训练单元包括：第一位置测量步骤，用于使用所述位置传感器测量放置在所述机械手上的基板的第一位置；基板安置步骤，用于将放置在所述机械手上的基板安置在所述支撑单元上；对准步骤，将放置在所述支撑单元上的基板对准在适当位置；基板拾取步骤，用于使用传输单元从所述支撑单元拾取放置在所述支撑单元上的基板；第二位置测量步骤，用于使用所述位置传感器测量放置在所述机械手上的基板的第二位置；偏移量确定步骤，用于确定所述第一位置和所述第二位置之间的差值；和位置校正步骤，用于基于所述差值校正所述传输单元的传输位置；以上步骤依次进行以设置传输单元的传输位置。
在示例性实施例中，所述对准单元包括对准突起，所述对准突起设置在所述支撑单元上，并在所述对准突起的内表面具有朝向位于所述支撑单元的基板的中心倾斜向下的倾斜面。
在示例性实施例中，多个对准突起被设置成彼此间隔开以围绕位于所述支撑单元上的基板。
在示例性实施例中，所述对准突起的内端设置为与位于所述支撑单元上的基板的侧边相接触或相邻。
在示例性实施例中，所述对准单元包括：基板旋转构件，用于旋转放置在所述支撑单元上的基板；移动构件，用于在水平方向上移动所述支撑单元；和长度测量传感器，用于测量旋转基板的从所述旋转基板的旋转中心到面向预定方向的所述旋转基板的端部的长度。
在示例性实施例中，所述训练单元控制所述移动构件移动所述支撑单元，使得所述基板根据所述对准步骤中由所述长度测量传感器测量的长度值来定位。
在示例性实施例中，所述长度测量传感器可测量所述基板的一个旋转周期内的长度。
在示例性实施例中，所述机械手设置有形成真空压力以吸附所述基板的真空孔。
根据另一实施例，本发明构思的实施例提供一种基板处理装置。该基板处理装置包括：支撑单元，用于支撑基板并旋转所述基板；传输单元，所述传输单元具有放置所述基板的机械手和用于测量所述机械手上基板位置的位置传感器，并将所述基板传输到所述支撑单元；和训练单元，用于设置所述传输单元的将所述基板传输到所述支撑单元的传输位置，其中，所述训练单元包括：第三位置测量步骤，用于测量放置在所述机械手上的基板的第三位置；基板安置步骤，用于将放置在所述机械手上的基板安置在所述支撑单元上；旋转步骤，用于将所述基板旋转预定角度；基板拾取步骤，用于使用所述传输单元从所述支撑单元拾取放置在所述支撑单元上的基板；第四位置测量步骤，用于测量放置在所述机械手上的基板的第四位置；偏移量确定步骤，用于使用所述第三位置测量步骤和所述第四位置测量步骤中的第三位置的测量值和第四位置的测量值，来确定所述第三位置与当所述基板放置在所述支撑单元的适当位置时由机械手拾取的基板的位置之间的差值；和位置校正步骤，用于基于所述差值校正所述传输单元的传输位置；依次进行以设置传输单元的传输位置。
在示例性实施例中，所述机械手设置有形成真空压力以吸附所述基板的真空孔。
在示例性实施例中，所述预定角度可为180度。
本发明构思的实施例提供一种基板处理方法。该基板处理方法包括：第一位置测量步骤，用于测量放置在传输单元的机械手上的基板的第一位置，所述传输单元用于将基板传输到用于支撑基板的支撑单元上；基板安置步骤，用于将放置在所述机械手上的基板放置在所述支撑单元上；对准步骤，将放置在所述支撑单元上的基板对准在适当位置；基板拾取步骤，用于使用所述传输单元从所述支撑单元拾取放置在所述支撑单元上的基板；第二位置测量步骤，用于测量放置在所述机械手上的基板的第二位置；偏移量确定步骤，用于确定所述第一位置和所述第二位置之间的差值；和位置校正步骤，用于基于所述差值校正所述传输单元的传输位置。
在示例性实施例中，在所述对准步骤中，可以使用对准突起将所述基板对准在适当位置；所述对准突起设置在所述支撑单元上，并在所述对准突起的内表面具有朝向位于所述支撑单元的基板的中心倾斜向下的倾斜面。
在示例性实施例中，在所述对准步骤中，可旋转放置在所述支撑单元上的所述基板，并在所述基板旋转的同时，可测量旋转基板的从所述旋转基板的旋转中心到面向预定方向的所述旋转基板的端部的长度，并可移动所述支撑单元，使得基板根据由测量装置测量的长度值定位在正确位置。
在示例性实施例中，长度的测量可在所述基板的一个旋转周期内进行。
根据另一实施例，本发明构思的实施例提供一种基板处理方法。该基板处理方法包括：第三位置测量步骤，用于测量放置在传输单元的机械手上的基板的第三位置，所述传输单元用于将基板传输到用于支撑基板的支撑单元上；基板安置步骤，用于将放置在所述机械手上的基板放置在所述支撑单元上；旋转步骤，用于将所述基板旋转预定角度；基板拾取步骤，用于使用所述传输单元从所述支撑单元拾取放置在所述支撑单元上的基板；第四位置测量步骤，用于测量放置在所述机械手上的基板的第四位置；偏移量确定步骤，用于使用所述第三位置测量步骤和所述第四位置测量步骤中的第三位置的测量值和第四位置的测量值，来确定所述第三位置与当所述基板放置在所述支撑单元的适当位置时由所述机械手拾取的基板的位置之间的差值；和位置校正步骤，用于基于所述差值校正所述传输单元的传输位置；依次进行以设置传输单元的传输位置。
在示例性实施例中，所述预定角度可为180度。
根据示例性实施例，本发明构思的装置和方法可减少传输单元的训练操作时间。
根据示例性实施例，本发明构思的装置和方法可精确地训练传输单元。
附图说明
图1是示意性示出了根据本发明实施例的基板处理装置的平面图。
图2是示意性示出了图1的对准单元的一部分的侧视图。
图3是示意性示出了根据另一实施例的基板处理装置的支撑单元和对准单元的侧视图。
图4是图3的支撑单元的俯视图。
图5是示意性示出了图1的传输单元的一部分的平面图。
图6是示出了根据本发明实施例的基板处理方法的流程图。
图7是示出了根据本发明另一实施例的基板处理装置的支撑单元的平面图。
图8是说明了根据本发明另一实施例的基板处理方法的流程图。
图9的视图示出了位于第三位置的基板的中心和在旋转步骤中当基板旋转了a度时位于第四位置的基板的中心。
图10的视图示出了位于第三位置的基板的中心和在旋转步骤中旋转了180度时位于第四位置的基板的中心。
具体实施方式
下文中，将参照示出了一些示例性实施例的附图更全面地描述各示例性实施例。然而，本发明可以以不同的形式体现且不应被解释为限于本文所陈述的实施例。当然，这些实施例被提供以便该公开将是彻底且完整的，并向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。
图1是示意性示出了根据本发明实施例的基板处理装置1000的平面图。参见图1，用于处理基板W的基板处理装置1000包括工艺腔室1100、支撑单元1200、对准单元1300、传输单元1400和训练单元1500。
工艺腔室1100具有处理空间，基板W在该处理空间内被处理。可在处理空间进行各种工艺。例如，可在工艺腔室1100的处理空间中进行液体处理工艺、等离子体工艺或曝光工艺或类似工艺，其中，液体处理工艺用于将液体供应到基板W上以对基板W进行处理，诸如光刻胶的涂覆或清洗，等离子体工艺使用等离子体对基板W进行处理，例如蚀刻工艺。此外，可在工艺腔室1100的处理空间中，进行需要将基板W放置在支撑单元1200上来进行定位的各种工艺。
支撑单元1200在工艺腔室1100内支撑基板。支撑单元1200可设置为使基板W旋转。支撑单元1200可设置为使用静电力固定基板W的静电卡盘，或者可设置为以机械夹紧方式固定基板W的卡盘。支撑单元1200可设置有提升销(未示出)，提升销用于将基板W装载到支撑单元1200上或者将放置在支撑单元1200上的基板卸载。
图2是示意性示出了图1的对准单元的一部分的侧视图。参见图1和图2，对准单元1300将放置在支撑单元1200上的基板W对准在适当位置。支撑单元1200在工艺腔室1100内相对于水平方向固定地定位。在这种情况下，正确位置是指基板被适当地放置在支撑单元上的位置。
对准单元1300具有对准突起1310。对准突起1310设置在支撑单元1200上。多个对准突起1310设置为彼此间隔开，以围绕放置在支撑单元1200上的基板W。对准突起1310在其内侧具有倾斜面，该倾斜面朝着放置在支撑单元1200上的基板W的中心倾斜向下。对准突起1310的内端设置为，与放置在支撑单元1200上的基板W的侧边接触或相邻。因此，当传输单元1400将基板W放置在支撑单元1200上偏离适当位置的位置时，未对准的基板W沿着对准的对准突起1310的接触的内表面移动，以被放置到支撑单元1200的适当位置。
当设置传输单元1400的传输位置时，对准单元还可包括监视构件，该监视构件用于显示所有测量值和计算值，例如每个基板的第一位置、第二位置和差值。
可替代地，对准单元可以以多种构造提供，以及以允许基板W定位的构造提供。图3是根据另一实施例的基板处理装置2000的支撑单元2200和对准单元2300的示意性侧视图。图4是图3的支撑单元2200的俯视图。参考图3和图4，例如，对准单元2300包括基板旋转构件2310、移动构件2320和长度测量传感器2330。除对准单元2300之外，基板处理装置2000的其他构造、结构和功能均与图1的基板处理装置1000相同或类似。因此，此后将基于除了对准单元2300以外的其他构造和结构均与基板处理装置1000相同的假设，来对基板处理装置2000进行说明。
至于基板处理装置2000，正确位置不是基板W相对于支撑单元2200上表面的位置，而是基板W相对于工艺腔室1100内处理空间的位置。例如，在工艺腔室1100的处理空间中进行曝光工艺，基板W的正确位置可以是处理空间内适合于进行曝光工艺的基板W位置。除对准单元2300以外，基板处理装置2000的其他构造、结构和功能与图1的基板处理装置1000相同或相似。此后将基于除了对准单元2300以外的其他构造和结构均与基板处理装置1000相同的假设，来对基板处理装置2000进行说明。
基板旋转构件2310使放置在支撑单元2200上的基板W旋转。支撑单元2200设置为在进行对准步骤S13之前，支撑单元2200的旋转中心与基板W的中心重合。
移动构件2320在水平方向上移动支撑单元2200。移动构件2320在训练单元1500的控制下，在基板W旋转时，根据长度测量传感器2330测量的长度值移动支撑单元2200，使得基板W处于正确位置P。在这种情况下，在稍后描述的偏移量确定步骤S16中确定的差值是，放置在初始支撑单元2200上的基板W的中心C的位置与定位于正确位置P的基板的中心Cp之间的差值。
长度测量传感器2330测量支撑单元2200上旋转基板W的、从旋转基板W的旋转中心到面向预定方向的旋转基板W的端部的长度。长度测量传感器2330可设置为在支撑单元2200上的基板W的一个旋转周期内，测量基板W的长度。在偏移量确定步骤S16中，训练单元1500从长度值的波动确定下文中描述的第一位置和第二位置之间的差值，当支撑单元2200上的基板W旋转时，长度值根据旋转角度变化而波动。例如，长度测量传感器2330可设置为CCD(Charge-Coupled Device，电荷耦合器件)。
除对准单元2300以外，基板处理装置2000的其他构造、结构和功能与图1的基板处理装置1000相同或相似。
图7是示出了根据本发明另一实施例的基板处理装置3000的支撑单元3300的平面图。参见图1和图7，和图1的基板处理装置1000不同，基板处理装置3000没有设置对准单元(图1的1300，图3的2300)。支撑单元3300设置为在支撑基板W的同时还是可旋转的。支撑单元3300旋转中心的位置与正确放置在支撑单元3300上的基板W的中心重合。除了对准单元以外，基板处理装置3000的构造和结构与图1的基板处理装置1000相同或相似。
以下，将使用上述的基板处理装置3000对本发明的基板处理方法的另一实施例进行说明。假设除了对准单元，基板处理装置3000具有与图1的基板处理装置1000相同的构造。
图8是说明了根据本发明另一实施例的基板处理方法的流程图。参见图1、图7和图8，该基板处理方法包括第三位置测量步骤S21、基板安置步骤S22、旋转步骤S23、基板拾取步骤S24、第四位置测量步骤S25、偏移量确定步骤S26以及校正步骤S27。训练单元1500依次进行第三位置测量步骤S21、基板安置步骤S22、旋转步骤S23、基板拾取步骤S24、第四位置测量步骤S25、偏移量确定步骤S26和位置校正步骤S27，并设置用于校正传输单元1400的传输位置的传输位置。传输单元1400的传输位置根据设置的传输位置进行校正。
在第三位置测量步骤S21中，测量放置在机械手1410上的基板W的第三位置。第三位置测量步骤S21中用于测量第三位置的方法与稍后将描述的图6中的第一位置测量步骤S11中的相同。
在第三位置测量步骤S21之后进行基板安置步骤S22。以与稍后将描述的图6的基板安置步骤S12相同的方式进行基板安置步骤S22。
在旋转步骤S23中，训练单元1500控制支撑单元3300使基板W旋转预设角度。例如，训练单元1500可控制支撑单元3300将基板W旋转180度。
在旋转步骤S23之后进行基板拾取步骤S24。以与稍后将描述的图6的基板拾取步骤S14相同的方式进行基板拾取步骤S24。
在基板拾取步骤S24之后进行第四位置测量步骤S25。在第四位置测量步骤S25中，测量放置在机械手1410上的基板W的第四位置。在第四位置测量步骤S25中的测量第四位置的方法与第三位置测量步骤S21中的相同。
在偏移量确定步骤S26中，训练单元1500通过使用第三位置测量步骤S21中的第三位置测量值和第四位置测量步骤S25中的第四位置测量值，确定基板W的第三位置和当基板W被放置在支撑单元3300适当位置时由机械手1410拾取的基板W位置(以下称为第五位置)之间的差值。
图9的视图示出了位于第三位置的基板的中心和在旋转步骤中当基板旋转了a度时位于第四位置的基板的中心。参考图9，位于第三位置的基板W的中心C3位置与位于第四位置的基板W的中心C4位置之间的差值，与基板W位于第三位置与基板W位于第四位置之间的位置差值相同。既然，位于第三位置的基板W的中心C3的位置、位于第四位置的基板W的中心C4的位置和旋转角度已确定，就能使用位于第三位置的基板W的中心C3的位置、位于第四位置的基板W的中心C4的位置和旋转角度，来获得位于第五位置的基板W的中心的位置。例如，由于位于第五位置的基板W的中心的位置与支撑单元3300的旋转中心的位置一致，即从位于第三位置的基板W的中心C3到位于第五位置的基板W的中心C5的位置的长度，与从位于第四位置的基板W的中心C4的位置到位于第五位置的基板W的中心C5的位置的长度相同。因此，可使用这些长度彼此相等的事实来生成一个方程。此外，由于可使用第二余弦定律获得另一方程，所以训练单元1500使用包含上述两个方程的方程式，能获得位于第五位置的基板W的中心C5在水平面内位置的x坐标和y坐标的值。
图10的视图示出了位于第三位置的基板的中心C3和在旋转步骤S23中旋转了180度时位于第四位置的基板W的中心C4。参见图10，与上述情况不同，当基板W在旋转步骤S23中旋转180度时，位于第三位置的基板W的中心C3的位置，位于第四位置的基板W的中心C4的位置和位于第五位置的基板W的中心C5的位置是直线。从位于第三位置的基板W的中心C3的位置到位于第五位置的基板W的中心的位置的长度，与从位于第四位置的基板W的中心C4的位置到位于第五位置的基板W的中心的位置的长度相同。因此，训练单元1500可将位于第三位置的基板W的中心C3的中心位置与位于第四位置的基板W的中心C4位置的中心位置之间的中点确定为位于第五位置的基板W的中心C5的位置。
在位置校正步骤S27中，训练单元1500基于在偏移量确定步骤S26中确定的差值来校正传输单元1400的传输位置。也就是说，训练单元1500校正传输单元1400的传输位置，使得当将基板W放置在支撑单元3300上时，传输单元1400的位置偏移一个差值。
图5是示意性示出了图1的传输单元1400的一部分的平面图。参见图1和图5，传输单元1400将基板W传输到支撑单元1200上。传输单元1400包括机械手1410、基部1420和位置传感器1430。
由传输单元1400运载的基材W放在机械手1410上。机械手1410设置有真空孔1411，该真空孔形成用于吸附基板W的真空压力。真空孔1411可设置多个。机械手1410设置为沿着基部1420的长度方向在面向基部1420上表面的位置和离开基部1420上表面的位置之间线性移动。在机械手1410校正传输位置之前，将基板W放置在支撑单元1200上时的传输位置和将基板W从支撑单元1200上提升时的传输位置彼此相同且保持不变。也就是说，传输位置一旦设定，由传输单元1400根据设定的传输位置传输基板W。
基部1420支撑机械手1410和位置传感器1430。基部1420设置为可在垂直方向和水平方向上移动。基部1420设置为可绕垂直方向旋转。
位置传感器1430固定安装在基部1420。位置传感器1430测量机械手上的基板W的位置。位置传感器1430可以以多种传感器的形式设置，这些传感器能够测量机械手1410上的基板W相对于机械手1410的位置。例如，位置传感器1430可设置为使用光的光学传感器。当光学传感器作为位置传感器1430设置时，位置传感器1430包括光发射部和光接收部。光发射部可设置在机械手1410的下部。光发射部产生光。光接收部设置在机械手上部的与光发射部相对应的位置。光接收部接收由光发射部产生的光。光接收单元和光发射单元分别设置为环形，可以彼此结合并且可以彼此分离。位置传感器1430根据由每个位置的光接收部接收的光量确定机械手1410上基板W的位置。
训练单元1500设置用于将基板W传输到支撑单元1200上的传输单元1400的传输位置。由于训练单元1500将传输位置设置为基板W能够被放置在支撑单元1200上正确位置的适当位置，可以避免当基板W被传输单元1400置于非对准位置时因与工艺腔室1100中的另一构造碰撞而导致的基板W破损。
在下文中，将使用上述的基板处理装置1000和基板处理装置2000，描述本发明的基板处理方法的实施例。
图6是示出了根据本发明实施例的基板处理方法的流程图。参见图1和图6，基板处理方法包括第一位置测量步骤S11、基板安置步骤S12、对准步骤S13、基板拾取步骤S14、第二位置测量步骤S15、偏移量确定步骤S16和位置校正步骤S17。训练单元1500依次执行第一位置测量步骤S11、基板安置步骤S12、对准步骤S13、基板拾取步骤S14、第二位置测量步骤S15、偏移量确定步骤S16和位置校正步骤S17，并设置用于校正传输单元1400的传输位置的传输位置。根据设置的传输位置校正传输单元1400的传输位置。
参见图1和图5，在第一位置测量步骤S11中，训练单元1500控制位置传感器1430，以对放置在机械手1410上的基板W的第一位置P1进行测量。测得的第一位置P1值被传送到训练单元1500。
在基板安置步骤S12中，训练单元1500控制传输单元1400以将放置在机械手1410上的基板W放置在支撑单元1200上。
在对准步骤S13中，将放置在支撑单元1200上的基板W对准在适当位置。参见图1和图2，在基板安置步骤S12中，放置在支撑单元1200上的基板W可通过对准突起1310被对准在支撑单元1200上的适当位置。如何通过对准突起1310适当地定位基板W，其详细描述见上文所述。
参见图3和图4，在对准步骤S13中，训练单元1500控制对准单元2300以将基板W对准到正确位置P，对准单元2300包括基板旋转构件2310、移动构件2320和长度测量传感器2330。使用对准单元1300定位基板W的方法的详细描述如上所述。
再次参见图1和图5，此后，在基板拾取步骤S14中，训练单元1500控制传输单元1400以从支撑单元1200上提起放置在支撑单元1200上的基板W。
然后，在第二位置测量步骤S15中，训练单元1500控制位置传感器1430测量放置在机械手1410上的基板W的第二位置P2。测得的第二位置P2值被传送到训练单元1500。
在偏移量确定步骤S16中，训练单元1500确定第一位置和第二位置之间的差值。例如，第一位置和第二位置之间的差值由位于第一位置的基板W的中心C1的位置和位于第二位置的基板W的中心C2的位置确定。
在位置校正步骤S17中，训练单元1500基于在偏移量确定步骤S16中确定的差值O来校正传输单元1400的传输位置。也就是说，训练单元1500校正传输单元1400的传输位置，使得当将基板W放置在支撑单元1200上时，传输单元1400的位置偏移差值O。
在装置和方法的每个上述实施例中，在传输单元的多个机械手以堆叠状态提供的情况下，如果在第一位置测量步骤S11中测量每个机械手的位置，或者在第三位置测量步骤13中测量每个机械手的第三位置，之后，完成对一个机械手传输位置的设置，然后，基板W由另一机械手拾取，由那一个机械手放置在支撑单元上的基板W位于正确位置，因此，不需要对另一机械手再次进行上述方法中的对准步骤S13或旋转步骤S23。
如上所述，根据本发明实施例的装置和方法被设置为自动校正传输单元的位置，因此，与根据由操作者所调整的位置对传输位置进行校正的方法相比，本发明的装置和方法可减少训练传输单元所需的时间。此外，本发明的装置和方法可精确地训练传输单元。

Claims (17)

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
