CN107358989A - 一种纳米银导电膜及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种纳米银导电膜及其制备方法，包括：阻隔层，所述阻隔层包括相对的第一面和第二面；所述第一面和所述第二面上分别设置有纳米银导电层。通过增加阻隔层，有效阻隔了纳米银导电膜在进行激光刻蚀时的激光穿透阻隔层，避免对阻隔层另一面的纳米银导电层造成损伤。

Description

一种纳米银导电膜及其制备方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种纳米银导电膜及其制备方法。

背景技术

目前，电容式触摸屏主要有双面硬化膜、光学调整层和铟锡氧化物(ITO)导电膜，ITO导电膜中的铟属于稀有金属，在地球中的储藏量非常稀有，一旦此类稀有金属使用完毕，将会给人类社会的发展造成严重的问题。

目前，可采用单面纳米银导电膜代替ITO导电膜。在制备单面纳米银导电膜时，将纳米银线和硬化涂料层同时设置在基材的一面，如果需要制备双面纳米银导电膜，则需要通过光学胶层将单面纳米银导电膜黏连在一起，如果直接在基材两面分别设置纳米银线和硬化涂料层，在后期对导电膜进行激光刻蚀时，激光会穿透基材进而伤害到设置在基材另一面的纳米银线和硬化涂料层。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种纳米银导电膜及其制备方法，用于解决现有技术中制作工艺复杂、生成效率低下的技术问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种纳米银导电膜，包括：阻隔层，所述阻隔层包括相对的第一面和第二面；

所述第一面和所述第二面上分别设置有纳米银导电层。

可选地，所述阻隔层包括具有紫外阻隔剂的基板。

可选地，所述阻隔层包括：基板和设置在所述基板的至少一个面上的硬化层，所述硬化层中包括有紫外阻隔剂。

可选地，所述紫外阻隔剂的重量含量为0.1％-40％。

可选地，所述紫外阻隔剂至少包括二苯甲酮类紫外线吸收剂、苯并三氮唑类紫外线吸收剂、苯丙三氮唑类紫外线吸收剂和邻羟基苯甲酸苯酯中的一种或几种。

第二方面，本发明实施例提供一种纳米银导电膜的制备方法，包括：

提供一阻隔层，所述阻隔层具有相对的第一面和第二面；

在所述阻隔层的所述第一面和所述第二面分别形成纳米银导电层。

可选地，所述阻隔层包括具有紫外阻隔剂的基板。

可选地，所述阻隔层包括：基板和在所述基板的至少一个面形成的硬化层，所述硬化层中包括有紫外阻隔剂。

可选地，所述硬化层中包括有防黏连剂。

可选地，所述紫外阻隔剂的重量含量为0.1％-40％，所述紫外阻隔剂至少包括二苯甲酮类紫外线吸收剂、苯并三氮唑类紫外线吸收剂、苯丙三氮唑类紫外线吸收剂和邻羟基苯甲酸苯酯中的一种或几种。

本发明实施例提供了一种纳米银导电膜及其制备方法，包括：阻隔层，所述阻隔层包括相对的第一面和第二面；所述第一面和所述第二面上分别设置有纳米银导电层。本发明实施例提供的纳米银导电膜的制备方法，与现有技术制备纳米银导电膜的制备方法相比，通过增加阻隔层，有效阻隔了纳米银导电膜在进行激光刻蚀时的激光穿透阻隔层，避免对阻隔层另一面的纳米银导电层造成损伤，同时，在制备工艺中减少了光学粘合胶层(OCA胶层)，减少生产工艺流程，降低纳米银导电膜的厚度，也降低生产成本，提高生产效率，制备良好曲饶性的电容式触摸屏用的纳米银导电膜。

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1示出了本发明实施例所提供的一种纳米银导电膜的第一种结构示意图；

图2示出了本发明实施例所提供的一种纳米银导电膜的第二种结构示意图；

图3示出了本发明实施例所提供的一种纳米银导电膜的第三种结构示意图；

图4示出了本发明实施例所提供的一种纳米银导电膜的制备方法的第一种流程示意图；

图5示出了本发明实施例所提供的一种纳米银导电膜的制备方法的第二种流程示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供了一种纳米银导电膜的结构示意图，该纳米银导电膜包括：阻隔层，阻隔层包括相对的第一面和第二面；

第一面和第二面上分别设置有纳米银导电层。

其中，阻隔层可以包括具有紫外阻隔剂的基板，也可以包括：基板和设置在所述基板的至少一个面上的硬化层，所述硬化层中包括有紫外阻隔剂。其中，当阻隔层为具有紫外阻隔剂的基板时，该基板即为阻隔层。

紫外阻隔剂用于在进行激光刻蚀时，防止激光穿透基板，防止对基板另一面的纳米银导电层造成损伤，如，在进行激光刻蚀时，激光的波长为355nm时，具有激光阻隔剂的阻隔层可以阻隔该激光穿透基板。

以阻隔层包括具有紫外阻隔剂的基板为例说明，如图1所示，该纳米银导电膜包括：阻隔层，阻隔层包括具有紫外阻隔剂的基板11，基板11包括相对的第一面112和第二面114；

基板11的第一面112和第二面114均设置有纳米银导电层12，纳米银导电层12远离基板的一面设置有防护(OC)层13。

以阻隔层包括基板和设置在所述基板的至少一个面上的硬化层为例进行说明，参考图2，该纳米银导电膜包括：阻隔层，阻隔层包括基板21，基板21包括相对的第一面212和第二面214；

第一面212和第二面214上分别设置有硬化层22，至少一个硬化层22中包括有紫外阻隔剂；

硬化层22远离基板的一面设置有纳米银导电层23，纳米银导电层23远离硬化层的一面设置有防护(OC)层24。

上述硬化层可以为普通的不防粘连硬化层(HC)，也可以为防粘连硬化层(AB-HC)。

另外，在本发明的一个实施例中，参考图3，该纳米银导电膜包括：阻隔层，阻隔层包括基板31及设置在基板一面的硬化层32，硬化层32中含有紫外阻隔剂。

阻隔层的第一面和第二面上分别设置有纳米银导电层33；纳米银导电层33远离阻隔层的一面设置有防护(OC)层34。

上述硬化层可以为普通的不防粘连硬化层(HC)，也可以为防粘连硬化层(AB-HC)。

阻隔层中紫外阻隔剂的含量为0.1％-40％。

可选地，紫外阻隔剂至少包括二苯甲酮类紫外线吸收剂、苯并三氮唑类紫外线吸收剂、苯丙三氮唑类紫外线吸收剂、邻羟基苯甲酸苯酯、紫外线吸收剂UV-P、紫外线吸收剂UV-O、紫外线吸收剂UV-9、紫外线吸收剂UV-531、紫外线吸收剂UVP-327、紫外线吸收剂RMB、紫外线吸收剂UV-234、紫外线吸收剂UV-326、紫外线吸收剂UVP-328、紫外线吸收剂UV-366、紫外线吸收剂UV-1164、紫外线吸收剂UV-1577中的一种或几种等。

不添加紫外阻隔剂的基板可以为透明基板，例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、三醋酸纤维素(TAC)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、环烯烃聚合物(COP)、聚酰亚胺(PI)等光学基材。由于基板的厚度低于10μm会导致基板过薄，目前的生产工艺很难应对，而基板的厚度超过500μm则会引起基板收卷困难，基板厚度变厚会导致价格比较高，因此，该基板的厚度可以为大于10μm且小于500μm，优选地，基板的厚度为大于20μm且小于200μm，更优选地，基板的厚度可以为大于20μm且小于125μm。

在本发明提供的实施例中，纳米银导电层可以是纳米银油墨层，纳米银油墨层至少包括纳米银线、分散剂、有机溶剂和去离子水组成。其中，纳米银线的重量含量为0.01％-4％；分散剂的重量含量为0.1％-5％；有机溶剂的重量含量为30％-70％；去离子水的重量含量为21％-69.89％。

其中，纳米银线的直径可以为5nm-100nm；纳米银线长度可以为0.2μm-50μm；分散剂可以包括脂肪酸类分散剂、脂肪族酰胺类分散剂、酯类分散剂、低分子蜡类分散剂；有机溶剂包括甲醇、乙醇、异丙醇、异丁醇、叔丁醇、二甲基亚砜、四氢呋喃、N，N-二甲基乙酰胺中的一种或多种。

本发明实施例提供的一种纳米银导电膜，与现有技术中的纳米银导电膜相比，通过增加阻隔层，有效阻隔了纳米银导电膜在进行激光刻蚀时的激光穿透基板，避免对阻隔层另一面的纳米银导电层造成损伤，同时，在制备工艺中减少了光学粘合胶层(OCA胶层)，降低生产工艺流程，降低纳米银导电膜的厚度，也降低生产成本，提高生产效率，制备良好曲饶性的电容式触摸屏用的纳米银导电膜。

本发明实施例提供一种纳米银导电膜的制备方法，如图4所示，包括如下步骤：

S401，提供一阻隔层，所述阻隔层具有相对的第一面和第二面；

S402，在所述阻隔层的所述第一面和所述第二面分别形成纳米银导电层。

其中，阻隔层可以包括具有紫外阻隔剂的基板，也可以包括基板和在所述基板的至少一个面形成的硬化层，所述硬化层中包括有紫外阻隔剂,硬化层可以为普通的不防粘连硬化层(HC)，也可以为防粘连硬化层(AB-HC)。

在阻隔层包括基板和在所述基板的至少一个面形成的硬化层时，如图5所示，包括以下步骤：

S501，提供一基板，基板包括相对的第一面和第二面；

S502，在所述基板的所述第一面和所述第二面中的至少一个面上形成硬化层，其中，硬化层中包括有紫外阻隔剂；

S503，在所述硬化层远离基板的表面分别形成纳米银导电层；

S504，在所述纳米银导电层上形成防护(OC)层。

例如，提供一基板，所述基板包括相对的第一面和第二面；

仅在所述基板的所述第一面形成硬化层，硬化层中含紫外阻隔剂；

在第一面的硬化层上形成所述纳米银导电层；

在第二面上形成纳米银导电层；

在第一面和第二面的纳米银导电层上均形成防护(OC)层。

本发明实施例提供的另一种具体实施方式，包括如下步骤：

提供一基板，基板包括相对的第一面和第二面；

在基板的第一面和第二面形成硬化层，至少一硬化层中含紫外阻隔剂；

在所述第一面和所述第二面的硬化层上分别形成纳米银导电层；

在第一面和第二面的纳米银导电层上均形成防护(OC)层。

其中，硬化层为黏连式硬化层或防黏连式硬化层。

不过应当理解，在第一面、第二面形成硬化层的顺序不分先后，在第一面的硬化层形成纳米银导电层、在第二面的硬化层形成纳米银导电层的顺序也不分先后。

具体地，基板可以为透明基板，例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、三醋酸纤维素(TAC)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、环烯烃聚合物(COP)、聚酰亚胺(PI)等光学基材。由于基板的厚度低于10μm会导致基板过薄，目前的生产工艺很难应对，而基板的厚度超过500μm则会引起基板收卷困难，基板厚度变厚会导致价格比较高，因此，基板的厚度可以为大于10μm且小于500μm，优选地，基板的厚度为大于20μm且小于200μm，更优选地，基板的厚度可以为大于20μm且小于125μm。

硬化层可以通过涂布的方式刷在基板的面上；硬化层中包括紫外阻隔剂(UV-blocking添加剂)等。

其中，紫外阻隔剂的重量含量一般为0.1％-40％。紫外阻隔剂至少包括二苯甲酮类紫外线吸收剂、苯并三氮唑类紫外线吸收剂、苯丙三氮唑类紫外线吸收剂、邻羟基苯甲酸苯酯、紫外线吸收剂UV-P、紫外线吸收剂UV-O、紫外线吸收剂UV-9、紫外线吸收剂UV-531、紫外线吸收剂UVP-327、紫外线吸收剂RMB、紫外线吸收剂UV-234、紫外线吸收剂UV-326、紫外线吸收剂UVP-328、紫外线吸收剂UV-366、紫外线吸收剂UV-1164、紫外线吸收剂UV-1577中的一种或几种。本发明对此不予限制。

硬化层的厚度可以为大于1μm且小于10μm，优选地，可以为大于3μm且小于8μm。

硬化层可以为黏连式硬化层(hard coating层，HC层)或防黏连式硬化层(hardcoating-antiblocking，HC-AB层)，硬化层中含紫外阻隔剂。通过该硬化层使得纳米银导电膜在进行激光刻蚀时，防止激光穿透基板，防止对基板另一面的纳米银油墨层造损伤，如，阻隔波长为355nm的激光穿透基板。

另外，也可以通过在基板中通过注入等方式添加紫外阻隔剂，也可以将紫外阻隔剂添加到硬化层中，实现在进行激光刻蚀时，防止激光穿透基板，防止对基板另一面的纳米银油墨层造损伤，如，阻隔波长为355nm的激光穿透基板。

可选地，形成所述纳米银导电层的工艺，包括：

通过精密涂布的方式形成纳米银油墨层；

通过固化工艺对所述纳米银油墨层进行固化处理形成所述纳米银导电层。

可选地，精密涂布的方式包括微型凹版涂布、逗号辊涂布、夹缝式挤压型涂布等。不过应当理解，所有可以实现对纳米银油墨进行涂布的方式都在本发明的保护范围内，本发明对此不予限制。

固化工艺包括硬化液热干燥工艺、紫外固化工艺和热固化工艺等。

以仅在基板的第一面形成硬化层为例进行说明，在第一面的硬化层上涂布纳米银油墨层，经热烘箱进行干燥处理；在第一面的纳米银油墨上涂布OC硬化液，进行热烘箱干燥处理后，再进行紫外固化处理，在第一表面形成纳米银导电层以及在纳米银导电层上形成防护层；随后，在第二面涂布纳米银油墨层，经热烘箱干燥，然后，在第二面的纳米银油墨层上涂布OC硬化液，进行热烘箱干燥处理，或者进行紫外固化处理，在第二面形成纳米银导电层以及在纳米银导电层上形成防护层。

此处应当注意，上述精密涂布的方式、固化工艺与上文描述的精密涂布的方式和固化工艺相同，上文已进行详细的介绍，此处不再进行过多说明。

以在基板的所述第一面和第二面形成硬化层为例进行说明，在第一面的硬化层上涂布纳米银油墨层，经热烘箱进行干燥处理；在第一面的纳米银油墨层上涂布OC硬化液，进行热烘箱干燥处理，或者直接进行紫外固化处理，在第一面形成纳米银导电层以及在纳米银导电层上形成防护层；随后，在第二面的硬化层上涂布纳米银油墨层，经热烘箱进行干燥处理，然后，在第二面的纳米银油墨层上涂布OC硬化液，进行热烘箱干燥处理，或者进行紫外固化处理，在第二面形成纳米银导电层以及在纳米银导电层上形成防护层。

本发明中提供的纳米银油墨层、OC硬化液的成分及组成均可参考下文：

纳米银油墨层至少包括纳米银线、分散剂、有机溶剂和去离子水。其中，纳米银线的重量含量为0.01％-4％；分散剂的重量含量为0.1％-5％；有机溶剂的重量含量为30％-70％；去离子水的重量含量为21％-69.89％。

其中，纳米银线的直径可以为5nm-100nm；纳米银线长度可以为0.2μm-50μm；分散剂可以包括脂肪酸类分散剂、脂肪族酰胺类分散剂、酯类分散剂、低分子蜡类分散剂等；有机溶剂包括甲醇、乙醇、异丙醇、异丁醇、叔丁醇、二甲基亚砜、四氢呋喃、N，N-二甲基乙酰胺中的一种或多种。

OC硬化液可以包括可聚合的树脂、引发剂、溶剂等。可聚合树脂的重量含量可以为：0.5％-30％；光引发剂的重量含量可以为0.005％-5％；有机溶剂的重量含量可以为65％-99.495％。

其中，可聚合树脂优选地为丙烯酸树脂；光引发剂可以为1-羟环己基苯甲酮、2,2-二甲氧基-2-2苯基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、4-氯二苯甲酮、4,4-二甲氧基二苯乙酮、2,4,6-三甲基苯甲酰二苯基氧化磷、双-(2,6-二甲氧基苯甲酰)-2,4,4-三甲基戊基氧化磷中的一种或两种以上的混合物；溶剂可以为醇、酮、醚、酯、烷烃、酰胺中的一种或两种以上的混合物。

本发明实施例所提供的装置，其实现原理及产生的技术效果和前述方法实施例相同，为简要描述，装置实施例部分未提及之处，可参考前述方法实施例中相应内容。所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，前述描述的系统、装置和单元的具体工作过程，均可以参考上述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

在本发明所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本发明提供的实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。

所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释，此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

最后应说明的是：以上所述实施例，仅为本发明的具体实施方式，用以说明本发明的技术方案，而非对其限制，本发明的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的精神和范围。都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种纳米银导电膜，其特征在于，包括：阻隔层，所述阻隔层包括相对的第一面和第二面；

所述第一面和所述第二面上分别设置有纳米银导电层。

2.如权利要求1所述的纳米银导电膜，其特征在于，所述阻隔层包括具有紫外阻隔剂的基板。

3.如权利要求1所述的纳米银导电膜，其特征在于，所述阻隔层包括：基板和设置在所述基板的至少一个面上的硬化层，所述硬化层中包括有紫外阻隔剂。

4.如权利要求2或3所述的纳米银导电膜，其特征在于，所述紫外阻隔剂的重量含量为0.1％-40％。

5.如权利要求4所述的纳米银导电膜，其特征在于，所述紫外阻隔剂至少包括二苯甲酮类紫外线吸收剂、苯并三氮唑类紫外线吸收剂、苯丙三氮唑类紫外线吸收剂和邻羟基苯甲酸苯酯中的一种或几种。

6.一种纳米银导电膜的制备方法，其特征在于，包括：

提供一阻隔层，所述阻隔层具有相对的第一面和第二面；

在所述阻隔层的所述第一面和所述第二面分别形成纳米银导电层。

7.如权利要求6所述的纳米银导电膜的制备方法，其特征在于，所述阻隔层包括具有紫外阻隔剂的基板。

8.如权利要求6所述的纳米银导电膜的制备方法，其特征在于，所述阻隔层包括：基板和在所述基板的至少一个面形成的硬化层，所述硬化层中包括有紫外阻隔剂。

9.如权利要求8所述的纳米银导电膜的制备方法，其特征在于，所述硬化层中包括有防黏连剂。

10.如权利要求7或8所述的纳米银导电膜的制备方法，其特征在于，所述紫外阻隔剂的重量含量为0.1％-40％，所述紫外阻隔剂至少包括二苯甲酮类紫外线吸收剂、苯并三氮唑类紫外线吸收剂、苯丙三氮唑类紫外线吸收剂和邻羟基苯甲酸苯酯中的一种或几种。