CN107206793A - 在形成打印头时去除金属导体的倾斜段 - Google Patents

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Abstract

形成打印头的方法的一个示例包括：在第一电介质之上形成第一电阻器和第二电阻器；在所述第一电阻器和所述第二电阻器之上形成第二电介质的第一部分，并且在所述第一电介质的处于所述第一电阻器和所述第二电阻器之间的区域中的暴露的倾斜表面之上形成所述第二电介质的第二部分；在所述第二电介质的所述第一部分和所述第二部分之上形成金属导体；以及从所述第二电介质的所述第二部分的倾斜表面去除所述金属导体的倾斜段，以暴露所述第二电介质的所述第二部分的所述倾斜表面。

Description

在形成打印头时去除金属导体的倾斜段
背景技术
喷墨打印机可以包括例如打印头之类的流体喷射装置，以将例如墨之类的标记材料的液滴喷射到例如纸之类的可打印介质上。例如，打印头可在打印头和纸之间发生相对运动时将墨滴喷射到纸上。在一些示例中，例如在涉及热喷墨打印头的示例中，可响应于加热墨来喷射墨滴。在一些示例中，可以使用例如光刻技术之类的光成像技术来形成打印头。
附图说明
图1A-1J是形成打印头的一个示例的各示例性阶段期间的剖视图。
图2A-2B是形成打印头的一个示例的各示例性阶段期间的剖视图。
图3是形成打印头的方法的一个示例的流程图。
图4是形成打印头的方法的一个示例的流程图。
具体实施方式
例如热喷墨打印头之类的打印头有时包括处于电阻器之上的腔室(例如，有时称为喷发腔室(firing chamber))。例如，在操作期间，例如响应于电阻器中的耗散电流，被接收在喷发腔室中的墨可被电阻器加热。墨的加热可致使在与电阻器相邻的墨中形成蒸气泡，该蒸气泡从腔室喷射处于气泡之上的墨。
在本文所论述的一些示例中，可以在电阻器之上以及在电阻器之间的区域之上形成金属导体。然后，可以从电阻器之间的区域之上去除金属导体的倾斜段。例如，金属导体的倾斜段可以是在形成电阻器时可能形成的电阻器之间的区域中的倾斜表面上形成金属导体的结果。该金属导体有时可被称为气蚀层(cavitation layer)，例如，原因在于该金属导体可以作用于抵抗由于电阻器加热墨时在墨中产生的蒸气泡的反复塌缩而产生的力。
倾斜段的去除用于防止当倾斜段未被去除时在形成喷发腔室期间可能发生的来自倾斜段的表面的电磁辐射的反射，该电磁辐射例如紫外线辐射。在一些示例中，可以使用例如光刻法之类的光成像来形成喷发腔室。例如，诸如光致抗蚀剂之类的可光成像材料可以形成在电阻器之上以及电阻器之间的区域之上。在一些示例中，处于电阻器之间的区域之上的可光成像材料可以暴露于辐射，而电阻器之上的可光成像材料被覆盖，例如使用掩模来覆盖。
然后，例如有时称为显影剂的溶剂可以被施加于可光成像材料，以去除电阻器之上的被覆盖的可光成像材料，从而在电阻器之上形成喷发腔室，并且将暴露于辐射且无法通过溶剂去除的可光成像材料留在电阻器之间。
然而，在金属导体的倾斜表面未从电阻器之间的区域被去除的示例中，该倾斜表面可将辐射反射到电阻器之上的被覆盖的可光成像材料中，从而使电阻器之上的至少一些可光成像材料暴露于辐射。结果，在施加溶剂之后，一些暴露的可光成像材料可能留在电阻器之上的喷发腔室中，原因在于溶剂将不会去除暴露的可光成像材料。
图1A-1J是形成打印头的一个示例的各示例性阶段期间的剖视图。在图1A中，例如铝铜(AlCu)之类的金属导体102(例如，一层导电金属材料，诸如一定厚度的导电金属材料等)形成在例如TEOS(正硅酸乙酯)之类的电介质104之上。在一些示例中，金属导体102形成为与电介质104的上表面105直接物理接触。
然后，开口106形成在金属导体102中，以暴露部分的上表面105。例如，可以通过图案化(pattern)金属导体102并去除金属导体102的暴露部分来形成开口106。例如，掩模(未示出)可以形成在金属导体102之上，并被图案化，以限定金属导体102的用于去除的部分，所述掩模例如成像抗蚀剂，诸如光致抗蚀剂等。金属导体102的为去除而限定的部分随后例如通过蚀刻来去除，以形成可终止于上表面105处的开口106。在一些示例中，去除过程使金属导体102的剩余部分107具有倾斜(例如，有坡度，例如成一定角度倾斜等)的侧壁108，该侧壁108也形成开口106的倾斜侧壁。
然后，在电介质104之上的开口106中以及在金属导体102的剩余部分107之上形成电阻材料109(例如，一层电阻材料109，诸如一定厚度的电阻材料109等)，例如氮化钨硅化物(tungsten silicide nitride，WSiN)等。在一些示例中，开口106中的电阻材料109形成为与电介质104的上表面105直接物理接触，并且金属导体102的剩余部分107之上的电阻材料109形成为与金属导体102的剩余部分107的上表面和倾斜侧壁108直接物理接触。
在一些示例中，电介质104可以形成在例如硅之类的半导体(未示出)之上。在一些示例中，其他电介质(未示出)可处于半导体和电介质104之间。
在图1B的示例中，电阻器110(例如，电阻器110-1至110-3)在电介质104之上由金属导体102中的开口106中的电阻材料109形成。例如，电阻器110-1至110-3分别形成在与金属导体102中的开口106相对应的位置。例如，电阻器110以及包括金属导体102之上的电阻材料109的导体电阻(例如，AlCu-WSiN)堆叠114可以在如下过程的同时形成，即：从图1A的结构去除电阻材料109的一部分和金属导体102的一部分，以暴露处于电阻器110和堆叠114之间的区域112中的电介质104的表面，如图1B中所示。
在一些示例中，电阻器110和堆叠114可以通过如下方式来形成，即：对应于电阻器110，图案化开口106中的电阻材料109，以及对应于堆叠114，图案化导体102的剩余部分107之上的电阻材料109。去除开口106中的电阻材料109的暴露部分，从而留下电阻器110，并且去除电阻材料109的暴露部分以及导体102的剩余部分107的处于电阻材料109的暴露部分之下的部分，从而留下堆叠114，如图1B中所示。
例如，掩模(未示出)可以形成在电阻材料109之上，并被图案化，以限定用于去除的电阻材料109的部分和导体102的剩余部分107的处于电阻材料109之下的部分，所述掩模例如成像抗蚀剂，诸如光致抗蚀剂等。为去除而限定的电阻材料109的所述部分和导体102的剩余部分107的处于电阻材料109之下的所述部分随后被去除，例如通过诸如干法蚀刻之类的蚀刻来去除，从而留下电阻器110和堆叠114。
去除过程继续，直到导体102的剩余部分107的为去除而限定的部分被去除。这致使电介质104中的一些被去除。电介质104的去除使电介质104在电阻器110和堆叠114之间的区域112中具有暴露的倾斜(例如，有坡度的，例如成一定角度倾斜的)表面116(例如，其在图1B中可以从水平方向倾斜大约5度至大约10度)。注意，图1B和后续附图中的倾斜表面116的倾斜度非按比例绘制。
注意，倾斜表面116处于相邻(例如，接连相邻)的电阻器110之间，例如电阻器110-1和110-2之间以及电阻器110-2和110-3之间。倾斜表面116至少部分地由于去除导体102的剩余部分107的倾斜侧壁108而产生。例如，去除电阻材料109和导体102可以形成倾斜表面116。
在一些示例中，堆叠114中的导体102可被电耦接到电阻器110-1至110-3中的相应电阻器。例如，堆叠114中的导体102可以形成向电阻器110-1至110-3供应电流以引起电阻器110-1至110-3的加热的电路的返回部分。
在图1B的结构之上形成电介质120(例如，一层介电材料，例如一定厚度的介电材料)，例如碳化硅(SiC)或氮化硅(Si3N4)或者碳化硅和氮化硅的组合，如图1C的示例中所示。例如，电介质120形成在电阻器110、暴露的电介质104和堆叠114之上。例如，电介质120的一部分形成在电阻器110-1至110-3之上，并且电介质120的另一部分形成在处于接连相邻的电阻器110-1和110-2之间的区域中以及处于接连相邻的电阻器110-2和110-3之间的区域中的电介质104的暴露的倾斜表面116之上。在一些示例中，电介质120可被称为钝化材料，例如钝化电介质，并且可至少作用于保护例如电阻器110-1至110-3和电介质104之类的底层结构免受墨的不利影响。
在一些示例中，电介质120的形成在电阻器110-1至110-3之上的部分形成为与电阻器110-1至110-3(例如，与其上表面)直接物理接触，并且电介质120的形成在电介质104的暴露的倾斜表面116之上的部分形成为与电介质104的倾斜表面116直接物理接触。在一些示例中，具有倾斜表面124的电介质120的倾斜部分(例如，倾斜段)122处于电介质104的倾斜表面116之上(例如，正上方)并且与之直接物理接触，如图1C中所示。
