CN107177888A - 一种处理钽酸锂基片的方法 - Google Patents
一种处理钽酸锂基片的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107177888A CN107177888A CN201710372396.6A CN201710372396A CN107177888A CN 107177888 A CN107177888 A CN 107177888A CN 201710372396 A CN201710372396 A CN 201710372396A CN 107177888 A CN107177888 A CN 107177888A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- tantanate substrate
- lithium tantanate
- lithium
- handling
- described step
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/02—Heat treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/30—Niobates; Vanadates; Tantalates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种处理钽酸锂基片的方法,包括以下步骤:乙基纤维素、丁基卡必醇、锡粉按照1:(20‑30):(10‑30)的质量比例混合;将步骤S01中的混合浆料通过涂刮法均匀涂覆在钽酸锂基片表面;钽酸锂基片放置在60‑80℃加热板上进行烘干作业;将烘干后钽酸锂基片竖直装入石英舟,推入还原炉内;还原炉通
Description
技术领域
本发明涉及钽酸锂基片加工领域,具体涉及一种处理钽酸锂基片的方法。
背景技术
钽酸锂晶体是一种典型的多功能材料,具有良好的压电、铁电、热释电、声光、电光、光折变及非线性等物理特性,在声表面波器件、光通讯、激光及光电子领域中广泛应用。钽酸锂晶体的压电系数较大,因此适合制造低插入损耗声表面波滤波器的基片。
钽酸锂晶体具有高的热释电系数,因此温度变化会导致晶片表面产生大量静电荷,这些静电荷会在晶片间,尤其是叉指电极间自动释放,达到一定程度会出现钽酸锂晶片开裂和叉指电极烧毁等问题。因为钽酸锂晶体是无色透明的,进行光刻工艺时,会产生漫反射导致电极线条精度降低。因此钽酸锂基片必须经过处理,才能进行后道生产。
钽酸锂晶片经过还原处理,可以有效的避免静电荷在晶片表面的积累,热释电效应明显降低。这种还原处理后的钽酸锂晶片呈现褐色甚至黑色,因此称为黑化,同时提高了光刻工艺的精度。
钽酸锂的黑化技术目前分为几种。一种是将钽酸锂晶片放在和的还原气氛中,进行高温热处理。这种工艺效率较高,但容易产生爆炸的危险,对设备要求较高同时容易出现退极化现象。另外一种是将钽酸锂晶片埋在还原剂构成的粉末中,低温热处理。还原剂为C、Si、Mg、Al、Fe、碳酸锂、碳酸镁、碳酸钙等,配比不同,热处理温度不同,黑化的效果和退极化情况有显著差异。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种处理钽酸锂基片的方法,降低热释电效应,同时保持钽酸锂晶片的压电性能。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:
一种处理钽酸锂基片的方法,包括以下步骤:
S01:乙基纤维素、丁基卡必醇、锡粉按照1:(20-30):(10-30)的质量比例混合;
S02:将步骤S01中的混合浆料通过涂刮法均匀涂覆在钽酸锂基片表面;
S03:钽酸锂基片放置在60-80℃加热板上进行烘干作业;
S04:将烘干后钽酸锂基片竖直装入石英舟,推入还原炉内;
S05:还原炉通升温至450-500℃进行还原反应,恒温3-10h;
S06:还原反应后的钽酸锂基片放入酸液中去除残留物质。
进一步的,所述的步骤S02中要求表面厚度一致无空点。
进一步的,所述的步骤S05中流量1L/min。
优选的,所述的步骤S01中乙基纤维素、丁基卡必醇、锡粉的质量混合比例1:28:10。
优选的,所述的步骤S01中乙基纤维素、丁基卡必醇、锡粉的质量混合比例1:28:20。
优选的,所述的步骤S01中乙基纤维素、丁基卡必醇、锡粉的质量混合比例1:28:30。
进一步的,所述的步骤S06中的酸液是氢氟酸和硝酸的混合液。
本发明的有益效果是: 本发明提出的处理钽酸锂基片的工艺方法, 操作简单、还原金属粉末用量少,生产成本低,且黑化过程无危险易爆气体产生,安全性好。
具体实施方式
下面进一步详细描述本发明的技术方案,但本发明的保护范围不局限于以下所述。
【实施例1】
乙基纤维素、丁基卡必醇、锡粉按照一定比例混合(乙基纤维素10g,丁基卡必醇300ml,锡粉300g),混合浆料通过涂刮法均匀涂覆在钽酸锂基片表面,要求表面厚度一致无空点。钽酸锂基片放置在60℃加热板上进行烘干作业。将烘干后钽酸锂基片装入合适尺寸的石英舟,推入还原炉内。还原炉通升温至500℃进行还原反应,流量1L/min,恒温3h。还原反应后的钽酸锂基片放入氢氟酸和硝酸混合液中去除残留物质。
【实施例2】
乙基纤维素、丁基卡必醇、锡粉按照一定比例混合(乙基纤维素10g,丁基卡必醇300ml,锡粉200g),混合浆料通过涂刮法均匀涂覆在钽酸锂基片表面,要求表面厚度一致无空点。钽酸锂基片放置在60℃加热板上进行烘干作业。将烘干后钽酸锂基片装入合适尺寸的石英舟,推入还原炉内。还原炉通升温至500℃进行还原反应,流量1L/min,恒温5h。还原反应后的钽酸锂基片放入氢氟酸和硝酸混合液中去除残留物质。
【实施例3】
乙基纤维素、丁基卡必醇、锡粉按照一定比例混合(乙基纤维素10g,丁基卡必醇300ml,锡粉100g),混合浆料通过涂刮法均匀涂覆在钽酸锂基片表面,要求表面厚度一致无空点。钽酸锂基片放置在60℃加热板上进行烘干作业。将烘干后钽酸锂基片装入合适尺寸的石英舟,推入还原炉内。还原炉通升温至500℃进行还原反应,流量1L/min,恒温10h。还原反应后的钽酸锂基片放入氢氟酸和硝酸混合液中去除残留物质。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式,不应看作是对其他实施例的排除,而可用于各种其他组合、修改和环境,并能够在本文所述构想范围内,通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围,则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。
Claims (7)
1.一种处理钽酸锂基片的方法,其特征在于包括以下步骤:
S01:乙基纤维素、丁基卡必醇、锡粉按照1:(20-30):(10-30)的质量比例混合;
S02:将步骤S01中的混合浆料通过涂刮法均匀涂覆在钽酸锂基片表面;
S03:钽酸锂基片放置在60-80℃加热板上进行烘干作业;
S04:将烘干后钽酸锂基片竖直装入石英舟,推入还原炉内;
S05:还原炉通升温至450-500℃进行还原反应,恒温3-10h;
S06:还原反应后的钽酸锂基片放入酸液中去除残留物质。
2.根据权利要求1所述的一种处理钽酸锂基片的方法,其特征在于:所述的步骤S02中要求表面厚度一致无空点。
3.根据权利要求1所述的一种处理钽酸锂基片的方法,其特征在于:所述的步骤S05中流量1L/min。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的一种处理钽酸锂基片的方法,其特征在于:所述的步骤S01中乙基纤维素、丁基卡必醇、锡粉的质量混合比例1:28:10。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的一种处理钽酸锂基片的方法,其特征在于:所述的步骤S01中乙基纤维素、丁基卡必醇、锡粉的质量混合比例1:28:20。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的一种处理钽酸锂基片的方法,其特征在于:所述的步骤S01中乙基纤维素、丁基卡必醇、锡粉的质量混合比例1:28:30。
7.根据权利要求1所述的一种处理钽酸锂基片的方法,其特征在于:所述的步骤S06中的酸液是氢氟酸和硝酸的混合液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710372396.6A CN107177888A (zh) | 2017-05-24 | 2017-05-24 | 一种处理钽酸锂基片的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710372396.6A CN107177888A (zh) | 2017-05-24 | 2017-05-24 | 一种处理钽酸锂基片的方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107177888A true CN107177888A (zh) | 2017-09-19 |
Family
ID=59831391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710372396.6A Pending CN107177888A (zh) | 2017-05-24 | 2017-05-24 | 一种处理钽酸锂基片的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107177888A (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107604443A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-01-19 | 中电科技德清华莹电子有限公司 | 一种黑化铌酸锂晶片的处理方法 |
CN107620124A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-01-23 | 中电科技德清华莹电子有限公司 | 一种钽酸锂晶片的黑化处理方法 |
CN107675261A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-02-09 | 中电科技德清华莹电子有限公司 | 一种铌酸锂晶片的黑化处理方法 |
CN107740190A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-02-27 | 中电科技德清华莹电子有限公司 | 一种黑化钽酸锂晶片的处理方法 |
CN108374201A (zh) * | 2018-03-01 | 2018-08-07 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种铌酸锂基片的黑化方法 |
CN117403326A (zh) * | 2023-12-13 | 2024-01-16 | 天通控股股份有限公司 | 一种钽酸锂黑化晶片的退白方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105463581A (zh) * | 2015-11-30 | 2016-04-06 | 上海召业申凯电子材料有限公司 | 钽酸锂晶体基片的黑化处理方法 |
CN106048735A (zh) * | 2016-08-12 | 2016-10-26 | 天通控股股份有限公司 | 一种钽酸锂或铌酸锂晶体基片黑化方法 |
CN205662628U (zh) * | 2016-05-09 | 2016-10-26 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种铌酸锂或钽酸锂晶片还原黑化处理装置 |
CN106283196A (zh) * | 2016-08-16 | 2017-01-04 | 上海召业申凯电子材料有限公司 | 高导电性钽酸锂晶体基片的黑化处理方法 |
-
2017
- 2017-05-24 CN CN201710372396.6A patent/CN107177888A/zh active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105463581A (zh) * | 2015-11-30 | 2016-04-06 | 上海召业申凯电子材料有限公司 | 钽酸锂晶体基片的黑化处理方法 |
CN205662628U (zh) * | 2016-05-09 | 2016-10-26 | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 | 一种铌酸锂或钽酸锂晶片还原黑化处理装置 |
CN106048735A (zh) * | 2016-08-12 | 2016-10-26 | 天通控股股份有限公司 | 一种钽酸锂或铌酸锂晶体基片黑化方法 |
CN106283196A (zh) * | 2016-08-16 | 2017-01-04 | 上海召业申凯电子材料有限公司 | 高导电性钽酸锂晶体基片的黑化处理方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107604443A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-01-19 | 中电科技德清华莹电子有限公司 | 一种黑化铌酸锂晶片的处理方法 |
CN107620124A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-01-23 | 中电科技德清华莹电子有限公司 | 一种钽酸锂晶片的黑化处理方法 |
CN107675261A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-02-09 | 中电科技德清华莹电子有限公司 | 一种铌酸锂晶片的黑化处理方法 |
CN107740190A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-02-27 | 中电科技德清华莹电子有限公司 | 一种黑化钽酸锂晶片的处理方法 |
CN108374201A (zh) * | 2018-03-01 | 2018-08-07 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | 一种铌酸锂基片的黑化方法 |
CN117403326A (zh) * | 2023-12-13 | 2024-01-16 | 天通控股股份有限公司 | 一种钽酸锂黑化晶片的退白方法 |
CN117403326B (zh) * | 2023-12-13 | 2024-02-20 | 天通控股股份有限公司 | 一种钽酸锂黑化晶片的退白方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107177888A (zh) | 一种处理钽酸锂基片的方法 | |
JP4301564B2 (ja) | 圧電性酸化物単結晶の帯電抑制処理方法、および帯電抑制処理装置 | |
CN1148376A (zh) | 高温时涂布到炉耐火材料上形成釉层的组合物及形成釉层的方法 | |
CN113248286B (zh) | 可形成斑块状随机结晶效果的釉面砖的制备工艺及其产品 | |
CN103435360B (zh) | 一种陶瓷焊补料及采用该陶瓷焊补料的窑炉修补方法 | |
CN109054467A (zh) | 一种热防护涂料及其应用 | |
CN108103435A (zh) | 电极板及其表面处理方法 | |
CN107099847A (zh) | 一种钽酸锂基片黑化方法 | |
WO2011121811A1 (ja) | ガラス容器及びガラス容器の内面処理方法 | |
JP2007261827A (ja) | 独立ガラスフィルムの製造方法 | |
US11319212B2 (en) | Method for stabilizing chlorosilane polymer | |
JP2016013966A (ja) | クロロシランポリマー類の安定化方法 | |
WO2020040193A1 (ja) | サーミスタ、及び、サーミスタの製造方法 | |
CN107723722A (zh) | 一种金属表面热处理工艺 | |
CN111575630A (zh) | 一种基于等离子热喷技术的混凝土表面防护处理方法 | |
JP2009188349A5 (zh) | ||
TW201817854A (zh) | 抗氧化劑及其施工方法 | |
TWI741247B (zh) | 以矽泥廢料製造一氧化矽沉積物之方法 | |
CN215725179U (zh) | 一种窑炉的排气结构 | |
JP5351426B2 (ja) | 窒化アルミニウム粉末の処理方法 | |
JP6277985B2 (ja) | 高温用容器の製造方法 | |
KR20170121455A (ko) | 세라믹 모재 보호용 비정질 세라믹 코팅막의 세정방법 | |
JPS5887263A (ja) | めつき阻止剤を用いた片面溶融亜鉛めつき方法 | |
KR101446264B1 (ko) | 내화갑 및 이를 이용한 In2O3 분말 제조방법 | |
WO2017074185A1 (en) | Enamel powder and enamel slurry for producing an enamel coating on a metallic substrate, method for manufacturing an enamel slurry and use of the enamel coating for heat exchangers |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170919 |