CN107315274A - 显示面板和用于显示面板的母基板 - Google Patents

Abstract

提供了一种显示面板和一种用于显示面板的母基板。所述显示面板包括：基体基板，包括显示区和非显示区；偏振构件，设置在基体基板的表面上，并且包括与显示区叠置的多个栅格图案和与非显示区叠置的反射图案；以及像素阵列层，与偏振构件叠置并且与偏振构件绝缘，其中，从基体基板的表面到反射图案的上表面的第一高度与从基体基板的表面到栅格图案的上表面的第二高度不同。

Description

显示面板和用于显示面板的母基板

本申请要求于2016年4月26日提交的第10-2016-0050543号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

示例性实施例涉及显示面板和用于显示面板的母基板。

背景技术

通常，彼此分离的金属线的栅网选择性地透射或反射偏振的电磁波。也就是说，当金属线的排布距离比入射电磁波的波长短时，平行于金属线的偏振分量被反射，垂直于金属线的偏振分量被透射。利用该现象，可以制造具有优异的偏振效率、高透射率和宽视角的偏振器。这种偏振器被称为线栅偏振器。

使用线栅偏振器，可以使用反射偏振片。反射偏振片比以膜的形式的吸收偏振片更加耐降解。另外，反射偏振片是可以与例如显示面板一体形成的内嵌(in-cell)型的。

因此，反射偏振片被应用于包括液晶显示器的各种显示装置中。也就是说，反射偏振片的应用范围逐渐扩大。

在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对本发明构思的背景技术的理解，因此，其可以包含在本国对于本领域普通技术人员来说不形成已知的现有技术的信息。

发明内容

示例性实施例提供了可以减少所使用的掩模的数量的一种显示面板和一种用于显示面板的母基板。

另外的方面将在后面的具体描述中进行阐述，并且通过该公开部分地将是清楚的，或者可以通过本发明构思的实践而习得。

然而，本公开的方面不限于这里所阐述的方面。通过参照下面给出的本公开的详细描述，本公开的上述和其它方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。

示例性实施例公开了一种显示面板，所述显示面板包括：基体基板，包括显示区和非显示区；偏振构件，设置在基体基板的表面上，并且包括与显示区叠置的多个栅格图案和与非显示区叠置的反射图案；以及像素阵列层，与偏振构件叠置并且与偏振构件绝缘，其中，从基体基板的表面到反射图案的上表面的第一高度与从基体基板的表面到栅格图案的上表面的第二高度不同。

示例性实施例还公开了一种母基板，所述母基板包括：基体基板，包括具有显示区和非显示区的面板区、对齐键区以及面板区和对齐键区的围绕区；以及偏振构件，位于基体基板的表面上并且包括与显示区叠置的多个栅格图案、与非显示区叠置的反射图案以及与对齐键区叠置的对齐键，其中，从基体基板的表面到反射图案的上表面的第一高度与从基体基板的表面到栅格图案的上表面的第二高度不同，从基体基板的表面到对齐键的上表面的第三高度等于第一高度或第二高度。

其它特征和方面将通过下面详细的描述、附图和权利要求变得清楚。

将理解的是，前面的一般描述和下面的详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的主题的进一步解释。

附图说明

被包括以提供对本发明构思的进一步理解并且被并入且构成本说明书的一部分的附图，示出了本发明构思的示例性实施例，并且与本说明书一起用于解释本发明构思的原理。

图1是根据示例性实施例的用于显示面板的母基板的示意性平面图。

图2是图1中示出的与面板区分离的显示面板的示意性局部透视图。

图3是图2中示出的像素的平面图的示例性实施例。

图4是沿图1的线A-A'和图3的线B-B'截取的剖视图。

图5是图4的Q1部分和Q2部分的放大剖视图。

图6是图5中示出的第一偏振构件和对齐键的修改的示例性实施例的剖视图。

图7是图5中示出的第一偏振构件和对齐键的另一个示例性实施例的剖视图。

图8是图7中示出的第一偏振构件和对齐键的修改的示例性实施例的剖视图。

图9、图10、图11、图12、图13、图14、图15、图16、图17、图18、图19、图20、图21、图22以及图23是示出制造图5的第一偏振构件和对齐键的方法的示例性实施例的剖视图。

图24、图25、图26、图27、图28以及图29是示出制造图6的第一偏振构件和对齐键的方法的示例性实施例的剖视图。

图30、图31、图32、图33、图34、图35、图36、图37、图38、图39、图40、图41、图42以及图43是示出制造图7的第一偏振构件和对齐键的方法的示例性实施例的剖视图。

图44、图45、图46、图47以及图48是示出制造图8的第一偏振构件和对齐键的方法的示例性实施例的剖视图。

图49是图4的修改的示例性实施例的剖视图。

图50是图4的另一个修改的示例性实施例的剖视图。

具体实施方式

在下面的描述中，为了说明的目的，阐述了许多具体细节以提供对各种示例性实施例的透彻理解。然而，明显的是，可以在没有这些具体的细节或具有一个或更多个等同布置的情况下来实践各种示例性实施例。在其他情况下，以框图形式示出公知的结构和装置，以避免使各种示例性实施例不必要地模糊。

在附图中，为了清楚和描述的目的，可以夸大层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸。此外，同样的附图标记表示同样的元件。

当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在另一元件或层上、直接连接到或结合到另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。对于本公开的目的来说，“X、Y和Z中的至少一个”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如，以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。同样的数字始终表示同样的元件。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任意组合和所有组合。

虽然在此可以使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受限于这些术语。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一个元件、组件、区域、层和/或部分区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层和/或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层和/或第二部分。

为了描述的目的，在此可以使用诸如“在……下方”、“在……下面”、“下面的”、“在……上方”、“上面的”等的空间相对术语，从而描述如图中所示的一个元件或特征与另一(其它)元件或特征的关系。空间相对术语旨在包括除了图中所描绘的取向外，设备在使用、操作和/或制造中的不同取向。例如，如果图中的设备翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下面”或“在”其它元件或特征“下方”的元件或特征将被定向为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下面”可以包括上方和下面两个取向。此外，设备可以被另外定向(例如，旋转90度或在其它方向)，如此，相应地解释在此使用的空间相对描述符。

这里使用的术语是为了描述特定实施例的目的，而不意图成为限制。如在此使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包括”、“包含”和/或其变型时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但是并不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

在此参照作为理想化的示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖面图来描述各种示例性实施例。如此，将预期例如由制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因此，在此公开的示例性实施例不应被解释为对具体示出的区域的形状的限制，而是将包括由例如制造导致的形状的偏差。如此，附图中示出的区域实质上是示意性的，它们的形状不旨在示出装置的区域的实际形状并且不旨在限制。

除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为其中一部分的领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。除非在此明确地这样定义，否则诸如在常用字典中定义的术语应当被理解为具有与在相关领域的背景下它们的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的意义来解释。

图1是根据示例性实施例的用于显示面板的母基板的示意性平面图。

参照图1，用于显示面板的母基板MS可以包括多个面板区CA、多个对齐键区KA以及一个围绕区SA。

在示例中，母基板MS可以形如具有平行于第一方向DR1的一对边和平行于与第一方向DR1垂直的第二方向DR2的另一对边的矩形。

母基板MS可以包括多个面板区CA。显示面板DP可以形成在每个面板区CA中，显示面板DP可以包括多个像素。

每个对齐键区KA是其中形成有对齐键ALK的区域。在示例性实施例中，对齐键区KA可以包括第一至第四对齐键区KAI、KAJ、KAK和KAL。

在图1中，第一对齐键区KAI可以被定位成与母基板MS的右上角相邻，第二对齐键区KAJ可以被定位成与母基板MS的右下角相邻。另外，第三对齐键区KAK可以被定位成与母基板MS的左上角相邻，第四对齐键区KAL可以被定位成与母基板MS的左下角相邻。对齐键ALK可以位于第一至第四对齐键区KAI、KAJ、KAK和KAL中的每个中。然而，对齐键区KA的位置和数量不限于以上示例，并且可以被改变为各种位置和数量。在制造母基板MS的工艺中，对齐键ALK可以用作使至少两个元件彼此对齐的基础。例如，如果母基板MS包括第一母基板和结合到第一母基板的第二母基板，那么第一母基板和第二母基板可以基于对齐键ALK彼此对齐。

可以沿着每个面板区CA的边界切割母基板MS。因此，显示面板DP可以与母基板MS分离。显示面板DP与母基板MS分离后，围绕区SA和对齐键区KA可以保留在母基板MS中。分离的显示面板DP可以与控制显示面板DP的印刷电路板(PCB)和向显示面板DP提供光的背光单元组装，从而形成显示装置。

显示面板DP可以是扭曲向列型(TN)显示面板、垂直配向型(VA)显示面板、图案化垂直配向型(PVA)显示面板、平面转换型(IPS)显示面板、边缘场开关型(FFS)显示面板和面线转换型(PLS)显示面板中的任意一种。为了便于描述，在下文中将把PLS显示面板描述为显示面板DP的示例。

图2是图1中示出的显示面板DP的示意性局部透视图。

参照图2，具有多个像素PX的显示面板DP可以包括第一显示基板DS1、第二显示基板DS2和液晶层LC。第一显示基板DS1和第二显示基板DS2可以在厚度方向(在下文中，称作第三方向DR3)上彼此分离，液晶层LC可以设置在第一显示基板DS1和第二显示基板DS2之间。

显示面板DP可以包括多个显示区DA和与显示区DA相邻的非显示区NDA。显示区DA可以透射从第一显示基板DS1下方提供的光(例如，由背光单元产生的光)，非显示区NDA可以阻挡由背光单元产生的光。

图3是图2中示出的像素PX的示例性平面图。图4是沿图1的线A-A'和图3的线B-B'截取的剖视图。

参照图1至图4，第一显示基板DS1可以包括第一基体基板SUB1、第一偏振构件PL1、基体绝缘层BLA和像素阵列层PXA。

在下文中将描述第一显示基板DS1。

第一基体基板SUB1可以包括绝缘基板。绝缘基板可以是透明的。这里，当绝缘基板是透明的时，它可以是100％透明的或足以满足设计要求中规定的透射率水平的半透明的。例如，第一基体基板SUB1可以是玻璃基板、石英基板或透明树脂基板。另外，第一基体基板SUB1可以包括具有高热阻的聚合物或塑料。在一些示例性实施例中，第一基体基板SUB1可以具有柔性。也就是说，第一基体基板SUB1可以是可卷曲、可折叠或可弯曲的可变形基板。在一些示例性实施例中，第一基体基板SUB1可由绝缘基板和堆叠在绝缘基板上的层(例如，绝缘层)组成。第一基体基板SUB1从显示面板DP的角度来说可以包括显示区DA和非显示区NDA，从母基板MS的角度来说可以包括面板区CA(均具有显示区DA和非显示区NDA)、对齐键区KA和围绕区SA。

第一偏振构件PL1可以位于第一基体基板SUB1的表面上。第一偏振构件PL1可以包括反射部RP和偏振部PP。

偏振部PP可以位于第一基体基板SUB1的显示区DA中。偏振部PP可以使透射穿过第一基体基板SUB1的光偏振，并且包括多个栅格图案(grid pattern)(未示出)。栅格图案可以沿着一个方向规则地且彼此平行地布置。栅格图案可以以比可见光的波长短的周期排列。在示例中，栅格图案可以以大约400nm或更小的周期排列。具体地，栅格图案的排列周期可以是大约200nm或更小，例如，100nm或更小。栅格图案沿其排列的方向可以是与随后将描述的栅极线GL平行、垂直或倾斜的方向。光传播的同时在不规则的且与光的传播方向垂直的方向上振荡。入射到栅格图案上的光中，在与栅格图案延伸的方向垂直的方向上振荡的部分穿过偏振部PP，其它部分可以被栅格图案反射。也就是说，只有P-偏振光透射穿过栅格图案，而S-偏振光被栅格图案反射。因此，只有P-偏振光向上传播。

反射部RP可以位于第一基体基板SUB1的非显示区NDA中。其中可以定位有反射部RP的区域可以对应于其中可以形成有光阻挡构件BM的区域。反射部RP可以包括反射光的反射图案(未示出)。使用反射图案，反射部RP可以使光再循环，从而提高光效率。

例如，被反射部RP的反射图案反射的光可以被包括在反射部的RP下方的背光单元(未示出)中的反射板再次反射。因此，光可以再次进入第一偏振构件PL1。该过程可以重复。也就是说，反射部RP的反射图案可以反射入射到非显示区NDA上的光，从而入射光可以被再次利用。因此，可以增加重新进入显示区DA的光量，进而提高第一偏振构件PL1的光利用效率。

由偏振部PP反射的S-偏振光可以通过包括在偏振部PP下方的背光单元(未示出)中的导光板(LGP)散射。S-偏振光的偏振以这种方式偏移之后，光可以由包括在背光单元中的反射板再次反射。因此，光可以再次进入第一偏振构件PL1。该过程可以重复。因此，可以进一步改善第一偏振构件PL1的光效率，改善的光效率可以降低功耗和/或提高亮度。

随后将更加详细地描述第一偏振构件PL1。

基体绝缘层BLA可以位于第一偏振构件PL1上。基体绝缘层BLA可以由绝缘材料制成并覆盖整个第一偏振构件PL1。

像素阵列层PXA可以位于基体绝缘层BLA上。像素阵列层PXA可以包括栅极线GL、数据线DL、与反射部RP叠置的薄膜晶体管TFT以及与偏振部PP叠置的像素电极PE。像素阵列层PXA还可以包括共电压线CL、第一绝缘层ILA、第二绝缘层PA和共电极CE。

栅极线GL、共电压线CL和薄膜晶体管TFT的栅电极GE可以位于基体绝缘层BLA上。

栅极线GL可以传递栅极信号并且基本上沿第一方向DR1延伸。栅电极GE可以从栅极线GL突出并且可以连接到栅极线GL。栅电极GE和栅极线GL可以由相同的材料制成并且具有相同的层结构。栅极线GL和栅电极GE可以由诸如铝(Al)或铝合金的铝基金属、诸如银(Ag)或银合金的银基金属、诸如铜(Cu)或铜合金的铜基金属、诸如钼(Mo)或钼合金的钼基金属、铬(Cr)、钛(Ti)或钽(Ta)制成。另外，栅极线GL和栅电极GE可以具有单层结构或由具备不同物理特性的至少两个导电层组成的多层结构。

共电压线CL可以由与栅极线GL的材料相同的材料制成，并且具有与栅极线GL相同的层结构。栅极绝缘层GI可以位于共电压线CL、栅极线GL和栅电极GE上。栅极绝缘层GI可以由绝缘材料制成。在示例中，栅极绝缘层GI可以由诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料制成。栅极绝缘层GI可以具有单层结构或由具备不同物理特性的至少两个绝缘层组成的多层结构。

薄膜晶体管TFT的半导体层SM可以位于栅极绝缘层GI上，半导体层SM的至少一部分可以与栅电极GE叠置。半导体层SM可以包括非晶硅、多晶硅或氧化物半导体。

数据线DL、薄膜晶体管TFT的源电极SE和薄膜晶体管TFT的漏电极DE可以位于栅极绝缘层GI上。数据线DL可以传递数据电压并且基本上在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上延伸以与栅极线GL交叉。

源电极SE可以连接到数据线DL并且可以从数据线DL突出到栅电极GE上。

漏电极DE可以与源电极SE分开。漏电极DE和源电极SE可以接触半导体层SM，并且漏电极DE和源电极SE中的每个的至少一部分可以与半导体层SM叠置。

数据线DL、源电极SE和漏电极DE中的每个可以由铝、铜、银、钼、铬、钛、钽或这些金属的合金制成。另外，数据线DL、源电极SE和漏电极DE中的每个可以具有由下层(未示出)和上层(未示出)组成的多层结构，所述下层由难熔金属制成，所述上层由具备低电阻系数的材料制成。

栅电极GE、源电极SE和漏电极DE可以与半导体层SM一起形成一个开关器件，即，一个薄膜晶体管TFT。该薄膜晶体管TFT可以与非显示区NDA和反射部RP叠置。

第一绝缘层ILA可以位于栅极绝缘层GI、半导体层SM、源电极SE和漏电极DE上。第一绝缘层ILA可以由有机绝缘材料或无机绝缘材料制成。在一些实施例中，第一绝缘层ILA可以提供平坦的表面。

