CN107357134A - 组成物及形成一材料层的方法 - Google Patents

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Abstract

一种组成物及形成一材料层的方法。组成物包含：约2至约25重量分的高分子；约5至约20重量分的交联剂；约0.1至约10重量分的触媒，触媒在一温度下触发交联剂与高分子发生交联反应；以及约3至约30重量分的一第一溶剂，且第一溶剂的一沸点大于触媒触发交联反应的温度。此组成物所形成的层别能够有效地改善“厚度负载”的问题。

Description

组成物及形成一材料层的方法
技术领域
本发明是有关于一种组成物，且特别是有关于一种应用于半导体制程的组成物。
背景技术
半导体工业通过持续降低半导体元件的最小特征尺寸，让更多的半导体元件集成到一个特定的区域中，而持续提高各种电子元件(例如，晶体管、二极管、电阻、电容等)的集成密度。在大部分情况下，集成芯片内元件尺寸的极限，是由微影制程所决定。此外，随着半导体结构更驱复杂，半导体的微影制程也面临挑战。例如，当元件的特征尺寸更小时，某些元件的尺寸可能会其上方的材料层造成不利的影响。
发明内容
本发明的一方面是提供一种组成物，此组成物所形成的材料层能够有效地降低“厚度负载(thickness loading)”的问题。
在某些实施方式中，组成物(A)包含：约2至约25重量分的一高分子；约5至约20重量分的一交联剂；约0.1至约10重量分的一触媒，触媒在一温度下触发交联剂与高分子发生交联反应；以及约3至约30重量分的一第一溶剂，且第一溶剂的一沸点大于触媒触发交联反应的温度。
在某些实施例中，组成物(A)还包含：约50至约90重量分的一第二溶剂，其中第二溶剂的一沸点小于第一溶剂的沸点。
在某些实施例中，组成物(A)的第一溶剂的沸点为约45℃至约300℃，且触媒触发交联剂与高分子发生交联反应的温度为约30℃至约200℃。
在某些实施例中，组成物(A)还包含：约1至约40重量分的光酸产生剂。
在另外某些实施方式中，提供一种组成物(B)，其包含：约1至约40重量分的一高分子；约3至约30重量分的一第一溶剂，第一溶剂具有可与高分子发生交联反应的一官能机，其中在一电磁波作用下，第一溶剂与高分子发生交联反应；以及约50至约90重量分的一第二溶剂，其中第二溶剂不同于第一溶剂。
本发明的另一方面是提供一种形成材料层的方法。在某些实施方式中，此方法包含：(i)接收一半导体基材，半导体基材包含多个特征结构；(ii)将上述的组成物(A)涂布在半导体基材上，以形成一第一材料层覆盖所述特征结构；以及(iii)提供一能量给第一材料层，使第一材料层中的触媒触发交联剂与高分子发生交联反应，而转变成一第二材料层。
在某些实施例中，在提供能量给第一材料层之前，还包含移除第一材料层中第一溶剂的一部分以及第二溶剂的一部分。
在某些实施例中，提供能量给第一材料层包含加热第一材料层至一第一温度，第一温度低于第一溶剂的沸点，但高于触媒触发交联剂与高分子发生交联反应的温度。
在另外某些实施方式中，一种形成材料层的方法，包含：(i)接收一半导体基材，半导体基材包含多个特征结构：(ii)将组成物(B)涂布在半导体基材上，以形成一第一材料层覆盖所述特征结构；以及(iii)提供一电磁波给第一材料层，让第一溶剂与高分子发生交联反应，而转变成一第二材料层。
在某些实施例中，在涂布材料层之后，提供电磁波给第一材料层之前，还包含：移除第一材料层中一部分的第二溶剂。
附图说明
图1绘示本发明一比较例的剖面示意图。
图2-5绘示绘示本发明各种实施方式的形成材料层的方法的剖面示意图。
具体实施方式
为了使本发明的叙述更加详尽与完备，下文针对了本发明的实施方式与具体实施例提出了说明性的描述；但这并非实施或运用本发明具体实施例的唯一形式。以下所揭露的各实施例，在有益的情形下可相互组合或取代，也可在一实施例中附加其他的实施例，而无须进一步的记载或说明。
在以下描述中，将详细叙述许多特定细节以使读者能够充分理解以下的实施例。然而，可在无此等特定细节的情况下实践本发明的实施例。在其他情况下，为简化附图，熟知的结构与装置仅示意性地绘示于图中。
在本文中使用空间相对用语，例如“下方”、“之下”、“上方”、“之上”等，这是为了便于叙述一元件或特征与另一元件或特征之间的相对关系，如图中所绘示。这些空间上的相对用语的真实意义包含其他的方位。例如，当图示上下翻转180度时，一元件与另一元件之间的关系，可能从“下方”、“之下”变成“上方”、“之上”。此外，本文中所使用的空间上的相对叙述也应作同样的解释。
半导体基材上具有各种特征结构，例如闸极、连接垫、凹槽等。由于这些特征结构具有不同的尺寸，当诸如光阻层或光阻下层膜等材料层覆盖在这些特征结构时，所形成的材料层在不同的特征结构上会具有不同的厚度。图1绘示本发明一比较例的剖面示意图，基板10上具有第一特征结构11及第二特征结构12，第一特征结构11的高度实质上等于与第二特征结构12的高度，但是第一特征结构的宽度大于第二特征结构的宽度。当例如光阻下层膜(photoresistunderlayer film)或光阻层等材料层13覆盖第一及第二特征结构时，较大量的材料层13会聚集在宽度较大的第一特征结构11上方，因此第一特征结构11上方的膜厚会大于第二特征结构12上方的膜厚，这种材料层的厚度差异△H称为“厚度负载(thickness loading)”。若“厚度负载”大于某特定值，则会导致曝光/显影制程的制程边际(process margin)缩小或良率下降，因此有必要改善此一问题。“厚度负载率”R通常以数学式(1)定义:
R＝(△H/T)×100％ 数学式(1)；
其中T为没有这些特征结构处的材料层厚度。
本发明的各种实施方式是提供一种组成物(A)，此组成物(A)可作应用于光阻下层膜或光阻层。在此揭露的组成物(A)所形成的材料层能够有效地降低“厚度负载(thickness loading)”的问题。可利用各种涂布方式将此组成物(A)涂布在半导体基材上，然后经干燥、加热或电磁波照射后，而形成的一层材料层。所形成的材料层的厚度负载小于35％。涂布方式并无任何限制，已知的涂布方式均可应用于本发明各实施方式所述的组成物(A)，例如为旋转涂布法(spincoating)、模具涂布法(die coating)、或浸泡法(dip coating)等涂布方式。
根据本发明某些实施方式，此组成物(A)包含约2至约25重量分的高分子聚合物，约5至约20重量分的交联剂，约0.1至约10重量分的触媒以及约3至约30重量分的第一溶剂。
根据本发明某些实施方式，组成物(A)的高分子聚合物可具有以下化学式(1)或化学式(2)的结构：
在化学式(1)及化学式(2)中，R1及R2各自包含选自H、OH、卤化物、芳香碳环以及具有1-12个碳的直链或环状烷基、烷氧基、氟代烷基或氟代烷氧基链的其中一种官能团；或者R1及R2各自包含选自具有2-12个碳的直链或环状烯烃、炔烃、羟基、酮、醛、碳酸酯、羧酸、酯、醚、酰胺、胺、亚胺、酰亚胺、叠氮化物、硝酸盐、腈、亚硝酸盐及硫醇的其中一种官能团。
在化学式(1)及化学式(2)中，Rf可为芳族碳环、或具有1-4个碳的直链或环状的烷基、烷氧基、氟烷基、或氟烷氧基；或者Rf可为具有1-4个碳的直链或环状的炔烃、羟基、酮、醛、碳酸酯、羧酸、酯、醚、酰胺、胺、亚胺、酰亚胺、叠氮化物、硝酸盐、亚硝酸盐、氮化物或硫醇官能团。
在化学式(1)及化学式(2)中，R1、R2、Rf各自可还包含-Cl、-Br、-I、-NO2、-SO3-、-H-、-CN、-NCO、-OCN、-CO2-、-OH、-OR*、-OC(O)CR*、-SR、-SO2N(R*)2、-SO2R*、SOR、-OC(O)R*、-C(O)OR*、-C(O)R*、-Si(OR*)3、-Si(R*)3或环氧基基团中的一种的化学基团，其中R*是H、直链或支链的、环状或非环状的、饱和或不饱和的烷基、烯基或炔基；R是饱和或不饱和的烷基、烯基或炔基。
在化学式(1)及化学式(2)中，Ar包括碳原子数为2-16的不饱和烃。
在化学式(1)及化学式(2)中，x为1-6整数y的8-40整数。
在某些实施方式中，高分子聚合物具有以下的化学式(3)：
化学式(3)中，R和R1各自可为氢或者具有1至8个碳原子的取代或未取代的烷基；R2可为具有1至10个碳原子的取代或未取代的烷基；以及R3可为卤素原子、具有1至8个碳原子的烷基、具有1至8个碳原子的烷氧基、具有2至8个碳原子的烯基、或具有2至8个碳原子的炔基、氰基、或硝基；m是从0至9的整数；以及x是高分子聚合物中的烷基单元-CH2C-的莫耳百分比，且在大约10％至大约80％之间；y是高分子聚合物中的蒽单元的莫耳百分比，且在大约5％至大约90％之间。
在另外某些实施方式中，高分子聚合物聚羟基苯乙烯，其具有以下的化学式(4)：
其中化学式(4)中n为10-3000的整数。
组成物(A)的交联剂可与组成物(A)中的高分子聚合物发生交联反应。在某些实施方式中，交联剂具有以下的化学式(5)：
化学式(5)中m是2至6的整数，R2表示具有1至10个碳原子的烷基；碳原子数为2～6的烯基、碳原子数为2～10的炔基、碳原子数为2～10的烷基羰基、碳原子数为2～10的烷基羰基氨基(alkylcarbonylamino group、碳原子数为2～10的烷氧基、具有1至10个碳原子的烷基氨基(alkylamino group)；具有1至10个碳原子的烷基二氨基(alkyldiamino group)或上述的组合；并且R2是能够具有根据聚氧化烯基(polyoxyalkylene group)的数量m而为2至6共价数的有机基团。
在另外某些实施方式中，交联剂具有以下化学式(6)或化学式(7)的化学结构：
在另外某些实施方式中，交联剂具有以下化学式(8)或化学式(9)的化学结构：
组成物(A)的触媒在一定条件下可触发交联剂与高分子聚合物发生交联反应，而形成更大分子量的聚合物。例如，触媒可在相对较高温度下触发交联剂与高分子聚合物发生交联反应。在某些实施方式中，触媒在温度为约30℃至约200℃下可触发交联剂与高分子聚合物发生交联反应，更明确地为约50℃至约150℃，例如约60℃、80℃、90℃、100℃、120℃或140℃。在其他实施方式中，触媒可在一电磁波作用下触发交联剂与高分子聚合物发生交联反应。
触媒可以是用于引发聚合物内的聚合物之间的交联反应，并且可例如为热酸产生剂或光酸产生剂等。在触媒为热酸产生剂的实施例中，当足够的热量施加给触媒时，触媒将生成酸。热酸产生剂例如为三氟甲磺酸、丁烷磺酸、或纳米氟丁烷磺酸(nanoflurobutanesulfonicacid)；热酸产生剂也可例如为苯磺酸盐，诸如2-三氟甲基-6-硝基苄基4-氯苯磺酸钠、2-三氟甲基-6-硝基苄基4-硝基苯磺酸。热酸产生剂也可例如为硝基苯磺酸酯，诸如2-硝基苯磺酸酯、2,4-二硝基苯磺酸酯、2,6-二硝基苯磺酸酯。热酸产生剂也可为酚磺酸酯，诸如苯基、4-甲氧基苯磺酸。热酸产生剂也可例如为有机酸的烷基铵盐，诸如10-樟脑磺酸的三乙胺盐。热酸产生剂也为上述的组合。
在触媒为光酸产生剂的实施例中，触媒可包括卤代三嗪、重氮盐、芳香重氮盐、磷盐、碘鎓盐、肟磺酸、重氮二砜、重氮二砜、二砜、邻硝基苄磺酸、磺酸酯、α-氰基醇胺-磺酸盐、酰亚胺磺酸盐、酮偶氮砜、磺酰重氮酯、硝基苄酯、均三嗪衍生物等。
在某些实施方式中，触媒具有以下化学式(10)或化学式(11)的化学结构：
组成物(A)的第一溶剂的沸点大于触媒触发上述交联反应的温度。在某些实施方式中，第一溶剂的沸点为约45℃至约300℃，例如为约65℃、90℃、120℃、150℃、200℃、250℃或280℃。
在某些实施方式中，第一溶剂例如为二甲基亚砜(Dimethyl sulfoxide,DMSO)、四氢呋喃(tetrahydrofuran,THF)、丙二醇甲醚(Propylene Glycol MethylEther,PGME)、醋酸丙二醇甲醚酯(Propylene glycol monomethyl ether acetate,PGMEA)、乙醇，丙醇，丁醇，甲醇，乙二醇，γ-丁内酯(gama-butylactone)、N-甲基吡咯酮(N-Methyl-2-pyrrolidone,NMP)或上述的组合。
在某些实施方式中，第一溶剂为具有以下化学式(12)或化学式(13)的化学结构：
根据本发明某些实施方式，此组成物(A)包含约5至约20重量分的高分子聚合物，约5至约20重量分的交联剂，约1至约5重量分的触媒以及约5至约20重量分的第一溶剂。
在某些实施方式中，上述揭露的组成物(A)可还包含约50至约90重量分的第二溶剂。第二溶剂的沸点小于第一溶剂的沸点。第二溶剂可例如为二甲基亚砜、四氢呋喃、丙二醇甲醚、醋酸丙二醇甲醚酯、乙醇，丙醇，丁醇，甲醇，乙二醇，γ-丁内酯、N-甲基吡咯酮或上述的组合。第二溶剂可用以以增加高分子聚合物在组成物(A)的溶解度。在一特定实施例中，第二溶剂为醋酸丙二醇甲醚酯。
在某些实施方式中，上述揭露的组成物(A)可还包含约1至约40重量分的光酸产生剂，而让组成物(A)具备感光性，而让组成物(A)可应用于光阻剂。
本发明的另一方面是提供一种形成材料层的方法，此方法包含下述操作。图2-5绘示本发明各种实施方式的形成材料层的方法的剖面示意图。在图2中，接收半导体基材100，半导体基材100包含多个特征结构，例如特征结构101、102。然后，如图2所示，将组成物(A)涂布在此半导体基材上，而形成第一材料层110覆盖特征结构101、102。之后，如图3所示，提供能量120给第一材料层110，使第一材料层110中的触媒触发交联剂与高分子聚合物发生交联反应。在提供能量120给第一材料层110之后，第一材料层110转变成已发生交联反应的第二材料层130，如图4所示。在多个实施例中，第二材料层130的厚度T2小于第一材料层110的厚度T1(标示在图2中)。第二材料层130的厚度收缩率小于约35％，更明确地为约3-30％，例如为约5％、10％、15％、20％或25％。上述收缩率S以数学式(2)计算：
S＝((T1-T2)/T1)×100％ 数学式(2)。
在某些实施例中，在提供能量给第一材料层之前，还包含一干燥步骤，以移除第一材料层中部分的第一溶剂以及部分的第二溶剂。例如，可使用旋转干燥法(spin dry)、减压干燥法、或加热干燥法。
在某些实施例中，提供能量120给第一材料层110的操作包含加热第一材料层至第一温度，第一温度低于第一溶剂的沸点，但高于触媒触发交联剂与高分子聚合物发生交联反应的温度。换言之，第一温度介于第一溶剂的沸点与交联剂与高分子聚合物发生交联反应的温度之间。第一温度例如为约30℃至约200℃，更明确地为约50℃至约150℃，例如约60℃、80℃、90℃、100℃、120℃或140℃。
由于组成物(A)中包含高沸点的第一溶剂，因此在干燥或加热的过程中，此高沸点的第一溶剂能够被保留在材料层中，所以材料层能够维持平坦的表面。再者，第一溶剂的沸点大于触媒触发交联反应的温度，所以在第一溶剂被大量蒸发之前，交联剂与该高分子已经完成交联反应。当交联反应完成后，所涂布的材料层(第二材料层)的上表面轮廓即被固定，因此根据本发明某些实施例，所形成的第二材料中的厚度负载率小于35％，从而改善已知技术问题。
在某些实施方式中，如图5所示，第二材料层130作为抗反射膜，上述方法在形成第二材料层130之后，形成光阻层140于第二材料层130上方。
在某些实施方式中，上述揭露的组成物(A)可还包含第三溶剂，在电磁波作用下，此第三溶剂直接与高分子聚合物发生交联反应，下文所述的组成物(B)将更详细叙述。
本发明的再一态样是提供一种组成物(B)，组成物(B)包含约1至约40重量分的高分子聚合物，约3至约30重量分的第一溶剂，以及约50至约90重量分的一第二溶剂。在电磁波作用下，第一溶剂可与高分子发生交联反应。请注意，在组成物(B)中可以不包含交联剂或触媒。
组成物(B)的高分子聚合物可以是前文关于组成物(A)所述的任一实施方式或实施例的高分子聚合物。
组成物(B)的第一溶剂具有可与高分子发生交联反应的官能机，并且在电磁波作用下，第一溶剂与高分子发生交联反应。
在某些实施方式中，组成物(B)的第一溶剂具有以下化学式(14)或化学式(15)的化学结构：
在其他实施方式中，组成物(B)的第一溶剂包含二甲基亚砜、四氢呋喃、丙二醇甲醚、醋酸丙二醇甲醚酯、乙醇，丙醇，丁醇，甲醇，乙二醇，γ-丁内酯、N-甲基吡咯酮或上述的组合。
组成物(B)的第二溶剂在电磁波作用下不会与高分子聚合物发生交联反应。第二溶剂可用以增加高分子聚合物在组成物(A)的溶解度，因此第二溶剂与第一溶剂不同。第二溶剂可选自于二甲基亚砜、四氢呋喃、丙二醇甲醚、醋酸丙二醇甲醚酯、乙醇，丙醇，丁醇，甲醇，乙二醇，γ-丁内酯、N-甲基吡咯酮或上述的组合。在一特定实施例中，第二溶剂为醋酸丙二醇甲醚酯。
本发明的又一方面是提供一种形成材料层的方法。此方法包含以下操作。如图2所示，接收半导体基材100，半导体基材包含多个特征结构101、102。之后，如图2所示，将组成物(B)涂布在半导体基材100上，而形成第一材料层110覆盖特征结构101、102。然后，如图3所示，提供电磁波120”给第一材料层110，让组成物(B)的第一溶剂与高分子聚合物发生交联反应，因此将第一材料层110转变成已完成交联反应的第二材料层130。在多个实施例中，第二材料层130的厚度T2小于第一材料层110的厚度T1(标示在图2中)。第二材料层130的厚度收缩率小于约35％，更明确地为约3-30％，例如为约5％、10％、15％、20％或25％。
在某些实施例中，在提供能量给第一材料层之前，还包含一干燥步骤，以移除第一材料层中部分的第一溶剂以及部分的第二溶剂。例如，可使用旋转干燥法(spin dry)、减压干燥法、或加热干燥法。
由于组成物(B)的第一溶剂可与高分子聚合物发生交联反应，在形成第一材料层后，可提供电磁波给第一材料层，让第一溶剂与高分子聚合物发生交联反应。因为上述方法并不须要对第一材料层进行加热，所以其中的溶剂被保留在所涂布的材料层中，并且在电磁波作用下与高分子聚合物发生交联反应。上述电磁波可例如为紫外光或极紫外光。当交联反应完成后，所涂布的材料层(第二材料层)的上表面形成大致平坦的轮廓，因此所形成的第二材料中的厚度负载小于35％，而改善已知技术问题。
在多个实施例中，第二材料层130的厚度T2小于第一材料层110的厚度T1(标示在图2中)。第二材料层130的厚度收缩率小于约35％，更明确地为约3-30％，例如为约5％、10％、15％、20％或25％。
实施方式1
组成物(A)包含：
5-20重量分的高分子聚合物，其包含化学式(3)所示的结构，重量分例如为8、12、15、18重量分；
1-5重量分的化学式(10)所示的触媒，例如1.5、2、3、4重量分；
5-20重量分的化学式(5)所示的交联剂，例如8、12、15、18重量分；
60-80重量分的醋酸丙二醇甲醚酯溶剂，例如60、65、70、75重量分；以及
5-20重量分的化学式(12)所示的溶剂，例如8、12、15、18重量分。
实施方式2
组成物(A)包含：
5-20重量分的高分子聚合物，其包含化学式(3)所示的结构，重量分例如为8、12、15、18重量分；
1-5重量分的化学式(10)所示的触媒，例如1.5、2、3、4重量分；
5-20重量分的化学式(5)所示的交联剂，例如8、12、15、18重量分；
60-80重量分的醋酸丙二醇甲醚酯溶剂，例如60、65、70、75重量分；以及
5-20重量分的化学式(13)所示的溶剂，例如8、12、15、18重量分。
实施方式3
组成物(A)包含：
5-20重量分的高分子聚合物，其包含化学式(4)所示的结构，重量分例如为8、12、15、18重量分；
1-5重量分的化学式(11)所示的触媒，例如1.5、2、3、4重量分；
5-20重量分的化学式(5)所示的交联剂，例如8、12、15、18重量分；
60-80重量分的醋酸丙二醇甲醚酯溶剂，例如60、65、70、75重量分；以及
5-20重量分的化学式(12)所示的溶剂，例如8、12、15、18重量分。
实施方式4
组成物(A)包含：
5-20重量分的高分子聚合物，其包含化学式(4)所示的结构，重量分例如为8、12、15、18重量分；
1-5重量分的化学式(10)所示的触媒，例如1.5、2、3、4重量分；
5-20重量分的化学式(5)所示的交联剂，例如8、12、15、18重量分；
60-80重量分的醋酸丙二醇甲醚酯溶剂，例如60、65、70、75重量分；以及
5-20重量分的化学式(13)所示的溶剂，例如8、12、15、18重量分。
实施方式5
组成物(B)包含：
5-20重量分的高分子聚合物，其包含化学式(3)所示的结构，重量分例如为8、12、15、18重量分；
60-80重量分的醋酸丙二醇甲醚酯溶剂，例如60、65、70、75重量分；以及
5-20重量分的化学式(14)所示的溶剂，例如6、12、15、18重量分。
实施方式6
组成物(B)包含：
5-20重量分的高分子聚合物，其包含化学式(3)所示的结构，重量分例如为8、12、15、18重量分；
60-80重量分的醋酸丙二醇甲醚酯溶剂，例如60、65、70、75重量分；以及
5-20重量分的化学式(15)所示的溶剂，例如6、12、15、18重量分。
实施方式7
组成物(B)包含：
5-20重量分的高分子聚合物，其包含化学式(4)所示的结构，重量分例如为8、12、15、18重量分；
60-80重量分的醋酸丙二醇甲醚酯溶剂，例如60、65、70、75重量分；以及
5-20重量分的化学式(14)所示的溶剂，例如6、12、15、18重量分。
实施方式8
组成物(B)包含：
5-20重量分的高分子聚合物，其包含化学式(4)所示的结构，重量分例如为8、12、15、18重量分；
60-80重量分的醋酸丙二醇甲醚酯溶剂，例如60、65、70、75重量分；以及
5-20重量分的化学式(15)所示的溶剂，例如6、12、15、18重量分。
虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟悉此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种组成物，其特征在于，包含：
约2至约25重量分的一高分子；
约5至约20重量分的一交联剂；
约0.1至约10重量分的一触媒，该触媒在一温度下触发该交联剂与该高分子发生交联反应；以及
约3至约30重量分的一第一溶剂，且该第一溶剂的一沸点大于该触媒触发该交联反应的该温度。
2.如权利要求1所述的组成物，其特征在于，还包含：约50至约90重量分的一第二溶剂，其中该第二溶剂的一沸点小于该第一溶剂的该沸点。
3.如权利要求1所述的组成物，其特征在于，该第一溶剂的该沸点为约45℃至约300℃，且该触媒触发该交联剂与该高分子发生交联反应的该温度为约30℃至约200℃。
4.如权利要求1所述的组成物，其特征在于，还包含：
约1至约40重量分的光酸产生剂。
5.一种组成物，其特征在于，包含：
约1至约40重量分的一高分子；
约3至约30重量分的一第一溶剂，该第一溶剂具有可与该高分子发生交联反应的一官能机，其中在一电磁波作用下，该第一溶剂与该高分子发生交联反应；以及
约50至约90重量分的一第二溶剂，其中该第二溶剂在该电磁波作用下不与该高分子发生交联反应。
6.一种形成一材料层的方法，其特征在于，包含：
接收一半导体基材，该半导体基材包含多个特征结构；
将如权利要求1所述的组成物涂布在该半导体基材上，以形成一第一材料层覆盖所述特征结构；以及
提供一能量给该第一材料层，使该第一材料层中的该触媒触发该交联剂与该高分子发生交联反应，而转变成一第二材料层，其中该第二材料中的一厚度负载小于35％。
7.如权利要求6所述的形成一材料层的方法，其特征在于，在提供该能量给该第一材料层之前，还包含移除该第一材料层中该第一溶剂的一部分以及该第二溶剂的一部分。
8.如权利要求6所述的形成一材料层的方法，其特征在于，提供该能量给该第一材料层包含加热该第一材料层至一第一温度，该第一温度低于该第一溶剂的该沸点，但高于该触媒触发该交联剂与该高分子发生交联反应的该温度。
9.一种形成一材料层的方法，其特征在于，包含：
接收一半导体基材，该半导体基材包含多个特征结构：
将如权利要求5所述的组成物涂布在该半导体基材上，以形成一第一材料层覆盖所述特征结构；以及
提供一电磁波给该第一材料层，让该第一溶剂与该高分子发生交联反应，而转变成一第二材料层，其中该第二材料中的一厚度负载小于35％。
10.如权利要求9所述的形成一材料层的方法，其特征在于，在涂布该材料层之后，提供该电磁波给该第一材料层之前，还包含：移除该第一材料层中一部分的该第二溶剂。
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