CN107464970A - 一种铁电微波滤波器 - Google Patents

一种铁电微波滤波器 Download PDF

Info

Publication number
CN107464970A
CN107464970A CN201710703585.7A CN201710703585A CN107464970A CN 107464970 A CN107464970 A CN 107464970A CN 201710703585 A CN201710703585 A CN 201710703585A CN 107464970 A CN107464970 A CN 107464970A
Authority
CN
China
Prior art keywords
nimno
wave filter
film
cavity
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710703585.7A
Other languages
English (en)
Inventor
李彼
刘秋香
李万朋
唐新桂
蒋艳平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangdong University of Technology
Original Assignee
Guangdong University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangdong University of Technology filed Critical Guangdong University of Technology
Priority to CN201710703585.7A priority Critical patent/CN107464970A/zh
Publication of CN107464970A publication Critical patent/CN107464970A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/207—Hollow waveguide filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/215—Frequency-selective devices, e.g. filters using ferromagnetic material

Landscapes

  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

本发明提供一种铁电微波滤波器，包括金属腔体、设置在金属腔体内的介质谐振器、复合在腔体内壁上的Bi2NiMnO6薄膜器件以及设置在腔壁上的调谐螺丝；所述Bi2NiMnO6薄膜器件包括依次复合的衬底、底电极、Bi2NiMnO6薄膜和顶电极。本发明采用TE01δ模介质谐振腔滤波器，以Bi2NiMnO6薄膜为滤波器的介电材料，提高了滤波器的介电常数和调谐率，并且由于使用了高介电调谐Bi2NiMnO6薄膜材料，节约了材料用量，使制造成本明显下降。实验结果表明，本申请中的滤波器介电常数为5～18，介电调谐率为70～93％。

Description

一种铁电微波滤波器
技术领域
本发明属于无线通信技术领域，尤其涉及一种铁电微波滤波器。
背景技术
近年来，随着无线通信系统的飞速发展，介电微波器件不断被要求小型、低成本、高能量以及多功能化，介电调谐性薄膜材料因其潜在的器件应用，受到越来越多的关注。
其中，可调滤波器作为可重构系统中的关键部件，能够有效利用有限的频谱资源，缓解频谱资源日益紧缺的状况。因此，近年来受到国内外学者越来越广泛深入的研究。铁电薄膜可调滤波器具有体积小，易集成、调谐速度快、可靠性高等特点，成为国内外各机构研究可调滤波器的研究热点。
铁电调谐滤波器是利用铁电薄膜电容与电感或微带线等构成谐振器，通过在薄膜电容的两端施加电压来改变电容值的大小，从而引起谐振频率的变化。滤波器主要通过同轴线、波导、介质谐振器和微带线等方式实现。作为介电微波可调谐器件，希望其调谐量尽可能大，损耗尽可能小，从而保证器件的高调谐范围、高品质因子及高信号传输效率。因此，提高介电常数与调谐量，降低损耗成为调谐器件研究的主要追求目标。
