CN107301967A - 干法蚀刻设备及蚀刻方法 - Google Patents

Abstract

本发明所提供的干法蚀刻设备包括能够彼此隔离的至少一个主蚀刻制程腔和至少一个后处理制程腔，所述主蚀刻制程腔使用含氯的蚀刻介质对待加工产品进行蚀刻，所述后处理制程腔使用含氟的置换介质将经蚀刻后所述待加工产品上残留的氯离子置换成氟离子。本发明所提供的干法蚀刻方法：将待加工产品传送到主蚀刻制程腔内；向所述主蚀刻制程腔内通入含氯的蚀刻介质，以对所述待加工产品进行蚀刻；将蚀刻后的待加工产品传送到后处理制程腔；向所述后处理制程腔内通入含氟的置换介质，以将进行所述待加工产品残留的氯离子置换成氟离子本发明解决了现有技术中蚀刻残留对主蚀刻制程的影响，大大提升产品良率，提高生产效率，并延长了设备保养周期。

Description

干法蚀刻设备及蚀刻方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种干法蚀刻设备及蚀刻方法。

背景技术

在LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅技术)及OLED(OrganicLight-Emitting Diode,有机发光二极管)工艺中，SD(Source Drain line，源漏极，主要成分为Al)膜层的蚀刻，为达到CD loss(条宽损失)规格，均采用干法蚀刻工艺，将光罩上的图案转移到膜层上。

常见的SD干法蚀刻工艺，主蚀刻步骤(Main Etch step)均采用Cl2气体，MainEtch step结束后，SD膜层和PR光阻膜层上会有残留的Cl离子，残留的Cl离子如果不经处理，会在大气环境下(存在55％左右湿度的环境)，与SD膜层中的Al发生反应，导致SD膜层发生Al腐蚀，造成后续产品良率异常。

为解决此Al腐蚀问题，业界一般采用两种解决方案：

方案1，Cl-F置换：在Main Etch step后的Post Ash step(后处理步骤，也有称为After Treatment step)采用含F气体，在plasma(等离子体)环境下，将膜层上残留的Cl离子置换成F离子，避免Al与Cl离子反应形成Al腐蚀；

方案2，Cl离子水洗：在干法蚀刻机旁边配置一台水式清洗机(Wet cleaner)，将膜层上残留的Cl离子以水洗的方式冲洗掉，避免Al与Cl离子反应形成Al腐蚀。

上述方案2需要额外配置一台水式清洗机，会有费用和占地的影响，因此业界较多的采用方案1。但方案1的Post Ash step在Cl-F置换时，会生成AlFx的副产物，AlFx为离子晶体，蒸汽压较高，容易附着在PC(Process Chamber，制程腔)内壁，一旦积累较多，会掉落到产品上，对氯气蚀刻铝金属层造成阻碍，形成SD residue(SD膜层蚀刻残留)，最终影响产品良率，甚至造成产品报废。

现有技术已公开的专利文献201610718552.5，名称为铝蚀刻的方法，其公开了一种铝蚀刻方法：通过调节干蚀刻制程中蚀刻腔体内的温度和压力条件，使得氯化铝保持气体状态，减少氯化铝颗粒的生成，抽气降低蚀刻腔体内的氯化铝含量，从而减少铝化合物含量和含铝颗粒物的产生，然后再进行氟置换减少铝与氯离子反应形成铝腐蚀。该方法虽然在氟置换制程之前通过抽出气态的氯化铝来减少铝化合物含量，但仍有不少氯化铝残留，在氟置换后生成氟化铝晶粒残留在所述腔体内，氟置换和主蚀刻制程都在同一个腔体内，不可避免氟化铝晶体的积聚影响腔体洁净度，一旦积累较多，氟化铝晶粒会掉落到产品上，对氯气蚀刻铝金属层造成阻碍，形成SD膜层蚀刻残留，最终影响产品良率，可见该方法并不能彻底解决氟化铝残留造成的影响。并且所述控制腔体内温度和压力使氯化铝保持气体状态，需额外增加温度和压力控制条件及控制流程的设计，变得复杂且增加控制难度。

该专利中还提及另一方法：通过在干蚀刻制程之后氟-氯置换制程之前，增加气体冲洗步骤，降低蚀刻腔体内含铝化合物的含量，减少含铝颗粒物的产生。该方法采用气体冲洗残留在腔体内的铝化合物，但铝化合物颗粒的附着以及气体冲洗不彻底，气体冲洗只能大致减少铝化合物含量，并不能做到精细，仍会有不少氯化铝残留，在氟置换后生成氟化铝晶粒残留在所述腔体内，并且氟置换和主蚀刻制程都在同一个腔体内，不可避免氟化铝晶体的积聚影响腔体洁净度，可见该方法并不能彻底解决氟化铝残留造成的影响。另外采用气体冲洗需调控气体气压和冲洗速率等，使过程复杂且增加控制难度。

该专利中还提及另一方法：通过在干蚀刻制程之前增加蚀刻腔体的清洁步骤，将腔体内氟化铝置换成氯化铝，并保持气态，在干蚀刻制程后抽气降低蚀刻腔体内的氯化铝含量，再进行氟-氯置换制程。该方法在干蚀刻制程之前先将氟化铝置换成氯化铝然后再抽气排出，相当于在干蚀刻制程之前将腔体先进行洁净步骤，之后又在氟-氯置换制程将氯化铝置换成了氟化铝，而氟化铝晶体仍然会残留在腔体内，过程繁复累赘，增加了制造成本，工序复杂，生产效率极低，而且抽排气仍会有不少氯化铝残留，在氟置换后生成氟化铝晶粒残留在所述腔体内，氟置换和主蚀刻制程都在同一个腔体内，不可避免氟化铝晶体的积聚影响腔体洁净度，从根本上并不能避免氟化铝晶体对氯气蚀刻铝金属层造成阻碍，最终影响产品良率，可见该方法并不能彻底解决氟化铝残留造成的影响。

上述专利文献中提及的三种方法均未能彻底解决氟化铝残留造成的影响，产品良率低，并且在同一个腔体内进行主蚀刻制程和氟置换制程，对清洁度的要求极高，使得设备的保养周期短，增加了成本，同时也造成生产效率低，设备产能低的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种干法蚀刻方法，以及应用于实现该干法蚀刻方法的干法蚀刻设备，以解决后处理制程所生成的氟化物造成的残留异常，提升产品良率，提高生产效率，并延长设备保养周期。

为实现上述目的，本发明提供一种干法蚀刻设备，其包括：能够彼此隔离的至少一个主蚀刻制程腔和至少一个后处理制程腔，所述主蚀刻制程腔使用含氯的蚀刻介质对待加工产品进行蚀刻，所述后处理制程腔使用含氟的置换介质将经蚀刻后所述待加工产品上残留的氯离子置换成氟离子。

较佳实施方式中，所述干法蚀刻设备进一步包括传送腔，所述主蚀刻制程腔和后处理制程腔分别连通所述传送腔，输入所述主蚀刻制程腔和所述后处理制程腔的所述待加工产品经所述传送腔进行中转。传送腔的设置有助于主蚀刻制程腔与后处理制程腔之间的独立性，产品在主蚀刻制程腔与后处理制程腔之间运送时，先经由传送腔，避免主蚀刻制程腔与后处理制程腔之间直接相通而相互影响，并且主蚀刻制程腔与后处理制程腔可以同时作业，节省生产时间，提高生产效率，提高设备效能。

对于腔体数量配比，与主蚀刻制程和后处理制程的处理时间相关，较佳实施方式中，其中主蚀刻制程时间为T1，后处理制程时间为T2，T1＞T2，所述主蚀刻制程腔个数与所述后处理制程腔个数比值为M/1，T1/T2所得商为N，余数为t，当t＝0时，M＝N，当t＞0时，M＝N+1，其中N为自然数。该配置可充分利用设备，使生产效率最大化。

较佳实施方式中，所述其包括两个或三个所述主蚀刻制程腔、一个所述后处理制程腔、一个所述传送腔。

较佳实施方式中，所述干法蚀刻设备进一步包括连通所述传送腔的载入载出腔。所述载入载出腔的设置有助于隔离作业腔体内环境与外界环境，维持传送腔以及不同制程腔之间运送的真空环境。

较佳实施方式中，所述干法蚀刻设备进一步包括连通所述传送腔且能够替代所述主蚀刻制程腔或所述后处理制程腔的备用腔。当任意一个主蚀刻制程腔或后处理制程腔需要维护保养而停机时，可以启用备用腔，所述备用腔的设置有助于维持蚀刻制程腔或后处理制程腔的配置比例，使得生产持续正常运行，保障生产效率一直处在最大化。

较佳实施方式中，所述主蚀刻制程腔、后处理制程腔、载入载出腔和备用腔围绕传送腔均布设置且通过可启闭腔门进行隔离。

本发明还提供一种干法蚀刻方法，其采用如上所述干法蚀刻设备进行蚀刻制程，其包括步骤：

将待加工产品传送到主蚀刻制程腔内；

向所述主蚀刻制程腔内通入含氯的蚀刻介质，以对所述待加工产品进行蚀刻；

将蚀刻后的待加工产品传送到后处理制程腔；

向所述后处理制程腔内通入含氟的置换介质，以将进行所述待加工产品残留的氯离子置换成氟离子。较佳实施方式中，所述将待加工产品传送到主蚀刻制程腔内的步骤包括：

经由与所述主蚀刻制程腔连接的传送腔将所述待加工产品传送到所述主蚀刻制程腔内；

所述将蚀刻后的待加工产品传送到后处理制程腔的步骤包括：

经由所述传送腔将蚀刻后的待加工产品传送到后处理制程腔。

较佳实施方式中，所述方法进一步包括：在所述主蚀刻制程腔或后处理制程腔缺省时，启用备用腔作为所述主蚀刻制程腔或后处理制程腔。

较佳实施方式中，所述将待加工产品传送到主蚀刻制程腔内的步骤前包括：将待加工产品从载入载出腔载入，再经由所述载入载出腔传送至所述传送腔内；

向所述后处理制程腔内通入含氟的置换介质，以将进行所述待加工产品残留的氯离子置换成氟离子的步骤后还包括：

将完成加工的产品从所述传送腔运送至载入载出腔，再经由所述载入载出腔运送出设备。

较佳实施方式中，产品在各个腔体之间转换时，关闭其他腔体的腔门，保持各腔体之间的独立性。

各腔体内均维持真空环境进行操作。产品从外界大气环境进入载入载出腔后，在载入载出腔转换成真空环境，以便进入传送腔；将产品运送入传送腔后，传送腔内维持真空环境，完成产品在载入载出腔和不同制程腔之间的运送；所述主蚀刻制程腔内抽真空再通入含氯蚀刻介质，在真空中进行等离子体的物理、化学反应，对待加工产品进行蚀刻；向所述后处理制程腔内通入含氟的置换介质，所述后处理制程腔在真空环境下将进行所述待加工产品残留的氯离子置换成氟离子。

对于腔体数量配比，较佳实施方式中，所述主蚀刻制程时间为T1，所述后处理制程时间为T2，T1＞T2，所述主蚀刻制程腔个数与所述后处理制程腔个数比值为M/1，T1/T2所得商为N，余数为t，当t＝0时，M＝N，当t＞0时，M＝N+1，其中N为自然数。该配置可充分利用设备，使生产效率最大化。

有益效果：区别于现有技术的情况，本发明干法蚀刻方法以及采用本发明干法蚀刻设备，主蚀刻制程在单独的主蚀刻制程腔中进行，后处理制程则在另外的后处理制程腔内进行，后处理制程腔生成的氟化物无法影响到主蚀刻制程，彻底解决了现有技术中蚀刻残留对主蚀刻制程的影响，大大提升产品良率，无需繁复的对每一批产品的制程都做腔体清洁；后处理制程腔对清洁度的要求降低，使得各制程腔的保养周期大大延长，提升设备产能。各制程腔以及传送腔和载入载出腔之间各腔体保有较高独立性，维持真空操作简单，真空度高，腔内清洁容易；产品在各腔体之间转换简单快捷。另外备用腔的设计能够保证产线的连续运转。制程腔的数量配置根据制程的时间比来合理安排，可充分利用设备，使生产效率最大化。

附图说明

图1是本发明干法蚀刻设备实施例一示意图；

图2是本发明干法蚀刻设备实施例二示意图；

图3是本发明干法蚀刻设备实施例三示意图；

图4是本发明干法蚀刻设备实施例四示意图；

图5是本发明干法蚀刻设备实施例五示意图；

图6是本发明干法蚀刻设备实施例六示意图；

图7是本发明干法蚀刻设备实施例七示意图；

图8是本发明干法蚀刻设备实施例八示意图；

图9是本发明干法蚀刻设备实施例九示意图；

图10是本发明干法蚀刻方法实施例流程示意图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明做进一步详细描述。

请参照图1，本发明干法蚀刻设备实施例一，其包括：一个主蚀刻制程腔210、一个后处理制程腔310、一个传送腔110，所述主蚀刻制程腔210以及所述后处理制程310腔均分别连接所述传送腔110，并通过可启闭腔门600连通，所述传送腔110另设有连通外界的可启闭腔门600。

如图1箭头所示的产品运行流程，进行蚀刻处理时，待加工产品先进入传送腔110，再由传送腔110运送至单独的主蚀刻制程腔210中进行主蚀刻制程，后处理制程则在另外的后处理制程腔310内进行，后处理制程腔310生成的氟化物无法影响到主蚀刻制程，彻底解决了现有技术中蚀刻残留对主蚀刻制程的影响，大大提升产品良率，提升设备产能。

请参照图2，本发明干法蚀刻设备实施例二，相对于实施例一，实施例二的设备中增设了连接传送腔120的载入载出腔420，所述传送腔120与载入载出腔420之间设有腔门600，载入载出腔420与外界设有腔门600，经由所述载入载出腔420连接外界，待加工产品先进入载入载出腔420，有助于隔离作业腔体内环境与外界环境，维持传送腔以及不同制程腔之间运送的真空环境。在载入载出腔420转换成真空环境后再进入传送腔120，再由传送腔120运送至单独的主蚀刻制程腔220中进行主蚀刻制程，然后运送至后处理制程腔320内进行后处理制程。

各制程腔以及传送腔和载入载出腔之间各腔体保有较高独立性，维持真空操作简单，真空度高，腔内清洁容易；产品在各腔体之间转换简单快捷。

请参照图3，本发明干法蚀刻设备实施例三，与实施例二相比较，实施例三增设了备用腔530，传送腔120与备用腔530之间设有腔门600，待加工产品先进入载入载出腔430，在载入载出腔430转换成真空环境后再进入传送腔130，再由传送腔130运送至单独的主蚀刻制程腔230中进行主蚀刻制程，然后运送至后处理制程腔330内进行后处理制程。当主蚀刻制程腔230或后处理制程腔330需要维护保养而停机时，启用备用腔530，使得生产持续正常运行，保障生产效率一直处在最大化。

请参照图4，本发明干法蚀刻设备实施例四，其包括：一个传送腔140、两个主蚀刻制程腔241和242、一个后处理制程腔340，所述主蚀刻制程腔241和242、所述后处理制程340腔均分别通过可启闭腔门600连通所述传送腔140，所述传送腔140另设有连通外界的可启闭腔门600。与实施例不同的是，实施例四设置了两个主蚀刻制程腔241和242，一般来说，主蚀刻制程的时间比后处理制程时间长，因此配备主蚀刻制程腔的数量多于后处理制程腔的数量，有助于提升设备产能，提高生产效率。

如图4所示，进行蚀刻处理时，待加工产品先进入传送腔140，再由传送腔140同时运送至两个主蚀刻制程腔241、242中进行主蚀刻制程，后处理制程则在另外的后处理制程腔340内进行。

请参照图5，本发明干法蚀刻设备实施例五，与实施例四相比较，实施例五增设了连接传送腔150的载入载出腔450，经由所述载入载出腔450连接外界，所述传送腔150与载入载出腔450之间设有腔门600，载入载出腔450与外界设有腔门600，待加工产品先进入载入载出腔450，在载入载出腔450转换成真空环境后再进入传送腔150，再由传送腔150同时运送至两个主蚀刻制程腔251、252中进行主蚀刻制程，然后运送至后处理制程腔350内进行后处理制程。图5为简单起见只呈现了产品经由其中一个主蚀刻制程腔251的流程示意箭头，另一个同理。在后面的实施例示意图6～8，同样简化，不再赘述。

请参照图6，本发明干法蚀刻设备实施例六，其包括传送腔160、两个主蚀刻制程腔261和262、后处理制程腔360、载入载出腔460、备用腔560，与实施例五相比较，实施例六增设了备用腔560，传送腔120与备用腔560之间设有腔门600，其运作原理与前述实施例一致，在此不再赘述。

请参照图7，本发明干法蚀刻设备实施例七包括传送腔170、三个主蚀刻制程腔271、272和273、后处理制程腔370、载入载出腔470；与实施例五相比较，实施例七配置了三个主蚀刻制程腔271、272和273，其运作原理与前述实施例一致，在此不再赘述。

请参照图8，本发明干法蚀刻设备实施例八包括传送腔180、三个主蚀刻制程腔281、282和283、后处理制程腔380、载入载出腔480、备用腔580；与实施例六相比较，实施例八配置了三个主蚀刻制程腔281、282和283，其运作原理与前述实施例一致，在此不再赘述。

请参照图9，本发明干法蚀刻设备实施例九包括一个主蚀刻制程腔290、一个后处理制程腔390；所述主蚀刻制程腔290与所述后处理制程腔390通过腔门600连接，所述主蚀刻制程腔290与所述后处理制程腔390又分别通过腔门600与外界连接，

所述主蚀刻制程腔290与所述后处理制程腔390之间的腔门600关闭，待加工产品先进入主蚀刻制程腔290，抽真空后通入含氯蚀刻介质进行蚀刻；蚀刻完毕抽取多于气体后打开腔门600，将待加工产品运送入所述后处理制程腔390，关闭腔门600，抽真空后通入含氟置换介质，将所述待加工产品残留的氯离子置换成氟离子；然后将加工完毕的产品从所述后处理制程腔390运送出设备。代加工产品的主蚀刻制程和后处理制程在不同的制程腔完成，解决了后处理制程所生成的氟化物造成的残留异常，提升产品良率，提高生产效率，并延长设备保养周期。

在各实施例中，所述主蚀刻制程腔、后处理制程腔、载入载出腔、备用腔围绕传送腔均布设置，或根据需要合理设置，以便提高生产效率。

设备中主蚀刻制程腔和后处理制程腔的数量配比与各制程的时间比值相关，若所述主蚀刻制程时间为T1，所述后处理制程时间为T2，一般情况下T1＞T2，较佳实施方式中，所述主蚀刻制程腔个数为M，所述后处理制程腔个数为1，T1/T2所得商为N，余数为t，当t＝0时，M＝N，当t＞0时，M＝N+1，其中N为自然数。该配置可充分利用设备，使生产效率最大化。

假设主蚀刻制程时间约T1为110秒，后处理制程时间约T2为40秒，T1/T2＝110/40，所得商N＝2，余数t＝30，t＞0，则M＝N+1＝3，该设备可配置三个主蚀刻制程腔，一个后处理制程腔，如图8实施例八所示，有三个主蚀刻制程腔281、282和283、一个后处理制程腔380、一个载入载出腔480、一个备用腔580，因主蚀刻制程时间约为110秒，后处理制程时间约为40秒，为达到生产效率最大化，主蚀刻制程腔：后处理制程腔数量比值为3:1，生产效率为40秒(110/3＝37<40秒)，共需四个制程腔运作。

为避免其中一个制程腔在维护保养时，机台的生产效率降低，如果是后处理制程腔380维护保养，则另外三个主处理制程腔281、282和283需一并完成主处理制程和后处理制程，否则整个机台无法进行生产；如果是主处理制程腔281、282和283其中一个维护保养也将降低生产效率，则机台的生产效率降低为110/2＝55秒。借助于备用腔580，当主处理制程腔281、282、283和后处理制程腔380中任意一个需要维护保养而停机时，备用腔580启用，维持主蚀刻制程腔：后处理制程腔数量比值为3:1的配置，保障生产效率一直处在最大化。

请结合参阅图8和图9，以实施例八为例说明本发明干法蚀刻方法的实施例，其包括步骤：

将待加工产品送入载入载出腔480，腔内抽真空；

将载入载出腔480与传送腔180连通，待加工产品送入传送腔180；

将传送腔180与三个主蚀刻制程腔281、282、283连通，将待加工产品经由传送腔180传送到主蚀刻制程腔281、282、283内，关闭主蚀刻制程腔281、282、283，通入含氯蚀刻介质，进行蚀刻；

将经过蚀刻的产品调出到传送腔180，关闭主蚀刻制程腔281、282、283；

将传送腔180中经过蚀刻的产品传送到后处理制程腔380，关闭后处理制程腔380，通入含氟置换介质，进行氟离子与氯离子的置换；

将经过氟氯置换处理的产品运送到传送腔180中；

关闭后处理制程腔380，将传送腔180与载入载出腔480连通，将处理好的产品运送到载入载出腔480，关闭传送腔180，打开载入载出腔480将产品运送出设备。

在处理过程中，产品在各腔体之间的运送，除了相关腔体之间的连接打开，其余腔体保持关闭，产品在独立腔体中进行处理时，该运行腔体保持关闭，各腔体内均维持真空环境进行操作，这样保持了各腔体的独立性，避免了主蚀刻制程腔与后处理制程腔之间直接相通而相互影响，并且主蚀刻制程腔与后处理制程腔可以同时作业，节省生产时间，提高生产效率，提高设备效能。

所述待加工产品为基板，包括衬底基板以及衬底基板上的铝膜层，铝膜上涂布PR光阻膜层，采用光罩对光阻膜层进行曝光显影后形成光阻层图形。主蚀刻制程时所述含氯气体对加工产品上未被光阻膜层图形覆盖的部分进行蚀刻，得到设计图案。后处理制程腔在等离子体环境下，将膜层上残留的氯离子置换成氟离子，避免铝与氯离子反应形成铝腐蚀。

在不设有载入载出腔的实施例中，例如采用图4所示设备，待加工产品可直接送入传送腔140中，对传送腔140抽真空处理，然后将产品传送至主蚀刻制程腔241和242，主蚀刻处理后经由传送腔140传送至后处理制程腔340，最后经由传送腔140直接送出设备。

在不设有载入载出腔也不设有传送腔的实施例中，例如采用图9所示设备，待加工产品可直接送入主蚀刻制程腔290中，对所述主蚀刻制程腔290抽真空处理，然后通入含氯蚀刻介质进行蚀刻，对所述后处理制程腔390抽真空处理，待加工产品在主蚀刻处理后经传送至所述后处理制程腔390，然后通入含氟置换介质进行氯离子与氟离子置换，最后从所述后处理制程腔390直接送出设备。

在持续生产情况下，主蚀刻制程腔281、282、283和后处理制程腔380可同时运行，该实施例干法蚀刻方法中，假设主蚀刻制程时间T1为110秒，后处理制程时间T2为40秒，三个主蚀刻制程腔281、282、283与一个后处理制程腔380同时运行，则生产效率为40秒。若加上各腔之间传送时间，例如总传送时间27秒，则得出生产效率为40+27/3＝49秒，仍然比现有技术的生产效率大大提升。

现有技术中，主蚀刻制程与后处理制程在同一制程腔体内完成，生成的氟化物AlF_x在内壁积聚到一定量后就会形成颗粒掉落，若是在主蚀刻过程中脱落，就会造成蚀刻残留，对氯气蚀刻铝金属层造成阻碍，最终影响产品良率，甚至造成产品报废。而通过本发明干法蚀刻方法以及采用本发明干法蚀刻设备，主蚀刻制程在单独的主蚀刻制程腔281、282、283中进行，后处理制程则在另外的后处理制程腔380内进行，后处理制程腔380生成的氟化物即使有掉落到后处理制程腔380内的产品上，但因为后处理制程腔380内的产品已完成了主蚀刻制程，图案已经被刻蚀出来了，从而避免了蚀刻残留的发生，因此彻底解决了现有技术中蚀刻残留对主蚀刻制程的影响，大大提升产品良率，无需繁复的对每一批产品的制程都做腔体清洁；后处理制程腔对清洁度的要求降低，使得各制程腔的保养周期大大延长，提升设备产能。各制程腔以及传送腔180和载入载出腔480之间各腔体保有较高独立性，维持真空操作简单，真空度高，腔内清洁容易；产品在各腔体之间转换简单快捷。另外备用腔580的设计能够保证产线的连续运转。

以上仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围。

Claims (10)

1.一种干法蚀刻设备，其特征在于，包括能够彼此隔离的至少一个主蚀刻制程腔和至少一个后处理制程腔，所述主蚀刻制程腔使用含氯的蚀刻介质对待加工产品进行蚀刻，所述后处理制程腔使用含氟的置换介质将经蚀刻后所述待加工产品上残留的氯离子置换成氟离子。

2.根据权利要求1所述的干法蚀刻设备，其特征在于，所述主蚀刻制程时间为T1，所述后处理制程时间为T2，T1＞T2，所述主蚀刻制程腔个数与所述后处理制程腔个数比值为M/1，T1/T2所得商为N，余数为t，当t＝0时，M＝N，当t＞0时，M＝N+1，其中N为自然数。

3.根据权利要求1所述的干法蚀刻设备，其特征在于，所述干法蚀刻设备进一步包括传送腔，所述主蚀刻制程腔和后处理制程腔分别连通所述传送腔，输入所述主蚀刻制程腔和所述后处理制程腔的所述待加工产品经所述传送腔进行中转。

4.根据权利要求3所述的干法蚀刻设备，其特征在于，所述干法蚀刻设备进一步包括连通所述传送腔的载入载出腔。

5.根据权利要求4所述的干法蚀刻设备，其特征在于，所述干法蚀刻设备进一步包括连通所述传送腔且能够替代所述主蚀刻制程腔或所述后处理制程腔的备用腔。

6.根据权利要求5所述的干法蚀刻设备，其特征在于，所述主蚀刻制程腔、后处理制程腔、载入载出腔和备用腔围绕所述传送腔均布设置且通过可启闭腔门进行隔离。

7.一种干法蚀刻方法，其特征在于，所述方法包括步骤：

将待加工产品传送到主蚀刻制程腔内；

向所述主蚀刻制程腔内通入含氯的蚀刻介质，以对所述待加工产品进行蚀刻；

将蚀刻后的待加工产品传送到后处理制程腔；

向所述后处理制程腔内通入含氟的置换介质，以将进行所述待加工产品残留的氯离子置换成氟离子。

8.根据权利要求7所述的干法蚀刻方法，其特征在于，所述将待加工产品传送到主蚀刻制程腔内的步骤包括：

经由与所述主蚀刻制程腔连接的传送腔将所述待加工产品传送到所述主蚀刻制程腔内；

所述将蚀刻后的待加工产品传送到后处理制程腔的步骤包括：

经由所述传送腔将蚀刻后的待加工产品传送到后处理制程腔。

9.根据权利要求7所述的干法蚀刻方法，其特征在于，所述方法进一步包括：在所述主蚀刻制程腔或后处理制程腔缺省时，启用备用腔作为所述主蚀刻制程腔或后处理制程腔。

10.根据权利要求9所述的干法蚀刻方法，其特征在于，所述主蚀刻制程时间为T1，所述后处理制程时间为T2，T1＞T2，所述主蚀刻制程腔个数与所述后处理制程腔个数比值为M/1，T1/T2所得商为N，余数为t，当t＝0时，M＝N，当t＞0时，M＝N+1，其中N为自然数。