CN107430466A - 用于触摸屏面板的层状系统、用于触摸屏面板的层状系统的制造方法及触摸屏面板 - Google Patents

用于触摸屏面板的层状系统、用于触摸屏面板的层状系统的制造方法及触摸屏面板 Download PDF

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CN107430466A CN201480083233.0A CN201480083233A CN107430466A CN 107430466 A CN107430466 A CN 107430466A CN 201480083233 A CN201480083233 A CN 201480083233A CN 107430466 A CN107430466 A CN 107430466A
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Abstract

提供一种适合用于触摸屏面板的层状系统(100)。层状系统(100)包括至少一个层堆叠,层堆叠具有三个或更多个层,三个或更多个层在相同的结构化工艺中被结构化。三个或更多个层包括金属层(110)、及两个或更多个其他的层,金属层(110)包括铝或铝合金。两个或更多个其他的层包括铟镓锌氧化物(IGZO)层或铟锌氧化物(IZO)层、以及第一层(120),第一层(120)包括钼或钼合金。

Description

用于触摸屏面板的层状系统、用于触摸屏面板的层状系统的 制造方法及触摸屏面板
技术领域
本公开内容的实施方式涉及用于触摸屏面板(touch screen panel)的层状系统(layer system)、用于触摸屏面板的层状系统的制造方法、及触摸屏面板。
背景技术
触摸屏面板为电子视觉显示器(electronic visual display)的一个特别的种类,其能够在显示区域内检测并且定位触摸。触摸屏面板可包括配置在屏幕之上用以感测触摸的层状系统。此层状系统可以是实质上透明的,使得屏幕发出的可见光谱范围中的光可从中通过。至少一些已知的触摸屏面板包括具有结构化的多个层的层状系统,层状系统形成在基板之上。在这种触摸屏面板的显示区域上的触摸通常在层状系统的区域中产生可测量到的电容变化。电容的变化可用不同的技术来测量,使得触摸的位置能够被确定。
用于触摸屏面板中的层状系统需符合一些特定的要求。例如,光学特性(例如呈现于使用者的外观)需作为触摸屏面板的考虑。尤其,层状系统(例如结构化的导体)的层的结构不应被使用者所看见。又一需考虑的方面是显示器尺寸的稳定增加,其中除了前述的光学特性之外,电学特性亦渐受关注。特别是,结构化的导体的高导电性被认为是有益于大型触摸面板的尺寸。
有鉴于上述,目前需要用于触摸屏面板中的层状系统,此层状系统相较于传统的结构提供改善的光学及电学性能。
发明内容
有鉴于上述,提供用于触摸屏面板的层状系统、用于触摸屏面板的层状系统的制造方法、及一种触摸屏面板。本公开内容的其他方面、优点和特征根据权利要求、说明书和附图是显而易见的。
根据本公开内容的一个方面,提供用于触摸屏面板的层状系统。层状系统包括至少一个层堆叠,层堆叠具有三个或更多个层,这些三个或更多个层在相同的结构化工艺中被结构化。这些三个或更多个层包括金属层及两个或更多个其他的层,金属层包括铝或铝合金。两个或更多个其他的层包括铟镓锌氧化物(IGZO)层或铟锌氧化物(IZO)层;以及第一层,第一层包括钼或钼合金。
根据本公开内容的另一方面,提供一种触摸屏面板。触摸屏面板包括屏幕装置(特别是液晶显示器)以及如本文所述的层状系统。层状系统包括至少一个层堆叠,层堆叠具有三个或更多个层,这些三个或更多个层在相同的结构化工艺中被结构化。这些三个或更多个层包括金属层及两个或更多个其他的层,金属层包括铝或铝合金。两个或更多个其他的层包括铟镓锌氧化物(IGZO)层或铟锌氧化物(IZO)层;以及第一层,第一层包括钼或钼合金。
根据本揭露公开内容的又一方面,提供用于触摸屏面板的层状系统的制造方法。方法包括:在基板之上提供金属层,金属层包括铝或铝合金;在金属层之上提供第一层,其中第一层包括钼或钼合金;在第一层之上提供铟镓锌氧化物(IGZO)层或铟锌氧化物(IZO)层;以及结构化金属层、第一层、及IGZO层或IZO层。
