CN107250039B - 用于制备氯硅烷的流化床反应器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种用于制备氯硅烷的流化床反应器，其包括由钢制造的反应器壳体，其特征在于反应器壳体的内壁具有焊接在其上的多孔金属网且所述多孔金属网具有包括施用于其上的陶瓷颗粒的粘结剂。

Description

用于制备氯硅烷的流化床反应器
本发明涉及一种用于制备氯硅烷的流化床反应器。
例如用于光伏电池或半导体工业的多晶硅是由原料三氯硅烷(TCS)制备的。
所述TCS主要通过三个不同工艺制备。
A)Si+3HCl→SiHCl3+H2+副产物
B)Si+3SiCl4+2H2→4SiHCl3+副产物
C)SiCl4+H2→SiHCl3+HCl+副产物
在流化床反应器中进行根据A)和B)的三氯硅烷的制备。为了制备高纯度的三氯硅烷，随后进行蒸馏。
US 4092446 A公开了一种反应器，其中使氯化氢由硅颗粒形成的硅床中通过。所述氯化氢与硅颗粒反应得到四氯化硅(STC)和TCS以及氢气。
氢化STC形成TCS同样是已知的。其是通过在TCS和氯化氢中使STC与氢气反应来实施的。四氯化硅和氢气转化得到三氯硅烷通常在处于高温，不低于600℃，理想地不低于850℃(高温转化)下的反应器中进行。
DE 196 54 154 A1公开了一种用于制备三氯硅烷的方法，其特征在于使硅颗粒、四氯硅烷及氢气在流化床中，在添加的含硅化铜的催化剂存在下，在400℃至700℃下反应。
例如，US 2009/0060818 A1要求保护一种用于制备TCS的工艺，其是使硅与HCl，或STC与氢气在硅及催化剂存在下反应。所用的催化剂包括，例如，Fe、Cu、Al、V、Sb或其化合物。将硅及催化剂在反应前层压在一起并降低粒径。
大多数STC是在多晶硅沉积过程中产生。多晶硅通过例如西门子法制备。此包括将硅沉积在反应器的加热细棒上。用作含硅组分的工艺气体为在氢气存在下的例如TCS的卤代硅烷。这使得由沉积中的STC副产物制备TCS并将TCS反馈到沉积工艺中以制备元素硅成为可能。
已知的是，在TCS制备期间流化床反应器的壁体经受硫化硅颗粒的严重磨损应力。研磨的硅具有高硬度并因此导致反应器的金属成分的磨损。反应器的壁体尤其受到攻击。所述磨损导致最长反应器可用时间为36周。此后，反应器的中间部分需要昂贵且不方便的修复。在约四个操作循环后，反应器部件废弃并需要利用新部件替换。
WO 2014/009625 A1和WO 2013/062676 A1分别描述了裂解反应器和提升管反应器，它们每个都装备由粘结剂制得的防腐层。粘结剂层在每种情况下都施加到蜂窝金属锚固结构上。
DE 36 40 172 C1公开了由含镍构造材料制成的反应器，其用于使颗粒状含Si-金属材料在流化床中反应以形成氯硅烷，其特征在于，对于将颗粒状含Si-金属材料与氯化氢反应的反应器，与流化的含Si-金属材料接触的构造材料具有至少40重量％，特别是大于98重量％的镍含量，其中对于多达95重量％的镍含量，所述构造材料包含0.5重量％至4重量％的钛及构造材料的其它成分。反应器完全地或部分地由构造材料制造，该构造材料展现出对流化的含Si-金属材料的磨损具有长期抵抗性。
WO 2008/088465 A1公开了用于流化床反应器的抗磨损的构造材料。为此，热交换器至少部分地提供有涂层，该涂层包括分布在基质中的例如碳化钨的硬金属颗粒。所述硬金属层以冶金方式结合到热交换器表面。
但是，具有镍或硬金属颗粒的衬层和涂层相对昂贵。具有碳化硅(SiC)的完全衬层也极其昂贵。并且，对于大多数组分，SiC衬层在技术上非常难以实施。
本发明所要实现的目的来源于上述问题。具体而言，本发明的目的在于识别用于流化床反应器衬层的替换的且不太昂贵的抗磨损的构造材料。
本发明目的通过用于制备氯硅烷的流化床反应器实现，所述反应器包括由钢制造的反应器壳体，其特征在于该反应器壳体的内壁具有焊接到其上的多孔金属网，且该多孔金属网具有包括其上施用陶瓷颗粒的粘结剂。
本发明另外涉及在该反应器中制备氯硅烷。
本发明还提供一种用于将磨损保护施用于流化床反应器的钢表面的方法，其包括将多孔金属网焊接到钢表面，将包含陶瓷颗粒的粘结剂与水混合以制备悬浮液，将该混合的粘结剂施用于钢表面并干燥及固化粘结剂10-30天。
反应器优选地是一种流化床反应器，其用于在流化床中将研磨的金属硅与氯化氢反应以制备氯硅烷，更具体地制备四氯硅烷及三氯硅烷，和/或将研磨的金属硅与四氯硅烷和氢气反应以制备三氯硅烷。
反应器在反应器壳体的内壁上包括以砂浆/粘结剂形式施用的磨损保护。已发现这可增加反应器封套4倍的寿命。
不同于现有技术，没有将耐磨镀层施用于基底材料，而是反应器内部利用耐磨打底作衬层。
砂浆比镀层材料的耐磨性要强得多。并且，替换衬层比替换镀层或修复基底材料要容易得多。
最后，耐磨砂浆比耐磨镀层更廉价。
反应器优选地包括反应器壳体、用于气态HCl和/或H2及STC的供给、用于金属硅的供给和用于已制备的氯硅烷的输出。
取决于实施，可存在内部冷却元件。
在反应器中用HCl和/或H2和STC使研磨的金属硅流化。
反应器中的压力一般为1-30bar。
温度优选地为300-600℃。
反应器壳体材料可由碳钢、不锈钢或更高级合金钢(例如镍基的构造材料例如Hastelloy、Incolloy)制成。
反应器壳体的内壁具有焊接到其上的多孔金属网。
术语多孔金属网应被理解为意指其表面具有孔的构造材料。这些孔是通过偏移切割及同时拉伸变形但不损失材料而形成的。
常见网孔形状的实例包括：菱形、长边、六边形、圆形、正方形和特殊形状。多孔金属网尤其用作结构及天花板、墙壁和外立面的包层的打底载体。
所述多孔金属网的起始材料优选地为1至5mm厚的钢板或不锈钢板。
网孔优选地为正方形、矩形或菱形。网孔优选地具有10至50mm的边长。
施用于反应器壳体的内壁/多孔金属网上的粘结剂(CaO)包括陶瓷颗粒。
所述陶瓷颗粒由选自以下组中的材料制成：碳化硅、氮化硅、氮化硼、氧化锆及氮化铝。
也可使用由来自上述组中的不同材料以组合方式制成陶瓷颗粒。
特别优选的是，陶瓷颗粒为SiC颗粒或Si3N4颗粒。
在一个实施方案中，所述粘结剂包含一种或多种选自以下组中的添加剂：SiO2、Al2O3、TiO2、Cr6+(例如CrO3)及Fe2O3。
反应器内壁具有焊接到其上的多孔金属网，在该多孔金属网上施加粘结剂。
将粘结剂与一些水混合并以悬浮液引入反应器中并至多孔金属网上。
所述粘结剂层的厚度优选地为5-50mm。
在第二步骤中，使粘结剂在室温下干燥。固化/干燥时间为10-30天。
使用SiC基的砂浆允许反应器操作长达65周。然后必须清除砂浆并替换新砂浆。反应器的中间部分则可使用至少12年。
该粘结剂的优点在于，与含Ni的构造材料、碳化钨、SiC的镀层及衬层相比，其购买成本低廉。
引入反应器中是相对简单的。
此外，耐磨性相对高。
结合根据本发明工艺的上述实施方案所述的特征可相应地应用于根据本发明的装置。相反地，结合根据本发明的装置的上述实施方案所述的特征可相应地应用于根据本发明的工艺。在权利要求中说明了根据本发明的实施方案的这些及其它特征。单独特征可单独地或以组合方式被理解为本发明的实施方案。所述特征可进一步描述本身适于保护的有利实施例。
本发明以上公开内容使本领域技术人员理解本发明及与其相关的优势，也涵盖了对本领域技术人员来说显而易见的所述结构及工艺的变更和修改。所有这些变更和修改以及其等效物因此应被权利要求的保护范围覆盖。

Claims (9)

1.一种用于制备氯硅烷的流化床反应器，其包括由钢制造的反应器壳体，其特征在于，所述反应器壳体的内壁具有焊接于其上的多孔金属网且所述多孔金属网具有包括施用于其上的陶瓷颗粒的粘结剂，其中所述陶瓷颗粒由选自以下组中的材料制成：碳化硅、氮化硅、氮化硼、氧化锆及氮化铝。
2.根据权利要求1所述的流化床反应器，其中所述粘结剂包含一种或多种选自以下组中的添加剂：SiO2、Al2O3、TiO2、CrO3及Fe2O3。
3.根据权利要求1和2中任一项所述的流化床反应器，其中所述粘结剂具有5-50mm的层厚度。
4.一种对流化床反应器的钢表面施加磨损保护的方法，其包括将多孔金属网焊接到钢表面上，将包含陶瓷颗粒的粘结剂与水混合以制备悬浮液，将所述混合的粘结剂施用到钢表面上，然后干燥并固化所述粘结剂10-30天，其中所述陶瓷颗粒由选自以下组中的材料制成：碳化硅、氮化硅、氮化硼、氧化锆及氮化铝。
5.根据权利要求4所述的方法，其中所述粘结剂包含一种或多种选自以下组中的添加剂：SiO2、Al2O3、TiO2、CrO3及Fe2O3。
6.根据权利要求4至5中任一项所述的方法，其中所述粘结剂具有5-50mm的层厚度。
7.一种用于制备氯硅烷的方法，其通过在流化床中使研磨的金属硅与氯化氢反应以得到四氯硅烷和三氯硅烷来进行，或通过在流化床中使研磨的金属硅与四氯硅烷和氢气反应以得到三氯硅烷来进行，其中所述反应在根据权利要求1至3中任一项所述的流化床反应器中进行。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述流化床反应器在1-30bar的压力下操作。
9.根据权利要求7或8所述的方法，其中所述反应在300-600℃的温度下进行。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108069428B (zh) * 2016-11-18 2023-10-10 江苏中能硅业科技发展有限公司 用于处理多晶硅副产渣浆的装置和工艺
FR3075776B1 (fr) * 2017-12-21 2020-10-02 Rosi Granules de silicium pour la preparation de trichlorosilane et procede de fabrication associe
KR102528127B1 (ko) * 2018-04-18 2023-05-02 와커 헤미 아게 클로로실란의 제조 방법
US20220041455A1 (en) * 2018-12-18 2022-02-10 Wacker Chemie Ag Process for preparing chlorsilanes

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3645700A (en) * 1969-01-24 1972-02-29 Asahi Glass Co Ltd Apparatus for fluidized-bed reactions
DE3739578A1 (de) * 1986-11-25 1988-11-03 Huels Troisdorf Zyklon bei der herstellung von chlorsilanen
CN1153138A (zh) * 1995-09-21 1997-07-02 瓦克化学有限公司 制备三氯硅烷的方法
CN1157259A (zh) * 1995-12-25 1997-08-20 德山株式会社 三氯硅烷的生产方法
CN2779197Y (zh) * 2005-02-03 2006-05-10 西安建筑科技大学 三元复合材料内衬耐磨管
CN101432470A (zh) * 2006-08-10 2009-05-13 韩国化学研究院 制备粒状多晶硅的方法和装置
CN103906564A (zh) * 2011-10-28 2014-07-02 环球油品公司 具有流动干涉器的提升管反应器
CN104203821A (zh) * 2012-03-14 2014-12-10 森特瑟姆光伏美国有限公司 三氯甲硅烷生产

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4059544A (en) * 1972-08-10 1977-11-22 Fujimi Kenmazai Kogyo Kabushiki Kaisha Active material compositions with porous protective sheath and method for preparing
US4092446A (en) 1974-07-31 1978-05-30 Texas Instruments Incorporated Process of refining impure silicon to produce purified electronic grade silicon
DE3640172C1 (en) 1986-11-25 1988-08-18 Huels Troisdorf Reactor of nickel-containing material for reacting granular Si-metal-containing material with hydrogen chloride to form chlorosilanes
JP2002031275A (ja) * 2000-07-12 2002-01-31 Babcock Hitachi Kk 耐摩耗用二重管
DE10063863A1 (de) 2000-12-21 2003-07-10 Solarworld Ag Wirbelbettreaktor für die Trichlorsilansynthese
US7935236B2 (en) * 2002-05-09 2011-05-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Electro-osmotic pulse (EOP) treatment method
PT2066436E (pt) * 2006-09-19 2012-08-06 Basf Se Reator de leito fluidizado para a realização de uma reação de fase de gás
EP2111524B1 (en) 2007-01-17 2011-03-23 Dow Corning Corporation Wear resistant materials in the direct process
US7754175B2 (en) 2007-08-29 2010-07-13 Dynamic Engineering, Inc. Silicon and catalyst material preparation in a process for producing trichlorosilane
US8168123B2 (en) 2009-02-26 2012-05-01 Siliken Chemicals, S.L. Fluidized bed reactor for production of high purity silicon
JP2011184243A (ja) * 2010-03-09 2011-09-22 Jnc Corp クロロシランの製造装置
FR2993201B1 (fr) 2012-07-10 2014-08-08 Total Raffinage Marketing Procede de realisation d'un revetement anti erosion sur une paroi interne d'une enceinte d'unite fcc et structure d'ancrage pour la realisation de ce revetement.

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3645700A (en) * 1969-01-24 1972-02-29 Asahi Glass Co Ltd Apparatus for fluidized-bed reactions
DE3739578A1 (de) * 1986-11-25 1988-11-03 Huels Troisdorf Zyklon bei der herstellung von chlorsilanen
CN1153138A (zh) * 1995-09-21 1997-07-02 瓦克化学有限公司 制备三氯硅烷的方法
CN1157259A (zh) * 1995-12-25 1997-08-20 德山株式会社 三氯硅烷的生产方法
CN2779197Y (zh) * 2005-02-03 2006-05-10 西安建筑科技大学 三元复合材料内衬耐磨管
CN101432470A (zh) * 2006-08-10 2009-05-13 韩国化学研究院 制备粒状多晶硅的方法和装置
CN103906564A (zh) * 2011-10-28 2014-07-02 环球油品公司 具有流动干涉器的提升管反应器
CN104203821A (zh) * 2012-03-14 2014-12-10 森特瑟姆光伏美国有限公司 三氯甲硅烷生产

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Publication number Publication date
WO2016156047A1 (de) 2016-10-06
EP3277628A1 (de) 2018-02-07
CA2974238A1 (en) 2016-10-06
CA2974238C (en) 2019-05-21
KR102013431B1 (ko) 2019-08-22
JP2018515408A (ja) 2018-06-14
MY184624A (en) 2021-04-09
DE102015205727A1 (de) 2016-10-06
EP3277628B1 (de) 2019-05-08
CN107250039A (zh) 2017-10-13
TWI654027B (zh) 2019-03-21
WO2016156047A8 (de) 2017-07-13
JP6426300B2 (ja) 2018-11-21
TW201634113A (zh) 2016-10-01
KR20170105061A (ko) 2017-09-18
US10647583B2 (en) 2020-05-12
US20180105427A1 (en) 2018-04-19

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