在图1C的示例中，金属导体125(例如，一层导电金属材料，例如一定厚度的导电金属材料)形成在电介质120之上，该金属导体125例如钽或包括钽的堆叠、处于钽之上的铂和处于铂之上的钽等。例如，金属导体125形成在电介质120的形成在电阻器110-1至110-3之上的部分之上以及电介质120的形成在处于接连相邻的电阻器110-1和110-2之间的区域中及处于接连相邻的电阻器110-2和110-3之间的区域中的电介质104的倾斜表面116之上的另一部分之上。在一些示例中，金属导体125形成为与电介质120的表面直接物理接触，所述电介质120的表面例如其上表面。在一些示例中，金属导体125包括倾斜段130，其处于电介质120的倾斜部分122的倾斜表面124之上(例如，正上方)并且与之直接物理接触。在一些示例中，电介质120可以作用于使例如电阻材料109之类的电阻材料和其他导体(未示出)与金属导体125电隔离。
部分的金属导体125被从图1C的结构中去除，如图1D的示例中所示。例如，导体125的倾斜段130被从处于电阻器110和堆叠114之间的区域112中的电介质120的倾斜部分122的倾斜表面124去除，以暴露区域112中的电介质120的倾斜部分122的倾斜表面124，如图1D中所示。也就是说，例如，倾斜段130被从处于接连相邻的电阻器110-1和110-2之间的区域中以及处于接连相邻的电阻器110-2和110-3之间的区域中的电介质120的倾斜部分122(例如，倾斜部分122的倾斜表面124)去除。注意，倾斜段130的去除不会作用于使导体125电隔离。
在一些示例中，金属导体125可以被图案化，并且金属导体125的暴露部分被去除，例如在电介质120上停止。例如，掩模(未示出)可以形成在金属导体125之上，并被图案化，以限定金属导体125的用于去除的部分，所述掩模例如成像抗蚀剂，诸如光致抗蚀剂等。随后，例如通过诸如干法蚀刻或湿法蚀刻之类的蚀刻来去除金属导体125的为去除而限定的部分，从而将金属导体125的剩余部分留在电阻器110-1至110-3之上，并且在图1D的示例中，留在堆叠114之上。
金属导体125的分别保留在电阻器110-1至110-3之上的部分例如可以被称为气蚀板(cavitation plate)135。气蚀板135，并且因此，金属导体125的分别保留在电阻器110-1至110-3之上的部分作用于抵抗由于电阻器加热墨时在墨中产生的蒸气泡的反复塌缩而产生的力。该蒸气泡用于从打印头喷射处于气泡之上的墨。
在例如图2A的示例之类的一些示例中，金属导体125也被从电介质120的处于堆叠114之上的部分去除，同时导体125的倾斜段130被从电介质120的倾斜表面124去除。也就是说，在图2A的示例中，如图1C中所示的导体125的倾斜段130被从电介质120的倾斜表面124以及从电介质120的处于堆叠114之上的部分去除。
在图1D的结构之上形成例如SU-8光致抗蚀剂之类的可光成像材料(例如，电介质)140(例如，一层可光成像材料140，诸如一定厚度的可光成像材料140等)，如图1E的示例中所示。例如，可以使用诸如真空旋涂工艺之类的旋涂工艺或干膜层压工艺来形成可光成像材料140。
掩模142形成在可光成像材料140之上，使得电阻器110-1至110-3之上(例如，正上方)的区域被掩模142覆盖。例如紫外线辐射(例如，具有大约365纳米的波长)之类的电磁辐射145被引导到可光成像材料140和掩模142上，以将可光成像材料140的掩模142未覆盖的区域暴露于辐射145，同时留下可光成像材料140的被掩模142覆盖的区域未受辐射145照射。
辐射145使得可光成像材料140的暴露于辐射145的区域交联，而留下可光成像材料140的未暴露的区域未交联。例如，术语“未暴露”可以被认为包括产生如下交联水平的暴露水平，即：所述交联水平当存在于可光成像材料中时，将允许通过溶剂来去除该可光成像材料，所述溶剂例如显影剂，诸如乳酸乙酯等。术语“未交联”可以被认为包括如下交联水平，即：所述交联水平当存在于可光成像材料中时，将允许通过溶剂来去除该可光成像材料。
在一些示例中，光吸收剂(例如，有时称为染料)可被添加到可光成像材料140。例如，光吸收剂可以用于增加可光成像材料140所吸收的辐射145的量。
