CN107195542A - 一种金属衬底直接外延生长碳纳米管的方法 - Google Patents
一种金属衬底直接外延生长碳纳米管的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107195542A CN107195542A CN201710399401.2A CN201710399401A CN107195542A CN 107195542 A CN107195542 A CN 107195542A CN 201710399401 A CN201710399401 A CN 201710399401A CN 107195542 A CN107195542 A CN 107195542A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cnt
- epitaxial growth
- metal substrate
- catalytic elements
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 40
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 24
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims description 7
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 claims description 6
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 abstract 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 235000013290 Sagittaria latifolia Nutrition 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002238 carbon nanotube film Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 235000015246 common arrowhead Nutrition 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H01L21/2053—
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
本发明公开了一种金属衬底直接外延生长碳纳米管的方法，本方法基于化学气相沉积原理直接在具有催化元素的金属衬底上外延生长碳纳米管。通过热氧化还原反应在衬底表面形成催化元素的氧化物层，通过氧化物层晶面间距与碳纳米管晶面间距的匹配，碳原子以有序结构方式在金属衬底上外延生长碳纳米管；碳纳米管与氧化物层之间依靠化学键方式结合在一起，形成欧姆接触特性。本发明方法技术实现简单，可实现碳纳米管与衬底的直接互联，在电子器件中有重要应用。
Description
技术领域
本发明涉及金属衬底上自组装外延生长一维纳米结构方法和一维纳米结构与衬底连接的方法，属于纳米材料和微电子领域。
背景技术
场致电子发射(简称为场发射)是指在电场作用下物体表面的电子穿透表面势垒进入真空的物理过程，它提供了一种快速、高效获得电子发射的方法。以碳纳米管为代表的一维纳米结构表现出优秀的场发射特性，如何实现这些纳米材料在冷阴极中的应用，是场发射研究领域的重要内容。在纳米冷阴极研制中，以自组装生长技术路线制备纳米冷阴极，需要解决在电极结构中生长纳米材料的技术，需要解决纳米材料与电极衬底间的结构互联问题和附着力问题，它们决定着冷阴极发射特性、可靠性、稳定性等性能。将外延生长思想引入电极结构生长纳米材料中，将可以解决纳米材料与电极衬底间的结构互联问题，同时可以实现以欧姆接触的结合方式，降低接触电阻，减少了界面焦耳热，避免击穿而提高工作电流。
发明内容
针对在金属衬底上自组装生长方法制备的碳纳米管薄膜存在非晶碳层和附着力差问题，本发明提供一种在具有催化元素的金属衬底上外延生长碳纳米管的方法。
本发明所述技术方案如下：
一种金属衬底直接外延生长碳纳米管的方法，该方法是基于化学气相沉积原理在具有催化元素的金属衬底上生长碳纳米管。
优选地，所述在金属衬底直接外延生长碳纳米管的方法包括以下步骤：
a)选择含碳纳米管生长催化元素成分的不锈钢作为衬底材料；
b)通过热氧化还原反应在步骤a)所选取的不锈钢衬底表面形成催化元素的氧化物层，该氧化物层的晶面间距与碳纳米管的晶面间距相匹配；
c)采用热化学气相沉积方法在具有催化元素氧化物层的不锈钢衬底上合成生长碳纳米管。
优选地，所述热化学气相沉积方法合成生长碳纳米管的反应温度为750℃～850℃之间，碳原子以有序结构方式从不锈钢衬底表面氧化层中外延生长碳纳米管。
优选地，所述合成生长的碳纳米管与氧化物层之间依靠化学键方式结合，形成欧姆接触特性的连接。
优选地，所述催化元素包括铬、铁、锰、镍的氧化物或其固溶体。
优选地，所述衬底材料包括各种方法引入催化元素的不锈钢衬底，所述催化元素的引入方法包括磁控溅射方法、蒸发沉积方法。
本发明所述方法易于实现，技术条件要求低，通过热氧化还原反应在不锈钢衬底表面形成催化元素的氧化物层。由于所形成的氧化物层晶面间距与碳纳米管晶面间距相匹配，碳原子以有序结构方式在不锈钢衬底表面外延生长碳纳米管，实现碳纳米管与衬底的直接互联，在电子器件中有重要应用。
附图说明
图1是不锈钢衬底外延生长碳纳米管的结构示意图，其中1代表碳纳米管，2代表氧化物层，3代表衬底；
图2是不锈钢衬底上生长碳纳米管的形貌图，图2a和2b分别给出了碳纳米管与不锈钢衬底界面的低倍与高倍扫描电子显微镜图像；
图3是碳纳米管与不锈钢衬底的表面界面结构分析图，图3a和3b分别给出了碳纳米管与不锈钢衬底界面的低倍与高倍透射电子显微镜图像，图3c为界面的电子衍射花样，图3d为界面的滤波图像；
图4是单根碳纳米管与衬底间的导电特性表征，图4a为电导测试示意图，图4b为I-V特性曲线。
具体实施方式
下面利用具体实施例进一步说明本发明的内容和技术方案，但不应理解为对本发明的限制。在不背离本发明思想情况下，对本发明方法、步骤或条件所作的简单修改或替换，均属于本发明的范围。
请同时参阅图1，本发明所述一种金属衬底直接外延生长碳纳米管的方法，是基于化学气相沉积原理在具有催化元素的金属衬底上生长碳纳米管。
具体通过以下步骤实现：
步骤1：选择含碳纳米管生长催化元素成分的不锈钢作为衬底材料，并将不锈钢衬底依次用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗。
步骤2：生长环境的准备，采用热化学气相沉积方法所用设备，将清洗后的不锈钢衬底放置在管式炉样品台中间，通入保护气体Ar气，流量为200sccm，半小时内升温到750℃到850℃之间。
步骤3：通过热氧化还原反应在步骤1所选取的不锈钢衬底3表面形成催化元素的氧化物层2，所形成的氧化物层2的晶面间距与碳纳米管的晶面间距相匹配。具体操作是，停止通入Ar气，改为通入H2气，流量为200sccm，保温还原反应1小时，使金属衬底表面发生氧化还原反应。
步骤4：碳纳米管的生长，该步骤是采用热化学气相沉积方法在具有催化元素氧化物层的不锈钢衬底上合成生长碳纳米管。具体操作是，在750℃-850℃的高温下通入C2H4，流量为20sccm，并生长20min，通过氧化还原反应在衬底表面形成催化元素的氧化物层，由于氧化物层晶面间距与碳纳米管晶面间距匹配，由C2H4裂解生成的碳原子以有序结构方式在金属衬底表面外延生长碳纳米管。
步骤5：停止通入H2和C2H4，改为通入Ar气，流量为200sccm，同时降温到200℃以下，之后取出样品便可。
下面通过碳纳米管与不锈钢衬底的界面结构表征和单根碳纳米管与衬底间的导电特性表征，来说明技术方案的可实施性。
利用扫描电子显微镜和高分辨透射电镜对样品形貌和界面进行分析。图2和图3a分别给出了碳纳米管与不锈钢衬底直接相连的形貌图，碳纳米管与衬底间没有类似非晶碳层的存在。图3b给出了上部区域的碳纳米管管壁相互平行且垂直于下部区域的衬底，对该区域的作傅里叶变换分析，得到电子衍射花样即图3c。图3d给出了界面处的滤波图像，上部区域碳纳米管的管壁(点线)平行于下部衬底的某一晶面(长划线)，并穿过晶格点阵(箭头)。高温下的热处理使表面形成Cr2O3,位于Fe和Ni氧化层之下，同时高温下分解的碳原子渗透到不锈钢表面并从Cr2O3:(Fe,Mn)薄膜的(004)晶面析出，其晶面间距为0.340nm。通过碳纳米管晶面间距与氧化物层晶面间距匹配来实现碳纳米管外延生长。
进一步对单根碳纳米管与衬底间的导电特性进行表征。连接测试回路，使用型号为Keithley 6487自带电压源的皮安表作为记录I-V特性表征的装置，操作纳米探针使钨针尖与单根碳纳米管接触，加电压记录其I-V特性，如图4所示。I-V特性曲线为一条直线，表明了碳纳米管与氧化物层之间依靠化学键以欧姆接触的方式结合在一起，有利于电子的传输。
综上，本发明公开了一种基于化学气相沉积原理直接在具有催化元素的金属衬底上外延生长碳纳米管的方法。通过热氧化还原反应在衬底表面形成催化元素的氧化物层，通过氧化物层晶面间距与碳纳米管晶面间距的匹配，碳原子以有序结构方式在金属衬底上外延生长碳纳米管，增强了纳米材料与衬底之间的导电性能和附着力。本发明方法技术实现简单，可实现碳纳米管与衬底的直接互联，在电子器件中有重要应用。
Claims (6)
1.一种金属衬底直接外延生长碳纳米管的方法，其特征在于：所述方法是基于化学气相沉积原理在具有催化元素的金属衬底上生长碳纳米管。
2.根据权利要求1所述的一种金属衬底直接外延生长碳纳米管的方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：
a)选择含碳纳米管生长催化元素成分的不锈钢作为衬底材料；
b)通过热氧化还原反应在步骤a)所选取的不锈钢衬底表面形成催化元素的氧化物层，该氧化物层的晶面间距与碳纳米管的晶面间距相匹配；
c)采用热化学气相沉积方法在具有催化元素氧化物层的不锈钢衬底上合成生长碳纳米管。
3.根据权利要求2所述的一种金属衬底直接外延生长碳纳米管的方法，其特征在于：所述热化学气相沉积方法合成生长碳纳米管的反应温度为750℃～850℃之间，碳原子以有序结构方式从不锈钢衬底表面氧化层中外延生长碳纳米管。
4.根据权利要求2所述的一种金属衬底直接外延生长碳纳米管的方法，其特征在于：所述合成生长的碳纳米管与氧化物层之间依靠化学键方式结合，形成欧姆接触特性的连接。
5.根据权利要求2所述的一种金属衬底直接外延生长碳纳米管的方法，其特征在于：所述催化元素包括铬、铁、锰、镍的氧化物或其固溶体。
6.根据权利要求2所述的一种金属衬底直接外延生长碳纳米管的方法，其特征在于：所述衬底材料包括各种方法引入催化元素的不锈钢衬底，所述催化元素的引入方法包括磁控溅射方法、蒸发沉积方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710399401.2A CN107195542A (zh) | 2017-05-31 | 2017-05-31 | 一种金属衬底直接外延生长碳纳米管的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710399401.2A CN107195542A (zh) | 2017-05-31 | 2017-05-31 | 一种金属衬底直接外延生长碳纳米管的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107195542A true CN107195542A (zh) | 2017-09-22 |
Family
ID=59877506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710399401.2A Pending CN107195542A (zh) | 2017-05-31 | 2017-05-31 | 一种金属衬底直接外延生长碳纳米管的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107195542A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111092155A (zh) * | 2019-10-28 | 2020-05-01 | 温州大学 | 含金属纳米粒子单壁碳纳米管分子内结及其制备方法和应用 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1170631A (zh) * | 1996-07-17 | 1998-01-21 | 厦门大学 | 过渡金属催化剂及用于制备均匀管径碳纳米管的方法 |
| JP2001312953A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-11-09 | Sharp Corp | 電界放出型電子源アレイ及びその製造方法 |
| CN1534709A (zh) * | 2003-03-27 | 2004-10-06 | �廪��ѧ | 一种场发射元件的制备方法 |
| CN1720346A (zh) * | 2003-01-13 | 2006-01-11 | 南泰若股份有限公司 | 制造碳纳米管的薄膜、层、织物、条带、元件以及制品的方法 |
| CN1948139A (zh) * | 2005-10-14 | 2007-04-18 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 碳纳米管的制备装置 |
| CN102893351A (zh) * | 2009-12-21 | 2013-01-23 | 优特拉有限公司 | 高性能碳纳米管储能器件 |
| CN105070619A (zh) * | 2015-07-17 | 2015-11-18 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种铁基金属合金衬底上碳纳米管阵列阴极的制备方法 |
-
2017
- 2017-05-31 CN CN201710399401.2A patent/CN107195542A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1170631A (zh) * | 1996-07-17 | 1998-01-21 | 厦门大学 | 过渡金属催化剂及用于制备均匀管径碳纳米管的方法 |
| JP2001312953A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-11-09 | Sharp Corp | 電界放出型電子源アレイ及びその製造方法 |
| CN1720346A (zh) * | 2003-01-13 | 2006-01-11 | 南泰若股份有限公司 | 制造碳纳米管的薄膜、层、织物、条带、元件以及制品的方法 |
| CN1534709A (zh) * | 2003-03-27 | 2004-10-06 | �廪��ѧ | 一种场发射元件的制备方法 |
| CN1948139A (zh) * | 2005-10-14 | 2007-04-18 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 碳纳米管的制备装置 |
| CN102893351A (zh) * | 2009-12-21 | 2013-01-23 | 优特拉有限公司 | 高性能碳纳米管储能器件 |
| CN105070619A (zh) * | 2015-07-17 | 2015-11-18 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种铁基金属合金衬底上碳纳米管阵列阴极的制备方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111092155A (zh) * | 2019-10-28 | 2020-05-01 | 温州大学 | 含金属纳米粒子单壁碳纳米管分子内结及其制备方法和应用 |
| CN111092155B (zh) * | 2019-10-28 | 2023-01-17 | 温州大学 | 含金属纳米粒子单壁碳纳米管分子内结及其制备方法和应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3740295B2 (ja) | カーボンナノチューブデバイス、その製造方法及び電子放出素子 | |
| TWI299320B (en) | Production of carbon nanotubes | |
| EP1578599A1 (en) | Method for synthesizing nanoscale structures in defined locations | |
| Kang et al. | Growth of β-SiC nanowires on Si (100) substrates by MOCVD using nickel as a catalyst | |
| JP4401094B2 (ja) | 炭素元素円筒型構造体へのオーミック接続構造及びその作製方法 | |
| CN106683991A (zh) | 一种石墨烯/金属复合电极的碳纳米管器件的互连方法 | |
| Tang et al. | Electric field assisted growth and field emission properties of thermally oxidized CuO nanowires | |
| CN104616944A (zh) | 一种表面富褶皱超薄直立石墨烯场发射阴极的制备方法 | |
| Zhai et al. | In situ construction of hierarchical diamond supported on carbon nanowalls/diamond for enhanced electron field emission | |
| Wang et al. | Novel C/Cu sheath/core nanostructures synthesized via low-temperature MOCVD | |
| CN107059051A (zh) | 包括金属相二硫化钼层的析氢催化电极及其制备方法 | |
| CN104651899A (zh) | 一种用于碳纳米管生长的金属基底的阳极化工艺 | |
| Shen et al. | Pyramid-shaped single-crystalline nanostructure of molybdenum with excellent mechanical, electrical, and optical properties | |
| Shen et al. | Highly conductive vertically aligned molybdenum nanowalls and their field emission property | |
| Ma et al. | Synthesis and field emission properties of needle-shaped SnO2 nanostructures with rectangular cross-section | |
| CN107416808B (zh) | 一种石墨烯-碳纳米管纳米复合结构的制备方法 | |
| CN107195542A (zh) | 一种金属衬底直接外延生长碳纳米管的方法 | |
| JP4652679B2 (ja) | ナノメータスケールの構造物の作製方法 | |
| Hsueh et al. | CuO-nanowire field emitter prepared on glass substrate | |
| CN104091743B (zh) | 一种自对准栅极结构纳米线冷阴极电子源阵列的制作方法及其结构 | |
| Shen et al. | Study on pyramidal molybdenum nanostructures cold cathode with large-current properties based on self-assembly growth method | |
| CN109830413B (zh) | GaN微米棒阵列/石墨烯场发射阴极复合材料制备方法 | |
| CN110349848A (zh) | 一种基于碳碳键的高性能界面制备方法 | |
| Jiang et al. | Co–Fe Mixed Oxide Nanoneedle-on-Nanowall Arrays on Conductive Substrate: Synthesis and Field Emission | |
| Sankaran et al. | Diamond-gold nanohybrids–an enhanced cathode material for field electron emitter applications |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170922 |