CN107342356A - 提高抗浪涌电流能力的led封装结构 - Google Patents

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Abstract

提高抗浪涌电流能力的LED封装结构，其特征是所述LED的封装结构包括基板、底面设有电极的LED芯片及封装于所述LED芯片顶面和侧面的封装胶体，所述封装胶体底面和/或侧面设置有反射面，所述封装胶体的采用介电材料制作，所述介电材料的相对介电常数范围50～200。

Description

提高抗浪涌电流能力的LED封装结构
技术领域
本发明涉及LED封装结构。
背景技术
LED的封装技术就是对LED芯片进行封装，制成可直接使用的光源。目前常见的LED封装结构为将LED芯片固定在一个平面的基板上，然后在基板的一个平面上利用封装层将该LED芯片封装在该基板上。虽然采用此种封装结构能够基本满足使用需求，但在电网供电不稳定的适用场合，比如广大农村地区，由于电网中存在着较为普遍的浪涌电流，普通的LED封装结构在此使用条件下寿命会明显下降，因此提供一种提高抗浪涌电流能力的LED封装结构成为现有技术中亟待解决的问题。
发明内容
为解决前述技术问题，本发明采用了以下技术方案：提供了提高抗浪涌电流能力的LED封装结构，其特征是所述LED的封装结构包括基板、底面设有电极的LED芯片及封装于所述LED芯片顶面和侧面的封装胶体，所述封装胶体底面和/或侧面设置有反射面。
所述提高抗浪涌电流能力的LED封装结构，其特征是所述封装胶体的采用介电材料制作，所述介电材料的相对介电常数范围50～200。
所述提高抗浪涌电流能力的LED封装结构，其特征是介电材料的相对介电常数范围优选80～150。
所述提高抗浪涌电流能力的LED封装结构，其特征是所述的封装胶体中掺杂由纳米银粒子，所述LED芯片的电极端部形成凸块结构。
所述提高抗浪涌电流能力的LED封装结构，其特征是所述凸块与封装胶体内部的沟槽相匹配。
本发明提供的提高抗浪涌电流能力的LED封装结构，与现有技术相比，通过改进LED封装结构，优化封装胶体的材料选择与结构设计，提高了LED的抗浪涌电流能力，解决了现有技术中存在的问题。
具体实施方式
本发明提供的提高抗浪涌电流能力的LED封装结构，其特征是所述LED的封装结构包括基板、底面设有电极的LED芯片及封装于所述LED芯片顶面和侧面的封装胶体，所述封装胶体底面和/或侧面设置有反射面。
所述提高抗浪涌电流能力的LED封装结构，其特征是所述封装胶体的采用介电材料制作，所述介电材料的相对介电常数范围50～200。
所述提高抗浪涌电流能力的LED封装结构，其特征是介电材料的相对介电常数范围优选80～150。
所述提高抗浪涌电流能力的LED封装结构，其特征是所述的封装胶体中掺杂由纳米银粒子，所述LED芯片的电极端部形成凸块结构。
所述提高抗浪涌电流能力的LED封装结构，其特征是所述凸块与封装胶体内部的沟槽相匹配。
所述纳米银粒子的制备方法为：
1)在表面活性剂如十二烷基硫酸纳和十二烷基磺酸钠等存在下；
2)采用532nm,10ns的激光在丙酮、水、甲醇、异丙醇等溶剂中辐照银金属基体材料与溶液界面处，用激光剥离银箔，得到纳米银粒子。
实施例1～4的具体工艺参数见下表
抗浪涌电流测试测试
将实施例1～4制得的LED各取100只分别采用模拟浪涌电流的寿命测试，所述浪涌电流设定为5min出现一次，出现浪涌电流时电压增加为额定电压的120％
实施例号 1 2 3 4
寿命/h 77825 79954 82163 78181
实验结果表明，采用本发明的提高抗浪涌电流能力的LED封装结构封装的LED，能够在浪涌电流下保持较高的使用寿命。

Claims (4)

1.提高抗浪涌电流能力的LED封装结构，其特征是所述LED的封装结构包括基板、底面设有电极的LED芯片及封装于所述LED芯片顶面和侧面的封装胶体，所述封装胶体底面和/或侧面设置有反射面，所述封装胶体的采用介电材料制作，所述介电材料的相对介电常数范围50～200。
2.如权利要求1所述的所述提高抗浪涌电流能力的LED封装结构，其特征是介电材料的相对介电常数范围优选80～150。
3.如权利要求1所述的所述提高抗浪涌电流能力的LED封装结构，其特征是所述的封装胶体中掺杂由纳米银粒子，所述LED芯片的电极端部形成凸块结构。
4.如权利要求1所述的所述提高抗浪涌电流能力的LED封装结构，其特征是所述凸块与封装胶体内部的沟槽相匹配。
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