CN107409482B - 电磁波屏蔽材料 - Google Patents

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Abstract

本发明提供电磁波屏蔽特性、轻量特性和成形加工性优异的电磁波屏蔽材料。一种电磁波屏蔽材料，其是具有使至少3片金属箔夹着绝缘层层叠而得的结构的电磁波屏蔽材料，构成该电磁波屏蔽材料的金属箔与绝缘层的所有组合满足σM×dM×dR≥3×10‑3。其中，式中的符号表示如下。σM：金属箔的20℃下的导电率(S/m)、dM：金属箔的厚度(m)、dR：绝缘层的厚度(m)。

Description

电磁波屏蔽材料
技术领域
本发明涉及电磁波屏蔽材料。尤其是，本发明涉及电气/电子设备的被覆材料或包装材料。
背景技术
近年来，对地球环境问题的关心在全世界高涨，电动汽车、油电混合汽车等搭载有二次电池的环保型汽车的普及不断进展。这些汽车中，大多是采用如下方式的汽车：将自所搭载的二次电池产生的直流电流经由变换器转换为交流电流之后，将所需的电力供给交流马达，而获得驱动力。变换器的切换动作等会导致产生电磁波。由于电磁波会成为车载的音响设备、无线设备等的接收障碍，因此实行了将变换器或变换器与电池、马达等一并收容于金属制壳体内而屏蔽电磁波的对策(日本特开2003-285002号公报)。
另外，不限于汽车，自包括通信设备、显示器和医疗设备在内的多数电气/电子设备中会发射电磁波。电磁波有引起精密设备的失灵的可能性，而且还担心对人体的影响。因此，开发了使用电磁波屏蔽材料而减轻电磁波影响的各种技术。例如，将铜箔与树脂膜层叠而成的铜箔复合体用作电磁波屏蔽材料(日本特开平7-290449号公报)。铜箔具有电磁波屏蔽性，为了补强铜箔而层叠树脂膜。另外，也已知在由绝缘材料构成的中间层的内侧与外侧分别层叠有金属层的电磁波屏蔽结构(日本专利第4602680号公报)。另外，也已知一种电磁波遮断用光学构件，其具备：基底基板、及形成于上述基底基板的一面且由包含金属层和高折射率层(五氧化铌)的多个重复单元膜所构成的层叠构件(日本特开2008-21979号公报)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2003-285002号公报；
专利文献2：日本特开平7-290449号公报；
专利文献3：日本专利第4602680号公报；
专利文献4：日本特开2008-21979号公报。
发明内容
发明所要解决的课题
对于汽车，从提升燃料效率的观点出发，轻量化成为重大课题，对自金属材料转换为树脂材料或碳纤维材料的研究也不断推进。但是，对于树脂材料或碳纤维材料无法期待电磁波屏蔽效果。虽说如此，若过度减少金属制的电磁波屏蔽材料的厚度，则无法获得优异的屏蔽效果(例如，在1MHz～1000MHz下为36dB以上)。日本特开平7-290449号公报中记载的技术或日本专利第4602680号公报记载的技术也同样，为了获得优异的屏蔽效果，必须使所需的电磁波屏蔽材料的厚度相当大，而无法实现充分的轻量化，而且也无法获得优异的成形加工性。日本特开2008-21979号公报中记载的技术是为了确保光的通过而层叠纳米级的金属层的技术，因此在电磁波屏蔽特性方面有限，因过薄而在成形加工性方面也存在困难。
本发明是鉴于上述情况而创作的，以提供电磁波屏蔽特性、轻量特性和成形加工性优异的电磁波屏蔽材料为课题，尤其是以提供适合作为电气/电子设备用的被覆材料或包装材料的电磁波屏蔽材料为课题。
用于解决课题的手段
本发明人为了解决上述课题而反复进行了深入研究，结果发现了：通过将3片以上金属箔夹着绝缘层进行层叠，使电磁波屏蔽效果显著地提升。而且发现了：此时通过将金属箔的导电率和厚度、以及绝缘层的厚度适当地组合，显示出特别优异的电磁波屏蔽效果。本发明是基于该见解而完成的，可以如下的方式特别规定。
本发明在一个方面中是电磁波屏蔽材料，
其是具有使至少3片金属箔夹着绝缘层层叠而得的结构的电磁波屏蔽材料，构成该电磁波屏蔽材料的金属箔与绝缘层的所有组合满足σM×dM×dR≥3×10-3，
其中，式中的符号表示如下：
