TW202020535A - 顯示面板及其製作方法 - Google Patents

Abstract

一種顯示面板，具有由掃描線與資料線交錯排列而定義出的畫素區域，並包含第一畫素電極、第二畫素電極以及絕緣層。第一畫素電極具有光穿透性並位在畫素區域內。第二畫素電極具有光反射性並位在畫素區域內，其中第二畫素電極設置在第一畫素電極上並電性連接第一畫素電極。絕緣層位在畫素區域內，並設置在第一畫素電極與第二畫素電極之間。

Description

顯示面板及其製作方法

本揭露內容是有關於一種顯示面板及其製作方法。

於各式消費性電子產品之中，應用薄膜電晶體(thin film transistor；TFT)的液晶顯示器已經被廣泛地使用。液晶顯示器主要是由薄膜電晶體陣列基板、彩色濾光陣列基板和液晶層所構成。液晶顯示器也可分作穿透式、反射式及半穿透半反射式。穿透式液晶顯示器可利用背光源進行顯示，反射式液晶顯示器可利用環境光源進行顯示，而半穿透半反射式則可兼具穿透式及反射式兩者的優點，也因此，與半穿透半反射式顯示器相關的發展也逐漸成為顯示領域的開發重點之一。

本發明之一實施方式提供一種顯示面板，具有由掃描線與資料線交錯排列而定義出的畫素區域，並包含第一畫素電極、第二畫素電極以及絕緣層。第一畫素電極具有光穿透 性並位在畫素區域內。第二畫素電極具有光反射性並位在畫素區域內，其中第二畫素電極設置在第一畫素電極上並電性連接第一畫素電極。絕緣層位在畫素區域內，並設置在第一畫素電極與第二畫素電極之間。

於部分實施方式中，第二畫素電極與第一畫素電極形成第一交界面，且第二畫素電極與絕緣層形成第三交界面，其中第一交界面的面積小於第二交界面的面積。

於部分實施方式中，第一畫素電極與絕緣層形成第三交界面，且第三交界面的面積大於第一交界面的面積，並小於第二交界面的面積。

於部分實施方式中，絕緣層於第一畫素電極的垂直投影面積小於第二畫素電極於第一畫素電極的垂直投影面積，且絕緣層於第一畫素電極的垂直投影係落在第二畫素電極於第一畫素電極的垂直投影內。

於部分實施方式中，第二畫素電極的材料包含銀、鋁或其組合。

於部分實施方式中，絕緣層的材料包含矽氧化物、矽氮化物或其組合。

於部分實施方式中，顯示面板更包含顯示介質層。顯示介質層設置在第一畫素電極及第二畫素電極上。

於部分實施方式中，絕緣層具有呈起伏狀的上表面，且上表面接觸第二畫素電極。

本發明之一實施方式提供一種顯示面板的製作方法，包含以下步驟。在鈍化層上形成透光導電層。在透光導 電層上形成絕緣層。在絕緣層上形成第一光阻層。藉由半調式光罩對第一光阻層進行第一圖案化製程，以暴露出絕緣層。於第一圖案化製程之後，透過第一光阻層對絕緣層及透光導電層進行第二圖案化製程，以暴露出鈍化層。於第二圖案化製程之後，移除第一光阻層之第一部分，並透過第一光阻層之第二部分對絕緣層進行第三圖案化製程。於第三圖案化製程之後，在絕緣層及透光導電層上形成金屬層。

於部分實施方式中，顯示面板的製作方法更包含以下步驟。在金屬層上形成第二光阻層。透過第二光阻層對金屬層進行第四圖案化製程，以移除一部分的金屬層，其中剩餘的金屬層與第二畫素電極之間的交界面面積小於剩餘的金屬層與絕緣層之間的交界面面積。

透過上述配置，顯示面板為一種半穿透半反射式的顯示面板，且其中第二畫素電極除了直接連接第一畫素電極外，也會透過絕緣層間接連接第一畫素電極，從而防止第二畫素電極發生剝落。另一方面，在顯示面板的製作方法中，由於使用半調式光罩(或是灰階光罩)來進行，故可達到節省光罩數的效果，從而降低製程成本。

100‧‧‧顯示面板

102、104‧‧‧掃描線

106、108‧‧‧資料線

110‧‧‧畫素區域

110A、110B‧‧‧區域

112‧‧‧第一基板

114‧‧‧開關元件

116‧‧‧閘極絕緣層

118‧‧‧第一介電層

120‧‧‧鈍化層

122‧‧‧第一畫素電極

124、152‧‧‧絕緣層

126‧‧‧第二畫素電極

128‧‧‧顯示介質層

130‧‧‧間隙物

132、150‧‧‧透光導電層

134‧‧‧第二介電層

136‧‧‧遮光層

138‧‧‧濾光層

140‧‧‧第二基板

154‧‧‧第一光阻層

154A‧‧‧第一部分

154B‧‧‧第二部分

156‧‧‧金屬層

158‧‧‧第二光阻層

1B-1B’‧‧‧線段

D‧‧‧汲極電極

D1‧‧‧第一方向

D2‧‧‧第二方向

G‧‧‧閘極電極

I1‧‧‧第一交界面

I2‧‧‧第二交界面

I3‧‧‧第三交界面

S‧‧‧源極電極

SC‧‧‧半導體層

ST1、ST2‧‧‧上表面

SW‧‧‧側壁

TH‧‧‧接觸洞

第1A圖為依據本揭露內容的部分實施方式繪示顯示面板的上視示意圖。

第1B圖繪示沿第1A圖的線段1B-1B’的剖面示意圖。

第2A圖至第2H圖分別為依據本揭露內容的部分實施方式繪示顯示面板的製作方法於不同階段的剖面示意圖。

以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節為非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之。在本文中，使用第一、第二與第三等等之詞彙，為用於辨別不同元件、區域、層，而非用以限制本揭露內容。

在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電連接。

請同時參照第1A圖及第1B圖，第1A圖為依據本揭露內容的部分實施方式繪示顯示面板100的上視示意圖，而第1B圖繪示沿第1A圖的線段1B-1B’的剖面示意圖。為了方便說明，第1A圖中繪示有第一方向D1以及第二方向D2，其中第 一方向D1與第二方向D2可彼此相異或正交，例如第一方向D1可以是第1A圖的橫向方向，而第二方向D2可以是第1A圖的縱向方向。此外，為了不使圖式過於複雜，第1A圖所繪為顯示介質層(即第1B圖的顯示介質層128)之下的層體及元件。

顯示面板100為一種半穿透半反射式的顯示面板，其除可藉由背光模組(未繪示)所提供的光線來顯示影像之外，也可藉由反射環境光來顯示影像。顯示面板100包含掃描線102、104及資料線106、108，並具有由掃描線102及104與資料線106及108共同定義出的畫素區域110。具體而言，掃描線102及104會沿著第一方向D1延伸並沿著第二方向D2配置，而資料線106及108會沿著第二方向D2延伸並沿著第一方向D1配置，且掃描線102及104與資料線106及108彼此交錯排列，從而於其之間定義出畫素區域110。為了不使圖式過於複雜，第1A圖僅繪出一個畫素區域110，然而，應瞭解到，顯示面板100所具有的畫素區域可為多數個，且此些多數個的畫素區域可透過重複排列或週期性地排列成畫素陣列。

顯示面板100包含第一基板112、開關元件114、閘極絕緣層116、第一介電層118、鈍化層120、第一畫素電極122、絕緣層124、第二畫素電極126、顯示介質層128、間隙物130、透光導電層132、第二介電層134、遮光層136、濾光層138以及第二基板140。

開關元件114及閘極絕緣層116設置在第一基板112上，其中第一基板112可以是透光基板，像是玻璃基板。開關元件114可以是薄膜電晶體，具體來說，開關元件114包 含了源極電極S、汲極電極D、半導體層SC以及閘極電極G，其中閘極電極G設置在第一基板112上並由閘極絕緣層116覆蓋，而源極電極S、汲極電極D、半導體層SC則設置在閘極絕緣層116上。

半導體層SC的材料可包含單晶矽、多晶矽、非晶矽、微晶矽、奈米晶矽、氧化物半導體材料、有機半導體材料、奈米碳管/桿或其它合適的材料。源極電極S、汲極電極D及閘極電極G的材料可包含金屬、金屬氧化物或其它合適的材料。此外，雖第1B圖係將開關元件114繪示為底閘型電晶體(即閘極電極位於半導體層之下方)，然而，應瞭解到，此繪示內容僅為範例，本揭露內容不以此為限。於其它實施方式中，開關元件114也可以為頂閘型電晶體(即閘極電極位於半導體層之上方)或其它合適的電晶體類型。此外，閘極電極G與掃描線102及104可以是透過同一膜材(例如同一金屬層)經圖案化後形成，而源極電極S、汲極電極D與資料線106及108也可以是透過同一膜材(例如同一金屬層)經圖案化後形成。

第一介電層118及鈍化層120設置在開關元件114及閘極絕緣層116上，其中第一介電層118覆蓋開關元件114及閘極絕緣層116，而鈍化層120覆蓋第一介電層118。鈍化層120的厚度可大於第一介電層118的厚度，且鈍化層120可做為平坦層。第一介電層118及鈍化層120可共同具有接觸洞TH，且此接觸洞TH的位置係對應開關元件114的汲極電極D，例如接觸洞TH可位在汲極電極D的上方。第一介電層118或鈍化層120的材料可包含有機材料或無機材料，像是環氧樹 脂、聚亞醯胺、甲基丙烯酸甲酯、氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料或上述的組合物。

第一畫素電極122位在畫素區域110內，並設置在鈍化層120上。第一畫素電極122可覆蓋並接觸鈍化層120，且第一畫素電極122可透過接觸洞TH連接至汲極電極D，從而使第一畫素電極122電性連接汲極電極D。因此，當驅動開關元件114後，可透過汲極電極D施加電壓予第一畫素電極122。第一畫素電極122具有光穿透性，且第一畫素電極122的材料可包含透明導電材料，像是氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、奈米碳管、氧化銦鎵鋅或其它合適的材料。

絕緣層124位在畫素區域110內，並覆蓋且可接觸第一畫素電極122，其中絕緣層124的材料可包含矽氧化物、矽氮化物或其組合。此外，絕緣層124為配置在開關元件114的上方。

第二畫素電極126位在畫素區域110內，並設置在絕緣層124及第一畫素電極122上，以使絕緣層124為設置在第一畫素電極122與第二畫素電極126之間。第二畫素電極126覆蓋並可接觸絕緣層124及第一畫素電極122，其中第二畫素電極126可透過接觸第一畫素電極122而電性連接第一畫素電極122，使得第一畫素電極122及第二畫素電極126能共同被汲極電極D施予電壓。第二畫素電極126可具有光反射性，且第二畫素電極126的材料可包含金屬，像是銀、鋁或其組合。

第一畫素電極122的面積可大於第二畫素電極126的面積，在此，所述的「面積」係可指這些層體於上視視 角(即如第1A圖所繪的視角)的面積。由於第一畫素電極122的面積大於第二畫素電極126的面積，故對於第一畫素電極122而言，其會有被第二畫素電極126覆蓋的區域110A以及未被第二畫素電極126覆蓋的區域110B，而此兩個區域110A及110B可分別定義為畫素區域110中的反射區及穿透區，其中反射區可利用環境光來做為光源，而穿透區則是可利用背光模組(未繪示；其可配置在第一基板112之下)來做為光源。

透過上述配置，設置在第一畫素電極122上的第二畫素電極126除了可直接連接第一畫素電極122外，也可透過絕緣層124間接連接第一畫素電極122。對此，由於金屬材料與絕緣材料(例如鋁對於矽氧化物或矽氮化物)在交界面處可有較佳的穩定性，故利用絕緣層124間接連接第一畫素電極122可防止第二畫素電極126發生剝落。進一步來說，在第一畫素電極122、絕緣層124以及第二畫素電極126的配置關係中，第二畫素電極126與第一畫素電極122可於其接觸處形成第一交界面I1，而第二畫素電極126與絕緣層124可於其接觸處形成第二交界面I2，其中第一交界面I1的面積小於第二交界面I2的面積。也就是說，第二畫素電極126直接連接第一畫素電極122的面積會小於第二畫素電極126直接連接絕緣層124的面積，從而進一步降低第二畫素電極126發生剝落的機會。

