CN107153441A - 一种基准电压生成电路 - Google Patents

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谭小英
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    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices

Abstract

本发明提供了一种基准电压生成电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括：耗尽型NMOS晶体管N1和增强型NMOS晶体管N2；耗尽型NMOS晶体管N1的漏极接电源，栅极和源极接输出端VREF；增强型NMOS晶体管N2的源极接地，栅极和漏极接输出端VREF。本发明的基准电压生成电路通过一个耗尽型晶体管和一个增强型晶体管就得以实现。相比于传统的基准电压生成电路，具有结构简单、面积小、功耗低的优点。

Description

一种基准电压生成电路
技术领域
本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种基准电压生成电路。
背景技术
在许多电子系统中，需要独立于时间变化、温度变化以及工艺变化的精确的模拟基准电压。例如，模数转换器通常需要模拟基准电压。
传统的基准电压生成电路如图1所示，由第一三极管Q1、第二三极管Q2和第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3以及一个高增益的误差放大器AMP1组成。其中第一三极管Q1的个数是第二三极管Q2的N倍。第一三极管Q1和第二三极管Q2的基极和集电极都接地；第二三极管Q2的发射极接误差放大器AMP1的正输入端；第一三极管Q1的发射极通过第三电阻R3接到误差放大器AMP1的负输入端；第一电阻R1两端分别接到误差放大器AMP1的负输入端和输出端；第二电阻R2两端分别接到误差放大器AMP1的正输入端和输出端。这种传统的基准电压生成电路具有结构复杂、功耗大的缺点。
发明内容
为解决现有基准电压生成电路结构复杂且功耗大的技术问题，本发明提供了一种结构简单的基准电压生成电路。
一种基准电压生成电路，包括：耗尽型NMOS晶体管N1和增强型NMOS晶体管N2；耗尽型NMOS晶体管N1的漏极接电源，栅极和源极接输出端VREF；增强型NMOS晶体管N2的源极接地，栅极和漏极接输出端VREF。
本发明的基准电压生成电路通过一个耗尽型晶体管和一个增强型晶体管就得以实现。相比于传统的基准电压生成电路，具有结构简单、面积小、功耗低的优点。
附图说明
图1是传统的基准电压生成电路结构示意图；
图2是本发明实施方式提供的基准电压生成电路结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式并参照附图，对本发明进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本发明的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本发明的概念。
为解决现有基准电压生成电路结构复杂且功耗大的技术问题，本发明提供了一种基准电压生成电路，包括：耗尽型NMOS晶体管N1和增强型NMOS晶体管N2；耗尽型NMOS晶体管N1的漏极接电源，栅极和源极接输出VREF；增强型NMOS晶体管N2的源极接地，栅极和漏极接输出端VREF。
本发明的基准电压生成电路通过一个耗尽型晶体管和一个增强型晶体管就得以实现。相比于传统的基准电压生成电路，具有结构简单、面积小、功耗低的优点。
应当理解的是，本发明的上述具体实施方式仅仅用于示例性说明或解释本发明的原理，而不构成对本发明的限制。因此，在不偏离本发明的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。此外，本发明所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。

Claims (1)

1.一种基准电压生成电路，其特征在于，包括：耗尽型NMOS晶体管N1和增强型NMOS晶体管N2；耗尽型NMOS晶体管N1的漏极接电源，栅极和源极接输出端VREF；增强型NMOS晶体管N2的源极接地，栅极和漏极接输出端VREF。
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Citations (5)

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