CN107405875B - 导电结构体以及包括该导电结构体的电子器件 - Google Patents

导电结构体以及包括该导电结构体的电子器件 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种导电结构体以及包括该导电结构体的电子器件。所述导电结构体包括第一铪氧化物层、金属层、第二铪氧化物层并且满足数学式1：[数学式1]

Description

导电结构体以及包括该导电结构体的电子器件
技术领域
本申请要求于2015年3月16日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0036104的优先权和权益，该申请的公开内容通过引用全部并入本说明书中。
本说明书涉及一种导电结构体以及包括该导电结构体的电子器件。
背景技术
随着新的可再生能源工业以及前沿信息技术工业的越来越快速发展，对具有导电性和透光性两者的导电结构体体的兴趣增加。有机电子器件中的导电结构体是薄透明基板，需要具有优异的导电性同时透射光。
作为导电结构体的材料，制造为薄膜形式的透明导电氧化物(TCO)是最常见的。透明导电氧化物是统称在可见光区域中具有高光学透过率(85％以上)和低电阻率(1×10-3Ωm)两者的氧化物类简并半导体电极的术语，并且根据薄层电阻的大小，已经用作如抗静电膜、电磁波屏蔽膜等的功能性薄膜，以及平板显示器、太阳能电池、触摸屏、透明晶体管、柔性光电器件、透明光电器件等的芯电极材料。
然而，使用透明导电氧化物作为材料制造的导电结构体具有低导电性，从而具有使器件的效率降低的问题。
发明内容
技术问题
本说明书旨在提供一种导电结构体以及包括该导电结构体的电子器件。
技术方案
本说明书的一个实施方案提供一种导电结构体，包括：包含铪氧化物的第一铪氧化物层；设置在所述第一铪氧化物层上的金属层；以及设置在所述金属层上的包含铪氧化物的第二铪氧化物层，其中，所述导电结构体满足下面的数学式1。
[数学式1]
[数学式2]
[数学式3]
[数学式4]
[数学式5]
[数学式6]
在数学式1中，Deff是通过数学式2和数学式3求得的所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的平均折射率的分散度，keff_dielectric是通过数学式4求得的所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的平均消光系数，d是所述第一铪氧化物层、所述第二铪氧化物层和所述金属层的总厚度，keff_metal是通过数学式5求得的所述第一铪氧化物层、所述第二铪氧化物层和所述金属层的平均消光系数，
在数学式2中，neff_550是通过数学式3求得的所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层在波长为550nm的光中的平均折射率，neff_450是通过数学式3求得的所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层在波长为450nm的光中的平均折射率，neff_380是通过数学式3求得的所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层在波长为380nm的光中的平均折射率，
在数学式3和数学式4中，n1是所述第一铪氧化物层的折射率，n2是所述第二铪氧化物层的折射率，k1是所述第一铪氧化物层的消光系数，k2是所述第二铪氧化物层的消光系数，f1是所述第一铪氧化物层相对于所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的厚度比例，f2是所述第二铪氧化物层相对于所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的厚度比例，
在数学式5和数学式6中，n3是所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的平均折射率neff_dielectric，n4是所述金属层的折射率，k3是所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的平均消光系数keff_dielectric，k4是所述金属层的消光系数，f3是所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层相对于所述导电结构体的厚度比例，f4是所述金属层相对于所述导电结构体的厚度比例，
所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的平均消光系数keff_dielectric和所述第一铪氧化物层、所述第二铪氧化物层和所述金属层的平均消光系数keff_metal分别是在波长为380nm的光中测得的值。