发明内容
本发明的目的在于提供一种铁电微波滤波器，本发明中的铁电微波滤波器介电常数高、调谐量大。
本发明提供一种铁电微波滤波器，包括金属腔体、设置在金属腔体内的介质谐振器、复合在腔体内的Bi2NiMnO6薄膜器件以及设置在腔壁上的调谐螺丝；
所述Bi2NiMnO6薄膜器件包括依次复合的硅衬底、底电极、Bi2NiMnO6薄膜和顶电极。
优选的，所述底电极包括SrRuO3、FTO导电玻璃、ITO导电玻璃、Pt或LaNiO3；
所述顶电极包括Au、Pt或Al。
优选的，所述Bi2NiMnO6薄膜的厚度为100nm～120nm。
所述衬底的厚度为0.5～1mm；
所述底电极的厚度为80nm～90nm。
优选的，所述Bi2NiMnO6薄膜器件按照以下步骤制得：
A)将LaNiO3前驱液涂覆在衬底表面，烘干得到镀有底电极的基底；所述LaNiO3前驱液由La(NO3)3·5H2O、NiC4H6O4·4H2O和乙二醇甲醚配制得到；
B)将Bi2NiMnO6前驱液涂覆底电极表面，烘干后得到镀有铁电前驱膜的衬底；所述Bi2NiMnO6前驱液由Bi(NO3)3·5H2O、Ni(CH3COO)2·4H2O、Mn(CH3COO)2·4H2O和醋酸配制得到；
C)将镀有铁电前驱膜的衬底进行退火，得到镀有铁电薄膜的衬底；
D)在铁电薄膜的表面镀顶电极，得到Bi2NiMnO6薄膜器件。
优选的，所述退火在氮气和/或氧气气氛下进行；
所述退火的温度为550～700℃。
优选的，所述金属腔体为长方形腔体，所述金属腔体的长度为90～120mm；宽度为90～120mm；高度为80～120mm；
优选的，所述金属腔体腔壁厚度为40～50mm。
优选的，所述Bi2NiMnO6薄膜器件复合在所述金属腔体内部，位于所述金属腔体的中心位置，两端处于开路状态。
优选的，所述介质谐振器的数量为3～5个；
所述介质谐振器为陶瓷介质谐振器。
优选的，所述调谐螺丝与所述介质谐振器成互相垂直方向设置。
本发明提供一种铁电微波滤波器，包括金属腔体、设置在金属腔体内的介质谐振器、复合在腔体内壁上的Bi2NiMnO6薄膜器件以及设置在腔壁上的调谐螺丝；所述Bi2NiMnO6薄膜器件包括依次复合的衬底、底电极、Bi2NiMnO6薄膜和顶电极。本发明采用TE01δ模介质谐振腔滤波器，以Bi2NiMnO6薄膜为滤波器的介电材料，提高了滤波器的介电常数和调谐率，并且由于使用了高介电调谐Bi2NiMnO6薄膜材料，节约了材料用量，使制造成本明显下降。实验结果表明，本申请中的滤波器介电常数为5～18，介电调谐率为70～93％。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例1中得到的滤波器的结构示意图；
图2为本发明实施例1～4中滤波器不同频率下的ε-E曲线；
图3为本发明实施例5～8中BNMO薄膜的原子力显微镜图；
图4为本发明实施例5～8中滤波器不同频率下的ε-E曲线。
具体实施方式
本发明提供一种铁电微波滤波器，包括金属腔体、设置在金属腔体内的介质谐振器、复合在腔体内壁上的Bi2NiMnO6薄膜器件以及设置在腔壁上的调谐螺丝；
所述Bi2NiMnO6薄膜器件包括依次复合的硅衬底、底电极、Bi2NiMnO6薄膜和顶电极。
在本发明中，所述设置在金属腔体内的介质谐振器外形尺寸74mm×74mm×40mm。所述金属腔体优选为长方形腔体，所述金属腔体的尺寸优选为110mm×110mm×120mm；所述金属腔体的高度优选为80～120mm，更优选为120mm；所述金属腔体的壁厚优选为40～50mm。所述金属腔体的材质优选为不锈钢。
在本发明中，所述介质谐振器设置在所述金属腔体内部，一端直接与腔壁接触，处于短路状态，另一端处于开路状态，与正对的腔壁形成电容加载。本发明对所述介质谐振器的形状没有特殊的限制，所述介质谐振器优选为陶瓷介质谐振器；在本发明中，所述介质谐振器的数量优选为3～5个，可成直线排列，也可在所述腔体的圆形底面均匀分布。
在本发明中，所述Bi2NiMnO6薄膜器件复合在所述金属腔体内部，位于所述金属腔体的中心位置，所述Bi2NiMnO6薄膜器件下方使用低介电常数的材料如SiO2垫着，所述Bi2NiMnO6薄膜器件两端处于开路状态。所述Bi2NiMnO6薄膜器件包括依次复合的衬底、底电极、Bi2NiMnO6薄膜和顶电极。