此外，第一畫素電極122與絕緣層124可於其接觸處形成第三交界面I3，其中第三交界面I3的面積大於第一交界面I1的面積。透過此配置，對於第一畫素電極122、絕緣層124以及第二畫素電極126所成的堆疊結構而言，可使金屬材料與 絕緣材料的交界面面積以及金屬氧化材料與絕緣材料的交界面面積大於金屬材料與金屬氧化材料的交界面積，從而提升此堆疊結構之各交界面的連接強度。

絕緣層124的上表面ST1及側壁SW可由第二畫素電極126覆蓋，具體來說，第二畫素電極126係自其與第一畫素電極122的連接處經絕緣層124的側壁SW，延伸至絕緣層124的上表面ST1，並完全地覆蓋絕緣層124的上表面ST1。透過此配置，可增加第二畫素電極126對絕緣層124的接觸面積，例如可使得第二交界面I2的面積大於第三交界面I3的面積，以進一步防止第二畫素電極126發生剝落。

另一方面，由於絕緣層124的配置目的為使第二畫素電極126可間接連接第一畫素電極122，即絕緣層124可做為第一畫素電極122與第二畫素電極126之間的連接橋梁，故絕緣層124的配置範圍係會第二畫素電極126的配置範圍相對應，從而有效利用顯示面板100內的空間，並防止影響到顯示面板100的均勻度。具體來說，絕緣層124於第一畫素電極122的垂直投影面積會小於第二畫素電極126於第一畫素電極122的垂直投影面積，且絕緣層124於第一畫素電極122的垂直投影係落在第二畫素電極126於第一畫素電極122的垂直投影內，因此在上視視角(即如第1A圖所繪的視角)中，絕緣層124會被第二畫素電極126遮蔽。

在第二畫素電極126是藉由環境光來做為光源的情況下，第二畫素電極126的上表面ST2可為呈起伏狀，以提升其反射能力。第二畫素電極126的起伏狀上表面ST2可透過 其下方層體的形貌來形成。具體來說，可先在鈍化層120於對應畫素區域110的反射區處形成起伏狀結構，使得堆疊於其上的第一畫素電極122以及絕緣層124可因共形而呈現起伏狀。也就是說，絕緣層124可因鈍化層120的起伏狀結構而具有起伏狀的上表面ST1，並連帶使得堆疊且接觸於上表面ST1的第二畫素電極126也會具有呈起伏狀的上表面ST2。

顯示介質層128及透光導電層132設置在第一畫素電極122及第二畫素電極126上，其中顯示介質層128可具有顯示介質，例如顯示介質層128可以是液晶層並具有液晶分子。透光導電層132可做為共用電極使用。當施加電壓予第一畫素電極122、第二畫素電極126及透光導電層132的時候，可使第一畫素電極122、第二畫素電極126及透光導電層132耦合出電場，從而控制顯示介質層128的顯示介質，以控制穿過顯示介質層128的光線的偏振性。

間隙物130設置在第一畫素電極122與透光導電層132之間，其可用以增加顯示面板100的結構強度，並使第一畫素電極122與透光導電層132之間存在足夠的空間來填充顯示介質層128。第二介電層134設置在透光導電層132上，其中第二介電層134可包含有機材料或無機材料，像是環氧樹脂、聚亞醯胺、甲基丙烯酸甲酯、氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、其它合適的材料或上述的組合物。遮光層136及濾光層138設置在第二介電層134上。濾光層138可包含色阻，像是紅色色阻、綠色色阻及藍色色阻。遮光層136例如可以是黑色矩陣，其可定義出各色色阻的配置位置以及遮蔽其下的元件或層體 的可視性。遮光層136及濾光層138可連接在第二基板140上，其中第二基板140可以是透光基板，像是玻璃基板。此外，遮光層136的設置位置係可對應開關元件114的上方，使得絕緣層124可位在開關元件114與遮光層136之間。也就是說，遮光層136除提供對於開關元件114(或掃描線104)遮光效果外，其尚可提供絕緣層124邊緣(即絕緣層124之相對側壁SW的邊緣)遮光效果。

上述結構可透過如第2A圖至第2H圖所述的方法來製作，其中第2A圖至第2H圖分別為依據本揭露內容的部分實施方式繪示顯示面板100的製作方法於不同階段的剖面示意圖。

請參照第2A圖。於在第一基板112上形成開關元件114、閘極絕緣層116及第一介電層118後，可在第一介電層118上形成鈍化層120，並移除一部分的第一介電層118及鈍化層120，以形成接觸洞TH，其中移除一部分的第一介電層118及鈍化層120可透過蝕刻製程達成。此外，於鈍化層120形成後，可對鈍化層120進行表面處理，以使鈍化層120具有起伏狀結構。然而，本揭露內容不以此為限，於其他實施方式中，也可藉由其他方法來使鈍化層120具有起伏狀結構，例如調控形成鈍化層120時的參數。

接著，可在鈍化層120上形成透光導電層150以及在透光導電層150上形成絕緣層152，其中透光導電層150以及絕緣層152會因與鈍化層120的起伏狀結構共形而呈現起伏狀。在形成絕緣層152之後，可在絕緣層152上形成第一光阻 層154，並藉由半調式光罩(或是灰階光罩)對第一光阻層154進行第一圖案化製程，以暴露出絕緣層152且減薄一部分的第一光阻層154。換言之，於第一圖案化製程之後，第一光阻層154會具有第一部分154A及第二部分154B，其中第一部分154A的厚度會小於第二部分154B的厚度。在此製造階段中，由於移除及減薄部分的第一光阻層154是使用了半調式光罩(或是灰階光罩)來達成，故可達到節省光罩數的效果，從而降低製程成本。

請參照第2B圖。於第一圖案化製程之後，再透過第一光阻層154對絕緣層152及透光導電層150進行第二圖案化製程，以暴露出鈍化層120。具體來說，於第二圖案化製程中，因進行第一圖案化製程而暴露出來的絕緣層152及其下方的透光導電層150會被移除，並使得下方的鈍化層120會對應地暴露出來。此外，經第二圖案化製程後，透光導電層150即可做為第1B圖的第一畫素電極122。

請參照第2C圖及第2D圖。於第二圖案化製程之後，可先移除第一光阻層154之第一部分154A，並暴露出位在第一光阻層154之第一部分154A下方之絕緣層152，如第2C圖所示。接著，再透過第一光阻層154之第二部分154B對絕緣層152進行第三圖案化製程，以移除暴露出來的絕緣層152，從而暴露出其下方的透光導電層150，其中暴露出來的透光導電層150係可為位在接觸洞TH上方，如第2D圖所示。此外，經第三圖案化製程後，絕緣層152即可做為第1B圖的絕緣層124。

請參照第2E圖及第2F圖。於第三圖案化製程之後，可先移除第一光阻層154，如第2E圖所示，其中移除第一光阻層154可透過灰化製程達成。接著，可在絕緣層152及透光導電層150上形成金屬層156，如第2F圖所示。由於所形成的金屬層156除了有直接連接透光導電層150以外，也有透過絕緣層152間接連接透光導電層150，故可降低金屬層156發生剝落的機會。此外，金屬層156會因與絕緣層152共形而呈現起伏狀。

請參照第2G圖。於形成金屬層156之後，可在金屬層156上形成第二光阻層158，並移除部分的第二光阻層158，以暴露出金屬層156，其中未被移除的第二光阻層158係覆蓋住金屬層156之呈現起伏狀的部分，且未被移除的第二光阻層158的覆蓋面積(即未被移除的第二光阻層158覆蓋在金屬層156上的面積)可大於絕緣層152的覆蓋面積(即絕緣層152覆蓋在透光導電層150上的面積)。

請參照第2H圖。於暴露出金屬層156之後，可透過第二光阻層158對金屬層156進行第四圖案化製程，以移除一部分的金屬層156，並暴露出透光導電層150，其中經第四圖案化製程後，剩餘的金屬層156即可做為第1B圖的第二畫素電極126。於第四圖案化製程之後，可移除第二光阻層158。此外，剩餘的金屬層156與透光導電層150之間的交界面面積會小於剩餘的金屬層156與絕緣層152之間的交界面面積，亦即剩餘的金屬層156直接連接透光導電層150的面積會小於剩餘的金屬層156直接連接絕緣層152的面積，從而防止剩餘的 金屬層156發生剝落。

於第2H圖的製作階段後，可再將第二基板及在其上所形成的遮光層、濾光層、第二介電層及透光導電層組裝於第2H圖的結構上側，並於其之間形成間隙物以及填充顯示介質層，即可得到如第1B圖所繪的結構。

綜上所述，本揭露內容的顯示面板為半穿透半反射式的顯示面板，並包含第一畫素電極、第二畫素電極以及絕緣層，其中第一畫素電極具有光穿透性，而第二畫素電極具有光反射性。絕緣層設置在第一畫素電極與第二畫素電極之間，使得第二畫素電極除了直接連接第一畫素電極外，也會透過絕緣層間接連接第一畫素電極，從而防止第二畫素電極發生剝落。此外，在第二畫素電極直接連接第一畫素電極的面積小於第二畫素電極直接連接絕緣層的面積之情況下，可進一步降低第二畫素電極發生剝落的機會。另一方面，在本揭露內容的顯示面板的製作方法中，可使用半調式光罩(或是灰階光罩)來進行，以達到節省光罩數的效果，從而降低製程成本。

雖然本發明已以多種實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

100‧‧‧顯示面板

102、104‧‧‧掃描線

106、108‧‧‧資料線

110‧‧‧畫素區域

110A、110B‧‧‧區域

114‧‧‧開關元件

122‧‧‧第一畫素電極

126‧‧‧第二畫素電極

1B-1B’‧‧‧線段

D1‧‧‧第一方向

D2‧‧‧第二方向

TH‧‧‧接觸洞

Claims (10)

1. 一種顯示面板，具有由複數個掃描線與複數個資料線交錯排列而定義出的至少一畫素區域，並包含：一第一畫素電極，具有光穿透性，並位在該畫素區域內；一第二畫素電極，具有光反射性，並位在該畫素區域內，其中該第二畫素電極設置在該第一畫素電極上並電性連接該第一畫素電極；以及一絕緣層，位在該畫素區域內，並設置在該第一畫素電極與該第二畫素電極之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該第二畫素電極與該第一畫素電極形成一第一交界面，該第二畫素電極與該絕緣層形成一第二交界面，且該第一交界面的面積小於該第二交界面的面積。
3. 如申請專利範圍第2項所述的顯示面板，其中該第一畫素電極與該絕緣層形成一第三交界面，且該第三交界面的面積大於該第一交界面的面積，並小於該第二交界面的面積。
4. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該絕緣層於該第一畫素電極的垂直投影面積小於該第二畫素電極於該第一畫素電極的垂直投影面積，且該絕緣層於該第一畫素電極的垂直投影係落在該第二畫素電極於該第一畫 素電極的垂直投影內。
5. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該第二畫素電極的材料包含銀、鋁或其組合。
6. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該絕緣層的材料包含矽氧化物、矽氮化物或其組合。
7. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，更包含顯示介質層，設置在該第一畫素電極及該第二畫素電極上。
8. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板，其中該絕緣層具有呈起伏狀的一上表面，且該上表面接觸該第二畫素電極。
9. 一種顯示面板的製作方法，包含：在一鈍化層上形成一透光導電層；在該透光導電層上形成一絕緣層；在該絕緣層上形成一第一光阻層；藉由一半調式光罩對該第一光阻層進行一第一圖案化製程，以暴露出該絕緣層；於該第一圖案化製程之後，透過該第一光阻層對該絕緣層及該透光導電層進行一第二圖案化製程，以暴露出該鈍化 層；於該第二圖案化製程之後，移除該第一光阻層之一第一部分，並透過該第一光阻層之一第二部分對該絕緣層進行一第三圖案化製程；以及於該第三圖案化製程之後，在該絕緣層及該透光導電層上形成一金屬層。
10. 如申請專利範圍第1項所述的顯示面板的製作方法，更包含：在該金屬層上形成一第二光阻層；以及透過該第二光阻層對該金屬層進行一第四圖案化製程，以移除一部分的該金屬層，其中剩餘的該金屬層與該透光導電層之間的交界面面積小於剩餘的該金屬層與該絕緣層之間的交界面面積。

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