本说明书的另一实施方案提供一种包括所述导电结构体的透明电极。
本说明书的又一实施方案提供一种包括所述导电结构体的电子器件。
有益效果
根据本说明书的一个实施方案的导电结构体具有高透光率和低薄层电阻值。此外，根据本说明书的一个实施方案的导电结构体的特征在于透光率随着波长的变化小，特别是，在380nm至450nm的波长范围中的透光率变化小。此外，根据本说明书的一个实施方案的导电结构体能够在宽的波长范围中实现高透光率。
附图说明
图1是根据本说明书的一个实施方案的导电结构体的层合结构；
图2示出了根据实施例和比较例的导电结构体的透光率随着波长的变化。
<附图标记说明>
101：第一铪氧化物层
201：金属层
301：第二铪氧化物层
具体实施方式
下文中，将更详细地描述本说明书。
在本说明书中，一构件在另一构件“上”的描述不仅包括一构件与另一构件相邻的情况，而且包括在两个构件之间存在又一构件的情况。
在本说明书中，特定部分“包括”特定构成要素的描述指还能够包括其它构成要素，并且不排除其它构成要素，除非有相反的明确描述。
本说明书的一个实施方案提供一种导电结构体，包括：包含铪氧化物的第一铪氧化物层；设置在所述第一铪氧化物层上的金属层；以及设置在所述金属层上的包含铪氧化物的第二铪氧化物层，其中，所述导电结构体满足下面的数学式1。
[数学式1]
[数学式2]
[数学式3]
[数学式4]
[数学式5]
[数学式6]
在数学式1中，Deff是通过数学式2和数学式3求得的所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的平均折射率的分散度，keff_dielectric是通过数学式4求得的所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的平均消光系数，d是所述第一铪氧化物层、所述第二铪氧化物层和所述金属层的总厚度，keff_metal是通过数学式5求得的所述第一铪氧化物层、所述第二铪氧化物层和所述金属层的平均消光系数，
在数学式2中，neff_550是通过数学式3求得的所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层在波长为550nm的光中的平均折射率，neff_450是通过数学式3求得的所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层在波长为450nm的光中的平均折射率，neff_380是通过数学式3求得的所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层在波长为380nm的光中的平均折射率，
在数学式3和数学式4中，n1是所述第一铪氧化物层的折射率，n2是所述第二铪氧化物层的折射率，k1是所述第一铪氧化物层的消光系数，k2是所述第二铪氧化物层的消光系数，f1是所述第一铪氧化物层相对于所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的厚度比例，f2是所述第二铪氧化物层相对于所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的厚度比例，
在数学式5和数学式6中，n3是所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的平均折射率neff_dielectric，n4是所述金属层的折射率，k3是所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的平均消光系数keff_dielectric，k4是所述金属层的消光系数，f3是所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层相对于所述导电结构体的厚度比例，f4是所述金属层相对于所述导电结构体的厚度比例，
所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的平均消光系数keff_dielectric和所述第一铪氧化物层、所述第二铪氧化物层和所述金属层的平均消光系数keff_metal分别是在波长为380nm的光中测得的值。
根据本说明书的一个实施方案，数学式1指用于制备可以确保具有高透光率并且在短波长的可见光区域中使透光率的变化最小化的导电结构体的参数。具体而言，影响导电结构体的透过率和透过率的变化的因素是介电层的折射率的分散度、介电层的光吸收量和金属层的光吸收量，数学式1表示能够得到这些影响因素的最佳范围的关系式。
根据本说明书的一个实施方案，各层的根据数学式1至数学式6的折射率和消光系数可以通过椭圆率仪测得。
根据本说明书的一个实施方案，第一铪氧化物层和第二铪氧化物层可以是分别包含70重量％以上或85重量％以上的铪氧化物的层。另外，根据本说明书的一个实施方案，第一铪氧化物层和第二铪氧化物层可以是分别包含95重量％以上的铪氧化物的层。此外，根据本说明书的一个实施方案，第一铪氧化物层和第二铪氧化物层可以是分别由铪氧化物形成的层。
在常规导电结构体体中，在380nm至450nm的波长区域中的透光率的变化非常大，引起随着波长范围的透光率的差异增大的问题。鉴于此，本公开的发明人发现能够使在380nm至450nm的波长区域中的透光率的变化最小化的导电结构体的条件。
根据本说明书的一个实施方案，当数学式1的值为0.25以下时，导电结构体具有在380nm至450nm的波长区域中的透光率的变化小的优点。详细地讲，当数学式1的值为0.25以下时，由于导电结构体在380nm至450nm的波长区域中的透光率的变化小，因此，可以在宽的波长范围中实现更优异的透明度，并且可以确保高可见性。
根据本说明书的一个实施方案，为了满足数学式1的值为0.25以下，可以通过考虑导电结构体的各个构成要素的材料依赖性的光学性能来应用导电结构体。
由于当光入射角为0°且光入射到空气中的折射率n≈1/T时，折射率的差异引起的透过率的变化可以由折射率的分散度Deff和透光率之间的关系式来表示。
根据本说明书的一个实施方案，数学式1中的系数0.12是实验性得到的系数，是通过使用导电结构体在380nm中的透光率、在450nm中的透光率和在550nm中的透光率求得的值。具体而言，根据本说明书的一个实施方案，数学式1中的系数0.12可以通过下面的数学式7实验性地求得。
[数学式7]
在数学式7中，T550是导电结构体在波长为550nm的光中的透光率，T450是导电结构体在波长为450nm的光中的透光率，T380是导电结构体在波长为380nm的光中的透光率。具体而言，380nm波长是可见光区域中的最短波长，450nm波长是导电结构体中可见光透光率变化达到饱和的点，550nm波长是可见光线中最容易被人眼识别的波长，作为通过数学式7计算最佳值的结果，当所述值为0.12时能够制造具有优异性能的导电结构体。
根据本说明书的一个实施方案，当导电结构体在380nm至450nm的波长中的透光率的变化为30％以下并且平均透光率为70％以上时，系数0.12可以成立。
根据本说明书的一个实施方案，导电层合体的各层的由光吸收引起的透光率的变化可以由消光系数表示。具体而言，由于各层的消光系数引起的吸收量可以由下式来表示。
在上式中，λ表示光的波长，keff是相应层的消光系数，d表示相应层的厚度。导电层合体的各层的光吸收引起透过率发生变化，各层的光吸收量可以由上式中的消光系数来确定。
根据本说明书的一个实施方案，当第一铪氧化物层和第二铪氧化物层的厚度总和大于或等于40nm且小于或等于120nm时，数学式1中的系数0.06是能够使导电结构体的性能最优化的值。
根据本说明书的一个实施方案，当第一铪氧化物层和第二铪氧化物层的厚度总和大于或等于40nm且小于或等于120nm，并且金属层的厚度大于或等于5nm且小于或等于20nm时，数学式1中的系数0.98是能够使导电结构体的性能最优化的值。
根据本说明书的一个实施方案，第一铪氧化物层和第二铪氧化物层的平均折射率的分散度Deff可以为1.1以上。具体而言，根据本说明书的一个实施方案，当第一铪氧化物层和第二铪氧化物层的平均折射率的分散度Deff可以为10以上或者20以上。
当第一铪氧化物层和第二铪氧化物层的平均折射率的分散度Deff为1.1以下时，数学式1的值大于0.25，在低波长中的透光率的变化会增加。
根据本说明书的一个实施方案，第一铪氧化物层和第二铪氧化物层的平均消光系数keff_dielectric可以为0.1以下。具体而言，根据本说明书的一个实施方案，第一铪氧化物层和第二铪氧化物层的平均消光系数keff_dielectric可以为0.04以下。
根据本说明书的一个实施方案，第一铪氧化物层、第二铪氧化物层和金属层的平均消光系数keff_metal可以为0.22以下。具体而言，根据本说明书的一个实施方案，第一铪氧化物层、第二铪氧化物层和金属层的平均消光系数keff_metal可以为0.1以下。
图1示出了根据本说明书的一个实施方案的导电结构体的层合结构。具体而言，图1示出了顺序设置有第一铪氧化物层101、金属层201和第二铪氧化物层301的导电结构体。
根据本说明书的一个实施方案，第一铪氧化物层和第二铪氧化物层的总厚度可以大于或等于40nm且小于或等于120nm。具体而言，根据本说明书的一个实施方案，第一铪氧化物层和第二铪氧化物层的总厚度可以大于或等于40nm且小于或等于110nm。
第一铪氧化物层是高折射率材料，并且可以用于起到提高使用金属层的多层导电结构体的透光率的作用并且起到促进金属层的沉积的作用。
根据本说明书的一个实施方案，第一铪氧化物层的厚度可以大于或等于20nm且小于或等于70nm。具体而言，根据本说明书的一个实施方案，第一铪氧化物层的厚度可以大于或等于20nm且小于或等于60nm，或大于或等于25nm且小于或等于55nm。
具有上述范围的厚度的第一铪氧化物层的优点在于，具有多层薄膜形式的导电结构体具有优异的透光率。具体而言，当第一铪氧化物层的厚度在该范围之外时，引起降低导电结构体的透光率的问题。此外，当厚度在上述范围之外时，会提高沉积的金属层的缺陷率。
根据本说明书的一个实施方案，第二铪氧化物层的厚度可以大于或等于20nm且小于或等于80nm。具体而言，根据本说明书的一个实施方案，第二铪氧化物层的厚度可以大于或等于20nm且小于或等于60nm，或大于或等于25nm且小于或等于55nm。
具有上述范围的厚度的第二铪氧化物层的优点在于，导电结构体可以具有优异的导电性和低电阻值。具体而言，第二铪氧化物层的厚度范围是通过光学设计得到的，并且厚度超出上述范围引起降低导电结构体的透光率的问题。
根据本说明书的一个实施方案，金属层的厚度可以大于或等于5nm且小于或等于25nm。具体而言，在根据本说明书的实施方案的导电结构体中，金属层的厚度可以大于或等于7nm且小于或等于20nm。
具有上述范围的厚度的金属层的优点在于，导电结构体可以具有优异的导电性和低电阻值。具体而言，当金属层的厚度小于5nm时，难以形成连续的膜，导致难以得到低电阻的问题，并且厚度大于20nm具有降低导电结构体的透过率的问题。
根据本说明书的一个实施方案，金属层可以包含选自Ag、Pt、Al、Ni、Ti、Cu、Pd、P、Zn、Si、Sn、Cd、Ga、Mn和Co中的一种或多种金属。具体而言，根据本说明书的一个实施方案，金属层可以包含选自Ag、Pt和Al中的一种或多种的金属。更具体而言，根据本说明书的一个实施方案，金属层可以包含Ag。
此外，根据本说明书的一个实施方案，金属层可以由Ag、或Ag和Ag氧化物构成。具体而言，金属层可以仅由Ag构成。或者，在导电结构体的制造过程中，或者在导电结构体被包括并在电子器件中使用时，通过与空气和水分接触，Ag氧化物可以被部分地包含在金属层中。
根据本说明书的一个实施方案，当金属层由Ag和Ag氧化物构成时，Ag氧化物可以为金属层重量的0.1重量％以上且50重量％以下。
金属层可以通过优异的导电性和低电阻率来起到实现导电结构体的低电阻的作用。
根据本说明书的一个实施方案，金属层在波长为550nm的光中的折射率可以大于或等于0.1且小于或等于1。具体而言，根据本说明书的一个实施方案，金属层在波长为550nm的光中的折射率可以大于或等于0.1且小于或等于0.5。
根据本说明书的一个实施方案，第一铪氧化物层和第二铪氧化物层可以分别还包含选自Nb、Zr、Y、Ta、La、V、Ti、Zn、B、Si、Al、In和Sn中的掺杂物。
根据本说明书的一个实施方案，相对于铪氧化物层，掺杂物含量可以大于或等于0.1重量％且小于或等于20重量％。
当铪氧化物层中分别包含上述范围的掺杂物时，可以提高导电结构体的光学性能和环境抗性。
根据本说明书的一个实施方案，导电结构体还可以包括透明支撑体，并且第一铪氧化物层可以设置在该透明支撑体上。
根据本说明书的一个实施方案，透明支撑体可以是具有优异的透明性、表面平滑度、易于操作性和防水性的玻璃基板或透明塑料基板，但是不限于此，只要它是电子器件中常用的基板即可。具体而言，基板可以由玻璃、聚氨酯树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、(甲基)丙烯酸酯类聚合物树脂、以及聚烯烃类树脂如聚乙烯或聚丙烯构成。
根据本说明书的一个实施方案，导电结构体在波长为550nm的光中的平均透光率可以为70％以上。具体而言，根据本说明书的一个实施方案，导电结构体在波长为550nm的光中的平均透光率可以为75％以上或为80％以上。
根据本说明书的一个实施方案，导电结构体在380nm至450nm的波长区域中的透光率的变化可以为40％以下。具体而言，根据本说明书的一个实施方案，导电结构体在380nm至450nm的波长区域中的透光率的变化可以为30％以下。
根据本说明书的一个实施方案，导电结构体的薄层电阻值可以为20Ω/sq以下。具体而言，根据本说明书的一个实施方案，导电结构体的薄层电阻值可以为10Ω/sq以下。
根据本说明书的一个实施方案，导电结体的薄层电阻值可以为0.1Ω/sq以上且为20Ω/sq以下。导电结构体的薄层电阻值可以由金属层决定，低薄层电阻值可以通过金属层的厚度范围和包含第二金属氧化物的第二铪氧化物层的厚度范围来实现。
当由于具有低薄层电阻值而用于电子器件中时，导电结构体具有提高电子器件效率的优点。此外，尽管薄层电阻值低，但导电结构体具有透光率高的优点。
根据本说明书的一个实施方案，导电结构体的总厚度可以大于或等于50nm且小于或等于300nm。
本说明书的一个实施方案提供一种包括所述导电结构体的透明电极。
本说明书的一个实施方案提供一种包括所述导电结构体的电子器件。根据本说明书的一个实施方案，电子器件中包含的导电结构体可以起到透明电极的作用。
根据本说明书的一个实施方案，电子器件可以是触摸面板、发光玻璃、发光器件、太阳能电池或晶体管。
触摸面板、发光玻璃、发光器件、太阳能电池和晶体管可以是本领域公知的那些，并且可以使用本说明书的导电结构体作为电极。
在下文中，将参考具体描述的实施例来详细描述本说明书。然而，根据本说明书的实施例可以以各种形式进行修改，并且不应该解释为本说明书的范围限于下面详细描述的实施例。将提供本说明书的实施例以向本领域技术人员更完整的描述本说明书。
[实施例1]
通过使用RF溅射法在玻璃基板上沉积Hf氧化物达到40nm形成第一铪氧化物层。通过使用DC溅射法在第一铪氧化物层上沉积由Ag构成的金属层达到10nm，并且在金属层上沉积Hf氧化物得到40nm形成第二铪氧化物层以制造导电结构体。
[实施例2]
通过使用RF溅射法在玻璃基板上沉积Hf氧化物达到40nm形成第一铪氧化物层。通过使用DC溅射法在第一铪氧化物层上沉积由Ag构成的金属层达到13nm，并且在金属层上沉积Hf氧化物达到40nm形成第二铪氧化物层以制造导电结构体。
[实施例3]
通过使用DC溅射法在玻璃基板上沉积Hf氧化物达到40nm形成第一铪氧化物层。通过使用DC溅射法在第一铪氧化物层上沉积由Ag构成的金属层达到13nm，并且在金属层上沉积Hf氧化物达到40nm形成第二铪氧化物层以制造导电结构体。
[比较例1]
使用DC溅射法在玻璃基板上沉积ITO达到40nm，使用DC溅射方法在ITO上沉积由Ag构成的金属层达到13nm，并且在金属层上沉积ITO达到40nm以制造导电结构体。
比较例1的ITO层按照与实施例的铪氧化物层对应的构造制备。
[比较例2]
使用使用RF溅射法在玻璃基板上沉积Hf氧化物达到70nm形成第一铪氧化物层。使用DC溅射法在第一铪氧化物层上沉积由Ag构成的金属层达到30nm，并且在金属层上沉积Hf氧化物达到80nm形成第二铪氧化物层以制造导电结构体。
根据实施例和比较例的导电结构体的各构成的数学式1的值和物理性能示在下面的表1中。
[表1]
此外，图2示出了根据实施例和比较例的导电结构体体的波长依赖性透光率。
根据表1和图2，可以看出，在不满足数学式1的比较例的导电结构体中，在380nm至450nm的波长范围中的透光率的变化非常大。同时，在满足数学式1的实施例1至3中，可以看出，在380nm至450nm的波长范围中的透光率的变化相对较小。

Claims (15)

1.一种导电结构体，包括：
包含铪氧化物的第一铪氧化物层；
设置在所述第一铪氧化物层上的金属层；以及
设置在所述金属层上的包含铪氧化物的第二铪氧化物层，
其中，所述导电结构体满足下面的数学式1：
[数学式1]
[数学式2]
[数学式3]
[数学式4]
[数学式5]
[数学式6]
其中，在数学式1中，Deff是通过数学式2和数学式3求得的所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的平均折射率的分散度，keff_dielectric是通过数学式4求得的所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的平均消光系数，d是所述第一铪氧化物层、所述第二铪氧化物层和所述金属层的总厚度，keff_metal是通过数学式5求得的所述第一铪氧化物层、所述第二铪氧化物层和所述金属层的平均消光系数；
在数学式2中，neff_550是通过数学式3求得的所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层在波长为550nm的光中的平均折射率，neff_450是通过数学式3求得的所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层在波长为450nm的光中的平均折射率，neff_380是通过数学式3求得的所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层在波长为380nm的光中的平均折射率；
在数学式3和数学式4中，n1是所述第一铪氧化物层的折射率，n2是所述第二铪氧化物层的折射率，k1是所述第一铪氧化物层的消光系数，k2是所述第二铪氧化物层的消光系数，f1是所述第一铪氧化物层相对于所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的厚度比例，f2是所述第二铪氧化物层相对于所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的厚度比例；
在数学式5和数学式6中，n3是所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的平均折射率neff_dielectric，n4是所述金属层的折射率，k3是所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的平均消光系数keff_dielectric，k4是所述金属层的消光系数，f3是所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层相对于所述导电结构体的厚度比例，f4是所述金属层相对于所述导电结构体的厚度比例；
所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的平均消光系数keff_dielectric和所述第一铪氧化物层、所述第二铪氧化物层和所述金属层的平均消光系数keff_metal分别是在波长为380nm的光中测得的值。
2.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的平均折射率的分散度Deff为1.1以上。
3.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的平均消光系数keff_dielectric为0.1以下。
4.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述第一铪氧化物层、所述第二铪氧化物层和所述金属层的平均消光系数keff_metal为0.22以下。
5.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层的总厚度大于或等于40nm且小于或等于120nm。
6.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述第一铪氧化物层和所述第二铪氧化物层分别还包含选自Nb、Zr、Y、Ta、La、V、Ti、Zn、B、Si、Al、In和Sn的掺杂物。
7.根据权利要求6所述的导电结构体，其中，相对于所述铪氧化物层，所述掺杂物的含量大于或等于0.1重量％且小于或等于20重量％。
8.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述金属层的厚度大于或等于5nm且小于或等于25nm。
9.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述金属层在波长为550nm的光中的折射率大于或等于0.1且小于或等于1。
10.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，所述导电结构体还包括透明支撑体，并且所述第一铪氧化物层设置在所述透明支撑体上。
11.根据权利要求1所述的导电结构体，该导电结构体在波长为550nm的光中的平均透光率为70％以上。
12.根据权利要求1所述的导电结构体，其中，该导电结构体在380nm至450nm的波长区域中的透光率的变化为40％以下。
13.根据权利要求1所述的导电结构体，该导电结构体的薄层电阻值为20Ω/sq以下。
14.一种包括权利要求1至13中的任意一项所述的导电结构体的透明电极。
15.一种包括权利要求1至13中的任意一项所述的导电结构体的电子器件。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112028499B (zh) * 2020-08-21 2023-01-24 河南理工大学 以CuAg合金为缓冲层的可室温制备的非晶态透明导电复合薄膜及其制备方法和应用

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004119272A (ja) * 2002-09-27 2004-04-15 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌ素子及びそれに用いる基板
JP2008028249A (ja) * 2006-07-24 2008-02-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2011158753A (ja) * 2010-02-02 2011-08-18 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
KR20120086210A (ko) * 2011-01-25 2012-08-02 엘지이노텍 주식회사 터치 패널 및 이의 제조 방법
CN103902128A (zh) * 2014-04-10 2014-07-02 芜湖长信科技股份有限公司 一种触觉式电容屏及其制造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56164851A (en) * 1980-05-26 1981-12-18 Teijin Ltd Manufacture of transparent conductive laminate
JPS56164850A (en) * 1980-05-26 1981-12-18 Teijin Ltd Manufacture of transparent conductive laminate
JP2003154598A (ja) * 1995-03-22 2003-05-27 Toppan Printing Co Ltd 電極板およびこれを用いた液晶表示装置
US20020160194A1 (en) 2001-04-27 2002-10-31 Flex Products, Inc. Multi-layered magnetic pigments and foils
US7037862B2 (en) * 2001-06-13 2006-05-02 Micron Technology, Inc. Dielectric layer forming method and devices formed therewith
CN100396813C (zh) 2002-08-02 2008-06-25 出光兴产株式会社 溅射靶、烧结体及利用它们制造的导电膜、有机el元件及其所用的衬底
JP4308497B2 (ja) 2002-10-16 2009-08-05 出光興産株式会社 有機電界発光装置用電極基板および有機電界発光装置およびその装置の製造方法
US7141857B2 (en) * 2004-06-30 2006-11-28 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor structures and methods of fabricating semiconductor structures comprising hafnium oxide modified with lanthanum, a lanthanide-series metal, or a combination thereof
EP2192828A1 (en) * 2007-09-19 2010-06-02 Asahi Glass Company, Limited Conductive laminate
US7856040B2 (en) * 2008-09-24 2010-12-21 Palo Alto Research Center Incorporated Semiconductor light emitting devices with non-epitaxial upper cladding
KR101201099B1 (ko) 2008-09-30 2012-11-13 주식회사 엘지화학 투명 도전막 및 이를 구비한 투명 전극

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004119272A (ja) * 2002-09-27 2004-04-15 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機ｅｌ素子及びそれに用いる基板
JP2008028249A (ja) * 2006-07-24 2008-02-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2011158753A (ja) * 2010-02-02 2011-08-18 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
KR20120086210A (ko) * 2011-01-25 2012-08-02 엘지이노텍 주식회사 터치 패널 및 이의 제조 방법
CN103902128A (zh) * 2014-04-10 2014-07-02 芜湖长信科技股份有限公司 一种触觉式电容屏及其制造方法

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