支撑单元，用于支撑基板；
对准单元，用于将放置在所述支撑单元的基板对准在适当位置；
传输单元，所述传输单元具有放置基板的机械手和用于测量所述机械手上基板位置的位置传感器，并将所述基板传输到所述支撑单元；和
训练单元，用于设置所述传输单元的将所述基板传输到所述支撑单元的传输位置，
其中，所述训练单元包括：
第一位置测量步骤，用于使用所述位置传感器测量放置在所述机械手上的基板的第一位置；
基板安置步骤，用于将放置在所述机械手上的基板安置在所述支撑单元上；
对准步骤，将放置在所述支撑单元上的基板对准在适当位置；
基板拾取步骤，用于使用所述传输单元从所述支撑单元上拾取放置在所述支撑单元上的基板；
第二位置测量步骤，用于使用所述位置传感器测量放置在所述机械手上的基板的第二位置；
偏移量确定步骤，用于确定所述第一位置和所述第二位置之间的差值；和
位置校正步骤，用于基于所述差值校正所述传输单元的传输位置；
以上步骤依次进行以设置传输单元的传输位置。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述对准单元包括对准突起，所述对准突起设置在所述支撑单元上，并在所述对准突起的内表面具有朝向位于所述支撑单元的基板的中心倾斜向下的倾斜面。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，多个对准突起被设置成彼此间隔开以围绕位于所述支撑单元上的基板。
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述对准突起的内端设置为与位于所述支撑单元上的基板的侧边相接触或相邻。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述对准单元包括：
基板旋转构件，用于旋转放置在所述支撑单元上的基板；
移动构件，用于在水平方向上移动所述支撑单元；和
长度测量传感器，用于测量旋转基板的从所述旋转基板的旋转中心到面向预定方向的所述旋转基板的端部的长度。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述训练单元控制所述移动构件移动所述支撑单元，使得所述基板根据所述对准步骤中由所述长度测量传感器测量的长度值来定位。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述长度测量传感器测量所述基板的一个旋转周期内的长度。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的装置，其特征在于，所述机械手设置有形成真空压力以吸附所述基板的真空孔。
9.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
支撑单元，用于支撑基板并旋转所述基板；
传输单元，所述传输单元具有放置所述基板的机械手和用于测量所述机械手上基板位置的位置传感器，并将所述基板传输到所述支撑单元；和
训练单元，用于设置所述传输单元的将所述基板传输到所述支撑单元的传输位置，
其中，所述训练单元包括：
第三位置测量步骤，用于测量放置在所述机械手上的基板的第三位置；
基板安置步骤，用于将放置在所述机械手上的基板安置在所述支撑单元上；
旋转步骤，用于将所述基板旋转预定角度；
基板拾取步骤，用于使用所述传输单元从所述支撑单元拾取放置在所述支撑单元上的基板；
第四位置测量步骤，用于测量放置在所述机械手上的基板的第四位置；
偏移量确定步骤，用于使用所述第三位置测量步骤和所述第四位置测量步骤中的第三位置的测量值和第四位置的测量值，来确定所述第三位置与当所述基板放置在所述支撑单元的适当位置时由所述机械手拾取的基板的位置之间的差值；和
位置校正步骤，用于基于所述差值校正所述传输单元的传输位置；
以上步骤依次进行以设置传输单元的传输位置。
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述机械手设置有形成真空压力以吸附所述基板的真空孔。
11.根据权利要求9或10所述的装置，其特征在于，所述预定角度为180度。
12.一种基板处理方法，其特征在于，包括：
第一位置测量步骤，用于测量放置在传输单元的机械手上的基板的第一位置，所述传输单元用于将基板传输到用于支撑基板的支撑单元上；
基板安置步骤，用于将放置在所述机械手上的基板放置在所述支撑单元上；
对准步骤，将放置在所述支撑单元上的基板对准在适当位置；
基板拾取步骤，用于使用所述传输单元从所述支撑单元拾取放置在所述支撑单元上的基板；
第二位置测量步骤，用于测量放置在所述机械手上的基板的第二位置；
偏移量确定步骤，用于确定所述第一位置和所述第二位置之间的差值；和
位置校正步骤，用于基于所述差值校正所述传输单元的传输位置。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在所述对准步骤中，使用对准突起将所述基板对准在适当位置；
所述对准突起设置在所述支撑单元上，并在所述对准突起的内表面具有朝向位于所述支撑单元的基板的中心倾斜向下的倾斜面。
