CN203983951U - 用于电源管理芯片的高精度过温保护电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种用于电源管理芯片的高精度过温保护电路，包括第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、PNP型三极管、第一电阻、第二电阻、第一绝缘栅双极晶体管～第十绝缘栅双极晶体管和直流电源，第一NPN型三极管、第二NPN型三极管和PNP型三极管构成温度检测电路，第一电阻和第二电阻构成过温保护阀值稳定电路，第二NPN型三极管、第一绝缘栅双极晶体管、第二绝缘栅双极晶体管和第五绝缘栅双极晶体管构成反馈迟滞电路。本实用新型所述用于电源管理芯片的高精度过温保护电路，利用三极管的负温度系数来检测芯片的温度变化，通过电阻分压稳定过温保护阀值，运用MOS管反馈关断来消除热震荡，该过温保护电路的精度高、功耗低。

Description

用于电源管理芯片的高精度过温保护电路

技术领域

本实用新型涉及一种用于电源管理芯片的辅助电路，尤其涉及一种用于电源管理芯片的高精度过温保护电路。

背景技术

随着科学技术的发展，电源管理芯片集成了高压功率输出电路，高压输出电路产生的功耗，会使芯片的温度升高，过高的温升会导致集成器件的失效，甚至损坏芯片，因此需要设计过温保护电路，将温升控制在芯片允许的范围内。过温保护电路利用温度敏感元件来检测芯片内部的温度变化，当温度超过一定值时，保护电路工作，关断系统，以防其损坏。目前的过温保护电路对温度的检测精度不高。

发明内容

针对上述现有技术的不足之处，本实用新型提供一种用于电源管理芯片的高精度低功耗过温保护电路。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

本实用新型所述用于电源管理芯片的高精度过温保护电路，包括第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、PNP型三极管、第一电阻、第二电阻、第一绝缘栅双极晶体管、第二绝缘栅双极晶体管、第三绝缘栅双极晶体管、第四绝缘栅双极晶体管、第五绝缘栅双极晶体管、第六绝缘栅双极晶体管、第七绝缘栅双极晶体管、第八绝缘栅双极晶体管、第九绝缘栅双极晶体管、第十绝缘栅双极晶体管和直流电源，所述第一NPN型三极管、所述第二NPN型三极管和所述PNP型三极管用于感应所述电源管理芯片的温度变化，所述第一NPN型三极管的基极作为所述过温保护电路的基准电压输入端，所述第一NPN型三极管的发射极与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端同时与所述第二电阻的第一端、所述第二NPN型三极管的基极连接，所述第二NPN型三极管的集电极同时与所述第一绝缘栅双极晶体管的漏极、所述第二绝缘栅双极晶体管的漏极、所述PNP型三极管的基极连接，所述第一绝缘栅双极晶体管的栅极同时与所述第三绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第四绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第四绝缘栅双极晶体管的漏极、所述第五绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第六绝缘栅双极晶体管的漏极连接，所述第三绝缘栅双极晶体管的漏极同时与所述第七绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第八绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第九绝缘栅双极晶体管的漏极连接，所述第五绝缘栅双极晶体管的漏极与所述第二绝缘栅双极晶体管的源极连接，所述第九绝缘栅双极晶体管的栅极同时与所述第十绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第十绝缘栅双极晶体管的漏极、所述PNP型三极管的集电极连接，所述直流电源的正极同时与所述第一NPN型三极管的集电极、所述第一绝缘栅双极晶体管的源极、所述PNP型三极管的发射极、所述第三绝缘栅双极晶体管的源极、所述第四绝缘栅双极晶体管的源极、所述第五绝缘栅双极晶体管的源极、所述第七绝缘栅双极晶体管的源极连接，所述直流电源的负极同时与所述第二电阻的第二端、所述第二NPN型三极管的发射极、所述第十绝缘栅双极晶体管的源极、所述第九绝缘栅双极晶体管的源极、所述第六绝缘栅双极晶体管的源极、所述第八绝缘栅双极晶体管的源极连接，所述第六绝缘栅双极晶体管的栅极作为所述过温保护电路的偏置电压输入端，所述第二绝缘栅双极晶体管的栅极同时与所述第七绝缘栅双极晶体管的漏极、所述第八绝缘栅双极晶体管的漏极连接并作为所述过温保护电路的电压输出端。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果：

本实用新型所述用于电源管理芯片的高精度过温保护电路，利用三极管的负温度系数来检测芯片的温度变化，通过电阻分压稳定过温保护阀值，运用MOS管反馈关断来消除热震荡，该过温保护电路的精度高、功耗低。

附图说明

图1是本实用新型所述用于电源管理芯片的高精度过温保护电路的电路图。

具体实施方式

下面结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明。

如图1所示，本实用新型所述用于电源管理芯片的高精度过温保护电路，包括第一NPN型三极管QP1、第二NPN型三极管QP2、PNP型三极管QN、第一电阻R1、第二电阻R2、第一绝缘栅双极晶体管M1、第二绝缘栅双极晶体管M2、第三绝缘栅双极晶体管M3、第四绝缘栅双极晶体管M4、第五绝缘栅双极晶体管M5、第六绝缘栅双极晶体管M6、第七绝缘栅双极晶体管M7、第八绝缘栅双极晶体管M8、第九绝缘栅双极晶体管M9、第十绝缘栅双极晶体管M10和直流电源（+Vcc），第一NPN型三极管QP1、第二NPN型三极管QP2和PNP型三极管QN用于感应电源管理芯片的温度变化，第一NPN型三极管QP1的基极作为过温保护电路的基准电压输入端Ur，第一NPN型三极管QP1的发射极与第一电阻R1的第一端连接，第一电阻R1的第二端同时与第二电阻R2的第一端、第二NPN型三极管QP2的基极连接，第二NPN型三极管QP2的集电极同时与第一绝缘栅双极晶体管M1的漏极、第二绝缘栅双极晶体管M2的漏极、PNP型三极管QN的基极连接，第一绝缘栅双极晶体管M1的栅极同时与第三绝缘栅双极晶体管M3的栅极、第四绝缘栅双极晶体管M4的栅极、第四绝缘栅双极晶体管M4的漏极、第五绝缘栅双极晶体管M5的栅极、第六绝缘栅双极晶体管M6的漏极连接，第三绝缘栅双极晶体管M3的漏极同时与第七绝缘栅双极晶体管M7的栅极、第八绝缘栅双极晶体管M8的栅极、第九绝缘栅双极晶体管M9的漏极连接，第五绝缘栅双极晶体管M5的漏极与第二绝缘栅双极晶体管M2的源极连接，第九绝缘栅双极晶体管M9的栅极同时与第十绝缘栅双极晶体管M10的栅极、第十绝缘栅双极晶体管M10的漏极、PNP型三极管QN的集电极连接，直流电源（+Vcc）的正极同时与第一NPN型三极管QP1的集电极、第一绝缘栅双极晶体管M1的源极、PNP型三极管QN的发射极、第三绝缘栅双极晶体管M3的源极、第四绝缘栅双极晶体管M4的源极、第五绝缘栅双极晶体管M5的源极、第七绝缘栅双极晶体管M7的源极连接，直流电源（+Vcc）的负极同时与第二电阻R2的第二端、第二NPN型三极管QP2的发射极、第十绝缘栅双极晶体管M10的源极、第九绝缘栅双极晶体管M9的源极、第六绝缘栅双极晶体管M6的源极、第八绝缘栅双极晶体管M8的源极连接，第六绝缘栅双极晶体管M6的栅极作为过温保护电路的偏置电压输入端Ub，第二绝缘栅双极晶体管M2的栅极同时与第七绝缘栅双极晶体管M7的漏极、第八绝缘栅双极晶体管M8的漏极连接并作为过温保护电路的电压输出端Uo。

本实用新型所述用于电源管理芯片的高精度过温保护电路，第一NPN型三极管QP1、第二NPN型三极管QP2和PNP型三极管QN构成温度检测电路，第一电阻R1和第二电阻R2构成过温保护阀值稳定电路，第一绝缘栅双极晶体管M1、第三绝缘栅双极晶体管M3、第四绝缘栅双极晶体管M4和第五绝缘栅双极晶体管M5构成电流镜，第七绝缘栅双极晶体管M7和第八绝缘栅双极晶体管M8构成反相器，第二NPN型三极管QP2、第一绝缘栅双极晶体管M1、第二绝缘栅双极晶体管M2和第五绝缘栅双极晶体管M5构成反馈迟滞电路。常温下，第一NPN型三极管QP1工作，第二NPN型三极管QP2和PNP型QN三极管截止，第九绝缘栅双极晶体管M9和第十绝缘栅双极晶体管M10处于关闭状态，过温保护电路输出低电平，芯片正常工作。随着温度的升高，第二NPN型三极管QP2和PNP型三极管QN开启，在电流镜的作用下第九绝缘栅双极晶体管M9开启，通过反相器过温保护电路输出高电平，触发关断，执行保护操作，此时第五绝缘栅双极晶体管M5反馈关闭，反馈迟滞电路锁定迟滞，当芯片温度下降后才能重新工作。

Claims (1)

1.一种用于电源管理芯片的高精度过温保护电路，其特征在于：包括第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、PNP型三极管、第一电阻、第二电阻、第一绝缘栅双极晶体管、第二绝缘栅双极晶体管、第三绝缘栅双极晶体管、第四绝缘栅双极晶体管、第五绝缘栅双极晶体管、第六绝缘栅双极晶体管、第七绝缘栅双极晶体管、第八绝缘栅双极晶体管、第九绝缘栅双极晶体管、第十绝缘栅双极晶体管和直流电源，所述第一NPN型三极管、所述第二NPN型三极管和所述PNP型三极管用于感应所述电源管理芯片的温度变化，所述第一NPN型三极管的基极作为所述过温保护电路的基准电压输入端，所述第一NPN型三极管的发射极与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端同时与所述第二电阻的第一端、所述第二NPN型三极管的基极连接，所述第二NPN型三极管的集电极同时与所述第一绝缘栅双极晶体管的漏极、所述第二绝缘栅双极晶体管的漏极、所述PNP型三极管的基极连接，所述第一绝缘栅双极晶体管的栅极同时与所述第三绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第四绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第四绝缘栅双极晶体管的漏极、所述第五绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第六绝缘栅双极晶体管的漏极连接，所述第三绝缘栅双极晶体管的漏极同时与所述第七绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第八绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第九绝缘栅双极晶体管的漏极连接，所述第五绝缘栅双极晶体管的漏极与所述第二绝缘栅双极晶体管的源极连接，所述第九绝缘栅双极晶体管的栅极同时与所述第十绝缘栅双极晶体管的栅极、所述第十绝缘栅双极晶体管的漏极、所述PNP型三极管的集电极连接，所述直流电源的正极同时与所述第一NPN型三极管的集电极、所述第一绝缘栅双极晶体管的源极、所述PNP型三极管的发射极、所述第三绝缘栅双极晶体管的源极、所述第四绝缘栅双极晶体管的源极、所述第五绝缘栅双极晶体管的源极、所述第七绝缘栅双极晶体管的源极连接，所述直流电源的负极同时与所述第二电阻的第二端、所述第二NPN型三极管的发射极、所述第十绝缘栅双极晶体管的源极、所述第九绝缘栅双极晶体管的源极、所述第六绝缘栅双极晶体管的源极、所述第八绝缘栅双极晶体管的源极连接，所述第六绝缘栅双极晶体管的栅极作为所述过温保护电路的偏置电压输入端，所述第二绝缘栅双极晶体管的栅极同时与所述第七绝缘栅双极晶体管的漏极、所述第八绝缘栅双极晶体管的漏极连接并作为所述过温保护电路的电压输出端。