CN105405979A - 有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法 - Google Patents

有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105405979A
CN105405979A CN201510881246.9A CN201510881246A CN105405979A CN 105405979 A CN105405979 A CN 105405979A CN 201510881246 A CN201510881246 A CN 201510881246A CN 105405979 A CN105405979 A CN 105405979A
Authority
CN
China
Prior art keywords
preparation
raw material
crystal
organic inorganic
inorganic hybridization
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510881246.9A
Other languages
English (en)
Inventor
袁国栋
王乐
段瑞飞
李晋闽
王军喜
黄芳
吴瑞伟
王克超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Institute of Semiconductors of CAS
Original Assignee
Institute of Semiconductors of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Semiconductors of CAS filed Critical Institute of Semiconductors of CAS
Priority to CN201510881246.9A priority Critical patent/CN105405979A/zh
Publication of CN105405979A publication Critical patent/CN105405979A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

一种有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法,包括以下步骤:步骤1:将原料A及原料B进行混合,溶解于溶剂C中形成前驱溶液;步骤2:将配好的前驱溶液用聚四氟乙烯过滤器过滤,然后装入容器中,并密封;步骤3:将装有前驱溶液的密封容器加温至一预定温度;步骤4:待前驱溶液中有晶体析出,间隔一预定的时间,并逐步提高温度,随着温度逐渐提高,晶体逐渐长大;步骤5:待晶体长到适当尺寸后从密封容器中取出,完成制备。本发明具有实现低成本、快速制备有机无机杂化钙钛矿单晶的优点。

Description

有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法
技术领域
本发明涉及一种有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法,属于半导体材料制造和化学合成技术领域。
技术背景
一种钙钛矿机构的有机无机杂化材料CH3NH3PbX3在光伏领域引发了一场革命。从2009年至今,工艺简单、成本低廉的钙钛矿太阳电池的效率由3.8%迅速提高至20.1%。
有机无机杂化钙钛矿具有优异的光学性质和电学性质。最常见的钙钛矿材料是碘化铅甲胺(CH3NH3PbI3),它是直接带隙半导体材料,带隙约为1.5eV。其消光系数高,约400纳米厚薄膜就可以充分吸收800nm以下的太阳光。光激发的激子束缚能只有0.030eV,说明在室温下大部分激子会很快分离为自由载流子。电子和空穴表现出很小的有效质量和很高的迁移率(电子:7.5cm2V-1s-1,空穴:12.5cm2V-1s-1),复合时间为几百纳秒,这导致很长的载流子扩散距离(100-1000nm)。少量氯元素的掺杂可以提高电子迁移率,显示出了更加优异的光电性能。
上述特性使得钙钛矿型结构CH3NH3PbI3不仅可以实现对可见光和部分近红外光的吸收,而且所产生的光生载流子不易复合,能量损失小,这是钙钛矿型太阳能电池能够实现高效率的根本原因。此外,这种材料制备简单,将含有PbI2和CH3NH3I的溶液,在常温下通过旋涂即可获得均匀薄膜。
性能优异的钙钛矿材料在LED、激光器、光电探测器和氢气制备等方面都有广阔的应用前景。
该有机无机杂化钙钛矿单晶有多种制备方法,比较常见的有顶部籽晶法、冷却高浓度饱和溶液法。顶部籽晶法可以制备出较大尺寸、缺陷较少的高质量钙钛矿单晶,但其工艺较为复杂,对设备要求较高。
钙钛矿单晶制备制约了其在光伏、激光器、LED等领域的发展及应用。
发明内容
本发明的目的在于提出一种在较低成本下制备出高质量钙钛矿单晶的方法,利用其溶解度随温度的升高而降低的特点,通过加热高浓度的钙钛矿前驱溶液析出钙钛矿单晶,实现低成本、快速制备有机无机杂化钙钛矿单晶。
本发明提供一种有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法,包括以下步骤:
步骤1:将原料A及原料B进行混合,溶解于溶剂C中形成前驱溶液;
步骤2:将配好的前驱溶液用聚四氟乙烯过滤器过滤,然后装入容器中,并密封;
步骤3:将装有前驱溶液的密封容器加温至一预定温度;
步骤4:待前驱溶液中有晶体析出,间隔一预定的时间,并逐步提高温度,随着温度逐渐提高,晶体逐渐长大;
步骤5:待晶体长到适当尺寸后从密封容器中取出,完成制备。
本发明的有益效果是:
(1)在较低的温度(低于150℃)制备出较少缺陷的有机无机杂化钙钛矿单晶材料;
(2)采用简单的设备即可制备出高质量的有机无机杂化钙钛矿单晶材料;
(3)制备出的钙钛矿单晶材料在空气中有较好的稳定性。
附图说明
为进一步说明本发明的技术内容,以下结合实施例及附图详细说明如后,其中:
图1是本发明的制备流程图。
具体实施方式
请参阅图1所示,本发明提供一种有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法,包括以下步骤:
步骤1:将原料A与原料B按一定比例进行混合后溶于溶剂C,形成前驱溶液;溶解过程中可加以超声辅助溶解;
其中原料A为PbX2;原料B为CH3NH3X或NH2CH=NH2X;所述元素X为卤素元素Cl、Br或I,所述原料A和原料B是按照1:(1-4)的摩尔比混合;
其中原料A中的PbX2是单一的一种或是PbCl2、PbBr2和PbI2的混合;原料B中的CH3NH3X是单一的一种或是CH3NH3Cl、CH3NH3Br、CH3NH3I的混合;所述原料B中的NH2CH=NH2X是单一的一种或是NH2CH=NH2Cl、NH2CH=NH2Br、NH2CH=NH2I的混合,原料B也可以是CH3NH3X和NH2CH=NH2X的混合;所述元素X为卤素元素Cl、Br或I;
其中溶剂C为N,N-二甲基甲酰胺(DMF)或γ-丁内酯(GBL)或两者的混合;
步骤2:将充分溶解的前驱溶液用聚四氟乙烯过滤器过滤,除去溶液中的不溶物,防止晶体生长过程中的非均匀形核;然后装入洁净的容器中,并密封;
步骤3:将装有前驱溶液的密封容器加温至一预定温度,使前驱溶液处于稳定的过饱和状态,促使溶质结晶形核。所述将装有前驱溶液的密封容器加温至40℃-80℃,加热方法可采用油浴加热,使密封容器受热均匀且温度更稳定;
步骤4:待前驱溶液中有晶体析出,间隔一预定的时间,并逐步提高温度,随着温度逐渐提高,晶体逐渐长大,所述待前驱溶液中有晶体析出并逐步提高温度的间隔时间为每10-20分钟温度提高1度;
步骤5:待晶体长到适当尺寸后从密封容器中取出,完成制备。
实施例1
精确称量1.0313gPbBr2、0.1888gCH3NH3PbBr和0.0759gCH3NH3PbCl,三种原料的摩尔比为PbBr2∶CH3NH3PbBr∶CH3NH3PbCl=5∶3∶2。将三种原料混合溶解于2mlDMF中,可超声加速溶解。充分溶解后,用孔径0.22μm的聚四氟乙烯过滤器过滤,置于密封的玻璃瓶中。准备好油浴设备,将油浴温度设为50℃。将装有前驱溶液的密封玻璃瓶置于油浴锅中加热。待有晶体析出,每间隔15分钟将温度升高1℃,晶粒逐渐长大。油浴逐步温度升高至90℃,可保持温度恒定。待晶粒生长速度缓慢后,取出密封的玻璃瓶,取出晶粒,关闭油浴设备。钙钛矿单晶生长完成。
以上所述的具体实施例,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细的说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施例而已,并不用于限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法,包括以下步骤:
步骤1:将原料A及原料B进行混合,溶解于溶剂C中形成前驱溶液;
步骤2:将配好的前驱溶液用聚四氟乙烯过滤器过滤,然后装入容器中,并密封;
步骤3:将装有前驱溶液的密封容器加温至一预定温度;
步骤4:待前驱溶液中有晶体析出,间隔一预定的时间,并逐步提高温度,随着温度逐渐提高,晶体逐渐长大;
步骤5:待晶体长到适当尺寸后从密封容器中取出,完成制备。
2.根据权利要求1所述的有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法,其中原料A为PbX2,原料B为CH3NH3X或NH2CH=NH2X,溶剂C为N,N-二甲基甲酰胺或γ-丁内酯,所述元素X为卤素元素Cl、Br或I。
3.根据权利要求1所述的有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法,其中原料A和原料B是按照1∶(1-4)的摩尔比混合。
4.根据权利要求1所述的有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法,其中原料A中的PbX2是单一的一种或是PbCl2、PbBr2和PbI2的混合。
5.根据权利要求1所述的有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法,其中原料B中的CH3NH3X是单一的一种或是CH3NH3Cl、CH3NH3Br、CH3NH3I的混合,原料B中的NH2CH=NH2X是单一的一种或是NH2CH=NH2Cl、NH2CH=NH2Br、NH2CH=NH2I的混合,所述元素X为卤素元素Cl、Br或I。
6.根据权利要求1所述的有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法,其中原料B是CH3NH3X和NH2CH=NH2X的混合。
7.根据权利要求1所述的有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法,其中溶剂C包括DMF和GBL或两者的混合。
8.根据权利要求1所述的有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法,其中将装有前驱溶液的密封容器加温至40℃-80℃。
9.根据权利要求1所述的有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法,其中待前驱溶液中有晶体析出并逐步提高温度的间隔时间为每10-20分钟温度提高1度。
CN201510881246.9A 2015-12-03 2015-12-03 有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法 Pending CN105405979A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510881246.9A CN105405979A (zh) 2015-12-03 2015-12-03 有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510881246.9A CN105405979A (zh) 2015-12-03 2015-12-03 有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105405979A true CN105405979A (zh) 2016-03-16

Family

ID=55471351

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510881246.9A Pending CN105405979A (zh) 2015-12-03 2015-12-03 有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105405979A (zh)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106637403A (zh) * 2016-11-28 2017-05-10 华中科技大学 一种钙钛矿单晶的制备方法
CN106784316A (zh) * 2016-07-22 2017-05-31 河北工业大学 一种钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳电池及其制备方法
CN106811794A (zh) * 2017-03-03 2017-06-09 苏州协鑫纳米科技有限公司 用于钙钛矿晶体的结晶生长板、结晶釜及结晶装置
CN106856222A (zh) * 2016-12-22 2017-06-16 东南大学 基于CH3NH2PbBr3钙钛矿单晶的高性能X射线传感器及其制备方法
CN107359251A (zh) * 2017-07-26 2017-11-17 湖北大学 一种有机无机杂化钙钛矿光电探测器及其制备方法
CN107829139A (zh) * 2017-11-07 2018-03-23 西北工业大学 全无机钙钛矿单晶的逆温溶液生长方法
CN108183166A (zh) * 2018-01-03 2018-06-19 电子科技大学 一种波动退火工艺及用该工艺制备的钙钛矿太阳能电池
US20190003074A1 (en) * 2017-06-30 2019-01-03 Uchicago Argonne, Llc One-step in situ solution growth for lead halide perovskite
CN109148644A (zh) * 2018-08-09 2019-01-04 苏州大学 基于梯度退火与反溶剂协同效应制备无机钙钛矿电池的方法及制备的无机钙钛矿电池
CN109962113A (zh) * 2019-03-28 2019-07-02 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法和显示面板
CN110176540A (zh) * 2019-06-05 2019-08-27 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶的制备方法与紫外探测器
CN110205678A (zh) * 2019-04-15 2019-09-06 安徽建筑大学 一种碳纸负载有机-无机钙钛矿微晶的制备方法
CN111313238A (zh) * 2020-02-29 2020-06-19 华南理工大学 一种锥状钙钛矿微纳晶激光器及其制备方法
CN112981538A (zh) * 2021-02-04 2021-06-18 广西大学 一种生长大尺寸钙钛矿单晶的方法
CN115094508A (zh) * 2022-06-13 2022-09-23 南昌大学 一种诱导a位混合阳离子碘基钙钛矿单晶有序生长的制备方法及其应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104131352A (zh) * 2014-07-17 2014-11-05 南京信息工程大学 大尺寸钙钛矿结构甲胺碘铅晶体的制备方法
CN104911705A (zh) * 2015-05-18 2015-09-16 陕西师范大学 低温溶液中生长abx3钙钛矿单晶的方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104131352A (zh) * 2014-07-17 2014-11-05 南京信息工程大学 大尺寸钙钛矿结构甲胺碘铅晶体的制备方法
CN104911705A (zh) * 2015-05-18 2015-09-16 陕西师范大学 低温溶液中生长abx3钙钛矿单晶的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
YUCHENG LIU ET AL.: ""Two-Inch-Sized Perovskite CH3NH3PbX3(X=Cl,Br,I) Crystals: Growth and Characterization"", 《ADVANCED MATERIALS》 *

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106784316A (zh) * 2016-07-22 2017-05-31 河北工业大学 一种钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳电池及其制备方法
CN106637403B (zh) * 2016-11-28 2019-04-12 华中科技大学 一种钙钛矿单晶的制备方法
CN106637403A (zh) * 2016-11-28 2017-05-10 华中科技大学 一种钙钛矿单晶的制备方法
CN106856222A (zh) * 2016-12-22 2017-06-16 东南大学 基于CH3NH2PbBr3钙钛矿单晶的高性能X射线传感器及其制备方法
CN106811794A (zh) * 2017-03-03 2017-06-09 苏州协鑫纳米科技有限公司 用于钙钛矿晶体的结晶生长板、结晶釜及结晶装置
US20190003074A1 (en) * 2017-06-30 2019-01-03 Uchicago Argonne, Llc One-step in situ solution growth for lead halide perovskite
US11203817B2 (en) * 2017-06-30 2021-12-21 Uchicago Argonne, Llc One-step in situ solution growth for lead halide perovskite
CN107359251A (zh) * 2017-07-26 2017-11-17 湖北大学 一种有机无机杂化钙钛矿光电探测器及其制备方法
CN107829139A (zh) * 2017-11-07 2018-03-23 西北工业大学 全无机钙钛矿单晶的逆温溶液生长方法
CN108183166B (zh) * 2018-01-03 2020-05-22 电子科技大学 一种波动退火工艺及用该工艺制备的钙钛矿太阳能电池
CN108183166A (zh) * 2018-01-03 2018-06-19 电子科技大学 一种波动退火工艺及用该工艺制备的钙钛矿太阳能电池
CN109148644A (zh) * 2018-08-09 2019-01-04 苏州大学 基于梯度退火与反溶剂协同效应制备无机钙钛矿电池的方法及制备的无机钙钛矿电池
CN109962113A (zh) * 2019-03-28 2019-07-02 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法和显示面板
CN110205678A (zh) * 2019-04-15 2019-09-06 安徽建筑大学 一种碳纸负载有机-无机钙钛矿微晶的制备方法
CN110176540A (zh) * 2019-06-05 2019-08-27 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶的制备方法与紫外探测器
CN111313238A (zh) * 2020-02-29 2020-06-19 华南理工大学 一种锥状钙钛矿微纳晶激光器及其制备方法
CN111313238B (zh) * 2020-02-29 2022-03-25 华南理工大学 一种锥状钙钛矿微纳晶激光器及其制备方法
CN112981538A (zh) * 2021-02-04 2021-06-18 广西大学 一种生长大尺寸钙钛矿单晶的方法
CN115094508A (zh) * 2022-06-13 2022-09-23 南昌大学 一种诱导a位混合阳离子碘基钙钛矿单晶有序生长的制备方法及其应用
CN115094508B (zh) * 2022-06-13 2024-05-03 南昌大学 一种诱导a位混合阳离子碘基钙钛矿单晶有序生长的制备方法及其应用

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105405979A (zh) 有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法
Liu et al. Perovskite quantum dots in solar cells
CN107204379A (zh) 一种高质量无机钙钛矿薄膜及其制备方法和在太阳能电池中的应用
CN105514276B (zh) 一种介孔状钙钛矿光伏材料及其制备方法
CN104911705A (zh) 低温溶液中生长abx3钙钛矿单晶的方法
CN106757342A (zh) 一种抗溶剂扩散生长abx3钙钛矿单晶的方法
CN106637403B (zh) 一种钙钛矿单晶的制备方法
CN105350078B (zh) 一种快速制备大面积钙钛矿晶体的方法
Chao et al. Ionic liquid for perovskite solar cells: an emerging solvent engineering technology
CN106299139B (zh) 一种离子掺杂的钙钛矿太阳能电池及其制造方法
De Marco et al. Perovskite single‐crystal solar cells: advances and challenges
CN107093671A (zh) 单晶钙钛矿有机金属卤化物薄膜的制备方法
CN110552061A (zh) 一种室温液相扩散分离结晶生长钙钛矿单晶的制备方法
CN109360895A (zh) 一种钙钛矿材料、制备方法及其太阳能电池器件
KR101819954B1 (ko) 페로브스카이트 광흡수층의 제조방법 및 이에 의해 제조된 광흡수층을 포함하는 태양전지
CN108539026B (zh) 一种具有微米管阵列结构的钙钛矿薄膜的制备方法
CN106848064B (zh) 基于二氧化钛-铜铟硫量子点核壳结构的高稳定性钙钛矿太阳能电池及制备方法
CN109285950A (zh) 一种基于铜铟硫纳米晶的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN104264211B (zh) 单晶亚微米级Cu2ZnSnS4颗粒的高温溶剂热制备方法及应用
CN101619487B (zh) 一种p型导电性的碘化亚铜单晶体及其水热生长方法
CN109244171B (zh) 一种宽光谱无机钙钛矿太阳能电池结构及其制备方法
CN105552230A (zh) 基于钙钛矿单晶衬底的太阳电池
CN112968134B (zh) 一种熔盐辅助结晶的钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN111129310B (zh) 一种引入辣椒素的钙钛矿薄膜制备方法
CN110808335B (zh) 一种择优取向生长的锡铅二元钙钛矿薄膜的制备方法及应用

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20160316

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication