CN107400877B - 含硅碳膜的化学气相沉积的基态氢自由基源 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及含硅碳膜的化学气相沉积的基态氢自由基源，具体而言，通过下列步骤将薄层的含硅碳膜沉积在衬底上：从被提供给自由基发生室的氢气产生氢自由基；将氢自由基提供给经由多舱口气体分配器与衬底处理室分立的衬底处理室；以及使其中的氢自由基与同时被引入到衬底处理室的有机硅反应物作反应。在与有机硅反应物反应之前，氢自由基被允许在衬底处理室内的自由基弛豫区内弛豫到基态。

Description

含硅碳膜的化学气相沉积的基态氢自由基源
本申请是申请日为2014年10月24日、中国专利申请号为201410576747.1、发明名称为“含硅碳膜的化学气相沉积的基态氢自由基源”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明总体上涉及半导体加工领域，更具体地涉及含硅碳膜的化学气相沉积的基态氢自由基源。
背景技术
碳化硅薄膜经常在半导体衬底加工操作中被用作阻挡层。如此，碳化硅薄膜经常必须具有高密度(例如大于约2g/cc)，必须是气密的，并且必须具有低孔隙率以防止不希望有的材料(例如金属原子或空气)通过阻挡层扩散或防止对阻挡层的不希望有的蚀刻。
有些已暗示产生远程氢等离子体可改善碳化硅薄膜性质。然而，壁碰撞和其它猝灭事件预期会降低由远程等离子体产生的活性物质的产量。进而，远程氢等离子体处理的薄膜沉积速率预期会难以接受地低。由于相信碳化硅薄膜密度与处理压强成反比地变化，意图增加沉积速率的处理压强增加可能不利地降低薄膜密度，由此导致不可接受的阻挡层表现性质。
发明内容
主题的一个方面可以在一种在衬底上沉积含硅碳膜的方法中实现，所述方法可以包括：将衬底支承在衬底处理室内，由此使所述衬底的主表面露出至所述衬底处理室的内部；将氢(H2)气流引入到自由基发生室，所述自由基发生室与所述衬底处理室隔开并经由多舱口气体分配器与之流体耦合，所述多舱口气体分配器具有成组的相互隔开的气体舱口，所述气体舱口指向到所述衬底处理室内以建立从所述自由基发生室出来、通过所述多舱口气体分配器并进入完全包含在所述衬底处理室内部的自由基弛豫区的流动路径；激励所述自由基发生室内的所述氢(H2)气中的至少一部分以在所述氢(H2)气流中形成受激氢自由基，以使所述受激氢自由基中的至少一些沿所述流动路径流动、通过所述多舱口气体分配器并进入所述自由基弛豫区，在其中流入到所述自由基弛豫区内的几乎全部的所述受激氢自由基转变为弛豫氢自由基；以及将有机硅反应物流引入到化学气相沉积区，所述化学气相沉积区被形成在所述衬底处理室内部在所述自由基弛豫区和所述衬底的主表面之间，所述弛豫氢自由基中的至少一些从所述自由基弛豫区流动与所述有机硅反应物流同步地流入所述化学气相沉积区并在其中与所述有机硅反应物中的一些起反应，由此在所述衬底的所述主表面上沉积含硅碳的薄膜。
在一些实施例中，所述有机硅反应物经由相互隔开的反应物开口被引入，并且其中所述自由基弛豫区完全地包含在形成于所述多舱口气体分配器和所述相互隔开的反应物开口之间的空间内。在一些实施例中，所述相互隔开的反应物开口被配置以使所述有机硅反应物流沿与所述流动路径平行的方向被引入。在一些实施例中，所述相互隔开的反应物开口被配置以使所述有机硅反应物流沿与所述流动路径横交的方向被引入。在一些实施例中，所述成组的相互隔开的气体舱口与所述相互隔开的反应物开口相隔大约0.5英寸和大约5英寸之间的距离。
在一些实施例中，包括在所述多舱口气体分配器内的所述成组的气体舱口被配置为成阵列的规则间隔开的气体舱口。在一些实施例中，所述方法还包括通过经由气体出口排空或置换清洗或这两者从所述衬底处理室去除过量的有机硅反应物和氢气。在一些实施例中，受激氢自由基在所述多舱口气体分配器内的平均停留时间大于约1×10-3秒。在一些实施例中，气体在所述自由基弛豫区内的平均停留时间大于约1×10-3秒。
根据多个实施例，包含在所述多舱口气体分配器内的所述气体舱口具有在大约3：1至10：1的范围内的轴向长度与直径比。在一些实施例中,引入氢气流包括引入氢气和氦气的气体混合物，所述气体混合物包括在大约1％和大约17％之间的体积百分比的氢气。
有机硅反应物的实例包括硅氧烷、硅烷、烷基硅烷、烷氧基硅烷、和氨基硅烷。在一些实施例中,所述方法还包括在将所述受激氢自由基引入所述自由基弛豫区之前引导所述气体流动路径通过离子过滤器或光子过滤器或该两者。在一些实施例中,所述多舱口气体分配器附近的所述自由基弛豫区内的所述有机硅反应物的质量分数为大约0.1或更小。
主题的另一方面可以在一种在衬底上沉积含硅碳膜的方法中实现，所述方法包括：将衬底支承在衬底处理室内，由此使所述衬底的主表面露出至所述衬底处理室的内部；将稀释氢(H2)气在氦气中的气体混合物的稳定流引入到自由基发生室，所述自由基发生室与所述衬底处理室隔开并经由多舱口气体分配器与之流体耦合，所述多舱口气体分配器具有成组的相互隔开的气体舱口，所述气体舱口指向到所述衬底处理室内以建立从所述自由基发生室出来、通过所述多舱口气体分配器、进入完全包含在所述衬底处理室内部内的自由基弛豫区、并进入形成在所述衬底处理室内部内的化学气相沉积区的流动路径，所述化学气相沉积区在所述多舱口气体分配器和所述衬底的主表面之间并通过所述自由基弛豫区与所述多舱口气体分配器隔开；激励所述自由基发生室内的所述氢(H2)气的至少一部分以在所述气体混合物中形成受激氢自由基，以使所述气体混合物中的至少一些沿所述流动路径流动、通过所述多舱口气体分配器并进入所述自由基弛豫区，在其中与所述气体混合物一起进入到所述自由基弛豫区内的任何和几乎全部受激氢自由基转变为弛豫氢自由基；以及将有机反应物的稳定流引入到所述化学气相沉积区，由此防止几乎全部所述有机硅反应物流在所述多舱口气体分配器与所述气体流混合并使所述有机硅反应物中的至少一些与同步于所述有机硅反应物流的从所述自由基弛豫区流出的所述弛豫氢自由基中的至少一些反应，由此将含硅碳膜沉积在所述衬底的主表面上。
在一些实施例中,所述方法包括引入稀释氢气在氦气中的气体混合物的稳定流包括引入稀释氢气气体混合物，所述气体混合物包括氢气与氦的比在大约1体积％和大约17体积％之间。在一些实施例中,受激氢自由基在所述多舱口气体分配器内的平均停留时间大于约1×10-3秒，并且气体在所述自由基弛豫区内的平均停留时间大于约1×10-3秒。在一些实施例中,所述有机硅反应物经由相互隔开的反应物开口被引入，并且其中所述自由基弛豫区完全地包含在形成于所述多舱口气体分配器和所述相互隔开的反应物开口之间的空间内。在一些实施例中,所述相互隔开的反应物开口被配置以使所述有机硅反应物流沿与所述流动路径平行的方向被引入。在一些实施例中,所述相互隔开的反应物开口被配置以使所述有机硅反应物流沿与所述流动路径横交的方向被引入。
具体而言，本发明的一些方面可以阐述如下：
1.一种装置，其包括：
处理室，其中所述处理室包括用于支撑衬底的底座，其中所述处理室的内部包括与所述底座相邻的化学气相沉积区以及在所述化学气相沉积区上方的弛豫区；
与所述处理室分开的等离子体室，其中所述等离子体室被配置为产生受激氢自由基；
与所述处理室和所述等离子体室流体地耦合的气体分配器，其中所述气体分配器包括多个通孔，所述多个通孔被配置为引导受激氢自由基流入所述处理室的所述弛豫区中，所述多个通孔被配置为导致基本上所有的所述受激氢自由基流入所述弛豫区并流过所述弛豫区，以转变成弛豫氢自由基；以及
位于所述弛豫区下方的一个或多个反应物开口，所述一个或多个反应物开口被构造成引导有机硅反应物流入所述处理室的所述化学气相沉积区。
2.根据条款1所述的装置，其中所述多个通孔的尺寸被设定成使得正被引导通过所述通孔的所述受激氢自由基的平均停留时间大于约1x 10-3秒。
3.根据条款1所述的装置，其中所述弛豫区被完全限定在所述一个或多个反应物开口和所述气体分配器之间的空间中。
4.根据条款3所述的装置，其中所述弛豫区的尺寸被设定为使得流过所述弛豫区的所述受激氢自由基的平均停留时间大于约1x 10-3秒。
