CN107177888A - 一种处理钽酸锂基片的方法 - Google Patents

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陆旺
李辉
蒲波
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Abstract

本发明公开了一种处理钽酸锂基片的方法,包括以下步骤:乙基纤维素、丁基卡必醇、锡粉按照1:(20‑30):(10‑30)的质量比例混合;将步骤S01中的混合浆料通过涂刮法均匀涂覆在钽酸锂基片表面;钽酸锂基片放置在60‑80℃加热板上进行烘干作业;将烘干后钽酸锂基片竖直装入石英舟,推入还原炉内;还原炉通

Description

一种处理钽酸锂基片的方法
技术领域
本发明涉及钽酸锂基片加工领域,具体涉及一种处理钽酸锂基片的方法。
背景技术
钽酸锂晶体是一种典型的多功能材料,具有良好的压电、铁电、热释电、声光、电光、光折变及非线性等物理特性,在声表面波器件、光通讯、激光及光电子领域中广泛应用。钽酸锂晶体的压电系数较大,因此适合制造低插入损耗声表面波滤波器的基片。
钽酸锂晶体具有高的热释电系数,因此温度变化会导致晶片表面产生大量静电荷,这些静电荷会在晶片间,尤其是叉指电极间自动释放,达到一定程度会出现钽酸锂晶片开裂和叉指电极烧毁等问题。因为钽酸锂晶体是无色透明的,进行光刻工艺时,会产生漫反射导致电极线条精度降低。因此钽酸锂基片必须经过处理,才能进行后道生产。
钽酸锂晶片经过还原处理,可以有效的避免静电荷在晶片表面的积累,热释电效应明显降低。这种还原处理后的钽酸锂晶片呈现褐色甚至黑色,因此称为黑化,同时提高了光刻工艺的精度。
钽酸锂的黑化技术目前分为几种。一种是将钽酸锂晶片放在的还原气氛中,进行高温热处理。这种工艺效率较高,但容易产生爆炸的危险,对设备要求较高同时容易出现退极化现象。另外一种是将钽酸锂晶片埋在还原剂构成的粉末中,低温热处理。还原剂为C、Si、Mg、Al、Fe、碳酸锂、碳酸镁、碳酸钙等,配比不同,热处理温度不同,黑化的效果和退极化情况有显著差异。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种处理钽酸锂基片的方法,降低热释电效应,同时保持钽酸锂晶片的压电性能。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:
一种处理钽酸锂基片的方法,包括以下步骤:
S01:乙基纤维素、丁基卡必醇、锡粉按照1:(20-30):(10-30)的质量比例混合;
S02:将步骤S01中的混合浆料通过涂刮法均匀涂覆在钽酸锂基片表面;
S03:钽酸锂基片放置在60-80℃加热板上进行烘干作业;
S04:将烘干后钽酸锂基片竖直装入石英舟,推入还原炉内;
S05:还原炉通升温至450-500℃进行还原反应,恒温3-10h;
S06:还原反应后的钽酸锂基片放入酸液中去除残留物质。
进一步的,所述的步骤S02中要求表面厚度一致无空点。
进一步的,所述的步骤S05中流量1L/min。
优选的,所述的步骤S01中乙基纤维素、丁基卡必醇、锡粉的质量混合比例1:28:10。
优选的,所述的步骤S01中乙基纤维素、丁基卡必醇、锡粉的质量混合比例1:28:20。
优选的,所述的步骤S01中乙基纤维素、丁基卡必醇、锡粉的质量混合比例1:28:30。
进一步的,所述的步骤S06中的酸液是氢氟酸和硝酸的混合液。
本发明的有益效果是: 本发明提出的处理钽酸锂基片的工艺方法, 操作简单、还原金属粉末用量少,生产成本低,且黑化过程无危险易爆气体产生,安全性好。
具体实施方式
下面进一步详细描述本发明的技术方案,但本发明的保护范围不局限于以下所述。
【实施例1】
乙基纤维素、丁基卡必醇、锡粉按照一定比例混合(乙基纤维素10g,丁基卡必醇300ml,锡粉300g),混合浆料通过涂刮法均匀涂覆在钽酸锂基片表面,要求表面厚度一致无空点。钽酸锂基片放置在60℃加热板上进行烘干作业。将烘干后钽酸锂基片装入合适尺寸的石英舟,推入还原炉内。还原炉通升温至500℃进行还原反应,流量1L/min,恒温3h。还原反应后的钽酸锂基片放入氢氟酸和硝酸混合液中去除残留物质。
【实施例2】
乙基纤维素、丁基卡必醇、锡粉按照一定比例混合(乙基纤维素10g,丁基卡必醇300ml,锡粉200g),混合浆料通过涂刮法均匀涂覆在钽酸锂基片表面,要求表面厚度一致无空点。钽酸锂基片放置在60℃加热板上进行烘干作业。将烘干后钽酸锂基片装入合适尺寸的石英舟,推入还原炉内。还原炉通升温至500℃进行还原反应,流量1L/min,恒温5h。还原反应后的钽酸锂基片放入氢氟酸和硝酸混合液中去除残留物质。
【实施例3】
乙基纤维素、丁基卡必醇、锡粉按照一定比例混合(乙基纤维素10g,丁基卡必醇300ml,锡粉100g),混合浆料通过涂刮法均匀涂覆在钽酸锂基片表面,要求表面厚度一致无空点。钽酸锂基片放置在60℃加热板上进行烘干作业。将烘干后钽酸锂基片装入合适尺寸的石英舟,推入还原炉内。还原炉通升温至500℃进行还原反应,流量1L/min,恒温10h。还原反应后的钽酸锂基片放入氢氟酸和硝酸混合液中去除残留物质。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式,不应看作是对其他实施例的排除,而可用于各种其他组合、修改和环境,并能够在本文所述构想范围内,通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围,则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。

Claims (7)

1.一种处理钽酸锂基片的方法,其特征在于包括以下步骤:
S01:乙基纤维素、丁基卡必醇、锡粉按照1:(20-30):(10-30)的质量比例混合;
S02:将步骤S01中的混合浆料通过涂刮法均匀涂覆在钽酸锂基片表面;
S03:钽酸锂基片放置在60-80℃加热板上进行烘干作业;
S04:将烘干后钽酸锂基片竖直装入石英舟,推入还原炉内;
S05:还原炉通升温至450-500℃进行还原反应,恒温3-10h;
S06:还原反应后的钽酸锂基片放入酸液中去除残留物质。
2.根据权利要求1所述的一种处理钽酸锂基片的方法,其特征在于:所述的步骤S02中要求表面厚度一致无空点。
3.根据权利要求1所述的一种处理钽酸锂基片的方法,其特征在于:所述的步骤S05中流量1L/min。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的一种处理钽酸锂基片的方法,其特征在于:所述的步骤S01中乙基纤维素、丁基卡必醇、锡粉的质量混合比例1:28:10。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的一种处理钽酸锂基片的方法,其特征在于:所述的步骤S01中乙基纤维素、丁基卡必醇、锡粉的质量混合比例1:28:20。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的一种处理钽酸锂基片的方法,其特征在于:所述的步骤S01中乙基纤维素、丁基卡必醇、锡粉的质量混合比例1:28:30。
7.根据权利要求1所述的一种处理钽酸锂基片的方法,其特征在于:所述的步骤S06中的酸液是氢氟酸和硝酸的混合液。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107604443A (zh) * 2017-09-30 2018-01-19 中电科技德清华莹电子有限公司 一种黑化铌酸锂晶片的处理方法
CN107620124A (zh) * 2017-09-30 2018-01-23 中电科技德清华莹电子有限公司 一种钽酸锂晶片的黑化处理方法
CN107675261A (zh) * 2017-09-30 2018-02-09 中电科技德清华莹电子有限公司 一种铌酸锂晶片的黑化处理方法
CN107740190A (zh) * 2017-09-30 2018-02-27 中电科技德清华莹电子有限公司 一种黑化钽酸锂晶片的处理方法
CN108374201A (zh) * 2018-03-01 2018-08-07 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种铌酸锂基片的黑化方法
CN117403326A (zh) * 2023-12-13 2024-01-16 天通控股股份有限公司 一种钽酸锂黑化晶片的退白方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105463581A (zh) * 2015-11-30 2016-04-06 上海召业申凯电子材料有限公司 钽酸锂晶体基片的黑化处理方法
CN106048735A (zh) * 2016-08-12 2016-10-26 天通控股股份有限公司 一种钽酸锂或铌酸锂晶体基片黑化方法
CN205662628U (zh) * 2016-05-09 2016-10-26 中国电子科技集团公司第二十六研究所 一种铌酸锂或钽酸锂晶片还原黑化处理装置
CN106283196A (zh) * 2016-08-16 2017-01-04 上海召业申凯电子材料有限公司 高导电性钽酸锂晶体基片的黑化处理方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105463581A (zh) * 2015-11-30 2016-04-06 上海召业申凯电子材料有限公司 钽酸锂晶体基片的黑化处理方法
CN205662628U (zh) * 2016-05-09 2016-10-26 中国电子科技集团公司第二十六研究所 一种铌酸锂或钽酸锂晶片还原黑化处理装置
CN106048735A (zh) * 2016-08-12 2016-10-26 天通控股股份有限公司 一种钽酸锂或铌酸锂晶体基片黑化方法
CN106283196A (zh) * 2016-08-16 2017-01-04 上海召业申凯电子材料有限公司 高导电性钽酸锂晶体基片的黑化处理方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107604443A (zh) * 2017-09-30 2018-01-19 中电科技德清华莹电子有限公司 一种黑化铌酸锂晶片的处理方法
CN107620124A (zh) * 2017-09-30 2018-01-23 中电科技德清华莹电子有限公司 一种钽酸锂晶片的黑化处理方法
CN107675261A (zh) * 2017-09-30 2018-02-09 中电科技德清华莹电子有限公司 一种铌酸锂晶片的黑化处理方法
CN107740190A (zh) * 2017-09-30 2018-02-27 中电科技德清华莹电子有限公司 一种黑化钽酸锂晶片的处理方法
CN108374201A (zh) * 2018-03-01 2018-08-07 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种铌酸锂基片的黑化方法
CN117403326A (zh) * 2023-12-13 2024-01-16 天通控股股份有限公司 一种钽酸锂黑化晶片的退白方法
CN117403326B (zh) * 2023-12-13 2024-02-20 天通控股股份有限公司 一种钽酸锂黑化晶片的退白方法

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