共电极CE可以设置在第一绝缘层ILA上。共电极CE可以由诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)或者掺杂有铝的锌氧化物(AZO)的透明导电材料制成。共电极CE可以通过穿透栅极绝缘层GI和第一绝缘层ILA的第一孔CH1连接到共电压线CL，但是本公开不限于此。在另一个实施例中，根据像素PX的操作模式，共电极CE可以位于第二基体基板SUB2上。

第二绝缘层PA可以位于第一绝缘层ILA上以覆盖共电极CE。第二绝缘层PA可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料。

像素电极PE可以设置在第二绝缘层PA上以与共电极CE叠置。大多数像素电极PE可以与显示区DA叠置。像素电极PE可以与偏振部PP或偏振部PP的栅格图案叠置。像素电极PE可以通过穿透第一绝缘层ILA和第二绝缘层PA的第二孔CH2连接到漏电极DE。像素电极PE可以由诸如ITO、IZO、ITZO或AZO的透明导电材料制成。

像素电极PE可以包括多个狭缝SLT。在示例性实施例中，像素电极PE包括第一水平部PE1、可以与第一水平部PE1分开的第二水平部PE2以及连接第一水平部PE1和第二水平部PE2的多个垂直部PE3。狭缝SLT可以位于垂直部PE3之间。然而，像素电极PE的形状不限于以上示例，并且可以被改变成各种形状。此外，在一些其它实施例中，狭缝SLT可以不形成在像素电极PE中，而是形成在共电极CE中。

虽然未在附图中示出，但是取向层可以位于像素电极PE和第二绝缘层PA上。取向层可以是水平取向层，并具有固定的摩擦方向。然而，本公开不限于此，取向层还可以包括光反应性材料以便光取向。

将在下文中描述第二显示基板DS2。

第二显示基板DS2可以包括第二基体基板SUB2、光阻挡构件BM和滤色器CF。

与第一基体基板SUB1相似，第二基体基板SUB2可以是透明绝缘基板。另外，第二基体基板SUB2可以包括具有高热阻的聚合物或塑料。在一些实施例中，第二基体基板SUB2可以是柔性的。

光阻挡构件BM可以位于第二基体基板SUB2和液晶层LC之间，更具体地，位于第二基体基板SUB2的面向第一基体基板SUB1的表面上。光阻挡构件BM可以位于第二基体基板SUB2的表面上以与非显示区NDA叠置。当从上方观察时，光阻挡构件BM可以覆盖非显示区NDA。在一些实施例中，非显示区NDA可以限定为第一基体基板SUB1的与光阻挡构件BM叠置的区域，显示区DA可以限定为第一基体基板SUB1的其中没有设置光阻挡构件BM的区域。然而，本公开不限于此，与光阻挡构件BM叠置的区域和非显示区NDA也可以至少部分地不同。在一些实施例中，光阻挡构件BM可以与薄膜晶体管TFT部分地或完全地叠置，并且还可以与栅极线GL和数据线DL叠置。

滤色器CF可以设置在第二基体基板SUB2的表面上以与显示区DA叠置，并且当从上方观察时可以覆盖显示区DA。滤色器CF可以显示三原色(即，红色、绿色和蓝色)之一。然而，可以通过滤色器CF显示的颜色不限于红色、绿色和蓝色的三原色。也就是说，滤色器CF还可以显示青色、品红色，黄色和白色中的任意一种。在一些实施例中，滤色器CF可以与像素电极PE部分地或完全地叠置。

第二偏振构件PL2可以位于第二基体基板SUB2上。在一些实施例中，第二偏振构件PL2可以位于第二基体基板SUB2的另一个表面上。第二偏振构件PL2可以是可伸展的偏振膜。所述可伸展的偏振膜可以包括可以吸附碘化合物或二色性偏振材料并且可以在一个方向上伸展的聚乙烯醇(PVA)类偏振片和保护所述偏振片的三乙酰纤维素保护膜。

虽然未在附图中示出，但是取向层可以位于光阻挡构件BM和滤色器CF上。取向层可以是水平取向层，并具有固定的摩擦方向。然而，本公开不限于此，取向层还可以包括光反应性材料以便光取向。

液晶层LC可以位于第一显示基板DS1和第二显示基板DS2之间，并且包括具有介电各向异性的液晶分子。当栅极信号传输到栅极线GL时，薄膜晶体管TFT可以响应于栅极信号而导通。另外，施加到数据线DL的数据电压可以经由漏电极DE传递到像素电极PE。此外，共电极CE通过共电压线CL接收共电压。因此，可以在像素电极PE和共电极CE之间形成电场。电场使液晶层LC的液晶分子在第一显示基板DS1和第二显示基板DS2之间沿特定的方向旋转，从而透射或阻挡光。这里，当液晶分子旋转时，不仅液晶分子可以大幅地旋转，而且液晶分子的取向可以通过电场而改变。

对齐键ALK可以设置在第一基体基板SUB1上，以与第一对齐键区KAI对应。对齐键ALK可以用作将第一显示基板DS1和第二显示基板DS2彼此对齐的基础。例如，对齐键ALK可以使反射部RP能够与非显示区NDA或光阻挡构件BM更加准确地对齐，可以使偏振部PP能够与显示区DA或滤色器CF更加准确地对齐。

图5是图4的Q1部分和Q2部分的放大剖视图。图5的线AI-AI'和BI-BI'分别是图4的线A-A'和B-B'的一部分。

参考图4和图5，第一偏振构件PL1的反射部RP可以与非显示区NDA叠置，并且包括位于第一基体基板SUB1的表面SUB1a上的反射图案RPT。反射图案RPT可以由具有高反射率的第一材料制成。在示例中，反射图案RPT可以由铝、金、银、铜、铬、铁、镍、钼以及这些金属的合金中的一种制成。在一些实施例中，反射图案RPT可以由上述金属中具有相对高的反射率的铝制成。

第一残留掩模图案MPT1可以位于反射图案RPT上。第一残留掩模图案MPT1可以是在制造过程中形成的硬掩模层的残留图案。第一残留掩模图案MPT1可以包括诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料。

第一偏振构件PL1的偏振部PP可以与显示区DA叠置，并且包括位于第一基体基板SUB1的表面SUB1a上的下栅格图案WGP1和位于下栅格图案WGP1上的上栅格图案WGP2。下栅格图案WGP1可以由具有高反射率的材料制成。具体地，下栅格图案WGP1可以由与反射图案RPT的材料相同的材料(即，第一材料)制成。如果从第一基体基板SUB1的表面SUB1a到反射图案RPT的上表面的高度可以是第一高度H1，那么从第一基体基板SUB1的表面SUB1a到每个下栅格图案WGP1的上表面的高度可以等于第一高度H1。这里，当从第一基体基板SUB1的表面SUB1a到每个下栅格图案WGP1的上表面的高度可以等于第一高度H1时，高度的物理值可以相等，或者物理值之间的任何差异可以在根据工艺裕度确定的范围内。

上栅格图案WGP2可以位于下栅格图案WGP1上。上栅格图案WGP2可以由具有高反射率的第二材料制成。在示例中，第二材料可以是铝、金、银、铜、铬、铁、镍、钼、钛和这些金属的合金中的任意一种。在示例中，当第一材料是铝时，第二材料可以是钼、钛和这些金属的合金中的任意一种。

在一些实施例中，形成上栅格图案WGP2的第二材料可以与形成下栅格图案WGP1的第一材料不同。在一些实施例中，形成下栅格图案WGP1和反射图案RPT的第一材料的蚀刻速率可以与形成上栅格图案WGP2的第二材料的蚀刻速率不同。例如，在第一条件下，第一材料的蚀刻速率可以比第二材料的蚀刻速率高。假设第一材料的蚀刻速率是第二材料的蚀刻速率的两倍以上，那么在第一条件下执行的蚀刻工艺中，第一材料的蚀刻速度可以高达第二材料的蚀刻速度的两倍以上。第一材料的蚀刻速率可以是第二材料的蚀刻速率的数十倍至数百倍。也就是说，在第一条件下，对于第一蚀刻剂，第一材料的蚀刻速度可以是第二材料的蚀刻速度的数十倍至数百倍。换句话说，在第一条件下，第二材料的蚀刻速度可以显著地低于第一材料的蚀刻速度。

相似地，在不同于第一条件的第二条件下，第二材料的蚀刻速率可以高于第一材料的蚀刻速率。也就是说，在第二条件下，对于第二蚀刻剂，第二材料的蚀刻速度可以是第一材料的蚀刻速度的数十倍至数百倍。换句话说，在第二条件下，第一材料的蚀刻速度可以显著地低于第二材料的蚀刻速度。在示例性实施例中，第一条件和第二条件之间的差异可以是蚀刻剂。

从第一基体基板SUB1的表面SUB1a到每个上栅格图案WGP2的上表面的第二高度H2可以大于第一高度H1。换句话说，反射图案RPT的上表面可以低于每个上栅格图案WGP2的上表面。

残留掩模栅格图案MGP可以位于上栅格图案WGP2上。与第一残留掩模图案MPT1相似，残留掩模栅格图案MGP可以是在制造过程中形成的硬掩模层的残留图案。残留掩模栅格图案MGP可以包括与第一残留掩模图案MPT1的材料相同的材料。

对齐键ALK可以与第一对齐键区KAI叠置，并且包括位于第一基体基板SUB1的表面SUB1a上的下对齐键图案APT1和位于下对齐键图案APT1上的上对齐键图案APT2。

下对齐键图案APT1可以由具有高反射率的材料制成。具体地，下对齐键图案APT1可以由与反射图案RPT和下栅格图案WGP1的材料相同的材料(即，第一材料)制成。从第一基体基板SUB1的表面SUB1a到下对齐键图案APT1的上表面的高度可以等于第一高度H1。也就是说，下对齐键图案APT1的高度、反射图案RPT的高度和每个下栅格图案WGP1的高度可以相等。

上对齐键图案APT2可以位于下对齐键图案APT1上。上对齐键图案APT2可以由与上栅格图案WGP2的材料相同的材料(即，第二材料)制成。

从第一基体基板SUB1的表面SUB1a到上对齐键图案APT2的上表面的第三高度H3可以大于第一高度H1。换句话说，反射图案RPT的上表面可以比上对齐键图案APT2的上表面低。另外，第三高度H3可以等于第二高度H2。也就是说，从第一基体基板SUB1的表面SUB1a到上对齐键图案APT2的上表面的高度可以等于从第一基体基板SUB1的表面SUB1a到每个上栅格图案WGP2的上表面的高度。

第二残留掩模图案MPT2可以位于上对齐键图案APT2上，第二残留掩模图案MPT2的部分可以延伸到围绕区SA。与第一残留掩模图案MPT1和残留掩模栅格图案MGP相似，第二残留掩模图案MPT2可以是在制造过程中形成的硬掩模层的残留图案。第二残留掩模图案MPT2可以包括与第一残留掩模图案MPT1和残留掩模栅格图案MGP的材料相同的材料。

图6是图5中示出的第一偏振构件PL1和对齐键ALK的修改的实施例的剖视图。

参照图5和图6，根据当前实施例的第一偏振构件PL1a包括反射部RPa和偏振部PPa。第一偏振构件PL1a可以与图5的第一偏振构件PL1在以下方面不同：在反射部RPa的反射图案RPT上不存在第一残留掩模图案MPT1、在偏振部PPa的上栅格图案WGP2上不存在残留掩模栅格图案MGP以及在对齐键ALK上没有额外地存在第二残留掩模图案MPT2。其它元件可以与上面参照图5描述的元件基本上相同，因此省略对其的详细描述。

图7是图5中示出的第一偏振构件PL1和对齐键ALK的另一个实施例的剖视图。

参照图5和图7，根据当前实施例的第一偏振构件PL1b包括反射部RPb和偏振部PPb。第一偏振构件PL1b的反射部RPb可以与非显示区NDA叠置并且包括位于第一基体基板SUB1的表面SUB1a上的下反射图案RPT1和位于下反射图案RPT1上的上反射图案RPT2。下反射图案RPT1可以包括上面参照图5描述的第一材料，上反射图案RPT2可以包括上面参照图5描述的第二材料。

作为硬掩模层的残留图案的第一残留掩模栅格图案MGP1可以位于上反射图案RPT2上。与随后将描述的下栅格图案WGP1相似，第一残留掩模栅格图案MGP1可以以栅形状布置。

第一偏振构件PL1b的偏振部PPb可以与显示区DA叠置，并且包括位于第一基体基板SUB1的表面SUB1a上的下栅格图案WGP1。也就是说，不同于图5的偏振部PP，根据当前实施例的偏振部PPb可以不具有位于下栅格图案WGP1上的上栅格图案WGP2(见图5)。下栅格图案WGP1可以由具有高反射率的材料制成。具体地，下栅格图案WGP1可以由与下反射图案RPT1的材料相同的材料(即，第一材料)制成。从第一基体基板SUB1的表面SUB1a到上反射图案RPT2的上表面的第一高度H1'可以大于从第一基体基板SUB1的表面SUB1a到下栅格图案WGP1的上表面的第二高度H2'。此外，从第一基体基板SUB1的表面SUB1a到下反射图案RPT1的上表面的高度可以小于从第一基体基板SUB1的表面SUB1a到上反射图案RPT2的上表面的第一高度H1'。

第二残留掩模栅格图案MGP2可以位于下栅格图案WGP1上。具体地，第二残留掩模栅格图案MGP2可以直接位于下栅格图案WGP1上。与第一残留掩模栅格图案MGP1相似，第二残留掩模栅格图案MGP2可以是在制造过程中形成的硬掩模层的残留图案。第二残留掩模栅格图案MGP2可以包括与第一残留掩模栅格图案MGP1的材料相同的材料。

对齐键ALK可以与第一对齐键区KAI叠置并且包括位于第一基体基板SUB1的表面SUB1a上的下对齐键图案APT1和位于下对齐键图案APT1上的上对齐键图案APT2。

下对齐键图案APT1可以由具有高反射率的材料制成。具体地，下对齐键图案APT1可以由与下反射图案RPT1和下栅格图案WGP1的材料相同的材料(即，第一材料)制成。从第一基体基板SUB1的表面SUB1a到下对齐键图案APT1的上表面的高度可以等于第二高度H2'。也就是说，下对齐键图案APT1的高度、下反射图案RPT1的高度和下栅格图案WGP1的高度可以相等。

上对齐键图案APT2可以位于下对齐键图案APT1上。上对齐键图案APT2可以由与上反射图案RPT2的材料相同的材料(即，第二材料)制成。

从第一基体基板SUB1的表面SUB1a到上对齐键图案APT2的上表面的第三高度H3可以大于第二高度H2'。换句话说，下栅格图案WGP1的上表面可以定位成低于上对齐键图案APT2的上表面。另外，第三高度H3可以等于第一高度H1'。也就是说，从第一基体基板SUB1的表面SUB1a到上对齐键图案APT2的上表面的高度可以等于从第一基体基板SUB1的表面SUB1a到上反射图案RPT2的上表面的高度。

残留掩模图案MPT可以位于上对齐键图案APT2上，残留掩模图案MPT的部分可以延伸到围绕区SA。与第一残留掩模栅格图案MGP1和第二残留掩模栅格图案MGP2相似，残留掩模图案MPT可以是在制造过程中形成的硬掩模层的残留图案。残留掩模图案MPT可以包括与第一残留掩模栅格图案MGP1和第二残留掩模栅格图案MGP2的材料相同的材料。

图8是图7中示出的第一偏振构件PL1b和对齐键ALK的修改的实施例的剖视图。

参照图7和图8，根据当前实施例的第一偏振构件PL1c包括反射部RPc和偏振部PPc。根据当前实施例的第一偏振构件PL1c可以与图7的第一偏振构件PL1b在以下方面不同：在反射部RPc的上反射图案RPT2上不存在第一残留掩模栅格图案MGP1、在偏振部PPc的下栅格图案WGP1上不存在第二残留掩模栅格图案MGP2以及在对齐键ALK上没有额外地存在残留掩模图案MPT。其它元件可以与上面参照图7描述的元件基本上相同，因此省略对其的详细描述。

图9至图23是示出制造图5的第一偏振构件PL1和对齐键ALK的示例方法的剖视图。

参考图9至图23，如图9中所示，在第一基体基板SUB1的整个表面上形成包括第一材料的第一材料层210，在第一材料层210上形成包括第二材料的第二材料层230。在示例性实施例中，第一材料可以是铝，第二材料可以是钛、钼或它们的合金。

参照图10，在第二材料层230上形成光致抗蚀剂层710。将在下文中作为示例描述光致抗蚀剂层710是正性光致抗蚀剂的情况，但光致抗蚀剂层710不限于正性光致抗蚀剂。

可以在光致抗蚀剂层710上将掩模M1对齐。掩模M1可以是多色调掩模。在示例中，掩模M1可以是包括掩模基板MSUB、半色调部HF和光阻挡部BL的半色调掩模。

掩模M1可以包括第一区X1、第二区X2和第三区X3。第一区X1可以对应于第一基体基板SUB1的非显示区NDA，第二区X2可以对应于第一基体基板SUB1的显示区DA和第一对齐键区KAI，第三区X3可以对应于第一基体基板SUB1的围绕区SA。

可以将半色调部HF放置在掩模基板MSUB上以对应于第一区X1，可以将光阻挡部BL放置在掩模基板MSUB上以对应于第二区X2。可以不将半色调部HF或光阻挡部BL放置在第三区X3中。因此，第一区X1的透光率可以小于第三区X3的透光率，并且光可以不透射穿过第二区X2。

接下来，可以使用掩模M1将光致抗蚀剂层710暴露于光。更具体地，当光照射到掩模M1的上表面时，入射在第三区X3上的光中的大部分穿过掩模M1。因此，围绕区SA中的光致抗蚀剂层710可以被完全曝光。另外，由于入射在第一区X1上的光的强度会因半色调部HF减小，所以非显示区NDA中的光致抗蚀剂层710会曝光不足。此外，入射在第二区X2上的光可以被光阻挡部BL阻挡。因此，显示区DA和第一对齐键区KAI中的光致抗蚀剂层710可以不被曝光。这里，当光致抗蚀剂层710被“完全曝光”时，光致抗蚀剂层710可以在厚度方向上暴露于具有超过使光致抗蚀剂完全曝光的最佳曝光能量的能量的光。当光致抗蚀剂层710“曝光不足”时，其可以暴露于具有低于最佳曝光能量的能量的光。

接下来，可以使光致抗蚀剂层710显影，从而如图11中所示，在与非显示区NDA对应的部分中形成第一光致抗蚀剂图案711，在与显示区DA对应的部分中形成第二光致抗蚀剂图案713，在与第一对齐键区KAI对应的区域中形成第三光致抗蚀剂图案715。另外，没有光致抗蚀剂图案会形成在与围绕区SA对应的区域中。因此，位于围绕区SA中的第二材料层230的上表面可以被暴露而不被光致抗蚀剂图案覆盖。

如上所述，可以通过使光致抗蚀剂层710曝光不足来形成第一光致抗蚀剂图案711，通过不使光致抗蚀剂层710曝光来形成第二光致抗蚀剂图案713和第三光致抗蚀剂图案715。因此，第二光致抗蚀剂图案713和第三光致抗蚀剂图案715中每个的厚度TH1可以大于第一光致抗蚀剂图案711的厚度TH2。

参照图12，使用第一光致抗蚀剂图案711、第二光致抗蚀剂图案713和第三光致抗蚀剂图案715作为蚀刻掩模顺序地蚀刻第二材料层230和第一材料层210。因此，去除位于围绕区SA中的第二材料层230和第一材料层210，可以在第一对齐键区KAI中形成对齐键ALK。更具体地，通过蚀刻第一材料层210形成的下对齐键图案APT1和通过蚀刻第二材料层230形成的上对齐键图案APT2设置在第一对齐键区KAI中。

参照图13，可以使用例如灰化工艺去除第一光致抗蚀剂图案711，从而暴露第二材料层230的对应于非显示区NDA的部分。在去除第一光致抗蚀剂图案711的过程中，也可以部分地去除第二光致抗蚀剂图案713和第三光致抗蚀剂图案715。如上所述，第二光致抗蚀剂图案713和第三光致抗蚀剂图案715中每个的厚度TH1可以大于第一光致抗蚀剂图案711的厚度TH2。因此，在去除第一光致抗蚀剂图案711的过程中，可以减小第二光致抗蚀剂图案713和第三光致抗蚀剂图案715中的每个的厚度TH1。这可以导致具有比第二光致抗蚀剂图案713和第三光致抗蚀剂图案715中的每个的厚度小的厚度TH3的第二子光致抗蚀剂图案713a和第三子光致抗蚀剂图案715a的形成。

参照图14，可以使用第二子光致抗蚀剂图案713a和第三子光致抗蚀剂图案715a作为蚀刻掩模来蚀刻第二材料层230。因此，可以去除第二材料层230的与非显示区NDA对应的部分，可以在第二子光致抗蚀剂图案713a和第一材料层210之间形成台阶图案231。如上所述，包括在第二材料层230中的第二材料和包括在第一材料层210中的第一材料可以具有不同的蚀刻速率。因此，在去除第二材料层230的过程中，可以不蚀刻第一材料层210的与非显示区NDA对应的部分。

参照图15，去除第二子光致抗蚀剂图案713a和第三子光致抗蚀剂图案715a。参照图16，可以在第一基体基板SUB1的整个表面上形成硬掩模层250以覆盖第一材料层210、台阶图案231和对齐键ALK。硬掩模层250可以包括诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料。

参照图17，可以在第一基体基板SUB1的整个表面上形成树脂层810以覆盖硬掩模层250。如上所述，台阶图案231可以位于与显示区DA对应的部分中。因此，树脂层810的与非显示区NDA对应的部分可以比树脂层810的与显示区DA对应的部分厚。

参照图18，可以将具有突出和凹进图案PRT的硬印模HST挤压树脂层810的上表面，以将突出和凹进图案PRT的反转图案转印到树脂层810上。这里，在图案转印工艺中硬印模HST可以是刚性的并且几乎不弯曲。

参照图19，可以将硬印模HST与树脂层810分离，然后可以固化树脂层810以形成第一树脂图案811、第二树脂图案813和第三树脂图案815。第一树脂图案811可以包括位于硬掩模层250上的第一底部8111和位于第一底部8111上的多个第一图案8113，第二树脂图案813可以包括位于硬掩模层250上的第二底部8131和位于第二底部8131上的多个第二图案8133。

由于台阶图案231位于与显示区DA对应的部分中，所以树脂层810的与非显示区NDA对应的部分的厚度可以不同于树脂层810的与显示区DA对应的部分的厚度。由于硬印模HST如上所述是刚性的，所以它在图案转印工艺中几乎不弯曲。因此，第一底部8111可以比第二底部8131相对厚。

参照图20，可以使用灰化工艺或干法蚀刻工艺来去除第二树脂图案813的第二底部8131。在去除第二底部8131的过程中，可以减小每个第二图案8133的厚度。因此，可以形成第二子树脂图案813a。第二底部8131的去除可以部分地暴露硬掩模层250的与显示区DA对应的部分，更具体地，可以暴露第二子树脂图案813a之间的硬掩模层250。在去除第二底部8131的过程中，也可以部分地去除第一树脂图案811和第三树脂图案815。如上所述，第一树脂图案811的第一底部8111可以比第二树脂图案813的第二底部8131厚。因此，即使去除了第二底部8131，也可以保留第一底部8111的一部分。因此，通过部分地去除第一树脂图案811形成的第一子树脂图案811a可以设置在与非显示区NDA对应的部分中。第一子树脂图案811a可以包括第一子底部8111a和多个第一子图案8113a。另外，通过部分地去除第三树脂图案815形成的第三子树脂图案815a可以设置在与第一对齐键区KAI和围绕区SA对应的部分中。

参照图21，可以使用第一子树脂图案811a、第二子树脂图案813a和第三子树脂图案815a作为蚀刻掩模来蚀刻硬掩模层250。在示例性实施例中，可以通过干法蚀刻来蚀刻硬掩模层250。因此，可以去除硬掩模层250的没有被第二子树脂图案813a覆盖的部分，导致在与显示区DA对应的部分中形成残留掩模栅格图案MGP，在与非显示区NDA对应的部分中形成第一残留掩模图案MPT1，在对齐键ALK上形成第二残留掩模图案MPT2。

参照图22，可以使用第一子树脂图案811a、第二子树脂图案813a、第三子树脂图案815a、残留掩模栅格图案MGP、第一残留掩模图案MPT1和第二残留掩模图案MPT2作为蚀刻掩模蚀刻台阶图案231。因此，可以去除台阶图案231的没有被第二子树脂图案813a或残留掩模栅格图案MGP覆盖的部分，导致在与显示区DA对应的部分中形成上栅格图案WGP2。

参照图23，可以使用第一子树脂图案811a、第二子树脂图案813a、第三子树脂图案815a、残留掩模栅格图案MGP、第一残留掩模图案MPT1、第二残留掩模图案MPT2和上栅格图案WGP2作为蚀刻掩模蚀刻第一材料层210。因此，可以去除第一材料层210的没有被第二子树脂图案813a、残留掩模栅格图案MGP或上栅格图案WGP2覆盖的部分。因此，通过蚀刻第一材料层210形成的下栅格图案WGP1可以设置在与显示区DA对应的部分中，通过蚀刻第一材料层210形成的下反射图案RPT可以形成在与非显示区NDA对应的部分中。

接下来，可以通过去除第一子树脂图案811a、第二子树脂图案813a和第三子树脂图案815a来形成图5中示出的第一偏振构件PL1和对齐键ALK。另外，可以通过去除第一子树脂图案811a、第二子树脂图案813a和第三子树脂图案815a，并且进一步去除残留掩模栅格图案MGP、第一残留掩模图案MPT1和第二残留掩模图案MPT2来形成图6中示出的第一偏振构件PL1a和对齐键ALK。

图24至图29是示出制造图6的第一偏振构件PL1a和对齐键ALK的示例方法的剖视图。为了简单起见，将简要给出或省略对与以上描述的元件基本上相同的元件的描述。

参照图24，可以在第一基体基板SUB1的整个表面上形成第一材料层210，可以在与显示区DA对应的第一材料层210上形成台阶图案231，可以在与第一对齐键区KAI对应的第一基体基板SUB1上形成对齐键ALK。制造上述元件的工艺可以与上面参照图9至图15所描述的工艺相同，因此将省略对其的描述。

接下来，可以在第一基体基板SUB1的整个表面上形成树脂层810以覆盖第一材料层210、台阶图案231和对齐键ALK。由于台阶图案231，使得树脂层810的与非显示区NDA对应的部分可以大于树脂层810的与显示区DA对应的部分。

参照图25，可以将具有突出和凹进图案PRT的硬印模HST挤压树脂层810的上表面，以将突出和凹进图案PRT的反转图案转印到树脂层810上。

参照图26，可以将硬印模HST与树脂层810分离，然后可以固化树脂层810以形成第一树脂图案811、第二树脂图案813和第三树脂图案815。第一树脂图案811可以包括位于第一材料层210上的第一底部8111和位于第一底部8111上的多个第一图案8113，第二树脂图案813可以包括位于台阶图案231上的第二底部8131和位于第二底部8131上的多个第二图案8133。

参照图27，可以使用灰化工艺或干法蚀刻工艺来去除第二树脂图案813的第二底部8131。因此，可以部分地暴露台阶图案231。在去除第二底部8131的过程中，可以部分地去除第二图案8133以形成第二子树脂图案813a，可以部分地去除第一树脂图案811以形成第一子树脂图案811a，可以部分地去除第三树脂图案815以形成第三子树脂图案815a。第一子树脂图案811a可以包括如上所述的第一子底部8111a和多个第一子图案8113a。

参照图28，可以使用第一子树脂图案811a、第二子树脂图案813a和第三子树脂图案815a作为蚀刻掩模来蚀刻台阶图案231。因此，可以去除台阶图案231的没有被第二子树脂图案813a覆盖的部分，并且可以在与显示区DA对应的部分中形成上栅格图案WGP2。

参照图29，可以使用第一子树脂图案811a、第二子树脂图案813a和第三子树脂图案815a作为蚀刻掩模来蚀刻第一材料层210。因此，可以去除第一材料层210的没有被第二子树脂图案813a或上栅格图案WGP2覆盖的部分。另外，通过蚀刻第一材料层210形成的下栅格图案WGP1可以设置在与显示区DA对应的部分中，通过蚀刻第一材料层210形成的下反射图案RPT可以形成在与非显示区NDA对应的部分中。

接下来，可以去除第一子树脂图案811a、第二子树脂图案813a和第三子树脂图案815a，从而形成图6中示出的第一偏振构件PL1a和对齐键ALK。

图30至图43是示出制造图7的第一偏振构件PL1b和对齐键ALK的示例方法的剖视图。为了简单起见，将简要给出或省略对与以上描述的元件基本上相同的元件的描述。

参照图30至图43，如图30中所示，可以在第一基体基板SUB1的整个表面上形成包括第一材料的第一材料层210，可以在第一材料层210上形成包括第二材料的第二材料层230。

参照图31，可以在第二材料层230上形成光致抗蚀剂层730。光致抗蚀剂层730可以是正性光致抗蚀剂。然而，光致抗蚀剂层730不限于如上所述的正性光致抗蚀剂。

可以在光致抗蚀剂层730上将掩模M2对齐。掩模M2可以是多色调掩模。在示例中，掩模M2可以是包括掩模基板MSUB、半色调部HF和光阻挡部BL的半色调掩模。

掩模M2可以包括第一区Y1、第二区Y2和第三区Y3。第一区Y1可以与第一基体基板SUB1的非显示区NDA和第一对齐键区KAI对应，第二区Y2可以与第一基体基板SUB1的显示区DA对应，第三区Y3可以与第一基体基板SUB1的围绕区SA对应。

可以在掩模基板MSUB上放置半色调部HF以对应于第二区Y2，可以在掩模基板MSUB上放置光阻挡部BL以对应于第一区Y1。可以不在第三区Y3中放置半色调部HF或光阻挡部BL。

接下来，可以使用掩模M2将光致抗蚀剂层730暴露于光。更具体地，当光照射到掩模M2的上表面时，入射在第三区Y3上的光的大部分穿过掩模M2。因此，围绕区SA中的光致抗蚀剂层730可以被完全曝光。另外，因为入射在第二区Y2上的光的强度会因半色调部HF而减小，所以显示区DA中的光致抗蚀剂层730会曝光不足。此外，光阻挡部BL可以阻挡入射在第一区Y1上的光。因此，非显示区NDA和第一对齐键区KAI中的光致抗蚀剂层730可以不被暴露。

接下来，可以使光致抗蚀剂层730显影，从而如图32中所示，在与显示区DA对应的部分中形成第一光致抗蚀剂图案731，在与非显示区NDA对应的部分中形成第二光致抗蚀剂图案733，在与第一对齐键区KAI对应的区域中形成第三光致抗蚀剂图案735。另外，没有光致抗蚀剂图案会形成在与围绕区SA对应的区域中。如上所述，可以通过使光致抗蚀剂层730曝光不足来形成第一光致抗蚀剂图案731，通过使光致抗蚀剂层730不曝光来形成第二光致抗蚀剂图案733和第三光致抗蚀剂图案735。因此第二光致抗蚀剂图案733和第三光致抗蚀剂图案735中的每个的厚度TH5可以大于第一光致抗蚀剂图案731的厚度TH4。

参照图33，使用第一光致抗蚀剂图案731、第二光致抗蚀剂图案733和第三光致抗蚀剂图案735作为蚀刻掩模顺序地蚀刻第二材料层230和第一材料层210。因此，去除位于围绕区SA中的第二材料层230和第一材料层210，可以在第一对齐键区KAI中形成包括下对齐键图案APT1和上对齐键图案APT2的对齐键ALK。

参照图34，可以使用例如灰化工艺去除第一光致抗蚀剂图案731，从而暴露第二材料层230的对应于显示区DA的部分。在去除第一光致抗蚀剂图案731的过程中，可以使第二光致抗蚀剂图案733和第三光致抗蚀剂图案735中的每个的厚度TH5减小。这可以导致比第二光致抗蚀剂图案733和第三光致抗蚀剂图案735薄的第二子光致抗蚀剂图案733a和第三子光致抗蚀剂图案735a的形成。

参照图35，可以使用第二子光致抗蚀剂图案733a和第三子光致抗蚀剂图案735a作为蚀刻掩模来蚀刻第二材料层230。因此，可以去除第二材料层230的与显示区DA对应的部分，可以在第二子光致抗蚀剂图案733a和第一材料层210之间形成上反射图案RPT2。在去除第二材料层230的过程中，可以不蚀刻第一材料层210的与显示区DA对应的部分。

参照图36，去除第二子光致抗蚀剂图案733a和第三子光致抗蚀剂图案735a。参照图37，可以在第一基体基板SUB1的整个表面上形成硬掩模层250以覆盖第一材料层210、上反射图案RPT2和对齐键ALK。硬掩模层250可以包括诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料。

参照图38，可以在第一基体基板SUB1的整个表面上形成树脂层830以覆盖硬掩模层250。上反射图案RPT2可以位于第一材料层210的与非显示区NDA对应的部分上。因此，树脂层830的与显示区DA对应的部分可以比树脂层830的与非显示区NDA对应的部分厚。

参照图39，可以将具有突出和凹进图案PRT的软印模SST挤压树脂层830的上表面，以将突出和凹进图案PRT的反转图案转印到树脂层830上。这里，在图案转印工艺中，软印模SST可以是柔性的并且可以被弯曲或弯折。

参照图40，可以将软印模SST与树脂层830分离，然后可以固化树脂层830以形成第一树脂图案831、第二树脂图案833和第三树脂图案835。第一树脂图案831可以包括位于硬掩模层250上的第一底部8311和位于第一底部8311上的多个第一图案8313，第二树脂图案833可以包括位于硬掩模层250上的第二底部8331和位于第二底部8331上的多个第二图案8333。

由于软印模SST如上所述可以是柔性的，所以它可以在图案转印工艺中被弯曲或弯折。因此，即使由于上反射图案RPT2而在树脂层830下存在台阶差，也可以向树脂层830的与非显示区NDA对应的部分和树脂层830的与显示区DA对应的部分施加均匀的压力。因此，第一底部8311的厚度可以基本上等于或类似于第二底部8331的厚度。

参照图41，可以使用灰化工艺或干法蚀刻工艺来去除第二树脂图案833的第二底部8331。在去除第二底部8331的过程中，可以减小每个第二图案8333的厚度。因此，可以形成第二子树脂图案833a。第二底部8331的去除可以部分地暴露硬掩模层250的与显示区DA对应的部分，更具体地，可以暴露第二子树脂图案833a之间的硬掩模层250。在去除第二底部8331的过程中也可以部分地去除第一树脂图案831和第三树脂图案835。如上所述，第一树脂图案831的第一底部8311的厚度可基本上等于第二树脂图案833的第二底部8331的厚度。因此，当可以去除第二底部8331时，也可以去除第一底部8311。因此，可以在与非显示区NDA对应的部分中设置通过部分地去除第一图案8313形成的第一子树脂图案831a。因此，可以部分地暴露硬掩模层250的与非显示区NDA对应的部分。更具体地，可以暴露位于第一子树脂图案831a之间的硬掩模层250。另外，可以在与第一对齐键区KAI和围绕区SA对应的部分中设置通过部分地去除第三树脂图案835形成的第三子树脂图案835a。

参照图42，可以使用第一子树脂图案831a、第二子树脂图案833a和第三子树脂图案835a作为蚀刻掩模来蚀刻硬掩模层250。因此，可以去除硬掩模层250的没有被第一子树脂图案831a和第二子树脂图案833a覆盖的部分，导致在上反射图案RPT2上形成第一残留掩模栅格图案MGP1并且在与显示区DA对应的第一材料层210上形成第二残留掩模栅格图案MGP2。另外，可以在对齐键ALK上形成残留掩模图案MPT。

参照图43，可以利用上反射图案RPT2、第二子树脂图案833a、第三子树脂图案835a和第二残留掩模栅格图案MGP2作为蚀刻掩模来蚀刻第一材料层210。因此，可以在第一材料层210的可以被上反射图案RPT2覆盖的部分中形成下反射图案RPT1，可以在第一材料层210的被第二子树脂图案833a或第二残留掩模栅格图案MGP2覆盖的部分中形成下栅格图案WGP1。如上所述，包括在上反射图案RPT2中的第二材料和包括在第一材料层210中的第一材料可以具有不同的蚀刻速率。因此，上反射图案RPT2可以在蚀刻第一材料层210的过程中用作掩模。

接下来，可以通过去除第一子树脂图案831a、第二子树脂图案833a和第三子树脂图案835a来形成图7中示出的第一偏振构件PL1b和对齐键ALK。另外，可以通过去除第一子树脂图案831a、第二子树脂图案833a和第三子树脂图案835a，并且进一步去除第一残留掩模栅格图案MGP1、第二残留掩模栅格图案MGP2和残留掩模图案MPT来形成图8中示出的第一偏振构件PL1c和对齐键ALK。

图44至图48是示出制造图8的第一偏振构件PL1c和对齐键ALK的示例方法的剖视图。为了简单起见，将简要给出或省略对与以上描述的元件基本上相同的元件的描述。

参照图44，可以在第一基体基板SUB1的整个表面上形成第一材料层210，可以在与非显示区NDA对应的第一材料层210上形成上反射图案RPT2，可以在与第一对齐键区KAI对应的第一基体基板SUB1上形成对齐键ALK。制造上述元件的工艺可以与上面参照图30至图36所描述的工艺相同，因此将省略对其的描述。

接下来，可以在第一基体基板SUB1的整个表面上形成树脂层830以覆盖第一材料层210、上反射图案RPT2和对齐键ALK。由于上反射图案RPT2，树脂层830的与显示区DA对应的部分可以大于树脂层830的与非显示区NDA对应的部分。

参照图45，可以将具有突出和凹进图案PRT的软印模SST挤压树脂层830的上表面，以将突出和凹进图案PRT的反转图案转印到树脂层830上。

参照图46，可以将软印模SST与树脂层830分离，然后可以固化树脂层830以形成第一树脂图案831、第二树脂图案833和第三树脂图案835。第一树脂图案831可以包括位于上反射图案RPT2上的第一底部8311和位于第一底部8311上的多个第一图案8313，第二树脂图案833可以包括位于第一材料层210上的第二底部8331和位于第二底部8331上的多个第二图案8333。

参照图47，可以使用灰化工艺或干法蚀刻工艺来去除第二树脂图案833的第二底部8331。因此，可以部分地暴露第一材料层210。在去除第二底部8331的过程中，可以部分地去除第二图案8333以形成第二子树脂图案833a，可以部分地去除第一树脂图案831以形成第一子树脂图案831a，可以部分地去除第三树脂图案835以形成第三子树脂图案835a。由于可以部分地去除第一树脂图案831，所以也可以部分地暴露上反射图案RPT2。

参照图48，可以使用上反射图案RPT2、第二子树脂图案833a和第三子树脂图案835a作为蚀刻掩模来蚀刻第一材料层210。因此，可以在第一材料层210的可以被上反射图案RPT2覆盖的部分中形成下反射图案RPT1，并且可以在第一材料层210的被第二子树脂图案813a覆盖的部分中形成下栅格图案WGP1。

根据上述制造方法，在制造显示面板的工艺中，可以使用一个掩模形成第一偏振构件的反射部和偏振部。因此，可以减少制造过程中使用的掩模的数量。另外，根据制造方法，在制造用于显示面板的母基板的工艺中，可以使用一个掩模来形成对齐键以及包括反射部和偏振部的第一偏振构件。因此，可以减少在制造用于显示面板的母基板的过程中使用的掩模的数量。

此外，如果在制造工艺中可以不形成硬掩模层，则可以简化制造工艺。

图49是图4的修改的实施例的剖视图。为了简单起见，将省略对上面描述的元件的多余描述，将在下文中主要集中于与图4的实施例的不同来描述当前修改的实施例。

参照图1至图3和图49，第一显示基板DS1a可以包括第一基体基板SUB1、第一偏振构件PL11和像素阵列层PXA。为了简单起见，将省略对上面描述的元件的多余描述，将在下文中主要集中于与图4的实施例的不同来描述当前修改的实施例。

首先，将描述第一显示基板DS1a。

像素阵列层PXA可以位于第一基体基板SUB1的表面上。

第一偏振构件PL11可以位于第一基体基板SUB1的可以与第一基体基板SUB1的上述表面相对的另一表面上。第一偏振构件PL11可以是可伸展的偏振膜。所述可伸展的偏振膜可以包括可以吸附碘化合物或二色性偏振材料并且可以在一个方向上伸展的PVA类偏振片和保护所述偏振片的三乙酰纤维素保护膜。

第一显示基板DS1a的其它元件与上面参照图1至图4所描述的元件相同或类似，因此省略对其的描述。

接下来，将描述第二显示基板DS2a。

第二显示基板DS2a可以包括第二基体基板SUB2、第二偏振构件PL22、基体绝缘层BA、光阻挡构件BM和滤色器CF。

第二偏振构件PL22可以位于第二基体基板SUB2的表面上并且包括反射部RP2和偏振部PP2。

偏振部PP2可以与第一基体基板SUB1的显示区DA叠置，反射部RP2可以与第一基体基板SUB1的非显示区NDA叠置。第二偏振构件PL22的具体结构可以与图5的第一偏振构件PL1的结构或图6的第一偏振构件PL1a的结构基本上相同。例如，第二偏振构件PL22的反射部RP2的结构可以与上面参照图5描述的反射部RP的结构或上面参照图6描述的反射部RPa的结构基本上相同。另外，第二偏振构件PL22的偏振部PP2的结构可以与上面参照图5描述的偏振部PP的结构或上面参照图6描述的偏振部PPa的结构基本上相同。因此，将省略第二偏振构件PL22的反射部RP2和偏振部PP2的结构的详细描述。

基体绝缘层BA可以位于第二偏振构件PL22上。基体绝缘层BA可以由绝缘材料制成并且覆盖整个第二偏振构件PL22。在一些实施例中，可以省略基体绝缘层BA。

光阻挡构件BM和滤色器CF可以位于基体绝缘层BA上。在一些实施例中，如果可以省略基体绝缘层BA，那么光阻挡构件BM和滤色器CF可以位于第二偏振构件PL22上。

对齐键ALK2可以设置在第二基体基板SUB2的表面上，以对应于第一对齐键区KAI。从显示面板DP的角度来看，对齐键ALK2可以作为使第一显示基板DS1a和第二显示基板DS2a彼此对齐的基础。

图50是图4的另一个修改的实施例的剖视图。

参照图1至图3和图50，第一显示基板DS1可以包括如上参照图4所描述的第一基体基板SUB1、第一偏振构件PL1、基体绝缘层BLA和像素阵列层PXA。

第二显示基板DS2a可以包括如上参照图49所描述的第二基体基板SUB2、第二偏振构件PL22、基体绝缘层BA、光阻挡构件BM和滤色器CF。第一显示基板DS1的详细描述可以与图4中示出的第一显示基板DS1的描述相同，第二显示基板DS2a的详细描述可以与图49中示出的第二显示基板DS2a的描述相同。因此，将省略第一显示基板DS1和第二显示基板DS2a的详细描述。

对齐键ALK可以设置在第一基体基板SUB1的表面上，以对应于第一对齐键区KAI。另外，对齐键ALK2可以设置在第二基体基板SUB2的表面上，以对应于第一对齐键区KAI。从显示面板DP的角度来看，对齐键ALK2和对齐键ALK可以用作使第一显示基板DS1和第二显示基板DS2a彼此对齐的基础。

根据本公开的实施例，可以提供可以减少在制造过程中使用的掩模的数量的显示面板和用于显示面板的母基板。

然而，本公开的效果不限于这里所阐述的效果。通过参照权利要求，本公开的上述和其他效果对于本公开所属领域的普通技术人员来说将变得更加明显。

虽然为了说明的目的已经公开了本公开的示例性实施例，但是实施例仅是示例，而不限制本公开。本领域技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求中所公开的本公开的范围和精神的情况下，各种修改和应用是可能的。例如，可以多方面地修改和实施本公开的实施例中说明的每个元件。此外，与这些修改和应用有关的差异应当被解释为包括在由权利要求限定的本公开的范围内。

Claims (20)

1.一种显示面板，所述显示面板包括：

基体基板，包括显示区和非显示区；

偏振构件，设置在所述基体基板的表面上，并且包括与所述显示区叠置的多个栅格图案和与所述非显示区叠置的反射图案；以及

像素阵列层，与所述偏振构件叠置并且与所述偏振构件绝缘，

其中，从所述基体基板的所述表面到所述反射图案的上表面的第一高度与从所述基体基板的所述表面到所述栅格图案的上表面的第二高度不同。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第二高度大于所述第一高度。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述栅格图案包括：

下栅格图案，设置在所述基体基板的所述表面上并且包括与所述反射图案的材料相同的第一材料，以及

上栅格图案，设置在所述下栅格图案上并且包括与所述第一材料不同的第二材料。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，从所述基体基板的所述表面到所述下栅格图案的上表面的高度等于所述第一高度。

5.根据权利要求3所述的显示面板，所述显示面板还包括：

残留掩模图案，设置在所述反射图案上；以及

残留掩模栅格图案，设置在所述上栅格图案上。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一高度大于所述第二高度。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其中，所述反射图案包括：

下反射图案，设置在所述基体基板的所述表面上并且包括与所述栅格图案的材料相同的第一材料，以及

上反射图案，设置在所述下反射图案上并且包括与所述第一材料不同的第二材料。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其中，从所述基体基板的所述表面到所述下反射图案的上表面的高度等于所述第二高度。

9.根据权利要求7所述的显示面板，所述显示面板还包括：

第一残留掩模栅格图案，设置在所述上反射图案上；以及

第二残留掩模栅格图案，设置在所述栅格图案上。

10.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述像素阵列层包括：

薄膜晶体管，与所述反射图案叠置，以及

像素电极，电连接到所述薄膜晶体管并且与所述栅格图案叠置。

11.根据权利要求10所述的显示面板，其中，所述偏振构件设置在所述基体基板和所述像素阵列层之间。

12.一种用于显示面板的母基板，所述母基板包括：

基体基板，包括具有显示区和非显示区的面板区、对齐键区以及所述面板区和所述对齐键区的围绕区；以及

偏振构件，设置在所述基体基板的表面上并且包括与所述显示区叠置的多个栅格图案、与所述非显示区叠置的反射图案以及与所述对齐键区叠置的对齐键，

其中，从所述基体基板的所述表面到所述反射图案的上表面的第一高度与从所述基体基板的所述表面到所述栅格图案的上表面的第二高度不同，从所述基体基板的所述表面到所述对齐键的上表面的第三高度等于所述第一高度或所述第二高度。

13.根据权利要求12所述的母基板，其中，所述第二高度大于所述第一高度，所述第三高度等于所述第二高度。

14.根据权利要求13所述的母基板，其中，所述栅格图案包括：

下栅格图案，设置在所述基体基板的所述表面上并且包括与所述反射图案的材料相同的第一材料，以及

上栅格图案，设置在所述下栅格图案上并且包括与所述第一材料不同的第二材料；

所述对齐键包括：下对齐键图案，设置在所述基体基板的所述表面上并且包括所述第一材料；以及上对齐键图案，设置在所述下对齐键图案上并且包括所述第二材料。

15.根据权利要求14所述的母基板，其中，从所述基体基板的所述表面到所述下对齐键图案的上表面的高度等于所述第一高度。

16.根据权利要求14所述的母基板，所述母基板还包括：

第一残留掩模图案，设置在所述反射图案上；

残留掩模栅格图案，设置在所述上栅格图案上；以及

第二残留掩模图案，设置在所述上对齐键图案上。

17.根据权利要求12所述的母基板，其中，所述第一高度大于所述第二高度，所述第三高度等于所述第一高度。

18.根据权利要求17所述的母基板，其中，所述反射图案包括：

下反射图案，设置在所述基体基板的所述表面上并且包括与所述栅格图案的材料相同的第一材料，以及

上反射图案，设置在所述下反射图案上并且包括与所述第一材料不同的第二材料；

所述对齐键包括：下对齐键图案，设置在所述基体基板的所述表面上并且包括所述第一材料；以及上对齐键图案，设置在所述下对齐键图案上并且包括所述第二材料。

19.根据权利要求18所述的母基板，其中，从所述基体基板的所述表面到所述下对齐键图案的上表面的高度等于所述第二高度。

20.根据权利要求18所述的母基板，所述母基板还包括：

第一残留掩模栅格图案，设置在所述上反射图案上；

第二残留掩模栅格图案，设置在所述栅格图案上；以及

残留掩模图案，设置在所述上对齐键图案上。