CN107326329A - 蒸发源和蒸镀装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种蒸发源和蒸镀装置,该蒸发源包括:坩埚本体和坩埚上盖,坩埚本体上与坩埚上盖接触的表面为第一表面,坩埚上盖上与第一表面相接触的表面为第二表面,第一表面和第二表面中的一者上设置有凸结构,另一者上对应凸结构的位置设置有与凸结构相对应的凹结构。本发明的技术方案通过在坩埚本体和坩埚上盖上分别设置的凸结构和凹结构,凸结构与凹结构进行凹凸配合,以实现坩埚上盖与坩埚本体的紧密固定,从而有效防止坩埚上盖和坩埚本体之间出现相对滑动,进而避免蒸发气体出现泄漏。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种蒸发源和蒸镀装置。
背景技术
图1为现有技术中线性蒸发源的截面示意图,图2为图1中区域A的放大示意图,如图1和图2所示,该线性蒸发源包括:坩埚本体1和坩埚上盖2(含喷嘴3),在蒸镀过程中,需要将坩埚上盖2固定于坩埚本体1的上方,坩埚本体1和坩埚上盖2以围成一个密闭腔室。
然而,在实际应用中发现,由于坩埚本体1和坩埚上盖2两者相接触的表面4十分光滑,在蒸镀过程中随着密闭腔室内压强增大,使得坩埚本体1和坩埚上盖2之间出现相对滑动,并出现间隙,从而导致蒸发气体泄漏的问题,影响正常工艺进行。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种蒸发源和蒸镀装置。
为实现上述目的,本发明提供了一种蒸发源,包括:坩埚本体和坩埚上盖,坩埚本体上与坩埚上盖接触的表面为第一表面,坩埚上盖上与所述第一表面相接触的表面为第二表面,所述第一表面和所述第二表面中的一者上设置有凸结构,另一者上对应所述凸结构的位置设置有与所述凸结构相对应的凹结构。
可选地,所述凸结构和/或所述凹结构的表面设置有热膨胀层,所述热膨胀层的热膨胀系数大于所述凹结构的热膨胀系数。
可选地,所述凹结构的材料包括:金属钛。
可选地,所述热膨胀层的材料包括金属铜、金属铝或金属铁。
可选地,所述凸结构的热膨胀系数大于所述凹结构的热膨胀系数。
可选地,所述凸结构在所述第一表面上的正投影沿着所述第一表面的形状围绕一周。
可选地,所述凸结构的数量为多个,多个凸结构层层套置。
可选地,所述凸结构的纵向截面形状为矩形或三角形。
可选地,所述坩埚本体包括:本体底部和位于所述本体底部一侧的本体侧壁部,所述第一表面为所述本体侧壁部的端部且朝向所述坩埚上盖的表面;
所述坩埚上盖包括:上盖底部和位于所述上盖底部一侧的上盖侧壁部,所述第二表面为所述上盖侧壁部的端部且朝向所述坩埚本体的表面。
可选地,所述凸结构与与其所固定的所述本体侧壁部或所述上盖侧壁部一体成型。
可选地,还包括:固定螺丝;
所述本体侧壁部的外侧面设置有第一连接部,所述本体侧壁部的外侧面设置有第二连接部,所述第一连接部上设置有第一通孔,所述第二连接部上设置有第二通孔;
所述固定螺丝穿过所述第一通孔和所述第二通孔将所述第一连接部和所述第二连接部固定。
为实现上述目的,本发明还提供了一种蒸镀装置,包括如上述的蒸发源。
本发明具有以下有益效果:
本发明提供了一种蒸发源和蒸镀装置,该蒸发源包括:坩埚本体和坩埚上盖,坩埚本体上用于与坩埚上盖接触的表面为第一表面,坩埚上盖上用于与第一表面相接触的表面为第二表面,第一表面和第二表面中的一者上设置有凸结构,另一者上对应凸结构的位置设置有与凸结构相对应的凹结构。本发明的技术方案通过在坩埚本体和坩埚上盖上分别设置的凸结构和凹结构,凸结构与凹结构进行凹凸配合,以实现坩埚上盖与坩埚本体的紧密固定,从而有效防止坩埚上盖和坩埚本体之间出现相对滑动,进而避免蒸发气体出现泄漏。
附图说明
图1为现有技术中线性蒸发源的截面示意图;
图2为图1中区域A的放大示意图;
图3为本发明实施例一提供的一种蒸发源的纵向截面示意图;
图4为图3中A区域的放大示意图;
图5为图3中坩埚上盖的仰视图;
图6为图3中坩埚本体的俯视图;
图7为凹结构和凸结构发生热膨胀时的示意图;
图8为本发明实施例二提供的一种蒸发源的纵向截面示意图;
图9为图8中A区域的放大示意图;
图10为热膨胀层、凹结构和凸结构发生热膨胀时的示意图;
图11为本发明实施例一提供的一种蒸发源的截面示意图;
图12为图11中A区域的放大示意图;
图13为图11中坩埚上盖的仰视图;
图14为图11中坩埚本体的俯视图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图对本发明提供的一种蒸发源和蒸镀装置进行详细描述。
图3为本发明实施例一提供的一种蒸发源的纵向截面示意图,图4为图3中A区域的放大示意图,如图3和图4所示,该蒸发源包括:坩埚本体1和坩埚上盖2,坩埚本体1上与坩埚上盖2接触的表面为第一表面103,坩埚上盖2上与第一表面103相接触的表面为第二表面203,第一表面103和第二表面203中的一者上设置有凸结构5,另一者上对应凸结构5的位置设置有与凸结构5相对应的凹结构6。
