CN107492404A - 一种导电银锡膏 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种LED封装导电银锡膏，属于LED封装材料领域。其中，所述一种导电银锡膏包括助焊剂、银粉、锡粉。所述导电银锡膏助焊剂使用有机溶剂、有机活性剂、表面活性剂、流变剂、防腐蚀剂按比例、工艺加工而成。所述导电银锡膏银粉使用小于2000目片状银粉。所述导电银锡膏锡粉使用小于2000目超细锡粉。所述导电银锡膏使用助焊剂、银粉、锡粉按一定比例混合通过抽真空、真空离心搅拌、低温分装形成最终产品。所述导电银锡膏通过260℃焊接、冷却后可在LED芯片和基板之间形成金属键连接，可大幅提高LED芯片与基板连接的结合力，提高芯片与基板结合处的抗拉伸应力能力和抗剪切应力能力，提高封装LED的抗失效能力，降低LED封装器件因拉伸应力能力和剪切应力能力导致的LED封装器件失效率。片状银粉作为所述导电银锡膏的支持骨架，具有良好的堆积性能，解决传统锡膏用于LED封装锡膏融化后难堆积成形的问题。
Description
技术领域
本发明涉及LED封装材料领域，具体而言，涉及一种可以完美替代目前传统导电银胶、传统锡膏，并且提升LED封装器件抗失效性能的导电材料。
背景技术
随着世界各地对能源的高度关注，高能耗产品逐步退出市场。高能耗的白炽灯逐步退出市场，LED产品正在迅速占领照明、装饰、广告、亮化工程等市场。传统银胶被广泛用于LED显示封装器件、传统锡膏被广泛用于LED照明、亮化封装器件。但是，因LED封装芯片与基板连接失效导致LED产品失效比例非常高，成为行业难题。
因此，通过新的材料、新工艺，使LED芯片与基板之间形成金属键连接，提高LED芯片与基板结合处的抗拉伸应力能力和抗剪切应力能力，提高封装LED的抗失效能力。片状银粉作为所述导电银锡膏的支持骨架，具有良好的堆积性能，解决传统锡膏用于LED封装锡膏融化后难堆积成形的问题。
发明内容
本发明的目的在于制造一种LED封装导电银锡膏，此导电银锡膏在通过260℃焊接、冷却后，在LED芯片与基板之间形成致密金属键连接，有效提高LED芯片与基板之间的连接力，提高LED芯片与基板结合处的抗拉伸应力能力和抗剪切应力能力，提高封装LED的抗失效能力。解决因LED芯片与基板连接失效导致LED器件失效这一行业难题。片状银粉作为所述导电银锡膏的支持骨架，具有良好的堆积性能，解决传统锡膏用于LED封装锡膏融化后难堆积成形的问题。
本发明的实施例是如下方式实现的：
本发明实例提供了一种LED封装导电银锡膏。其中，所述一种导电银锡膏由助焊剂、小于2000目片状银粉、小于2000目超细锡粉构成。所述导电银锡膏助焊剂使用有机溶剂、有机活性剂、表面活性剂、流变剂、防腐蚀剂按比例、工艺加工而成。所述导电银锡膏使用助焊剂、银粉、锡粉按一定比例混合通过抽真空、真空离心搅拌、低温分装形成最终产品。
本发明实施例的有益效果是：
本发明实例提供了一种LED封装导电银锡膏。此导电银锡膏使用有机溶剂、有机活性剂、表面活性剂、流变剂、防腐蚀剂按比例、工艺加工而成。所述导电银锡膏银粉使用小于2000目片状银粉。所述导电银锡膏锡粉使用小于2000目超细锡粉。所述导电银锡膏使用助焊剂、银粉、锡粉按一定比例混合通过抽真空、真空离心搅拌、低温分装形成最终产品。在通过260℃焊接、冷却后，使LED芯片与基板之间形成金属键连接，有效提高LED芯片与基板之间的连接力，提高LED芯片与基板结合处的抗拉伸应力能力和抗剪切应力能力，提高倒装LED晶片的抗失效能力。片状银粉作为所述导电银锡膏的支持骨架，具有良好的堆积性能，解决传统锡膏用于LED封装锡膏融化后难堆积成形的问题。
具体实施方式
为使本发明实施例的技术方案、制造方法更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案和制造方法进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
因此，以下提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例，简易表达实例完成设备和操作。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明LED封装导电银锡膏的制备方法
1.助焊剂的制备方法
1.1有机溶剂：取二丙醇和正丁醇按1:8-1:1比例混合、均匀搅拌。
1.2 有机活性剂：取丙二酸、水杨酸按1:2-2:1比例混合、均匀搅拌。
1.3 表面活性剂酰胺基乙烷，流变剂蓖麻油，防腐蚀剂碳酸氢钙；
1.4 取1.1有机溶剂保持加热至55-65℃，放置于离心搅拌容器中，然后分别加入质量比8%-18%有机活性剂，20%-40%天然松香，3%-12%酰胺基乙烷，5%-12%蓖麻油，0.1%-2%碳酸氢钙，剩余比例物质全部为有机溶剂。开启离心搅拌机，离心搅拌机频率控制在40-70转/分进行离心搅拌直至溶质均匀分布溶剂中。
1.5 等待1.4的溶液冷却至室温后转真空机抽出溶液中的气泡。
1.6 完成1.5步骤后即完成了助焊剂制备。
2.导电银锡膏制备方法
2.1 取质量比20%-60%小于2000目的片状银粉；
2.2在 2.1样中加入质量比15%-55%小于2000目超细锡粉；
2.3 取质量比5%-45%制备助焊剂，加入到2.2混合样中；
2.4 将2.3混合样置入真空离心搅拌机，启动真空功能，直至真空度达到-80KPa以下，保持小于-80KPa条件下启动搅拌功能搅拌20-40min至均匀。
2.5 测定2.4搅拌完成的混合组分粘度，根据需求通过调整助焊剂比例，重复2.4步骤，直至调节粘度至3000-20000，完成导电银锡膏的制备。
2.6 将2.5调配好的导电银锡膏降温至5℃以下，分装至500g瓶中，真空密封，置入-20℃工业冰箱冷藏。
3. 导电银锡膏的应用方法
3.1 根据需求将导电银锡膏通过粘点、印刷或涂抹的方式将银锡膏填涂至基板预定位置（根据芯片和封装需求控制填涂银锡膏量）。
3.2 将LED芯片放置到基板已填涂的锡膏的中心部位。
3.3 将3.2半成品放入高温区为260℃-20s的回流焊中或者直接放入260℃加热台20秒，使银锡膏融化与LED晶片进行金属键合。
3.4 将3.3半成品放入常温冷却，形成芯片与基板的金属键连接成品，此步骤完成后即完成了LED晶片的焊接。
Claims (5)
1.所述一种导电银锡膏由助焊剂、银粉、锡粉组成。
2.根据权利要求1所述导电银锡膏助焊剂使用有机溶剂、有机活性剂、表面活性剂、流变剂、防腐蚀剂按特定比例混合搅拌而制成。
3.根据权利要求1所述导电银锡膏的银粉使用的是粒径小于2000目片状银粉。
4.根据权利要求1所述导电银锡膏锡粉使用的是粒径小于2000目超细锡粉。
5.根据权利要求1所述的导电银锡膏由助焊剂、小于2000目片状银粉银粉、小于2000目锡粉通过真空离心搅拌加工而成。
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