CN107278032A - 制作Dk在6.5~10之间的HDI的工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及覆铜板技术领域，提供制作Dk在6.5～10之间的HDI的工艺，本发明实现优化整合了玻璃纤维布、电子铜箔、CCL、HDI三个产品制程，提高了产品性能，比如超薄铜箔，极强的精细线路制作能力；纳米级均匀分布的铜箔晶粒结构，优秀的蚀刻性能；完全无卤，优异的离子迁移性能；优异的耐热性和耐化学性；平面轮廓铜箔，良好的高频传输特性；同时缩短了流程，提高了效率，降低了成本。

Description

制作Dk在6.5～10之间的HDI的工艺
技术领域
本发明涉及覆铜板技术领域，具体涉及制作Dk在6.5～10之间的HDI 的工艺。
背景技术
现有技术：覆铜板行业的上游铜箔、玻璃纤维布的制造；首先覆铜板的制作：胶水调制、将玻璃纤维布涂胶烘干得到半固化片、将半固化片双面敷铜热压制得Dk＝3.0左右的覆铜板；其次HDI的制作：①先在覆铜板双面进行压膜、曝光、显影、蚀铜、去膜、棕化后得到内层线路板，再在内层线路板上下两面叠合半固化片和铜箔后压合，最后将压合后的产品双面进行压膜、曝光、显影、蚀铜、去膜、棕化后得到中间层线路板并钻孔镀铜；②将以上得到的线路板上下两面叠合半固化片和铜箔后压合，再将压合后的产品双面进行压膜、曝光、显影、蚀铜、去膜、棕化后得到表面层线路板并制作盲孔、通孔及孔金属化；③表面层电路制作、防焊、表面处理、印文字。现有产品没有介电常数Dk值在6.5～10之间的HDI线路板。
发明内容
解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了制作Dk在6.5～10之间的HDI 的工艺，解决了现有技术缺点：铜箔、玻璃纤维布的制造不仅耗能而且污染环境，且制作线路图的化学沉铜污染环境的问题。
技术方案
为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：
制作Dk在6.5～10之间的HDI的工艺，包括以下步骤：
S1：制作基材：将混合比例为氧化铝5-35％、二氧化钛10-60％、钛酸锶为5～85％的混合陶瓷粉料和聚四氟乙烯粉料混合，其中，陶瓷粉料的比例为30-50％，经成型烧结后车削成薄膜；
S2：制作高密度互联(1+N+2+N+1)层线路板：
①中心层电路板制作：所述薄膜按照电路设计需要在薄膜上钻孔，所述薄膜的双表面层利用离子注入方式注入铜离子，同时孔内表面也注入铜离子；再利用电镀方式在薄膜有铜离子的地方沉积金属铜制成线路图同时孔内表面层也沉积金属铜，所电镀的表面层线路铜表面是粗糙的，所述中心层线路板即为2层线路板；
②利用增层法原理制作上下各N层线路板：所述薄膜按照电路设计需要在薄膜上钻孔，所述薄膜的单面利用离子注入方式注入铜离子，同时孔内表面也注入铜离子；再利用电镀方式在薄膜有铜离子的地方沉积金属铜制成线路图同时孔内表面层也沉积金属铜，所电镀的表面层线路铜表面是粗糙的；
③将上N层、中心层、下N层线路板孔洞位置上下对齐、叠合在一起真空压合，形成中间线路板；
④上下表面1层电路板制作：所述薄膜按照电路设计需要在薄膜上钻孔，所述薄膜的单面利用离子注入方式注入铜离子，同时孔内表面也注入铜离子；再利用电镀方式在薄膜有铜离子的地方沉积金属铜制成线路图同时孔内表面层也沉积金属铜，所电镀的表面层线路铜表面是平整的；
⑤叠板压合，将上表面1层线路板、所述中间线路板、下表面1 层线路板孔洞位置上下对齐、叠合，真空高温压合，制得介电常数Dk 取值在6.5～10之间的HDI高密度互连线路板。
更进一步地，所述薄膜的表面电镀时不采用棕化工艺而形成粗糙的线路铜表面。
更进一步地，所述薄膜的厚度为0.01mm～0.075mm，车削所用设备为旋切机。
更进一步地，采用车削、离子注入和电镀方式制作Dk在6.5～10 之间的HDI。
有益效果
本发明提供了制作Dk在6.5～10之间的HDI的工艺，与现有公知技术相比，本发明的具有如下有益效果：
1、优化整合了玻璃纤维布、电子铜箔、CCL、HDI三个产品制程。
2、提高了产品性能，超薄铜箔，极强的精细线路制作能力大大提高。
3、纳米级均匀分布的铜箔晶粒结构，具有优秀的蚀刻性能。
4、完全无卤，优异的离子迁移性能。
5、优异的耐热性和耐化学性。
6、平面轮廓铜箔，良好的高频传输特性。
7、缩短了流程，提高了效率，降低了成本。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例：
本实施例的制作Dk在6.5～10之间的HDI的工艺，包括以下步骤：
S1：制作基材：将混合比例为氧化铝5-35％、二氧化钛10-60％、钛酸锶为5～85％的混合陶瓷粉料和聚四氟乙烯粉料混合，其中，陶瓷粉料的比例为30-50％，经成型烧结后车削成薄膜；
S2：制作高密度互联(1+N+2+N+1)层线路板：
①中心层电路板制作：所述薄膜按照电路设计需要在薄膜上钻孔，所述薄膜的双表面层利用离子注入方式注入铜离子，同时孔内表面也注入铜离子；再利用电镀方式在薄膜有铜离子的地方沉积金属铜制成线路图同时孔内表面层也沉积金属铜，所电镀的表面层线路铜表面是粗糙的，所述中心层线路板即为2层线路板；
②利用增层法原理制作上下各N层线路板：所述薄膜按照电路设计需要在薄膜上钻孔，所述薄膜的单面利用离子注入方式注入铜离子，同时孔内表面也注入铜离子；再利用电镀方式在薄膜有铜离子的地方沉积金属铜制成线路图同时孔内表面层也沉积金属铜，所电镀的表面层线路铜表面是粗糙的；
③将上N层、中心层、下N层线路板孔洞位置上下对齐、叠合在一起真空压合，形成中间线路板；
④上下表面1层电路板制作：所述薄膜按照电路设计需要在薄膜上钻孔，所述薄膜的单面利用离子注入方式注入铜离子，同时孔内表面也注入铜离子；再利用电镀方式在薄膜有铜离子的地方沉积金属铜制成线路图同时孔内表面层也沉积金属铜，所电镀的表面层线路铜表面是平整的；
⑤叠板压合，将上表面1层线路板、所述中间线路板、下表面1 层线路板孔洞位置上下对齐、叠合，真空高温压合，制得介电常数Dk 取值在6.5～10之间的HDI高密度互连线路板。
薄膜的厚度为0.01mm～0.075mm；薄膜的表面电镀时不采用棕化工艺而形成粗糙的线路铜表面。
本实施例的工艺优化整合了玻璃纤维布、电子铜箔、CCL、HDI 三个产品制程。提高了产品性能，比如超薄铜箔，极强的精细线路制作能力；纳米级均匀分布的铜箔晶粒结构，优秀的蚀刻性能；完全无卤，优异的离子迁移性能；优异的耐热性和耐化学性；平面轮廓铜箔，良好的高频传输特性。缩短了流程，提高了效率，降低了成本。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (4)

1.制作Dk在6.5～10之间的HDI的工艺，其特征在于：包括以下步骤：
S1：制作基材：将混合比例为氧化铝5～35％、二氧化钛10～60％、钛酸锶为5～85％的混合陶瓷粉料和聚四氟乙烯粉末混合，其中，陶瓷粉料的比例为30-50％，经烧结成型后车削成薄膜；
S2：制作高密度互联(1+N+2+N+1)层线路板：
①所述薄膜按照电路设计需要在薄膜上钻孔，所述薄膜的双表面层利用离子注入方式注入铜离子，同时孔内表面也注入铜离子；再利用电镀方式在薄膜有铜离子的地方沉积金属铜制成线路图同时孔内表面层也沉积金属铜，所电镀的表面层线路铜表面是粗糙的，所述中心层线路板即为2层线路板；
②利用增层法原理制作上下各N层线路板：所述薄膜按照电路设计需要在薄膜上钻孔，所述薄膜的单面利用离子注入方式注入铜离子，同时孔内表面也注入铜离子；再利用电镀方式在薄膜有铜离子的地方沉积金属铜制成线路图同时孔内表面层也沉积金属铜，所电镀的表面层线路铜表面是粗糙的；
③将上N层、中心层、下N层线路板孔洞位置上下对齐、叠合在一起真空压合，形成中间线路板；
④上下表面1层电路板制作：所述薄膜按照电路设计需要在薄膜上钻孔，所述薄膜的单面利用离子注入方式注入铜离子，同时孔内表面也注入铜离子；再利用电镀方式在薄膜有铜离子的地方沉积金属铜制成线路图同时孔内表面层也沉积金属铜，所电镀的表面层线路铜表面是平整的；
⑤叠板压合，将上表面1层线路板、所述中间线路板、下表面1层线路板孔洞位置上下对齐、叠合，真空高温压合，制得介电常数Dk取值在6.5～10之间的HDI高密度互连线路板。
2.根据权利要求1所述的制作Dk在6.5～10之间的HDI的工艺，其特征在于，所述薄膜的表面电镀时不采用棕化工艺而形成粗糙的线路铜表面。
3.根据权利要求1所述的制作Dk在6.5～10之间的HDI的工艺，其特征在于，所述薄膜的厚度为0.01mm～0.075mm。
4.根据权利要求1所述的制作Dk在6.5～10之间的HDI的工艺，其特征在于，采用车削、离子注入和电镀方式制作Dk在6.5～10之间的HDI。
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