CN107245694B - 张网装置、基台、夹具及掩膜板的夹持方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种张网装置、基台、夹具及掩膜板的夹持方法，属于显示面板制造领域。所述张网装置包括：用于承载掩膜板的基台、用于夹持所述掩膜板的夹具和设置在所述基台或所述夹具上的形变调节组件；所述形变调节组件用于在所述基台承载所述掩膜板时调节所述掩膜板凸出于所述基台的部分在重力方向上的形变量，使所述形变量小于预设形变阈值。本发明通过调节组件调节掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上的形变量，进而使得夹具可以顺利的夹取掩膜板。本发明用于张网装置中。

Description

张网装置、基台、夹具及掩膜板的夹持方法
技术领域
本发明涉及显示面板制造领域，特别涉及一种张网装置、基台、夹具及掩膜板的夹持方法。
背景技术
目前，蒸镀工艺是制作有机发光二极管(英文：Organic Light-Emitting Diode；OLED)显示器的有机发光层的过程中的重要工艺之一，具体的，利用具有图案的掩膜组件，通过真空蒸镀方式在待蒸镀基板上形成所需的图案。其中，掩膜板组件包括金属框架和掩膜板，在掩膜板与金属框架结合时需要利用张网装置使掩膜板在金属框架上张紧后，将掩膜板固定在金属框架上。该掩膜板可以为精细金属掩膜板(英文：Fine Metal Mask，简称：FMM)。
请参考图1，图1是现有技术提供的一种张网装置的结构示意图，该张网装置包括基台01和夹具02，该基台01用于承载掩膜板03，为了方便夹具02夹取基台01上的掩膜板03，掩膜板03的宽度d2需要大于基台01的宽度d1，通常掩膜板03的宽度d2比基台01的宽度d1大30毫米(mm)，也即是，当基台01承载掩膜板03时，掩膜板03凸出于基台01两侧的距离d3为15mm。
但是，凸出于基台两侧的掩膜板在其自身重力的影响下，掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上存在形变量，例如，如图1所示，掩膜板03凸出于基台01的部分在重力方向上的形变量为d0，当d0大于1mm时，夹具无法顺利的夹取掩膜板。
发明内容
为了解决现有技术的夹具无法顺利的夹取掩膜板的问题，本发明实施例提供了一种张网装置、基台、夹具及掩膜板的夹持方法。所述技术方案如下：
第一方面，提供一种张网装置，包括：
用于承载掩膜板的基台、用于夹持所述掩膜板的夹具和设置在所述基台或所述夹具上的形变调节组件；
所述形变调节组件用于在所述基台承载所述掩膜板时调节所述掩膜板凸出于所述基台的部分在重力方向上的形变量，使所述形变量小于预设形变阈值。
可选的，所述形变调节组件包括：电磁铁和电流控制单元；
所述电磁铁与所述电流控制单元连接，所述电流控制单元通过控制输出的电流大小以控制所述电磁铁的电磁力。
可选的，所述张网装置还包括：测量单元；
所述测量单元与所述电流控制单元连接，所述测量单元用于测量所述掩膜板凸出于所述基台的部分在重力方向上的初始形变量，所述初始形变量为所述调节组件调节之前的所述掩膜板凸出于所述基台的部分在重力方向上的形变量；
所述电流控制单元用于根据所述初始形变量确定所述电流控制单元输出的电流，并向所述电磁铁输出所述电流。
可选的，所述电流控制单元输出的电流的大小等于所述初始形变量的大小与预设比值的乘积，且所述电磁铁的电磁力小于或等于所述掩膜板凸出于所述基台的部分所受到的重力。
可选的，所述形变调节组件包括：n1个可拆卸设置的磁铁，所述n1为大于或等于2的整数。
可选的，所述张网装置还包括：支撑杆，
所述支撑杆一端与所述基台的边缘连接，另一端上设置有所述形变调节组件，所述形变调节组件位于所述基台的工作面上方。
可选的，所述夹具包括：夹持组件；
所述夹持组件包括：第一子夹持件和第二子夹持件，
所述第一子夹持件和第二子夹持件活动连接，所述第一子夹持件的一端位于所述基台的工作面所在平面的上方，所述第二子夹持件的一端位于所述基台的工作面所在平面的下方；
所述形变调节组件设置在所述第一子夹持件的一端上。
可选的，所述夹具有n2个，所述支撑杆有n2个，所述形变调节组件有n2个，所述n2为大于或等于4的整数，n2个所述支撑杆与n2个所述形变调节组件一一对应设置。
第二方面，提供一种基台，包括：
基台本体、支撑杆和形变调节组件；
所述支撑杆一端与所述基台本体的边缘连接，另一端上设置有所述形变调节组件，所述形变调节组件位于所述基台本体的工作面上方。
可选的，所述形变调节组件包括：电磁铁和电流控制单元；
所述电磁铁与所述电流控制单元连接，所述电流控制单元通过控制输出的电流大小以控制所述电磁铁的电磁力。
第三方面，提供一种夹具，包括：
夹具本体和形变调节组件；
所述夹具本体包括：夹持组件；
所述夹持组件包括：第一子夹持件和第二子夹持件，所述第一子夹持件和第二子夹持件活动连接；
所述形变调节组件设置在所述第一子夹持件的一端上。
可选的，所述形变调节组件包括：电磁铁和电流控制单元；
所述电磁铁与所述电流控制单元连接，所述电流控制单元通过控制输出的电流大小以控制所述电磁铁的电磁力。
第四方面，提供一种掩膜板的夹持方法，应用于第一方面任一所述的张网装置，所述方法包括：
在所述基台承载掩膜板时，通过所述形变调节组件调节所述掩膜板凸出于所述基台的部分在重力方向上的形变量，使所述形变量小于预设形变阈值；
通过所述夹具夹持所述掩膜板。
可选的，所述通过所述形变调节组件调节所述掩膜板凸出于所述基台的部分在重力方向上的形变量，包括：
通过电磁铁调节所述掩膜板凸出于所述基台的部分在重力方向上的形变量。
可选的，所述通过电磁铁调节所述掩膜板凸出于所述基台的部分在重力方向上的形变量之前，所述方法还包括：
测量所述掩膜板凸出于所述基台的部分在重力方向上的初始形变量，所述初始形变量为所述形变调节组件调节之前的所述掩膜板凸出于所述基台的部分在重力方向上的形变量；
根据所述初始形变量确定电流控制单元输出的电流，并向所述电磁铁输出所述电流。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
本发明实施例提供的张网装置、基台、夹具及掩膜板的夹持方法，在基台或夹具上设置形变调节组件，当基台承载掩膜板时，通过调节组件调节掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上的形变量，使该形变量小于预设形变阈值，进而使得夹具可以顺利的夹取掩膜板。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术提供的一种张网装置的结构示意图；
图2-1是本发明实施例提供的一种张网装置的结构示意图；
图2-2是本发明实施例提供的另一种张网装置的结构示意图；
图3-1是本发明另一实施例提供的一种张网装置的结构示意图；
图3-1a是本发明另一实施例提供的另一种张网装置的结构示意图；
图3-1b是本发明另一实施例提供的又一种张网装置的结构示意图；
图3-1c是本发明实施例提供的一种调节掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上的形变量的效果图；
图3-1d是本发明实施例提供的一种掩膜板的平面示意图；
图3-2是本发明又一实施例提供的一种张网装置的结构示意图；
图3-2a是本发明实施例提供的另一种调节掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上的形变量的效果图；
图4是本发明实施例提供的一种基台的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种夹具的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的一种掩膜板的夹持方法的流程图；
图7是本发明实施例提供的另一种掩膜板的夹持方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
本发明实施例提供了一种张网装置，如图2-1和图2-2所示，图2-1是本发明实施例提供的一种张网装置的结构示意图，图2-2是本发明实施例提供的另一种张网装置的结构示意图，该张网装置可以包括：
用于承载掩膜板的基台10、用于夹持掩膜板的夹具20和设置在基台10或夹具20上的形变调节组件30。
需要说明的是，图2-1是在基台10上设置形变调节组件30，图2-2是在夹取20上设置形变调节组件30。
该形变调节组件30用于在基台10承载掩膜板40时调节掩膜板40凸出于基台10的部分在重力方向G上的形变量，使该形变量小于预设形变阈值。
综上所述，本发明实施例提供的张网装置，在基台或夹具上设置形变调节组件，当基台承载掩膜板时，通过调节组件调节掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上的形变量，使该形变量小于预设形变阈值，进而使得夹具可以顺利的夹取掩膜板。
实际应用中，由于形变调节组件既可以设置在基台上，又可以设置在夹具上，因此本发明实施例基于形变调节组件的设置位置不同以以下两种可实现方式进行示意性说明：
在第一种可实现方式中，当形变调节组件设置在张网装置中的基台上时，请参考图3-1，图3-1是本发明另一实施例提供的一种张网装置的结构示意图，该张网装置还包括：支撑杆11，该支撑杆11一端与基台10的边缘连接，另一端上设置有形变调节组件30，该形变调节组件30位于基台10的工作面A上方，该工作面为基台10用于承载掩膜板的平面。需要说明的是，支撑杆可以为弯折结构，该支撑杆的一端设置在基台的区域外，避免了由于设置了支撑杆而减小了基台工作面的面积；该支撑杆另一端设置的形变调节组件在基台的工作面之外，避免调节组件由于自身的磁力影响掩膜板的其他区域。
请参考图3-1，该张网装置还可以包括：测量单元12，该测量单元12可以为激光传感器，该测量单元12可以设置在基台10上，该测量单元12用于测量掩膜板40凸出于基台10的部分在重力方向G上的初始形变量，该初始形变量为调节组件30调节之前的掩膜板40凸出于基台10的部分在重力方向上的形变量。需要说明的是，该测量单元可以在基台上移动，当移动到基台的边缘处时，可以测量出掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上的形变量，通过检测单元测量形变量的原理，可以参考激光测距的原理，本发明实施例对此不做赘述。
实际应用中，形变调节组件调节掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上的形变量的方式有多种，本发明实施例以以下两个方面进行示意性说明：
第一方面，请参考图3-1a，图3-1a是本发明另一实施例提供的另一种张网装置的结构示意图，形变调节组件30可以包括：电磁铁31和电流控制单元32，该电磁铁31可以设置在支撑杆11的另一端上。该电流控制单元32与电磁铁31连接，该电流控制单元32通过控制输出的电流大小以控制电磁铁31的电磁力，进一步的，当基台10承载掩膜板40时，由于掩膜板40的摆放位置不同，使该掩膜板40凸出于基台10的部分在重力方向G上的产生不同的形变量，可以改变电流控制单元32中的输出电流以改变电磁铁31的电磁力，进而可以调节在重力方向G上产生的不同的形变量，以使该不同的形变量均小于预设形变阈值。
在本发明实施例中，如图3-1a所示，测量单元12与电流控制单元32连接，该电流控制单元32用于根据掩膜板40凸出于基台10的部分在重力方向G上的初始形变量确定电流控制单元22输出的电流，并向电磁铁31输出该电流。示例的，通过测量单元12可以测量掩膜板40凸出于基台10的部分在重力方向G上的初始形变量，从而可以确定出电磁铁31调节初始形变量以使该初始形变量小于预设形变阈值所需要的电磁力，进而可以确定电流控制单元32输出的电流。
可选的，电流控制单元输出的电流的大小等于初始形变量的大小与预设比值的乘积，该预设比值大于0，也即是，电流控制单元输出的电流的大小与初始形变量的大小满足正比例函数。电磁铁的电磁力需要小于或等于掩膜板凸出于基台的部分所受到的重力，避免了由于电磁力过大导致该凸出的部分向上弯折。
第二方面，请参考图3-1b，图3-1b是本发明另一实施例提供的又一种张网装置的结构示意图，该形变调节组件30可以包括：n1个可拆卸设置的磁铁33，n1为大于或等于2的整数，n1个可拆卸设置的磁铁33可以设置在支撑杆11的另一端上。当基台10承载掩膜板40时，由于掩膜板40的摆放位置不同，使该掩膜板40凸出于基台10的部分在重力方向G上的产生不同的形变量，可以改变磁铁33的个数以改变形变调节组件30的磁力，进而可以调节在重力方向G上产生的不同的形变量，以使该不同的形变量均小于预设形变阈值。
在本发明实施例中，如图3-1b所示，该张网装置还可以包括：显示单元13，该显示单元13与测量单元12连接，该显示单元13用于显示由测量单元12测量掩膜板40凸出于基台10的部分在重力方向G上的初始形变量，根据该初始形变量，工作人员可以确定出形变调节组件30调节初始形变量以使该初始形变量小于预设形变阈值所需要的磁力，进而工作人员可以确定形变调节组件30中磁铁33的个数。
可选的，调节组件的磁力需要小于或等于掩膜板凸出于基台的部分所受到的重力，避免了由于磁力过大导致该凸出的部分向上弯折。
请参考图3-1，由于形变调节组件30设置在支撑杆11的另一端上，因此形变调节组件30到掩膜板40凸出于基台10的部分的距离固定不变，进而形变调节组件30的对掩膜板40凸出于基台10的部分的磁力不受距离的影响。此时，形变调节组件30提供的磁力可以直接调节掩膜板40凸出于基台10的部分在重力方向G上的形变量，使该形变量小于预设形变阈值。示例的，请参考图3-1c，图3-1c是本发明实施例提供的一种调节掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上的形变量的效果图，在调节组件调节之前，凸出的部分位于位置a1处；通过形变调节组件30的磁力可以直接将凸出的部分调节到位置b1处，进而使得凸出的部分在重力方向上的形变量小于预设形变阈值。
在本发明实施例中，图3-1、图3-1a和图3-1b均是以一个夹具20、一个支撑杆11和一个形变调节组件30为例进行示意性说明的，实际应用中，张网装置中的夹具有n2个，支撑杆有n2个，形变调节组件有n2个，该n2为大于或等于4的整数，n2个支撑杆与n2个形变调节组件一一对应设置。示例的，请参考图3-1d，图3-1d是本发明实施例提供的一种掩膜板40的平面示意图，该掩膜板40可以包括：4个夹持区域a，该夹持区域a为夹具夹持的区域，当该掩膜板40承载在基台上时，4个夹持区域a均可能在重力方向上产生形变，此时张网装置可以包括：4个夹具、4个支撑杆和4个形变调节组件，该4个支撑杆与4个形变调节组件一一对应设置。
在第二种可实现方式中，当形变调节组件设置在张网装置中的夹具上时，请参考图3-2，图3-2是本发明又一实施例提供的一种张网装置的结构示意图，夹具20可以包括：夹持组件21和夹持力控制组件22，该夹持力控制组件22可以控制夹持组件21夹持掩膜板；该夹持组件21可以包括：第一子夹持件211和第二子夹持件212，该第一子夹持件221和第二子夹持件222活动连接，第一子夹持件211的一端位于基台10的工作面A所在平面的上方，第二子夹持件212的一端位于基台10的工作面A所在平面的下方。形变调节组件30设置在第一子夹持件211的一端上，该第一子夹持件211的另一端与夹持力控制组件22活动连接。
需要说明的是，当形变调节组件设置在张网装置中的夹具上时，形变调节组件同样可以包括：电磁铁和电流控制单元，或者，形变调节组件可以包括：n1个可拆卸设置的磁铁，形变调节组件调节掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上的形变量的原理可以参考上述实施例，本发明实施例对此不做赘述。以下实施例仅是说明形变调节组件的调节方式。
请参考图3-2，当基台10承载掩膜板40时，由于形变调节组件30设置在第一子夹持件221的一端上，因此当夹持组件21夹持掩膜板40时，调节组件30到掩膜板40凸出于基台10的部分的距离改变，进而形变调节组件30的对掩膜板40凸出于基台10的部分的磁力因距离的减小的影响而增大。此时如果在夹具20没有工作时，形变调节组件30提供的磁力直接调节掩膜板40凸出于基台10的部分在重力方向G上的形变量，使该形变量小于预设形变阈值，当夹具20工作时，掩膜板40凸出于基台10的部分可能由于形变调节组件30的磁力的增大而向上弯折。
因此，在本发明实施例中，请参考图3-2a，图3-2a是本发明实施例提供的另一种调节掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上的形变量的效果图，在调节组件30调节之前，凸出的部分位于位置a2处；当夹具20没有工作时，通过调节组件30将凸出的部分调节到位置b2处；当夹具20工作时，由于调节组件30的磁力增大，可以将凸出的部分调节到位置c2处，进而使得凸出的部分在重力方向上的形变量小于预设形变阈值。
可选的，上述两种可实现方式中的预设形变预设可以为0.5mm，当掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上的形变量小于0.5mm时，夹具可以顺利的夹取掩膜板。
综上所述，本发明实施例提供的张网装置，在基台或夹具上设置形变调节组件，当基台承载掩膜板时，通过调节组件调节掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上的形变量，使该形变量小于预设形变阈值，进而使得夹具可以顺利的夹取掩膜板。
本发明实施例提供一种基台，如图4所示，图4是本发明实施例提供的一种基台10的结构示意图，该基台10可以包括：
基台本体13、支撑杆11和形变调节组件30；该支撑杆11一端与基台本体13的边缘连接，另一端上设置有形变调节组件30，该形变调节组件30位于基台本体13的工作面A上方。
可选的，该形变调节组件可以包括：电磁铁和电流控制单元；电磁铁与电流控制单元连接，电流控制单元通过控制输出的电流大小以控制电磁铁的电磁力。
可选的，该形变调节组件可以包括：n1个可拆卸设置的磁铁，n1为大于或等于2的整数。
可选的，基台中的支撑杆有n2个，形变调节组件有n2个，n2为大于或等于4的整数，n2个支撑杆与n2个形变调节组件一一对应设置。
可选的，该基台还可以包括：测量单元，该测量单元可以设置在基台本体上，该测量单元用于测量掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上的初始形变量，该初始形变量为调节组件调节之前的掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上的形变量。
可选的，测量单元可以与电流控制单元连接，该电流控制单元用于根据初始形变量确定电流控制单元输出的电流，并向电磁铁输出电流。
可选的，电流控制单元输出的电流的大小等于初始形变量的大小与预设比值的乘积，且电磁铁的电磁力小于或等于掩膜板凸出于基台的部分所受到的重力。
可选的，测量单元可以为激光传感器。
可选的，该基台还可以包括：显示单元，该显示单元可以与测量单元连接，该显示单元用于显示由测量单元测量掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上的初始形变量。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的基台的具体结构，可以参考前述张网装置实施例中的对应的结构，在此不再赘述。
综上所述，本发明实施例提供的基台，在基台上设置形变调节组件，当基台本体承载掩膜板时，通过调节组件调节掩膜板凸出于基台本体的部分在重力方向上的形变量，使该形变量小于预设形变阈值，进而使得夹具可以顺利的夹取掩膜板。
本发明实施例提供一种夹具，如图5所示，图5是本发明实施例提供的一种夹具20的结构示意图，该夹具20可以包括：
夹具本体23和形变调节组件30；该夹具本体23可以包括：夹持组件21；该夹持组件21可以包括：第一子夹持件211和第二子夹持件212，该第一子夹持件211和第二子夹持件212活动连接；形变调节组件30设置在第一子夹持件211的一端上。
可选的，该形变调节组件可以包括：电磁铁和电流控制单元；电磁铁与电流控制单元连接，电流控制单元通过控制输出的电流大小以控制电磁铁的电磁力。
可选的，该形变调节组件可以包括：n1个可拆卸设置的磁铁，n1为大于或等于2的整数。
可选的，该夹具本体还可以包括：夹持力控制组件，该夹持力控制组件可以控制夹持组件夹持掩膜板，第一子夹持件的另一端与该夹持力控制组件活动连接。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的夹具的具体结构，可以参考前述张网装置实施例中的对应的结构，在此不再赘述。并且，上述描述的张网装置、基台和夹具的具体使用过程，可以参考下述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
综上所述，本发明实施例提供的夹具，在夹具上设置形变调节组件，当基台承载掩膜板时，通过调节组件调节掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上的形变量，使该形变量小于预设形变阈值，进而使得夹具可以顺利的夹取掩膜板。
本发明实施例还提供一种掩膜板的夹持方法，应用于上述任一的张网装置，请参考图6，图6是本发明实施例提供的一种掩膜板的夹持方法的流程图，该方法可以包括：
步骤601、在基台承载掩膜板时，通过形变调节组件调节掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上的形变量，使形变量小于预设形变阈值。
步骤602、通过夹具夹持掩膜板。
综上所述，本发明实施例提供的掩膜板的夹持方法，在基台或夹具上设置形变调节组件，当基台承载掩膜板时，通过调节组件调节掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上的形变量，使该形变量小于预设形变阈值，进而使得夹具可以顺利的夹取掩膜板。
请参考图7，图7是本发明实施例提供的另一种掩膜板的夹持方法的流程图，该方法可以包括：
步骤701、测量掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上的初始形变量。
其中，初始形变量为形变调节组件调节之前的掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上的形变量。
示例的，但基台上承载掩膜板时，可以通过基台上的测量单元测量掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上的初始形变量。
步骤702、根据初始形变量确定电流控制单元输出的电流，并向电磁铁输出电流。
示例的，由于电流控制单元输出的电流的大小等于初始形变量的大小与预设比值的乘积，因此，当检测到初始形变量时，可以计算出电流控制单元输出的电流大小，并向电磁铁输出电流。
步骤703、通过电磁铁调节掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上的形变量。
示例的，当电磁铁设置在基台上时，电磁铁在接收到电流控制单元输出的电流时，会产生与电流控制单元输出的电流对应的电磁力，该电磁力可以调节掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上的形变量，使形变量小于预设形变阈值。
当电磁铁设置在夹具上时，电磁铁在接收到电流控制单元输出的电流时，会产生与电流控制单元输出的电流对应的电磁力，该电磁力可以调节掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上的形变量，使该形变量小于初始形变量，但大于预设形变阈值。
步骤704、通过夹具夹持掩膜板。
示例的，当掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上的形变量小于预设形变阈值时，可以通过夹具顺利的夹持掩膜板。
需要说明的是，上述掩膜板的夹持方法的实施例是以调节组件包括电流控制单元和电磁铁为例进行示意性说明的，在本发明实施例中，当调节组件包括n1个可拆卸设置的磁铁时掩膜板的夹持方法，与当调节组件包括电流控制单元和电磁铁时掩膜板的夹持方法类似，本发明实施例对此不做赘述。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的掩膜板的夹持方法中的具体控制原理，可以参考前述张网装置的实施例，在此不再赘述。
综上所述，本发明实施例提供的掩膜板的夹持方法，在基台或夹具上设置形变调节组件，当基台承载掩膜板时，通过调节组件调节掩膜板凸出于基台的部分在重力方向上的形变量，使该形变量小于预设形变阈值，进而使得夹具可以顺利的夹取掩膜板。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (15)

1.一种张网装置，其特征在于，包括：
用于承载掩膜板的基台、用于夹持所述掩膜板的夹具和设置在所述基台或所述夹具上的形变调节组件；
所述形变调节组件用于在所述基台承载所述掩膜板时调节所述掩膜板凸出于所述基台的部分在重力方向上的形变量，使所述形变量小于预设形变阈值。
2.根据权利要求1所述的张网装置，其特征在于，
所述形变调节组件包括：电磁铁和电流控制单元；
所述电磁铁与所述电流控制单元连接，所述电流控制单元通过控制输出的电流大小以控制所述电磁铁的电磁力。
3.根据权利要求2所述的张网装置，其特征在于，所述张网装置还包括：测量单元；
所述测量单元与所述电流控制单元连接，所述测量单元用于测量所述掩膜板凸出于所述基台的部分在重力方向上的初始形变量，所述初始形变量为所述调节组件调节之前的所述掩膜板凸出于所述基台的部分在重力方向上的形变量；
所述电流控制单元用于根据所述初始形变量确定所述电流控制单元输出的电流，并向所述电磁铁输出所述电流。
4.根据权利要求3所述的张网装置，其特征在于，
所述电流控制单元输出的电流的数值大小等于所述初始形变量的数值大小与预设比值的乘积，且所述电磁铁的电磁力小于或等于所述掩膜板凸出于所述基台的部分所受到的重力。
5.根据权利要求1所述的张网装置，其特征在于，
所述形变调节组件包括：n1个可拆卸设置的磁铁，所述n1为大于或等于2的整数。
6.根据权利要求2至5任一所述的张网装置，其特征在于，
所述张网装置还包括：支撑杆，
所述支撑杆一端与所述基台的边缘连接，另一端上设置有所述形变调节组件，所述形变调节组件位于所述基台的工作面上方。
7.根据权利要求2至5任一所述的张网装置，其特征在于，
所述夹具包括：夹持组件；
所述夹持组件包括：第一子夹持件和第二子夹持件，
所述第一子夹持件和第二子夹持件活动连接，所述第一子夹持件的一端位于所述基台的工作面所在平面的上方，所述第二子夹持件的一端位于所述基台的工作面所在平面的下方；
所述形变调节组件设置在所述第一子夹持件的一端上。
8.根据权利要求6所述的张网装置，其特征在于，
所述夹具有n2个，所述支撑杆有n2个，所述形变调节组件有n2个，所述n2为大于或等于4的整数，n2个所述支撑杆与n2个所述形变调节组件一一对应设置。
9.一种基台，其特征在于，包括：基台本体、支撑杆和形变调节组件；
所述支撑杆一端与所述基台本体的边缘连接，另一端上设置有所述形变调节组件，所述形变调节组件位于所述基台本体的工作面上方。
10.根据权利要求9所述的基台，其特征在于，
所述形变调节组件包括：电磁铁和电流控制单元；
所述电磁铁与所述电流控制单元连接，所述电流控制单元通过控制输出的电流大小以控制所述电磁铁的电磁力。
11.一种夹具，其特征在于，包括：夹具本体和形变调节组件；
所述夹具本体包括：夹持组件；
所述夹持组件包括：第一子夹持件和第二子夹持件，所述第一子夹持件和第二子夹持件活动连接；
所述形变调节组件设置在所述第一子夹持件的一端上。
12.根据权利要求11所述的夹具，其特征在于，
所述形变调节组件包括：电磁铁和电流控制单元；
所述电磁铁与所述电流控制单元连接，所述电流控制单元通过控制输出的电流大小以控制所述电磁铁的电磁力。
13.一种掩膜板的夹持方法，其特征在于，应用于权利要求1至8任一所述的张网装置，所述方法包括：
在所述基台承载掩膜板时，通过所述形变调节组件调节所述掩膜板凸出于所述基台的部分在重力方向上的形变量，使所述形变量小于预设形变阈值；
通过所述夹具夹持所述掩膜板。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，
所述通过所述形变调节组件调节所述掩膜板凸出于所述基台的部分在重力方向上的形变量，包括：
通过电磁铁调节所述掩膜板凸出于所述基台的部分在重力方向上的形变量。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，
所述通过电磁铁调节所述掩膜板凸出于所述基台的部分在重力方向上的形变量之前，所述方法还包括：
测量所述掩膜板凸出于所述基台的部分在重力方向上的初始形变量，所述初始形变量为所述形变调节组件调节之前的所述掩膜板凸出于所述基台的部分在重力方向上的形变量；
根据所述初始形变量确定电流控制单元输出的电流，并向所述电磁铁输出所述电流；
其中，所述电流控制单元输出的电流的数值大小等于所述初始形变量的数值大小与预设比值的乘积。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107245694B (zh) 2017-06-09 2019-05-31 京东方科技集团股份有限公司 张网装置、基台、夹具及掩膜板的夹持方法
CN111719117B (zh) * 2019-03-21 2021-11-12 上海微电子装备（集团）股份有限公司 工件推压机构、张网机和蒸镀系统

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004303305A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Tdk Corp 保持具、アクチュエータ及びそれらの製造方法
CN103116428A (zh) * 2013-01-30 2013-05-22 无锡力合光电传感技术有限公司 一种在衬底上固定掩膜版的装置、使用方法及其用途
CN104928621A (zh) * 2015-05-15 2015-09-23 京东方科技集团股份有限公司 一种制作掩膜板时使用的张网装置及张网方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19601541A1 (de) * 1995-01-27 1996-08-01 Seiko Seiki Kk In einer Vakuumumgebung einsetzbares Vertikaltransfersystem sowie dazugehöriges Absperrventilsystem
KR20110027979A (ko) * 2009-09-11 2011-03-17 삼성모바일디스플레이주식회사 마스크 불량 검사 장치
KR101941695B1 (ko) * 2012-05-31 2019-01-24 삼성디스플레이 주식회사 마스크 인장 장치, 마스크 시트 및 이를 포함하는 마스크 제조 시스템
US10460968B2 (en) * 2013-12-02 2019-10-29 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with variable pixelated magnetic field
CN205662588U (zh) 2016-06-12 2016-10-26 成都京东方光电科技有限公司 张网装置
CN206126317U (zh) * 2016-10-14 2017-04-26 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板夹取装置
CN107142450B (zh) 2017-04-28 2019-09-06 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种掩膜板及其张网装置、方法
CN107245694B (zh) 2017-06-09 2019-05-31 京东方科技集团股份有限公司 张网装置、基台、夹具及掩膜板的夹持方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004303305A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Tdk Corp 保持具、アクチュエータ及びそれらの製造方法
CN103116428A (zh) * 2013-01-30 2013-05-22 无锡力合光电传感技术有限公司 一种在衬底上固定掩膜版的装置、使用方法及其用途
CN104928621A (zh) * 2015-05-15 2015-09-23 京东方科技集团股份有限公司 一种制作掩膜板时使用的张网装置及张网方法

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