在本发明中，所述衬底优选为Si，所述衬底的厚度优选为0.5～1mm；所述底电极优选为SrRuO3、FTO导电玻璃、ITO导电玻璃、Pt或LaNiO3；所述底电极的厚度优选为80nm～90nm；所述Bi2NiMnO6薄膜的厚度优选为100nm～120nm；所述顶电极优选为Au、Pt或Al。
在本发明中，所述Bi2NiMnO6薄膜器件优选按照以下步骤制得：
A)将LaNiO3前驱液涂覆在衬底表面，烘干得到镀有底电极的基底；所述LaNiO3前驱液由La(NO3)3·6H2O、NiC4H6O4·4H2O和乙二醇甲醚配制得到；
B)将Bi2NiMnO6前驱液涂覆底电极表面，烘干后得到镀有铁电前驱膜的衬底；所述Bi2NiMnO6前驱液由、Ni(CH3COO)2·4H2O、Mn(CH3COO)2·4H2O和醋酸配制得到；
C)将镀有铁电前驱膜的衬底进行退火，得到镀有铁电薄膜的衬底；
D)在铁电薄膜的表面镀顶电极，得到Bi2NiMnO6薄膜器件。
本发明优选按照以下步骤制备LaNiO3前驱液和Bi2NiMnO6前驱液：
1)LaNiO3前驱液：以分析纯六水硝酸镧(La(NO3)3·6H2O)(99％)、醋酸镍(NiC4H6O4·4H2O)(99％)为原料，以乙二醇甲醚有机溶剂作为溶剂，以冰乙酸作为控制pH值的添加物，以乙酰丙酮作为控制水解速度的添加物。根据化学计量比将La(NO3)3·6H2O(99％)溶于乙二醇甲醚中，先后加入一定量的冰乙酸和乙酰丙酮，在室温条件下搅拌至充分溶解，形成A液；将醋酸镍(NiC4H6O4·4H2O)(99％)溶于乙二醇甲醚中，先后加入一定量的冰乙酸和乙酰丙酮，在50℃的温度下搅拌至充分溶解，冷却至室温后形成B液；然后将B液滴加进A液中，搅拌充分混合后形成LaNiO3溶液，静置陈化一段时间后得到0.3mol/L的LaNiO3前驱液。
Bi2NiMnO6前驱液：以分析纯五水硝酸铋(Bi(NO3)3·5H2O)(98％)、醋酸镍(NiC4H6O4·4H2O)(99％)和醋酸锰(Mn(CH3COO)2·4H2O)(99％)为原料，以冰醋酸、36％乙酸作为溶剂，以乙酰丙酮作为控制水解速度的添加物。根据化学计量比将五水硝酸铋容易冰乙酸中，在在室温条件下搅拌至充分溶解，形成A液；将醋酸镍(NiC4H6O4·4H2O)溶于冰乙酸中，在50℃的温度下搅拌至充分溶解，冷却至室温后形成B液；将醋酸锰溶于36％乙酸中，室温下搅拌至充分溶解，形成C液，然后在室温下将B液一边滴加进A液中，一边搅拌至充分混合，形成D液，再在室温下将C液一边滴加进D液中，一边搅拌至充分混合后过滤，得到Bi2NiMnO6溶液，静置陈化一段时间后得到0.3mol/L的Bi2NiMnO6前驱液。
2)采用旋涂仪在Si基底上旋涂LaNiO3溶胶，并首先在空气条件下100℃的热平台上烘胶5min，之后再在300℃的热平台上烘烤1h，以充分除去有机物，为了达到理想的厚度，旋涂烘胶过程重复2-3次，得到未晶化退火的LaNiO3底电极；
3)采用旋涂仪在未晶化退火的LaNiO3底电极上旋涂Bi2NiMnO6溶胶，首先将所得的Bi2NiMnO6溶胶逐滴滴加到未晶化退火的LaNiO3底电极上，低速1500r/min，旋转10s，随后3500r/min旋转30s，然后将湿膜放在加热平台上先150℃烘烤5min，随后300℃烘烤半小时以上以消除有机基团。
4)最后在氧气和/或氮气下将烘烤后的薄膜用快速退火炉在不同温度下退火15min，即得Bi2NiMnO6薄膜。
在本发明中，所述退火的温度优选为550～750℃，具体的，可以是550℃、600℃、650℃、700℃或750℃；所述退火的时间优选为5～20min，更优选为10min；本发明优选在氧气和/或氮气气氛下进行所述退火。
完成退火后，本发明在所述铁电薄膜的表面镀顶电极，得到Bi2NiMnO6薄膜器件。
本发明提供一种铁电微波滤波器，包括金属腔体、设置在金属腔体内的介质谐振器、复合在腔体里的Bi2NiMnO6薄膜器件以及设置在腔壁上的调谐螺丝；所述Bi2NiMnO6薄膜器件包括依次复合的衬底、底电极、Bi2NiMnO6薄膜和顶电极。本发明采用TE01δ模介质谐振腔滤波器，以Bi2NiMnO6薄膜为滤波器的介电材料，提高了滤波器的介电常数和调谐率，并且由于使用了高介电调谐Bi2NiMnO6薄膜材料，节约了材料用量，使制造成本明显下降。实验结果表明，本申请中的滤波器介电常数为5～18，介电调谐率为70～93％。
