CN107498194A - 激光晶化设备和方法 - Google Patents

激光晶化设备和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107498194A
CN107498194A CN201710447134.1A CN201710447134A CN107498194A CN 107498194 A CN107498194 A CN 107498194A CN 201710447134 A CN201710447134 A CN 201710447134A CN 107498194 A CN107498194 A CN 107498194A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mirror
laser beam
picture frame
laser
cleaning mirror
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710447134.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107498194B (zh
Inventor
苏炳洙
姜美在
李镐锡
任在均
全祥皓
田姸熙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN107498194A publication Critical patent/CN107498194A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107498194B publication Critical patent/CN107498194B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656Special treatments
    • H01L21/02664Aftertreatments
    • H01L21/02667Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H01L21/02675Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth using laser beams
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/03Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H01S3/034Optical devices within, or forming part of, the tube, e.g. windows, mirrors
    • H01S3/0346Protection of windows or mirrors against deleterious effects
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/04Arrangements for thermal management
    • H01S3/0401Arrangements for thermal management of optical elements being part of laser resonator, e.g. windows, mirrors, lenses
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B1/00Single-crystal growth directly from the solid state
    • C30B1/02Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
    • C30B1/026Solid phase epitaxial growth through a disordered intermediate layer
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/18Coatings for keeping optical surfaces clean, e.g. hydrophobic or photo-catalytic films
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26Bombardment with radiation
    • H01L21/263Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259Multistep manufacturing methods
    • H01L27/127Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
    • H01L27/1274Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement using crystallisation of amorphous semiconductor or recrystallisation of crystalline semiconductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/03Constructional details of gas laser discharge tubes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/03Constructional details of gas laser discharge tubes