在辐射145被施加于图1E的结构之后，将包括交联的和未交联的区域的所得到的结构暴露于溶剂。所述溶剂通过去除未交联的区域同时留下交联的可光成像材料140的部分152而在未交联的区域中形成开口150，如图1F的示例中所示。
开口150暴露导体125的处于电介质120的如下部分之上并与之直接物理接触的部分，即：电介质120的所述部分处于电阻器110-1至110-3之上并与之直接物理接触。在一些示例中，交联的可光成像材料140的部分152可以被称为底漆部分(primer portion)。
应当注意的是，图1D中从电介质120的倾斜表面124去除金属导体125的倾斜段130防止了当倾斜段130未被从电介质120的倾斜表面124去除时发生的辐射145从倾斜段130的表面的反射。倾斜段130可以将在其处接收的辐射145的相对较大的部分反射到可光成像材料140的被掩模142覆盖的区域，该掩模142可导致在被掩模142覆盖的区域中形成可能不能通过溶剂去除的交联的可光成像材料140。
在掩模142所覆盖的区域中形成交联的可光成像材料140可以至少限制开口150的尺寸和/或可以潜在地防止开口150的形成。例如，在掩模142所覆盖的区域中形成交联的可光成像材料140可导致在部分152的侧壁上形成过量的交联的可光成像材料140，或者可以在导体125的处于电介质120的如下部分之上并与之直接物理接触的部分之上形成一层交联的可光成象材料140，即：电介质120的所述部分处于电阻器110-1至110-3之上并与之直接物理接触。
然而，当倾斜段130被去除时，相对于被倾斜段130反射的辐射145的量，电介质120的剩余的倾斜表面124可以至少将反射到可光成像材料140的掩模142所覆盖的区域的辐射145的量限制于如下水平，即：至少将交联的量限于在掩模142之下形成的交联的可光成像材料140不会对形成开口150构成显著障碍的水平。例如，处于掩模142之下的区域可能基本上不含无法通过溶剂来去除的任何交联的可光成像材料140。
在其中电介质120是碳化硅和氮化硅的组合且电介质104是TEOS并且其中导体125是钽的示例中，例如对于365纳米加或减10纳米的辐射波长而言，电介质120在电介质104之上的倾斜部分122的反射率比金属导体125的倾斜段130的反射率小大约60％。
在图1F的结构之上形成例如SU-8光致抗蚀剂之类的可光成像材料(例如，电介质)160(例如，一层可光成像材料160，诸如一定厚度的可光成像材料160等)，从而填充开口150，如图1G的示例中所示。例如，可以使用诸如真空旋涂工艺之类的旋涂工艺或干膜层压工艺来形成可光成像材料160。
掩模162形成在可光成像材料160之上，使得电阻器110-1至110-3之上(例如，正上方)的区域被掩模162覆盖。辐射145被引导到可光成像材料160和掩模162上，以将可光成像材料160的掩模162未覆盖的区域暴露于辐射145，同时留下可光成像材料160的被掩模162覆盖的区域未受辐射145照射。辐射145使得可光成像材料160的暴露于辐射145的区域交联，而留下可光成像材料160的未暴露的区域未交联。
在辐射145被施加于图1G的结构之后，将包括交联的和未交联的区域的所得到的结构暴露于溶剂。如图1H的示例中所示，溶剂使开口150重新开放，并且通过去除未交联的区域而在未交联的区域中形成处于开口150之上并与开口150毗连的开口164，同时将交联的可光成像材料160的部分168留在交联的可光成像材料140的部分152之上。
毗连的开口150和164形成单一的连续开口165，该开口165暴露导体125的处于电介质120的如下部分之上并与之直接物理接触的部分，即：电介质120的所述部分处于电阻器110-1至110-3之上并与之直接物理接触。在一些示例中，部分168可以被称为腔室部分(chamber portion)。
图1D中从电介质120的倾斜表面124去除金属导体125的倾斜段130防止了当倾斜段130未被去除时发生的辐射145从倾斜段130的表面反射到可光成像材料160的被掩模162所覆盖的区域。这些反射可导致在掩模162所覆盖的区域中形成可能不能通过溶剂去除的交联的可光成像材料160。
在掩模162所覆盖的区域中形成交联的可光成像材料160可以至少限制开口164的尺寸和/或可以潜在地防止开口164的形成。例如，在掩模162所覆盖的区域中形成交联的可光成像材料160可导致在部分168的侧壁上形成过量的交联的可光成像材料160，或者在导体125的处于电介质120的如下部分之上并与之直接物理接触的部分之上可以形成跨开口164的层或者可以形成一层交联的可光成象材料160，即：电介质120的所述部分处于电阻器110-1至110-3之上并与之直接物理接触。
然而，当倾斜段130被去除时，相对于被倾斜段130反射的辐射145的量，电介质120的剩余的倾斜表面124可以至少将反射到可光成像材料160的掩模162所覆盖的区域的辐射145的量限制于如下水平，即：至少将交联的量限于在掩模162之下形成的交联的可光成像材料160不会对形成开口150和164构成显著障碍的水平。例如，处于掩模162之下的区域可基本上没有任何交联的可光成像材料160。
在图1H的开口165中形成例如蜡之类的牺牲材料170，如图1I的示例中所示。例如，牺牲物170可将开口165填充得溢出并且遍布交联的可光成像材料160的部分168的上表面。然后，例如通过化学机械平坦化(CMP)从部分168的上表面去除牺牲材料170，使得牺牲材料170的上表面与部分168的上表面齐平，如图1I中所示。
在部分168的上表面和牺牲材料170的上表面之上形成例如SU-8光致抗蚀剂之类的可光成像材料(例如，电介质)175(例如，一层可光成像材料175，诸如一定厚度的可光成像材料175等)，如图1I中所示。例如，可以使用诸如真空旋涂工艺之类的旋涂工艺或干膜层压工艺来形成可光成像材料175。
掩模178形成在可光成像材料175之上，使得电阻器110-1至110-3之上的区域被掩模178覆盖。辐射145被引导到可光成像材料175和掩模178上。辐射145使得可光成像材料175的暴露于辐射145的区域交联，而留下可光成像材料175的未暴露的区域未交联。
在辐射145被施加于图1I的结构之后，将包括交联的和未交联的区域的所得到的结构暴露于溶剂。如图1J的示例中所示，溶剂通过去除牺牲材料170而使开口165重新开放，并且通过去除未交联的区域而在未交联的区域中形成处于开口165之上并与开口165毗连的开口(例如，孔口)180，同时将交联的可光成像材料175的层(例如，一定厚度)182留在交联的可光成像材料160的部分168之上。例如，层182可被称为孔口层(例如，孔口板)182。在一些示例中，层182可被称为顶帽层(tophat layer)。注意，图1J图示了打印头190的一个示例的一部分。
在一些示例中，开口165可被称为喷发腔室165。例如，相应的孔口180可以为相应的喷发腔室165提供出口。
在一些示例中，交联的可光成像材料175的层182的一部分处于交联的可光成像材料160的部分168之上处于交联的可光成像材料140的部分152之上形成可称为可光成像材料192的可光成像材料的堆叠192。在其他示例中，可光成像材料192可被称为电介质192，例如电介质的堆叠192。接连相邻的电介质192的侧壁195形成接连相邻的电介质192之间的喷发腔室165的侧壁195。
在图2B的示例中示出了打印头200的一部分的示例。在图1J和图2B中使用共同的编号来图示相似部分(例如，相同的部件)。例如，打印头200可以通过如下方式来形成，即：通过在图2A的结构之上形成交联的可光成像材料140的部分152，例如，如结合图1E和图1F所述，通过在部分152之上形成交联的可光成像材料160的部分168，例如，如结合图1G和图1H所述，以及通过在部分168之上形成交联的可光成像材料175的层182，例如，如结合图1I和图1J所述。
在一些示例中，打印头190和200包括处于电介质104之上的电阻器110-1和110-2。对于一些示例，电介质120包括相应地处于电阻器110-1和110-2之上的第一部分和第二部分，以及倾斜部分122，该倾斜部分122处于电阻器110-1和110-2之间的区域中的电介质104的倾斜表面116之上并与之直接物理接触，如图1J和图2B中所示。相应的金属导体125相应地处于第二电介质的第一和第二部分之上，如图1J和图2B中所示。处于电阻器110-1和110-2之间的电介质192与电介质120的倾斜部分122直接物理接触。电介质192的处于电阻器110-1和110-2之间的相对的侧壁195分别是相应地处于相应的金属导体125之上的喷发腔室165的侧壁，如图1J和图2B中所示。
在一些示例中，金属导体102处于电阻器110-1和110-2之间的区域中的电介质104之上，并且电介质104的倾斜表面116处于电阻器110-1和金属导体102之间，如图1J和图2B中所示。
在一些示例中，倾斜部分122是电介质120的第一倾斜部分122，并且电介质120具有处于金属导体102之上的第三部分，以及第二倾斜部分122，该第二倾斜部分122处于电介质104的在电阻器110-2和金属导体102之间的倾斜表面116之上并与之直接物理接触，如图1J和图2B中所示。
在一些示例中，打印头190和200还包括处于电介质120的第三部分和金属导体102之间的电阻材料109，如图1J和图2B中所示。例如，处于金属导体102之上的电阻材料109形成堆叠114，如图1J和图2B中所示。
在一些示例中，打印头190还包括处于电介质120的第三部分之上的金属导体125，如图1J中所示。在图2B中的打印头200的示例中，金属导体125已从电介质120的处于金属导体102之上的第三部分去除。也就是说，例如，电介质120的处于电阻器110-1和110-2之间的金属导体102之上的第三部分在图2B中没有金属导体125。
在打印头190的一些示例中，处于电阻器110-1和110-2之间的电介质192与电介质120的第二倾斜部分122直接物理接触，并且与电介质120的第三部分之上的导体125直接物理接触，如图1J中所示。
在一些示例中，打印头190和200包括处于电介质104之上的电阻器110，例如电阻器110-2等。电阻器110-2处于电介质104之上的一对金属导体102之间。注意，在一些示例中，金属导体102是在导体102之上包括电阻材料109的堆叠114的一部分。
打印头190和200包括电介质120。在一些示例中，电介质120包括：处于电阻器110-2之上的第一部分；处于电阻器110-2左侧的所述一对金属导体102中的第一个金属导体之上的第二部分；处于电阻器110-2右侧的所述一对金属导体102中的第二个金属导体之上的第三部分；第一倾斜部分122，其处于所述一对金属导体102中的第一个金属导体和电阻器110-2之间的区域(例如，电阻器110-2的左侧)中的电介质104的第一倾斜上表面116之上；以及第二倾斜部分122，其处于所述一对金属导体102中的第二个金属导体和电阻器110-2之间的区域(例如，电阻器110-2的右侧)中的电介质104的第二倾斜上表面116之上，如图1J和图2B中所示。例如，金属导体125处于电介质120的第一部分之上，如图1J和图2B中所示。
在一些示例中，电介质120的处于所述一对金属导体102中在电阻器110-2左侧的第一个金属导体之上的第二部分处于该对金属导体102中的第一个金属导体之上的电阻材料109之上并与之直接物理接触，并且电介质120的处于该对金属导体102中在电阻器110-2右侧的第二个金属导体之上的第三部分处于该对金属导体102中的第二个金属导体之上的电阻材料109之上并与之直接物理接触，如图1J和图2B中所示。
例如，处于电阻器110-2左侧上的电介质192具有处于电介质120的第二部分之上的第一部分，以及与电介质120的第一倾斜部分122直接物理接触的第二部分，如图1J和图2B中所示。例如，处于电阻器110-2右侧上的电介质192具有处于电介质120的第三部分之上的第一部分，以及与电介质120的第二倾斜部分122直接物理接触的第二部分，如图1J和图2B中所示。喷发腔室165处于金属导体125之上，并且处于电阻器110-2左侧上的电介质192和电阻器110-2右侧上的电介质192之间。
在图2B中的打印头200的示例中，处于电介质120的第二部分之上的电阻器110-2左侧上的电介质192的第一部分与电介质120的第二部分直接物理接触，并且处于电介质120的第三部分之上的电阻器110-2右侧上的电介质192的第一部分与电介质120的第三部分直接物理接触。
在图1J中的打印头190的示例中，金属导体125处于所述一对金属导体102在电阻器110-2左侧的第一个金属导体之上，并且金属导体125处于该对金属导体102在电阻器110-2右侧的第二个金属导体之上。在图1J中的打印头190的示例中，与电介质120的第一倾斜部分122直接物理接触的电阻器110-2左侧上的电介质192的第二部分在电阻器110-2之上的金属导体125和处于所述一对金属导体102中电阻器110-2左侧的第一个金属导体之上的金属导体125之间延伸，并且与电介质120的第二倾斜部分122直接物理接触的电阻器110-2右侧上的电介质192的第二部分在电阻器110-2之上的金属导体125和处于该对金属导体102中电阻器110-2右侧上的第二个金属导体之上的金属导体125之间延伸。
图3是形成打印头的方法300的一个示例的流程图。在框310中，在例如电介质104的第一电介质之上形成第一和第二电阻器，例如电阻器110-1和110-2等。在框320中，在第一电阻器和第二电阻器之上形成例如电介质120的第二电介质的第一部分，并且在第一电介质的处于第一电阻器和第二电阻器之间的区域中的例如倾斜表面116的暴露的倾斜表面之上形成所述第二电介质的第二部分。在框330处，例如金属导体125的金属导体形成在第二电介质的第一部分和第二部分之上。在框340中，从第二电介质的第二部分的例如倾斜表面124的倾斜表面去除金属导体的倾斜段，例如倾斜段130，以暴露第二电介质的第二部分的所述倾斜表面。
在一些示例中，第二电介质的第二部分可与第一电介质的倾斜表面直接物理接触，并且在第二电介质的第二部分之上形成金属导体可包括形成与第二电介质的第二部分的倾斜表面直接物理接触的金属导体的倾斜段。
在一些示例中，方法300还可以包括：在第二电介质的第一部分之上形成可光成像材料的第一部分，并且在第一电阻器和第二电阻器之间的区域中以及在第二电介质的第二部分的暴露的倾斜表面之上形成所述可光成像材料的第二部分；使所述可光成像材料的第二部分暴露于辐射，同时覆盖所述可光成像材料的第一部分；以及将所述可光成像材料的第一部分和第二部分暴露于溶剂，以去除第一部分，同时留下第二部分。去除金属导体的倾斜段用于防止当所述金属导体的所述倾斜段未被去除时在所述可光成像材料的第二部分暴露于辐射时发生的辐射从所述金属导体的所述倾斜段的表面反射到所述可光成像材料的被覆盖的第一部分。
在一些示例中，金属导体可以是第一金属导体，并且方法300还可以包括在例如金属导体102的第二金属导体之上、即在第一和第二电阻器之间的区域中形成第二电介质的第三部分，以及在第二电介质的第三部分之上形成第一金属导体。在一些示例中，方法300还可以包括从第二电介质的第三部分去除第一金属导体，同时从第二电介质的第二部分的倾斜表面去除金属导体的倾斜段。
图4是形成打印头的方法400的一个示例的流程图。在框410中，在例如电介质104的第一电介质之上的例如金属导体102的第一金属导体之上，以及在第一金属导体中的例如开口106的开口中的第一电介质之上形成电阻材料，例如电阻材料109。在框420处，由所述开口中的电阻材料形成电阻器，例如电阻器110，并且形成包括第一金属导体之上的所述电阻材料的堆叠，例如堆叠114，同时去除电阻材料的一部分和述第一金属导体的一部分，以在所述电阻器和所述堆叠之间的区域中形成第一电介质的倾斜表面，例如倾斜表面116。在框430处，在所述电阻器、所述第一电介质的倾斜表面和所述堆叠之上形成第二电介质，例如电介质120。在框440中，在第二电介质之上形成第二金属导体，例如金属导体125。在框450中，从与第一电介质的倾斜表面直接物理接触的第二电介质的倾斜部分，例如倾斜部分122，去除第二金属导体的倾斜段，例如倾斜段130。
在一些示例中，方法400还可以包括从第二电介质的处于所述堆叠之上并与所述堆叠直接物理接触的部分去除第二金属导体。
尽管本文已图示和描述了具体的示例，但显然意图是所要求保护的主题的范围仅由所附权利要求及其等同物来限制。

Claims (15)

1.一种形成打印头的方法，包括：
在第一电介质之上形成第一电阻器和第二电阻器；
在所述第一电阻器和所述第二电阻器之上形成第二电介质的第一部分，并且在所述第一电介质的处于所述第一电阻器和所述第二电阻器之间的区域中的暴露的倾斜表面之上形成所述第二电介质的第二部分；
在所述第二电介质的所述第一部分和所述第二部分之上形成金属导体；以及
从所述第二电介质的所述第二部分的倾斜表面去除所述金属导体的倾斜段，以暴露所述第二电介质的所述第二部分的所述倾斜表面。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二电介质的所述第二部分与所述第一电介质的所述倾斜表面直接物理接触，并且其中，在所述第二电介质的所述第二部分之上形成所述金属导体包括形成与所述第二电介质的所述第二部分的所述倾斜表面直接物理接触的所述金属导体的所述倾斜段。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，去除所述金属导体的所述倾斜段不用于使所述金属导体电隔离。
4.如权利要求1所述的方法，还包括：
在所述第二电介质的所述第一部分之上形成可光成像材料的第一部分，并且在所述第一电阻器和所述第二电阻器之间的区域中以及在所述第二电介质的所述第二部分的暴露的倾斜表面之上形成所述可光成像材料的第二部分；
使所述可光成像材料的第二部分暴露于辐射，同时覆盖所述可光成像材料的第一部分；以及
将所述可光成像材料的第一部分和第二部分暴露于溶剂，以去除所述可光成像材料的第一部分，同时留下所述可光成像材料的第二部分。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，去除所述金属导体的所述倾斜段用于防止当所述金属导体的所述倾斜段未被去除时在所述可光成像材料的第二部分暴露于所述辐射时发生的所述辐射从所述金属导体的所述倾斜段的表面反射到所述可光成像材料的被覆盖的第一部分。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属导体是第一金属导体，并且还包括：
在处于所述第一电阻器和所述第二电阻器之间的区域中的第二金属导体之上形成所述第二电介质的第三部分；以及
在所述第二电介质的所述第三部分之上形成所述第一金属导体。
7.如权利要求6所述的方法，还包括从所述第二电介质的所述第三部分去除所述第一金属导体，同时从所述第二电介质的所述第二部分的倾斜表面去除所述金属导体的所述倾斜段。
8.一种形成打印头的方法，包括：
在第一电介质之上的第一金属导体之上，以及在所述第一金属导体中的开口中的所述第一电介质之上形成电阻材料；
由所述开口中的所述电阻材料形成电阻器，并且形成包括所述第一金属导体之上的所述电阻材料的堆叠，同时去除所述电阻材料的一部分和所述第一金属导体的一部分，以在所述电阻器和所述堆叠之间的区域中形成所述第一电介质的倾斜表面；
在所述电阻器、所述第一电介质的所述倾斜表面和所述堆叠之上形成第二电介质；
在所述第二电介质之上形成第二金属导体；以及
从与所述第一电介质的所述倾斜表面直接物理接触的所述第二电介质的倾斜部分去除所述第二金属导体的倾斜段。
9.如权利要求8所述的方法，还包括从所述第二电介质的处于所述堆叠之上并与所述堆叠直接物理接触的部分去除所述第二金属导体。
10.一种打印头，包括：
处于第一电介质之上的第一电阻器和第二电阻器；
第二电介质，其包括相应地处于所述第一电阻器和所述第二电阻器之上的第一部分和第二部分，以及倾斜部分，所述倾斜部分处于所述第一电介质的处于所述第一电阻器和所述第二电阻器之间的区域中的倾斜表面之上并与所述倾斜表面直接物理接触；
相应地处于所述第二电介质的所述第一部分和所述第二部分之上的相应的金属导体；以及
与所述第二电介质的所述倾斜部分直接物理接触的处于所述第一电阻器和所述第二电阻器之间的第三电介质，其中，所述第三电介质的相对的侧壁分别是相应地处于相应的金属导体之上的腔室的侧壁。
11.如权利要求10所述的打印头，其特征在于，所述相应的金属导体是相应的第一金属导体，并且还包括处于所述第一电阻器和所述第二电阻器之间的区域中的所述第一电介质之上的第二金属导体，其中，所述第一电介质的所述倾斜表面处于所述第一电阻器和所述第二金属导体之间。
12.如权利要求11所述的打印头，其特征在于，所述第二电介质的所述倾斜部分是所述第二电介质的第一倾斜部分，并且其中，所述第二电介质包括处于所述第二金属导体之上的第三部分，以及处于所述第一电介质的在所述第二电阻器和所述第二金属导体之间的倾斜表面之上并与所述倾斜表面直接物理接触的第二倾斜部分。
13.如权利要求12所述的打印头，还包括处于所述第二电介质的所述第三部分和所述第二金属导体之间的电阻材料。
14.如权利要求12所述的打印头，还包括处于所述第二电介质的所述第三部分之上的第三金属导体，其中，所述第一金属导体和所述第三金属导体具有相同的导电材料。
15.如权利要求14所述的打印头，其特征在于，所述第三电介质与所述第二电介质的所述第二倾斜部分直接物理接触，并且与所述第三金属导体直接物理接触。
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