14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在所述对准步骤中，旋转放置在所述支撑单元上的所述基板，并在所述基板旋转的同时，测量旋转基板的从所述旋转基板的旋转中心到面向预定方向的所述旋转基板的端部的长度，并移动所述支撑单元，使得所述基板根据由测量装置测量的长度值定位在正确位置。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，长度的测量在所述基板的一个旋转周期内进行。
16.一种基板处理方法，其特征在于，包括：
第三位置测量步骤，用于测量放置在传输单元的机械手上的基板的第三位置，所述传输单元用于将基板传输到用于支撑基板的支撑单元上；
基板安置步骤，用于将放置在所述机械手上的基板安置在所述支撑单元上；
旋转步骤，用于将所述基板旋转预定角度；
基板拾取步骤，用于使用所述传输单元从所述支撑单元拾取放置在所述支撑单元上的基板；
第四位置测量步骤，用于测量放置在所述机械手上的基板的第四位置；
偏移量确定步骤，用于使用所述第三位置测量步骤和所述第四位置测量步骤中的第三位置的测量值和第四位置的测量值，来确定所述第三位置与当所述基板放置在所述支撑单元的适当位置时由所述机械手拾取的基板的位置之间的差值；和
位置校正步骤，用于基于所述差值校正所述传输单元的传输位置；依次进行以设置传输单元的传输位置。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述预定角度为180度。
CN201710498886.0A 2016-06-24 2017-06-26 基板处理装置和方法 Active CN107529670B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2016-0079171 2016-06-24
KR1020160079171A KR101817209B1 (ko) 2016-06-24 2016-06-24 기판 처리 장치 및 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107529670A true CN107529670A (zh) 2018-01-02
CN107529670B CN107529670B (zh) 2020-08-25

Family

ID=60677811

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710498886.0A Active CN107529670B (zh) 2016-06-24 2017-06-26 基板处理装置和方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10446429B2 (zh)
KR (1) KR101817209B1 (zh)
CN (1) CN107529670B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109411403A (zh) * 2018-10-24 2019-03-01 上海华力微电子有限公司 一种减少硅片颗粒污染的机械手
CN111211084A (zh) * 2020-01-17 2020-05-29 长江存储科技有限责任公司 晶圆承载装置
CN113711342A (zh) * 2019-02-14 2021-11-26 柿子技术公司 用于机器人系统的基于雷达的位置测量

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10458020B2 (en) * 2015-04-14 2019-10-29 Ebara Corporation Substrate processing apparatus and substrate processing method
US9640418B2 (en) * 2015-05-15 2017-05-02 Suss Microtec Lithography Gmbh Apparatus, system, and method for handling aligned wafer pairs
US11183401B2 (en) 2015-05-15 2021-11-23 Suss Microtec Lithography Gmbh System and related techniques for handling aligned substrate pairs
KR102108311B1 (ko) 2018-04-18 2020-05-11 세메스 주식회사 반송 유닛 및 반송 방법
US11031266B2 (en) * 2018-07-16 2021-06-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer handling equipment and method thereof
KR102193865B1 (ko) * 2018-08-13 2020-12-22 세메스 주식회사 기판처리장치