    • H01S3/038Electrodes, e.g. special shape, configuration or composition
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/097Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
    • H01S3/0971Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser transversely excited
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22Gases
    • H01S3/223Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0206Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/56Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/04Arrangements for thermal management
    • H01S3/0407Liquid cooling, e.g. by water
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/04Arrangements for thermal management
    • H01S3/041Arrangements for thermal management for gas lasers

Abstract

本发明公开一种激光晶化设备和方法。该激光晶化方法包括激发密封容器中的气体介质以生成激光束;通过使所述激光束在分别面对所述密封容器的相对端部设置的高反射镜与低反射镜之间反射来放大所述激光束,其中第一透明窗和第二透明窗被固定至密封容器的相应端部并且输出放大后的激光束;以及将清洁镜设置在已透过所述第二透明窗的激光束的路径中。

Description

激光晶化设备和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2016年6月14日递交韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2016-0073882号的优先权和权益,其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本公开的实施例总体上涉及激光晶化设备和方法。更具体地,本公开的实施例总体上涉及将非晶硅晶化为多晶硅的激光晶化设备和方法。
背景技术
诸如有机发光设备(OLED)或液晶显示器(LCD)的有源矩阵型显示设备的像素包括薄膜晶体管(TFT),薄膜晶体管包括半导体层。半导体层通常由多晶硅制成。多晶硅具有高迁移率并且适合于有机发光设备基于电流控制发射层的亮度。
可以通过将激光束照射到非晶硅上并对其执行退火工艺来产生多晶硅,在此期间激光晶化设备被使用。激光晶化设备可以是气体激光设备,诸如准分子激光设备。激光晶化设备通过电子放电过程激发气体介质以生成激光束,通过谐振放大激光束并输出得到的激光束。
发明内容
本公开的实施例可以提供一种减少部件污染并且增长更换周期的激光晶化设备和方法。
示例性实施例提供了一种激光晶化设备,其包括密封容器、电极对、激光谐振部和清洁镜。密封容器充满气体介质并包括第一透明窗和第二透明窗。一对电极被安装在密封容器中并通过激发气体介质生成激光束。激光谐振部包括安装在第一透明窗外部的高反射镜以及安装在第二透明窗外部并且反射率低于高反射镜的反射率的低反射镜。清洁镜被提供至已透过第二透明窗的激光束的路径上的第一位置和与激光束的路径分离的第二位置中的一个,并且根据行进状态在第一位置与第二位置之间行进。
清洁镜在闲置状态下可以被提供在第一位置并且在运行状态下可以被提供在第二位置。
清洁镜可以被结合至移送器并且可以在第一位置与第二位置之间移动。
移送器可以包括驱动电机以及结合至驱动电机并通过驱动电机的操作而旋转的镜框,并且清洁镜可以被安装至镜框。
移送器可以包括驱动电机以及结合至驱动电机并通过驱动电机的操作而执行直线运动的镜框,并且清洁镜可以被安装至镜框。镜框可以产生与清洁镜分离的开口,并且开口在运行状态下可以被提供在第一位置。
低反射镜可以被结合至移送器,并且低反射镜和清洁镜中的一个可以被提供为面对第二透明窗。
移送器可以包括驱动电机以及具有圆板形状且被结合至驱动电机的旋转杆的镜框,并且低反射镜和清洁镜可以沿镜框的周向被安装在镜框中。旋转杆可以被结合至镜框的中心,并且低反射镜和清洁镜可以关于旋转杆对称设置。
移送器可以包括驱动电机以及被结合至驱动电机并根据驱动电机的操作而执行直线运动的镜框,并且低反射镜和清洁镜可以沿镜框的运动方向彼此平行地安装在镜框中。
示例性实施例提供一种激光晶化方法,该激光晶化方法包括激发密封容器中的气体介质以生成激光束;通过使激光束在分别面对密封容器的相对端部设置的高反射镜与低反射镜之间反射来放大激光束,并且输出放大后的激光束,其中第一透明窗和第二透明窗被固定至密封容器的相应端部;并且在已传播通过第二透明窗的激光束的路径中设置清洁镜。
输出放大后的激光束可以限定其中激光束被照射至照射目标的运行状态,并且设置清洁镜可以限定等待下一个执行的闲置状态。
在放大后的激光束的输出期间,清洁镜可以从激光束的路径移开。清洁镜可以与移送器结合,移送器使清洁镜在激光束的路径中的第一位置与远离激光束的路径并在激光束的路径之外的第二位置之间移位。
移送器可以包括驱动电机以及由驱动电机旋转并固定清洁镜的镜框。清洁镜可以通过镜框的旋转而在第一位置与第二位置之间移位。
移送器可以包括驱动电机以及通过驱动电机而直线地移位并固定清洁镜的镜框。清洁镜可以通过镜框的直线运动而在第一位置与第二位置之间移位。
低反射镜和清洁镜可以与移送器结合,移送器在输出放大后的激光束与设置清洁镜之间交换低反射镜的位置和清洁镜的位置。移送器可以包括驱动电机以及由驱动电机旋转并固定低反射镜和清洁镜的镜框。低反射镜的位置和清洁镜的位置可以通过旋转镜框来交换。
低反射镜和清洁镜可以与移送器结合,并且在设置清洁镜时,低反射镜可以从激光束的路径移开。移送器可以包括驱动电机以及通过驱动电机而直线地移位并固定低反射镜和清洁镜的镜框。低反射镜和清洁镜中的一个可以通过镜框的直线移位而被设置为面对第二透明窗。
另一个示例性实施例提供激光晶化设备,该激光晶化设备包括:作为充有气体介质的气体激光设备的密封容器,固定至密封容器的相应端部、沿着密封容器的中心轴互相面对的第一透明窗和第二透明窗,安装在第一透明窗外部的高反射镜和安装在第二透明窗外部的低反射镜,以及清洁镜,其中低反射镜具有低于其透射率的反射率。在运行状态期间,激光束通过第二透明窗和低反射镜从密封容器输出至照射目标,并且清洁镜被定位为远离从密封容器输出的激光束的路径并处于该路径之外。在闲置状态期间,清洁镜被设置在从密封容器输出的激光束的路径中,其中激光束被反射回到密封容器内。
激光晶化设备可以进一步包括光阀,光阀在运行状态下透射传播通过低反射镜的激光束,并在闲置状态下阻挡传播通过低反射镜的激光束。
低反射镜和清洁镜可以与移送器结合,并且低反射镜和清洁镜中的一个可以通过移送器的操作而设置在激光束的路径中。
移送器可以包括驱动电机以及由驱动电机旋转并固定低反射镜和清洁镜的镜框,并且低反射镜的位置和清洁镜的位置通过旋转镜框而交换。
移送器可以包括驱动电机以及通过驱动电机而直线平移并固定低反射镜和清洁镜的镜框,并且低反射镜和清洁镜中的一个通过镜框的直线平移而设置为面对第二透明窗。
清洁镜可以与移送器结合,移送器使清洁镜在激光束的路径中的第一位置与远离激光束的路径并在激光束的路径之外的第二位置之间移位。移送器可以包括驱动电机以及由驱动电机旋转并固定清洁镜的镜框,并且清洁镜通过镜框的旋转而在第一位置与第二位置之间移位。移送器可以包括驱动电机以及通过驱动电机而直线地移位并固定清洁镜的镜框,并且清洁镜通过镜框的直线运动而在第一位置与第二位置之间移位。
反射回密封容器中的激光束可以移除贴附在第二透明窗内侧的污染材料。
激光晶化设备可以进一步包括关于密封容器的中心对称设置的电极对、连接至电极对中的一个的高压电源、改变激光束的传播方向的反射镜以及将激光束会聚到照射目标的聚光透镜。在电压被施加至电极时,气体介质被激发以生成激光束。
根据本示例性实施例,可以通过清洁镜减少第二透明窗的污染,以长时间维持高透射率。因此,可以增长第二透明窗的更换周期,并且可以降低激光晶化设备的操作成本。
附图说明
图1和图2是根据示例性实施例的激光晶化设备的示意图。
图3是图1中示出的激光晶化设备中的第二透明窗的放大图。
图4是图2中示出的激光晶化设备中的第二透明窗的放大图。
图5是图1中示出的激光晶化设备中的清洁镜的示意图。
图6是图5中示出的移送器的示例性变形的示意图。
图7是图6中示出的镜框的示例性变形的示意图。
图8和图9是根据另一示例性实施例的激光晶化设备的示意图。
图10A和图10B是图8和图9中示出的低反射镜和清洁镜的示意图。
图11是图10A和图10B中示出的移送器的示例性变形的示意图。
图12是根据示例性实施例的激光晶化方法的流程图。
图13和图14是透射率随根据比较示例的激光晶化设备的第二透明窗的波长和根据示例性实施例的激光晶化设备的第二透明窗的波长变化的曲线图。
图15是用于定位测量透射率的点的第二透明窗的正视图。
具体实施方式
在下文中将参照附图更为充分地描述本公开的实施例,附图中示出了本公开的示例性实施例。如本领域技术人员将意识到的,在不超出本公开的精神或范围的所有情况下,可以以各种不同的方式修改示例性实施例。
当描述诸如层、膜、区域或板的任何部分位于另一部分上时,这意味着该部分直接位于另一部分上,或者在具有至少一个中间部分的情况下位于另一部分上方。
为了理解和易于描述,附图中示出的每个部件的尺寸和厚度可以被任意地示出,但是本公开不限于此。
图1和图2是根据示例性实施例的激光晶化设备的示意图。
参见图1和图2,激光晶化设备100包括充满气体介质的密封容器10、安装在密封容器10中的电极对20、安装在密封容器10外部的激光谐振部30和清洁镜40。
根据实施例,激光晶化设备100是气体激光设备,诸如准分子激光设备,即高功率紫外激光设备。词语“准分子”是指分子在激发态下是稳定的。密封容器10中的气体介质是诸如Kr、Ar和Xe的稀有气体和氯化氢(HCl)的混合气体。
根据实施例,密封容器10具有圆柱形状,并且电极对20关于密封容器10的中心轴(虚线示出的)对称设置。电极对20中的一个接地并且电极对20中的另一个连接至高压电源21。在电压被施加到电极20时,在电极对20之间发生放电,并且气体介质被激发以生成激光束。
根据实施例,第一透明窗11和第二透明窗12被固定至密封容器10的相应端部。第一透明窗11和第二透明窗12沿着密封容器10的中心轴彼此面对,并透射激光束。第一透明窗11和第二透明窗12可以由玻璃或蓝宝石制成,并且用于增大透射率的抗反射涂层可以被提供在其表面上。