为了进一步说明本发明，以下结合实施例对本发明提供的一种铁电微波滤波器进行详细描述，但不能将其理解为对本发明保护范围的限定。
实施例1
利用化学沉积法制备的Bi2NiMnO6(BNMO)薄膜：以分析纯六水硝酸镧(La(NO3)3·6H2O)(99％)、醋酸镍(NiC4H6O4·4H2O)(99％)、五水硝酸铋(Bi(NO3)3·5H2O)(98％)和醋酸锰(Mn(CH3COO)2·4H2O)(99％)为原料，按摩尔比配制0.30.3mol/L的LaNiO3(LNO)和Bi2NiMnO6(BNMO)前驱液，将LaNiO3(LNO)前驱液旋转涂覆于硅片上，1500r/min旋转涂覆10s，随后3500r/min涂覆30s，每涂覆一层，将湿膜在加热台上150℃烘10min接着在300℃烘30min。用同样的方法在LNO前驱膜上面镀得BNMO前驱膜，最后在600℃氧气氛围退火10min，镀上底电极，得到BNMO薄膜器件。其中，BNMO薄膜的厚度为100nmnm，Si硅衬底的厚度为0.5mm，底电极的厚度为80nm。
将介质谐振器、BNMO薄膜器件组装在不锈钢腔体内部，安装上调谐螺丝，得到铁电微波滤波器。不锈钢腔体尺寸为110mm×110mm×120mm，壁厚50mm。
本实施例得到的滤波器结构如图1所示，图1为本发明实施例1中得到的滤波器的结构示意图。
实施例2～4
按照实施例1中的技术方案制备得到滤波器，不同的是，实施例2～4的退火温度分别为650℃、700℃和750℃。
测试本发明实施例1～4得到的滤波器的介电常数-电场关系(ε-E)曲线，结果如图2所示，图2为本发明实施例1～4中滤波器不同频率下的ε-E曲线。从图中可以看出，BNMO薄膜在零电场下展现最高的介电常数，一般传统铁电薄膜的介电常数峰出现在其矫顽电场附近，这与传统铁电或反铁电体的ε-E均明显不相同，显示出可能存在的反铁电效应。并且最高介电常数随测试频率的增加，有逐渐下降的趋势，这可能源于频率增加导致薄膜中某些偶极子跟不上外加电场响应，从而使得介电常数在高频下出现下降。
测试了实施例1～4得到的滤波器的调谐率，结果如表1所示，表1为本发明实施例1～4中滤波器的调谐率。
表1本发明实施例1～4中滤波器的调谐率
表中可看出，对于氧气中BNMO薄膜退火温度为600，650，700和750℃，其介电调谐率分别为94～95％，75～78％，82～88％和63～73％，改变旋涂速度，氧气气氛600～750℃温度范围退火所得BNMO薄膜，不同频率下介电常数电场关系测试发现氧气退火下BNMO薄膜具有与氮气退火样品相当的介电调谐率。
实施例5
利用化学沉积法制备的Bi2NiMnO6(BNMO)薄膜：以分析纯六水硝酸镧(La(NO3)3·6H2O)(99％)、醋酸镍(NiC4H6O4·4H2O)(99％)、五水硝酸铋(Bi(NO3)3·5H2O)(98％)和醋酸锰(Mn(CH3COO)2·4H2O)(99％)为原料，按摩尔比配制0.3mol/L的LaNiO3(LNO)和Bi2NiMnO6(BNMO)前驱液，将LaNiO3(LNO)前驱液旋转涂覆于硅片上，1500r/min旋转涂覆10s，随后3500r/min涂覆30s，每涂覆一层，将湿膜在加热台上150℃烘10min接着在300℃烘30min。用同样的方法在LNO前驱膜上面镀得BNMO前驱膜，最后在550℃氮气氛围退火10min，镀上底电极，得到BNMO薄膜器件。
将介质谐振器、BNMO薄膜器件组装在不锈钢腔体内部，安装上调谐螺丝，得到铁电微波滤波器。不锈钢腔体尺寸为110mm×110mm×120mm，壁厚50mm。
实施例6～8
按照实施例5中的技术方案制备得到滤波器，不同的是，实施例6～8的退火温度分别为600℃、650℃和700℃。
观测了实施例5～8中BNMO薄膜的微观形态，结果如图3所示，图3为本发明实施例5～8中BNMO薄膜的原子力显微镜图。图3中的(a)、(b)、(c)、(d)图分别表示实施例5、实施例6、实施例7和实施例8。扫描面积为1×1um2。从四幅AFM图可以看出薄膜在550℃到700℃退火温度范围内，晶粒生长状况良好，呈球形状生长，薄膜表面致密，所得晶粒大小相近，晶粒尺寸约为60nm，表面粗糙度13.5nm。
测试本发明实施例5～8得到的滤波器的介电常数-电场关系(ε-E)曲线，结果如图4所示，图4为本发明实施例5～8中滤波器不同频率下的ε-E曲线。从图4可以看出，所有样品的介电常数-电场关系(ε-E)回线均出现一个平台，即是在该电场范围内介电常数不随外加场强的变化。在零电场强度时，样品的介电常数出现极大值，一般传统铁电薄膜的介电常数峰出现在其矫顽电场附近，这与传统铁电或反铁电体的ε-E均明显不相同，显示出可能存在的反铁电效应。相比于实施例1～4中氧气气氛退火得到的BNMO薄膜滤波器，在氮气气氛下退火得到的BNMO薄膜的ε-E曲线具有更好的规律性。
测试了实施例5～8得到的滤波器的调谐率，结果如表2所示，表2为本发明实施例5～8中滤波器的调谐率。
表2本发明实施例5～8中滤波器的调谐率
T(℃) 550 600 650 700
1kHz 94％ 92％ 89％ 70％
10kHz 93％ 91％ 88％ 70％
100kHz 93％ 92％ 89％ 78％
1MHz 93％ 92％ 89％ 78％
从表2中可看出，对于氮气中BNMO薄膜退火温度为550，600，650和700℃，其介电调谐率分别为93～94％，91～92％，88～89％和70～78％，传统铁电体的介电常数与铁电极化直接相关，当铁电体被极化时其介电常数必然下降。BNMO薄膜的高介电调谐效应可能源于其电子铁电体(electronic ferroelectricity)性质，其二价Ni离子与四价Mn离子的电荷有序，产生电子极化区域，其拥有强的局部极化。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种铁电微波滤波器，包括金属腔体、设置在金属腔体内的介质谐振器、复合在腔体内的Bi2NiMnO6薄膜器件以及设置在腔壁上的调谐螺丝；
所述Bi2NiMnO6薄膜器件包括依次复合的硅衬底、底电极、Bi2NiMnO6薄膜和顶电极。
2.根据权利要求1所述的铁电微波滤波器，其特征在于，所述底电极包括SrRuO3、FTO导电玻璃、ITO导电玻璃、Pt或LaNiO3；
所述顶电极包括Au、Pt或Al。
3.根据权利要求1所述的铁电薄膜滤波器，其特征在于，所述Bi2NiMnO6薄膜的厚度为100nm～120nm；
所述衬底的厚度为0.5～1mm；
所述底电极的厚度为80nm～90nm。
4.根据权利要求1～3任意一项所述的铁电薄膜滤波器，其特征在于，所述Bi2NiMnO6薄膜器件按照以下步骤制得：
A)将LaNiO3前驱液涂覆在衬底表面，烘干得到镀有底电极的基底；所述LaNiO3前驱液由La(NO3)3·5H2O、NiC4H6O4·4H2O和乙二醇甲醚配制得到；
B)将Bi2NiMnO6前驱液涂覆底电极表面，烘干后得到镀有铁电前驱膜的衬底；所述Bi2NiMnO6前驱液由Bi(NO3)3·5H2O、Ni(CH3COO)2·4H2O、Mn(CH3COO)2·4H2O和醋酸配制得到；
C)将镀有铁电前驱膜的衬底进行退火，得到镀有铁电薄膜的衬底；
D)在铁电薄膜的表面镀顶电极，得到Bi2NiMnO6薄膜器件。
5.根据权利要求4所述的铁电薄膜滤波器，其特征在于，所述退火在氮气和/或氧气气氛下进行；
所述退火的温度为550～700℃。
6.根据权利要求1所述的铁电薄膜滤波器，其特征在于，所述金属腔体为长方形腔体，所述金属腔体的长度为90～120mm；宽度为90～120mm；高度为80～120mm。
7.根据权利要求1所述的铁电薄膜滤波器，其特征在于，所述金属腔体腔壁厚度为40～50mm。
8.根据权利要求1所述的铁电薄膜滤波器，其特征在于，所述Bi2NiMnO6薄膜器件复合在所述金属腔体内部，位于所述金属腔体的中心位置，两端处于开路状态。
9.根据权利要求1所述的铁电薄膜滤波器，其特征在于，所述介质谐振器的数量为3～5个；
所述介质谐振器为陶瓷介质谐振器。
10.根据权利要求1所述的铁电薄膜滤波器，其特征在于，所述调谐螺丝与所述介质谐振器成互相垂直方向设置。
CN201710703585.7A 2017-08-16 2017-08-16 一种铁电微波滤波器 Pending CN107464970A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710703585.7A CN107464970A (zh) 2017-08-16 2017-08-16 一种铁电微波滤波器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710703585.7A CN107464970A (zh) 2017-08-16 2017-08-16 一种铁电微波滤波器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107464970A true CN107464970A (zh) 2017-12-12

Family

ID=60548935

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710703585.7A Pending CN107464970A (zh) 2017-08-16 2017-08-16 一种铁电微波滤波器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107464970A (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102738543A (zh) * 2012-06-05 2012-10-17 深圳光启创新技术有限公司 一种滤波器
CN102787356A (zh) * 2011-05-17 2012-11-21 三菱综合材料株式会社 铁电薄膜的制造方法
CN102916122A (zh) * 2012-10-17 2013-02-06 广东工业大学 一种低漏电流半导体薄膜异质结及制备方法
CN103296359A (zh) * 2012-02-29 2013-09-11 深圳光启创新技术有限公司 一种滤波器
CN103296352A (zh) * 2012-02-29 2013-09-11 深圳光启创新技术有限公司 一种滤波器
CN104009276A (zh) * 2013-02-25 2014-08-27 中兴通讯股份有限公司 介质谐振器及其装配方法、介质滤波器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102787356A (zh) * 2011-05-17 2012-11-21 三菱综合材料株式会社 铁电薄膜的制造方法
CN103296359A (zh) * 2012-02-29 2013-09-11 深圳光启创新技术有限公司 一种滤波器
CN103296352A (zh) * 2012-02-29 2013-09-11 深圳光启创新技术有限公司 一种滤波器
CN102738543A (zh) * 2012-06-05 2012-10-17 深圳光启创新技术有限公司 一种滤波器
CN102916122A (zh) * 2012-10-17 2013-02-06 广东工业大学 一种低漏电流半导体薄膜异质结及制备方法
CN104009276A (zh) * 2013-02-25 2014-08-27 中兴通讯股份有限公司 介质谐振器及其装配方法、介质滤波器

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
戴达煌等: "铁电薄膜", 《功能薄膜及其沉积制备技术》 *
邓敏霖: "Bi2NiMnO6薄膜的制备及其电学性能的研究", 《万方学位论文数据库》 *
邓敏霖等: "不同退火气氛下Bi2NiMnO6薄膜的铁电性能和漏电流研究", 《广东工业大学学报》 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Sun et al. Sol–gel synthesized pure CaCu3Ti4O12 with very low dielectric loss and high dielectric constant
US20070048440A1 (en) Ferrite thin film for high-frequency devices and production method thereof
Tang et al. Magnetoelectric coupling effect in lead-free Bi4Ti3O12/CoFe2O4 composite films derived from chemistry solution deposition
CN108892503B (zh) 一种高电卡效应薄膜材料及其制备方法
US6482527B1 (en) Pyrochlore thin films and process for making
Yang et al. Synthesis, dielectric properties of Bi 2/3 Cu 3 Ti 4 O 12 ceramics by the sol–gel method
CN102179967B (zh) 一种镧锶锰氧-钛酸锶铅复合薄膜及其制备方法
CN101205139A (zh) 一种微波介电可调的钛酸锶铋薄膜的制备方法
CN100480437C (zh) 一种取向生长的介电常数可调钛酸锶铅薄膜的制备方法
CN100376506C (zh) 一种具有成份梯度分布的非铅系铁电薄膜及其制备方法
Mao et al. Enhanced voltage endurance capability of Ba (Zr0. 2Ti0. 8) O3 thin films induced by atomic-layer-deposited Al2O3 intercalations and the application in electrostatic energy storage
Ke et al. Highly frequency-, temperature-, and bias-stable dielectric properties of 500° C processed Bi2SiO5 thin films with low dielectric loss
Dewi et al. The effect of heating rate on BaZrxTi1-xO3 thin film for x= 0.4 and x= 0.6 as capacitors
CN107464970A (zh) 一种铁电微波滤波器
CN102719793A (zh) 一种具有高调谐率的钛酸锶铅铁电薄膜及其制备方法
CN104478228B (zh) 一种Bi0.85‑xPr0.15AExFe0.97Mn0.03O3 铁电薄膜及其制备方法
CN100572317C (zh) 一种介电常数可调的锌掺杂pst薄膜的制备方法
Gao et al. Effects of buffer layers on the orientation and dielectric properties of Ba (Zr0. 20Ti0. 80) O3 thin films prepared by sol–gel method
Dong et al. Preparation and characterization of crystalline Ba0. 5Sr0. 5TiO3 thin films on FTO transparent electrodes
Sun et al. Dielectric and tunable properties of Pb0. 25BaxSr0. 75− xTiO3 thin films fabricated by a modified sol–gel method
CN102174697B (zh) 一种在金属镍基片上生长氧化物铁电薄膜的方法
CN115180934B (zh) 一种具有复合微结构介电可调协同掺杂钡铁氧体薄膜及其制备方法
CN115196954B (zh) 一种特定非晶型超低调制电场和极高介电可调钡铁氧体薄膜及其制备方法
Han et al. The microstructure, insulating and dielectric characteristics of Na 0.5 Bi 0.5 TiO 3 thin films: role of precursor solution
CN106835134B (zh) 一种新型磁电调谐复合薄膜及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20171212