CN205247063U - 一种可视化系统及工艺腔室 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了视觉对准。本公开通常涉及相对于基板对准掩模的装置和方法。在一个实施方式中,用于对准的可视化系统包括双光源。双光源包括用于观察基板上的对准标记的第一光源,和用于观察掩模上的掩模开口或其他对准标记的第二光源。可发生第一光源和第二光源之间的切换以促进掩模相对于基板的对准。可视化系统也可在Z轴上致动以当成像掩模时将可视化系统聚焦,从而促进由于掩模整修或影响掩模尺寸的其他因素的相距原始或默认位置的掩模位移的确定。
Description
技术领域
本公开的实施方式通常涉及用于基板(诸如半导体基板)的掩模和对准装置与操作。
背景技术
在诸如OLED平板的基板上的沉积工艺期间,掩模可被放置在沉积源与基板之间以防止在基板上的选定位置中的材料沉积。随着装置几何形状持续缩小,精确掩模定位和对准变得对于促进基板表面上的准确沉积日益重要。然而,现存的掩模对准技术可能不具有实现下一代装置所需的准确度。
因此,存在对于改进的掩模对准装置和方法的需要。
实用新型内容
本公开通常涉及相对于基板对准掩模的装置和方法。在一个实施方式中,用于对准的可视化系统包括双光源。双光源包括用于观察基板上的对准标记的第一光源,和用于观察掩模上的掩模开口或其他对准标记的第二光源。可发生第一光源和第二光源之间的切换以促进掩模相对于基板的对准。可视化系统也可在Z轴上致动以当成像掩模时将可视化系统聚焦,从而促进由于掩模整修或影响掩模尺寸的其他因素的相距原始或默认位置的掩模位移的确定。
在一个实施方式中,可视化系统包含:第一光源,具有环状;第二光源,适合于导引光通过第一光源的中心;透镜,定位在第一光源和摄像机之间,所述摄像机导引通过第一光源的中心且适合于通过透镜捕获图像。
在另一实施方式中,工艺腔室包含:基板支撑件,定位在工艺腔室的主体之内;一个或多个运动对准元件,用于支撑在所述运动对准元件上的掩模;和可视化系统,被定位以检测掩模与支撑在所述基板支撑件上的基板的对准,可视化系统,包含:第一光源,具有环状;第二光源,适合于导引光通过第一光源的中心;透镜,定位在第一光源和摄像机之间,所述摄像机导引通过第一光源的中心且适合于通过透镜捕获图像。
在另一实施方式中,一种处理基板的方法包含:将基板定位在工艺腔室中的基板支撑件上,所述基板相邻掩模定位;使用可视化系统的摄像机将基板相对于掩模对准,其中所述掩模先前已经受整修;垂直地致动摄像机以将摄像机聚焦在掩模上,其中在聚焦期间的摄像机的垂直距离的变化对应于由于整修的掩模位置或厚度中的变化;以及将掩模布置在基板上。
附图说明
因此,以可详细地理解本公开的上述特征的方式,可参考实施方式获得上文简要概述的本公开的更特定描述,所述实施方式中的一些实施方式在附图中示出。然而,应注意,附图仅示出示例性实施方式且因此不将附图视为限制本公开的范畴,因为本公开可允许其他同等有效的实施方式。
图1A是根据一个实施方式的化学气相沉积装置的示意横截面图。
图1B是图1A中所示的装置的一部分的扩大示意图。
图2A是根据一个实施方式的可视化系统的示意图。
图2B是如图2A中所示的可视化系统的一部分的俯视图。
图3是根据一个实施方式的掩模和对准系统的示意等距视图。
图4是根据一个实施方式的遮蔽框的底视图。
图5是用于对准掩模的方法的流程图。
图6A至图6D示出在对准操作期间的掩模的局部视图。
图7A至图7C示出使用本公开的视觉系统的测量可重复性的图形。
图8示出通过本公开的可视化系统执行的焦点测量的图形。
为了便于理解,在可能的情况下,已使用相同元件符号来指定对诸图共用的相同元件。可以预期,一个实施方式的元件和特征可有利地并入其他实施方式中而无需进一步叙述。
具体实施方式
本公开通常涉及相对于基板对准掩模的装置和方法。在一个实施方式中,用于对准的可视化系统包括双光源。双光源包括用于观察基板上的对准标记的第一光源,和用于观察掩模上的掩模开口或其他对准标记的第二光源。可发生第一光源和第二光源之间的切换以促进掩模相对于基板的对准。可视化系统也可在Z轴上致动以当成像掩模时将可视化系统聚焦,从而促进由于掩模整修或影响掩模尺寸的其他因素的相距原始或默认位置的掩模位移的确定。
图1是根据一个实施方式的化学气相沉积(chemicalvapordeposition;CVD)装置100的示意横截面图。装置100包括腔室主体102,所述腔室主体102具有通过一个或多个壁的开口104,以允许一个或多个基板106和掩模108被插入到腔室主体102中。在处理期间,基板106被布置在与扩散器112相对的基板支撑件110上。扩散器112具有通过所述扩散器形成的一个或多个开口114,以允许处理气体进入界定在扩散器112和基板106之间的处理空间116。
对于处理,掩模108被初始地通过开口104插入到装置100中,且被布置在多个运动对准元件118A至118D(示出了两个运动对准元件)上。基板106随后被通过开口104插入且布置在贯穿基板支撑件110的多个升举销120上。随后,基板支撑件110升高以靠近基板106,以便基板106被布置在基板支撑件110上。
一旦基板106被布置在基板支撑件110上,一个或多个可视化系统122确定掩模108是否在基板106之上适当地对准。如果掩模108没有适当地对准,那么对准系统396的一个或多个致动器124(如图3中所示)移动一个或多个运动对准元件118A至118D以调整掩模108的位置。一个或多个可视化系统122随后再检查掩模108的对准。
一旦掩模108在基板106之上适当地对准,那么掩模108被降低至基板106上,且随后基板支撑件110升高杆126,直到遮蔽框128接触掩模108为止。在被搁在掩模108上之前,遮蔽框128被布置在腔室主体102中的突出部130上,所述突出部130从腔室主体102的一个或多个内壁延伸。基板支撑件110继续上升,直到基板106、掩模108和遮蔽框128被布置在与扩散器112相对的处理位置中为止。然后,处理气体被从一个或多个气体源132传递通过在背板134中形成的开口,同时将偏压提供到扩散器112。
为了将掩模108在基板106之上适当地对准,可视化系统122通过从多个光源(如图3中所示)朝向基板106和掩模108导引光来操作。掩模108和基板106的照明促进形成在基板106上的对准标记138(诸如,基准标记)相对于通过掩模108形成的开口140的定位。当通过基板支撑件110观察对准标记138时,一个或多个可视化系统122将观察遮蔽框128以及掩模108的开口140的边界。遮蔽框128和掩模108可由阳极化铝制造。然而,因为阳极化铝具有灰色,所以一个或多个可视化系统122可能具有相对于遮蔽框128和掩模108观察对准标记138的困难。因此,可视化系统122可被改进以在对准操作期间清楚地观察对准标记138、掩模开口140和遮蔽框128,如根据第4图进一步说明。
图1B是图1A中所示的装置100的一部分的扩大示意图。如图1B中所示,基板支撑件110包括通过基板支撑件110以容纳升举销120的第一组开口,和用于对准元件118A至118D经由基板支撑件110延伸的第二组开口。开口136也存在于对应于对准可视化系统122操作的位置处。应将理解,对准可视化系统122可被布置在装置100之外且利用一个或多个可视化元件(诸如摄像机、照明元件、透镜,和/或窗口)以观察到装置100中。对准可视化系统122通过导引在由箭头“A”所示的方向中的数个光源通过在基板支撑件110中形成的开口136、通过基板106、通过在掩模108中形成的开口140,且导引所述数个光源在遮蔽框128上的对准位置144处来操作。对准可视化系统122通过执行一个或多个测量和位置校正促进在通过掩模108形成的开口140之内的对准标记138的居中定位。
图2A是根据一个实施方式的可视化系统122的示意图。可视化系统122包括耦接到支撑件251的光学系统250。光学系统250包括诸如环状光的第一光源252a,所述第一光源安置在光学系统250的第一端处。诸如点光源的第二光源252b被定位以导引光通过第一光源252a之内的中心开口295。在一个实例中,第二光源252b与光学系统250的主管253垂直地定位,且经由在第一光源252a之内同心定位的外壳293被导引通过第一光源252a。第二光源252b被耦接到在光学器件外壳254处的主管253,所述光学器件外壳254选择性地在其中包含一个或多个透镜或镜子290,以导引光通过第一光源252a的中心开口。第一光源252a和第二光源252b的每一个可以是产生白光的发光二极管(light-emittingdiode;LED)。
主管253也包括诸如远心透镜的透镜291,所述透镜封装在主管中且邻近于光学器件外壳254而位于光学器件外壳254与摄像机255之间。在一个实例中,摄像机255是2MP摄像机,所述摄像机适合于捕获基板106和掩模108的图像(如图108中所示)以促进基板106相对于掩模108的对准。由摄像机255捕获的图像可经由链路256传输至控制单元(未示出)。控制单元可例如使用一个或多个致动器124和一个或多个运动对准元件118A至118D来处理所捕获的图像以确定在基板106和/或掩模108的定位中的适当校正以促进适当对准。
光学系统250经由耦接到托架258的一个或多个夹具257(示出了两个夹具)固定至支撑件251。托架258沿着支撑件251的导轨259被垂直致动。托架258和耦接到托架258的光学系统250的致动是通过致动器260来完成,所述致动器诸如可操作地耦接到托架258的步进电动机、滚珠丝杠或其他适当的线性致动器。可选导向器297被耦接到导轨259以促进沿着导轨的运动。在一个实施方式中,可以预期,导轨可省略或与托架258整体地形成。诸如编码器的传感器298可被定位以监控或感测导向器297和/或托架258沿着导轨259的绝对或相对位置,且因此,监控或感测摄像机255的位置。在一个实例中,如图所示,传感器298可被耦接到致动器260,但是也可预期其他传感器位置。
图2B是图2A中所示的可视化系统122的一部分的俯视图。特别地,图2B是第一光源252a的俯视图,第一光源252a围绕主管253的延伸部分。来自第二光源252b(如图2B中所示)的光可离开相邻第一光源252a的主管253的延伸部分。在一个实例中,第一光源252a可包括由外壳部分地围绕的灯泡,所述外壳适合于朝向基板和掩模导引光。
图3是根据一个实施方式的掩模108和对准系统396的示意等距视图。如上文所论述,掩模108被最初地使用终端受动器插入到装置100中,所述终端受动器将掩模108安置到一个或多个对准元件118A至118D上。在所述实施方式中,对准系统396包括除两个致动器124之外的四个对准元件118A至118D。应将理解,本实用新型不限于四个对准元件118A至118D。每一对准元件118A至118D被耦接到一个或多个致动器124,所述一个或多个致动器控制对准元件118A至118D的运动。
对准元件118A至118D可能不是相同的。在一个实例中,两个对准元件118A、118D是X-Y-Z轴对准元件(亦即,可经由在三个不同平面中的致动器运动),而其他两个对准元件118C、118B为Z轴运动对准元件(亦即,经由仅在一个平面中的致动器运动)。因此,所有四个对准元件118A至118D能够在垂直于基板106的沉积表面的平面中运动,而仅两个对准元件118A、118D能够在平行于基板106的沉积表面的平面之内运动。在图4中所示的实施方式中,X-Y-Z轴对准元件118A、118D并不彼此相邻,而是彼此相对。同样地,Z轴对准元件118B、118C并不彼此相邻,而是彼此相对。
图4是根据一个实施方式的遮蔽框128的底视图。为了容纳可视化系统122(如图1A中所示),遮蔽框128具有对应于其中来自每一可视化系统122的光将照明的位置的对准位置144。对准位置144是不为阳极化铝的遮蔽框128的一部分。遮蔽框128的其余部分是阳极化铝。应将理解,虽然已示出四个对准位置144,但是可存在更多或更少的对准位置144。在基板106上的标记138与遮蔽框128上的对准位置144之间存在足够的对比度,以确保可视化系统122可有效地可视化基板106上的标记138。另外,在遮蔽框128的阳极化部分与对准位置144之间存在足够的对比度,以使得可视化系统122可在遮蔽框128的各部分之间区分。对准位置144可具有裸露的、非阳极化铝,所述非阳极化铝将具有亮银色外观,而不是灰色的阳极化铝。或者,对准位置144可包含插入遮蔽框128中的陶瓷材料,以使得对准位置144具有用于对准目的的白色外观。当可视化系统122处于操作中时,对准位置144提高相对于阳极化遮蔽框128的对比度。
在常规系统中,相对于可视化系统122的视图,当基板的对准标记138朝向掩模108的开口140布置时,发生对准问题。特别地,对准标记138缺乏与掩模108或遮蔽框128的阳极化铝的对比,从而使对准标记138难以辨别。当对准标记138布置在开口140的区域的外部时,在对准操作期间仅利用单个光源的常规系统通常无法检测或可视化对准标记138。因此,当可视化系统122搜寻对准标记138时产量降低,此搜寻可包括相对于基板106随机地移动掩模108,直到对准标记138出现在开口140中为止。
图5为用于对准掩模的方法560的流程图。图6A至图6D示出在对准操作期间的掩模108的局部视图。为了促进说明,图5和图6A至图6D将结合来进行说明。图6A为在照明期间具有形成在掩模108中的开口140的掩模108的局部视图。照明使用第一光源在操作561期间发生,所述第一光源诸如第一光源252a(如图2中所示)。如图所示,基板的对准标记138(以虚线示出)不与开口140对准,且因此,由于缺乏掩模108的阳极化铝与对准标记138之间的对比度,在使用单个光源视觉系统时对准标记138通常不可见。缺乏对比度至少部分地由于第一光源252a的泛光照明特性。然而,开口140使用第一光源252a可见。
本公开的实施方式包括诸如第二光源252b(如图2中所示)的附加光源,以促进对准标记138的可视化。第二光源252b的利用在操作562期间发生。利用第二光源252b,即使当对准标记138没有相对于可视化系统122的视场定位在开口140之内时,对准标记138也可见。第二光源252b通常产生“点光源”或其他聚焦或集中光束,所述“点光源”或其他聚焦或集中光束促进对准标记138相对于掩模108的视觉对比。特别地,由第二光源252b产生的光束比由第一光源252a产生的光速更加集中,且因此第二光源252b在开口140附近的区域中产生更加均匀或一致的照明图案。如图6B中所示,对准标记138没有定位在开口140之内(未在图6B中示出),然而,由于由相邻于开口140的第一光源252a产生的均匀照明,对准标记仍然相对于掩模108可见。应注意,利用第二光源252b通常不提供开口140相对于掩模108的其余部分的足够对比度。
如从图6A和图6B中可见,第一光源和第二光源允许开口140和对准标记138的每一个分别由可视化系统122容易且可靠地检测。在操作563期间,可提供开口140与对准标记138的相对位置至控制单元,所述控制单元随后可调整基板106和/或掩模108的位置以将对准标记138相对于开口140对准。可以预期,可将第一光源252a和第二光源252b来回重复转换(例如,切换)多次以促进对准。在此实施方式中,第一光源252a可用以决定开口140的位置,接着继之以第二光源252b的照明以确定对准标记138的位置。例如,如在操作564中,可随后在重复第一和第二光源的照明迭代之前,执行基板106或掩模108的位置变化。图6C示出使用可视化系统122在开口140之内对准的对准标记138。一旦掩模108在基板106之上适当地对准,对准元件118A至118D就可将掩模108降低至基板106上。
图6D示出掩模108与基板的对准标记138的对准,所述基板另外地与遮蔽框128上的对准位置144对准。对准位置144可以是例如位于遮蔽框128的表面上的陶瓷按钮或环。通过来自第一光源252a的照明来促进对准位置144的对准。应注意,对准标记138也可如由第一光源252a照明而可见,如图6D中所示,因为对准标记138通过开口140而可见地定位,且因此不存在对比问题。遮蔽框的单独对准控制可用于对准遮蔽框。另外地或替代地,掩模108和基板106可相对于固定遮蔽框对准。在此实施方式中,相对于遮蔽框的对准可与操作561至564同时发生。
在操作565期间,必要时,一旦基板106、掩模108和遮蔽框128已对准,那么可决定且随后调整掩模108的高度。在操作565期间,在支撑件251(如图2中所示)上的致动器260调整摄像机255(如图2中所示)与掩模108之间的距离,直到掩模108上的标记138相对于摄像机聚焦为止。因为摄像机255具有固定和已知的焦距,所以一旦摄像机255已聚焦,就可快速且轻易地确定摄像机155和掩模108之间的距离。此外,传感器296促进确定摄像机255相对于固定基板106的位置,且另外地,确定掩模108与固定基板106的距离。因此,通过在掩模108上聚焦摄像机255,可确定掩模108与基板106的距离。当定位掩模108时,掩模108和基板106之间的距离的确定允许掩模108和基板106之间的更平缓接触,从而减少对基板106的无意损坏。
例如,由于在掩模108上的沉积材料的累积,或者,由于掩模108的机械加工或整修,可发生掩模108与基板106的距离偏差。在一个实例中,掩模108可通过从掩模108的表面去除所沉积材料,例如经由研磨、抛光或化学蚀刻来整修。由于整修的从掩模108的材料去除,或由于沉积的向掩模108的材料增加都会使掩模108相对于摄像机255移动。掩模108相对于摄像机255的移动引起掩模108散焦。然而,摄像机255可如上所述重新聚焦,且摄像机255移动到重调焦距的距离等于掩模高度的变化。
在操作565期间,通过重新聚焦摄像机255的焦距,且通过查明摄像机255相对于掩模108的距离的变化,可确定掩模108和基板106之间的相对距离的精确变化。在一个实例中,所述距离变化可为约200微米或更少。掩模108和基板106之间的精确距离的确定促进在掩模放置期间的掩模108和基板106之间的更平缓接触,从而防止对基板106的损坏,诸如基板表面的剥落或划伤。可以预期,在掩模108的整修或置换之后,可对每个基板、每隔几个基板,或对第一基板执行操作565。在已在操作565中调整掩模高度之后,在诸如CVD工艺的沉积工艺之前,掩模108可在操作566期间布置在基板106上。
图7A至图7C示出使用本公开的视觉系统的测量的图形。图7A是示出使用本文所述的可视化系统122的对准标记138位置的24个不同测量的图形780。对准标记138测量在X轴中产生0.0808微米的σ值,且在Y轴中产生0.0867微米的σ值。图7B是示出使用可视化系统122的掩模开口140位置的24个不同测量的图形781。掩模开口140测量在X轴中产生0.1361微米的σ值,且在Y轴中产生0.1837微米的σ值。图7C是使用可视化系统122的在遮蔽框128上的对准位置144位置的24个不同测量的图形782。对准位置144测量在X轴中产生1.4502微米的σ值,且在Y轴中产生1.0417微米的σ值。因此,使用本公开的可视化系统,可快速且准确地完成基板、掩模,和遮蔽框的对准,即使当基板106的对准标记138被掩模108的各部分遮蔽时。
图8示出通过本公开的可视化系统122执行的焦点测量的图形788。可视化系统122的摄像机255同时在正z轴方向和负z轴方向中行进,以确定最大焦点的峰值,如由区域789所示。已决定最大焦点的相对z轴位置之后,可视化系统和/或耦接至可视化系统的控制器可校正掩模定位以补偿由于掩模整修或其他因素的掩模位置的变化。因此,可调整掩模运动以补偿掩模至基板距离的变化,以促进掩模108和基板106之间的更平缓的接触,从而当安置掩模108在基板106上时减少对基板106的损坏。在无掩模高度调节操作的情况下,基板106之上的掩模108的绝对高度是未知的,且可产生过度有力的接触,例如由于当布置掩模108在基板106上时未使掩模108的运动减速而引起。在一个实例中,可使用本文所述的实施方式决定掩模位置在约25微米或更少的距离之内。
本公开的益处包括相对于基板快速且准确地对准掩模。即使当基板的对准标记不通过掩模中的开口存在时,多光源视觉系统也促进掩模的对准。另外,本公开的视觉系统的摄像机的Z轴自动聚焦允许确定和补偿由于掩模整修的掩模高度的变化。因此,掩模可更加平缓地定位在基板上以最小化对基板的损坏。
虽然前述内容是针对本公开的实施方式,但是可在不背离本公开的基本范围的情况下设计本公开的其他和进一步实施方式,且本公开的范围是由所附权利要求书所决定。
Claims (12)
1.一种可视化系统,包括:
第一光源,具有环形;
第二光源,适合于导引光通过所述第一光源的中心;以及
透镜,定位在所述第一光源和摄像机之间,所述摄像机导引通过所述第一光源的所述中心且适合于捕获通过所述透镜的图像。
2.如权利要求1所述的可视化系统,其中所述透镜是远心透镜。
3.如权利要求1所述的可视化系统,其中所述第二光源是点光源。
4.如权利要求1所述的可视化系统,其中所述摄像机耦接到线性致动器。
5.如权利要求1所述的可视化系统,进一步包括光学器件外壳,所述光学器件外壳在其中包括镜子或透镜,所述镜子或透镜适合于从所述第二光源导引光。
6.一种工艺腔室,包括:
基板支撑件,定位在所述工艺腔室的主体之内;
一个或多个运动对准元件,用于支撑在所述运动对准元件上的掩模;以及
可视化系统,被定位以检测所述掩模与支撑在所述基板支撑件上的基板的对准,所述可视化系统包括:
第一光源,具有环状;
第二光源,适合于导引光通过所述第一光源的中心;以及
透镜,定位在所述第一光源和摄像机之间,所述摄像机导引通过所述第一光源的所述中心且适合于捕获通过所述透镜的图像。
7.如权利要求6所述的工艺腔室,其中所述透镜是远心透镜。
8.如权利要求6所述的工艺腔室,其中所述第二光源是点光源。
9.如权利要求6所述的工艺腔室,其中所述摄像机耦接到线性致动器。
10.如权利要求6所述的工艺腔室,进一步包括遮蔽框,所述遮蔽框具有用于由所述可视化系统检测的在所述遮蔽框上的数个对准位置。
11.如权利要求6所述的工艺腔室,其中所述基板支撑件包括数个开口,所述数个开口用于导引所述第一光源和所述第二光源通过所述数个开口。
12.如权利要求6所述的工艺腔室,其中所述第一光源和所述第二光源是LED。
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Cited By (6)
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---|---|---|---|---|
WO2017201669A1 (en) * | 2016-05-24 | 2017-11-30 | Applied Materials, Inc. | A shadow mask with plasma resistant coating |
CN110291465A (zh) * | 2017-02-14 | 2019-09-27 | Vat控股公司 | 气动销举升装置和气动举升缸 |
CN111118447A (zh) * | 2018-10-30 | 2020-05-08 | 佳能特机株式会社 | 贴紧度确认装置及方法、成膜装置及方法、电子器件的制造方法 |
CN112575287A (zh) * | 2019-09-29 | 2021-03-30 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 掩模对准装置和掩模对准方法 |
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017201669A1 (en) * | 2016-05-24 | 2017-11-30 | Applied Materials, Inc. | A shadow mask with plasma resistant coating |
US11566322B2 (en) | 2016-05-24 | 2023-01-31 | Applied Materials, Inc. | Shadow mask with plasma resistant coating |
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CN110291465A (zh) * | 2017-02-14 | 2019-09-27 | Vat控股公司 | 气动销举升装置和气动举升缸 |
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