σM：金属箔的20℃下的导电率(S/m)；
dM：金属箔的厚度(m)；
dR：绝缘层的厚度(m)。
本发明所涉及的电磁波屏蔽材料的一个实施方式中，各金属箔的20℃下的导电率为1.0×106S/m以上。
本发明所涉及的电磁波屏蔽材料的另一个实施方式中，各金属箔的厚度为4～100μm。
本发明所涉及的电磁波屏蔽材料的另外一个实施方式中，各绝缘层的20℃下的相对介电常数为2.0～10.0。
本发明所涉及的电磁波屏蔽材料的另外一个实施方式中，各绝缘层的厚度为4～500μm。
本发明所涉及的电磁波屏蔽材料的另外一个实施方式中，金属箔的总厚度为15～150μm。
本发明在另一个方面中是电气/电子设备用的被覆材料或包装材料，其具备本发明所涉及的电磁波屏蔽材料。
本发明在另外一个方面中是电气/电子设备，其具备本发明所涉及的被覆材料或包装材料。
发明效果
本发明所涉及的电磁波屏蔽材料中，通过将3片以上金属箔夹着绝缘层在规定的条件下层叠，即使减小所使用的金属箔的总厚度也可获得优异的电磁波屏蔽效果。由此，可实现轻量化，此外也可确保成形加工性。另外，本发明所涉及的电磁波屏蔽材料可以金属箔与绝缘层这样的简单的构成构建，经济性也优异。
具体实施方式
(金属箔)
作为本发明所涉及的电磁波屏蔽材料中所使用的金属箔的材料，没有特别限定，从提高对交流磁场或交流电场的屏蔽特性的观点出发，优选为导电性优异的金属材料。具体而言，优选由导电率为1.0×106S/m(20℃的值，以下相同)以上的金属所形成，更优选金属的导电率为10.0×106S/m以上，进一步优选为30.0×106S/m以上，最优选为50.0×106S/m以上。作为这种金属，可举出：导电率为约9.9×106S/m的铁、导电率为约14.5×106S/m的镍、导电率为约39.6×106S/m的铝、导电率为约58.0×106S/m的铜和导电率为约61.4×106S/m的银。若考虑电阻率与成本二者，则在实用性上优选采用铝或铜。本发明所涉及的电磁波屏蔽材料中所使用的金属箔可全部为相同的金属，也可每层使用不同的金属。另外，还可使用上述金属的合金。也可在金属箔表面形成以促进粘接、耐环境性、耐热和防锈等为目的的各种的表面处理层。
例如，为了提高在金属面成为最外层时所需的耐环境性、耐热性，可实施镀Au、镀Ag、镀Sn、镀Ni、镀Zn、镀Sn合金(Sn-Ag、Sn-Ni、Sn-Cu等)、铬酸盐处理等。也可将这些处理进行组合。从成本的观点出发，优选镀Sn或镀Sn合金。
另外，为了提高金属箔与绝缘层的粘附性，可实施铬酸盐处理、粗化处理、镀Ni等。也可将这些处理进行组合。粗化处理容易获得粘附性，而优选。
另外，为了提高对直流磁场的屏蔽效果，可设置相对磁导率高的金属层。作为相对磁导率高的金属层，可举出：镀Fe-Ni合金、镀Ni等。
使用铜箔时，从提升屏蔽性能的方面出发，优选纯度高者，纯度优选为99.5质量%以上，更优选为99.8质量%以上。作为铜箔，可使用压延铜箔、电解铜箔、通过金属化所得的铜箔等，优选弯曲性和成形加工性优异的压延铜箔。在铜箔中添加合金元素而制成铜合金箔时，只要这些元素与不可避免的杂质的总计含量不足0.5质量%即可。尤其是，若铜箔中含有总计为200～2000质量ppm的选自Sn、Mn、Cr、Zn、Zr、Mg、Ni、Si和Ag的至少1种以上元素，则与相同厚度的纯铜箔相比伸长率提升，因此优选。
本发明所涉及的电磁波屏蔽材料所使用的金属箔的厚度，优选每片为4μm以上。若不足4μm，则有金属箔的延展性显著降低，导致屏蔽材料的成形加工性变得不充分的情形。另外，若每片箔的厚度不足4μm，则为了获得优异的电磁波屏蔽效果必须层叠多个金属箔，因此也产生制造成本上升的问题。从上述观点出发，金属箔的厚度更优选每片为10μm以上，进一步优选为15μm以上，进一步优选为20μm以上，进一步优选为25μm以上，进一步优选为30μm以上。另一方面，即使每片的箔的厚度超过100μm也会使成形加工性恶化，因此箔的厚度优选每片为100μm以下，更优选为50μm以下，进一步优选为45μm以下，进一步优选为40μm以下。
从即使金属箔的总厚度变薄也确保优异的电磁波屏蔽特性的观点出发，必须使金属箔在电磁波屏蔽材料中存在至少3层。若金属箔的层为1片或2片，则为了在频率为1MHz左右的低频区域获得30dB以上的磁场屏蔽特性，所需的金属箔的总厚度变大，每片的金属箔的厚度也变大，因此也在成形加工性方面出现不良影响。另外，通过层叠3片以上的金属箔，即使金属箔的总厚度相同，与金属箔为单层的情形或层叠2片的情形相比，屏蔽效果也显著地提升。但是，虽然金属箔的层叠片数较多会使电磁波屏蔽特性提升，但若增多层叠片数，则层叠工序增加，因此导致制造成本增大，另外，也有屏蔽提升效果饱和的倾向，因此优选电磁波屏蔽材料中的金属箔为5片以下，更优选为4片以下。
因此，本发明所涉及的电磁波屏蔽材料的一个实施方式中，可将金属箔的总厚度设为15～150μm，也可设为100μm以下，也可设为80μm以下，也可设为60μm以下。
(绝缘层)
本发明所涉及的电磁波屏蔽材料中，通过层叠多片金属箔所得的电磁波屏蔽效果的显著改善，可通过在金属箔与金属箔之间夹入绝缘层而获得。虽然将金属箔彼此直接重叠，也会通过增加金属箔的总厚度而使屏蔽效果提升，但无法获得显著的提升效果。认为这是由于：通过在金属箔间存在绝缘层，而增加电磁波的反射次数，导致电磁波衰减。
作为绝缘层，就获得优异的电磁波屏蔽效果的方面而言，优选与金属层的阻抗差较大的绝缘层。为了产生较大的阻抗差，绝缘层的相对介电常数必须较小，具体而言，优选为10(20℃的值，以下相同)以下，更优选为5.0以下，进一步优选为3.5以下。相对介电常数在原理上不会变得小于1.0。通常获取的材料即使较低也为2.0左右，即使进一步降低而接近1.0，屏蔽效果的上升也受到限制，另一方面，材料本身成为特殊材料而变得昂贵。若考虑兼顾成本与作用，则相对介电常数优选为2.0以上，更优选为2.2以上。
具体而言，作为构成绝缘层的材料，可举出：玻璃、金属氧化物、纸、天然树脂、合成树脂，从加工性的观点出发，优选合成树脂。这些材料中也可混入碳纤维、玻璃纤维和芳纶纤维等纤维强化材料。作为合成树脂，从获取的容易程度、加工性的观点出发，可举出：PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二酯)和PBT(聚对苯二甲酸丁二酯)等聚酯；聚乙烯和聚丙烯等烯烃系树脂；聚酰胺；聚酰亚胺；液晶聚合物；聚缩醛；氟树脂；聚氨酯；丙烯酸树脂；环氧树脂；有机硅树脂；酚醛树脂；三聚氰胺树脂；ABS树脂；聚乙烯醇；脲树脂；聚氯乙烯；聚碳酸酯；聚苯乙烯；丁苯橡胶等；这些之中，由于加工性、成本的理由，优选PET、PEN、聚酰胺、聚酰亚胺。合成树脂也可为聚氨酯橡胶、氯丁橡胶、有机硅橡胶、氟橡胶、苯乙烯系、烯烃系、氯乙烯系、氨基甲酸酯系、酰胺系等弹性体。而且，合成树脂本身也可发挥粘接剂的作用，此时，形成金属箔夹着粘接剂层叠的结构。作为粘接剂没有特别限定，可举出：丙烯酸树脂系、环氧树脂系、氨基甲酸酯系、聚酯系、有机硅树脂系、乙酸乙烯酯系、丁苯橡胶系、丁腈橡胶系、酚醛树脂系、氰基丙烯酸酯系等，由于制造的容易程度及成本的理由，优选氨基甲酸酯系、聚酯系、乙酸乙烯酯系。
树脂材料可以膜状或纤维状的形态层叠。另外，也可通过对金属箔涂布未固化的树脂组合物后使之固化而形成树脂层，不过基于容易制造的理由，优选制成可贴附于金属箔的树脂膜。可尤其适合地使用PET膜。尤其是，可通过使用双轴拉伸膜作为PET膜，来提高屏蔽材料的强度。
绝缘层的厚度没有特别限定，但由于若每片的厚度薄于4μm则有屏蔽材料的(拉伸)断裂应变降低的倾向，因此绝缘层的每片的厚度优选为4μm以上，更优选为7μm以上，进一步优选为10μm以上，进一步优选为20μm以上，进一步优选为40μm以上，进一步优选为80μm以上，进一步优选为100μm以上。另一方面，每片的厚度超过600μm则也有屏蔽材料的(拉伸)断裂应变降低的倾向。因此，绝缘层的每片的厚度优选为600μm以下，更优选为500μm以下。
(电磁波屏蔽材料)
本说明书中使用的各种符号定义如下。
σM：金属箔的20℃下的导电率(S/m)
dM：金属箔的厚度(m)
ZR：绝缘层的阻抗(Ω)＝Z0×(1/εR)
εR：绝缘层的20℃下的相对介电常数
γR：传播常数＝j×2π(εR/λ)；j为虚数单位