根据实施例,激光谐振部30包括安装在第一透明窗11外部的高反射镜31和安装在第二透明窗12外部的低反射镜32。高反射镜31具有接近于100%的反射率。低反射镜32具有比其透射率低的反射率。例如,低反射镜32可以具有大约10%的反射率和大约90%的透射率。
根据实施例,透过第一透明窗11的激光束被高反射镜31反射。透过第二透明窗12的激光束中的一部分被低反射镜32反射并且其剩余部分透过低反射镜32。激光束在高反射镜31与低反射镜32之间传播,以产生谐振并被放大。放大后的激光束传播通过低反射镜32并被输出至照射目标。
根据实施例,激光晶化设备100包括与密封容器10相结合的风扇电机和冷却管。风扇电机使密封容器10中的气体介质循环,并且冷却管通过使气体介质与冷却水进行热交换而冷却气体介质。
进一步,根据实施例,激光晶化设备100包括安装在低反射镜32外部的光阀51、反射镜52和聚光透镜53。光阀51透射或阻挡传播通过低反射镜32的激光束(LB)。反射镜52改变激光束的传播方向,并且聚光透镜53将激光束会聚到照射目标。
根据实施例,照射目标是提供在基板61上的非晶硅层62。非晶硅层62通过由激光束的照射引起的退火而被晶化为多晶硅层。基板61和非晶硅层62被固定至工作台63,并且工作台63可以使基板61和非晶硅层62移动,使得激光束(LB)可以扫描非晶硅层62。
根据实施例,在激光晶化设备100的操作期间,电极对20可被从气体介质的氯成分释放的电弧腐蚀。气体介质中的氯化氢(HCl)被电离为氢离子和氯离子,并且氯离子可腐蚀电极20。密封容器10中包括腐蚀材料的杂质通常贴附至第二透明窗12的内侧。
根据实施例,关于第一透明窗11,从密封容器10的内部传播通过第一透明窗11的激光束的强度基本上对应于从密封容器10的外部传播通过第一透明窗11(即被高反射镜31反射)的激光束的强度。关于第二透明窗12,从密封容器10的内部传播通过第二透明窗12的激光束的强度远大于从密封容器10的外部传播通过第二透明窗12(即被低反射镜32反射)的激光束的强度。
图3是图1中示出的激光晶化设备中的第二透明窗12的放大图。
参见图1和图3,根据实施例,假定从密封容器10的内部传播通过第二透明窗12的激光束的强度是100%,并且从低反射镜32反射并传播通过第二透明窗12的激光束的强度是大约10%。
这是指从密封容器10内部施加在第二透明窗12上的激光的强度远大于从密封容器10外部施加在第二透明窗12上的激光的强度。因此,杂质80贴附至第二透明窗12比贴附至第一透明窗11相对来说更容易,并且密封容器10内部的杂质80通常被吸收到第二透明窗12内。
参见图1和图2,激光晶化设备100在将激光束输出至照射目标的运行状态与作为等待下一个输出运行的备用状态的闲置状态之间交替。运行状态和闲置状态之间的区别可以在于照射目标是否被提供在工作台63上。
图1示出处于运行状态的激光晶化设备100,并且图2示出处于闲置状态的激光晶化设备100。在运行状态下,光阀51从激光束(LB)的路径移开以允许激光束(LB)传播,并且在闲置状态下,光阀51被设置为面对低反射镜32。
与固态激光设备不同,关闭气体激光设备是具有挑战性的。因此,根据实施例,在闲置状态下,电压被维持在电极20上,使得激光晶化设备100维持放电。此外,在闲置状态下,清洁镜40被设置在第二透明窗12与低反射镜32之间,以通过第二透明窗12将激光束反射回去。清洁镜40是具有大约100%反射率的高反射镜。
图4是图2中示出的激光晶化设备中的第二透明窗12的放大图。
参见图2和图4,根据实施例,在闲置状态下,清洁镜40基本上反射通过第二透明窗12接收的激光束的100%。因此,以基本上与从密封容器10内部施加在第二透明窗12上的激光的强度一样的强度施加的激光从密封容器10的外部施加至第二透明窗12,以移除第二透明窗12上的杂质80。
根据实施例,准分子激光大约每600分之一秒至大约每50分之一秒振荡一次,并且激光脉冲的持续时间为纳秒(ns)级。当清洁镜40被设置在第二透明窗12与低反射镜32之间且激光束在高反射镜31与清洁镜40之间来回反射时,光束在被反射大约六至七次之后散射,并且激光振荡机理或激光脉冲持续时间没有显著改变。
根据实施例,在闲置状态下,清洁镜40被设置在传播通过第二透明窗12的激光束的路径中,并且在运行状态下,清洁镜40从激光束的路径移开。清洁镜40可以与能够使清洁镜40移动的移送器结合。移送器可以与用于使光阀51移动的设备联锁,并且在这种情况下,清洁镜40和光阀51同时移动。
图5是图1中示出的激光晶化设备中的清洁镜的示意图。
参见图5,根据实施例,移送器70A包括驱动电机71、与驱动电机71的旋转轴结合的旋转杆72以及固定至旋转杆72的镜框73。清洁镜40被固定至镜框73,并且其位置由驱动电机71的旋转方向和角位移确定。
根据实施例,清洁镜40在闲置状态下被设置在激光束的路径中,称为第一位置,并且在运行状态下被移出激光束的路径,称为第二位置。图5图示了其中清洁镜40沿顺时针方向旋转90°以被设置在闲置状态下的第一位置以及沿逆时针方向旋转90°以被设置在运行状态下的第二位置的情况。
图6是图5中示出的移送器的示例性变形的示意图。
参见图6,根据实施例,移送器70B包括驱动电机71和直线运动(LM)导轨。LM导轨包括与驱动电机71结合的旋转螺杆74、与旋转螺杆74结合的滑动器75、固定至滑动器75的镜框73以及引导滑动器75的轨道76。清洁镜40被固定至镜框73。
根据实施例,当旋转螺杆74由驱动电机71旋转时,滑动器75和镜框73在轨道76上移动以使清洁镜40移动。清洁镜40的位移方向和位移量由驱动电机71的旋转方向和旋转量确定。清洁镜40在闲置状态下被设置在激光束的路径中的第一位置,并且其在运行状态下被设置在远离激光束的路径的第二位置。
图7是图6中示出的镜框的示例性变形的示意图。
参见图7,根据实施例,移送器70C的镜框731包括在平行于轨道76的方向上从清洁镜40移位的开口77。在运行状态下,开口77被设置在激光束的路径中,并且在闲置状态下,清洁镜40被滑动器75移位以被设置在激光束的路径中。
图8和图9是根据另一示例性实施例的激光晶化设备的示意图,并且图10A和10B是图8和图9中示出的低反射镜和清洁镜的示意图。
参见图8至图10B,根据另一示例性实施例的激光晶化设备200具有与移送器70D结合的低反射镜32和清洁镜40,并且低反射镜32和清洁镜40中的一个通过移送器70D的操作而设置在激光束的路径中。
根据实施例,移送器70D包括驱动电机71以及与驱动电机71的旋转轴711结合的镜框732。镜框732是圆板,并且旋转轴711与镜框732的中心结合。低反射镜32和清洁镜40被固定至镜框732,并且关于旋转轴711对称设置。
根据实施例,在运行状态下,低反射镜32被设置在激光束的路径中,并且清洁镜40从激光束的路径移开。在闲置状态下,镜框732沿顺时针或逆时针方向旋转180°。因此,清洁镜40被设置在激光束的路径中,并且低反射镜32从激光束的路径移开。
图11是图10A和图10B中示出的移送器的示例性变形的示意图。
参见图11,根据实施例,移送器70E包括驱动电机71和LM导轨。LM导轨包括与驱动电机71结合的旋转螺杆74、与旋转螺杆74结合的滑动器75、固定至滑动器75的镜框733以及引导滑动器75的轨道76。低反射镜32和清洁镜40平行于轨道76固定在镜框733中。
根据实施例,当旋转螺杆74由驱动电机71旋转时,滑动器75和镜框733在轨道76上移动,以使低反射镜32和清洁镜40移动。在运行状态下,低反射镜32被设置在已传播通过第二透明窗12的激光束的路径中,并且清洁镜40从激光束的路径移开。在闲置状态下,清洁镜40被设置在已传播通过第二透明窗12的激光束的路径中,并且低反射镜32从激光束的路径移开。
除了低反射镜32和清洁镜40被固定至镜框以选择性地面对第二透明窗12之外,根据另一示例性实施例的激光晶化设备200具有与结合图1-7描述的示例性实施例相同的结构。
关于上面描述的根据示例性实施例的激光晶化设备100和200,通过清洁镜40减少了第二透明窗12的污染,并且可以长期维持高透射率。因此,第二透明窗12的更换周期可以增长,并且激光晶化设备100和200的操作成本可以降低。
图12是根据示例性实施例的激光晶化方法的流程图。
参见图12,根据实施例的激光晶化方法包括激发密封容器中的气体介质以生成激光束的第一步骤S10,使激光束透过固定至密封容器的相应端部的第一透明窗和第二透明窗、使用高反射镜和低反射镜放大激光束、并且输出放大后的激光束的第二步骤S20,以及将清洁镜设置在已传播通过第二透明窗的激光束的路径中的第三步骤S30。
根据实施例,在第一步骤S10中生成激光束。电极对20被设置在密封容器10中。电极对20中的一个接地,并且另一个连接至高压电源21。在第一步骤S10中,电压被施加至被连接的电极20,并且在电极对20之间的空间中开始放电,放电激发气体介质生成激光束。
根据实施例,在第二步骤S20期间输出激光束。高反射镜31被设置在第一透明窗11外部,并且低反射镜32被设置在第二透明窗12外部。在第二步骤S20期间,在高反射镜31与低反射镜32之间反射的激光束产生谐振并被放大,并且放大后的激光束传播通过低反射镜32以被输出至照射目标。
根据实施例,第一步骤S10和第二步骤S20基本同时发生。照射目标是非晶硅层,并且在第二步骤S20期间,非晶硅层通过激光束的照射而退火为多晶硅层。第二步骤S20是其中激光束被照射至照射目标的运行状态。
根据实施例,在第三步骤S30中设置清洁镜。第三步骤S30是闲置状态,即,用于下一个输出运行的备用状态,并且第二步骤S20和第三步骤S30被交替且重复执行。
根据实施例,在第三步骤S30中,清洁镜40被设置为面对第二透明窗12。清洁镜40是具有几乎100%反射率的高反射镜,并且其将已传播通过第二透明窗12的激光束反射回到第二透明窗12,以移除贴附至第二透明窗12内侧的杂质80。
根据实施例,清洁镜40与移送器结合,并且可以通过移送器移位。在第二步骤S20期间,清洁镜40从激光束的路径移开并且处于路径之外,并且在第三步骤S30中通过移送器被移位,以被设置在第二透明窗12与低反射镜32之间。在这种情况下,移送器可以具有图5、图6和图7的结构中的一种。
在其他实施例中,清洁镜40和低反射镜32与移送器结合并且可以通过移送器移位。移送器将清洁镜40和低反射镜32中的一个设置在激光束的路径中。
根据实施例,详细地,在第二步骤S20期间,低反射镜32被设置在激光束的路径中,并且清洁镜40被设置在激光束路径之外。在第三步骤S30中,移送器使低反射镜32和清洁镜40的位置交换,使得清洁镜40被设置在激光束的路径中。移送器可以具有图10A、图10B和图11的结构中的一种。
根据实施例,在第二步骤S20期间被吸收到第二透明窗12内的杂质被在第三步骤S30中从清洁镜40反射的激光束移除,并且污染物从第二透明窗12移除。
图13和图14是透射率随根据比较示例的激光晶化设备的第二透明窗的波长和根据示例性实施例的激光晶化设备的第二透明窗的波长变化的曲线图,并且图15是用于定位测量透射率的点的第二透明窗的正视图。
图13示出测量第二透明窗的中心点处的透射率的结果,并且图14示出测量第二透明窗的周围点处的透射率的结果。在图15中,P1表示中心点,并且P2表示周围点。周围点P2是第二透明窗12的中心点P1与边缘之间的中间点,并且虚线描绘出第二透明窗12中激光束实际透过的区域。
比较示例是未使用清洁镜时的情况,并且在比较示例和示例性实施例两者中,在照射四千万次后测量第二透明窗的透射率。比较示例和示例性实施例的激光束的输出特性是

Claims (20)

1.一种激光晶化设备,包括:
密封容器,所述密封容器中装满气体介质,并且所述密封容器包括第一透明窗和第二透明窗;
电极对,安装在所述密封容器中并通过激发所述气体介质生成激光束;
激光谐振部,包括安装在所述第一透明窗外部的高反射镜和安装在所述第二透明窗外部并且反射率低于所述高反射镜的反射率的低反射镜;以及
清洁镜,被提供至已透过所述第二透明窗的激光束的路径上的第一位置和与所述激光束的所述路径分离的第二位置中的一个,并且所述清洁镜根据行进状态在所述第一位置与所述第二位置之间行进。
2.根据权利要求1所述的激光晶化设备,其中
所述清洁镜在闲置状态下被提供在所述第一位置并且在运行状态下被提供在所述第二位置。
3.根据权利要求2所述的激光晶化设备,其中
所述清洁镜被结合至移送器并且在所述第一位置与所述第二位置之间移动。
4.根据权利要求3所述的激光晶化设备,其中
所述移送器包括驱动电机以及结合至所述驱动电机并通过所述驱动电机的操作而旋转的镜框,并且
所述清洁镜被安装至所述镜框。
5.根据权利要求3所述的激光晶化设备,其中
所述移送器包括驱动电机以及结合至所述驱动电机并通过所述驱动电机的操作而执行直线运动的镜框,并且
所述清洁镜被安装至所述镜框。
6.根据权利要求5所述的激光晶化设备,其中
所述镜框产生与所述清洁镜分离的开口,并且
所述开口在所述运行状态下被提供在所述第一位置。
7.根据权利要求3所述的激光晶化设备,其中
所述低反射镜结合至所述移送器,并且
所述低反射镜和所述清洁镜中的一个被提供为面对所述第二透明窗。
8.根据权利要求7所述的激光晶化设备,其中
所述移送器包括驱动电机以及具有圆板形状且结合至所述驱动电机的旋转杆的镜框,并且
所述低反射镜和所述清洁镜沿所述镜框的周向安装在所述镜框中。
9.根据权利要求8所述的激光晶化设备,其中
所述旋转杆结合至所述镜框的中心,并且
所述低反射镜和所述清洁镜关于所述旋转杆对称设置。
10.根据权利要求7所述的激光晶化设备,其中
所述移送器包括驱动电机以及结合至所述驱动电机并根据所述驱动电机的操作而执行直线运动的镜框,并且
所述低反射镜和所述清洁镜沿所述镜框的运动方向彼此平行地安装在所述镜框中。
11.一种激光晶化方法,包括:
激发密封容器中的气体介质,以生成激光束,
通过使所述激光束在分别面对所述密封容器的相对端部设置的高反射镜与低反射镜之间反射来放大所述激光束,并输出放大后的激光束,其中第一透明窗和第二透明窗被固定至所述密封容器的相应端部;以及
在已传播通过所述第二透明窗的所述激光束的路径中设置清洁镜。
12.根据权利要求11所述的激光晶化方法,其中
输出所述放大后的激光束是其中所述激光束被照射至照射目标的运行状态,并且
设置所述清洁镜是等待下一个输出运行的闲置状态。
13.根据权利要求11所述的激光晶化方法,其中
所述清洁镜在所述放大后的激光束的输出期间从所述激光束的路径移开。
14.根据权利要求13所述的激光晶化方法,其中
所述清洁镜与移送器结合,所述移送器用于使所述清洁镜在所述激光束的所述路径中的第一位置与远离所述激光束的所述路径并在所述激光束的所述路径之外的第二位置之间移位。
15.根据权利要求14所述的激光晶化方法,其中
所述移送器包括驱动电机以及由所述驱动电机旋转并固定所述清洁镜的镜框,并且
所述清洁镜通过所述镜框的旋转而在所述第一位置与所述第二位置之间移位。
16.根据权利要求14所述的激光晶化方法,其中
所述移送器包括驱动电机以及通过所述驱动电机而直线地移位并固定所述清洁镜的镜框,并且
所述清洁镜通过所述镜框的直线运动而在所述第一位置与所述第二位置之间移位。
17.根据权利要求13所述的激光晶化方法,其中
所述低反射镜和所述清洁镜与移送器结合,所述移送器在输出所述放大后的激光束与设置所述清洁镜之间交换所述低反射镜的位置和所述清洁镜的位置。
18.根据权利要求17所述的激光晶化方法,其中
所述移送器包括驱动电机以及由所述驱动电机旋转并固定所述低反射镜和所述清洁镜的镜框,并且
所述低反射镜的位置和所述清洁镜的位置通过旋转所述镜框而交换。
19.根据权利要求13所述的激光晶化方法,其中
所述低反射镜和所述清洁镜与移送器结合,并且
在设置所述清洁镜时,所述低反射镜从所述激光束的所述路径移开。
20.根据权利要求19所述的激光晶化方法,其中
所述移送器包括驱动电机以及通过所述驱动电机直线地平移并固定所述低反射镜和所述清洁镜的镜框,并且
所述低反射镜和所述清洁镜中的一个通过所述镜框的直线平移而被设置为面对所述第二透明窗。
CN201710447134.1A 2016-06-14 2017-06-14 激光晶化设备和方法 Active CN107498194B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2016-0073882 2016-06-14
KR1020160073882A KR102486989B1 (ko) 2016-06-14 2016-06-14 레이저 결정화 장치 및 레이저 결정화 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107498194A true CN107498194A (zh) 2017-12-22
CN107498194B CN107498194B (zh) 2021-07-09

Family

ID=59061881

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710447134.1A Active CN107498194B (zh) 2016-06-14 2017-06-14 激光晶化设备和方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11087980B2 (zh)
EP (1) EP3258554B1 (zh)
KR (1) KR102486989B1 (zh)
CN (1) CN107498194B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20200238441A1 (en) * 2017-10-13 2020-07-30 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for spot beam and line beam crystallization
US11128097B2 (en) * 2019-08-02 2021-09-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Light source apparatus

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3624531A (en) * 1969-09-05 1971-11-30 Westinghouse Electric Corp Laser resonator assemblage
JPS6047485A (ja) * 1983-08-25 1985-03-14 Nec Corp ガスレ−ザ装置
JPS639172A (ja) * 1986-06-30 1988-01-14 Komatsu Ltd 縦型レ−ザヘツド
JPS63209187A (ja) * 1987-02-26 1988-08-30 Nikon Corp エキシマレ−ザ装置
JPH01117381A (ja) * 1987-10-30 1989-05-10 Shimadzu Corp エキシマレーザ用光共振器
JPH03214679A (ja) * 1990-01-18 1991-09-19 Nec Corp 光学窓遮蔽機構付チャンバ
US5091913A (en) * 1990-04-10 1992-02-25 Tsinghua Unversity Quartz crystal tuning he-ne double frequency laser
US6768765B1 (en) * 2001-06-07 2004-07-27 Lambda Physik Ag High power excimer or molecular fluorine laser system
US20050041697A1 (en) * 2003-06-12 2005-02-24 Martin Seifert Portable laser
CN1730226A (zh) * 2004-08-05 2006-02-08 发那科株式会社 激光切割加工装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2599286Y2 (ja) 1993-01-12 1999-08-30 株式会社小松製作所 ガスレーザ装置のウインド機構
JPH06237034A (ja) 1993-02-10 1994-08-23 Nec Corp 放電励起ガスレーザ装置
US5805625A (en) * 1994-02-09 1998-09-08 Walter Langner Laser
CA2263226C (en) 1996-08-16 2006-10-10 Imaging Research, Inc. A digital imaging system for assays in well plates, gels and blots
US7006541B2 (en) * 1998-06-01 2006-02-28 Lambda Physik Ag Absolute wavelength calibration of lithography laser using multiple element or tandem see through hollow cathode lamp
US7039086B2 (en) * 2001-04-09 2006-05-02 Cymer, Inc. Control system for a two chamber gas discharge laser
JP4397571B2 (ja) * 2001-09-25 2010-01-13 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射方法およびレーザ照射装置、並びに半導体装置の作製方法
US6970492B2 (en) 2002-05-17 2005-11-29 Lambda Physik Ag DUV and VUV laser with on-line pulse energy monitor
DE10252443A1 (de) * 2002-11-12 2004-05-27 Trumpf Lasertechnik Gmbh Vorrichtung zur Ablenkung eines Laserstrahls
KR20040066308A (ko) 2003-01-17 2004-07-27 삼성전자주식회사 노광용 레이저 장치의 부분반사 미러
JP2006344908A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ発振器及びレーザ発振器の運転方法
JP5630758B2 (ja) * 2006-08-09 2014-11-26 株式会社小松製作所 エキシマレーザ装置
KR101164063B1 (ko) 2009-10-27 2012-07-12 주식회사 케이씨텍 레이저 세정장치
JP5820689B2 (ja) * 2011-10-28 2015-11-24 ギガフォトン株式会社 レーザ装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3624531A (en) * 1969-09-05 1971-11-30 Westinghouse Electric Corp Laser resonator assemblage
JPS6047485A (ja) * 1983-08-25 1985-03-14 Nec Corp ガスレ−ザ装置
JPS639172A (ja) * 1986-06-30 1988-01-14 Komatsu Ltd 縦型レ−ザヘツド
JPS63209187A (ja) * 1987-02-26 1988-08-30 Nikon Corp エキシマレ−ザ装置
JPH01117381A (ja) * 1987-10-30 1989-05-10 Shimadzu Corp エキシマレーザ用光共振器
JPH03214679A (ja) * 1990-01-18 1991-09-19 Nec Corp 光学窓遮蔽機構付チャンバ
US5091913A (en) * 1990-04-10 1992-02-25 Tsinghua Unversity Quartz crystal tuning he-ne double frequency laser
US6768765B1 (en) * 2001-06-07 2004-07-27 Lambda Physik Ag High power excimer or molecular fluorine laser system
US20050041697A1 (en) * 2003-06-12 2005-02-24 Martin Seifert Portable laser
CN1730226A (zh) * 2004-08-05 2006-02-08 发那科株式会社 激光切割加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11087980B2 (en) 2021-08-10
EP3258554B1 (en) 2019-08-07
EP3258554A1 (en) 2017-12-20
US20170358449A1 (en) 2017-12-14
KR102486989B1 (ko) 2023-01-10
KR20170141310A (ko) 2017-12-26
CN107498194B (zh) 2021-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4838982B2 (ja) レーザアニール方法およびレーザアニール装置
JP5315392B2 (ja) 半導体装置の作製方法
US6847006B2 (en) Laser annealing apparatus and semiconductor device manufacturing method
US20040262272A1 (en) Sequential lateral solidification device
JP2010028128A (ja) 半導体装置の作製方法
KR20040048339A (ko) 레이저 조사장치, 레이저 조사방법 및 반도체장치의제조방법
CN107498194A (zh) 激光晶化设备和方法
JP5037926B2 (ja) レーザアニール装置
KR101275922B1 (ko) 액정표시장치 내의 액정량 조절 방법
US7482552B2 (en) Laser crystallizing device and method for crystallizing silicon
JP2002075904A (ja) レーザアニール装置および多結晶シリコンの製造方法
JP2001091970A (ja) 液晶ディスプレイパネルの製造方法
JP2003332258A (ja) レーザアニール装置、半導体デバイス、及び半導体デバイスの製造方法。
JP2006091671A (ja) 液晶ディスプレイの欠陥画素修正方法及び欠陥画素修正装置
JP2005210103A (ja) レーザ照射装置、レーザ照射方法及び結晶質半導体膜の作製方法
JP4364611B2 (ja) 結晶性半導体膜の作製方法
US20170248782A1 (en) Laser irradiation device
JP2005311340A (ja) ビームホモジナイザ及びレーザ照射装置
JP4944705B2 (ja) 半導体装置の作製方法及び配線の作製方法
JP4429575B2 (ja) レーザー照射装置及び半導体装置の作製方法
JP5520436B2 (ja) 半導体膜の結晶化方法
KR102246721B1 (ko) 레이저 결정화 장치
KR20200140961A (ko) 레이저 결정화 시스템 및 레이저 결정화 방법
KR20180131667A (ko) 고체 레이저 결정화 장치
JP2007005597A (ja) 電気光学装置の製造装置、及び電気光学装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant