CN204464268U - 一种高质量封装二极管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种高质量封装二极管，包括二极管主体；所述二极管主体上侧设有P极接脚A，下侧设有N极接脚A、P极接脚B和N极接脚B；所述二极管主体包括框架底座、框架和二极管芯片，二极管芯片设在框架底座内，P极接脚A和P极接脚B均与框架底座为一体式结构，N极接脚A和N极接脚B均与框架为一体式结构，框架底座与框架之间通过绝缘胶相连，框架通过金属线电连接二极管芯片；该高质量封装二极管通过改变封装，使之能达到比原有技术参数更好的质量要求，且大大降低二极管生产过程中的能源消耗，节能减排。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种二极管，具体是一种高质量封装二极管。
背景技术
二极管是一种常用的电器元件。目前市场上的二极管一般为轴式二极管，其封装工艺均采用传统的焊接工艺，造成生产效率低，生产质量难以控制。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种高质量封装二极管，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种高质量封装二极管，包括二极管主体；所述二极管主体上侧设有P极接脚A，下侧设有N极接脚A、P极接脚B和N极接脚B；所述二极管主体包括框架底座、框架和二极管芯片，二极管芯片设在框架底座内，P极接脚A和P极接脚B均与框架底座为一体式结构，N极接脚A和N极接脚B均与框架为一体式结构，框架底座与框架之间通过绝缘胶相连，框架通过金属线电连接二极管芯片。
作为本实用新型进一步的方案：所述N极接脚A、P极接脚B和N极接脚B均匀间隔设置在二极管主体下侧。
作为本实用新型再进一步的方案：所述金属线为金线或者铜线。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该高质量封装二极管，在不改变原有材料特性及电性能的参数及要求，改变封装技术，使之能达到比原有技术参数更好的质量要求，大大降低二极管生产过程中的能源消耗，节能减排，另外封装自身可耗散1W的热能，使之提高产品的散热性能，进而提高二极管的可靠性，提升产品市场竞争力。
附图说明
图1为高质量封装二极管的结构示意图。
图2为图1的侧视图。
图3为高质量封装二极管的内部结构示意图。
图中：1-二极管主体、11-框架底座、12-框架、13-二极管芯片、14-绝缘胶、2-P极接脚A、3-N极接脚A、4-P极接脚B、5-N极接脚B、6-金属线。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1～3，本实用新型实施例中，一种高质量封装二极管，包括二极管主体1；所述二极管主体1上侧设有P极接脚A 2，下侧设有N极接脚A 3、P极接脚B 4和N极接脚B 5，N极接脚A 3、P极接脚B 4和N极接脚B 5均匀间隔设置在二极管主体1下侧；所述二极管主体1包括框架底座11、框架12和二极管芯片13，二极管芯片13设在框架底座11内，P极接脚A 2和P极接脚B 4均与框架底座11为一体式结构，N极接脚A 3和N极接脚B 5均与框架12为一体式结构，框架底座11与框架12之间通过绝缘胶14相连，框架12通过金属线6电连接二极管芯片13，优选的，所述金属线6为金线或者铜线。
所述高质量封装二极管，将先进的集成电路的封装技术和传统元器件的生产技术相结合，在不改变原有材料特性及电性能的参数及要求，改变封装技术，使之能达到比原有技术参数更好的质量要求，大大降低二极管生产过程中的能源消耗，节能减排，另外封装自身可耗散1W的热能，使之提高产品的散热性能，进而提高二极管的可靠性，提升产品市场竞争力。
对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (3)
1.一种高质量封装二极管，包括二极管主体(1)，其特征在于：所述二极管主体(1)上侧设有P极接脚A(2)，下侧设有N极接脚A(3)、P极接脚B(4)和N极接脚B(5)；所述二极管主体(1)包括框架底座(11)、框架(12)和二极管芯片(13)，二极管芯片(13)设在框架底座(11)内，P极接脚A(2)和P极接脚B(4)均与框架底座(11)为一体式结构，N极接脚A(3)和N极接脚B(5)均与框架(12)为一体式结构，框架底座(11)与框架(12)之间通过绝缘胶(14)相连，框架(12)通过金属线(6)电连接二极管芯片(13)。
2.根据权利要求1所述的高质量封装二极管，其特征在于：所述N极接脚A(3)、P极接脚B(4)和N极接脚B(5)均匀间隔设置在二极管主体(1)下侧。
3.根据权利要求1或2所述的高质量封装二极管，其特征在于：所述金属线(6)为金线或者铜线。
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