CN107196632A - 一种上电复位电路 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种上电复位电路，属于半导体集成电路技术领域。该电路包括：偏置电流产生模块和上电复位模块，偏置电流产生模块的输出UOUT1接上电复位模块的输入IN。利用偏置电流产生电路产生一路精准的偏置电流，然后利用这个偏置电流对电容进行充电，从而产生精确的复位延时，满足高精度系统的要求。

Description

一种上电复位电路
技术领域
本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种上电复位电路。
背景技术
上电复位电路在电路上电期间产生复位信号对系统进行复位，在很多高精度系统中，对系统复位信号和电源电压信号之间的延时有严格的要求，而目前的上电复位电路都只是会产生一个上电延时，而这个延时的精度都非常的低，已经无法满足高精度系统的要求。
发明内容
为解决现有上电复位电路的复位延时不精确的技术问题，本发明提供了一种精确度高的上电复位电路。
一种上电复位电路，包括：偏置电流产生模块和上电复位模块，偏置电流产生模块的输出UOUT1接上电复位模块的输入IN。
进一步的，所述偏置电流产生模块包括：由第一PMOS晶体管P1、第一NMOS晶体管N1和第二NMOS晶体管N2构成的启动电路以及第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4和第一电阻R1构成的偏置电流电路；第一PMOS晶体管P1的源极接电源，栅极和漏极相连并与第一NMOS晶体管N1的漏极和第二NMOS晶体管N2的栅极相接；第一NMOS晶体管N1的源极接地，栅极与第四NMOS晶体管N4的栅极相接；第二NMOS晶体管N2的源极接地，漏极接第二PMOS管P2的漏极及第三NMOS管N3的漏极；第二PMOS晶体管P2的源极接电源，栅极和漏极连接并接第三PMOS晶体管P3的栅极；第三PMOS晶体管P3的源极接电源，漏极接第四NMOS晶体管N4的漏极并作为输出电压端Uout1；第三NMOS晶体管N3的漏极接第二PMOS晶体管P2的漏极，源极接地，栅极接第四NMOS晶体管N4的栅极；第四NMOS晶体管N4的漏极和栅极相连作为输出电压端Uout1，源极接第一电阻R1的一端，第一电阻R1的另一端接地。
进一步的，所述上电复位模块包括第四PMOS晶体管P11、第五PMOS晶体管P12、第五NMOS晶体管N10、第二电阻R2、电容C1和反相器INV1；第五NMOS晶体管N10的栅极接输入IN，源极接地，漏极接第四PMOS晶体管P11的栅极和漏极以及第五PMOS晶体管P12的栅极；第四PMOS晶体管P11的源极接电源；第五PMOS晶体管P12的源极接电源，漏极接第二电阻R2和电容C1的一端以及反相器的输入；第二电阻R2和电容C1的另一端接地；反相器INV1的输出接输出UOUT2。
本发明的上电复位电路中，增加了偏置电流产生模块，利用偏置电流产生电路产生一路精准的偏置电流，然后利用这个偏置电流对电容进行充电，从而产生精确的复位延时，满足高精度系统的要求。
附图说明
图1是本发明实施方式提供的上电复位电路结构示意图；
图2是本发明实施方式提供的偏置电流产生模块电路结构示意图；
图3是本发明实施方式提供的上电复位模块电路结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式并参照附图，对本发明进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本发明的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本发明的概念。
如图1所示，本发明提供的上电复位电路包括偏置电流产生模块1和上电复位模块2，偏置电流产生模块的输出UOUT1接上电复位模块的输入IN。
如图2所示，偏置电流产生模块包括：由第一PMOS晶体管P1、第一NMOS晶体管N1和第二NMOS晶体管N2构成的启动电路以及第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4和第一电阻R1构成的偏置电流电路；第一PMOS晶体管P1的源极接电源，栅极和漏极相连并与第一NMOS晶体管N1的漏极和第二NMOS晶体管N2的栅极相接；第一NMOS晶体管N1的源极接地，栅极与第四NMOS晶体管N4的栅极相接；第二NMOS晶体管N2的源极接地，漏极接第二PMOS管P2的漏极及第三NMOS管N3的漏极；第二PMOS晶体管P2的源极接电源，栅极和漏极连接并接第三PMOS晶体管P3的栅极；第三PMOS晶体管P3的源极接电源，漏极接第四NMOS晶体管N4的漏极并作为输出电压端Uout1；第三NMOS晶体管N3的漏极接第二PMOS晶体管P2的漏极，源极接地，栅极接第四NMOS晶体管N4的栅极；第四NMOS晶体管N4的漏极和栅极相连作为输出电压端Uout1，源极接第一电阻R1的一端，第一电阻R1的另一端接地。
如图3所示，上电复位模块包括第四PMOS晶体管P11、第五PMOS晶体管P12、第五NMOS晶体管N10、第二电阻R2、电容C1和反相器INV1；第五NMOS晶体管N10的栅极接输入IN，源极接地，漏极接第四PMOS晶体管P11的栅极和漏极以及第五PMOS晶体管P12的栅极；第四PMOS晶体管P11的源极接电源；第五PMOS晶体管P12的源极接电源，漏极接第二电阻R2和电容C1的一端以及反相器的输入；第二电阻R2和电容C1的另一端接地；反相器INV1的输出接输出UOUT2。
本发明的上电复位电路中，增加了偏置电流产生模块，利用偏置电流产生电路产生一路精准的偏置电流，然后利用这个偏置电流对电容进行充电，从而产生精确的复位延时，满足高精度系统的要求。
应当理解的是，本发明的上述具体实施方式仅仅用于示例性说明或解释本发明的原理，而不构成对本发明的限制。因此，在不偏离本发明的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。此外，本发明所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。

