CN104600660A - 一种低功耗短路保护电路 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种低功耗短路保护电路,其特征在于:包括MOS管Q2、运算放大器IC1A、可控硅Q1、二极管D1和电阻R-R4;MOS管Q2的漏极连接可控硅Q1阳极及连接电阻R2的一端、电阻R1的一端,电阻R2的另一端连接可控硅Q1阴极、运算发达器IC1A的正输入端、取样电阻RA的一端和接地GND,取样电阻RA的另一端连接二极管D1的负极,二极管D1的正极连接运算发达器IC1A的负输入端及通过电阻R4连接电源VCC,MOS管Q2的栅极接地GND,MOS管Q2的源极连接输出端OUT-GND;运算放大器IC1A的输出端通过电阻R3连接可控硅Q1的门极。本发明利用运算放大器的比较器功能以及可控硅的自锁功能,以达到响应速度快,功耗低并且有自锁等特点。
Description
技术领域:
本发明涉及一种低功耗短路保护电路,适用于家电控制器的短路保护及过度放电保护。属于开关电源以及控制器技术领域。
背景技术:
随着社会发展,电子产品控制器产品随处可见,包括空调控制器、洗衣机控制器、冰箱控制器等家用室内控制器,以及太阳能控制器、风管互补控制器等室外控制器,都通过输出控制信号达到控制目的,但该控制信号的电流较大,存在功耗较大等问题。由于现有的控制器其输出端多数是采用一个保险丝作为断路保护,存在保护不及时、容易烧坏电路等存在安全隐患。有些虽然设有短路保护电路,但其电路结构不合理,存在电路结构复杂、成本高等缺陷。
综合以上所述的问题目前仍未被解决,为此本发明专利公开了一种低功耗短路保护电路。
发明内容:
本发明目的,是为了解决上述所提出的问题,提供一种低功耗短路保护电路。该低功耗短路保护电路具有简单可靠、低功耗、容易实现等特点。
本发明的目的可通过如下措施实现:
一种低功耗短路保护电路,其结构特点在于:包括MOS管Q2、运算放大器IC1A、可控硅Q1、二极管D1和电阻R-R4;MOS管Q2的漏极连接可控硅Q1阳极及连接电阻R2的一端、电阻R1的一端,电阻R2的另一端连接可控硅Q1阴极、运算发达器IC1A的正输入端、取样电阻RA的一端和接地GND,取样电阻RA的另一端连接二极管D1的负极,二极管D1的正极连接运算发达器IC1A的负输入端及通过电阻R4连接电源VCC,电阻R1的另一端连接电源VCC;MOS管Q2的栅极接地GND,MOS管Q2的源极连接输出端OUT-GND;运算放大器IC1A的输出端通过电阻R3连接可控硅Q1的门极。
本发明的目的还可通过如下措施实现:
本发明的一种实施方式是:运算放大器IC1A作为比较器使用,将二极管D1的正极连接比较器的负输入端、负极通过取样电阻接地,形成反接连接结构,将取样电阻两端电压作为所述比较器的基准电压。
本发明的一种实施方式是:MOS管Q2为N型MOS管。
本发明的一种实施方式是:可控硅Q1为单向可控硅。
本发明具有如下有益效果:
1、本发明将运算放大器IC1A作为比较器使用,将二极管D1的正极连接比较器的负输入端、负极通过取样电阻接地,形成反接连接结构,将取样电阻两端电压作为运算放大器(比较器)的基准电压,因此具有响应速度快,功耗低并且有自锁等突出的有益效果。
2、本发明由运算放大器芯片、可控硅芯片、二极管和几个电阻连接而成,利用运算放大器的比较器功能以及可控硅的自锁功能,具有短路保护及时、电路功耗低、不需外部电源和电路结构简单、电路板面积小、成本低、电路可靠性高等有益效果。
附图说明:
图1为发明一个具体实施例的电路原理图。
具体实施方式:
具体实施例1:
参照图1,本实施例包括MOS管Q2、运算放大器IC1A、可控硅Q1、二极管D1和电阻R-R4;MOS管Q2的漏极连接可控硅Q1阳极及连接电阻R2的一端、电阻R1的一端,电阻R2的另一端连接可控硅Q1阴极、运算发达器IC1A的正输入端、取样电阻RA的一端和接地GND,取样电阻RA的另一端连接二极管D1的负极,二极管D1的正极连接运算发达器IC1A的负输入端及通过电阻R4连接电源VCC,电阻R1的另一端连接电源VCC;MOS管Q2的栅极接地GND,MOS管Q2的源极连接输出端OUT-GND;运算放大器IC1A的输出端通过电阻R3连接可控硅Q1的门极。
本实施例中:
运算放大器IC1A作为比较器使用,将二极管D1的正极连接比较器的负输入端、负极通过取样电阻接地,形成反接连接结构。MOS管Q2为N型MOS管。可控硅Q1为单向可控硅。
主控电路由MOS管Q2、运算放大器IC1A、可控硅Q1、二极管D1和电阻R1-R4组成。所述输出端OUT-GND可以输出信号到家电控制器的控制信号输入端。
可控硅Q1采用常规技术的单向可控硅芯,MOS管Q2采和常规技术的MOS管,运算放大器IC1A采用常规技术的运算放大器芯片。
本发明的工作原理1是:
运算放大器IC1A作为比较器使用、D1构成反接连接结构,作为运算放大器的基准电压。可控硅Q1动作后具有锁定功能。
通过以上原理,能够解决传统短路保护电路复杂成本高,保护不及时,且电路具有可靠性高,电路简单,电路板面积小,功耗低等特点。
本发明的其他具体实施方式是:
所述电路不仅仅包括相同作用的运算放大器,相同作用的MOS管,还包括其他具有相同作用和功能的电子元器件。
以上所述,仅为本发明较具体的实施例,但发明的保护范围并不局限与此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的范围内,根据本发明的技术方案及发明构思加以等同替换或改变,都属于本发明的保护范围。
Claims (5)
1.一种低功耗短路保护电路,其特征在于:包括MOS管Q2、运算放大器IC1A、可控硅Q1、二极管D1和电阻R-R4;MOS管Q2的漏极连接可控硅Q1阳极及连接电阻R2的一端、电阻R1的一端,电阻R2的另一端连接可控硅Q1阴极、运算发达器IC1A的正输入端、取样电阻RA的一端和接地GND,取样电阻RA的另一端连接二极管D1的负极,二极管D1的正极连接运算发达器IC1A的负输入端及通过电阻R4连接电源VCC,电阻R1的另一端连接电源VCC;MOS管Q2的栅极接地GND,MOS管Q2的源极连接输出端OUT-GND;运算放大器IC1A的输出端通过电阻R3连接可控硅Q1的门极。
2.根据权利要求1所述的一种低功耗短路保护电路,其特征在于:运算放大器IC1A作为比较器使用,将二极管D1的正极连接比较器的负输入端、负极通过取样电阻接地,形成反接连接结构,将取样电阻两端电压作为所述比较器的基准电压。
3.根据权利要求1或2所述的一种低功耗短路保护电路,其特征在于:运算放大器IC1A连接成比较器。
4.根据权利要求1或2所述的一种低功耗短路保护电路,其特征在于:MOS管Q2为N型MOS管。
5.根据权利要求1或2所述的一种低功耗短路保护电路,其特征在于:可控硅Q1为单向可控硅。
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