实施方式也涉及用于实现所披露方法的设备并且包括用于执行各个所述方法的方面的设备零件。这些方法的方面可通过硬件部件、以适当软件编程的计算机、上述两者的任何组合或以其他方式被执行。此外,根据本公开内容的实施方式还涉及用于操作所述设备的方法。包括用来实现设备的每个功能的方法方面。
附图说明
因此,可参照实施方式来详细理解本公开内容的上述特征,以及以上简要概述的有关本公开内容更具体的描述。附图与本公开内容的实施方式有关并将描述于下文中。
图1绘示根据本文所述的实施方式的适用于触摸屏面板的层状系统的示意性截面图;
图2A绘示根据本文所述的其他实施方式的适用于触摸屏面板的层状系统的示意性截面图;
图2B绘示具有保护外盖(cover lens)的图2A的层状系统的示意性截面图;
图2C绘示图2A及图2B的层状系统的反射率的曲线图;
图3A绘示根据本文所述的另外的实施方式的适用于触摸屏面板的层状系统的示意性截面图;
图3B绘示具有保护外盖的图3A的层状系统的示意性截面图;
图3C绘示图3A及图3B的层状系统的反射率的曲线图;
图4绘示根据本文所述的实施方式的具有层状系统的触摸屏面板的示意图;
图5绘示根据本文所述的其他实施方式的具有层状系统的触摸屏面板的示意图;
图6绘示根据本文所述的另外实施方式的具有层状系统的触摸屏面板的示意图;
图7绘示根据本文所述的实施方式的用于制造层状系统的沉积设备的示意图;和
图8绘示根据本文所述的实施方式的适用于触摸屏面板的层状系统的制造方法的流程图。
具体实施方式
以下将对本公开内容的各个实施方式作详细说明,这些的实施方式一个或多个实例绘示于附图中。下列关于附图的叙述当中,相同的附图标记表示相同的部件。一般而言,仅描述各个实施方式之间的差异。提供每个实例用来解释本公开内容,而并非用来限定本公开内容。此外,作为实施方式的一部分所绘示或所描述的特征可使用于其他实施方式或结合于其他实施方式,以产生其他的实施方式。本说明书意图包括这些修改和变化。
本文所使用的术语“基板”应包括可用于显示器制造的基板,诸如玻璃基板或塑料基板。例如,本文所述的基板应包括可用于LCD(液晶显示器)、PDP(等离子体显示面板)、OLED显示器及类似物的基板。除非在文中另有明确的特定描述,否则术语“基板”应理解为本文具体指出的“大面积基板”。根据本公开内容,大面积基板可具有至少0.174m2的尺寸。例如,尺寸可以是约1.4m2至约8m2,且特别是约2m2至约9m2,或甚至达12m2。然而,本公开内容并不限定于此,且术语“基板”亦可包括柔性基板,诸如网(web)或箔。
本文所使用的术语“透明”应具体包括一种结构的以相对低的散射使光穿透的能力,举例来说,使得光从中穿透时可实质上清楚地被看见。例如,基板包括玻璃或聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)。PET可具有约90%的透射率。
图1绘示根据本文所述的实施方式的适用于触摸屏面板的层状系统100的示意性截面图。
层状系统100包括至少一个层堆叠,此层堆叠具有在相同的结构化工艺(例如蚀刻工艺)中被结构化的三个层或更多个层。三个层或更多个层包括金属层110及两个或更多个其他的层,金属层110包括铝或铝合金。两个或更多个其他的层包括铟镓锌氧化物(IGZO)层或铟锌氧化物(IZO)层;以及第一层120,第一层120包括钼或钼合金。在一些实施方式中,层状系统100被配置用于触摸检测。在下文中,“IGZO层或IZO层”亦表示为“IGZO或IZO层130”。
在一些实施方式中,铝合金可以是AlNd。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式,层状系统100包括至少一个基板,诸如第一基板10。金属层110及两个或更多个其他的层可配置于第一基板10之上,如图1的实例所示。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式,配置两个或更多个其他的层以使金属层110变暗(blacken),使得金属层110的结构对于人类的眼睛实质上是不可见的。此处理解的术语“变暗”可表示层状系统100的低表面反射率,特别是在可见波长范围(例如约350nm至约800nm)。低表面反射率可能是由于第一层120与IGZO或IZO层130的结合所造成的。本公开内容的层状系统的表面反射率在可见波长范围的至少一部分可小于20%,具体是小于10%,且更具体是小于5%。根据一些实施方式的层状系统的表面反射率的示例请参照图2C及图3C。