λ：波长(m)：在1MHz下为300m
dR：绝缘层的厚度(m)
Zo：真空的阻抗＝377Ω
本发明所涉及的电磁波屏蔽材料可通过将上述的金属箔与绝缘层进行层叠而制造。此时，从显著地提高电磁波屏蔽效果的观点出发，重要的是以使构成电磁波屏蔽材料的金属箔与绝缘层的所有组合满足σM×dM×dR≥3×10-3的方式选择金属箔与绝缘层。
关于屏蔽特性，若将入射波的电场设为Ex i，将磁场设为Hx i，将透射波的电场设为Ex t，将磁场设为Hx t，则可使用四端子矩阵，用以下的关系表示。
[数学式1]
此时，屏蔽效果(SE)若使用Schelkunoff式，则可用下式表述。
[数学式2]
使用金属箔作为屏蔽材料时，可设为a＝1、b＝0、c＝σM×dM、d＝1。若将其代入式1，则成为下式。
[数学式3]
使用绝缘层作为屏蔽材料时，可设为a＝1、b＝ZR×γR×dR、c＝γR×dR/ZR、d＝1。若将其代入式1，则成为下式。
[数学式4]
而且，层叠屏蔽材料时的屏蔽特性可通过各层所对应的四端子矩阵的乘积而理论上求出。例如，以金属(M1)/树脂(R1)/金属(M2)的层叠结构构成屏蔽材料时的入射波与透射波可用以下的式表示。
[数学式5]
另外，以金属(M1)/树脂(R1)/金属(M2)/树脂(R2)/金属(M3)的层叠结构构成屏蔽材料时的入射波与透射波可用以下的式表示。
[数学式6]
若将其展开，则可获得下式。
[数学式7]
在此，A、B、C和D如下：
。
根据以上的例示，可在理论上理解，金属箔与绝缘层的层叠体的屏蔽效果可通过增大关于所使用的金属箔与绝缘层的所有组合的σM×dM×ZR×γR×dR而提升。但是，例如如“畠山贤一著、“初学电磁遮蔽讲座”科学情报出版(2013年)、56页”中所记载，以往(ZR×γR×dR)在低频区域极小，视为近似于0，因此按照该思维方式，σM×dM×ZR×γR×dR也是近似为0的参数。相对于此，本发明人判明，通过将适当的金属箔与绝缘层组合而调整dR、σM和dM，σM×dM×ZR×γR×dR会成为无法近似于0的程度的较大值，即使在低频区域也产生显著的影响。
本发明人在反复进行金属箔与绝缘层的层叠体的屏蔽效果的实验中发现，即使在1MHz左右的低频区域，σM×dM×dR也产生显著的影响，并发现，以使构成电磁波屏蔽材料的金属箔与绝缘层的所有组合满足σM×dM×dR≥3×10-3的方式选择金属箔与绝缘层，这在提高屏蔽效果上极其有效。构成电磁波屏蔽材料的金属箔与绝缘层的所有组合优选为σM×dM×dR≥1×10-2，更优选为σM×dM×dR≥4×10-2，进一步优选为σM×dM×dR≥8×10-2，进一步优选为σM×dM×dR≥1×10-1。
对于σM×dM×dR并未设定特别的上限，就厚度和所使用的材料的均衡而言，关于构成电磁波屏蔽材料的金属箔与绝缘层的所有组合，通常为σM×dM×dR≤10，代表性的是σM×dM×dR≤1。
作为绝缘层与金属箔的层叠方法，可在绝缘层与金属箔之间使用粘接剂，也可不使用粘接剂而将绝缘层热压接于金属箔。也可为不使用粘接剂而仅重叠的方法，若考虑电磁波屏蔽材料的一体性，则优选至少端部(例如屏蔽材料为四边形时，为各边)通过粘接剂或通过热压接而接合。其中，从不对绝缘层施加过量的热的方面出发，优选使用粘接剂。作为粘接剂，与上述的同样，没有特别限定，可举出：丙烯酸树脂系、环氧树脂系、氨基甲酸酯系、聚酯系、有机硅树脂系、乙酸乙烯酯系、丁苯橡胶系、丁腈橡胶系、酚醛树脂系、氰基丙烯酸酯系，由于容易制造及成本的理由，优选氨基甲酸酯系、聚酯系、乙酸乙烯酯系。
粘接剂层的厚度优选为6μm以下。若粘接剂层的厚度超过6μm，则在层叠为金属箔复合体后仅金属箔容易断裂。但是，如前述的粘接剂层兼具绝缘层的作用的情形不在此限，可设为在绝缘层的说明中所述的厚度。
本发明所涉及的电磁波屏蔽材料必须具有至少3片金属箔夹着绝缘层而层叠的结构。作为具备该要件的层叠结构的例子，可列举如下。以括号所表示的层表示可适宜增加。
(1) (绝缘层)/金属箔/绝缘层/金属箔/绝缘层/金属层/(绝缘层)
(2) (绝缘层)/金属箔/绝缘层/金属箔/绝缘层/金属箔/绝缘层/金属箔/(绝缘层)
在(1)和(2)中，一个“金属箔”可以是将多个金属箔不夹着绝缘层而层叠来构成，一个“绝缘层”也可以是将多个绝缘层不夹着金属箔而层叠来构成。另外，也可设置绝缘层、金属箔以外的层。
本发明所涉及的电磁波屏蔽材料的一个实施方式中，可将电磁波屏蔽材料的整体厚度设为50～1500μm，也可设为1000μm以下，也可设为600μm以下，也可设为400μm以下，也可设为200μm以下。
本发明所涉及的电磁波屏蔽材料尤其可利用于电气/电子设备(例如，变换器、通信机、共振器、电子管・放电灯、电加热设备、电动机、发电机、电子部件、印刷电路、医疗设备等)的被覆材料或包装材料、与电气/电子设备连接的线束或通信缆线的被覆材料、电磁波屏蔽片材、电磁波屏蔽面板、电磁波屏蔽袋、电磁波屏蔽箱、电磁波屏蔽室等各种电磁波屏蔽用途。
根据本发明所涉及的电磁波屏蔽材料的一个实施方式，在1MHz下可具有36dB以上的磁场屏蔽特性(在接收侧信号衰减多少)，优选可具有40dB以上的磁场屏蔽特性，更优选可具有50dB以上的磁场屏蔽特性，进一步优选可具有60dB以上的磁场屏蔽特性，进一步优选可具有70dB以上的磁场屏蔽特性，例如可具有36～90dB的磁场屏蔽特性。本发明中，磁场屏蔽特性设为通过KEC法进行测定。KEC法是指关西电子工业振兴中心的“电磁波屏蔽特性测定法”。
实施例
以下，将本发明的实施例与比较例一并示出，它们是为了更好地理解本发明及其优点而提供，并非意在限定发明。
准备表1中记载的各金属箔和绝缘膜，制作了实施例和比较例的电磁波屏蔽材料。表1中记载的各符号如下所示。
Cu：压延铜箔(在20℃下的导电率：58.0×106S/m)
Al：铝箔(在20℃下的导电率：39.6×106S/m)
电解Cu：电解铜箔(在20℃下的导电率：56.0×106S/m)
Ni：镍箔(在20℃下的导电率：14.5×106S/m)
Fe：软铁箔(在20℃下的导电率：9.9×106S/m)
sus：不锈钢箔(在20℃下的导电率：1.4×106S/m)
PI：聚酰亚胺膜(在20℃下的相对介电常数：3.5)
PET：聚对苯二甲酸乙二酯膜(在20℃下的相对介电常数：3.0)
PTFE：聚四氟乙烯膜(在20℃下的相对介电常数：2.1)
PA：聚酰胺膜(在20℃下的相对介电常数：6.0)
空隙：将金属箔彼此以空气隔开(在20℃下的相对介电常数：1.0)。
(比较例1～2：一片金属箔的磁场屏蔽效果)
对于压延铜箔(厚度：150μm)和铝箔(厚度：300μm)，研究了在单层下的磁场屏蔽效果。将准备的金属材料设置于磁场屏蔽效果评价装置(Techno Science Japan公司 型号TSES-KEC)中，将频率设为1MHz，在20℃的条件下，通过KEC法评价了磁场屏蔽效果。
(比较例3：将3片金属箔层叠时的磁场屏蔽效果)
准备3片压延铜箔(厚度：33μm)，将其不夹着粘接剂而简单地层叠，并设置于磁场屏蔽效果评价装置(Techno Science Japan公司 型号TSES-KEC)中，通过与比较例1同样的方法评价了磁场屏蔽效果。
(比较例4：将2片金属箔夹着绝缘层进行层叠时的磁场屏蔽效果)
使用厚度250μm的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜作为绝缘层，使用厚度7μm的压延铜箔作为金属箔，不使用粘接剂而仅层叠，由此制作了具有表1中记载的层叠结构的电磁波屏蔽材料。将该电磁波屏蔽材料设置于磁场屏蔽效果评价装置(Techno Science Japan公司 型号TSES-KEC)中，通过与比较例1同样的方法评价了磁场屏蔽效果。
(比较例5：将2片金属箔夹着绝缘层进行层叠时的磁场屏蔽效果)
使用厚度100μm的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜作为绝缘层，使用厚度8μm的压延铜箔作为金属箔，不使用粘接剂而仅层叠，由此制作了具有表1中记载的层叠结构的电磁波屏蔽材料。将该电磁波屏蔽材料设置于磁场屏蔽效果评价装置(Techno Science Japan公司 型号TSES-KEC)中，通过与比较例1同样的方法评价了磁场屏蔽效果。
(比较例6：将2片金属箔夹着空气层进行设置时的磁场屏蔽效果)
使用空气作为绝缘层，使用厚度6μm和30μm的铝箔作为金属箔，由此制作了具有表1中记载的层叠结构的电磁波屏蔽材料。该例中，2片铝箔夹持中央部具有正方形状的大开口部的铜板，以在空气中呈50μm的间隔的方式平行地配置。将该电磁波屏蔽材料设置于磁场屏蔽效果评价装置(Techno Science Japan公司 型号TSES-KEC)中，通过与比较例1同样的方法评价了磁场屏蔽效果。
(比较例7：将3片金属箔夹着绝缘层进行层叠时的磁场屏蔽效果：σM×dM×dR＜3×10-3)
使用厚度9μm的聚酰亚胺(PI)膜作为绝缘层，使用厚度6μm的铝箔作为金属箔，不使用粘接剂而仅层叠，由此制作了具有表1中记载的层叠结构的电磁波屏蔽材料。将该电磁波屏蔽材料设置于磁场屏蔽效果评价装置(Techno Science Japan公司 型号TSES-KEC)中，通过与比较例1同样的方法评价了磁场屏蔽效果。
(实施例1)
使用厚度100μm的聚酰亚胺(PI)膜作为绝缘层，使用厚度17μm的压延铜箔作为金属箔，不使用粘接剂而仅层叠，由此制作了具有表1中记载的层叠结构的电磁波屏蔽材料。将该电磁波屏蔽材料设置于磁场屏蔽效果评价装置(Techno Science Japan公司 型号TSES-KEC)中，通过与比较例1同样的方法评价了磁场屏蔽效果。
(实施例2)
使用厚度100μm的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜作为绝缘层，使用厚度20μm的铝箔作为金属箔，不使用粘接剂而仅层叠，由此制作了具有表1中记载的层叠结构的电磁波屏蔽材料。将该电磁波屏蔽材料设置于磁场屏蔽效果评价装置(Techno Science Japan公司 型号TSES-KEC)中，通过与比较例1同样的方法评价了磁场屏蔽效果。
(实施例3)
使用厚度100μm的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜作为绝缘层，使用厚度30μm的电解铜箔作为金属箔，不使用粘接剂而仅层叠，由此制作了具有表1中记载的层叠结构的电磁波屏蔽材料。将该电磁波屏蔽材料设置于磁场屏蔽效果评价装置(Techno Science Japan公司 型号TSES-KEC)中，通过与比较例1同样的方法评价了磁场屏蔽效果。
(实施例4)
使用厚度100μm的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜作为绝缘层，使用厚度50μm的镍箔作为金属箔，不使用粘接剂而仅层叠，由此制作了具有表1中记载的层叠结构的电磁波屏蔽材料。将该电磁波屏蔽材料设置于磁场屏蔽效果评价装置(Techno Science Japan公司 型号TSES-KEC)中，通过与比较例1同样的方法评价了磁场屏蔽效果。
(实施例5)
使用厚度100μm的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜作为绝缘层，使用厚度50μm的软铁箔作为金属箔，不使用粘接剂而仅层叠，由此制作了具有表1中记载的层叠结构的电磁波屏蔽材料。将该电磁波屏蔽材料设置于磁场屏蔽效果评价装置(Techno Science Japan公司型号TSES-KEC)中，通过与比较例1同样的方法评价了磁场屏蔽效果。
(实施例6)
使用厚度500μm的聚四氟乙烯(PTFE)膜作为绝缘层，使用厚度50μm的不锈钢箔作为金属箔，不使用粘接剂而仅层叠，由此制作了具有表1中记载的层叠结构的电磁波屏蔽材料。将该电磁波屏蔽材料设置于磁场屏蔽效果评价装置(Techno Science Japan公司 型号TSES-KEC)中，通过与比较例1同样的方法评价了磁场屏蔽效果。
(实施例7)
使用厚度100μm的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜作为绝缘层，使用厚度6μm的压延铜箔作为金属箔，不使用粘接剂而仅层叠，由此制作了具有表1中记载的层叠结构的电磁波屏蔽材料。将该电磁波屏蔽材料设置于磁场屏蔽效果评价装置(Techno Science Japan公司 型号TSES-KEC)中，通过与比较例1同样的方法评价了磁场屏蔽效果。
(实施例8)
使用厚度100μm的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜作为绝缘层，使用厚度17μm的压延铜箔作为金属箔，不使用粘接剂而仅层叠，由此制作了具有表1中记载的层叠结构的电磁波屏蔽材料。将该电磁波屏蔽材料设置于磁场屏蔽效果评价装置(Techno Science Japan公司 型号TSES-KEC)中，通过与比较例1同样的方法评价了磁场屏蔽效果。
(实施例9)
使用厚度100μm的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜作为绝缘层，使用厚度33μm的压延铜箔作为金属箔，不使用粘接剂而仅层叠，由此制作了具有表1中记载的层叠结构的电磁波屏蔽材料。将该电磁波屏蔽材料设置于磁场屏蔽效果评价装置(Techno Science Japan公司 型号TSES-KEC)中，通过与比较例1同样的方法评价了磁场屏蔽效果。
(实施例10)
使用厚度9μm的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜作为绝缘层，使用厚度7μm和33μm的压延铜箔作为金属箔，不使用粘接剂而仅层叠，由此制作了具有表1中记载的层叠结构的电磁波屏蔽材料。将该电磁波屏蔽材料设置于磁场屏蔽效果评价装置(Techno ScienceJapan公司 型号TSES-KEC)中，通过与比较例1同样的方法评价了磁场屏蔽效果。
(实施例11)
使用厚度500μm的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜作为绝缘层，使用厚度17μm的压延铜箔作为金属箔，不使用粘接剂而仅层叠，由此制作了具有表1中记载的层叠结构的电磁波屏蔽材料。将该电磁波屏蔽材料设置于磁场屏蔽效果评价装置(Techno Science Japan公司 型号TSES-KEC)中，通过与比较例1同样的方法评价了磁场屏蔽效果。
(实施例12)
使用厚度100μm的聚四氟乙烯(PTFE)膜作为绝缘层，使用厚度17μm的压延铜箔作为金属箔，不使用粘接剂而仅层叠，由此制作了具有表1中记载的层叠结构的电磁波屏蔽材料。将该电磁波屏蔽材料设置于磁场屏蔽效果评价装置(Techno Science Japan公司 型号TSES-KEC)中，通过与比较例1同样的方法评价了磁场屏蔽效果。
(实施例13)
使用厚度100μm的聚酰胺(PA)膜作为绝缘层，使用厚度17μm的压延铜箔作为金属箔，不使用粘接剂而仅层叠，由此制作了具有表1中记载的层叠结构的电磁波屏蔽材料。将该电磁波屏蔽材料设置于磁场屏蔽效果评价装置(Techno Science Japan公司 型号TSES-KEC)中，通过与比较例1同样的方法评价了磁场屏蔽效果。
(实施例14)
使用厚度100μm的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜作为绝缘层，使用厚度33μm的压延铜箔和厚度30μm的镍箔作为金属箔，不使用粘接剂而仅层叠，由此制作了具有表1中记载的层叠结构的电磁波屏蔽材料。将该电磁波屏蔽材料设置于磁场屏蔽效果评价装置(TechnoScience Japan公司 型号TSES-KEC)中，通过与比较例1同样的方法评价了磁场屏蔽效果。
(实施例15)
使用厚度12μm的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜作为绝缘层，使用厚度12μm的压延铜箔和厚度17μm的压延铜箔作为金属箔，不使用粘接剂而仅层叠，由此制作了具有表1中记载的层叠结构的电磁波屏蔽材料。将该电磁波屏蔽材料设置于磁场屏蔽效果评价装置(Techno Science Japan公司 型号TSES-KEC)中，通过与比较例1同样的方法评价了磁场屏蔽效果。
(实施例16)
使用厚度100μm的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜作为绝缘层，使用厚度12μm的压延铜箔作为金属箔，不使用粘接剂而仅层叠，由此制作了具有表1中记载的层叠结构的电磁波屏蔽材料。将该电磁波屏蔽材料设置于磁场屏蔽效果评价装置(Techno Science Japan公司 型号TSES-KEC)中，通过与比较例1同样的方法评价了磁场屏蔽效果。
(实施例17)
使用厚度9μm的聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜作为绝缘层，使用厚度20μm的铝箔作为金属箔，不使用粘接剂而仅层叠，由此制作了具有表1中记载的层叠结构的电磁波屏蔽材料。将该电磁波屏蔽材料设置于磁场屏蔽效果评价装置(Techno Science Japan公司 型号TSES-KEC)中，通过与比较例1同样的方法评价了磁场屏蔽效果。
需要说明的是，在上述的评价中，金属箔的导电率通过JIS C2525：1999的双电桥法进行测定。相对介电常数通过JIS C 2151：2006中记载的B法进行测定。
将结果示于表1中。表1中的“最小σMdMdR”是：在各试验例中，在所使用的金属箔与绝缘层的所有组合中，关于σM×dM×dR成为最小的金属箔与绝缘层的组合的值。根据比较例1和2的结果可理解，在一片金属箔时即使设定为超过100μm的厚度，屏蔽效果也仅获得31～33dB左右。根据比较例3的结果可理解，即使仅层叠金属箔，也未见屏蔽效果的显著性提升。根据比较例4～6的结果可理解，即使将2片金属箔夹着绝缘层而层叠也同样。另外，根据比较例7的结果得知，即使将3片金属箔夹着绝缘层而层叠时，若σM×dM×dR不充分，则屏蔽效果的提升也有限。
另一方面，在将3片金属箔夹着绝缘层而层叠、且关于金属箔与绝缘层的所有组合σM×dM×dR为3×10-3以上的实施例1～17中，可理解屏蔽效果显著优异。例如，相对于一片铜箔时获得31.1dB的屏蔽效果需要150μm的厚度的比较例1，在实施例1中尽管仅使用其约1/3的厚度的铜箔，但屏蔽效果也提升约26dB。另外，相对于一片铝箔时获得33.1dB的屏蔽效果需要300μm的厚度的比较例2，在实施例2中尽管仅使用其1/5的厚度的铝箔，但屏蔽效果也提升约19dB。
另外，在实施例中也可理解，金属箔与绝缘层的组合的最小σMdMdR较高者，减小金属箔的总厚度且可获得较高的屏蔽效果。例如，得知实施例10～13中铜箔的总厚度均为51μm，但因最小σMdMdR的不同而在屏蔽效果方面产生较大的差异。
[表1]

Claims (10)

1.电磁波屏蔽材料，其是具有使至少3片金属箔夹着绝缘层层叠而得的结构的电磁波屏蔽材料，所述电磁波屏蔽材料的整体厚度为600μm以下，各绝缘层的厚度为80μm以上，金属箔的总厚度为15～150μm，构成该电磁波屏蔽材料的金属箔与绝缘层的所有组合满足σM×dM×dR≥3×10-3，
其中，式中的符号表示如下：
σM：金属箔的20℃下的导电率(S/m)；
dM：各金属箔的厚度(m)；
dR：各绝缘层的厚度(m)。
2.权利要求1所述的电磁波屏蔽材料，其中，各金属箔的20℃下的导电率为1.0×106S/m以上。
3.权利要求1或2所述的电磁波屏蔽材料，其中，各金属箔的厚度为4～100μm。
4.权利要求1或2所述的电磁波屏蔽材料，其中，各绝缘层的20℃下的相对介电常数为2.0～10.0。
5.权利要求1或2所述的电磁波屏蔽材料，其中，各绝缘层的厚度为100μm以上。
6.权利要求1或2所述的电磁波屏蔽材料，其中，金属箔的总厚度为15～100μm。
7.权利要求1或2所述的电磁波屏蔽材料，其中，各绝缘层的厚度为500μm以下。
8.权利要求1或2所述的电磁波屏蔽材料，其中，各金属箔与各绝缘层不使用粘接剂而层叠。
9.电子设备用的被覆材料或包装材料，其具备权利要求1～6的任一项所述的电磁波屏蔽材料。
10.电子设备，其具备权利要求9所述的被覆材料或包装材料。
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