CN107287656B - 一种iii‑v族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种III‑V族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法，包括以下步骤：(1)将III‑V族量子点分散于非极性溶剂中得到量子点溶液，将无机配体溶解于极性溶剂中得到无机配体分散液，再将量子点溶液与无机配体分散液混合搅拌，极性溶剂所在层即对应第一前驱体溶液；(2)将PbX2与MAX均匀分散于极性溶剂中得到第二前驱体溶液；(3)将第一前驱体溶液与第二前驱体溶液混合后利用反溶剂法生长晶体，从而在III‑V族量子点上外延诱导生长得到MAPbX3钙钛矿晶体。本发明通过对关键III‑V族量子点异质外延生长界面配体的种类和结构等进行改进，能够有效解决III‑V族量子点无法与Pb、X卤族元素相键合的问题。

Description

一种III-V族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法
技术领域
本发明属于半导体制造和化学合成技术领域，更具体地，涉及一种III-V族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法。
背景技术
异质外延结构的半导体晶体，是电致激光器、太阳能电池、发光二极管等多重器件的基础，在多个领域受到广泛的关注。异质结构的生长使得性能互补的材料形成界面，从而使复合材料拥有特殊的优异性能。并且可以通过选择异质相的电子能带的组合实现对固态器件的控制。而量子点具有量子可调的荧光发射，窄而对称的荧光发射光谱，极好的光学稳定性等优良性能。
目前，已有文献报道了关于PbS量子点钙钛矿单晶的外延生长，PbS量子点可与铅钙钛矿良好的结合，且晶格匹配程度较高，利于量子点与钙钛矿材料的结合。这种复合材料可应用于红外探测领域，拓展了钙钛矿材料的光谱范围提高了量子点的效率。
在III-V族量子点外延生长钙钛矿单晶，不仅可以有效的钝化量子点，还可以通过调节异质相间的能带位置实现窄带探测和发光。同时，钙钛矿具有较高的离子迁移率可以为量子点传输电子，调高量子点的发光效率。
这种可调且性能优异的III-V族量子点-钙钛矿复合材料在LED、激光器、光电探测等方面都有良好的应用前景。但III-V族量子点表面In、As、P等原子不能直接用铅卤无机盐做配体，无法直接在表面外延生长。且使用传统的升温或降温长晶的方法时，较复杂的温度环境易破坏量子点的结构或使其发生团聚失效，且保持较低温度使晶体生长速度缓慢，较难长出质量较好的外延单晶材料。
发明内容
针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本发明的目的在于提供一种III-V族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法，其中通过对其关键III-V族量子点异质外延生长界面配体的种类和结构等进行改进，与现有技术相比能够有效解决III-V族量子点无法与Pb、X卤族元素相键合的问题，并且，本发明利用反溶剂法进行晶体生长，工艺可控，操作简单，能够在常温下即进行量子点外延生长钙钛矿(MAPbX3)单晶。
为实现上述目的，按照本发明，提供了一种III-V族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将III-V族量子点分散于非极性溶剂中得到量子点溶液，并将无机配体溶解于极性溶剂中得到无机配体分散液，所述非极性溶剂与所述极性溶剂两者互不相溶；接着，将所述量子点溶液与所述无机配体分散液混合搅拌进行配体交换，然后静置使混合物分层，待所述量子点被交换至所述极性溶剂所在层中后，移除所述非极性溶剂所在层，余下的所述极性溶剂所在层即对应第一前驱体溶液；
所述无机配体在所述极性溶剂中的溶解度高于该无机配体在所述非极性溶剂中的溶解度；
(2)将PbX2与MAX均匀分散于极性溶剂中得到第二前驱体溶液，其中MA为甲胺根阳离子(CH3NH3)+，X为卤族元素；
(3)将所述步骤(1)得到的所述第一前驱体溶液与所述步骤(2)得到的所述第二前驱体溶液混合后利用反溶剂法生长晶体，从而在所述III-V族量子点上外延诱导生长得到MAPbX3钙钛矿晶体。
作为本发明的进一步优选，所述步骤(1)中，所述III-V族量子点为InAs量子点、以及InP量子点中的至少一种；
所述步骤(2)中，所述无机配体包括InX3、Na2S和K2S中的至少一种；其中X为卤族元素，为Cl、Br、以及I中的任意一种。
作为本发明的进一步优选，所述步骤(1)得到的所述第一前驱体溶液还经过清洗处理，所述清洗处理是向所述极性溶剂所在层中继续添加所述非极性溶剂，混合搅拌，接着静置使混合物分层，然后移除所述非极性溶剂所在层，余下的所述极性溶剂所在层即为清洗后的第一前驱体溶液；优选的，所述清洗处理为重复多次。
作为本发明的进一步优选，所述步骤(3)中，所述利用反溶剂法生长晶体具体是将所述第一前驱体溶液与所述第二前驱体溶液混合后得到的混合前驱体溶液置于密封容器中，所述密封容器内还含有反溶剂，接着将该密封容器整体在20℃-28℃的温度下静置从而生长晶体；所述反溶剂为二氯甲烷；优选的，所述混合前驱体溶液与所述反溶剂之间通过小孔进行扩散。
作为本发明的进一步优选，所述步骤(1)中，所述量子点溶液与所述无机配体分散液混合时，所述III-V族量子点与所述无机配体两者的物质的量之比为1:1.2-1:5；
所述步骤(2)中，所述PbX2与所述MAX两者的物质的量之比为1:(0.8～1.2)。
作为本发明的进一步优选，所述步骤(3)得到的所述MAPbX3钙钛矿晶体中掺杂有所述III-V族量子点，所述第一前驱体溶液与所述第二前驱体溶液混合后得到的混合前驱体溶液中量子点的浓度为1mg/ml-4mg/ml。
作为本发明的进一步优选，所述X为Cl、以及Br中的任意一种。
作为本发明的进一步优选，所述步骤(1)中，所述极性溶剂为DMF，所述非极性溶剂为正己烷或正辛烷。
通过本发明所构思的以上技术方案，与现有技术相比，由于在III-V族量子点表面引入(InX3等)无机配体层，使量子点溶于极性溶剂的同时除去表面长链有机配体，促进了量子点与钙钛矿(MAPbX3)在溶剂中接触，利于在量子点表面外延生长钙钛矿单晶。在量子点表面引入无机配体层，利用量子点表面三价元素(如In)和五价元素(如As、P等元素)与InX3等无机配体的键合，使得无法直接与Pb、X键合的InAs、InP量子点可实现钙钛矿单晶MAPbX3的外延生长，即通过III-V族量子点诱导生长CH3NH3PbX3单晶。
本发明还利用反溶剂的挥发特性，将容器密封使反溶剂进入前驱溶液中降低钙钛矿的溶解度析出单晶。实现低成本，常温恒温环境下快速制备InAs、InP量子点外延生长的钙钛矿单晶。
综上，本发明以非铅无机盐为过渡层诱导外延生长钙钛矿(MAPbX3)单晶，通过在量子点表面引入(InX3等)无机配体层，使量子点可以溶于极性溶剂并除去表面长链有机配体，促进了量子点与钙钛矿(MAPbX3)在溶剂中接触，利于在量子点表面外延生长钙钛矿单晶。在量子点表面引入无机配体层，利用量子点表面In、As、P等元素与InX3等无机配体的键合，使得表面无法直接与Pb、X键合的InAs、InP量子点可以实现钙钛矿单晶MAPbX3的外延生长。本发明通过对InAs、InP量子点异质外延生长界面配体的种类和结构进行改进，提出了一种工艺可控，操作简单，可在常温下进行的量子点外延生长钙钛矿(MAPbX3)单晶的方法。
已有文献报道关于PbS量子点嵌入MAPbBr3晶体中制备复合材料，PbS量子点表面暴露较多的Pb原子，易与Cl、Br、I等卤素原子结合，可以直接用MAPbBr3做为无机配体进行晶体外延生长；而InP、InAs等Ⅲ-Ⅴ族量子点InP、InAs表面暴露较多的P原子，无法直接与卤素原子结合，不能直接利用铅卤钙钛矿作为无机配体，无法将量子点分散在极性溶剂中诱导生长钙钛矿晶体进行复合材料的制备。为此，本发明根据量子点表面的原子暴露情况和键合原理，尤其通过控制配体的种类(包括配体的添加比例等)，利用无机配体对量子点进行配体交换，使得量子点可以稳定的分散在极性溶剂当中，同时可以方便诱导钙钛矿晶体在量子点表面外延生长。本发明通过在量子点表面引入特定的配体层，不仅使量子点可以较好的分散在极性溶剂中，促进了量子点与钙钛矿(MAPbX3)在溶剂中接触，还提供了诱导晶体生长的形核位点，便于钙钛矿晶体的生长。
附图说明
图1A、图1B分别为本发明中为InAs、InP量子点配体交换前后的吸收光谱；其中，InP代表配体交换前量子点的吸收光谱，InP-InBr3代表配体交换后量子点的吸收光谱，InAs QDs代表配体交换前量子点的吸收光谱，InAs-InBr3代表配体交换后量子点的吸收光谱。
图2为本发明中含量为5mg，10mg和20mgInP量子点外延生长出的钙钛矿单晶的实物图。
图3A、图3B为本发明中含量为5mg，10mgInAs、InP量子点和20mgInP量子点外延生长出的钙钛矿单晶的吸收光谱；其中，MAPbBr3代表纯MAPbBr3晶体的吸收光谱，InAs-MAPbBr3代表InAs量子点与MAPbBr3复合晶体的吸收光谱，InP-5代表混合前驱体溶液中浓度为1mg/ml的InP量子点与MAPbBr3复合晶体的吸收光谱，InP-10代表混合前驱体溶液中浓度为2mg/ml的InP量子点与MAPbBr3复合晶体的吸收光谱，InP-20代表混合前驱体溶液中浓度为4mg/ml的InP量子点与MAPbBr3复合晶体的吸收光谱。
图4A、图4B为本发明中含量为5mg，10mgInAs、InP量子点和20mgInP量子点外延生长出的钙钛矿单晶的荧光发射谱；其中，InP-5代表混合前驱体溶液中浓度为1mg/ml的InP量子点与MAPbBr3复合晶体的荧光光谱，InP-10代表混合前驱体溶液中浓度为2mg/ml的InP量子点与MAPbBr3复合晶体的荧光光谱，MAPbBr3代表纯MAPbBr3晶体的荧光光谱，InAs-MAPbBr3-470代表在470nm光源激发条件下InAs量子点与MAPbBr3复合晶体的荧光光谱，InAs-MAPbBr3-500代表在500nm光源激发条件下InAs量子点与MAPbBr3复合晶体的荧光光谱，InAs-MAPbBr3-530代表在530nm光源激发条件下InAs量子点与MAPbBr3复合晶体的荧光光谱。
图5A、图5B均为本发明中含量为10mg，20mgInP量子点外延生长出的钙钛矿单晶材料磨粉后XRD图；其中，图5B为图5A的局部放大图，MAPbBr3代表纯MAPbBr3晶体的X射线衍射图像，InP-10代表混合前驱体溶液中浓度为2mg/ml的InP量子点与MAPbBr3复合晶体的X射线衍射图像，InP-20代表混合前驱体溶液中浓度为4mg/ml的InP量子点与MAPbBr3复合晶体的X射线衍射图像。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。此外，下面所描述的本发明各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。
本发明中Ⅲ-Ⅴ族量子点外延生长钙钛矿(MAPbX3)单晶的方法，是以非铅无机盐为过渡层诱导外延生长钙钛矿(MAPbX3)单晶，具体步骤可包括：
(1)利用短链无机配体交换量子点表面有机配体：所述的配体交换的过程为液相交换法，利用配体在极性、非极性溶剂中的溶解性差异，完成配体交换。所述工艺可如下：先将无机配体(如InX3、Na2S、以及K2S等无机物中的一种或多种；X为卤族元素，例如可以是Cl、Br、I)溶解于N,N二甲基甲酰胺(DMF)等极性溶剂中。再加入分散于正己烷等非极性溶剂的量子点，搅拌较长时间使配体充分交换。待交换完成后，加入非极性溶剂清洗清洗多余长链配体完成交换。
(2)配置MAPbX3前驱体溶液，过滤后，加入交换完成后的量子点，利用反溶剂法进行晶体的生长。反溶剂法生长晶体工艺如下，将装有前驱体溶液的容器置于含有反溶剂的密封体系中，调整温度于20-28℃之间生长晶体。
以下为具体实施例：
实施例1
该实施例实验过程如下：(1)用去离子水，丙酮，异丙醇，乙醇和去离子水依次清洗2个玻璃瓶和25ml、50ml两个烧杯。(2)将1mmol InBr3倒入玻璃瓶A中，加入3ml DMF溶液搅拌使其充分溶解。(3)向玻璃瓶A中加入分散有InAs量子点的正辛烷溶液4ml，其中InAs量子点的含量为5mg。充分搅拌混合，待配体交换完成后(交换是否完成可通过颜色来判断，由于量子点的溶液带有颜色，而混合后的溶液中存在两相，互不相容，当加入带有颜色的溶液从上层完全转移到下层时，则表明交换完成)，移除上层无色的正辛烷溶液(保留下来的下层溶液其溶剂为DMF),加入正辛烷溶剂清洗(清洗后的上层正辛烷溶液层被移除)，如此反复清洗4-5次后，制成前驱溶液a。(4)将2mmol PbBr2和1.6mmol CH3NH3Br放入玻璃瓶B中，加入2ml DMF溶液并搅拌使其充分溶解，制成前驱溶液b。(5)将前驱溶液a和b，混合放入25ml烧杯中封口并留有缺孔。在50ml烧杯中加入6ml二氯甲烷，将装有前驱溶液的25ml烧杯放入50ml烧杯中，将烧杯密封处理。(6)沙浴温度设置为25℃，将装有前驱溶液和反溶剂的密闭系统置于沙浴中保温。待晶体长到合适的尺寸后取出，完成制备。前驱溶液a和b混合后得到的混合前驱体溶液中，量子点的浓度为1mg/ml，所得复合材料中InAs量子点的总含量约为5mg。
实施例2
该实施例实验过程如下：(1)用去离子水，丙酮，异丙醇，乙醇和去离子水依次清洗2个玻璃瓶和25ml、50ml两个烧杯。(2)将1mmol InBr3倒入玻璃瓶A中，加入3ml DMF溶液搅拌使其充分溶解。(3)向玻璃瓶A中加入分散有InAs量子点的正辛烷溶液4ml，其中InAs量子点的含量为10mg。充分搅拌混合，待配体交换完成后移除上层无色的正辛烷溶液,反复清洗4-5次后制成前驱溶液a。(4)将2mmol PbBr2和1.6mmol CH3NH3Br放入玻璃瓶B中，加入2mlDMF溶液并搅拌使其充分溶解，制成前驱溶液b。(5)将前驱溶液a和b，混合放入25ml烧杯中封口并留有缺孔。在50ml烧杯中加入6ml二氯甲烷，将装有前驱溶液的25ml烧杯放入50ml烧杯中，将烧杯密封处理。(6)沙浴温度设置为25℃，将装有前驱溶液和反溶剂的密闭系统置于沙浴中保温。待晶体长到合适的尺寸后取出，完成制备。前驱溶液a和b混合后得到的混合前驱体溶液中，量子点的浓度为2mg/ml，所得复合材料中InAs量子点的含量约为10mg。
实施例3
该实施例实验过程如下：(1)用去离子水，丙酮，异丙醇，乙醇和去离子水依次清洗2个玻璃瓶和25ml、50ml两个烧杯。(2)将1mmol InBr3倒入玻璃瓶A中，加入8ml DMF溶液搅拌使其充分溶解。(3)向玻璃瓶A中加入分散有InAs量子点的正辛烷溶液4ml，其中InP量子点的含量为5mg。充分搅拌混合，待配体交换完成后移除上层无色的正辛烷溶液,反复清洗4-5次后制成前驱溶液a。(4)将2mmol PbBr2和1.6mmol CH3NH3Br放入玻璃瓶B中，加入2mlDMF溶液并搅拌使其充分溶解，制成前驱溶液b。(5)将前驱溶液a和b，混合放入25ml烧杯中封口并留有缺孔。在50ml烧杯中加入6ml二氯甲烷，将装有前驱溶液的25ml烧杯放入50ml烧杯中，将烧杯密封处理。(6)沙浴温度设置为25℃，将装有前驱溶液和反溶剂的密闭系统置于沙浴中保温。待晶体长到合适的尺寸后取出，完成制备。前驱溶液a和b混合后得到的混合前驱体溶液中，量子点的浓度为1mg/ml，所得复合材料中InP量子点的含量约为5mg。
实施例4
该实施例实验过程如下：(1)用去离子水，丙酮，异丙醇，乙醇和去离子水依次清洗2个玻璃瓶和25ml、50ml两个烧杯。(2)将1mmol InBr3倒入玻璃瓶A中，加入8ml DMF溶液搅拌使其充分溶解。(3)向玻璃瓶A中加入分散有InAs量子点的正辛烷溶液4ml，其中InP量子点的含量为10mg。充分搅拌混合，待配体交换完成后移除上层无色的正辛烷溶液,反复清洗4-5次后制成前驱溶液a。(4)将2mmol PbBr2和1.6mmol CH3NH3Br放入玻璃瓶B中，加入2mlDMF溶液并搅拌使其充分溶解，制成前驱溶液b。(5)将前驱溶液a和b，混合放入25ml烧杯中封口并留有缺孔。在50ml烧杯中加入6ml二氯甲烷，将装有前驱溶液的25ml烧杯放入50ml烧杯中，将烧杯密封处理。(6)沙浴温度设置为28℃，将装有前驱溶液和反溶剂的密闭系统置于沙浴中保温。待晶体长到合适的尺寸后取出，完成制备。前驱溶液a和b混合后得到的混合前驱体溶液中，量子点的浓度为1mg/ml，所得复合材料中InP量子点的含量约为10mg。
实施例5
该实施例实验过程如下：(1)用去离子水，丙酮，异丙醇，乙醇和去离子水依次清洗2个玻璃瓶和25ml、50ml两个烧杯。(2)将1mmol InBr3倒入玻璃瓶A中，加入8ml DMF溶液搅拌使其充分溶解。(3)向玻璃瓶A中加入分散有InAs量子点的正辛烷溶液4ml，其中InP量子点的含量为20mg。充分搅拌混合，待配体交换完成后移除上层无色的正辛烷溶液,反复清洗4-5次后制成前驱溶液a。(4)将2mmol PbBr2和1.6mmol CH3NH3Br放入玻璃瓶B中，加入2mlDMF溶液并搅拌使其充分溶解，制成前驱溶液b。(5)将前驱溶液a和b，混合放入25ml烧杯中封口并留有缺孔。在50ml烧杯中加入6ml二氯甲烷，将装有前驱溶液的25ml烧杯放入50ml烧杯中，将烧杯密封处理。(6)沙浴温度设置为28℃，将装有前驱溶液和反溶剂的密闭系统置于沙浴中保温。待晶体长到合适的尺寸后取出，完成制备。前驱溶液a和b混合后得到的混合前驱体溶液中，量子点的浓度为4mg/ml，所得复合材料中InP量子点的含量为约为20mg。
实施例6
该实施例实验过程如下：(1)用去离子水，丙酮，异丙醇，乙醇和去离子水依次清洗2个玻璃瓶和25ml、50ml两个烧杯。(2)将2mmol Na2S倒入玻璃瓶A中，加入4ml DMF溶液搅拌使其充分溶解。(3)向玻璃瓶A中加入分散有InAs量子点的正辛烷溶液4ml，其中InP量子点的含量为10mg。充分搅拌混合，待配体交换完成后移除上层无色的正辛烷溶液,反复清洗4-5次后制成前驱溶液a。(4)将2mmol PbBr2和1.6mmol CH3NH3Br放入玻璃瓶B中，加入2ml DMF溶液并搅拌使其充分溶解，制成前驱溶液b。(5)将前驱溶液a和b，混合放入25ml烧杯中封口并留有缺孔。在50ml烧杯中加入6ml二氯甲烷，将装有前驱溶液的25ml烧杯放入50ml烧杯中，将烧杯密封处理。(6)沙浴温度设置为28℃，将装有前驱溶液和反溶剂的密闭系统置于沙浴中保温。待晶体长到合适的尺寸后取出，完成制备。前驱溶液a和b混合后得到的混合前驱体溶液中，量子点的浓度为1.6mg/ml，所得复合材料中InP量子点的含量为约为10mg。
实施例7
该实施例实验过程如下：(1)用去离子水，丙酮，异丙醇，乙醇和去离子水依次清洗2个玻璃瓶和25ml、50ml两个烧杯。(2)将2mmol K2S倒入玻璃瓶A中，加入4ml DMF溶液搅拌使其充分溶解。(3)向玻璃瓶A中加入分散有InAs量子点的正辛烷溶液4ml，其中InP量子点的含量为10mg。充分搅拌混合，待配体交换完成后移除上层无色的正辛烷溶液,反复清洗4-5次后制成前驱溶液a。(4)将2mmol PbBr2和1.6mmol CH3NH3Br放入玻璃瓶B中，加入2ml DMF溶液并搅拌使其充分溶解，制成前驱溶液b。(5)将前驱溶液a和b，混合放入25ml烧杯中封口并留有缺孔。在50ml烧杯中加入6ml二氯甲烷，将装有前驱溶液的25ml烧杯放入50ml烧杯中，将烧杯密封处理。(6)沙浴温度设置为28℃，将装有前驱溶液和反溶剂的密闭系统置于沙浴中保温。待晶体长到合适的尺寸后取出，完成制备。前驱溶液a和b混合后得到的混合前驱体溶液中，量子点的浓度为1.6mg/ml，所得复合材料中InP量子点的含量为约为10mg。
本发明中InAs、InP量子点在混合前驱体溶液中的浓度优选为在1mg/ml-4mg/ml之间可调，若浓度超过4mg/ml则量子点存在较多的剩余，无法完全复合。通过本发明制备得到的晶体，除晶体内掺杂有量子点外，晶体本身可以为单晶或多晶。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种III-V族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将III-V族量子点分散于非极性溶剂中得到量子点溶液，并将无机配体溶解于极性溶剂中得到无机配体分散液，所述非极性溶剂与所述极性溶剂两者互不相溶；接着，将所述量子点溶液与所述无机配体分散液混合搅拌进行配体交换，然后静置使混合物分层，待所述量子点被交换至所述极性溶剂所在层中后，移除所述非极性溶剂所在层，余下的所述极性溶剂所在层即对应第一前驱体溶液；
所述无机配体在所述极性溶剂中的溶解度高于该无机配体在所述非极性溶剂中的溶解度；
(2)将PbX2与MAX均匀分散于极性溶剂中得到第二前驱体溶液，其中MA为甲胺根阳离子(CH3NH3)+，X为卤族元素；
(3)将所述步骤(1)得到的所述第一前驱体溶液与所述步骤(2)得到的所述第二前驱体溶液混合后利用反溶剂法生长晶体，从而在所述III-V族量子点上外延诱导生长得到MAPbX3钙钛矿晶体。
2.如权利要求1所述III-V族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述III-V族量子点为InAs量子点、以及InP量子点中的至少一种；
所述步骤(2)中，所述无机配体包括InX3、Na2S和K2S中的至少一种；其中X为卤族元素，为Cl、Br、以及I中的任意一种。
3.如权利要求1所述III-V族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法，其特征在于，所述步骤(1)得到的所述第一前驱体溶液还经过清洗处理，所述清洗处理是向所述极性溶剂所在层中继续添加所述非极性溶剂，混合搅拌，接着静置使混合物分层，然后移除所述非极性溶剂所在层，余下的所述极性溶剂所在层即为清洗后的第一前驱体溶液。
4.如权利要求3所述III-V族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法，其特征在于，所述清洗处理为重复多次。
5.如权利要求1所述III-V族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法，其特征在于，所述步骤(3)中，所述利用反溶剂法生长晶体具体是将所述第一前驱体溶液与所述第二前驱体溶液混合后得到的混合前驱体溶液置于密封容器中，所述密封容器内还含有反溶剂，接着将该密封容器整体在20℃-28℃的温度下静置从而生长晶体；所述反溶剂为二氯甲烷。
6.如权利要求5所述III-V族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法，其特征在于，所述混合前驱体溶液与所述反溶剂之间通过小孔进行扩散。
7.如权利要求1所述III-V族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述量子点溶液与所述无机配体分散液混合时，所述III-V族量子点与所述无机配体两者的物质的量之比为1:1.2-1:5；
所述步骤(2)中，所述PbX2与所述MAX两者的物质的量之比为1:0.8～1.2。
8.如权利要求1所述III-V族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法，其特征在于，所述步骤(3)得到的所述MAPbX3钙钛矿晶体中掺杂有所述III-V族量子点，所述第一前驱体溶液与所述第二前驱体溶液混合后得到的混合前驱体溶液中量子点的浓度为1mg/ml-4mg/ml。
9.如权利要求1所述III-V族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法，其特征在于，所述X为Cl、以及Br中的任意一种。
10.如权利要求1所述III-V族量子点诱导生长钙钛矿晶体的方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述极性溶剂为DMF，所述非极性溶剂为正己烷或正辛烷。
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