KR20200102612A (ko) * 2019-02-21 2020-09-01 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102653264B1 (ko) * 2019-12-16 2024-04-02 에이피시스템 주식회사 로드락 장치 및 기판 정렬 방법
KR102268974B1 (ko) * 2019-12-27 2021-06-24 주식회사 세정로봇 웨이퍼 트랜스퍼의 웨이퍼 위치 정렬방법
KR102635383B1 (ko) * 2020-09-21 2024-02-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102624577B1 (ko) * 2020-10-28 2024-01-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12002695B2 (en) * 2021-06-10 2024-06-04 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Transport system and determination method

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060020367A1 (en) * 2004-07-22 2006-01-26 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for positioning wafers
CN102655103A (zh) * 2011-03-02 2012-09-05 东京毅力科创株式会社 基板搬送装置的位置调整方法以及基板处理装置
CN103515268A (zh) * 2012-06-19 2014-01-15 Tel太阳能公司 用于真空加工系统中的基板放置的方法和设备
CN104733348A (zh) * 2013-12-19 2015-06-24 株式会社安川电机 检测系统及检测方法
WO2016042685A1 (ja) * 2014-09-17 2016-03-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6168668B1 (en) * 1998-11-25 2001-01-02 Applied Materials, Inc. Shadow ring and guide for supporting the shadow ring in a chamber
KR100464854B1 (ko) * 2002-06-26 2005-01-06 삼성전자주식회사 반도체 기판의 정렬 방법 및 정렬 장치
KR101015778B1 (ko) 2003-06-03 2011-02-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리장치 및 기판 수수 위치의 조정 방법
KR100675558B1 (ko) 2005-06-02 2007-02-02 세메스 주식회사 웨이퍼의 직경을 측정할 수 있는 장치 및 방법
US7963736B2 (en) * 2008-04-03 2011-06-21 Asm Japan K.K. Wafer processing apparatus with wafer alignment device
KR101048818B1 (ko) 2008-11-16 2011-07-12 세메스 주식회사 카메라 비젼을 통한 오토 티칭 원점 측정 방법
KR20100082657A (ko) 2009-01-09 2010-07-19 (주)바램시스템 반도체 이송로봇의 티칭 시스템 및 방법
KR101278022B1 (ko) 2011-04-06 2013-06-24 주식회사 테스 기판 지지 유닛 및 이를 이용한 이송 로봇 티칭 방법
KR101842114B1 (ko) 2011-10-06 2018-03-26 세메스 주식회사 기판 이송 로봇의 자동 티칭 방법 및 이를 이용한 기판 처리 설비
JP5673577B2 (ja) 2012-02-07 2015-02-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6118044B2 (ja) 2012-07-19 2017-04-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US10522380B2 (en) * 2014-06-20 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for determining substrate placement in a process chamber
US9966290B2 (en) * 2015-07-30 2018-05-08 Lam Research Corporation System and method for wafer alignment and centering with CCD camera and robot

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060020367A1 (en) * 2004-07-22 2006-01-26 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for positioning wafers
CN102655103A (zh) * 2011-03-02 2012-09-05 东京毅力科创株式会社 基板搬送装置的位置调整方法以及基板处理装置
CN103515268A (zh) * 2012-06-19 2014-01-15 Tel太阳能公司 用于真空加工系统中的基板放置的方法和设备
CN104733348A (zh) * 2013-12-19 2015-06-24 株式会社安川电机 检测系统及检测方法
WO2016042685A1 (ja) * 2014-09-17 2016-03-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109411403A (zh) * 2018-10-24 2019-03-01 上海华力微电子有限公司 一种减少硅片颗粒污染的机械手
CN109411403B (zh) * 2018-10-24 2021-07-02 上海华力微电子有限公司 一种减少硅片颗粒污染的机械手
CN113711342A (zh) * 2019-02-14 2021-11-26 柿子技术公司 用于机器人系统的基于雷达的位置测量
CN111211084A (zh) * 2020-01-17 2020-05-29 长江存储科技有限责任公司 晶圆承载装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR101817209B1 (ko) 2018-02-22
KR20180001620A (ko) 2018-01-05
US10446429B2 (en) 2019-10-15
US20170372933A1 (en) 2017-12-28
CN107529670B (zh) 2020-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107529670A (zh) 基板处理装置和方法
US20220254666A1 (en) Integrated adaptive positioning systems and routines for automated wafer-handling robot teach and health check
KR101020021B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 전달 위치의 조정 방법 및 기억 매체
JP4376116B2 (ja) 基板受け渡し位置の調整方法
CN105417066B (zh) 基板位置偏移检测及校正装置和基板搬运系统
JP4357744B2 (ja) ロボットアライメントシステムおよびそのシステムを利用したアライメント方法
JP5573861B2 (ja) 搬送システム
CN107530877A (zh) 机器人的示教方法及机器人
TWI623395B (zh) Substrate transfer robot and substrate transfer method
JP2011258925A5 (zh)
JP2017537479A (ja) ウェハー研磨装備のウェハーローディング装置及びウェハーローディング位置調整方法
KR102471809B1 (ko) 티칭 방법
TWI782272B (zh) 基板搬送機器人及基板搬送方法
KR20180119967A (ko) 호이스트 모듈의 티칭 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
US7918640B2 (en) Position correcting apparatus, vacuum processing equipment and position correcting method
JP7522178B2 (ja) 基板搬送装置及び基板位置ずれ測定方法
CN111564396B (zh) 半导体加工设备的机械手校准方法及半导体设备
CN105329642B (zh) 基板位置偏移检测及校正方法和基板搬运系统的控制方法
KR101023948B1 (ko) 웨이퍼의 중심 검출 장치 및 그 방법
US20240058952A1 (en) Controller for substrate transfer robot and control method for joint motor
JP2019141921A (ja) 産業用ロボットの補正値算出方法
JPH11186796A (ja) 部品装着装置
WO2020230250A1 (ja) コントローラ
JP7474688B2 (ja) 補正方法及び基板搬送装置
CN113206031B (zh) 一种晶圆自动定位示教系统及方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant