CN107268085A - 一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备方法及装置 - Google Patents
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- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 56
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 35
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 26
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 11
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 31
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 239000003708 ampul Substances 0.000 claims description 26
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 14
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 11
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 5
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- JRIGVWDKYXCHMG-UHFFFAOYSA-N (5-arsoroso-2-hydroxyphenyl)azanium;chloride Chemical compound Cl.NC1=CC([As]=O)=CC=C1O JRIGVWDKYXCHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000413 arsenic oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OEYOHULQRFXULB-UHFFFAOYSA-N arsenic trichloride Chemical compound Cl[As](Cl)Cl OEYOHULQRFXULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229960002594 arsenic trioxide Drugs 0.000 claims description 3
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 3
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- 229950008475 oxophenarsine Drugs 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- KTTMEOWBIWLMSE-UHFFFAOYSA-N diarsenic trioxide Chemical compound O1[As](O2)O[As]3O[As]1O[As]2O3 KTTMEOWBIWLMSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 4
- 230000012010 growth Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- IKWTVSLWAPBBKU-UHFFFAOYSA-N a1010_sial Chemical compound O=[As]O[As]=O IKWTVSLWAPBBKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 238000005842 biochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000021332 multicellular organism growth Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/08—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state the diffusion materials being a compound of the elements to be diffused
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/42—Gallium arsenide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/10—Reaction chambers; Selection of materials therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
- C30B31/12—Heating of the reaction chamber
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备方法及装置，通过控制源区与生长区的温度分布实现物理化学气相传输，即原料在源区下发生化学反应并形成气相物质，该气相物质在轴向温度梯度的作用下物理传输到至砷化镓多晶中。该种方法合成的高阻半绝缘砷化镓多晶用于拉制半绝缘砷化镓单晶，拉制出的半绝缘砷化镓单晶具有电阻率高、碳分布均匀、电子迁移率高的优点；避免了在砷化镓单晶拉制过程中直接掺杂，有效降低了如晶体生长的成晶率、C浓度的控制及其分布均匀性等方面的制造难度；设备简单、成本低。
Description
技术领域
本发明涉及半导体材料技术领域，尤其涉及一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备方法及装置。
背景技术
砷化镓(GaAs)是一种属Ⅲ-Ⅴ族化合物的重要的半导体材料，其是制作集成电路、电力电子器件、光电子器件以及柔性太阳能电池等的关键基础材料。半绝缘砷化镓(SI-GaAs)是电阻率大于1×10^7Ω·cm的砷化镓单晶。以半绝缘砷化镓为基体的砷化镓高速数字电路、微波单片电路(MMICs)、光电集成电路、低噪声及大功率场效应晶体管，有速度快、频率高、低功耗和抗辐射等特点，对国防和经济建设具有重要意义。同时由于太阳能电池、光纤通信和移动通信的发展，对半绝缘砷化镓半导体材料的需求越来越大。
目前，高阻的半绝缘砷化镓大多是在石英管-PBN系统下采用垂直梯度凝固工艺，通过气氛掺杂手段在砷化镓单晶拉制过程中直接进行碳的掺杂而获得。但是，上述工艺在制备半绝缘砷化镓的过程中，很难控制C浓度，晶体的电学性能的均匀性也很难得到保证。
发明内容
鉴于上述现有技术中存在的缺陷，本发明的目的是提出一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备方法及装置。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备装置，包括一圆筒形的加热装置，所述加热装置的一端为源区，另一端为生长区，所述加热装置的控制温度从所述源区至所述生长区递增；所述加热装置内固定设置有一石英管，所述石英管内与所述源区相对应的位置相邻设置有用于盛放石墨粉的第一PBN舟和用于盛放第Ⅲ-Ⅳ族氯化物、氟化物或氧化物的第二PBN舟，所述石英管内与所述生长区相对应的位置设有一用于盛放砷化镓多晶的第三PBN舟；所述石英管在反应时为真空密封状态。
进一步的，所述加热装置的控制温度的梯度范围为1200℃-1300℃。
进一步的，所述第Ⅲ-Ⅳ族氯化物、氟化物或氧化物为氯化砷、氯化镓、氟化砷、氟化镓、氧化砷或氧化镓。
进一步的，所述石英管的长度为1m-1.5m，直径为70mm-120mm。
一种基于上述半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备装置的制备方法，包括以下步骤：
步骤一：将石墨粉的放置在所述第一PBN舟中，将第Ⅲ-Ⅳ族氯化物、氟化物或氧化物放置在所述第二PBN舟中，并将所述第一PBN舟和所述第二PBN舟放置在所述石英管内与所述源区相对应的位置；将砷化镓多晶放置在所述第三PBN舟中，并将所述第三PBN舟放置在所述石英管内与所述生长区相对应的位置；
步骤二：将所述石英管真空处理后，用氢氧焰焊接所述石英管进行密封处理；
步骤三：开启所述加热装置，所述第一PBN舟和所述第二PBN舟中的原料发生化学反应，生成碳的化合物气相物质，碳的化合物气相物质在所述源区和所述生长区的温度梯度的作用下物理气相传输掺杂至第三PBN舟的砷化镓多晶中；
步骤四：将掺杂后的砷化镓多晶放入石英容器中进行多晶合成，在1000℃-1300℃下，使其中的氯或氟元素挥发出来，同时使其中的C浓度分布均匀，得到产物掺碳半绝缘砷化镓多晶。
进一步的，所述第一PBN舟中装有石墨粉的质量为1g-10g；所述第二PBN舟中装有第Ⅲ-Ⅳ族氯化物、氟化物或氧化物的质量为1g-10g；所述第三PBN舟中装有砷化镓多晶的质量为3kg-15kg。
本发明的突出效果为：
本发明的一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备方法及装置，通过控制源区与生长区的温度分布实现物理化学气相传输，即原料在源区下发生化学反应并形成气相物质，该气相物质在轴向温度梯度的作用下物理传输到至砷化镓多晶中。该种方法合成的高阻半绝缘砷化镓多晶用于拉制半绝缘砷化镓单晶，拉制出的半绝缘砷化镓单晶具有电阻率高、碳分布均匀、电子迁移率高的优点；避免了在砷化镓单晶拉制过程中直接掺杂，有效降低了如晶体生长的成晶率、C浓度的控制及其分布均匀性等方面的制造难度；设备简单、成本低。
附图说明
图1为本发明实施例的结构示意图；
图中：1加热装置，2石英管，3第一PBN舟，4第二PBN舟，5第三PBN舟，6源区，7生长区。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
实施例
如图1所示，本实施例的一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备装置，包括圆筒形的加热装置1，加热装置1的一端为源区6，另一端为生长区7，加热装置1的控制温度从源区6至生长区7递增；加热装置1的控制温度的梯度范围为1200℃-1300℃。加热装置1内固定设置有石英管2，石英管2内与源区6相对应的位置相邻设置有用于盛放石墨粉的第一PBN舟3和用于盛放第Ⅲ-Ⅳ族氯化物、氟化物或氧化物的第二PBN舟4，石英管2内与生长区相对应的位置设有一用于盛放砷化镓多晶的第三PBN舟5；石英管2在反应时为真空密封状态。
其中，第Ⅲ-Ⅳ族氯化物、氟化物或氧化物可以为氯化砷、氯化镓、氟化砷、氟化镓、氧化砷或氧化镓。
可选的，石英管的长度为1m-1.5m，直径为70mm-120mm。
一种基于上述半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备装置的制备方法，包括以下步骤：
步骤一：将石墨粉的放置在第一PBN舟3中，将第Ⅲ-Ⅳ族氯化物、氟化物或氧化物放置在第二PBN舟4中，并将第一PBN舟3和第二PBN舟4放置在石英管2内与源区6相对应的位置；将砷化镓多晶放置在第三PBN舟5中，并将第三PBN舟5放置在石英管2内与生长区7相对应的位置；
步骤二：将石英管2真空处理后，用氢氧焰焊接石英管2进行密封处理；
步骤三：开启加热装置1，第一PBN舟3和第二PBN舟4中的原料发生化学反应，生成碳的化合物气相物质，碳的化合物气相物质在源区6和生长区7的温度梯度的作用下物理气相传输掺杂至第三PBN舟5的砷化镓多晶中；
步骤四：将掺杂后的砷化镓多晶放入石英容器中进行多晶合成，在1000℃-1300℃下，使其中的氯或氟元素挥发出来，同时使其中的C浓度分布均匀，得到产物掺碳半绝缘砷化镓多晶。
其中，第一PBN舟3中装有石墨粉的质量为1g-10g；第二PBN舟4中装有第Ⅲ-Ⅳ族氯化物、氟化物或氧化物的质量为1g-10g；第三PBN舟5中装有砷化镓多晶的质量为3kg-15kg。
经测试，本实施例制备得到的掺碳的半绝缘砷化镓多晶，经拉制得到的掺碳的半绝缘砷化镓单晶，电阻率高达107Ω·cm-108Ω·cm；C浓度在1×1015cm-3-3×1015cm-3，C浓度分布均匀；电子迁移率达4500cm2/v.s～5000cm2/v.s。
本实施例的一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备方法及装置，通过控制源区6与生长区7的温度分布实现物理化学气相传输，即原料在源区6下发生化学反应并形成气相物质，该气相物质在轴向温度梯度的作用下物理传输到至砷化镓多晶中。该种方法合成的高阻半绝缘砷化镓多晶用于拉制半绝缘砷化镓单晶，拉制出的半绝缘砷化镓单晶具有电阻率高、碳分布均匀、电子迁移率高的优点；避免了在砷化镓单晶拉制过程中直接掺杂，有效降低了如晶体生长的成晶率、C浓度的控制及其分布均匀性等方面的制造难度；设备简单、成本低。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备装置，其特征在于：包括一圆筒形的加热装置，所述加热装置的一端为源区，另一端为生长区，所述加热装置的控制温度从所述源区至所述生长区递增；所述加热装置内固定设置有一石英管，所述石英管内与所述源区相对应的位置相邻设置有用于盛放石墨粉的第一PBN舟和用于盛放第Ⅲ-Ⅳ族氯化物、氟化物或氧化物的第二PBN舟，所述石英管内与所述生长区相对应的位置设有一用于盛放砷化镓多晶的第三PBN舟；所述石英管在反应时为真空密封状态。
2.根据权利要求1所述的一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备装置，其特征在于：所述加热装置的控制温度的梯度范围为1200℃-1300℃。
3.根据权利要求1所述的一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备装置，其特征在于：所述第Ⅲ-Ⅳ族氯化物、氟化物或氧化物为氯化砷、氯化镓、氟化砷、氟化镓、氧化砷或氧化镓。
4.根据权利要求1所述的一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备装置，其特征在于：所述石英管的长度为1m-1.5m，直径为70mm-120mm。
5.根据权利要求1-4所述的任意一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备装置的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤一：将石墨粉的放置在所述第一PBN舟中，将第Ⅲ-Ⅳ族氯化物、氟化物或氧化物放置在所述第二PBN舟中，并将所述第一PBN舟和所述第二PBN舟放置在所述石英管内与所述源区相对应的位置；将砷化镓多晶放置在所述第三PBN舟中，并将所述第三PBN舟放置在所述石英管内与所述生长区相对应的位置；
步骤二：将所述石英管真空处理后，用氢氧焰焊接所述石英管进行密封处理；
步骤三：开启所述加热装置，所述第一PBN舟和所述第二PBN舟中的原料发生化学反应，生成碳的化合物气相物质，碳的化合物气相物质在所述源区和所述生长区的温度梯度的作用下物理气相传输掺杂至第三PBN舟的砷化镓多晶中；
步骤四：将掺杂后的砷化镓多晶放入石英容器中进行多晶合成，在1000℃-1300℃下，使其中的氯或氟元素挥发出来，同时使其中的C浓度分布均匀，得到产物掺碳半绝缘砷化镓多晶。
6.根据权利要求5所述的一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备方法，其特征在于：所述第一PBN舟中装有石墨粉的质量为1g-10g；所述第二PBN舟中装有第Ⅲ-Ⅳ族氯化物、氟化物或氧化物的质量为1g-10g；所述第三PBN舟中装有砷化镓多晶的质量为3kg-15kg。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710647391.XA CN107268085A (zh) | 2017-08-01 | 2017-08-01 | 一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备方法及装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710647391.XA CN107268085A (zh) | 2017-08-01 | 2017-08-01 | 一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备方法及装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107268085A true CN107268085A (zh) | 2017-10-20 |
Family
ID=60075658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710647391.XA Pending CN107268085A (zh) | 2017-08-01 | 2017-08-01 | 一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备方法及装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107268085A (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108531975A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-09-14 | 汉能新材料科技有限公司 | 一种半导体合成装置和合成方法 |
| CN108560055A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-09-21 | 汉能新材料科技有限公司 | 水平舟生产法的反应装置和半导体制备方法 |
| CN111893571A (zh) * | 2020-08-06 | 2020-11-06 | 山西中科晶电信息材料有限公司 | 一种掺杂砷化镓单晶晶体生长工艺 |
| CN113136616A (zh) * | 2021-03-29 | 2021-07-20 | 大庆溢泰半导体材料有限公司 | 一种生长半绝缘砷化镓单晶的掺碳装置及掺碳方法 |
| CN114635180A (zh) * | 2022-05-19 | 2022-06-17 | 山西中科晶电信息材料有限公司 | 一种半绝缘砷化镓单晶体及其制备方法和生长装置 |
| CN114855261A (zh) * | 2022-03-21 | 2022-08-05 | 西北工业大学 | 一种基于水平梯度凝固法生长化合物半导体单晶的气相掺杂方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1176691A (en) * | 1966-02-02 | 1970-01-07 | Texas Instruments Inc | High Resistivity Compounds and Alloys and Methods of Making Same. |
| JPH0248496A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-19 | Hitachi Cable Ltd | Ｃｒドープ半絶縁性砒化ガリウム結晶の製造方法 |
| JPH10203894A (ja) * | 1997-01-17 | 1998-08-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱分解窒化ホウ素容器およびその製造方法 |
| CN101063233A (zh) * | 2006-04-28 | 2007-10-31 | 新乡市神舟晶体科技发展有限公司 | 一种水平掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长设备 |
| CN101603208A (zh) * | 2008-06-11 | 2009-12-16 | 中国科学院半导体研究所 | 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 |
| CN207210579U (zh) * | 2017-08-01 | 2018-04-10 | 江西德义半导体科技有限公司 | 一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备装置 |
-
2017
- 2017-08-01 CN CN201710647391.XA patent/CN107268085A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1176691A (en) * | 1966-02-02 | 1970-01-07 | Texas Instruments Inc | High Resistivity Compounds and Alloys and Methods of Making Same. |
| JPH0248496A (ja) * | 1988-08-05 | 1990-02-19 | Hitachi Cable Ltd | Ｃｒドープ半絶縁性砒化ガリウム結晶の製造方法 |
| JPH10203894A (ja) * | 1997-01-17 | 1998-08-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 熱分解窒化ホウ素容器およびその製造方法 |
| CN101063233A (zh) * | 2006-04-28 | 2007-10-31 | 新乡市神舟晶体科技发展有限公司 | 一种水平掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长设备 |
| CN101603208A (zh) * | 2008-06-11 | 2009-12-16 | 中国科学院半导体研究所 | 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 |
| CN207210579U (zh) * | 2017-08-01 | 2018-04-10 | 江西德义半导体科技有限公司 | 一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备装置 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108531975A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-09-14 | 汉能新材料科技有限公司 | 一种半导体合成装置和合成方法 |
| CN108560055A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-09-21 | 汉能新材料科技有限公司 | 水平舟生产法的反应装置和半导体制备方法 |
| EP3587628A1 (en) | 2018-06-29 | 2020-01-01 | Hanergy New Material Technology Co., Ltd. | Reaction device for horizontal boat production method |
| EP3587627A1 (en) | 2018-06-29 | 2020-01-01 | Hanergy New Material Technology Co., Ltd. | Semiconductor synthesizing device and method |
| WO2020000601A1 (zh) * | 2018-06-29 | 2020-01-02 | 汉能新材料科技有限公司 | 水平舟生产法的反应装置 |
| WO2020000602A1 (zh) * | 2018-06-29 | 2020-01-02 | 汉能新材料科技有限公司 | 一种半导体合成装置和合成方法 |
| CN111893571A (zh) * | 2020-08-06 | 2020-11-06 | 山西中科晶电信息材料有限公司 | 一种掺杂砷化镓单晶晶体生长工艺 |
| CN113136616A (zh) * | 2021-03-29 | 2021-07-20 | 大庆溢泰半导体材料有限公司 | 一种生长半绝缘砷化镓单晶的掺碳装置及掺碳方法 |
| CN113136616B (zh) * | 2021-03-29 | 2022-02-08 | 大庆溢泰半导体材料有限公司 | 一种生长半绝缘砷化镓单晶的掺碳装置及掺碳方法 |
| CN114855261A (zh) * | 2022-03-21 | 2022-08-05 | 西北工业大学 | 一种基于水平梯度凝固法生长化合物半导体单晶的气相掺杂方法 |
| CN114635180A (zh) * | 2022-05-19 | 2022-06-17 | 山西中科晶电信息材料有限公司 | 一种半绝缘砷化镓单晶体及其制备方法和生长装置 |
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