5.根据条款1所述的装置，其还包括：
控制器，其被配置为具有用于执行以下操作的指令：
将氢气流引入所述等离子体室；
激发所述等离子体室内的所述氢气的至少一部分以解离所述氢气并形成所述受激氢自由基，其中基本上所有的所述受激氢自由基在被引导通过所述气体分配器和所述弛豫区时转变成弛豫氢自由基而不会再组合；以及
通过所述一个或多个反应物开口将所述有机硅反应物流引入所述化学气相沉积区，所述弛豫氢自由基中的至少一些与所述有机硅反应物中的一些反应以在所述衬底上沉积含硅碳膜。
6.根据条款5所述的装置，其中引入氢气流包括引入氢气和氦气的气体混合物，所述气体混合物包括介于约1％和约17％之间的氢气。
7.根据条款1所述的装置，其中所述一个或多个反应物开口被配置为优先地沿与所述受激氢自由基的流动路径平行的方向上引导所述有机硅反应物流。
8.根据条款1所述的装置，其中所述一个或多个反应物开口被配置为优先地沿与所述受激氢自由基的流动路径相交的方向上引导所述有机硅反应物流。
9.根据条款1所述的装置，其中所述气体分配器中的所述多个通孔被布置为成阵列的规则间隔开的气体舱口。
10.根据条款1所述的装置，其中所述气体分配器中的所述通孔具有在约3:1至10:1范围内的轴向长度与直径之比。
11.根据条款1所述的装置，其还包括：
位于所述等离子体室和所述处理室之间的离子过滤器和光子过滤器中的至少一者。
12.根据条款1所述的装置，其中所述一个或多个反应物开口被布置为相互间隔开的反应物开口，所述相互间隔开的反应物开口被配置为引导所述有机硅反应物流入所述化学气相沉积区中，而不与所述弛豫区中的受激氢自由基混合。
13.根据条款12所述的装置，其中所述一个或多个反应物开口被定位在至少距所述气体分配器约0.5至约5英寸之间的距离。
14.根据条款13所述的装置，其中所述一个或多个反应物开口被定位在至少距所述气体分配器约1.5至约4.5英寸之间的距离。
15.根据条款1所述的装置，其中在与所述气体分配器相邻的区域中的所述有机硅反应物质量分数为约0.1或更小。
16.根据条款1所述的装置，其中所述有机硅反应物选自硅氧烷、硅烷、烷基硅烷、烷氧基硅烷和氨基硅烷。
附图说明
图1是根据第一实施例的衬底处理模块的示意性横截面；
图2是根据第二实施例的衬底处理模块的一部分的示意性横截面；以及
图3是包括被配置在衬底运输模块周围的四个衬底处理模块的衬底处理平台的示意性平面图。
具体实施方式
含硅碳的薄膜(例如碳化硅(SiCx)、硅碳氮化物(SiNxCy)、硅碳氧化物(SiCxOy)以及硅碳氮氧化物(SiCxOyNz))在集成半导体制造处理中被频繁地用作阻挡材料。例如，含硅碳的薄膜可被用作金属扩散阻挡层、止蚀层、硬掩模层或对于源极和漏极注入物的栅极间隔结构，被用作磁阻随机存取存储器(MRAM)或阻性随机存取存储器(RRAM)的包裹阻挡结构，或被用作在多个气隙下的气密扩散阻挡结构。这些薄膜通过等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)从有机硅反应物或前体与共反应物之间的反应形成。反应物质的等离子体激活可降低沉积反应的激活温度并使其它不稳定反应路径可使用。然而，PECVD处理可能不加选择地割裂前体键，这有可能使得薄膜的电气性质和物理性质变得难以预测。
图1是衬底处理模块100的一个实施例的示意图。一般来说，衬底处理模块100包括自由基发生室102，它与衬底处理室104隔开但经由多舱口气体分配器106与之流体耦合。氢自由基在自由基发生室102内产生并被提供至衬底处理室104内的化学气相沉积区108。被同时提供至化学气相沉积区108的有机硅反应物与氢自由基反应以将含硅碳膜110的薄膜沉积到面向衬底处理室104内侧的衬底112(例如半导体设备衬底或晶片)表面上。
衬底112被支承在底座114上。底座114可在衬底处理室104内移动以将衬底112定位在化学气相沉积区108内。在图1所示的实施例中，底座114被图示为已通过衬底进入舱口116将衬底112从装载位置升高到了化学气相沉积物108内的沉积位置。底座114在一些实施例中也可调整衬底112的温度，由此潜在地对衬底112上的热激活表面反应提供一些选择性控制。
图1示出被布置在自由基发生室102的自由基发生室外壁120(例如石英圆顶)周围的线圈118。线圈118与等离子体发生器控制器122电耦合，这两者均被用来经由自由基发生室102内的感应耦合等离子体发生而形成和维持等离子体区124。在一个非限定例子中，等离子体发生器控制器122可在具有感应耦合等离子体的等离子体发生过程中提供在大约1千瓦和6千瓦(kW)之间范围内的功率。在一些实施例中，可使用平行板或电容耦合的等离子体发生的电极或天线以经由等离子体激发而产生连续供给的受激氢自由基。不管用来激励和维持自由基发生室102内的等离子体区124的机理如何，在薄膜沉积过程中使用等离子体激发连续地产生氢自由基。在一些实施例中，在稳态薄膜沉积过程中，氢自由基是在近似稳态条件下产生的，但在薄膜沉积的开始和结束时和/或当有机硅反应物被同时提供给衬底处理室104时的间隔的开始和结束时可能发生瞬变。
给定稳定的等离子体条件，在氢气被提供至自由基发生室102的同时，在等离子体区124内连续地产生氢自由基的供给。受激氢自由基一旦形成就具有大约1×10-3秒或更短的带能寿命。如果不被再激发，也不再供给能量，则受激氢自由基因为发出光或热或因为通过与表面的另一分子相互作用导致的猝灭而丧失其能量或弛豫。例如，受激的原子氢自由基(·H*)可弛豫以形成弛豫的原子氢自由基(·H)，也就是基态原子氢。
根据在等离子体区124内形成的等离子体的电子温度，受激氢自由基可能包括的受激的分子氢自由基(·H2 *)多于受激的原子氢自由基，因为相比使氢气分离以形成·H*所需要的，形成·H2 *需要较少的能量。相比于原子氢自由基，在断开有机硅反应物内的键时，受激的分子氢自由基可能是不加选择的，由此潜在地形成低密度薄膜。
相比而言，稀释的氢气混合物(例如用一种或多种附加气体稀释的氢气)更有可能形成受激的原子氢自由基。例如，受激的氦(He)自由基(·He*)或基态氦自由基(·He)可使氢气破裂以形成原子氢自由基。在一些实施例中，在自由基产生过程中可连同氢气将一种或多种附加气体提供给自由基发生室102。附加气体的非限定例子包括氦、氖(Ne)、氩(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)和氮(N2)。
提供一种或多种附加气体可支持或稳固自由基发生室102内的稳态等离子体条件，或有助于瞬时等离子体点燃或熄灭过程(即在处理衬底112之前和之后激励或猝灭等离子体)。在一些实施例中，用氦稀释氢气(如下文中更详细描述的那样)可允许自由基发生室102内较高的总压力，但不会伴随等离子体的瓦解。换句话说，稀释氢在氦中的氢气混合物可允许较高的总气压，但不会增加对自由基发生室102的等离子体功率。在一些处理设置中，这可加速薄膜沉积而不会降低薄膜密度。
图1所示的实施例绘出了流体耦合至自由基发生室102的氢气源126和氦气源128，用以在处理过程中提供氢气和氦气。在一些实施例中，氢气或氦气或者它们的混合物可典型地在稳态流率下被连续地供给，比如在大约2和40标准升/分钟(slm)之间的流率范围内，或优选地在大约5和25slm之间的流率范围内，或更优选地在大约10和20slm之间的流率范围内。在一些实施例中，在自由基发生室102内的氢和氦的混合物可包括氢气与氦的比在大约1和99体积百分比(体积％)之间的稳态浓度。优选地，氢和氦的混合物可包括氢气与氦的比在大约1体积％和17体积％之间的稳态浓度，或更优选地氢气与氦的比在大约1体积％和10体积％之间的稳态浓度，或甚优选地氢气与氦的比在大约2体积％和5体积％之间的稳态浓度。尽管图1所示的实施例描绘了用于引入氢气和氦气的分立入口，然而在一些实施例中，可直接将氢气和一种或多种附加气体的混合物引入到自由基发生室102。也就是说，可将预混合的稀释氢混合物提供至自由基发生室102。
包括受激的氢和氦自由基和弛豫气体的气体沿气体流动路径130经由多舱口气体分配器106流出自由基发生室102进入衬底处理室104。多舱口气体分配器106内的气体在其中不经历连续的等离子体激发。在一些实施例中，多舱口气体分配器106可充当相反的极(例如地电极)以终止等离子体区124，由此它完全地包含在自由基发生室102内。
在一些实施例中，在将受激氢自由基引入自由基弛豫区之前，多舱口气体分配器106可包括离子过滤器或光子过滤器(例如用于过滤一个或多个光的波长，例如紫外(UV)光)或它们两者。过滤离子和光子可防止衬底损坏(例如经由离子轰击)、不希望有的分子再激发(例如经由UV激发)和/或衬底处理室104内的有机硅反应物不加选择的瓦解或分解。在图1中，多舱口气体分配器106被图示为配有过滤器132。
多舱口气体分配器106具有成组的相互间隔开的气体舱口134以使气体流扩散和分散到衬底处理室104内。在图1所示的实施例中，成组的被图示为透过阻挡板136的成阵列规则间隔开的通道或通孔，该阻挡板136将自由基发生室102与衬底处理室104隔开。气体舱口134可直通穿过多舱口气体分配器106(如图1所示)，或者可包括一个或多个弯折。在一些实施例中，多舱口分配器106可具有300个或更多个气体舱口134以顺畅地使离开自由基发生室102的气体分散和散布到衬底处理室104内。
在一些处理条件下，例如在自由基发生室压强低于大约1-1.5托的条件下，自由基猝灭的主模式可起因于自由基和壁表面之间的碰撞。典型地，远程等离子体发生器远离反应器皿，所述反应器皿经常具有经由纤细导管流体耦合至反应器皿的等离子体源，所述纤细导管可以是0.3米长或更长。结果，例如经由壁碰撞事件的自由基猝灭和再组合可急剧地降低活性物质浓度。相比而言，在一些实施例中，气体舱口134的尺寸可鉴于典型处理条件下的平均自由路径或气体流动停留时间而被配置，以有助于自由基的自由通过进入衬底处理室104内。在一些实施例中，多舱口气体分配器106内的气体舱口134的开口可占据多舱口气体分配器106的露出表面积的大约5-20％范围。也就是说，大约5-20％的多舱口气体分配器106可以是开放空间，气体可通过该开放空间从自由基发生室102流入衬底处理室104。在一些实施例中，气体舱口134可具有在大约3：1和10：1之间的轴向长度与直径的比，优选地在大约6：1和8：1之间。在该范围内的气体舱口高宽比可降低通过气体舱口134的所有氢自由基对壁的碰撞频率，同时提供足够的时间以使大多数受激态的氢自由基弛豫至基态氢自由基。在一些实施例中，气体舱口134可被设定尺寸以使流过多舱口气体分配器106的气体的停留时间长于受激氢自由基的典型带能弛豫时间。例如，可设计气体舱口134的尺寸以使通过多舱口气体分配器106的受激氢自由基的停留时间大于至少约1×10-3秒。
如果一些受激自由基在通过多舱口气体分配器106后存活并进入衬底处理室104，则活性物质的总浓度可能更大，此时受激自由基与衬底处理室104内的有机硅反应物之间的接触可能导致不希望有的处理。例如，受激自由基和有机硅反应物之间的气相反应可能造成有机硅反应物不加选择的分解，由此可能改变薄膜的组成或其它物理或电气特性(例如膜密度、膜片电阻、膜密封性以及膜耐蚀性及其它)。受激的自由基和有机硅反应物之间的其它气相相互作用可使衬底112遍布小斑点，由此可能导致在后继衬底处理事件下的布图缺陷。因此，离开气体舱口134的处理气体循着气体流动路径130进入自由基弛豫区138，该自由基弛豫区138完全包含在衬底处理室104之内并在化学气相沉积区108上游。流入自由基弛豫区138的几乎全部受激氢自由基转变为弛豫的氢自由基。换句话说，在可接受的容限内，进入自由基弛豫区138的几乎所有受激氢自由基变成解除受激的，或在离开自由基弛豫区138之前转变至弛豫或基态。本公开范围内的一种可接受的容限可包含由氢气在自由基弛豫区138内的至少1×10-3秒，并且优选地在1×10-3秒和1×10-1秒之间的停留时间导致的受激氢自由基的浓度。由于停留时间可能难以测量，因此氢气在自由基弛豫区138内的停留时间在实践中是通过任何商用计算性流体动力软件使用具有适当网眼尺寸的实际系统模型来确定的(例如有限元分析模拟器和求解器，比如由马萨诸塞州的伯灵顿的Comsol公司在COMSOL
Figure BDA0001286043510000101
商标的名义下出售的那些)。
在一些实施例中，可设定处理条件(例如压强和气体流率)和/或自由基弛豫区138的几何形状以使流过自由基弛豫区138的气体的停留时间可至少为1×10-3秒。在一些实施例中，可设定处理条件或自由基弛豫区138的几何形状以使流过自由基弛豫区138的氢气的停留时间小于起因于自由基弛豫区138内的自由基猝灭分子间碰撞的弛豫时间(例如通过平均自由路径和平均分子速度确定的时间)，由此基态氢自由基仍然存在于流出自由基弛豫区138的气体中，该自由基弛豫区138沿流动路径130处于化学气相沉积区108的上游。
与氢自由基至自由基弛豫区138的传递同步，来自有机硅反应物源140的有机硅反应物流被引入到化学气相沉积区108内。在一些实施例中，有机硅反应物可以在大约0.5和2.5标准立方厘米/分钟(sccm)之间的流率范围内提供。优选地，有机硅反应物可以大约1和10sccm之间的流率范围提供，更优选地以大约1和5sccm之间的流率范围提供。
有机硅反应物经由有机硅反应物分配器142被引入，该有机硅反应物分配器142位于沿流动路径130在自由基弛豫区138下游的有机硅反应物注入位置144。自由基弛豫区138完全地包含在被形成在多舱口气体分配器106和有机硅反应物分配器142之间的空间内。在图1所示的实施例中，有机硅反应物分配器142包括相互间隔开的反应物开口，这些反应物开口被定位以使有机硅反应物流沿与气体混合物通过衬底处理室104的流动平行的方向被引入至气体流路径130。
图2示出有机硅反应物分配器200的另一实施例。在图2中，具有与图1相同数字的附图标记(用撇号表示)表示相似的结构。例如，图2中的附图标记138’表示与图1中的自由基弛豫区138相似的自由基弛豫区。在图2的实施例中，相互间隔开的反应物开口202被设置在衬底处理室104’的壁上以使有机硅反应物流沿与气体混合物通过衬底处理室104’的流动横交的方向在自由基弛豫区138’的位置下游被引入至气体流动路径130’。
在图2所示的实施例中，化学气相沉积区108’被形成在衬底处理室104’的内部，在多舱口气体分配器106’和衬底112之间，并通过自由基弛豫区138’与多舱口气体分配器106’隔开。进而，几乎所有的有机硅反应物流被防止与多舱口气体分配器106’附近的受激气体混合，在多舱口气体分配器106’附近受激氢自由基的浓度可能比衬底处理室104’内的别处高。
在一些实施例中，有机硅反应物注入位置144、144’可位于流动路径130、130’上弛豫的氢自由基与有机硅反应物混杂或混合的区域或位置附近。在图1和图2中，混合位置“M”标示弛豫氢自由基与有机硅反应物混合的区域。通过稀释或反应或者这两者，期望在混合位置的有机硅反应物的浓度将超过在流动路径130上的混合位置的上游位置的有机硅反应物浓度。也期望弛豫氢自由基的浓度将超过在流动路径130上的混合位置上游位置处的有机硅反应物的浓度。因此，混合位置代表自由基弛豫区138(和其中发生的带能弛豫)与化学气相沉积区108(和其中发生的反应处理)之间的概念边界。当然，边界的形状和厚度可根据局部流体流动轮廓(例如活塞流、抛物线流动或两者之间的轮廓)以及局部流体分散轮廓的不同而变化。由于流动和分散概况可能难以测量，因此，在实践中可使用任何商业计算性流体动力软件利用实际系统模型对其中的一者或两者作出模拟。
在一些实施例中，有机硅反应物注入位置144可与多舱口气体分配器106隔开足够的距离以防止有机硅反应物沿流动路径130的反向扩散或反向流动。在一些实施例中，有机硅反应物注入位置144可沿流动路径130的方向与多舱口气体分配器106内的气体舱口134隔开在大约0.5和5英寸之间的距离，优选地在大约1.5和4.5英寸之间的距离，更优选地在1.5和3英寸之间的距离。在一些实施例中，有机硅反应物注入位置144可相对于多舱口气体分配器106定位以使出现在靠近气体舱口134位置处的有机硅反应物的质量分数大约为0.1或更小。由于有机硅质量分数的局部测量可能是困难的，因此使用具有适当网眼尺寸的实际系统的模型的任何商用计算性流体动力软件可被用来确定在气体舱口134的离开口处的有机硅反应物的质量分数或浓度。优选地，有机硅反应物注入位置144可与多舱口气体分配器106隔开以使有机硅反应物的质量分数在气体舱口134的离开口处为大约0.02或更小，或更优选地使有机硅反应物的质量分数在气体舱口134的离开口处为大约0.015或更小。
从自由基弛豫区138流入化学气相沉积区108的弛豫氢自由基的至少一些在其中与同时流动的有机硅反应物中的一些反应，由此是的含硅碳的薄膜110沉积在衬底112上。由此，化学气相沉积区108代表衬底处理室104的一部分，在该部分处，弛豫的氢自由基和有机硅反应物在含硅碳膜110的CVD成形期间在气相下混合和反应。在一些实施例中，可(例如通过加热化学气相沉积区108或底座114)将热量提供给衬底处理室104以调整在衬底112表面处的薄膜沉积速率。在一些实施例中，衬底112的体积温度可被维持在大约200摄氏度和大约400摄氏度之间的温度下。在一些实施例中，体积温度可被维持在低于约250摄氏度的温度下。
自然地，含硅碳膜110的组成可根据有机硅反应物的性质而改变。在一些实施例中，有机硅反应物可包括至少一个Si-H键或至少一个Si-Si键，其任何一个对于与弛豫氢自由基的键断裂反应可能都是敏感的。
选择和供给有机反应物以在含硅碳膜110内提供所希望的组合物性质，并且在一些情形下，提供物理或电子性质。有机硅反应物的例子包括硅氧烷、硅烷、烷基硅烷、烷氧基硅烷、氨基硅烷及其它。例如，含硅碳膜(例如碳化硅、硅碳氧化物和硅碳氮氧化物)可使用硅烷来形成。硅烷的非限定例子包括甲硅烷、乙硅烷、丙硅烷和更高的硅烷。烷基硅烷的非限定例包括二甲甲硅烷、三甲基硅烷、四甲基硅烷、三乙基硅烷以及五甲基二硅杂甲烷(pentamethyldisilamethane)。
同样包括氧原子的含硅碳膜(例如硅碳氧化物和硅碳氮氧化物)可使用包括氧的有机硅反应物(例如硅氧烷和烷氧基硅烷)来形成。硅氧烷的非限定例子包括环四硅氧烷(例如2,4,6,8-四甲基环四硅氧烷、八甲环四硅氧烷以及七甲基环四硅氧烷)、其它环硅氧烷、具有三维或笼状结构(即其中硅原子经由氧原子彼此桥接，由此形成三维结构或多面体)的硅氧烷(例如倍半硅氧烷)、以及例如二硅氧烷之类的线形硅氧烷(比如五甲基二硅氧烷、四甲基二硅氧烷以及六甲基三硅氧烷)。硅氧烷的结构配置(例如线形、环状或笼状)可能影响薄膜孔隙性质。例如，环形硅氧烷可形成具有根据环形环尺寸设计尺寸的孔隙的微孔薄膜，而笼状硅氧烷可形成网眼孔薄膜。烷氧基硅烷的非限定例包括甲氧基硅烷、二甲氧基硅烷、三甲氧基硅烷、甲基二甲氧基硅烷、二乙氧基甲基硅烷、二甲基乙氧基硅烷以及二甲基甲氧基硅烷。
同样包括氮原子的含硅碳膜(例如硅碳氮化物和硅碳氮氧化物)可使用包括氮的有机硅反应物(例如氨基硅烷和硅氮烷)来形成。氨基硅烷的非限定例子包括2,2-二(二甲氨基)-4,4-二甲基-2,4-二硅杂戊烷、2,2,4-三甲基-4-二甲氨基-3,4-二硅杂戊烷、二甲氨基二甲硅烷、二(二甲氨基)甲基甲硅烷以及三(二甲氨基)硅烷。1,1,3,3-四甲基二硅氮烷是硅氮烷的非限定例子。
自然地，可根据含硅碳膜110中所期望的组成来选择一种或多种有机硅反应物。例如，硅碳氧化物可通过提供硅烷和硅氧烷的混合物来形成。在一些实施例中，有机硅反应物可为含硅碳膜110提供所有杂原子。例如，二甲基氨基甲基乙氧基硅烷可为硅碳氮氧化物薄膜沉积过程提供氧原子和氮原子。
可经由气体出口148从衬底处理室104中去除处理气体，该气体出口148被配置成流体地耦合至泵(未示出)。由此，过多的有机硅反应物、氢气以及任何其它稀释和置换或清洗气体可通过经由气体出口148排空或置换清洗或两者从衬底处理室104被去除。在一些实施例中，气体出口148可流体地与压强控制设备(例如压强控制阀)耦合，该压强控制设备被配置成对离开衬底处理模块100的气流进行调节并由此调整其中的压强。
图1所示的实施例也绘出与衬底处理模块100操作通信(例如电通信或气动通信)的衬底模块控制器150。衬底模块控制器150控制衬底处理模块100的沉积和维护操作。
在图1所示的实施例中，衬底模块控制器150包括处理子系统152(例如微处理器)，其被配置成执行保持在数据子系统154(例如存储器)中的指令。例如，可通过处理子系统152执行被存储在数据子系统154中的衬底处理配方以在膜沉积过程中控制衬底处理模块100的操作。例如，图1所示的衬底模块控制器150的实施例与等离子体发生器控制器122通信以在等离子体点燃、工作和猝灭事件期间控制等离子体区124。衬底模块控制器150也与底座114通信以提供底座高度控制和底座温度控制。在一些实施例中，衬底模块控制器150也可控制自由基发生室102和/或衬底处理室104内的控制压强。在一些实施例中，衬底模块控制器150可操作气体流率控制器，从而调整进入衬底处理模块100中的氢气源126、氦气源128以及有机硅反应物源140的流。
为了便于阐述，衬底处理模块100被图示和描述为自立的。在一些实施例中，两个或更多个衬底处理模块100可被耦合在一起以提供对衬底的顺序或并行处理。图3示意地示出一示例性衬底处理平台300，衬底处理平台300具有通过衬底转移站302耦合在一起的若干衬底处理模块100。衬底转移站302包括衬底搬运器304，衬底搬运器304将衬底移入和移出各处理模块，使衬底在处理模块之间移动，以及经由装载舱口306将衬底移入和移出衬底处理平台300。
本领域内技术人员将清楚知道，可对前述实施例的细节作出许多改变而不脱离本发明的基本原理。本发明的范围因此应当仅由下列权利要求书来确定。

Claims (17)

1.一种装置，其包括：
处理室，其中所述处理室包括用于支撑衬底的底座，其中所述处理室的内部包括与所述底座相邻的化学气相沉积区以及在所述化学气相沉积区上方的弛豫区；
与所述处理室分开的等离子体室，所述等离子体室配置为接收气体混合物并从所述气体混合物产生受激自由基；
与所述处理室和所述等离子体室流体地耦合的气体分配器，其中所述气体分配器包括多个通孔；
位于所述弛豫区下方距离所述气体分配器0.5英寸到5.0英寸距离的一个或多个反应物开口；以及
控制器，其包括处理器和存储指令的存储器，所述控制器配置为用所述处理器执行如下操作：
将包括氢气的气体混合物引入所述等离子体室；
激发所述等离子体室内的所述氢气的至少一部分以解离所述氢气并形成所述受激氢自由基；以及
提供处理条件以引起所述受激氢自由基通过所述弛豫区转换成弛豫氢自由基。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述多个通孔的尺寸被设定成使得正被引导通过所述通孔的所述受激氢自由基的平均停留时间大于1 x 10-3秒。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述弛豫区被完全限定在所述一个或多个反应物开口和所述气体分配器之间的空间中。
4.根据权利要求3所述的装置，其中所述弛豫区的尺寸被设定为使得流过所述弛豫区的所述受激氢自由基的平均停留时间大于1 x 10-3秒。
5.根据权利要求1所述的装置，其中所述控制器进一步配置为执行以下操作：
通过所述一个或多个反应物开口将有机硅反应物流引入所述化学气相沉积区以与所述弛豫氢自由基中的至少一些反应以在所述衬底上沉积含硅碳膜。
6.根据权利要求5所述的装置，其中配置为将所述包括氢气的气体混合物引入所述等离子室的控制器配置为引入氢气和氦气，所述气体混合物包括介于1％体积百分比和17％体积百分比之间的氢气。
7.根据权利要求5所述的装置，其中所述一个或多个反应物开口被配置为优先地沿与所述受激氢自由基的流动路径平行的方向上引导所述有机硅反应物流。
8.根据权利要求5所述的装置，其中所述一个或多个反应物开口被配置为优先地沿与所述受激氢自由基的流动路径相交的方向上引导所述有机硅反应物流。
9.根据权利要求1所述的装置，其中所述气体分配器中的所述多个通孔被布置为成阵列的规则间隔开的气体舱口。
10.根据权利要求1所述的装置，其中所述气体分配器中的所述通孔具有在3:1至10:1范围内的轴向长度与直径之比。
11.根据权利要求1所述的装置，其还包括：
位于所述等离子体室和所述处理室之间的离子过滤器和光子过滤器中的至少一者。
12.根据权利要求5所述的装置，其中所述一个或多个反应物开口被布置为相互间隔开的反应物开口，所述相互间隔开的反应物开口被配置为引导所述有机硅反应物流入所述化学气相沉积区中，而不与所述弛豫区中的受激氢自由基混合。
13.根据权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个反应物开口被定位在至少距所述气体分配器1.5至4.5英寸之间的距离。
14.根据权利要求1所述的装置，其中所述多个通孔占据所述气体分配器的暴露表面积的5％至20％。
15.根据权利要求5所述的装置，其中配置为将有机硅反应物流引入所述化学气相沉积区的控制器配置为在与所述气体分配器相邻的区域中引入质量分数为0.1或更小的所述有机硅反应物。
16.根据权利要求5所述的装置，其中所述有机硅反应物选自硅烷。
17.根据权利要求5所述的装置，其中所述有机硅反应物选自硅氧烷、烷基硅烷、烷氧基硅烷和氨基硅烷。
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10832904B2 (en) 2012-06-12 2020-11-10 Lam Research Corporation Remote plasma based deposition of oxygen doped silicon carbide films
US9234276B2 (en) 2013-05-31 2016-01-12 Novellus Systems, Inc. Method to obtain SiC class of films of desired composition and film properties
US10325773B2 (en) 2012-06-12 2019-06-18 Novellus Systems, Inc. Conformal deposition of silicon carbide films
US10211310B2 (en) 2012-06-12 2019-02-19 Novellus Systems, Inc. Remote plasma based deposition of SiOC class of films
US9337068B2 (en) 2012-12-18 2016-05-10 Lam Research Corporation Oxygen-containing ceramic hard masks and associated wet-cleans
US10297442B2 (en) 2013-05-31 2019-05-21 Lam Research Corporation Remote plasma based deposition of graded or multi-layered silicon carbide film
US9997405B2 (en) 2014-09-30 2018-06-12 Lam Research Corporation Feature fill with nucleation inhibition
US10100407B2 (en) 2014-12-19 2018-10-16 Lam Research Corporation Hardware and process for film uniformity improvement
US20160314964A1 (en) 2015-04-21 2016-10-27 Lam Research Corporation Gap fill using carbon-based films
US10347488B2 (en) 2015-09-19 2019-07-09 Applied Materials, Inc. Titanium compound based hard mask films
FR3058162B1 (fr) * 2016-11-02 2021-01-01 Commissariat Energie Atomique Procede de depot de films minces de chalcogenure
KR102553253B1 (ko) * 2016-11-10 2023-07-06 삼성전자주식회사 펄스 플라즈마 분석 장치 및 그 분석 방법
US10002787B2 (en) 2016-11-23 2018-06-19 Lam Research Corporation Staircase encapsulation in 3D NAND fabrication
US9837270B1 (en) * 2016-12-16 2017-12-05 Lam Research Corporation Densification of silicon carbide film using remote plasma treatment
US10508351B2 (en) 2017-03-16 2019-12-17 Lam Research Corporation Layer-by-layer deposition using hydrogen
US10731250B2 (en) 2017-06-06 2020-08-04 Lam Research Corporation Depositing ruthenium layers in interconnect metallization
US11851756B2 (en) * 2017-09-14 2023-12-26 Versum Materials Us, Llc Methods for depositing silicon-containing films
CN112219260A (zh) 2018-06-11 2021-01-12 玛特森技术公司 用于处理工件的氢反应性核素的生成
US10840087B2 (en) * 2018-07-20 2020-11-17 Lam Research Corporation Remote plasma based deposition of boron nitride, boron carbide, and boron carbonitride films
CN117660941A (zh) * 2018-07-24 2024-03-08 朗姆研究公司 使用异质前体相互作用的硅碳化物膜的保形沉积
JP7487189B2 (ja) * 2018-10-19 2024-05-20 ラム リサーチ コーポレーション 間隙充填のためのドープまたは非ドープシリコン炭化物および遠隔水素プラズマ曝露
JP7278123B2 (ja) * 2019-03-22 2023-05-19 東京エレクトロン株式会社 処理方法
WO2022115275A1 (en) 2020-11-24 2022-06-02 Mattson Technology, Inc. Arc lamp with forming gas for thermal processing systems
US20240191354A1 (en) * 2022-12-09 2024-06-13 Applied Materials, Inc. Method of Selective Metal Deposition Using Separated Reactant Activation and Plasma Discharging Zone

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5518572A (en) * 1991-06-10 1996-05-21 Kawasaki Steel Corporation Plasma processing system and method
US5567243A (en) * 1994-06-03 1996-10-22 Sony Corporation Apparatus for producing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor
US6851384B2 (en) * 2000-06-29 2005-02-08 Nec Corporation Remote plasma apparatus for processing substrate with two types of gases
CN102892922A (zh) * 2010-03-17 2013-01-23 应用材料公司 用于远程等离子体源辅助的含硅膜沉积的方法和装置

Family Cites Families (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3811567A1 (de) * 1988-04-07 1989-10-19 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur herstellung von organopolysilanen
US5122431A (en) * 1988-09-14 1992-06-16 Fujitsu Limited Thin film formation apparatus
FR2713666B1 (fr) 1993-12-15 1996-01-12 Air Liquide Procédé et dispositif de dépôt à basse température d'un film contenant du silicium sur un substrat métallique.
JP3164019B2 (ja) * 1997-05-21 2001-05-08 日本電気株式会社 酸化シリコン膜およびその形成方法と成膜装置
WO1999004911A1 (en) 1997-07-28 1999-02-04 Massachusetts Institute Of Technology Pyrolytic chemical vapor deposition of silicone films
US7354873B2 (en) 1998-02-05 2008-04-08 Asm Japan K.K. Method for forming insulation film
US6881683B2 (en) 1998-02-05 2005-04-19 Asm Japan K.K. Insulation film on semiconductor substrate and method for forming same
US6432846B1 (en) 1999-02-02 2002-08-13 Asm Japan K.K. Silicone polymer insulation film on semiconductor substrate and method for forming the film
TW437017B (en) 1998-02-05 2001-05-28 Asm Japan Kk Silicone polymer insulation film on semiconductor substrate and method for formation thereof
US7582575B2 (en) 1998-02-05 2009-09-01 Asm Japan K.K. Method for forming insulation film
US6383955B1 (en) 1998-02-05 2002-05-07 Asm Japan K.K. Silicone polymer insulation film on semiconductor substrate and method for forming the film
JP4151862B2 (ja) * 1998-02-26 2008-09-17 キヤノンアネルバ株式会社 Ｃｖｄ装置
US6262445B1 (en) 1998-03-30 2001-07-17 Texas Instruments Incorporated SiC sidewall process
US6846391B1 (en) 1998-04-01 2005-01-25 Novellus Systems Process for depositing F-doped silica glass in high aspect ratio structures
US6395150B1 (en) 1998-04-01 2002-05-28 Novellus Systems, Inc. Very high aspect ratio gapfill using HDP
US6159871A (en) 1998-05-29 2000-12-12 Dow Corning Corporation Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant
US20030089992A1 (en) 1998-10-01 2003-05-15 Sudha Rathi Silicon carbide deposition for use as a barrier layer and an etch stop
US6287643B1 (en) 1999-09-30 2001-09-11 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for injecting and modifying gas concentration of a meta-stable or atomic species in a downstream plasma reactor
US6875687B1 (en) 1999-10-18 2005-04-05 Applied Materials, Inc. Capping layer for extreme low dielectric constant films
US6764958B1 (en) 2000-07-28 2004-07-20 Applied Materials Inc. Method of depositing dielectric films
US6949450B2 (en) 2000-12-06 2005-09-27 Novellus Systems, Inc. Method for integrated in-situ cleaning and subsequent atomic layer deposition within a single processing chamber
US6936533B2 (en) 2000-12-08 2005-08-30 Samsung Electronics, Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor devices having low dielectric interlayer insulation layer
KR100705189B1 (ko) * 2000-12-30 2007-04-06 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 박막 형성 방법
WO2003019645A1 (fr) * 2001-08-30 2003-03-06 Tokyo Electron Limited Procede et appareil de formation d'un film
EP1436742A1 (en) 2001-09-18 2004-07-14 Pro-Corp Holdings International Limited Image recognition inventory management system
US6890850B2 (en) 2001-12-14 2005-05-10 Applied Materials, Inc. Method of depositing dielectric materials in damascene applications
US20030194496A1 (en) 2002-04-11 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Methods for depositing dielectric material
US6935553B2 (en) 2002-04-16 2005-08-30 Senju Metal Industry Co., Ltd. Reflow soldering method
US7749563B2 (en) 2002-10-07 2010-07-06 Applied Materials, Inc. Two-layer film for next generation damascene barrier application with good oxidation resistance
JP4066332B2 (ja) 2002-10-10 2008-03-26 日本エー・エス・エム株式会社 シリコンカーバイド膜の製造方法
US6991959B2 (en) 2002-10-10 2006-01-31 Asm Japan K.K. Method of manufacturing silicon carbide film
JP4109531B2 (ja) 2002-10-25 2008-07-02 松下電器産業株式会社 半導体装置及びその製造方法
DE10250889B4 (de) 2002-10-31 2006-12-07 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verbesserte SiC-Barrierenschicht für eine Kupfermetallisierungsschicht mit einem Dielektrikum mit kleinem ε und Verfahren zur Herstellung derselben
US7972663B2 (en) * 2002-12-20 2011-07-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming a high quality low temperature silicon nitride layer
US7365029B2 (en) * 2002-12-20 2008-04-29 Applied Materials, Inc. Method for silicon nitride chemical vapor deposition
US6790788B2 (en) 2003-01-13 2004-09-14 Applied Materials Inc. Method of improving stability in low k barrier layers
KR20050002525A (ko) * 2003-06-30 2005-01-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 확산방지막 제조방법
US7163896B1 (en) 2003-12-10 2007-01-16 Novellus Systems, Inc. Biased H2 etch process in deposition-etch-deposition gap fill
US20050230350A1 (en) * 2004-02-26 2005-10-20 Applied Materials, Inc. In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication
US7622400B1 (en) 2004-05-18 2009-11-24 Novellus Systems, Inc. Method for improving mechanical properties of low dielectric constant materials
JP2006013190A (ja) * 2004-06-28 2006-01-12 Rohm Co Ltd 半導体装置の製造方法
US7132374B2 (en) 2004-08-17 2006-11-07 Cecilia Y. Mak Method for depositing porous films
EP1799883A2 (en) 2004-08-18 2007-06-27 Dow Corning Corporation Coated substrates and methods for their preparation
GB0423685D0 (en) 2004-10-26 2004-11-24 Dow Corning Ireland Ltd Improved method for coating a substrate
WO2006057464A2 (ja) 2004-11-29 2006-06-01 Univ Tokyo Nat Univ Corp シリコンナノ線状体の製造方法およびシリコンナノ線状体
JP2007053133A (ja) 2005-08-15 2007-03-01 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
US8021992B2 (en) 2005-09-01 2011-09-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. High aspect ratio gap fill application using high density plasma chemical vapor deposition
CN101427361A (zh) 2006-02-28 2009-05-06 St微电子(克偌林斯2)股份有限公司 电介质材料中的金属互连
US7851384B2 (en) 2006-06-01 2010-12-14 Applied Materials, Inc. Method to mitigate impact of UV and E-beam exposure on semiconductor device film properties by use of a bilayer film
US20080064173A1 (en) 2006-09-08 2008-03-13 United Microelectronics Corp. Semiconductor device, cmos device and fabricating methods of the same
US8053372B1 (en) 2006-09-12 2011-11-08 Novellus Systems, Inc. Method of reducing plasma stabilization time in a cyclic deposition process
US20080193673A1 (en) * 2006-12-05 2008-08-14 Applied Materials, Inc. Method of processing a workpiece using a mid-chamber gas distribution plate, tuned plasma flow control grid and electrode
JP5140290B2 (ja) 2007-03-02 2013-02-06 富士フイルム株式会社 絶縁膜
US20090264277A1 (en) 2007-04-17 2009-10-22 Dr. Rishi Raj Picoscale catalysts for hydrogen catalysis
JP2009075285A (ja) 2007-09-20 2009-04-09 Fujifilm Corp 半導体デバイスの剥離液、及び、剥離方法
JP5006938B2 (ja) * 2007-11-02 2012-08-22 キヤノンアネルバ株式会社 表面処理装置およびその基板処理方法
US20090258487A1 (en) * 2008-04-14 2009-10-15 Keng-Chu Lin Method for Improving the Reliability of Low-k Dielectric Materials
CN102046841B (zh) 2008-05-07 2014-05-28 普林斯顿大学理事会 用于电子器件或其他物品上的涂层中的混合层
US8168268B2 (en) 2008-12-12 2012-05-01 Ovishinsky Innovation, LLC Thin film deposition via a spatially-coordinated and time-synchronized process
US20100081293A1 (en) 2008-10-01 2010-04-01 Applied Materials, Inc. Methods for forming silicon nitride based film or silicon carbon based film
US8980382B2 (en) * 2009-12-02 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Oxygen-doping for non-carbon radical-component CVD films
CN102576667A (zh) * 2009-07-22 2012-07-11 应用材料公司 中空阴极喷头
US8071451B2 (en) 2009-07-29 2011-12-06 Axcelis Technologies, Inc. Method of doping semiconductors
US7989365B2 (en) 2009-08-18 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Remote plasma source seasoning
US8247332B2 (en) 2009-12-04 2012-08-21 Novellus Systems, Inc. Hardmask materials
US8178443B2 (en) 2009-12-04 2012-05-15 Novellus Systems, Inc. Hardmask materials
KR101123829B1 (ko) * 2010-02-12 2012-03-20 국제엘렉트릭코리아 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US20120142172A1 (en) 2010-03-25 2012-06-07 Keith Fox Pecvd deposition of smooth polysilicon films
US8741394B2 (en) 2010-03-25 2014-06-03 Novellus Systems, Inc. In-situ deposition of film stacks
US9611544B2 (en) 2010-04-15 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US8524612B2 (en) 2010-09-23 2013-09-03 Novellus Systems, Inc. Plasma-activated deposition of conformal films
US8771807B2 (en) 2011-05-24 2014-07-08 Air Products And Chemicals, Inc. Organoaminosilane precursors and methods for making and using same
US20130217239A1 (en) * 2011-09-09 2013-08-22 Applied Materials, Inc. Flowable silicon-and-carbon-containing layers for semiconductor processing
JP2013074093A (ja) 2011-09-28 2013-04-22 Renesas Electronics Corp リフロー前処理装置およびリフロー前処理方法
US8551891B2 (en) 2011-10-04 2013-10-08 Applied Materials, Inc. Remote plasma burn-in
US20130242493A1 (en) 2012-03-13 2013-09-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Low cost interposer fabricated with additive processes
US20130298942A1 (en) * 2012-05-14 2013-11-14 Applied Materials, Inc. Etch remnant removal
US10325773B2 (en) 2012-06-12 2019-06-18 Novellus Systems, Inc. Conformal deposition of silicon carbide films
US9234276B2 (en) 2013-05-31 2016-01-12 Novellus Systems, Inc. Method to obtain SiC class of films of desired composition and film properties
US10211310B2 (en) 2012-06-12 2019-02-19 Novellus Systems, Inc. Remote plasma based deposition of SiOC class of films

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5518572A (en) * 1991-06-10 1996-05-21 Kawasaki Steel Corporation Plasma processing system and method
US5567243A (en) * 1994-06-03 1996-10-22 Sony Corporation Apparatus for producing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor
US6851384B2 (en) * 2000-06-29 2005-02-08 Nec Corporation Remote plasma apparatus for processing substrate with two types of gases
CN102892922A (zh) * 2010-03-17 2013-01-23 应用材料公司 用于远程等离子体源辅助的含硅膜沉积的方法和装置

Also Published As

Publication number Publication date
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