本实施例中以凸结构5位于第一表面103,凹结构6位于第二表面203为例进行示例型说明。其中,凸结构5为设置于第一表面103的凸起,凹结构6为设置于第二表面203的凹槽。
在进行蒸镀工艺时,将坩埚上盖2置于坩埚本体1的上方,且位于坩埚本体1上的凸结构5与位于坩埚上盖2上的凹结构6进行凹凸配合,以实现坩埚上盖2与坩埚本体1的紧密固定,从而有效防止坩埚上盖2和坩埚本体1之间出现相对滑动,进而避免蒸发气体出现泄漏。
优选地,本发明中凸结构5的数量为多个,设置多个凸结构5可进一步地提升坩埚上盖2与坩埚本体1之间固定的紧密性。
在实施例中,坩埚本体1包括:本体底部101和位于本体底部101一侧的本体侧壁部102,坩埚上盖2包括:上盖底部201和位于本体底部101一侧的上盖侧壁部202,本体侧壁部102的端部与上盖侧壁部202的端部相对设置。此时,第一表面103具体为本体侧壁部102的端部且朝向上盖侧壁部202的表面,第二表面203具体为上盖侧壁部202的端部且朝向本体侧壁部102的表面。
本实施例中可选的,凸结构5的纵向截面形状为矩形,相应地,凹结构6的截面形状为矩形。将凹结构6和凸结构5的截面形状设计为矩形,可在避免坩埚上盖2和坩埚本体1之间出现相对滑动的同时,方便坩埚上盖2与坩埚本体1结合操作和分离操作。需要说明的是,本发明中的凸结构5的截面形状还可以为其他形状,例如三角形、半圆形。对于其他适用于本发明中凸结构5的截面形状,此处不再一一举例。
图5为图3中坩埚上盖的仰视图,图6为图3中坩埚本体的俯视图,如图5和图6所示,凸结构5(凹结构6)在第一表面103上的正投影沿着第一表面103的形状(口字形)围绕一周,此时即便坩埚上盖2被内部高压顶起,上盖侧壁部202的端部与本体侧壁部102的端部分离,然而由于上盖侧壁部202的端部与本体侧壁部102的端部之间存在围绕一周的凸结构5,该凸结构5能阻挡蒸发气体从两端部之间的缝隙处泄漏,即工艺腔室能维持密封状态。
需要说明的是,附图中本体侧壁部102的端部呈口字形的情况,仅起到示例性作用,其不会对本发明的技术方案产生限制,在本发明中本体侧壁部102的端部还能围城其他形状,例如圆形、三角形。
此外,本实施例中凸结构5(凹结构6)在第一表面103上的正投影沿着第一表面103的形状围绕一周的情况,为本发明中的一种优选方案,可在上盖侧壁部202的端部与本体侧壁部102的端部分离时有效避免蒸发气体从两端部之间的缝隙处泄漏,其不会对本发明的技术方案产生限制,本发明中的凸结构5还可为其他形状,例如直条状、块状。
本实施例中,优选地,凸结构5与本体侧壁部102一体成型,可有效提升凸结构5与本体侧壁部102之间连接的牢固性。
需要说明的是,上述凸结构5位于本体侧壁部102的端部的第一表面103,凹结构6位于上盖侧壁部202的第二表面203的情况仅起到示例性作用;在本发明中,也可以是凹结构6位于本体侧壁部102的端部的第一表面103,凸结构5位于上盖侧壁部202的第二表面203,其也能够有效避免蒸镀过程中出现蒸发气体出现泄漏的问题,此种情况不再详细描述。
优选地,本体侧壁部102的外侧面设置有第一连接部,本体侧壁部102的外侧面设置有第二连接部,第一连接部上设置有第一通孔,第二连接部上设置有第二通孔,固定螺丝穿过第一通孔和第二通孔将第一连接部和第二连接部固定。本发明中,通过固定螺丝固定本体侧壁部102和上盖侧壁部202的外侧的连接部,可对本体侧壁部102和上盖侧壁部202作进一步地固定,以防止本体侧壁部102和上盖侧壁部202在蒸镀过程中出现相对移动。
本发明实施例一提供了一种蒸发源,包括坩埚本体1和坩埚上盖2,坩埚本体1包括:本体底部101和位于本体底部101一侧的本体侧壁部102,坩埚上盖2包括:上盖底部201和位于本体底部101一侧的上盖侧壁部202,本体侧壁部102的端部与上盖侧壁部202的端部相对设置,本体侧壁部102的端部且朝向上盖侧壁部202的表面为第一表面103,上盖侧壁部202的端部且朝向本体侧壁部102的表面为第二表面203;第一表面103和第二表面203中的一者上设置有凸结构5,另一者上对应凸结构5的位置设置有与凸结构5相对应的凹结构6。本发明的技术方案通过在上盖侧壁部202和本体侧壁部102的端部设置能进行凹凸配合的凹/凸结构5,从而能有效防止坩埚上盖2和坩埚本体1之间出现相对滑动,可有效避免蒸发气体出现泄漏。
图7为凹结构和凸结构发生热膨胀时的示意图,如图7所示,在实际的生产过程中发现,随着坩埚本体1和坩埚上盖2的温度的升高,凸结构5和凹结构6会发生热膨胀。其中,凸结构5在发生热膨胀形变时,其各位置会发生均匀的热膨胀形变;而凹结构6在发生热膨胀形变时,受到凹结构6自身应力影响,其开口处的膨胀形变量大于其底部的膨胀形变量。此时,凸结构5仅与凹结构6的开口处紧密贴合,而其他位置未贴合,从而出现缝隙8。
为解决上述技术问题,本发明实施例二提供了一种蒸发源。图8为本发明实施例二提供的一种蒸发源的纵向截面示意图,图9为图8中A区域的放大示意图,图10为热膨胀层、凹结构和凸结构发生热膨胀时的示意图,如图8至图10所示,与上述实施例一中不同的是,本实施例中在凸结构5和凹结构6的表面设置热膨胀层7,热膨胀层7的热膨胀系数大于凹结构6的热膨胀系数,以使得在蒸镀过程中热膨胀层7的热膨胀形变量大于凹结构6的热膨胀形变量,以对凸结构5和凹结构6之间的缝隙进行填充,可有效避免蒸发气体出现泄漏。
表1为金属铜、铝、铁、钛的热膨胀系数和熔点表,如下表1所示。
金属名称 | 热膨胀系数 | 熔点/℃ |
铜 | 17.5 | 1083.4 |
铝 | 23.2 | 660 |
铁 | 12.2 | 1538 |
钛 | 10.8 | 1668 |
表1.金属铜、铝、铁、钛的热膨胀系数和熔点表
在实际应用中,蒸发源内的环境温度大约为400℃,坩埚上盖2的材料为金属钛,金属钛的热膨胀系数为10.8,因此在选择热热膨胀层7的材料时,需使得热膨胀层7的材料的热膨胀系数需大于10.8,且熔点大于400℃。基于上述要求,本实施例中热膨胀层7的材料可选自金属铜、金属铝、金属铁中的一者。
需要说明的是,上述在凸结构5和凹结构6的表面均设置热膨胀层7的情况为本发明中的一种可选方案,本领域技术人员应该知晓的是,在本发明中仅需在凸结构5和凹结构6中的至少一者表面设置上述热膨胀层7,即可有效对凹结构6和凸结构5之间的缝隙进行填充。
作为本发明中的又一种可选方案,凸结构5的热膨胀系数大于凹结构6的热膨胀系数,以使得在蒸镀过程中凸结构5的热膨胀形变量大于凹结构6的热膨胀形变量。此时,在凹结构6内,凸结构5能完全填充凹结构6,且在无需施加外力的情况下凸结构5与凹结构6之间产生相互挤压的作用力,从而能有效避免缝隙的出现。
图11为本发明实施例一提供的一种蒸发源的截面示意图,图12为图11中A区域的放大示意图,图13为图11中坩埚上盖的仰视图,图14为图11中坩埚本体的俯视图,如图11至图14所示,与上述实施例一中不同的是,本实施例中在第一表面103上的正投影沿着第一表面103的形状围绕一周的凸结构5的数量为多个,多个凸结构5层层套置。多个凸结构5层层套置,可进一步提升本体侧壁部102的端部与上盖侧壁部202的端部之间的密封性。
需要说明的是,附图中全部凸结构5均位于坩埚本体1上的情况仅为本发明中的一种可选方案,本发明中也可将部分凸结构5设置于坩埚本体1上,部分凸结构5设置于坩埚上盖2上,其也属于本发明的保护范围。
本发明实施例四提供了一种蒸镀装置,包括蒸发源,该蒸发源采用上述实施例一~实施例三中提供的任意一种蒸发源,具体内容可参见上述实施例一~实施例三中的描述,此处不再赘述。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (12)
1.一种蒸发源,其特征在于,包括:坩埚本体和坩埚上盖,坩埚本体上与坩埚上盖接触的表面为第一表面,坩埚上盖上与所述第一表面相接触的表面为第二表面,所述第一表面和所述第二表面中的一者上设置有凸结构,另一者上对应所述凸结构的位置设置有与所述凸结构相对应的凹结构。
2.根据权利要求1所述的蒸发源,其特征在于,所述凸结构和/或所述凹结构的表面设置有热膨胀层,所述热膨胀层的热膨胀系数大于所述凹结构的热膨胀系数。
3.根据权利要求2所述的蒸发源,其特征在于,所述凹结构的材料包括:金属钛。
4.根据权利要求3所述的蒸发源,其特征在于,所述热膨胀层的材料包括金属铜、金属铝或金属铁。
5.根据权利要求1所述的蒸发源,其特征在于,所述凸结构的热膨胀系数大于所述凹结构的热膨胀系数。
6.根据权利要求1所述的蒸发源,其特征在于,所述凸结构在所述第一表面上的正投影沿着所述第一表面的形状围绕一周。
7.根据权利要求6所述的蒸发源,其特征在于,所述凸结构的数量为多个,多个凸结构层层套置。
8.根据权利要求1所述的蒸发源,其特征在于,所述凸结构的纵向截面形状为矩形或三角形。
9.根据权利要求1所述的蒸发源,其特征在于,所述坩埚本体包括:本体底部和位于所述本体底部一侧的本体侧壁部,所述第一表面为所述本体侧壁部的端部且朝向所述坩埚上盖的表面;
所述坩埚上盖包括:上盖底部和位于所述上盖底部一侧的上盖侧壁部,所述第二表面为所述上盖侧壁部的端部且朝向所述坩埚本体的表面。
10.根据权利要求9所述的蒸发源,其特征在于,所述凸结构与与其所固定的所述本体侧壁部或所述上盖侧壁部一体成型。
11.根据权利要求9所述的蒸发源,其特征在于,还包括:固定螺丝;
所述本体侧壁部的外侧面设置有第一连接部,所述本体侧壁部的外侧面设置有第二连接部,所述第一连接部上设置有第一通孔,所述第二连接部上设置有第二通孔;
所述固定螺丝穿过所述第一通孔和所述第二通孔将所述第一连接部和所述第二连接部固定。
12.一种蒸镀装置,其特征在于,包括如上述权利要求1-11中任一所述的蒸发源。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710774309.XA CN107326329A (zh) | 2017-08-31 | 2017-08-31 | 蒸发源和蒸镀装置 |
US15/962,711 US10829850B2 (en) | 2017-08-31 | 2018-04-25 | Evaporation source and evaporation-deposition device having the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710774309.XA CN107326329A (zh) | 2017-08-31 | 2017-08-31 | 蒸发源和蒸镀装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107326329A true CN107326329A (zh) | 2017-11-07 |
Family
ID=60204176
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710774309.XA Pending CN107326329A (zh) | 2017-08-31 | 2017-08-31 | 蒸发源和蒸镀装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10829850B2 (zh) |
CN (1) | CN107326329A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107904557A (zh) * | 2017-12-11 | 2018-04-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀坩埚和蒸镀装置 |
CN108004508A (zh) * | 2017-11-20 | 2018-05-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种坩埚 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1550571A (zh) * | 2003-05-08 | 2004-12-01 | 三洋电机株式会社 | 蒸发装置 |
CN1582070A (zh) * | 2003-07-31 | 2005-02-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 蒸发淀积容器和蒸发淀积装置 |
JP3139649U (ja) * | 2007-10-15 | 2008-02-28 | 重義 武内 | 周面等に中空部を有する骨つぼ。 |
CN102168251A (zh) * | 2010-02-26 | 2011-08-31 | 绿阳光电股份有限公司 | 蒸发源装置 |
JP2015067846A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | 株式会社日立ハイテクファインシステムズ | 蒸発源及び真空蒸着装置及び有機el表示装置の製造方法 |
CN104923800A (zh) * | 2015-06-01 | 2015-09-23 | 长沙市宇顺显示技术有限公司 | 一种用于蒸发冷凝法制备金属纳米粉体的坩埚 |
CN105174296A (zh) * | 2015-05-22 | 2015-12-23 | 鸿福晶体科技(安徽)有限公司 | 一种氢氧化铝焙烧专用组合坩埚盖 |
CN204931260U (zh) * | 2015-07-08 | 2016-01-06 | 上海纯米电子科技有限公司 | 一种电饭煲面板装配结构 |
CN205774774U (zh) * | 2016-06-22 | 2016-12-07 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种蒸镀装置 |
CN106756804A (zh) * | 2016-12-20 | 2017-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 蒸镀坩埚及其蒸镀方法 |
CN206368212U (zh) * | 2016-12-19 | 2017-08-01 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 一种液相生长碳化硅的装置 |
CN206467334U (zh) * | 2016-09-19 | 2017-09-05 | 山东天岳晶体材料有限公司 | 一种防止硅蒸汽溢出的坩埚 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6342103B1 (en) * | 2000-06-01 | 2002-01-29 | The Boc Group, Inc. | Multiple pocket electron beam source |
US6887441B2 (en) * | 2002-09-30 | 2005-05-03 | The Regents Of The University Of California | High resistivity aluminum antimonide radiation detector |
JP4547031B2 (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-22 | 新日本製鐵株式会社 | 炭化珪素単結晶製造用坩堝、並びに炭化珪素単結晶の製造装置及び製造方法 |
CN102803583B (zh) * | 2009-06-11 | 2015-11-25 | 日本碍子株式会社 | Iii族金属氮化物单晶的培养方法以及用于该方法的反应容器 |
EP3144276A4 (en) * | 2014-05-12 | 2017-12-13 | IHI Corporation | Graphitization furnace |
-
2017
- 2017-08-31 CN CN201710774309.XA patent/CN107326329A/zh active Pending
-
2018
- 2018-04-25 US US15/962,711 patent/US10829850B2/en active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1550571A (zh) * | 2003-05-08 | 2004-12-01 | 三洋电机株式会社 | 蒸发装置 |
CN1582070A (zh) * | 2003-07-31 | 2005-02-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 蒸发淀积容器和蒸发淀积装置 |
JP3139649U (ja) * | 2007-10-15 | 2008-02-28 | 重義 武内 | 周面等に中空部を有する骨つぼ。 |
CN102168251A (zh) * | 2010-02-26 | 2011-08-31 | 绿阳光电股份有限公司 | 蒸发源装置 |
JP2015067846A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | 株式会社日立ハイテクファインシステムズ | 蒸発源及び真空蒸着装置及び有機el表示装置の製造方法 |
CN105174296A (zh) * | 2015-05-22 | 2015-12-23 | 鸿福晶体科技(安徽)有限公司 | 一种氢氧化铝焙烧专用组合坩埚盖 |
CN104923800A (zh) * | 2015-06-01 | 2015-09-23 | 长沙市宇顺显示技术有限公司 | 一种用于蒸发冷凝法制备金属纳米粉体的坩埚 |
CN204931260U (zh) * | 2015-07-08 | 2016-01-06 | 上海纯米电子科技有限公司 | 一种电饭煲面板装配结构 |
CN205774774U (zh) * | 2016-06-22 | 2016-12-07 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种蒸镀装置 |
CN206467334U (zh) * | 2016-09-19 | 2017-09-05 | 山东天岳晶体材料有限公司 | 一种防止硅蒸汽溢出的坩埚 |
CN206368212U (zh) * | 2016-12-19 | 2017-08-01 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 一种液相生长碳化硅的装置 |
CN106756804A (zh) * | 2016-12-20 | 2017-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 蒸镀坩埚及其蒸镀方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108004508A (zh) * | 2017-11-20 | 2018-05-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种坩埚 |
CN107904557A (zh) * | 2017-12-11 | 2018-04-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀坩埚和蒸镀装置 |
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US10829850B2 (en) | 2020-11-10 |
US20190062899A1 (en) | 2019-02-28 |
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