本公开内容的层状系统100具备改善的光学特性(例如呈现于使用者的外观)。尤其,层(例如金属层110)的结构对于使用者而言是看不见的。层状系统100进一步提供改善的电学特性。尤其,用于触摸检测的结构化导体是金属层110,金属层110包括具有高导电性的铝或/和铝合金。这对于大型触摸面板尺寸而言特别有利。有鉴于此,本公开内容提供用于触摸屏面板的层状系统,相较于传统的结构而言提供改善的光学及电学性能。通过在单一结构化工艺中结构化这些层,能够以较少的工作量及成本制造此层状系统。
根据能与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式,金属层110的厚度小于500微米,具体是小于300微米,且更具体是约200微米的厚度。在一些实施方式中,金属层110的导电性为至少2*107S*m,具体是约3.5*107S*m。在一些实施方式中,金属层120的电阻率为小于5*10-8Ohm*m,具体是约3*10-8Ohm*m或2.8*10-8Ohm*m。
在一些实施方式中,金属层110提供具有一条或多条接线的接线图案。这些接线可以是平行的接线,例如水平接线或垂直接线。例如,接线图案可被配置用于触摸检测,特别是结合于另外的接线图案。两个接线图案可通过绝缘层分开。两个接线图案的接线可沿实质上垂直的方向延伸,以形成矩阵(matrix)。此矩阵可被配置用于触摸检测,例如通过检测两个接线图案之间的电容的变化。
根据一些实施方式,这些接线的宽度可小于10微米,具体是小于5微米,且可更具体是具有约2微米至约3微米的范围的宽度。第一层120及IGZO或IZO层130的结合可使接线变暗(亦即是使接线变为黑暗),使接线对于人类的眼睛而言是实质上不可见的。
在一些实施方式中,第一层120提供于金属层110上或之上,和/或IGZO或IZO层130提供于第一层120上或之上。亦即,金属层110、第一层120及IGZO或IZO层130依此顺序配置,具体是位于第一基板10上或之上。金属层110与第一层120、和/或第一层120与IGZO或IZO层130可互相直接配置于另一者上。或者,至少一个附加层可提供于金属层110与第一层120之间、和/或提供于第一层120与IGZO或IZO层130之间。
当使用术语“上”或“之上”表示时(亦即,一个层在另一层上或之上),应理解的是,例如是从第一基板10开始,一个层沉积于第一基板10上或之上,沉积于此层之后的另一层位于此层上或之上,且位于第一基板10之上。换言之,术语“上”或“之上”用于限定层、层堆叠、和/或膜的顺序,其中起始点可以是第一基板10,且无关于此层状系统是否绘示为上下颠倒。此外,术语“之上”应包括一层与另一层之间提供有一个或多个附加层的实施方式。术语“上”应包括一层与另一层之间没有提供附加层的实施方式,亦即一层与另一层互相直接配置于另一者上,或者,换言之,一层与另一层互相接触。
在一些实施方式中,第一层120选自包括MoOx层、氧化钼合金层((Mo-alloy)Oxlayer)、MoOxNx层、氮氧化钼合金层((Mo-alloy)OxNx layer)、MoNbOx层及MoNb层的组。第一层120与IGZO或IZO层130的结合提供金属层110的变暗效果。亦即,使金属层110变得黑暗,因而无法被使用者看见。
铟锡氧化物(ITO)可作为用于触摸面板应用的导电层(电极)。然而,铟锡氧化物层的电阻率受到限制且依赖于基板温度(例如在沉积或后退火工艺(post annealingprocess)期间)。较高的导电性有益于较大的触摸面板尺寸(例如笔记本电脑或电视),且外置式触摸面板(on cell touch panel)/内嵌式触摸面板(in cell touch panel)方案可使用低温沉积。本公开内容的金属层可完成这些方面,在受限的基板温度进行层的沉积,实现高导电性。
金属层的(惰性(inert))高反射率(high reflectance)可使触摸面板结构对于人类的眼睛而言是可看见的。相较于铝和/或铝合金的金属层的表面反射率,层状系统中两个或更多个其他的层使得层状系统的反射率下降。两个或更多个其他的层可以是导电性和/或光学活性层,且可将结构化的铝和/或铝合金层的可见度降低至终端使用者可接受的程度。两个或更多个其他的层可依顺序选择,以在一个工艺区块中能够进行完全黑暗金属层结构的湿法蚀刻。这样的黑暗金属层结构例如可设置于彩色滤光片玻璃或保护外盖上,并可实现触摸面板结构的不可见。
图2A绘示根据本文所述的其他实施方式的适用于触摸屏面板的层状系统200的示意性截面图。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式,层状系统200(具体是两个或更多个其他的层)包括第二层240,第二层240包括钼或钼合金。例如,第二层240可以是Mo层或MoNb层。根据一些实施方式,包括钼或钼合金的第二层240可配置为粘结层,例如位于金属层110与基板(例如第一基板10)之间。
在一些实施方式中,第二层240提供于金属层110上或之上。第二层240可提供于与提供第一层120的侧相对的金属层110的一侧上。例如,第二层240提供于至少一个基板(例如第一基板10)与金属层110之间。
图2B绘示具有保护外盖20的图2A的层状系统的示意性截面图。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式,层状系统进一步包括保护外盖20。保护外盖20可提供于IGZO或IZO层130上或之上。例如,透明粘结层15(例如包括光学透明粘合剂(OCA))可提供于保护外盖20与IGZO或IZO层130之间,以将保护外盖20贴附于IGZO或IZO层130。在一些实施方式中,术语“保护外盖”可表示触摸屏面板的最顶部的玻璃。保护外盖20可由厚度0.1毫米或大于0.1毫米的玻璃(例如约0.5毫米、0.7毫米、0.9毫米或1毫米)制成。
图2C绘示图2A及图2B的层状系统的反射率R的曲线图。
曲线图的x轴代表单位为纳米的波长L,y轴代表反射率R。第一曲线250表示直接在图2A的IGZO层上测量的反射率。第二曲线260表示在图2B的保护外盖20上测量的反射率。层状系统提供了低表面反射率,特别是在可见波长范围中(例如约350nm至约800nm)。低表面反射率可由第一层120与IGZO或IZO层130的结合、及光学附加层(诸如第二层240)所造成。
图3A绘示根据本文所述的另外的实施方式的适用于触摸屏面板的层状系统300的示意性截面图。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式,层状系统300(具体是两个或更多个其他的层)包括第三层350,第三层350包括钼或钼合金,特别是其中第三层350为Mo层或MoNb层。在一些实施方式中,第三层350提供于金属层110上或之上。例如,第三层350可提供于金属层110与第一层120之间。
第一层120、IGZO或IZO层130、第二层240及第三层350的结合可进一步降低表面反射率,且进一步改善层状系统300的光学特性。
图3B绘示具有保护外盖20的图3A的层状系统的示意性截面图。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式,层状系统进一步包括保护外盖20。保护外盖20可提供于IGZO或IZO层130上或之上。例如,透明粘结层15(例如包括光学透明粘合剂(OCA))可提供于保护外盖20与IGZO或IZO层130之间,以将保护外盖20贴附于IGZO或IZO层130。在一些实施方式中,术语“保护外盖”可表示触摸屏面板的最顶部的玻璃。保护外盖20可由厚度为0.1毫米或大于0.1毫米的玻璃所制成,例如约0.5毫米、0.7毫米、0.9毫米、或1毫米。
图3C绘示图3A及图3B的层状系统的反射率的曲线图。
曲线图的x轴代表单位为纳米的波长,y轴代表反射率。第一曲线351表示直接在图3A的IGZO层上测量的反射率R。第二曲线360表示在图3B的保护外盖20上测量的反射率R。层状系统提供了低表面反射率,特别是在可见波长范围中(例如约350nm至约800nm)。低表面反射率可由第一层120与IGZO或IZO层130的结合、及可选的层(诸如第二层240及第三层350)所造成。
图4至图6所示的实施方式的下列叙述表示至少一个层堆叠设置于一个或更多个不同的基板(诸如第一基板、第二基板(例如彩色滤光片基板或彩色滤光片玻璃)及第三基板(例如TFT基板或TFT玻璃))上或之上的实例。
图4绘示根据本文所述的实施方式的具有层状系统的触摸屏面板400的示意图。
根据本公开内容的一个方面,触摸屏面板400包括如本文所述的屏幕装置及层状系统。例如,屏幕装置可以是液晶显示器(LCD),如图4至图6的实例所示。然而,本公开内容并不限制于LCD,可采用其他的屏幕技术与本公开内容的层状系统结合,例如OLED显示器。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式,层状系统包括第一接线图案430和第二接线图案440,第一接线图案430具有一条或多条第一接线,第二接线图案440具有一条或多条第二接线,其中第一接线图案430和第二接线图案440通过绝缘层435分开。第一接线图案430和第二接线图案440可被配置用于触摸检测。
第一接线图案430的一条或多条第一接线和/或第二接线图案440的一条或多条第二接线可以是平行接线,例如水平接线或垂直接线。第一接线图案430的一条或多条第一接线和/或第二接线图案440的一条或多条第二接线可沿实质上垂直的方向延伸,以形成矩阵。例如,第一接线图案430的一条或多条第一接线可沿第一方向(例如x方向)延伸。第二接线图案440的一条或多条第二接线可沿第二方向(例如y方向)延伸。第一方向与第二方向可实质上垂直。此矩阵可被配置用于触摸检测,例如通过检测第一接线图案430与第二接线图案440之间的电容变化。
术语“实质上垂直”涉及例如第一接线图案430的一条或多条第一接线与第二接线图案440的一条或多条第二接线的实质上垂直的方向,其中与精准的垂直方向的少量角度的偏差(例如达到10°或甚至达到15°)仍被视为“实质上垂直”。
在一些实施方式中,第一接线图案430的一条或多条第一接线是由透明导电氧化物所提供的,特别是铟锡氧化物(ITO),第二接线图案440的一条或多条第二接线是由层状系统的至少一个层堆叠所提供的。在其他实施方式中,第二接线图案440的一条或多条第二接线是由由透明导电氧化物所提供的,特别是铟锡氧化物,第一接线图案430的一条或多条第一接线是由层状系统的至少一个层堆叠所提供的。
根据本文所述的实施方式,由层状系统的至少一个层堆叠所提供的接线图案(例如第二接线图案440)可根据本文所述的实施方式配置。例如,第二接线图案440(或第一接线图案430)可包括第一基板10、金属层110和两个或更多个其他的层。这些两个或更多个其他的层可包括IGZO层或IZO层和第一层(以附图标记470表示),且可选地包括第二层(以附图标记460表示)。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式,透明导电氧化物可以是铟锡氧化物(ITO)层、掺杂的ITO层、杂质掺杂的ZnO、In2O3、SnO2和CdO、ITO(In2O3:Sn)、AZO(ZnO:Al)、IZO(ZnO:In)、GZO(ZnO:Ga)、多组分氧化物包括或由ZnO、In2O3和SnO2的组合组成、至少有ITO层和金属层的层堆叠,例如ITO/金属/ITO堆叠或金属/ITO/金属堆叠。
在LCD中,液晶层排列于两个电极之间,且提供传递轴互相垂直的两个偏振层(polarizing layer)或偏振滤光片(例如平行的及垂直的)。穿透一个偏振滤光片的光线是否受到另一偏振滤光片的阻挡,依赖于液晶的方向。在一些实施方式中,层状系统包括偏振层450,其中第一接线图案430的第一接线或第二接线图案440的第二接线嵌入于偏振层450中。
根据一些实施方式,层状系统包括至少一个基板,诸如第二基板425。第二基板425可以是其上设置有屏幕装置的彩色滤光片矩阵420的基板。第二基板425可被称为“彩色滤光片基板”或“彩色滤光片(CF)玻璃”。第二基板425可具有第一侧和第二侧。第一接线图案430、绝缘层435、第二接线图案440、偏振层450、及可选的粘结层15及保护外盖20可布置于第二基板425的第一侧上或之上。彩色滤光片矩阵420(或彩色滤光片层)可布置于第二基板425的第二侧上或之上。第二基板425的第一侧可与第二基板425的第二侧相对。
在一些实施方式中,触摸屏面板400包括屏幕装置。屏幕装置可包括第三基板405,例如玻璃基板(“TFT-玻璃”)。薄膜晶体管(TFT)的阵列或层410可布置于第三基板405上或之上,液晶层415可布置于薄膜晶体管(TFT)的阵列或层410上或之上。TFT的阵列或层410可被配置用于驱动屏幕装置的像素。屏幕装置可进一步包括背光。彩色滤光片矩阵420可布置于液晶层415上或之上。
图5绘示根据本文所述的其他实施方式的具有层状系统的触摸屏面板500的示意图。图5的实施方式系类似于图4的实施方式,类似或相同元件的描述已被省略。图5的实施方式与图4的实施方式的不同之处在于第一接线图案的构造。图5中的第一接线图案530不包括透明导电氧化物,但包括本公开内容的层状系统的层堆叠。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式,至少一个层堆叠包括第一层堆叠和第二层堆叠,其中第一接线图案530的一条或多条第一接线可通过第一层堆叠所提供,第二接线图案440的一条或多条第二接线可通过第二层堆叠所提供。
根据本文所述的实施方式,第一接线图案530和/或第二接线图案440可包括层状系统,例如图4的附图标记440所示的层状系统。本公开内容的层状系统的具有层堆叠的第一接线图案430及第二接线图案440在两个接线图案中提供高导电性,从而产生触摸检测功能的改善的性能。
在一些实施方式中,层状系统包括至少一个基板,例如第二基板425。至少一个基板可具有第一侧和第二侧,其中第一层堆叠和第二层堆叠(皆)提供于第一侧之上。第一侧可以是第二基板425的一侧,在该侧例如提供用于触摸检测的层、偏振层(多个)和/或保护外盖20。第二基板425的第二侧可以是第二基板425提供屏幕装置的一侧。屏幕装置可包括第三基板405,例如玻璃基板(“TFT-玻璃”)、薄膜晶体管(TFT)的阵列或层410和液晶层415。
图6绘示根据本文所述的另外的实施方式的具有层状系统的触摸屏面板600的示意图。图6的实施方式类似于图4及图5的实施方式,类似或相同的叙述被省略。图6的实施方式与图4及图5的实施方式的不同之处在于第二接线图案的构造。图6的第二接线图案640嵌入于彩色滤光片矩阵420中。
在一些实施方式中,层状系统包括至少一个基板,例如第二基板425。至少一个基板可具有第一侧和第二侧,其中第一层堆叠提供于第一侧之上,第二层堆叠提供于第二侧之上。根据一些实施方式,层状系统可包括彩色滤光片矩阵420,其中第一接线图案530的一条或多条第一接线、或第二接线图案640的一条或多条第二接线嵌入于彩色滤光片矩阵420中。在图6的实例中,第二接线图案640嵌入于彩色滤光片矩阵420中。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式,嵌入于彩色滤光片矩阵420的第一接线图案530的一条或多条第一接线、或第二接线图案640的一条或多条第二接线被配置为黑矩阵(black matrix)。黑矩阵可被配置成空间性分隔彩色滤光片矩阵的各个色彩或部分(segment),例如红(R)、绿(G)及蓝(B)的色彩或部分。通过提供第一接线图案530的一条或多条第一接线或第二接线图案640的一条或多条第二接线作为黑矩阵,可省略用于形成单独的黑矩阵的工艺步骤,能够降低制造的复杂性及成本。
虽然在图4至图6的上述实例中,第一接线图案和第二接线图案可限定用于触摸检测的矩阵(x-y图案),应理解的是,可提供一个接线图案(例如第一接线图案或第二接线图案),且可被配置用于触摸检测。在此类例子中,可能不具有矩阵式的接线图案,而可能仅有一个接线图案。例如,一个接线图案可包括本公开内容的层堆叠。一个接线图案的一条或多条接线可例如是触点接线(contact line)。特别是,由于不具有x-y图案,可加速制造工艺。
图7绘示根据本文所述的实施方式的用于制造层状系统的沉积设备700的示意图。
示例性地,所示为用于在其中沉积层的真空腔室702。如图7所示,可在邻近于真空腔室702处提供另外的腔室。真空腔室702可通过阀与邻近的腔室分开,阀具有阀壳体(valve housing)704和阀单元705。因此,在其上具有基板701的载体714如箭头1所示地插入至真空腔室702中之后,阀单元705可以被关上。因此,真空腔室702中的气氛(atmosphere)可以通过产生技术上的真空(举例来说,利用连接至真空腔室702的真空泵,和/或通过将处理气体灌入至真空腔室702的沉积区域中)而被单独地控制。
根据一些实施方式,处理气体可包括惰性气体和/或反应性气体,惰性气体诸如氩气,反应性气体诸如氧气、氮气、氢气和氨气(NH3)、臭氧(O3)、活化气体或其类似物。在真空腔室702中,提供滚轴710以运送其上具有基板701的载体714进入和退出真空腔室702。
虽然图7的实例显示至少两个不同的组的沉积源722和724在同一真空腔室702内,然而应理解的是,在不同的沉积工艺由沉积源722和724的组提供的情况下,沉积源722和724的组可被提供在不同的真空腔室702中。沉积源722和724可被配置为用于沉积层状系统的层,诸如金属层、两个或更多个其他的层,例如铟镓锌氧化物(IGZO)层和/或铟锌氧化物(IZO)层、及包括钼或钼合金的第一层。
举例而言,沉积源722和724可为具有待被沉积到基板701上的材料的靶材的可旋转的阴极。阴极可为其中具有磁控管(magnetron)的可旋转的阴极。因此,磁控溅射可被用于层的沉积。沉积源722和724连接至AC电源供应器723,使得沉积源722和724可用交替的方式来受到偏压。
此处所使用的“磁控溅射”表示使用磁体组件进行的溅射,亦即,磁体组件是能够产生磁场的单元。此种磁体组件由永久磁体组成。此永久磁体可放置在可旋转靶中或耦接到平面靶,使得在生成于可旋转靶表面下方的产生的磁场内的自由电子可以被捕获(trapped)。此种磁体组件也可被排列耦接至平面阴极。磁控溅射可通过双磁控阴极来实现,双磁控阴极即沉积源722和724,诸如但不限于TwinMagTM阴极组件。
根据实施方式,层状系统的层可通过具AC电源供应器的可旋转阴极的溅射(例如磁控溅射)所沉积。此外,从靶材来溅射透明导电氧化物层可以DC溅射进行。在溅射过程中,沉积源722和724连接至DC电源供应器726与阳极725一起收集电子。因此,根据可与本文所述的其他实施方式结合的另外的实施方式,透明导电氧化物层,例如ITO层,可以通过DC溅射,亦即具有沉积源722和724的组件进行溅射。
为了简化,沉积源722和724被绘示成提供于一个真空腔室702中。典型地,用以沉积不同层的沉积源被提供在不同的真空腔室702中,举例来说,真空腔室702和邻近于真空腔室702的另一真空腔室,如图7所示。通过在不同的真空腔室702内提供沉积源722和724的组,可以在各个沉积区域提供具有适当处理气体的气氛和/或适当的技术上的真空度。
根据一些实施方式,沉积是通过一个或更多个可旋转靶的溅射进行的。更具体地,根据本文的实施方式,上述所提及的层状系统的至少其中一层是通过可旋转靶的溅射来沉积的,因而有利于高品质的稳定的层状系统的形成。举例来说,根据本文的实施方式,层可被沉积为具有较高均匀性,且具有低的缺陷和污染颗粒密度。高品质的层状系统的制造不仅产生适当的光学及电学特性,亦产生随时间推移仍保持稳定的性能。此外,包括由一个或更多个可旋转的靶来溅射的制造工艺可进一步促使更高的生产速率,以及相较于其他沉积方法产生较低数量的污染颗粒。
图8绘示根据本文所述的实施方式的适用于触摸屏面板的层状系统的制造方法800的流程图。
方法800包括在基板之上提供金属层,金属层包括铝或铝合金(方块810);在金属层之上提供第一层,其中第一层包括钼或钼合金(方块820);在第一层之上提供铟镓锌氧化物(IGZO)层或铟锌氧化物(IZO)层(方块830);结构化金属层、第一层、IGZO层或IZO层(方块840),特别是在一个步骤中。
根据可与本文所述的其他实施方式结合的一些实施方式,金属层、第一层、及IGZO层或IZO层的结构化是在相同的结构化工艺中执行的。例如,结构化工艺是蚀刻工艺,特别是湿法蚀刻工艺。通过在单一结构化工艺中对所有的层进行结构化,可使用较低的工作量和成本制造层状系统。
根据本文所述的实施方式,适用于触摸屏面板的层状系统的制造方法可通过计算机程序、软件、计算机软件产品、及相关的控制器的方式执行,所述控制器可具有CPU、存储器、用户界面、以及与用于处理大面积基板的设备的对应部件进行通信的输入及输出装置。
本公开内容的层状系统具有改善的光学特性(例如呈现给使用者的外观)。尤其,层的结构(例如结构化金属层)对于使用者而言是不可见的。层状系统提供改善的电学特性。尤其,结构化的导体是金属层,金属层包括具有高导电性的铝或/和铝合金。如此有利于大型触摸面板尺寸。有鉴于此,本公开内容提供用于触摸屏面板的层状系统,此层状系统相较于传统结构提供改善的光学及电学性能。通过在单一结构化工艺中对多个层进行结构化,可使用较少的工作量及成本制造层状系统。
虽然前述内容针对本公开内容的实施方式,但在不背离本发明的基本范围的情况下,可设计出其他和更进一步的实施方式,本发明的保护范围由以下权利要求确定。

Claims (15)

1.一种适用于触摸屏面板的层状系统,包括:
至少一个层堆叠,所述层堆叠具有三个或更多个层,所述三个或更多个层在相同的结构化工艺中被结构化,其中所述三个或更多个层包括:
金属层,所述金属层包括铝或铝合金;
两个或更多个其他的层,其中所述两个或更多个其他的层包括:
铟镓锌氧化物(IGZO)层或铟锌氧化物(IZO)层;和
第一层,所述第一层包括钼或钼合金。
2.如权利要求1所述的层状系统,其中所述两个或更多个其他的层被配置用于使所述金属层变暗,使得所述金属层的结构对于人类的眼睛而言是实质上不可见的。
3.如权利要求1或2所述的层状系统,其中所述第一层提供于所述金属层上或之上,且/或其中所述IGZO层或所述IZO层提供于所述第一层上或之上。
4.如权利要求1至3中的一项所述的层状系统,其中所述第一层选自包括MoOx层、氧化钼合金层、MoOxNx层、氮氧化钼合金层、MoNbOx层、及MoNb层的组。
5.如权利要求1至4中的一项所述的层状系统,进一步包括下列至少其中一者:
第二层,所述第二层包括钼或钼合金,特别地其中所述第二层是Mo层或MoNb层;和
第三层,所述第三层包括钼或钼合金,特别地其中所述第三层是Mo层或MoNb层。
6.如权利要求5所述的层状系统,其中所述第二层提供于所述金属层上或之上,特别地其中所述第二层提供于基板与所述金属层之间。
7.如权利要求5或6所述的层状系统,其中所述第三层提供于所述金属层上或之上,特别地其中所述第三层提供于所述金属层与所述第一层之间。
8.如权利要求1至7中的一项所述的层状系统,包括第一接线图案和/或第二接线图案,所述第一接线图案具有一条或多条第一接线,所述第二接线图案具有一条或多条第二接线,其中所述第一接线图案和/或所述第二接线图案被配置用于触摸检测,并且特别地其中所述第一接线图案与所述第二接线图案通过绝缘层分开。
9.如权利要求8所述的层状系统,
其中所述一条或多条第一接线是由所述至少一个层堆叠所提供的,和/或其中所述一条或多条第二接线是由透明导电氧化物、特别是铟锡氧化物所提供的,或者
其中所述一条或多条第二接线是由所述至少一个层堆叠所提供的,和/或其中所述一条或多条第一接线是由所述透明导电氧化物、特别是铟锡氧化物所提供的。
10.如权利要求8或9所述的层状系统,其中所述至少一个层堆叠包括第一层堆叠和第二层堆叠,其中所述第一接线图案的所述一条或多条第一接线由所述第一层堆叠所提供,且所述第二接线图案的所述一条或多条第二接线由所述第二层堆叠所提供。
11.如权利要求10所述的层状系统,进一步包括至少一个基板,其中所述至少一个基板具有第一侧和第二侧,
其中所述第一层堆叠提供于所述第一侧之上,并且所述第二层堆叠提供于所述第二侧之上,或者
其中所述第一层堆叠和所述第二层堆叠提供于所述第一侧之上。
12.如权利要求8至11中的一项所述的层状系统,进一步包括下列至少其一:
偏振层,其中所述第一接线图案的所述一条或多条第一接线或所述第二接线图案的所述一条或多条第二接线嵌入于所述偏振层中,和
彩色滤光片矩阵,其中所述第一接线图案的所述一条或多条第一接线或所述第二接线图案的所述一条或多条第二接线嵌入于所述彩色滤光片矩阵中,特别地其中嵌入于所述彩色滤光片矩阵中的所述第一接线图案的所述一条或多条第一接线或所述第二接线图案的所述一条或多条第二接线被配置为黑矩阵。
13.一种触摸屏面板,包括:
屏幕装置,特别是液晶显示器;和
如权利要求1至12中的一项所述的层状系统,所述层状系统位于所述屏幕装置之上。
14.一种适用于触摸屏面板的层状系统的制造方法,其中所述方法包括:
在基板之上提供金属层,所述金属层包括铝或铝合金;
在所述金属层之上提供第一层,其中所述第一层包括钼或钼合金;
在所述第一层之上提供铟镓锌氧化物(IGZO)层或铟锌氧化物(IZO)层;和
结构化所述金属层、所述第一层及所述IGZO层或所述IZO层。
15.如权利要求14所述的方法,其中结构化所述金属层、所述第一层及所述IGZO层或所述IZO层的步骤是在相同的结构化工艺中进行的,特别地其中所述结构化工艺是蚀刻工艺。
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