Claims (3)

1.一种上电复位电路，其特征在于，包括偏置电流产生模块和上电复位模块，偏置电流产生模块的输出UOUT1接上电复位模块的输入IN。
2.如权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于：所述偏置电流产生模块包括：由第一PMOS晶体管P1、第一NMOS晶体管N1和第二NMOS晶体管N2构成的启动电路以及第二PMOS晶体管P2、第三PMOS晶体管P3、第三NMOS晶体管N3、第四NMOS晶体管N4和第一电阻R1构成的偏置电流电路；第一PMOS晶体管P1的源极接电源，栅极和漏极相连并与第一NMOS晶体管N1的漏极和第二NMOS晶体管N2的栅极相接；第一NMOS晶体管N1的源极接地，栅极与第四NMOS晶体管N4的栅极相接；第二NMOS晶体管N2的源极接地，漏极接第二PMOS管P2的漏极及第三NMOS管N3的漏极；第二PMOS晶体管P2的源极接电源，栅极和漏极连接并接第三PMOS晶体管P3的栅极；第三PMOS晶体管P3的源极接电源，漏极接第四NMOS晶体管N4的漏极并作为输出电压端Uout1；第三NMOS晶体管N3的漏极接第二PMOS晶体管P2的漏极，源极接地，栅极接第四NMOS晶体管N4的栅极；第四NMOS晶体管N4的漏极和栅极相连作为输出电压端Uout1，源极接第一电阻R1的一端，第一电阻R1的另一端接地。
3.如权利要求1或2所述的上电复位电路，其特征在于，所述上电复位模块包括第四PMOS晶体管P11、第五PMOS晶体管P12、第五NMOS晶体管N10、第二电阻R2、电容C1和反相器INV1；第五NMOS晶体管N10的栅极接输入IN，源极接地，漏极接第四PMOS晶体管P11的栅极和漏极以及第五PMOS晶体管P12的栅极；第四PMOS晶体管P11的源极接电源；第五PMOS晶体管P12的源极接电源，漏极接第二电阻R2和电容C1的一端以及反相器的输入；第二电阻R2和电容C1的另一端接地；反相器INV1的输出接输出UOUT2。
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