CN107293636B - 一种硅锗合金基热电元件及其制备方法 - Google Patents

一种硅锗合金基热电元件及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107293636B
CN107293636B CN201610209315.6A CN201610209315A CN107293636B CN 107293636 B CN107293636 B CN 107293636B CN 201610209315 A CN201610209315 A CN 201610209315A CN 107293636 B CN107293636 B CN 107293636B
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicide
alloy base
sige alloy
layer
thermoelectric element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610209315.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN107293636A (zh
Inventor
吴洁华
夏绪贵
杨小燕
顾明
陈立东
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Institute of Ceramics of CAS
Original Assignee
Shanghai Institute of Ceramics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Institute of Ceramics of CAS filed Critical Shanghai Institute of Ceramics of CAS
Priority to CN201610209315.6A priority Critical patent/CN107293636B/zh
Publication of CN107293636A publication Critical patent/CN107293636A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107293636B publication Critical patent/CN107293636B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/80—Constructional details
    • H10N10/81—Structural details of the junction
    • H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)

Abstract

本发明涉及一种硅锗合金基热电元件及其制备方法，所述硅锗合金基热电元件由电极层、硅锗合金基热电层以及位于电极层和硅锗合金基热电层之间的阻挡层组成，所述阻挡层为硅化物与氮化硅的混合物，所述硅化物为硅化钼、硅化钨、硅化钴、硅化镍、硅化铌、硅化锆、硅化钽、硅化铪中的至少一种。本发明提供的硅锗合金基热电元件中各界面结合良好，界面处未见裂纹与明显的扩散现象存在，接触电阻小，热接触状态好，且能够经受长时间的高温加速试验。另外，本发明提供的制备方法具有工艺简单、可靠性高、成本低、无需特殊设备、适合规模化生产等特点。

Description

一种硅锗合金基热电元件及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种硅锗合金基热电元件及其制备方法，属于热电元器件技术领域。
背景技术
作为深空探测器的重要组成部分，空间能源系统的研究具有十分重要的意义。放射性同位素温差发电器由于结构简单、无机械传动、自身供能无需照看等优点成为了深空探测的首选能源，它是利用材料的塞贝克效应将放射性同位素衰变热直接转换成电能的发电器件，而能实现这种转换的核心就是一个个相互连接的热电元件。热电元件的输出功率与转换效率除了与元件两端的温差、热电材料本身的热电优值以及元件热电偶臂的相对尺寸有关外，还与元件的电极与热电材料之间的接触电阻与接触热阻密切相关。也就是说，优化热电元件的制备工艺、改善热电元件的接触状态能够有效提高热电器件的输出功率与转换效率以及提高器件的可靠性。
在美国目前为止公布的放射性同位素温差发电器所使用的热电材料中，硅锗合金基热电材料由于较高的电功率、比功率、效率和较长的寿命等优点，仍是目前为止最佳的放射性同位素温差发电器高温热电材料。因此，制备接触状态良好，稳定性高的硅锗合金基热电元件具有重要意义。
目前，美国NASA制备的W(CVD)/Sealed C连接硅锗合金以及(Mo-Si)连接硅锗合金的热电元件，能够保证1000℃加速试验后接触电阻小于100μΩ·cm2的水平(G.L.Bennett.CRC Handbook of Thermoelectric,41,1995；J.F.Mondt.CRC Handbook ofThermoelectric,42,1995)。日本K.Hasezaki等制备的(W+Si3N4)/(MoSi2+Si3N4)连接硅锗合金的热电元件1100℃加速试验80h后，N型接触电阻约为150μΩ·cm2，P型接触电阻约为500μΩ·cm2(J.S.Lin,K.Tanihata,Y.Miyamoto,H.Kido.Functionally Graded Materials,1997；K.Hasezaki,H.Tsukuda,A.Yamada,S.Nakajima,Y.Kang,M.Niino.16thInternational Conference on Thermoelectrics,1997；K.Hasezaki,H.Tsukuda,A.Yamada,S.Nakajima,Y.Kang,M.Niino.17th International Conference onThermoelectrics,1998；J.S.Lin,Y.Miyamoto.J Mater Res,15,2000)。上述报道的研究中有些没有公开具体的制备方法与细节，有些需要特殊的设备或工艺复杂。有些制备后的元件性能较差，不具有良好接触状态，也不能够满足放射性同位素温差发电器使用要求。
发明内容
针对上述问题，本发明旨于提供一种具有良好的界面结构稳定性、界面化学稳定性以及电接触与热接触性能和能够满足放射性同位素温差发电器使用要求的的硅锗合金基热电元件以及一种工艺简单、可靠性高、成本低、无需特殊设备、适合规模化生产的制备方法。
为了解决上述问题，本发明提供了一种硅锗合金基热电元件，所述硅锗合金基热电元件由电极层、硅锗合金基热电层以及位于电极层和硅锗合金基热电层之间的阻挡层组成，所述阻挡层为硅化物与氮化硅的混合物，所述硅化物为硅化钼、硅化钨、硅化钴、硅化镍、硅化铌、硅化锆、硅化钽、硅化铪中的至少一种。
较佳地，所述电极层为金属钨与氮化硅的混合物，所述金属钨的体积为金属钨与氮化硅的混合物总体积的60％-100％。
较佳地，所述阻挡层中所述硅化物的体积为硅化物与氮化硅的混合物总体积的40％-100％。
较佳地，所述硅锗合金基热电层的原料为P型硅锗合金基热电材料。
较佳地，所述电极层的厚度为0.1～10mm。
较佳地，所述阻挡层的厚度为0.05～8mm，优选0.1-6mm。
本发明还提供了一种硅锗合金基热电元件的制备方法，包括：分别将硅锗合金基热电层粉体、阻挡层粉体与电极层粉体依次均匀的装入模具中，在真空中或惰性保护气氛下利用放电等离子烧结或热压烧结实现电极层、阻挡层和基体热电层的一步法连接。较佳地，所述模具为石墨模具。
较佳地，所述真空为真空度0.1～20Pa，所述惰性保护气氛为氮气或者氦气。
较佳地，所述的放电等离子烧结条件为：升温速率为80～200℃/分钟，烧结温度为900～1200℃，烧结压力为40～80MPa，保温时间为10～50分钟。优选的烧结条件为：升温速率为80～150℃/分钟，烧结温度为1000～1200℃，烧结压力为50～80MPa，保温时间为20～40分钟。
较佳地，所述的热压烧结条件为：升温速率为20～100℃/分钟，烧结温度为1000～1250℃，烧结压力为40～80MPa，保温时间为10～80分钟。
本发明提供的硅锗合金基热电元件中各界面结合良好，界面处未见裂纹与明显的扩散现象存在，接触电阻小，热接触状态好，且能够经受长时间的高温加速试验。另外，本发明提供的制备方法具有工艺简单、可靠性高、成本低、无需特殊设备、适合规模化生产等特点。
附图说明
图1为本发明提供的硅锗合金基热电元件的结构示意图，图中1为电极层，2为阻挡层，3为硅锗合金基热电层；
图2为实施例1制备的硅锗合金基热电元件的界面扫描电镜图；
图3为实施例1制备的硅锗合金基热电元件的界面处电阻变化关系图；
图4为实施例1制备的硅锗合金基热电元件经1000℃真空加速试验120h后的界面扫描电镜图；
图5为实施例1制备的硅锗合金基热电元件经1100℃真空加速试验120h后的界面扫描电镜图；
图6为实施例1制备的硅锗合金基热电元件加速试验前以及800℃、1000℃、1100℃真空加速试验120小时后的界面接触电阻率变化图。
具体实施方式
以下实施方式进一步说明本发明，应理解，下述实施方式仅用于说明本发明，而非限制本发明。本发明实施例中所用的P型硅锗合金基热电粉末均由本实验组制备。
参考图1为本发明提供的硅锗合金基热电元件的结构示意图：包括电极层1、阻挡层2和硅锗合金基热电层3，且阻挡层2处于电极层1与硅锗合金基热电层3之间。本发明以金属钨与氮化硅为原料的混合后的混合物作为硅锗合金基热电元件的电极层1(参见图1)。两者组合既可以保证电极层具有良好的高温稳定性又可以达到调节电极层的热膨胀系数，从而保证热电元件的电极与硅锗热电合金材料的热膨胀系数的良好匹配。其中，所述金属钨的体积可为金属钨与氮化硅的混合物总体积的60％～100％，优选70～80％。所述电极层的厚度可为0.1～10mm。本发明以硅化物与氮化硅为原料，混合后的混合物作为硅锗合金基热电元件的阻挡层2(参见图1)。通过调节硅化物与氮化硅的体积百分数之比，既可调节阻挡层的热膨胀系数，使之与热电层材料的热膨胀系数良好匹配，又可保证阻挡层具有良好的热导与电导性能并与热电材料具有良好的热接触以及电接性能。其中，硅化物可为硅化钼、硅化钨、硅化钴、硅化镍、硅化铌、硅化锆、硅化钽、硅化铪中的至少一种。所述硅化物的体积可为硅化物与氮化硅的混合物总体积的40％～100％，优选60％～90％。所述阻挡层的厚度可为0.05～8mm，优选0.1～6mm。在此厚度范围内既可以满足阻挡硅锗合金热电材料与电极层之间的相互扩散，又可以通过调节阻挡层厚度的变化与电极层的厚度来达到良好的热膨胀系数的匹配。本发明中还可以P型硅锗合金基热电材料作为硅锗合金基热电元件的硅锗合金基热电层3(参见图1)。
以下示例性的说明本发明提供的硅锗合金基热电元件的制备方法。
分别将硅锗合金基热电层粉体、阻挡层粉体与电极层粉体依次均匀的装入模具(例如，石墨模具)中，在真空中或惰性保护气氛下利用放电等离子烧结或热压烧结实现电极层、阻挡层和基体热电层的一步法连接。参见图2为本发明中实施例1制备的硅锗合金基热电元件的界面扫描电镜图，从左到右分别为电极层、阻挡层与硅锗合金基热电层。可以看到，电极层与阻挡层之间的界面、阻挡层与硅锗合金基热电层之间的界面皆结合良好，未发现裂纹，且界面处没有观察到明显的扩散现象。
本发明可在真空中或惰性保护气氛下采用放电等离子烧结方式制备硅锗合金基热电元件，实现电极层、阻挡层和基体热电层的一步法连接。其中，所述真空可为真空度0.1～20Pa。所述惰性保护气氛为氮气或者氦气。所述放电等离子烧结条件可为：升温速率为80～200℃/分钟，烧结温度为900～1200℃，烧结压力为40～80MPa，保温时间为10～50分钟；优选的烧结条件可为：升温速率为80～150℃/分钟，烧结温度为1000～1200℃，烧结压力为50～80MPa，保温时间为20～40分钟。
本发明还可以在真空中或惰性保护气氛下采用热压烧结制备硅锗合金基热电元件，实现电极层、阻挡层和基体热电层的一步法连接。其中，所述真空可为真空度0.1～20Pa。所述惰性保护气氛为氮气或者氦气。所述热压烧结的条件可为：升温速率为20～100℃/分钟，烧结温度为1000～1250℃，烧结压力为40～80MPa，保温时间为10～80分钟。
下面进一步例举实施例以详细说明本发明。同样应理解，以下实施例只用于对本发明进行进一步说明，不能理解为对本发明保护范围的限制，本领域的技术人员根据本发明的上述内容作出的一些非本质的改进和调整均属于本发明的保护范围。下述示例具体的工艺参数等也仅是合适范围中的一个示例，即本领域技术人员可以通过本文的说明做合适的范围内选择，而并非要限定于下文示例的具体数值。
实施例1
分别称取P型硅锗合金基(Si80Ge20B0.6)热电粉末2g、阻挡层(80vol％MoSi2+20vol％Si3N4)粉末0.033g、电极层(70vol％W+30vol％Si3N4)粉末0.342g，按照硅锗合金基热电粉末、阻挡层粉末、电极层粉末的顺序依次均匀的装入直径为10mm的石墨模具中，保证层与层之间的界面较为平整，然后在真空下进行放电等离子烧结：真空度为10Pa，烧结压力为60Mpa，升温速率为100℃/分钟，烧结温度为1150℃，保温时间为30分钟，最后随炉冷却至室温，所得固体即为本发明所述的具有如下基本机构的硅锗合金基热电元件：(70vol％W+30vol％Si3N4)/(80vol％MoSi2+20vol％Si3N4)/Si80Ge20B0.6。所得热电元件经扫描电镜分析可得阻挡层厚度为0.2mm。
采用四探针法对横截面积为0.1cm2的硅锗合金基热电元件进行界面电阻的测量，得到从电极层到阻挡层再到硅锗合金基热电层方向的电阻变化关系图，而界面的接触电阻值为电极层与阻挡层的界面电阻、阻挡层本身的电阻、阻挡层与硅锗合金基热电层的界面电阻的总和。图3为本实施例制备的硅锗合金基热电元件的界面处电阻变化关系图。可以看到，本实施例界面处的总接触电阻只有150μΩ，接触电阻率为15μΩ·cm2。
图4为本实施例制备的硅锗合金基热电元件经1000℃真空加速试验120h后的界面扫描电镜图。可以看到，1000℃真空加速试验120h后硅锗合金基热电元件的界面仍保持良好结合，未产生裂纹，且未发现明显扩散现象。图5为本实施例制备的硅锗合金基热电元件经1100℃真空加速试验120h后的界面扫描电镜图。可以看到，1100℃真空加速试验120h后硅锗合金基热电元件的界面仍保持良好结合，未产生明显裂纹，且未发现明显扩散现象。图6为实施例1制备的硅锗合金基热电元件加速试验前以及800℃、1000℃、1100℃真空加速试验120h后的界面接触电阻率变化图。可以看到，加速试验前、800℃、1000℃、1100℃真空加速试验120h后的界面接触电阻率分别为17μΩ·cm2、19μΩ·cm2、80μΩ·cm2，400μΩ·cm2。
综合图4、图5、图6说明本实施例制备的硅锗合金基热电元件能够经受长时间的高温加速试验，即加速试验后仍保持良好的界面稳定性与较低的界面接触电阻，符合硅锗合金基热电元件的使用要求。
实施例2
分别称取P型硅锗合金基(Si80Ge20B0.6)热电粉末30g、阻挡层(70vol％MoSi2+20vol％WSi2+10vol％Si3N4)粉末0.3g、电极层(65vol％W+35vol％Si3N4)粉末2g，按照硅锗合金基热电粉末、阻挡层粉末、电极层粉末的顺序依次均匀的装入直径为30mm的石墨模具中，保证层与层之间的界面较为平整，然后在真空下进行热压烧结：真空度为10Pa，烧结压力为75Mpa，升温速率为40℃/分钟，烧结温度为1200℃，保温时间为60分钟，最后随炉冷却至室温，所得块体即为本发明所述的硅锗合金基热电元件：(65vol％W+35vol％Si3N4)/(70vol％MoSi2+20vol％WSi2+10vol％Si3N4)/Si80Ge20B0.6。经分析得知，本实施例制备的硅锗合金基热电元件也具有图1所述的结构及图2至图6所示的特性和性能。所得热电元件经扫描电镜分析可得阻挡层厚度为0.15mm。

Claims (9)

1.一种硅锗合金基热电元件，其特征在于，所述硅锗合金基热电元件由电极层、硅锗合金基热电层以及位于电极层和硅锗合金基热电层之间的阻挡层组成，所述阻挡层为硅化物与氮化硅的混合物，所述硅化物为硅化钼、硅化钨、硅化钴、硅化镍、硅化铌、硅化锆、硅化钽、硅化铪中的至少一种，所述阻挡层中所述硅化物的体积为硅化物与氮化硅的混合物总体积的40% - 90%；
所述电极层为金属钨与氮化硅的混合物，所述金属钨的体积为金属钨与氮化硅的混合物总体积的60% - 80%。
2.根据权利要求1所述的硅锗合金基热电元件，其特征在于，所述硅锗合金基热电层的原料为P型硅锗合金基热电材料。
3.根据权利要求1所述的硅锗合金基热电元件，其特征在于，所述电极层的厚度为0.1～10 mm。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的硅锗合金基热电元件，其特征在于，所述阻挡层的厚度为0.05～8mm。
5.一种如权利要求1-4中任一项所述硅锗合金基热电元件的制备方法，其特征在于，包括：分别将硅锗合金基热电层粉体、阻挡层粉体与电极层粉体依次均匀的装入模具中，在真空中或惰性保护气氛下利用放电等离子烧结或热压烧结实现电极层、阻挡层和基体热电层的一步法连接。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述真空为真空度0.1～20 Pa，所述惰性保护气氛为氮气或者氦气。
7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述的放电等离子烧结条件为：升温速率为80～200℃/分钟，烧结温度为900～1200℃，烧结压力为40～80 MPa，保温时间为10～50 分钟。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述的放电等离子烧结条件为：升温速率为80～150℃/分钟，烧结温度为1000～1200℃，烧结压力为50～80 MPa，保温时间为20～40 分钟。
9.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述的热压烧结条件为：升温速率为20～100℃/分钟，烧结温度为1000～1250℃，烧结压力为40～80 MPa，保温时间为10～80分钟。
CN201610209315.6A 2016-04-05 2016-04-05 一种硅锗合金基热电元件及其制备方法 Active CN107293636B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610209315.6A CN107293636B (zh) 2016-04-05 2016-04-05 一种硅锗合金基热电元件及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610209315.6A CN107293636B (zh) 2016-04-05 2016-04-05 一种硅锗合金基热电元件及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107293636A CN107293636A (zh) 2017-10-24
CN107293636B true CN107293636B (zh) 2019-08-16

Family

ID=60093349

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610209315.6A Active CN107293636B (zh) 2016-04-05 2016-04-05 一种硅锗合金基热电元件及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107293636B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111146326B (zh) * 2019-12-03 2024-04-05 中国科学院微电子研究所 一种热电器件及其制备方法
CN110993780B (zh) * 2019-12-03 2023-09-22 中国科学院微电子研究所 热电器件及其制备方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101713281B1 (ko) * 2010-12-17 2017-03-07 삼성전자주식회사 코팅층 함유 열전재료, 그의 제조방법과 이를 포함하는 열전장치
CN103579482B (zh) * 2012-07-25 2016-09-07 中国科学院上海硅酸盐研究所 碲化铋基热电发电元件及其制备方法
CN103137847A (zh) * 2013-01-25 2013-06-05 四川汇源科技发展股份有限公司 一种温度敏感材料电子元器件及其制备方法
CN103325805B (zh) * 2013-06-09 2016-02-03 张家港港莲清洁能源有限公司 高功率热电转化模块的大规模集成芯片及其制造工艺
CN103311262B (zh) * 2013-06-09 2015-12-30 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 微型热电器件、制作方法及包括其的温差发电机
CN104465976B (zh) * 2013-09-22 2017-06-06 中国科学院上海硅酸盐研究所 受保护的热电元件、包含所述热电元件的热电器件及其形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN107293636A (zh) 2017-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Skomedal et al. Design, assembly and characterization of silicide-based thermoelectric modules
Zhang et al. Thermoelectric devices for power generation: recent progress and future challenges
JP5600732B2 (ja) 保護層でコーティングされている熱電材料
Nemoto et al. Development of an Mg 2 Si unileg thermoelectric module using durable Sb-doped Mg 2 Si legs
CN103219456B (zh) 一种与Mg-Si-Sn基热电元件相匹配的电极及其连接工艺
CN100552999C (zh) 一种与锑化钴热电元件匹配的合金电极及一步法连接工艺
US20060157101A1 (en) System and method for fabrication of high-efficiency durable thermoelectric devices
CN105990511B (zh) 一种一步原位反应制备均质块体热电材料的方法
Zhao et al. High temperature reliability evaluation of CoSb3/electrode thermoelectric joints
CN107293636B (zh) 一种硅锗合金基热电元件及其制备方法
Nemoto et al. Characteristics of a pin–fin structure thermoelectric uni-leg device using a commercial n-type Mg 2 Si source
Van Nong et al. High performance p-type segmented leg of misfit-layered cobaltite and half-Heusler alloy
CN102969443B (zh) 一种内外电极均为金属线的热电转换电池
CN109742224A (zh) 一种热电元件及其制备方法和热电器件
Choi et al. A resistance ratio analysis for cosb 3-based thermoelectric unicouples
CN109650435A (zh) 一种硫化铜基热电复合材料及其制备方法
Nemoto et al. Improvement in the durability and heat conduction of uni-leg thermoelectric modules using n-type Mg 2 Si legs
CN104646671B (zh) 一种超快速制备Cu2Se基热电发电元器件的方法
CN101101955A (zh) 一种用于锑化钴基热电元件的合金电极及元件制备方法
Alleno et al. A thermoelectric generator based on an n‐type clathrate and ap‐type skutterudite unicouple
CN102412366A (zh) 一种碲化铋基热电元件及其制备方法
KR101683911B1 (ko) 열전소자 및 열전소자의 제조 방법
CN107293635B (zh) 硅锗合金基热电元件及其制备方法
CN104362249B (zh) 一种与Mg‑Si‑Sn基热电元件相匹配的分层电极及其连接工艺
CN105679928B (zh) 一种适用于Cu2SnSe3基热电元件的合金电极及该热电元件的制备工艺

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant